OBJETIVOS:

Evaluar la caracterstica de entrada: Base Emisor , del transistor NPN

Evaluar la caracterstica de salida : Colector - Emisor , del transistor NPN
Cuantificar los parmetros que permiten modelar al transistor, en pequea seal

FUNDAMENTO TEORICO
El transistor de unin bipolar es un dispositivo electrnico de estado slido consistente en
dos uniones PN muy cercanas entre s, que permite controlar el paso de la corriente a travs
de sus terminales. La denominacin de bipolar se debe a que la conduccin tiene lugar
gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos
y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran nmero de aplicaciones; pero tienen
ciertos inconvenientes, entre ellos su impedancia de entrada bastante baja.
Un transistor de unin bipolar est formado por dos Uniones PN en un solo cristal
semiconductor, separados por una regin muy estrecha. De esta manera quedan formadas
tres regiones:

Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada,
comportndose como un metal. Su nombre se debe a que esta terminal funciona
como emisor de portadores de carga.

Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector.

Colector, de extensin mucho mayor.

Los transistores de unin bipolar tienen diferentes regiones operativas, definidas

principalmente por la forma en que son polarizados:

Regin activa en cuanto a la polaridad:

corriente del emisor = ( + 1)Ib ; corriente del colector= Ib

Cuando un transistor no est ni en su regin de saturacin ni en la regin de corte
entonces est en una regin intermedia, la regin activa. En esta regin la corriente
de colector (Ic) depende principalmente de la corriente de base (Ib), de (ganancia

de corriente, es un dato del fabricante) y de las resistencias que se encuentren

conectadas en el colector y emisor. Esta regin es la ms importante si lo que se
desea es utilizar el transistor como un amplificador de seal.
Regin inversa:
Al invertir las condiciones de polaridad del funcionamiento en modo activo, el
transistor bipolar entra en funcionamiento en modo inverso. En este modo, las
regiones del colector y emisor intercambian roles. Debido a que la mayora de los
BJT son diseados para maximizar la ganancia de corriente en modo activo, el
parmetro beta en modo inverso es drsticamente menor al presente en modo activo.

Regin de corte: Un transistor est en corte cuando:

corriente de colector = corriente de emisor = 0, (Ic = Ie = 0)

En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del transistor es el voltaje de
alimentacin del circuito. (como no hay corriente circulando, no hay cada de
voltaje, ver Ley de Ohm). Este caso normalmente se presenta cuando la corriente de
base = 0 (Ib =0)
De forma simplificada, se puede decir que el la unin CE se comporta como un
circuito abierto, ya que la corriente que lo atraviesa es cero.

Regin de saturacin: Un transistor est saturado cuando:

corriente de colector corriente de emisor = corriente maxima, (Ic Ie =

Imax)
En este caso la magnitud de la corriente depende del voltaje de alimentacin del
circuito y de las resistencias conectadas en el colector o el emisor o en ambos,
ver Ley de Ohm. Se presenta cuando la diferencia de potencial entre el colector y el
emisor desciende por debajo del valor umbral VCE,sat. Cuando el transistor esta en
saturacin, la relacin lineal de amplificacin I c=Ib (y por ende, la relacin
Ie=IcIb ) no se cumple.

MATERIALES:

3 Multmetros
1 Fuente de voltaje ajustable en el rango de 0 a 20 Vcd.
2 Chicotillos para la salida de la fuente de alimentacin.
1 Protoboard
2 Diodos rectificadores 1N4007.
1 Resistor de 47 ohmios / 2W
2 Resistores de 2.2K de W
2 Resistores de 1 K de W
1 Resistor de 1 ohmio de 1W
1 Potencimetro de 5K
2 Resistencias de 10 K de W

ESQUEMA DE MONTAJE:
VCC= De 0 a 8V

R4
56

R3
Volts

+88.8

RV1
D1
1N4007

R1

R2

2.2k

1k

Q1
BC547

5k

D2
1N4007

+88.8
Volts

+88.8
Volts

VCC= De 0 a 8V

R4
56

R3

+88.8
Volts

RV1
D1

R1

1N4007

2.2k

Q1

R2

+88.8

BC547

+88.8
Volts

1k

Amps

5k

D2
1N4007

REGISTRO DE DATOS:
Parmetro
VBE (mV) VCE = 0V VCE= 2V VCE= 4V VCE= 6V
0
0
0
0
500
0
0
0
550
0,412
0,31
0,31
600
1,13
2,06
1,75
650
9,49
9,81
10,9
700
51,6
61,9
76,7

