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MOVIMIENTO DE LOS ATOMOS EN LOS MATERIALES

AGUAS GONZALEZ LUISA MARIA


2011216002
PEREZ CARRASQUILLA OLGA LUCIA
2011216088
VARGAS AVILA NEYLA ANDREA
2011216122

ING. JAIRO LUIS DAZA

UNIVERSIDAD DEL MAGDALENA


FACULTAD DE INGENIERIA INDUSTRIAL
CIENCIA Y TECNOLOGIA DE LOS MATERIALES
SANTA MARTA
2014

1. INTRODUCCION

Ciencia y tecnologa de Materiales


Para llevar a cabo las actividades diarias de la vida cotidiana, todas las clulas
deben transferir iones esenciales y pequeas molculas a travs de membranas
plasmticas semipermeables. Los iones son tomos o molculas con una carga
positiva o negativa neta. Para cumplir con los requisitos de la vida, las clulas
intercambian gases, como el oxgeno y el dixido de carbono; excretan productos
de desecho, y disfrutan de las partculas de alimentos, agua y minerales. El
intercambio tiene lugar entre la clula y lo que rodea el fluido extracelular.
Los procesos y reacciones ms importantes en el manejo de los materiales se
basa fundamentalmente en la transformacin de masas, bien dentro de un
determinado solidos (a un nivel microscpico), o bien desde un lquido, un gas u
otro slido. La difusin es ese proceso de transferencia por movimiento atmico.
En la presente investigacin se relaciona los movimientos de los tomos en los
materiales, como los mecanismos de difusin, procesamiento de los materiales,
perfil de composicin y de la naturaleza de las sustancias en la velocidad de
difusin.

2. OBJETIVOS
2.1. OBJETIVO GENERAL
Movimiento de los tomos en los materiales
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Investigar los diferentes movimientos de los tomos en los materiales.


2.2. OBJETIVOS ESPECIFICOS

Entender el concepto de difusin.

Conocer y entender los diferentes mecanismos atmicos de la difusin.

Comprender las leyes de la difusin.

Influencia de los factores que influyen en el proceso de difusin.

3. CONTENIDO TEMATICO
3.1. MECANISMO DE LA DIFUSIN

Movimiento de los tomos en los materiales


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El desorden que se crean por las vacancias (es decir, la mayor entropa) ayuda a
minimizar la energa libre y en consecuencia, la estabilidad termodinmica de un
material cristalino. Los materiales cristalinos tambin contienen otras clases de
defectos. En materiales que contienen vacancias, los tomos se mueven o saltan
de una posicin en la red a otra. Este proceso se llama auto-difusin y se puede
detectar con trazadores radiactivos. A nivel atmico, la difusin consiste en la
emigracin de los tomos de un sitio de la red a otro sitio. En los materiales
slidos, los tomos estn en continuo movimiento, cambian rpidamente de
posicin. La movilidad atmica exige dos condiciones: 1) un lugar vecino vaco, 2)
el tomo debe tener suficiente energa como para romper los enlaces con los
tomos vecinos y distorsionar la red durante el desplazamiento. Esta energa es
de naturaleza vibratoria a una temperatura determinada, alguna pequea fraccin
del nmero total de tomos es capaz de difundir debido a la magnitud de su
energa vibratoria. Esta fraccin aumenta al ascender su temperatura. El
fenmeno de la difusin se puede demostrar mediante el par difusor formado por
la unin de dos metales puestos en contacto a travs de las dos caras, por
ejemplo el cobre y el nquel. Este par se calienta a elevada temperatura (por
debajo de la temperatura de fusin de ambos metales) durante un largo periodo de
tiempo y luego se enfra a temperatura ambiente. El anlisis qumico revela cobre
y nquel puros en los extremos del par, separados por una regin de aleacin.

