Sunteți pe pagina 1din 6

MINISTERUL EDUCAIEI AL REPUBLICII MOLDOVA

UNIVERSITATEA TEHNIC A MOLDOVEI


CATEDRA DE MICROELECTRONIC
I INGINERIE BIOMEDICAL

RAPORT
Lucrarea de laborator nr. 2
la disciplina: Electronica

Studierea tranzistoarelor
bipolare

A efectuat:
A verificat:

st. gr. ISBM - 131


conf, univ,

Chiinu 2014

Mihai Luchita

Scopul lucrarii: determinarea caracteristicilor statice ale tranzistorului


bipolar in
conexiunea cu baza comuna (BC) si cu emitorul comun (EC) si calcularea
parametrilor h
pentru semnale mici.
Notiuni teoretice generale:
Tranzistorul bipolar prezinta un dispozitiv semiconductor cu doua
jonctiuni electrongol (n-p), formate printr-o succesiune de trei regiuni p-n-p sau n-p-n.
Aceste structure
dispun de proprietati de amplificare a semnalului electric.
Zona de mijloc a tranzistorului se numeste baza (B) si are
urmatoarele caracteristici:
este foarte ingusta (de ordinal micrometrilor sau chiar zecimilor de
micrometri) si are
dotarea cu impuritati mult mai mica decit a celor laterale. O zona
extrema cu cea mai mare
concentratie de dopare cu impuritati se numeste emitor (E), cealalta
zona extrema se
numeste collector (C). Pe fieacare dintre aceste regiuni este realizat cite
un contact ohmic,
pe care se sudeaza conductoarele terminale.
Schema pentru ridicarea experimentala a caracteristicilor
statice a unui transistor
p-n-p in conexiune BC este aratata in figura 2.4

Schema pentru trasarea experimentala a caracteristicilor statice este


aratata in figura 2.7

Caracteristica de intrare ale tranzistorului bipolar in conexiune BC


UEB, mV
IE,
m
A

UCB=0

2
0
0

4
0
0

UCB=-5V

UCB=-10
V

60

80 100 120 140

0.1 0.1
0.0 0.1
5
0 0.2

0.2
5
0.2
5
0.4

0.4
5
0.5
5
0.8

0.8
5
1.0
5
1.4
5

16 20 24
0
0
0
1.6 3.9 7.6
1.9 4.6 9.1
2.4 5.8 11.
9

28
0
12.
7
17.
4
20.
6

Caracteristica de iesire a tranzistorului bipolar in conexiune BC


UCB, V
IC,
IE=0

mA
A
IC,
IE=5
m
mA
A
IE=10

0
1.6

2
11.8

4
12.5

6
12.9

8
13.2

10
13.5

12
14

14
14.4

4.3

4.3

4.3

4.4

4.4

4.4

4.4

4.4

8.7

8.8

8.9

8.9

8.9

8.9

mA

Caracteristica de intrare a tranzistorului bipolar cu conexiune EC


UBE, mV
IB,

2
0
7

40

60

80

10
0
17
2
16

12
0
27
5
36

14
0
44
1
69

UCE=0
20
V
UCE=-5 -6 -4
V
UCE=- -9 -6
10 V

47

92

0
-2

18

37

74

16
0
63
8
11
3
12
0

200 240 280


121 210 300
7
0
0
271 492 790
280 527 850

Caracteristica de iesire a tranzistorului bipolar cu conexiune EC


UCE, V
IC,
IB=0
mA A
IB=200
A
IB=300
A
IB=400
A

0
0.5
0.4 16.
3

1
16.
8

1.5
17.
2

2
17.
7

3
19

4
19.
8

6
20.
8

8
22

0.4 2.8

2.9

3.1 3.2

3.4

3.6 3.8 4

0.4 4

4.5

4.8

4.9

5.2

5.5

5.8 6.2 6.4

0.4 6.5

6.5

6.6

6.7

7.2

7.6

8.1 8.6 9.1

Calculul parametrilor h:
h11B
h12B
h21B
h22B

=9
h11E = 150
-3
= 4x10
h12E = 18 x10-4
= 0.93
h21E = 19
-4
1
= 0.021 x10
h22E = 1.55 x 10-4 1

Calculul parametrului hE dupa catalog:


h11E =130
h12E = 13 x10-4
h21E = 14
h22E = 2.8 x 10-4 1
Concluzie:

10
23

12
23.
6

In urma acestui laborator am studiat cracteristicile statice a


tranzistoarelor bipolare la
in regim de scurt circuit si in regim normal. Pe baza graficelor am calculat
valorile pentru
parametrii h. S-a determinat ca rezistenta de intrare este cu mult mai
mare (7.84 Ohmi
decit cea de iesire (7.14*10-8 Ohmi), pentru ambele regimuri (Baza
Comuna sau Emitor
Comun). Valorile hE din catalog difera de cele experimentale.