Sunteți pe pagina 1din 35

UNIVERSITTATEA TEHNIC GH.

ASACHI IAI
FACULTATEA DE TIINA I INGINERIA MATERIALELOR

TRADUCTOARE
REZISTIVE

GRUPA - 9404

CUPRINS
Introducere
CAP.I.Clasificarea general a traductoarelor
1.1.
Traductoare parametrice
1.2.
Traductoare generatoare
CAP. II. Traductoare de deplasare; Reostatice.
2.1.
Elemente sensibile pentru deplasri liniare mici.
2.2.
Montajul reostatic
2.3.
Elemente sensibile rezistive pentru msurarea deplasarilor unghiulare
2.4.1. Caracteristici constructive
2.4.2. Caracteristici metrologice
CAP. III. Traductoare piezorezistive
3.1.
Construcie
3.2.
Tipuri de senzori piezorezistivi
3.3.
Scheme de msurare
3.3.1 Punte de msurare cu amplificare
3.3.2. Puni cu dispozitive de liniarizare
3.3.3. Puni cu senzori la distana
3.3.4. Exemple (poze) de traductoare piezorezistive
CAP. IV. Traductoare termorezistive
4.1.
Termometre cu elemente sensibile rezistive
4.2.
Termorezistoarele sau termorezistenele
4.2.1. Termorezistenele
4.2.2. Termistoarele
CAP. V. Traductoare tensomertice
5.1.
Tensometre cu fir metalic
5.2.
Parametrii tensometrilor
5.3.
Circuite de msurare
5.4.
Exemple (poze) de traductoare tensometrice
CAP. VI. Senzori si microsenzori chemorezistivi
6.1.
Senzori chemorezistivi
6.2.
Microsenzori chemorezistivi
6.2.1.Microsenzori cu strat de SnO2
CAP. VII. Fotorezistorul
Bibliografie

INTRODUCERE

Progresele din domeniul tehnicii msurrii sunt strns legate de progresele din domeniul
senzorilor i traductoarelor i de cele din domeniul mijloacelor de prelucrare i transmitere a
semnalelor asociate mrimilor msurate.
n paralel cu perfecionarea senzorilor i traductoarelor tradiionale au aprut i s-au
dezvoltat rapid noi tipuri de asemenea echipamente, bazate pe proprieti, efecte i materiale
speciale. Dintre acestea menionm:
-Senzori i traductoare din materiale semiconductoare;
-Senzori i traductoare fotoelectronice;
-Senzori i traductoare electrochimice i biochimice;
-Senzori si traductoare cu microunde radar ;
-Senzori bazai pe efecte speciale, .a.
O tendin manifestat n ultimele decenii este aceea de a ncorpora n structura
senzorilor sau traductoarelor circuite i dispozitive de prelucrare primar a semnalelor prelevate
pentru a furniza la ieire un semnal ct mai bogat n informaie i ct mai propice pentru
transmitere ctre celelalte elemente ale sistemului de msurare sau conducere. Este vorba de
prelucrri care s fac posibil transmiterea mrimilor prelevate pe semnale de ieire standard
acceptabile de aparatele de msurare i/sau de microprocesoarele din structura senzorilor i
traductoarelor sau de cele din structura sistemului de msurare.
Cvasitotalitatea senzorilor i traductoarelor care se fabric n prezent au ca mrime de
ieire curentul electric (420 mA), trenul de impulsuri cu frecvene de ordinul KHzMHz sau
ieire numeric serial sau paralel pe 8-32 bii, transmisibile pe magistrale de tip HART,
FIELDBUS, OPC .a.
Exist, de asemenea, tendina de a folosi, acolo unde este cazul, traductoare inteligente,
adic traductoare care s ntruneasc n totalitate sau parial atributele (cerinele) echipamentelor
inteligente, enumerate anterior.
Gradul de inteligen al traductorului este determinat, att de inteligena metodei de
msurare adoptate ct i de inteligena sistemului care asigur derularea automat a procesului de
msurare.
Inteligena se materializeaz att prin diverse funcii implementate prin echipamente, ct mai ales
prin algoritmul sau programul de aplicaie executat de o structur programabil.

I. CLASIFICAREA GENERAL A TRADUCTOARELOR


temperatur
debit
presiune

mrimi neelectrice

nivel
umiditate

traductoare de mrime

vitez etc.

dup natura mrimii


de intrare

tensiune
curent

mrimi electrice

rezisten
frecven etc.
gazoanalizoare

traductoare de calitate
compoziiei corpurilor)

(caracteristici

ale

traductoare de pH
spectrografe etc.
rezistive

traductoare parametrice (transform o mrime


neelectric ntr-un parametru de circuit electric)

inductive
capacitive
fotoelectrice etc.

dup natura mrimii


de ieire

de inducie
traductoare generatoare (transform o mrime
neelectric ntr-o for electromotoare)

sincrone
piezoelectrice
termoelectrice etc.

1.1. Traductoare parametrice

Mrimi fizice de
Mrimi fizice derivate
baz

Elemente sensibile tipice

- deplasare liniar;
- deplasare unghiular
- lungime (dimensiuni geometrice);
- grosime;
- straturi de acoperire;
- nivel
- deformaie (indirect for, presiune sau
cuplu);
- altitudine.

- rezistive;
- inductive;
- fotoelectrice;
- electrodinamice (de
selsine, inductosine).

Vitez

- vitez liniar;
- vitez unghiular;
- debit.

- electrodinamice (de inducie);


- fotoelectrice.

For

- efort unitar;
- greutate
- acceleraie (vibraie);
- cuplu;
- presiune (absolut, relativ, vacuum,
nivel, debit);
- vscozitate.

- termorezistive;
- termistoare;
- rezistive;
- inductive;
- capacitive;
- piezorezistive;
- magnetorezistive.

Temperatur

- temperatur ( pentru solide, fluide, de


suprafa);
- cldur (flux, energie);
- conductibilitate termic.

- termorezistene;
- termistoare;
- termocupluri.