Difusin de tomos de cobre en nquel. Al final, los tomos de cobre se distribuyen


al azar dentro del nquel.
Hay dos mecanismos importantes por los que se pueden difundir los tomos o los
iones que son los siguientes:
3.1.1.

Difusin por vacantes

Movimiento de los tomos en los materiales


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Es un mecanismo de difusin que implica el cambio de un tomo desde una
posicin reticular normal a una vacante o lugar reticular vecino vaco. Este
mecanismo recibe el nombre de difusin por vacante. Por descontacto que este
proceso necesita la presencia de vacantes, y las posibilidades de la difusin de las
vacantes es funcin del nmero estos defectos que existan. A elevada temperatura
el nmero de vacantes de un metal es significativo. Puesto que en el movimiento
difusivo los tomos y las vacantes intercambian posiciones, el movimiento de los
tomos en la difusin va en sentido opuesto entre las vacantes. El auto difusin y
la interdifusion ocurren mediante este mecanismo; en la interdifusion los tomos
de soluto sustituyen a los tomos del disolvente.
3.1.2.

Difusin intersticial

El segundo tipo de difusin implica a tomos que van desde una posicin
intersticial a otra vecina desocupada. El mecanismo tiene lugar por interdifusion de
solutos tales como hidrogeno carbono nitrgeno y oxgeno, que tiene tomos
pequeos, idneos para ocupar posiciones intersticiales. Los tomos de soluto
sustitucionales raramente ocupan posiciones intersticiales y no difunden por este
mecanismo. Este fenmeno se denomina difusin intersticial. En la mayora de las
aleaciones, la difusin intersticial ocurre ms rpidamente que la difusin por
vacantes, ya que los tomos intersticiales son ms pequeos que las vacantes y
tienen mayor movilidad. Teniendo en cuenta que hay ms posiciones intersticiales
vacas que vacantes, la probabilidad del movimiento atmico intersticial es mayor
que la difusin por vacantes.

Mecanismo de difusin en los materiales: a) difusin de vacancia o de tomo


Sustitucional; b) difusin intersticial

Movimiento de los tomos en los materiales


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Datos de difusin para datos seleccionados.

3.2. PRIMERA LEY DE FICK: VELOCIDAD DE DIFUSION

Movimiento de los tomos en los materiales


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La primera ley de Fick establece que el flujo J (el nmero de tomos, iones o
molculas que pasan en unidad de tiempo a travs de un plano de superficie
unitaria) es proporcional al gradiente de
concentracin DC/DX (en tomos/cm3cm).
Entonces:
J =D

dc
dx

Donde el factor de proporcionalidad D, es la


difusividad o coeficiente de difusin (en

cm2
s ),

est relacionado con la temperatura segn una


ecuacin de Arrhenius anloga a la ya descripta;
D = Do e -Q /RT

El flujo durante la difusin


queda definido como el
nmero de tomos que
pasa a travs de un plano
de rea unitaria por unidad
de tiempo.

Con Q como la energa de activacin y D 0 constante para cada sistema de


difusin dado (los valores tpicos se encuentran tabulados).
3.2.1.
Factores que modifican el flujo de tomos y la velocidad de
difusin.
El gradiente de concentracin puede crearse por ejemplo al poner en contacto
dos materiales de distinta composicin, y muestra la forma en que la composicin
vara con la distancia a la zona de contacto. En general el flujo inicial es alto en la
zona de contacto, y luego se reduce conforme disminuye el gradiente. Si el
gradiente de concentracin es constante (es decir si las composiciones a cada
lado del plano no cambian) el flujo solo depender de la temperatura pero a
menudo se observa que las concentraciones varan al irse redistribuyendo los
tomos por lo que tambin el flujo cambia.
Cuando se incrementa la temperatura de un material, se incremente el coeficiente
de difusin D, y el flujo de tomos. Por sta razn, el tratamiento trmico de
metales y el procesamiento de cermicos se efecta a altas temperaturas. As los
tomos se mueven rpidamente para completar reacciones o alcanzar las
condiciones de equilibrio.

