Unidad I Electronica Potencia Aplicada Rev B 11FEB2015 Notas Alumnos

Instituto Tecnolgico de Reynosa
de Elctrica y Electrnica
Departamento
El Diodo de potencia.
Uno de los dispositivos ms importantes de los circuitos de potencia son los Diodos, aunque tienen
entre otras, las siguientes limitaciones: son dispositivos unidireccionales, no pudiendo circular la
corriente en sentido contrario al de conduccin. El nico procedimiento de control es invertir el voltaje
entre nodo y ctodo.
Los diodos de potencia se caracterizan porque en estado de conduccin, deben ser capaces de
soportar una alta intensidad con una pequea cada de tensin.
En sentido inverso, deben ser capaces de soportar una fuerte tensin negativa de nodo con una
pequea intensidad de fugas.
Figura 1-1, Curva caracterstica del Diodo

Rectificador, donde
VRRM es el Voltaje inverso mximo repetitivo.
VD: Voltaje de conduccin.
El Diodo responde a la ecuacin:
Figura 1-1a, Presentaciones del

Diodo Rectificador de Potencia.
Electrnica Potencia Aplicada

Mecatrnica, Unidad I.
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Ing. Luis Domingo Ramrez Rivas

11 febrero, 2015

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Las caractersticas ms importantes del Diodo, las cuales podemos agrupar de la siguiente forma.
Caractersticas estticas:
o Parmetros en bloqueo (polarizacin inversa).
o Parmetros en conduccin.
o Modelo esttico.
Caractersticas dinmicas:
o Tiempo de recuperacin inverso (trr).
o Influencia del trr en la conmutacin.
o Tiempo de recuperacin directo.
Potencias:
o Potencia mxima disipable.
o Potencia media disipada.
o Potencia inversa de pico repetitivo.
o Potencia inversa de pico no repetitivo.
Caractersticas trmicas.
Proteccin contra sobrecorrientes.
Caractersticas estticas.
Figura 1-2, Grfica de seales y parmetros

de voltaje para el Diodo Rectificador.

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Parmetros en bloqueo.
Tensin inversa de pico de trabajo (VRWM): es la que puede ser soportada por el dispositivo de
forma continuada, sin peligro de entrar en ruptura por avalancha.
Tensin inversa de pico repetitivo (VRRM): es la que puede ser soportada en picos de 1 ms,
repetidos cada 10 ms de forma continuada.
Tensin inversa de pico no repetitiva (VRSM): es aquella que puede ser soportada una sola vez
durante 10ms cada 10 minutos o ms.
Tensin de ruptura (VBR): si se alcanza, aunque sea una sola vez, durante 10 ms el diodo puede
destruirse o degradar las caractersticas del mismo.
Tensin inversa continua (VR): es la tensin continua que soporta el diodo en estado de bloqueo.
Parmetros en conduccin.
Intensidad media nominal (IF(AV)): es el valor promedio de la mxima intensidad de impulsos

senoidales de 180, normalmente 8.3ms/60Hz, que el diodo puede soportar.
Intensidad de pico repetitivo (IFRM): es aquella que puede ser soportada cada 20 ms, con una
duracin de pico a 1 ms, a una determinada temperatura de la cpsula (normalmente 25).
Intensidad directa de pico no repetitiva (IFSM): es el mximo pico de intensidad aplicable, de

impulsos senoidales de 180, normalmente 8.3ms/60Hz, una vez cada 10 minutos, con una
duracin de 10 ms.
Intensidad directa (IF): es la corriente que circula por el diodo cuando se encuentra en el estado
de conduccin.
Caractersticas dinmicas.
tr r
ta
IF
tb
10%
Qrr
Figura 1-3, Recuperacin Inversa del Diodo.
IRRM
VF
VT

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Tiempo de recuperacin inverso.
El paso del estado de conduccin al de bloqueo en el Diodo no se efecta instantneamente. Si un