Mas

- debit de mas

- complexe (dilatare+deplasare)

Concentraie

- densitate;
- componente n amestecuri de gaze;
- ioni de hidrogen n soluii.

- idem ca la for;
- termorezistive;
- electrochimice;
- conductometrice.

Radiaie

- umiditate;
- luminoas;
- termic;
- nuclear.

- fotoelectrice;
- detectoare n infrarou;
- elemente sensibile bazate
ionizare.

Deplasare

inducie,

pe

1.2. Traductoare generatoare

Mrimea fizic de msurat


Temperatura

Efectul utilizat

Mrimea de ieire

Termoelectricitate

Tensiune

Piroelectricitate

Sarcina

Foto-emisie

Curent

Flux de
radiaie optic

Efect fotovoltaic

Tensiune

Efect foto-electric

Tensiune

Fora

Piezo-electricitate

Sarcina electric

Presiune

Piezo-electricitate

Sarcina electric

Acceleraie

Piezo-electricitate

Sarcina electric

Viteza

Inducie electromagnetic

Tensiune

Poziie (Magnet)

Efect Hall

Tensiune

II. TRADUCTOARE DE DEPLASARE; REOSTATICE


2.1. Elemente sensibile rezistive pentru deplasri liniare mici
Funcionarea acestora se bazeaz pe dependena liniar care exist ntre rezistena electric, R (a
rezistorului ) i lungimea sa ( ) conform relaiei :

R ;
S
unde: este rezistivitatea materialului iar S aria seciunii conductorului, ambele considerndu-se
constante.
Se utilizeaz frecvent E.S. rezistive cu variaie cvasicontinu, realizate prin bobinare cu
pas uniform i mic a unui fir conductor pe un suport de material izolator (ceramic)- figura 1:

Figura 1.- Element sensibil rezistiv pentru deplasri liniare

Deoarece principalele surse de erori pentru aceste elemente sensibile sunt contactele imperfecte ntre cursor
i rezistorul bobinat, ct i variaia temperaturii mediului, se impune pentru firul conductor utilizarea unor
materiale care au coeficientul de variaie a lui cu temperatura foarte mic: manganina, constantan,
nicron; pentru cursor lamelele sau perii din fire de argint cu grafit, iar pentru carcasa materiale ceramice
cu bun izolaie i stabilitate la variaia temperaturii .
Schemele de conversie la traductoarele de deplasare cu E.S. rezistive sunt de dou tipuri:
2.2. Montajul reostatic, figura 2.

Figura 2. element sensibil rezistiv n montaj reostatic: a schema electric; b caracteristica static

Deplasarea (x) se exprim prin curentul I x , conform relaiei :


E
Ix
RS R x
care indic o caracteristic neliniar.
2.3. Montajul poteniometric (figura 3) la care mrimea de ieire este o tensiune dat de relaia de mai sus.

Figura 3. Element sensibil rezistiv n montaj poteniometric: a schema electric; b caracteristici statice
Ux

E
*

m x (1 x

;
) 1

Rx
R
; i m
;
R
RS

(m = coeficient de ncrcare )
Caracteristica static (figura 3 -b) este liniar doar pentru sarcin infinit (m = 0);

R=0 ; R S

.
Neliniaritatea crete odat cu micorarea rezistenei de sarcin Rs. Este necesar deci o rezisten de sarcin ct
mai mare. O alt component a erorii de neliniaritate este dat de mrimea pasului de bobinare. Ideal, cursorul
ar trebui s calce pe o singur spir. Eroarea de neliniaritate scade atunci cnd n circuitul de msurare
(corespunztor lui Rx)
sunt cuprinse mai multe spire din R, ceea ce nsemn c rezoluia nu este constant. Dei aceast poate
atinge valoarea de 10 3...10 4 din mrimea de msurat, uzual se obine o rezoluie de 0,01 mm la o
deplasare de 100 mm.
Observaii:
- Teoretic aceste ES pot fi utilizate pentru msurarea deplasrilor mari ( de ordinul metrilor), dar
aplicaiile acestor traductoare se limiteaz la msurarea deplasrilor n domeniul (100300) mm.
- ES rezistive trebuie protejate mpotriva prafului sau altor impuriti prin capsulare.
2.4. Elemente sensibile rezistive pentru msurarea deplasrilor unghiulare
Constructiv, acestea sunt servopoteniometre (figura 4.) care funcioneaz pe acelai principiu ca i
ES rezistive pentru deplasri liniare. Dac cursorul este rotit cu unghiul fa de poziia de referin (zero) se
obin la bornele poteniometrului tensiunile:

U a max
Ua
'
; sau U x
(4.34)
max
max
unde: Ua este tensiunea de alimentare; max - unghiul maxim care de obicei este mai mic dect
Ux

limitat de spaiul necesar amplasrii contactelor ( max 0...355 (358 ) )


8

360 fiind

Poteniometrele de acest tip pot fi :


-uniturn, dac max 0...355 (358 )
-multiturn pentru domenii care depesc 360 , la care numrul de rotaii este standardizat:
max (3 sau 10) rotaii, adic: max (3 sau 10) 360
Servopoteniometrul multiturn are rezistena aplicat pe un suport electroizolant elocoidal .

Figura 4. Element sensibil rezistiv (poteniometric) pentru deplasri unghiulare.