Movimiento de los tomos en los materiales


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Los factores que disminuyan la energa de activacin incrementarn la difusin
porque se requerir menos energa trmica para vencer la barrera energtica. La
difusin intersticial, con una energa de activacin baja, ocurre mucho ms rpido
que la difusin por vacancias.
La energa de activacin Q ser, en general, menor para tomos difundindose a
travs de estructuras cristalinas abiertas que compactas. Adems, como Q
depende de la fuerza del enlace atmico, ser mayor para la difusin de tomos
en materiales con alto punto de fusin.
Materiales con enlaces covalentes, como el carbono y el silicio, tienen Q
extraordinariamente altas, acorde a la alta resistencia de sus enlaces atmicos.
En los materiales con enlaces inicos, como los cermicos, un in que difunda
slo podr ocupar un sitio que tenga su misma carga y a fin de llegar a dicho sitio,
deber abrirse paso entre los iones adyacentes, pasar por una regin de carga
opuesta y moverse una distancia relativamente larga. Por lo tanto, las Q son
mayores y las velocidades de difusin son menores para materiales inicos que
para metales.
Debido a su menor tamao, los cationes tienen coeficientes de difusin ms altos
que los aniones (por ejemplo en el NaCl, la Q para la difusin de los iones Cl - es
aproximadamente el doble que la
correspondiente a la difusin de los
iones Na+).
En los polmeros puede existir difusin
de tomos o de pequeas molculas
por
entre
las
largas
cadenas
polimricas (las bolsitas plsticas
dejan pasar gases lquidos al estado de
vapor, por ejemplo). De hecho, el
polmero a emplearse deber ser
seleccionado
segn
su
funcin
eligiendo los que permitan o no la
difusin: sta ser ms rpida cuanto
ms pequeo sea el elemento en
difusin y cuantos ms huecos haya
entre las cadenas del polmero. A
travs de los polmeros amorfos, de
menor densidad, la difusin es mucho

I
lustracin del gradiente de
concentracin.

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ms rpida que a travs de los polmeros cristalinos, con un orden de largo
alcance.
Todo lo anterior se refiri en general a la difusin volumtrica, es decir a travs del
slido, con energas de activacin Q grandes y relativamente lentas. Sin embargo
los tomos tambin pueden difundir a lo largo de bordes, interfaces y superficies
del material, donde la compactacin atmica y la organizacin del cristal no son
buenas. De hecho, los tomos difunden fcilmente por difusin en los bordes de
grano y an ms fcilmente y con menos restricciones por difusin en superficies.
Finalmente, la ltima variable es el tiempo. Si para producir una estructura
uniforme debe difundir un gran nmero de tomos, pueden requerirse extensos
perodos, incluso a temperaturas altas.
Se observa que evitando la difusin (por ejemplo con enfriamientos rpidos desde
altas temperaturas) pueden obtenerse estructuras fuera del equilibrio con
propiedades especiales bastante notables que pueden ser deseables (tal el caso
de los aceros) que son la base de tratamientos trmicos sofisticados.
3.2.2.

Factores del Coeficiente de Difusin D.

3.2.2.1.

Mecanismo de difusin

C (R.atm. Pequeo) difunde intersticialmente en Fe- (FCC) y en el Fe- (BCC)


Cu R.atm ) difunde sustitucionalmente en una red metlica de Al.

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3.2.2.2.

Tipo de estructura cristalina de la red anfitriona/matriz

D (C en Fe-, FCC)=5.10 -15 m2/s < D(C en Fe- , BCC)=10-12 m2/s.


F (BCC) =0.68< f (FCC)=0.74
3.2.2.3.

Tipo de imperfecciones o defectos en el cristal:

-Estructuras abiertas ( canales, planos, ) D


- D superficie> D borde grano > D interior.
3.2.2.4.

