Documente Academic
Documente Profesional
Documente Cultură
BJT
Electronic Devices and Circuit Theory, 10/e
Robert L. Boylestad and Louis Nashelsky
Konstruksi Transistor
Ada dua macam transistor:
pnp
npn
pnp
3/9/2015
Transistor Operation
Dengan sumber luar, VEE dan VCC, terhubung seperti:
ssmbungsn emitor-basis adalah forward biased
sambungan basis-kolektor adalah reverse biased
Arus di Transistor
Arus Emitor merupakan
jumlahan arus basis dan
arus kolektor
IE IC IB
3/9/2015
Konfigurasi Common-Base
Penguat Common-Base
Karakteristik Input
Kurvs ini menunjukkan
hubungan antara arus
input (IE) dengan
tegangan input (VBE)
untuk tiga buah level
tegangan output (VCB).
3/9/2015
Penguat Common-Base
Karakteristik Output
Gambar ini
menunjukkan arus
output (IC) thd
tegangan output (VCB)
untuk bermacammacam arus input (IE).
Daerah Pengoperasian
Aktif Daerah Pengoperasian
amplifier.
Cutoff Daerah yang memiliki
tegangan dengan arus kecil (=0).
Saturation Daerah yang
memiliki arus dengan tegangan
kecil (=0).
Electronic Devices and Circuit Theory, 10/e
Robert L. Boylestad and Louis Nashelsky
3/9/2015
Pendekatan
Arus Emitor dan kolektor :
I I
C
E
Tegangan Basis-emitor :
VBE 0.7 V (Si)
Alpha (a)
Alpha () merupakan perbnadingan IC
dengan IE :
IC
dc
IE
Ideal: a= 1
Kenyataan: aantara
0.9 dan 0.998
10
3/9/2015
Penguatan Transistor
Voltage Gain:
V
200mV
I E Ii i
10mA
Ri
20
V
50V
Av L
250
Vi
200mV
I
V
I 10 mA
L
i
L
I R (10 ma )(5 k ) 50 V
L
11
Konfigurasi CommonEmitor
Emitor digunakan
bersama untuk input
(basis-emitor) dan
output (kolektoremitor).
Input pada basis dan
output pada kolektor.
Electronic Devices and Circuit Theory, 10/e
Robert L. Boylestad and Louis Nashelsky
12
3/9/2015
Karakteristik Common-Emitor
Karakteristik Kolektor
Karakteristik Basis
13
IE = IC + IB
Actual Currents
IC = IE + ICBO
ICEO
ICBO
1
14
I B 0 A
3/9/2015
Beta ()
menunjukkan faktoe penguatan dari
transistor. ( biasa mengacu pada hfe, yang
digunakan dalam pemodelan transistor)
Mode DC :
dc
IC
IB
Mode AC :
ac
IC
IB
VCE constant
15
Beta ()
Menentukan dari gambar
AC
100
2.7 mA
V CE 7.5
25 A
108
DC
16
3/9/2015
Beta ()
Hubungan and
I E ( 1)I B
17
Konfigurasi CommonKolektor
18
3/9/2015
Konfigurasi CommonKolektor
Karakteristik mirip
dengan konfigurasi
common-emitor,
kecuali sumbu
tegaknya IE.
19
Batas Pengoperasian
VCE pada maximum dan IC
pada minimum (ICmax= ICEO)
berada dalam daerah
cutoff.
IC pada maximum dan VCE
pada minimum (VCE max =
VCEsat = VCEO) berada dalam
daerah saturasi.
Pengoperasian transistor di
daerah aktif terletak di
antara saturasi dan cutoff.
Electronic Devices and Circuit Theory, 10/e
Robert L. Boylestad and Louis Nashelsky
20
10
3/9/2015
Power Dissipation
Common-base:
PCmax VCB I C
Common-emitor:
PCmax VCE I C
Common-kolektor:
PCmax VCE I E
21
22
11
3/9/2015
23
Pengujian Transistor
Curve Tracer
Menampilkan kurva karakteristik.
DMM
Beberapa DMM menggukur bDC or hFE.
Ohmmeter
24
12
3/9/2015
25
13