ES de acest tip se utilizeaz pentru msurarea deplasrilor liniare mari (510 m) dac sunt
acionate prin mecanisme cu minireductoare adecvate .
Exemplu: Msurarea nivelului n rezervoare (bazine) .
Firul rezistiv este bobinat pe un suport izolant circular, iar cursorul realizeaz contactul
electric cu o spir a nfurrii, putnd efectua o deplasare unghiular cu un unghi maxim ocmax.
Dac ntre cele bornele (1-2) borne valoarea rezistenei este Rmax, atunci ntre bornele (13) valoarea rezistenei va fi:

Figura 4.1

Datorit trecerii cursorului de pe o spir pe alta, se realizeaz o variaie brusc a rezistenei


electrice R eroarea de discontinuitate fiind:

unde:
n - numrul de spire al nfurrii traductorului ;
unghiul curent de rotaie al cursorului;
max - unghiul maxim de rotaie al cursorului.
Valoarea minim care apare la sfritul cursei n uniti relative se numete "factor de treapt":

2.4.1.Caracteristici

constructive

Rezistena poate fi constituit dintr-un fir rezistiv bobinat fie dintr-o band
conductoare. Firul trebuie s ndeplineasc urmtoarele condiii: S coeficient mic de variaie cu
temperatura al rezistivitaii;
S tensiuni termoelectromotoare neglijabile (n prezena cuprului, pentru a nu
forma pile electrice);
S stabilitate cristalografc;
S rezisten la coroziune.
Firul rezistiv, bobinat pe un suport izolant (sticl, cearmic sau mase plastice) este la
rndul lui izolat cu un lac email sau prin oxidare superficial; el este neizolat doar pe poriunea
care vine n contact cu cursorul. Nu se folosesc substane chimic pure ci aliaje, dintre care cele mai
folosite sunt: Ni-Cr, Ni-Cu, Ni-Cr-Fe, Ag-Pd.
Benzile conductoare sunt confecionate plecnd de la o mas plastic ncrcat cu
particule conductoare de carbon avnd dimensiuni de ordinul IO"2 (im. La scar microscopic, banda
conductoare realizat este discontinu ceea ce d acestor tipuri de traductoare o limita superioar de
rezoluie de ordinul 5-IO"6 inch (l inch = 25,4 mm). Valorile rezistenei R n sunt cel mai adesea
ntre l Kl i 100 KH, dar pot atinge i civa ML
Toleranele de fabricaie ale acestor tipuri de poteniometre variaz astfel: pentru cele
standard (uzuale, aplicaii obinuite) tolerana asupra valorii Rn este de
20%, sau 10% , putnd fi adus n cazuri speciale la 5%. n general, n tipul de montaje n care se
folosec poteniometre, exactitatea acestora nu are foarte mare importan ntruct semnalul depinde
de fapt de raportul adimensional R(x)/Rn. Liniaritatea proprie depinde de neomogenitile care se
gsesc n compoziia materialelor folosite la fabricaie.
Neomogeniti intrinseci ale materialului conduc la variaia creterii unitare de rezisten
(dR(x)/dx). Diferenele care apar ntre curba real R(x) i cea mai bun caracteristic obinut cu
traductorul sunt de ordinul 0.01% pn la 1% din Rn.

10

2.4.2 Caracteristici metrologice


Cursa electric util: reprezint plaja de variaie a lui x n care R(x) este funcie de
liniaritatea deplasrii.
Rezoluia: cea mai bun rezoluie este acea dat de poteniometrele cu band conductoare; ea
este de fapt limitat de structura granular a materialului benzii care conduce la erori de rezoluie de
circa 0,l|im. n cazul poteniometrelor bobinate ce conin n spire cursorul poate avea 2n-2 poziii
electrice distincte: a n poziii n care contactul este fcut pe o singur spir; a n-2 poziii n care
contactul este fcut pe dou spire.
Tensiunea msurat variaz astfel discontinuu la fiecare trecere de la o spir la alta.
Deplasarea maxim necesar trecerii cursorului de la poziia imediat urmtoare determin
rezoluia traductorului; ea depinde de forma i dimensiunile firelor conductoare, de cursor i de
asemenea de starea de uzur a acestora.
Pentru mbuntirea rezoluiei este necesar s cretem numrul de spire pe unitatea de
curs, i deci s reducem diametrul firului. Dar, n acest caz rezult o uzur mai rapid a firului
datorit frecrii de cursor i un risc mai mare de rupere a firului n funcionare. Cea mai bun
rezoluie pentru traductoare poteniometrice bobinate corespunde unei valori njur de 10 (im,
folosind fire de acest diametru. Rezoluia traductorului poate fi mrit fa de rezoluia
poteniometrului folosind sisteme de amplificare mecanice (prghii, angrenaje).
Zgomotulpoteniometrelor: n timpul micrii cursorului, tensiunea msurat, vm(x), prezint
n raport cu legea de variaie real Vm(x) i fluctuaiile aleatoare, Avm, datorate n particular
variaiilor care au loc la rezistena de contact.
vm(x) = Vm(x) + Avm
n cazul poteniometrelor bobinate, rezistena de zgomot Rz, este definit ca fiind:

i - fiind curentul pe care l parcurge cursorul poteniometrului utilizat ca reostat, Rz fiind n general
mai mic de 20 kl.
Rezistena de zgomot a poteniometrelor realizate cu band conductoare este net mai mare
dect a celor bobinate, rmnnd n general sub valoarea de 1% din R.
Pentru poteniometrele cu band destinate s funcioneze ca divizoare de tensiune, preferm s
determinm valoarea zgomotului plecnd de la un montaj de acest tip.
Dup tipul de poteniometru folosit, putem avea la ieire fluctuaii ale tensiunii de ieire
de la O, l pn la 2%.
Durata de via: frecarea ntre fir/banda conductoare i cursor provoac uzuri mecanice i
limiteaz durata de via a produsului; se ajunge la degradarea liniaritii traductorului i
chiar la ruperea firului bobinat al poteniometrului.
Acumularea de particule pe cursor ca urmare a frecrii i uzurii componentei rezistive duce
la creterea rezitenei de contact i a zgomotului msurat prin coeficientul de uniformitate al
tensiunii de ieire.
Modul de folosire limiteaz durata de via, n particular n cazul poteniometrelor
realizate pe un suport plastic, ce pot fi influenate de temperatur la cureni electrici mari.