Concentracin especies que difunden

1. Variacin de las fuerzas de cohesin entre tomos.


2. Direcciones preferenciales de migracin para disminuir la eg interna de la red.

3.2.2.5.

Temperatura: T D

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Difusin de tomos:
Al T Energa trmica atm.
Mayor probabilidad de mov.
D
D = f (T) (dependencia tipo
Arrhenius):
D=D 0 e

E act
RT

D = difusividad (m2/s)
D0 = Constante
proporcionalidad (factor de
frecuencia)
Eact= E activacin necesaria para producir el movimiento difusivo de 1 mol de
tomos
R = constante de los gases
T= Temperatura (K)
Al Tf ED (ya que E enlace)

3.3. SEGUNDA LEY DE FICK: PERFIL DE COMPOSICION


Movimiento de los tomos en los materiales
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La segunda Ley de Fick, que describe la difusin dinmica, o en estado no
estacionario, de los tomos, es la ecuacin diferencial:
dc d
dc
=
D 2 (3.3 .1)
dt dx
dx

Si se supone que el coeficiente de difusin D no es una funcin de la ubicacin x


ni de la concentracin (c) de la especie que se difunde, se puede plantear una
versin simplificada de la segunda ley de Fick, como sigue:

dc
d c
= D 2 (3.3 .2)
dt
dx
La solucin de esta ecuacin depende de las condiciones de frontera para un
caso un caso en particular. Una solucin es:
c sc x
x
=erf
( 3.3.3)
c sc 0
2 Dt

Dnde:
Cs = es una constante de concentracin de los tomos que se difunden en la
superficie del material.
C0 = es la concentracin uniforme inicial de los tomos que se difunden en el
material.
Cx = es la concentracin del tomo que se difunde a la posicin x debajo de la
superficie despus de un tiempo t.
Estas concentraciones se ilustran en la figura. En ellas se ha supuesto, en forma
bsica, un modelo unidimensional; es decir, se supone que los tomos u otras
especies que se difunden solo se mueven en la direccin x. la funcin efr es la
funcin de error y se puede evaluar en la tabla.

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Difusin de tomos en la superficie de un material, ilustrando el uso de la segunda


ley de Fick.

Funcin error correspondiente a la segunda ley de Fick


De esta manera, la solucin de la primera Ley de Fick permite calcular la
concentracin de muestras cercanas a la superficie del material como una funcin
del tiempo y la distancia, siempre y cuando el coeficiente de difusin D
permanezca constante y las concentraciones de tomos difundidos en la superficie
Cs y dentro del material C0 permanezcan sin cambios.

Una de las consecuencias de la segunda Ley de Fick es que se puede obtener el


mismo perfil de concentracin para diferentes condiciones mientras el termino Dt
sea constante. Esto permite determinar el efecto de la temperatura en el tiempo
que requiere un tratamiento trmico en completarse.
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La definicin matemtica de la funcin de error es la siguiente:
y2
exp ( )dy (3.3.4)
x