Diodo se encuentra conduciendo una intensidad IF, la zona central de la unin P-N est saturada de
portadores mayoritarios, con tanta mayor densidad de stos, mayor ser IF. Si mediante la aplicacin de
una tensin inversa forzamos la anulacin de la corriente con cierta velocidad di/dt, resultar que
despus del paso por cero de la corriente, existe cierta cantidad de portadores minoritarios que cambian
su sentido de movimiento y permiten que el Diodo conduzca en sentido contrario durante un instante
llamado tr r.
La tensin inversa entre nodo y ctodo no se establece hasta despus del tiempo ta llamado tiempo de
almacenamiento, en el que los portadores empiezan a escasear y aparece en la unin la zona de carga
espacial. La intensidad todava tarda un tiempo tb (llamado tiempo de cada) en pasar de un valor de
pico negativo (IRRM) a un valor despreciable mientras van desapareciendo el exceso de portadores.
o ta (tiempo de almacenamiento): es el tiempo que transcurre desde el paso por cero de la
intensidad hasta llegar al pico negativo de IRRM.
o tb (tiempo de cada): tiempo de almacenamiento de carga en el material del cuerpo del
semiconductor, es el tiempo transcurrido desde el pico negativo de intensidad IRRM hasta
que sta se anula y es debido a la descarga de la capacidad de la unin polarizada en
inverso. En la prctica se suele medir desde el valor de pico negativo de la intensidad
hasta el 10 % de ste.
o trr (tiempo de recuperacin inversa): es la suma de ta y tb.
tr r = ta + tb
o Qrr: se define como la carga elctrica desplazada y representa el rea negativa de la

caracterstica de recuperacin inversa del diodo.
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o di/dt: pendiente del cambio de corriente inversa con respecto al tiempo.

o IRRM: es el pico negativo de la intensidad [IRRM = ta( i / t )].
La relacin entre tb/ta es conocida como factor de suavizado "SF".
Si observamos la grfica podemos considerar Qr r por el rea de un tringulo:
De donde:
Para el clculo de los parmetros IRRM y Qr r podemos suponer uno de los dos siguientes casos:
o Para ta = tb ; trr = 2ta
o Para ta = trr ; tb = 0 (Generalmente).
En el primer caso obtenemos:
Y en el segundo caso:
Influencia del t r r en la conmutacin.

Si el tiempo que tarda el Diodo en conmutar no es despreciable:
o Se limita la frecuencia de funcionamiento.
o Existe una disipacin de potencia durante el tiempo de recuperacin inversa.
Para altas frecuencias, por tanto, debemos usar Diodos de recuperacin rpida.
Factores de los que depende tr r :
o A mayor IRRM menor tr r.
o Cuanto mayor sea la intensidad principal que atraviesa el Diodo, mayor ser la
capacidad almacenada Qr r y por lo tanto mayor ser tr r.
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El fenmeno de recuperacin inversa determina la mxima frecuencia de operacin del Diodo de

acuerdo con la expresin: f =
1
2 t rr
Tiempo de recuperacin directo.

tfr (tiempo de recuperacin directo): es el tiempo que transcurre entre el instante en que la tensin
nodo-ctodo se hace positiva y el instante en que dicha tensin se estabiliza en el valor VF.
Este tiempo es bastante menor que el de recuperacin inversa y no suele producir prdidas de potencia
apreciables.
Vf r m
1.1VF
Ejemplo 1-1.
Disipacin
VF
0.1VF
de
potencia.
tf r
Potencia mxima disipable (Pmx).

Figura 1-4, Recuperacin Directa del Diodo.
Es un valor de potencia que el dispositivo puede disipar, pero no debemos confundirlo con la potencia
que disipa el diodo durante el funcionamiento, llamada sta potencia de trabajo.
Potencia media disipada (PAV).
Es la disipacin de potencia resultante cuando el dispositivo se encuentra en estado de conduccin, si
se desprecia la potencia disipada debida a la corriente de fugas.

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Se define la potencia media (PAV) que puede disipar el dispositivo, como:
Si incluimos en esta expresin el modelo esttico, resulta:
y como :
Es la intensidad media nominal
Es la intensidad eficaz al cuadrado

Nos queda finalmente:
Generalmente el fabricante integra en las hojas de datos, tablas que indican la potencia disipada por el
elemento para una intensidad conocida.
Otro dato que puede dar el fabricante es curvas que relacionen la potencia media con la intensidad
media y el factor de forma ( ya que el factor de forma es la intensidad eficaz dividida entre la
intensidad media ).
Potencia inversa de pico repetitiva (PRRM).
Es la mxima potencia que puede disipar el dispositivo en estado de bloqueo.
Potencia inversa de pico no repetitiva (PRSM).
Similar a la anterior, pero dada para un pulso nico.
Caractersticas trmicas.
La unin (Tj mx).
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Es el lmite superior de temperatura que nunca debemos hacer sobrepasar a la unin del dispositivo si
queremos evitar su inmediata destruccin.
En ocasiones, en lugar de la temperatura de la unin se nos da la "operating temperature range"
(margen de temperatura de funcionamiento), que significa que el dispositivo se ha fabricado para
funcionar en un intervalo de temperaturas comprendidas entre dos valores, uno mnimo y otro mximo.
Temperatura de almacenamiento (Tstg).