11

Ca ordin de mrime al duratei de via putem indica: a) pentru poteniometrul bobinat: l 06


manevre; b) pentru poteniometrul cu band conductoare: 5x107 pn la 108 manevre;

III. TRADUCTOARE PIEZOREZISTIVE


3.1 Construcie.
Traductoarele piezoreziztive au senzorii fabricai din siliciu dup tehnologii folosite n
fabricarea componentelor semiconductoare sub form de circuite integrate i se folosesc pentru
msurarea mrimilor mecanice precum presiunea, ocurile, acceleraiile, vibraiile .a.
Senzorii de presiune au elementul sensibil confecionat dintr-o plcu de siliciu sub
form de diafragm circular subire avnd patru piezorezistori implantai simetric pe o suprafa
a acesteia - fig.5. Sub efectul unei diferene de presiune diafragma se deformeaz elastic,
inducnd n ea o stare de tensiune mecanic ce duce la modificarea rezistenei celor patru
piezorezistori. Cu ajutorul unei puni de msurare aceast modificare a rezistenei este transpus
pe semnal electric tensiune, dependent de presiune. fig.5.
Prima faz n realizarea senzorilor piezorezistivi const n implantarea de ioni n
membrana de siliciu n vederea mbuntirii performanelor dup care diafragma se creeaz prin
gravarea chimic a unei configuraii speciale pe cealalt parte a acesteia (partea opus
piezorezistorilor). Forma gravat a diafragmei asigur o rigiditate pe contur a acesteia precum i
posibilitatea montrii concentrice.
Sensibilitatea diafragmei este dependent de grosimea ei i descrete cu creterea
acesteia, dar nu liniar. De exemplu dublarea grosimii duce la reducerea sensibilitii de patru ori.
Grosimile uzuale sunt cuprinse ntre 5 i 200 microni n funcie de domeniul de msurare.
Pentru msurarea rezistenei senzorilor i pentru conversia rezistenei acestora n
tensiune senzorii se conecteaz la o punte de msurare. Diferena de potenial U e , prelevat de
pe diagonala de msur a punii constituie semnal de ieire asociat presiunii P (msura acesteia)
sau efortului aplicat pe diafragm i este exprimat de relaia :
U e U a s p U e0
unde Ua este tensiunea de alimentare a punii, s este sensibilitatea acesteia, iar U e 0 este
tensiunea de ieire pentru p 0 .
Din nefericire semnalul de ieire U e este afectat de temperatur i de ali factori
perturbatori. De aceea fabricanii ofer variante de senzori cu circuite electronice complementare
de condiionare a acestui semnal, care s asigure compensarea efectelor perturbatoare i o
calibrare precis.
3.2 Tipuri de senzori piezorezistivi.
Tipurile de senzori piezorezistivi sunt definite de tipul de presiune pe care o msoar:
presiune diferenial, presiune absolut, presiune supraatmosferic sau vid. n consecin un tip
de senzor este definit de modul n care presiunea de msurat acioneaz asupra diafragmei.
n principiu senzorii cu diafragm sunt senzori de presiune diferenial pentru c aceasta
este supus unor presiuni aplicate pe ambele fee, dar exist particulariti determinate de tipul de
presiune de msurat.
Astfel, n fig. 6, a este artat modul de solicitare a diafragmei i carcateristica de transfer
a unui senzor de presiune diferenial, p p1 p2 , care este un senzor cu camer deschis,
cele dou presiuni p1 i p2 fiind prelevate din locuri diferite.

12

Puntea de msurare a rezistenei elementelor sensibile este astfel conceput i elaborat


nct la p 0 , adic la limita de jos a domeniului de msurare s dea semnalul Uem.
Dac pe una din feele diafragmei se aplic presiunea atmosferic p0 iar pe cealalt
fa se aplic presiunea p traductorul pune n eviden de fapt suprapresiunea fa de presiunea
atmosferic, adic ceea ce n mod uzual numim presiune. n fig.6,b este prezentat modul de
solicitare a diafragmei i caracteristica de transfer a acestui tip de traductori. n acest caz U em se
obine cnd p p0 iar U M se obine cnd p pM .
n cazul msurrii presiunii absolute presiunea de referin este vidul total. Prin urmare
una din feele diafragmei este supus aciunii vidului total dintr-o camer nchis, iar cealalt este
supus aciunii presiunii de msurat aa cum se vede n figura 6 c). n acest fel o presiune
absolut de 0,3 bar reprezint o presiune de 0,3 bar fa de vidul total i implicit o depresiune de
1-0,3 =0,7 bar fa de presiunea atmosferic.
Limita superioar de msurare a presiunii absolute poate fi mai mare dect presiunea
atmosferic i n acest caz panta caracteristicii de transfer este mai mic.
Un senzor de vacum mijlocete o msurare a presiunii n care vidul (depresiunea) se
raporteaz la presiunea atmosferic. Modul de solicitare a diafragmei i caracteristica de transfer
ale acestui tip de senzor sunt prezentate n fig.6 d).

a)

b)

Figura 5.- Traductor piezorezistiv


a) Placuta cu senzori piezorezistivi b) Puntea cu senzori

13

Figura 6.- Tipuri de senzori piezorezistivi:


De presiune diferenial; b) de suprapresiune;c) de presiune absolut; d) de vid.

3.3 Scheme de msurare.


Msurarea variaiilor de rezisten R, care sunt n general mici, se realizeaz cu
ajutorul punilor de msurare, deoarece acestea pot elimina influena temperaturii mediului asupra
senzorilor i ofer ca semnal de ieire o tensiune electric U e .
Pentru a obine o sensibilitate maxim a punii este necesar ca pe braele acesteia s se
conecteze rezistene de aceeai valoare, adic n regim echilibrat relaxat cnd R=0, U e 0 .
Conectarea senzorilor piezoelectrici la braele punii se poate face n urmtoarele moduri:
Cu un senzor i trei rezistori cu rezisten fix montaj n sfert de punte
Cu doi senzori i doi rezistori (montaj n semipunte) n dou variante:
Cu senzorii pe brae opuse, dac ambii au variaii de acelai sens;
Cu senzorii pe brae adiacente, dac acetia au variaii diferite; unul cu
R+R, iar celalalt, cu R- R ;
Cu patru senzori pe toate cele patru brae: doi cte doi senzori cu aceeai variaie de
rezisten conectai pe brae opuse montaj n punte total aa cum se arat n fig.7.
n regim relaxat, cnd x=0, puntea este echilibrat iar U e 0 . Cnd apare solicitarea
mecanic apare i variaia de rezisten R, puntea se dezechilibreaz i furnizeaz o tensiune
U e 0 , aa cum se arat n tabelul 1.
Pentru oricare din cele patru montaje prezentate n fig.7. relaia dintre U e i
rezistenele braelor (n ipoteza c rezistena intern a sursei de tensiune este nul iar rezistena
intern a voltmetrului este infinit) este urmtoarea:

Ue

R1 R3 R2 R4
( R1 R2 ) ( R3 R4 )

Din analiza acestei formule se deduce c relaia dintre U e i rezistenele braelor este
liniar n cazul montajului n punte total i al montajului n semipunte cu ambele tipuri de
variaie a rezistenei (+R i -R) i este neliniar n celelalte cazuri.