erf ( x )=

En la ecuacin 5.8, y es el argumento de la funcin de error. Tambin se define


una funcin de error complementario como sigue:
erfc ( x )=1erf ( x ) (3.3.5)
Esta funcin se usa en ciertas formas de solucin de la segunda ley de Fick.
Como se mencion antes, segn las condiciones a la frontera, se obtienen
distintas soluciones; es decir, hay varias ecuaciones que describen las soluciones
de la segunda ley de Fick. Estas soluciones de la segunda ley de Fick permiten
calcular la concentracin de una especie que se difunde en funcin del tiempo t y
de la ubicacin x.
La segunda ley de Fick tambin puede ayudar a disear diversas tcnicas de
procesamiento de materiales, incluyendo el tratamiento trmico de cementacin o
carburizacin del acero y la difusin de dopantes en semiconductores.
Limitaciones de la aplicacin de la solucin basada en la funcin de error
dada en la ecuacin 3.3.3
En la ecuacin que describe la segunda ley de Fick (ecuacin 3.3.3):
a. Se supone que D es independiente de la concentracin de la especie que
se difunde;
b. La concentracin superficial de la especie que se difunde (Cs), siempre es
constante.
Hay casos en que esas condiciones no se cumplen y, en consecuencia, la
evolucin del perfil de concentracin no ser predicha por la solucin de difusin
de error de la ecuacin 3.3.3. Si las condiciones a la frontera son distintas de las
que se pusieron, se deben utilizar en la segunda ley de Fick.
En la ecuacin 3.3.3 se requiere que haya una composicin constante Co en la
interfaz; es el caso de procesos como el de cementacin del acero, en los cuales
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se suministra carbono a la superficie del acero. Sin embargo, en muchos casos la
concentracin en la superficie cambia en forma gradual durante el proceso. En
estos casos, se presenta la interdifusin de los tomos. El termino interdifusin
significa difusin de una especie en una direccin y la difusin de otra especie en
direccin contraria.
A veces, la interdifusin puede causar dificultades. Por ejemplo, cuando se liga
aluminio al oro a temperatura elevada, los tomos se difunden con ms rapidez en
los tomos de oro, que los de oro hacia el aluminio. En consecuencia, al final hay
ms tomos totales en el lado original del oro de la interfaz que en el lado original
del aluminio. Esto provoca que la ubicacin fsica de la interfaz original se mueva
hacia el lado del aluminio del par de difusin. Toda partcula extraa que este
aprisionada originalmente en la interfaz tambin se mueve con la interfaz. A este
movimiento de la interfaz, debido a las velocidades distintas de difusin, se le
llama efecto Kirkendall. En algunos casos, se forman huecos en la interfaz como
resultado del efecto Kirkendall, a los cuales se les llama plaga purpura.
En otros casos, aun cuando las condiciones de frontera sean las mismas que las
usadas para deducir la ecuacin 3.3.3 o se puedan manejar con ecuaciones
alternas, el coeficiente de difusin D puede tener dependencia respecto a la
concentracin. Tambin como D tiene una fuerte dependencia a la temperatura, al
suponer una D constante se suponen casos de procesamiento isotrmico. En
realidad, las temperaturas rara vez son constantes en el procesamiento de
materiales. No es sorprendente observar con frecuencia perfiles de concentracin
diferentes de los pronosticados por las diversas soluciones de la segunda ley de
Fick.
3.4. DIFUSIN Y PROCESAMIENTO DE LOS MATERIALES
3.4.1.
FUSION Y COLADO: uno de los mtodos ms usados para procesar
metales, aleaciones, muchos plsticos y vidrios, implica la fusin y el
colado de los materiales para obtener una forma definida. La difusin
desempea un papel de importancia especial en la solidificacin de los
metales y las aleaciones. Durante el crecimiento de monocristales de
semiconductores, por ejemplo, se debe asegurar que se tengan en
cuenta las diferencias en la difusin de dopantes, tanto en estado fundido
como slido. Esto se aplica tambin a la difusin de los elementos
durante el colado de aleaciones.
3.4.2.
SINTERIZACIN: Un cierto nmero de materiales se manufacturan
en formas tiles mediante un proceso que requiere la consolidacin de
pequeas partculas en una masa slida.
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El sinterizado es un tratamiento a alta temperatura que hace que las
partculas se unan y que de manera gradual se reduzca el volumen del
espacio de los poros entre las mismas. Es de uso frecuente en la
fabricacin de componentes cermicos as como en la produccin de
componentes metlicos en la llamada metalurgia de polvos.
Cuando se compacta polvo de un material para obtener una preforma, las
partculas de polvo entran en contacto en muchos puntos, aunque con una
cantidad significativa de poros entre ellas. Los tomos difundirn hacia los
puntos de contacto a fin de reducir la energa superficial entre las partculas.
Si el sinterizado se efecta durante un tiempo prolongado pueden
eliminarse los poros y el material se hace denso. La velocidad del
sinterizado depende de la temperatura, de la energa de activacin y del
coeficiente de difusin, as como del tamao original de las partculas.
Este mtodo es usado para metales y cermicos avanzados, en estos
ltimos una vez terminado el proceso, su microestructura queda fija. Los
cermicos avanzados estn diseados para optimizar las propiedades
mecnicas a temperaturas elevadas, reduciendo (por el sinterizado como
forma de unin) la fase vtrea de la unin cermica, de bajo punto de fusin.