Es la temperatura a la que se encuentra el dispositivo cuando no se le aplica ninguna potencia. El
fabricante suele dar un margen de valores para esta temperatura.
Resistencia trmica unin-contenedor (Rjc).
Es la resistencia entre la unin del semiconductor y el encapsulado del dispositivo. En caso de no dar
este dato el fabricante se puede calcular mediante la frmula:
Rjc = (Tjmx - Tc) / Pmx
siendo Tc la temperatura del encapsulado y Pmx la potencia mxima disipable.
Resistencia trmica contenedor-disipador (Rcd).
Es la resistencia existente entre el contenedor del dispositivo y el disipador (aleta refrigeradora). Se
supone que la propagacin se efecta directamente sin pasar por otro medio (como mica aislante,
etctera).
Proteccin contra sobrecorrientes.

Sobre corriente.

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La causa principal de sobre intensidad es, naturalmente, la presencia de un cortocircuito en la carga,

debido a cualquier causa. De todos modos, pueden aparecer picos de corriente en el caso de
alimentacin de motores, carga de condensadores, utilizacin en rgimen de soldadura, etctera.
Estas sobrecargas se traducen en una elevacin de temperatura enorme en la unin, que es incapaz de
evacuar las caloras generadas, pasando de forma casi instantnea al estado de cortocircuito (avalancha
trmica).
rganos de proteccin.
Los dispositivos de proteccin que aseguran una eficacia elevada o total son poco numerosos y por eso
los ms empleados actualmente siguen siendo los fusibles, del tipo " ultrarrpidos " en la mayora de
los casos.
Los fusibles, como su nombre indica, actan por la fusin del metal de que estn compuestos y tienen
sus caractersticas indicadas en funcin de la potencia que pueden manejar; por esto el calibre de un
fusible no se da slo con su valor eficaz de corriente, sino incluso con su I2t y su tensin.
Parmetro I2t
La I2t de un fusible es la caracterstica de fusin del cartucho; el intervalo de tiempo t se indica en
segundos y la corriente I en amperios. Debemos escoger un fusible de valor I2t inferior al del diodo, ya
que as ser el fusible el que se destruya y no el diodo.
Tipos de diodos.
Se clasifican en funcin de la rapidez (trr).
Tipo
Estndar
Fast
Utra fast
Schottky
VRRM (Volts)
100 - 600
100 1,000
200 - 800
15 - 150
IF (Amperes)
1 50
1 - 50
1 - 50
1 - 150
trr
>1 s
100 ns 500 ns
20 ns 100 ns
< 20 ns
Tarea 1-1.
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Part Number: UF4002-E3/54, Manufacturer: Vishay, Description: DIODE, FAST, 1 A, 100 V

Specifications:
Current Ifsm: 30 A,
Diode Type: Fast Recovery
External Length / Height: 5.2 mm,
Forward Current I f(AV): 1 A
Forward Surge Current Ifsm Max: 30 A, Forward Voltage VF Max: 1 V
Junction Temperature Tj Max: 150C,
Mounting Type: Axial Leaded
Number of Pins: 2,
Operating Temperature Range: -55C to +150C
Package / Case: DO-41,
Repetitive Reverse Voltage Vr r m Max: 100 V
Reverse Recovery Time tr r Max: 50 ns,Reverse Recovery Time tr r Typ: 50 ns
SVHC: No SVHC (18-Jun-2010),
External Diameter: 2.7 mm
Tipos de Diodos de potencia.

Diodos rectificadores para baja frecuencia.
Caractersticas:
IFAV: 1A 6000 A
VRRM: 400 3600 V
VFmax: 1.2V (a IFAVmax)
Figura 1-4A, Diodos de Potencia
trr: 10 s
para baja frecuencia.
Aplicaciones
Rectificadores de Red.
Baja frecuencia (60Hz).
Diodos rpidos (fast) y ultrarrpidos (ultrafast).

Caractersticas:
IFAV: 30A 200 A
VRRM: 400 1500 V
trr: 0.1 - 10 s
Figura 1-4B, Diodos de Potencia para conmutacin rpida (Fast y Ultrafast).
Aplicaciones
Conmutacin a alta frecuencia (>20kHz).
UPS. Accionamiento de motores Corriente Alterna.