14

Figura 7.- Punti de masurare piezoelectrice

Tabelul 1. Caracteristici ale traductoarelor piezoelectrice


Doi senzori pe brae
Un senzor
opuse
Tensiunea de
U R
U R
Ue
Ue
ieire U e

4 R

0,5% / %

Eroare
de
liniaritate

2 R R
2

0,5% / %

Doi senzori pe
brae adiacente

U R
Ue
2 R

Patru senzori

Ue

U R
R

3.3.1 Puni de msurare cu amplificare


Tensiunea de ieire (dezechilibru) a oricrei puni poate fi amplificat cu ajutorul unui
amplificator A, aa cum se arat n fig.8. Acest circuit produce o oarecare dezechilibrare a punii
datorit curentului de polarizare a acestuia i nu nltur neliniaritatea punii.
De reinut c rezistorul conectat la borna reinversoare nu este legat la mas, ci la
tensiunea

pentru a putea amplifica att variaiile pozitive ct i pe cele negative.

15

Figura 8.- Punte cu un senzor i cu amplificator

3.3.2 Puni cu dispozitive de liniarizare


Este important s se disting neliniaritile punii de neliniaritile senzorilor legai la
punte.
Exist mai multe posibiliti de liniarizare a punilor i anume : Prin variaii mici ale
rezistenei senzorilor; Prin introducerea unor dispozitive compensatoare pe unul sau pe mai multe
brae ale punii sa.
n fig.9. este prezentat un montaj cu amplificator care produce un nul forat i
adaug/scade o tensiune pe braul cu senzori. Aceast tensiune este egal n mrime i de semn
opus cu variaia tensiunii din senzor i este liniar n raport cu aceasta.
Un astfel de montaj asigur un ctig de dou ori mai mare dect varianta standard cu
un singur senzor i liniaritate chiar i la variaii R mari, dar are semnal de ieire relativ slab i de
aeea el ar trebui completat cu un amplificator.

a)

b)
Figura 9. -Punte liniarizat:
a) avnd un singur senzor; b) cu doi senzori

16

3.3.3 Puni cu senzori la distan


Dac senzorii rezistivi se afl un alt loc fa de locaia punii conductorii de legtur a senzorilor
la punte produc efecte/erori datorit variaiei parametrilor mediului dintre punte i senzori.

Figura 10.- Montajul Kelvin cu patru fire.

Dac la punte se leag un singur senzor soluia cea mai bun const n legarea
senzorului la punte nu cu doi conductori, ci cu trei conductori. Unul din conductori este legat la
un bra al punii, unul este legat la braul adiacent la primul iar al treilea conductor constituie
prelungirea diagonalei de alimentare pn la senzor. n acest fel influena mediului se manifest
egal i cu sensuri opuse pe cele dou brae adiacente, lsnd puntea neafectat.
Dac puntea conine doi sau patru senzori la distan se recurge la soluii speciale de
meninere a preciziei acesteia prin legarea senzorilor la punte prin patru sau chiar sase conductori.
Una din solutii este prezentata in Fig.10.

17

3.3.4 Exemple de traductoare piezorezistive

Traductoare de presiune atmosferic


(altimetre)
Traductorul BITNET utilizeaz un senzor piezorezistiv. Acest senzor combina
tehnici avansate de microtehnologie in scopul furnizarii unui semnal analog
precis i de amplitudine mare care este proporional cu presiunea aplicat.
Diafragma senzorului separ o microincinta de presiune foarte scazut care este
utilizata ca presiune de referint. Traductorul este dotat cu un al doilea canal,
care masoar temperatura in scopul eliminrii derivei termice.
Principalele caracteristici:
domeniu de masur: 20 - 105 kPa
sensibilitate: 54 mV/kPa
domeniu de temperatur de operare: -40...+125 grd. C
18

acuratetea msuratorii (diverese erori cumulate): cca. 1%


output traductor: V sau kHz.
Incapsulare: dependenta de aplicatie.

-esantion reprezentativ de date


Aplicaii tipice: barometre portabile, modul pentru staii autonome de inregistrare a evoluiei
presiunii atmosferice, prognoza meteo.
Aplicaii derivate: altimetrie, inregistrarea deficitului de presiune al sevei in plante.

19

IV. TRADUCTOARE TERMOREZISTIVE

4.1 Termometre cu elemente sensibile rezistive


Termometrele cu elemente sensibile rezistive se bazeaz pe proprietatea unor materiale
(metale, aliaje, semiconductoare etc.) de a-i modifica rezistena electric in funcie de
temperatur. In funcie de natura materialului utilizat la obinerea elementului sensibil exist
termorezistoare (termorezistente) si termistoare.
4.2 Termorezistoarele sau termorezistenele:
-sunt rezistoare executate din metale pure ( platin, cupru, nichel) ce prezinta mari
variatii ale rezistivitii cu temperatura.
4.2.1 Termorezistenele
-au variatia rezistenei cu temperatura de forma:

R este rezistena la temperatura C


R0 este valoarea rezistenei la temperatura 0C
A, B, C,....sunt constante
Pe domenii mai mici de temperatur caracteristica se poate simplifica, devenind chiar
liniar.
In mod curent, incertitudinea este mai mare de 0,1 C. Termometrul rezistiv cu platin
etalon are o incertitudine de 0,0001 C.
Msurarea se face cu ajutorul punii Wheatstone Fig. 11 sau, pentru msurari de mare
precizie, cu ajutorul unei puni Thomson.
Un brat al punii Wheatstone este constituit din sonda termorezistoare, R T , braul alturat
este reprezentat de elementul de reglaj R V in serie cu o pereche de conexiuni din acelai aliaj cu a
conexiunilor la termorezisten, introduse in corpul sondei pentru a compensa influentele termice
exterioare, RC, iar in celelalte doua brate cate o rezisten de valoare R.