Procesos de difusin durante el sinterizado y la metalurgia de polvos. Los tomos


se difunden hacia los puntos de contacto, formando puentes y reduciendo el
tamao del poro.
3.4.3.
CRECIMIENTO DE GRANO: un material policristalino contiene una
gran nmero de granos tiene muchos bordes de grano, que representan
reas de alta energa debido a una ineficiente compactacin de los
tomos. Si se reduce el rea total de los bordes de grano mediante el
crecimiento de estos, se tendr en el material una energa general
inferior. El crecimiento de los granos implica el desplazamiento de los
bordes de grano, permitiendo que algunos granos crezcan a costa de
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otros. Implica en general mantener el material a temperaturas altas el
perodo necesario de tiempo (ej. algunos metales).
La fuerza impulsora del crecimiento de grano es la reduccin del rea e
lmites de grano. Los lmites de grano son defectos, y su presencia causa
un aumento de la energa libre del material. De este modo, la tendencia
termodinmica de los materiales policristalinos es a transformarse en
materiales que tienen mayor tamao promedio de grano. Las
temperaturas elevadas o energas de activacin bajas aumentan el
tamao de los granos. El crecimiento normal de grano, el tamao del
grano promedio aumenta en forma continua y el ancho de la distribucin
de tamaos de grano no se afecta en forma severa. En el crecimiento
anormal de grano, la distribucin de tamaos de grano tiende a ser
bimodal, es decir, se obtienen pocos granos muy grandes y entonces
quedan pocos granos relativamente pequeos.

El crecimiento de grano se efecta cuando los tomos se difunden de un grano a


otro, a travs del lmite de grano.

3.4.4.
SOLDADURA POR DIFUSIN: mtodo utilizado para unir
materiales. Se efecta en tres pasos. Primero, aplicando presin que
deforma ambas superficies obligndolos a unirse, fragmentando las
impurezas y produciendo una gran rea de contacto tomo-tomo.
Mientras las superficies se mantienen en compresin y a temperatura
elevada, los tomos difunden a lo largo de los bordes de grano hacia las
vacancias restantes, reducindose el tamao de las vacancias en la
interfaz (este paso es rpido). Finalmente, el crecimiento de los granos
aleja los huecos remanentes de las fronteras de grano. El tercer paso
implica la eliminacin completa de los huecos para lo que deber ocurrir
la difusin volumtrica que es relativamente lenta. Este proceso se utiliza

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para unir metales reactivos como el titanio, para unir metales y materiales
distintos, y para unir cermicos.

Pasos en la unin por difusin: a) a principio, el rea de contacto es pequea; b)


al aplicar presin se deforma la superficie, aumentando el rea de contacto; c) la
difusin en lmites de grano permite contraer los huecos, y d) para la eliminacin
final de los huecos se requieren difusin en volumen.

4. CONCLUSION
Movimiento de los tomos en los materiales
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Ciencia y tecnologa de Materiales

5. BIBLIOGRAFIA
J.F. SHACKELFORD. Introduccin a la ciencia de materiales para ingenieros. Ed.
Prentice Hall.
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Universidad Nacional de Lujn, Dto. de Ciencias Bsicas. (s.f.). Recuperado el 26
de Junio de 2014, de http://www.unlu.edu.ar/~qui10192/qi002.htm.

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