Tabla T1= Corriente de base en uA (ib= VR2 /R2), en funcin del voltaje base emisor
VBE Con parmetro: VCE
IB = 5
IB =
VCE (V) uA
uA
0
1
1,09
2
1,19
4
1,27
6
1,27
8
1,45

10

2,45
2,45
2,48
2,48
2,63

Parmetro
IB = 20
IB = 40
uA
uA
4,72
4,72
4,9
4,54
4,4

9
9,36
9,36
10,09
9,9

IB = 60
uA
13
13,9
14
15
15,27

IB = 80
uA
16,45
18
18,21
19,8
20

Tabla T2= Corriente de colector en mA (ic= VR3 /R3), en funcin del voltaje colector
emisor VCE Con parmetro: ib

IB = 40 uA
VCE (V) VBE (mV)
5,5
681

689

Tabla T3: Voltaje colector emisor VCE vs VBE

Con parmetro: ib = constante

TRABAJO Y DESARROLLO , POSTERIOR A LA ADQUISICION DE DATOS:

1) Grafica de la caracterstica de entrada.
a) A partir de la T1 , graficar la corriente de base en funcin del voltaje base
emisor, con parmetro : voltaje colector emisor.

Ib vs VBE
100

Ib (uA)

50
0

100 200 300 400 500 600 700 800

VBE (mV)

2) Grafica de la caracterstica de salida.

a) A partir de la tabla T2, graficar Ic vs VCE.

Ic vs VCE
25
20
15

Ic (mA) 10
5
0

VCE (V)

3) Parametros hibridos del transistor.

a) Considere variaciones de corriente de colector, para las variaciones de voltaje
colector emisor , entre 4 y 6 voltios , de la tabla T2 y determine el parmetro : hce.
hce= Ic / VCE
hce= 0,0005533
b) Considere variaciones de voltaje de colector emisor, y sus correspondientes
variaciones de voltaje base emisor, de la tabla T3 y determine el parmetro : hre.
hre= VBE / VCE
hre= (689-681) / [ (5,4-4)*1000] = 0,00533
c) Considere variaciones de corriente debase, entre 40 y 60 uA y sus correspondientes
variaciones de corriente de colector , de la tabla T2 y determine el parmetro : hfe
hfe= Ic/ Ib
hfe= 234,6
d) Considere variaciones de voltaje de base emisor entre 600 y 650 mV y sus
correspondientes variaciones de corriente de base , de la tabla T1 y determine el
parmetro : hie.
hie= VBE/ Ib =5965,65
CONCLUSIONES Y RECOMENDACIONES:
Se cumpli con todos nuestros objetivos, podemos apreciar en las graficas el
comportamiento de entrada y salida de nuestro transistor , tambin se adquiri una gran
experiencia al realizar el laboratorio en el conocimiento del dispositivo electrnico
estudiado. Se recomienda tener cuidado a la hora de realizar el conexionado del circuito
como tambin cuando se vaya a energizar este ya que por pequeas fallas este puede
comportarse de maneras distintas o en el peor de los caso daar nuestros componentes.

BIBLIOGRAFIA:
http://proton.ucting.udg.mx/~martinm/E2/e2_06_modelo_parametros_h.pdf
Teora de circuitos y dispositivos electrnico autor Robert L. Boylestad

LABORATORIO 4: CURVAS
CARACTERISTICAS DEL
TRANSISTOR DE JUNTURA
BIPOLAR (BJT)

Nombre (S):
Ruben Colque Atahuichi
Ronal Rioja Bustamante
Oliver Castro Teran
Laboratorio: Analgica I
Docente: Ing. Jose F. Tancara S.
Grupo: B
Fecha de presentacin: 19/05/2014

Cochabamba - Bolivia