20

Figura 11. - Termometru cu termorezisten

La echilibrul puntii:

De unde rezult ca rezistena termorezistenei este:

4.2.2 Termistoarele
Sunt materiale semiconductoare care i modifica rapid i intr-o plaja de variaie mare
rezistena electric sub aciunea unor variaii relativ reduse de temperatur, fiind realizate din
oxizi metalici (Fe2O3 , Cu2O, Si2O).
In cazul termistoarelor dependena rezisten termistor, R T temperatura, T este :

unde RT si R0 sunt valorile rezistetei termistorului la temeratura T, respectiv T 0 exprimate in


grade Kelvin, iar B este o canstanta de material.
i de aceasta dat, msurarea se poate face cu ajutorul unei punti Wheatstone, echilibrate
sau neechilibrate.
Puntea are doua brate constituite din dou termistoare, unul activ si altul de referint,
permind msurarea in game orict de restrnse, cu scri aproape liniare.
Gamele pot fi comutate prin schimbarea rezistenelor din celelalte dou brae R 1 si R2.
O incertitudine sistematic apare la termometrele cu termistoare cu nclzirea proprie a
termistorului, datorit curentului de msurare. Acest lucru se evita prin efectuarea msurarii cu o
putere disipat suficient de mic in termistor.
Avantajele termometrelor cu termistoare sunt date de:
- rezistena electric suficient de mare, astfel nct rezistenele conductoarelor de
legatur devin neglijabile;
- dimensiuni foarte mici ale traductorului;
- timp de msurare foarte mic 20ms;

21

- nu produc perturbarea campului de temperatur.


In mod curent intervalul de msurare al temperaturii 20 180 C
Pentru msurri de temperatur in intervalul 30-41 C (de exemplu, cercetari medicale),
incertitudinea limita este de 0,05%.

Senzor dual de presiune si temperatura

Senzor rezistiv de presiune

Senzor termorezistiv de temperatura

Corpul traductorului

22

V. TRADUCTOARE TENSOMETRICE
5.1 Tensometru cu fir metalic
Structura tipica a unui tensometru cu fir metallic este indicata in fig 12. iar a unui
tensometru cu filament semiconductor, in figura 13.

Fig 12. Tensometru cu fur metallic

Aspectul ambelor tipuri de tensometre justific si denumirea larg utilizat de marca tensometric.
Marca tensometric se lipeste cu ajutorul unor raini sau cimenturi speciale pe corpul a carei
deformaie se masoar.

Fig, 13. Tensometru cu fir conductor


Deformaia corpului sau ceea ce este echivalent, tensiunea mecanic se transmite in acest
fel cu un randament foarte bun tensometrului.
La tensometru cu fir metalic un prim factor de modificarea valorii rezistenei l constituie
variaia relativ a dimensiunii corpului msurat. Variaia seciunii transversale si variaia de
rezisitivitate indus de modificare a volumului firului metallic introduce efecte neneglijabile, care
au o pondere apropiat de cea a variaiei lungimii firului.
La tensometrul cu filament semiconductor efectele determinate de variaia dimensiunilor
sunt neglijabile in comparaie cu efectul dat de variaia de rezistivitate a materialului
semiconductor indus de efortul mecanic.

23

5.2 Parametrii tensometrelor


Sensibilitatea unui tensometru este definit de relaia:

R
S R
l
l

(1)

Pentru un tensometru cu fir metalic, tinnd cont c raportul intre deformaia transversal
i cea longitudinal este:
A
l
2
(2)
A
l
unde A este aria seciunii transversale, l lungimea firului, - coeficientul lui Poisson i de
faptul c pentru metale se poate admie o variaie de rezistivitate proporional cu volumul
metalului:

(3)

unde m este o constant pentru un material dat, se obine:

(4)

sau:

(5)

Pentru majoritatea materialelor in domeniul deformaiilor elastice = 0,3 iar in domeniul


deformaiilor mai mari, plastice = 0,5. Daca m=1 (de ex la constantan), rezult:
Sm 2
independent de operarea tensometrului in domeniul elastic sau plastic.
Pentru un tensometru cu filament semiconductor presupunnd cazul uzual in care direcia
efortului mecanic si directia curgerii curentului coincid, se poate arata ca:

unde 1 este coeficientul piezorezistiv longitudinal, iar


Rezulta :

(6)

este efortul longitudinal.


(7)

unde E este modulul de elasticitate longitudinal. Valorile tipice ale sensibilitii S s snt de
ordinul 100.
Influena variaiilor de temperatur este determinat de urmatoarele cauze:
modificarea sensibilitaii in funcie de temperatura de lucru;
dependena valorii nominale a rezistenei tensometrului de temperatura de lucru;

24

Observaie
Aceste doua efecte snt mult mai accentuate la tensometrele semiconductoare.
diferena intre coeficientii de dilatare ai tensometrului si ai materialului a crui stare
de efort se msoar.
Liniaritatea tensometrului (sensibilitatea, in mod ideal trebuie sa fie independent de
efort) este mai bun la tensometrele cu fir metalic.
O privire de ansamblu asupra valorilor tipice ale parametrilor pentru diferite tipuri de
tensometre rezult din tabelul 2.

5.3. Circuite de msurare


Un circuit de msurare trebuie sa permit atingerea urmatoarelor obiective:
-punerea in eviden a variaiilor de rezisten a tensometrelor;
-eliminarea influenei factorilor de mod comun (de exemplu variaiile induse de
temperatur, de imbatrinirea tensometrelor);
-compensarea efectului dat de diferenele intre valorile rezistenei traductoarelor
(echilibrarea de zero);
-eventual, compensarea electric a indicaiei corespunzatoare unei solicitri statice
mari, pentru a se putea msura cu o sensibilitate sporita variaii mici in jurul
acestei solicitari statice;
-eventual, reducerea sau chiar compensarea unor nelinearitati in caracteristica de
transfer a traductorului.
Aceste obiective se realizeaza cu usurin in circuite de tip "punte neechilibrar" in
care unul sau mai multe brate ale punii snt constituite chiar de traductorul, respectiv de
traductoarele n cauza. Pentru aceste puni, in absena solicitrii, traductoarele au valoarea
nominal si tensiunea din diagonala de masur, este nula. La aparitia solicitrii traductoarele
isi modific valoarea, puntea se dezechilibreaz, tesniunea din diagonala de masur fiind
dependent monoton de variaia relativ a valorii rezistenei traductorului
Tabelul 2
Parametrii

Unitatea de msura

Tensometrul metallic

Sensibilitatea
Coeficientul de
temperatur al
rezistivitii
Coeficientul de dilatare
liniar
Domeniul de deformtii
msurabil
Tolerana asupra valorii
nominale

Tensometrul
semiconductor
100 (1)

pp/C(2)

(1020)

7007000

pp/C

1020

strain(3)

10000

1003000

10

10

25

Note: (1) Sensibilitatea poate avea si valori negative in funcie de tipul de conductivitate
si de orientare cristalografic
(2)

ppm inseamna pri pe milion, adica 10-4%


(3)
Strain este o unitate de masura a deformatiei relative ( strain inseamna in limba
engleza efort);
1 strain = o deformaie relative de 1,
Deci
1 strain = o deformaie relative de 10-6
Sunt posibile dou soluii: jumatate de punte (semipunte) i punte intreag.
Circuitul de tip jumatate de punte este ilustrat in figura 14.

Fig. 14. Configuia jumatate de punte (semipunte)


Cele dou traductoare (T1, T2) se monteaz astfel ncat rezistena unuia sa creasc, iar a
celuilalt sa scad (de exemplu: tensometrele se lipesc pe fee opuse ale barei a carei deformare se
msoar, unul lucrnd la intindere, iar cellalt la compresiune). Restul punii se realizeaz n
aparatul de msur unde se afla sursa de alimentare pentru punte (E), amplificatorul diferenial
(A), care citeste tensiunea de dezechilibru i elementele de reglaj (P) al dezechilibrului iniial
determinat de diferena dintre valorile rezistenei traductoarelor.
Circuitul de punte intreag este ilustrat in figura 15.

26

Figura 15. Configuratia de tip punte intreaga

Cele patru traductoare (T1, T2, T3, T4) se monteaz n aa fel ncat rezistena a doua din
ele sa scad, iar a celorlalte dou s creasc .
n aparatul, de msurare se afl sursa de alimentare pentru punte (E), amplificatorul
diferenial (A) care citeste tensiunea de dezechilibru i elementele de reglaj (P) al dezechilibrului
iniial.

5.4. Exemple (poze) de traductoare tensometrice

27

Traductor de presiune pentru presiunea absolut.


Sistem de masurare cu mrci tensometrice.
Robust, constructie din material rezistent la coroziune.
Pentru masuratori statice si dinamice in gaze si fluide.
Rezisten deosebita la sarcini alternante.
Conform normelor EG EMC.
Conectare mecanica: M12x1,5 extern.
Domeniul maxim de lucru: 150% (500 bar) / 200% (10...200 bar) din domeniul nominal.
Temperatura de lucru: -10...+80 C.
Sensibilitatea: 2 mV/V.

28

Traductor de presiune pentru presiunea relativ.


Raport optim calitate/pret.
Construcie din material rezistent la coroziune.
Dimensiuni de gabarit reduse.
Conectare mecanica: G 1/2 Form B, extern.
Domeniul maxim de lucru: 200% din domeniul nominal.
Temperatura de lucru: -20...+70 C.
Semnal de ieire: 0...10 V / 4...20 mA

29

Traductor de presiune pentru presiunea absolut.


Masoara in regim static si dinamic.
Sistem de masurare cu marci tensometrice.
Instalare rapida si usoara.
Diferite variante de conectare mecanica.
Construcie din material rezistent la coroziune.
Raport optim calitate/pret.
Domeniul maxim de lucru: 150% din domeniul nominal.
Temperatura de lucru: -10...+70 C.
Sensibilitate: 2mV/V.

30

Traductor de presiune pentru presiunea absolut.


Sistem de msurare cu marci tensometrice.
Robust, construcie din material rezistent la coroziune.
Pentru msuratori statice, dinamice, vrfuri de presiune, fluctuaii de presiune.
Disponibil si in varaianta antiex.
Conectarea in paralel a mai multor traductoare permite msuratori de presiune difereniale.
Conectare mecanic: M12x1,5 extern.
Domeniul maxim de lucru: 150% (500...3000 bar) / 200% (10...200 bar) din domeniul nominal.
Temperatura de lucru: -10...+80 C.
Sensibilitatea: 2 mV/V.

31

VI. SENZORI I MICROSENZORI CHEMOREZOSTIVI


La baza acestul tip de senzori st proprietatea unor materiale semiconductoare (SnO 2,
ZnO2, TiO2, NbO5, CeO 2 .a. ) i a unor materiale organice de a-i modifica rezistena sau
permitivitatea electric atunci cnd vin n contact cu un anumit gaz. Ei pot fi, deci, chemorezistivi
sau chemocapacitivi. Sensibilitatea lor poate fi marit prin dopare cu catalizatori specifici.
6.1. Senzori chemorezistivi
Senzorii chemorezistivi de tip semiconductori se folosesc ndeosebi la determinarea
concentraiilor de gaze ca O2, CO, CH4, .a.
Din structura acestui tip de senzori fig. 16.fac parte: un suport de forma unui tub
ceramic, TC, pe care se bobineaz o rezisten de ncalzire, Ri, cu terminale de conectare la o
surs de alimentare pentru a nclzi ntregul senzor pn la aproximativ 400C. Peste acest
bobinaj se depune un strat din material semiconductor SS, de tip n (Sn0 2 .a. ) care devine activ
atunci cnd este nclzit.

b)
Figura 16.- Senzor chemorezistiv de tip semiconductor:
a) structura; b) simbol; c) schema de montaj

32

n absena oxigenului i a altor gaze, electronii din structura poroas din stratul
semiconductor se mic liber. n prezena gazului de detectat, avid de electroni, acest gaz se
absoarbe pe suprafaja particolelor de semiconductor, formnd o barier de potenial, care
mpiedic micarea electronilor i duce astfel la creterea rezistenei electrice.
Dimpotriv, dac atmosfera din jurul stratului semiconductor este reductoare (CO,
CH4, alcool, .a. ) stratul poros de semiconductor (Sn0 2 ...) absoarbe acest gaz, care n prezena
oxigenului oxideaz, avnd ca efect scderea barierei de potenial i micorarea rezistenei
electrice.
Sensibilitatea straturilor semiconductoare de Sn0 2 .a. la aciunea gazelor reductoare
poate fi mbuntit prin doparea cu Pa, Cd, .a. care au aciune catalitic, favoriznd
interactiunile chimice i electrice.
Un astfel de senzor se monteaz ntr-o schem precum cea din figura 16.c. Bobina de
nclzire se alimenteaz de la o surs de ~5V iar circuitul de msurare se alimenteaz de la o
surs de tensiune Ua de 10-20V. Tensiunea de ieire U e este dependent de rezistena stratului
semiconductor conform relaiei:
R
Ue
Ua
(*)
R Rs
Pentru a obine sensibilitate mare se alege o rezisten R egal cu R S de la mijlocul
domeniului de interes al amestecului de gaze analizat.
6.2. Microsenzori chemorezistivi
Microsenzorii de tip semiconductor pot fi realizai n tehnologia straturilor subiri.
Acetia sunt alctuii dintr-un strat de oxid metalic, care urmeaz s fie nclzit la cteva sute
de grade Celsius (100-400C).
La suprafaa ncins a semiconductorului gazul de analizat intr n reactie cu oxigenul
absorbit de acesta i ca urmare a cestei reacii se modific rezistenta semiconductorului.
6.2.1. Microsenzori cu strat de Sn02
Structura unui asfel de microsenzor pentru CO, realizat n tehnologie integrat este
prezentat n figura 1 7 . n esen este vorba de un strat subire de siliciu SS, pe care se crete
prin oxidare un strat foarte subire de SiO 2. Pe acest strat se depune un strat foarte subire de
aur pe care prin fotolitografiere se realizeaz o rezisten electric de nclzire Ri;. Peste stratul
de aur se depune un alt strat de Si0 2, iar peste aceasta se depune stratul semiconductor de SnO 2.
Prin procedee adecvate se depun cei patru electrozi cu conductori terminali; doi pentru
rezistena de nclzire i doi pentru conectarea la circuitul de ieire, din care face parte stratul
de SnO2.

33

Figura 17. - Structura unui microsenzor chemorezistiv.

Acest tip de senzori sunt robuti, au dimensiuni foarte mici, aproximativ 1-2 mm 2.
Pentru temperatura de 300C au un consum pentru nclzire de aproximativ 100mW, ofer
posibilitatea integrrii lor n circuite de amplificare i corecie a semnalului util. Din pcate,
aceti senzori nu sunt selectivi, de aceea ei sunt folosii pentru detecia unor grupuri de gaze,
cum este grupul de gaze combustibile CO, CH 4, HZS .a. De asemenea, sunt afectai de
umiditatea amestecului de analizat i de posibile otrviri produse de anumite gaze toxice.
Lipsa selectivitii acestor senzori poate fi transformat n calitatea de detectori
multigaz, recomandabili pentru detecie multicomponent n analizoare cromatografice, precum
i n reele de microsenzori pentru monitorizarea mediului, unde nu se cere o selectivitate
nalt.

VII. FOTOREZISTORUL
Este cel mai simplu senzor fotosensibil, care are proprietate de a-i modula rezistena
electric n funcie de intensitatea radiaiilor incidente si anume, rezistenta sa scade cu creterea
intensitii fluxului, datorit generrii unui numar sporit de perechi electron-gol, care mresc
conductibilitatea electric a fototranzistorului.
In principiu, un fotorezistor este alctuit dintr-un suport de sticl, SS, sau alt material
transparent pe care este depus prin procedee speciale, un strat fin de material semiconductor
fotosensibil, sulfur de plumb, sulfur de cadmiu, .a.
Pentru a putea fi conectat n circuite electronice de alimentare fotorezistorul este prevzut
cu plcue sau fire terminale, PT, de pe care se poate preleva o cdere de tensiune dependent de
intensitatea fluxului incident figura 18.

Figura 18.- Structura unui fotorezistor

34

Bibliografie

David Valeru, Msurarea marimilor electrice si neelectrice- curs. Facultatea de


Electrotehnic Universitatea Gh. Asachi Iai 2009;
Dumitrescu, St., Tehnici de analiza chimic si fizic, Ed. Universitaii din Ploieti, 2002;
Iliescu S., Fgran I. Automatizarea centralelor termoelectrice;
Ionescu G., Msurari si Traductoare Vol. 1 si 2, Ed. Didactic si Pedagogic, Bucuresti
1985,
Ionescu G. Traductoare pentru automatizri industriale Editura Tehnic Bucuresti 1985;
Penescu, T., Ptracu, St., Msurarea presiunii in tehnic. Ed. Tehnic, 1968;
Pop E., Stoica, V., Tehnici moderne de msurare. Ed. Facla, Timioara, 1983;
Vezeanu, P., Patrascu, St., Msurarea nivelului n tehnic. Ed. Tehnica, 1970;
http://www.spectromas.ro

35

S-ar putea să vă placă și