Inversores.
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Diodos Schottky.
Caractersticas:
IFAV: 1A 120 A
VRRM: 15 150 V
trr: 5 ns
Figura 1-4C, Diodos Schottky.
Aplicaciones
Fuentes conmutadas.
Convertidores.
Diodos de rueda libre.
Cargadores de bateras.
Diodos para aplicaciones especiales (alta tensin)

Caractersticas:
IFAV: 0.45A 2 A
VR: 7.5kV 18kV
Figura 1-4D, Diodos de alta tensin
VRRM: 20V 100V
trr: 150 ns
Aplicaciones
Aplicaciones de alta tensin.
Diodos para aplicaciones especiales (alta corriente)

Caractersticas:

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IFAV: 50A 7,000 A

VRRM: 400V 2500V
Figura 1-4E, Diodos de alta corriente.
VF: 2V
trr:10 s
Aplicaciones
Aplicaciones de alta corriente.
Circuitos con Diodos.

Rectificadores Monofsicos de media onda.
Un rectificador es un circuito que convierte una seal de corriente alterna en una seal unidireccional.
Los Diodos se usan extensamente en los rectificadores. El rectificador monofsico de media onda es el
ms sencillo, pero no se utiliza en aplicaciones industriales, sin embargo, resulta til para comprender
el principio de operacin.
El circuito siguiente tiene una carga resistiva, durante el semiciclo positivo del voltaje de entrada, el
Diodo D1 conduce y el voltaje de entrada aparece a travs de la carga. Durante el semiciclo negativo
del voltaje de entrada, el Diodo est en bloqueo y el valor de voltaje en la salida es cero.
Parmetros de Rendimiento.
Aunque el voltaje de salida del circuito anterior es corriente directa, es discontinuo y contiene
armnicas. Un rectificador es un procesador de potencia que debe proporcionar una salida de corriente
cony formas
una cantidad
mnima de contenido armnico. La calidad del procesamiento de energa de
Figura 1-5,directa
Circuito
de onda
un rectificador
de un rectificador
de mediarequiere
onda. de la determinacin del contenido armnico de la corriente de entrada, del
voltaje de salida y de la corriente de salida.
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Figura 1-5, Circuito y formas de onda

de un rectificador de media onda.
Utilizaremos las expresiones de la serie de Fourier para encontrar el contenido armnico de voltajes y
corrientes. Hay distintos tipos de circuitos rectificadores y los rendimientos de un rectificador se
evalan normalmente en funcin de los parmetros siguientes:
Valor promedio de voltaje de salida ( o de carga),
VCD
Valor promedio de corriente de salida ( o de carga),
ICD
La potencia de salida en corriente directa,
PCD = VCD ICD
El valor medio cuadrtico (RMS) del voltaje de salida,
VRMS
El valor medio cuadrtico (RMS) de la corriente de salida,
IRMS
La potencia de salida en corriente alterna,
PCA = VRMS IRMS
La eficiencia (relacin de rectificacin) de un rectificador, que es una cifra de merito y nos permite
comparar la efectividad, se define como:
PCD
PCA
El voltaje de salida se puede determinar como formado por dos componentes, el valor de corriente
directa y la componente de corriente alterna u ondulatoria. El valor eficaz (RMS) de la componente de
corriente alterna del voltaje de salida es:
V CA = V 2RMS V 2CD
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FF=
El factor de forma, es una medida de la forma del voltaje de salida, es:
V RMS
V CD
El factor de componente ondulatoria (rizado), es una medida del contenido de la componente
ondulatoria, se define como:
RF=
V CA
V CD
RF= (
V RMS 2
) 1 RF= FF 21
V CD
El factor de utilizacin del transformador se define como:
TUF=
PCD
VSI S
Donde VS e IS son el voltaje y corriente media cuadrtica (RMS) eficaces del secundario del
transformador, respectivamente.
VS
IP
Voltaje de entrada
Corriente de entrada
iS
Corriente fundamental
iS1
-IP
Figura 1-6, Formas de onda del voltaje y corriente de entrada.
Si es el ngulo entre las componentes fundamentales de la corriente y el voltaje de entrada, se
llama ngulo de desplazamiento. El factor de desplazamiento se define como:
El factor armnico de la corriente de entrada se define como:

I 2SI 2S 1
HF=
I 2S 1
DF=cos
1 /2
) [( ) ]
1 /2
IS 2
=
1
I S1
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Donde IS1 es la componente fundamental de la corriente de entrada IS. Tanto IS1 como IS se expresan en
valores RMS.
El factor de potencia de entrada se define como:
PF=
V S I S1
I
cos= S 1 cos
V S IS
IS
A menudo resulta de inters el factor de cresta CF, que resulta una medida de la corriente de entrada
pico IS(PICO) en comparacin con su valor eficaz (RMS) de IS, a fin de establecer las especificaciones de
corriente de pico de dispositivos y componentes. El CF de la corriente de entrada se define mediante:
CF=
I S (PICO)
I S (RMS)
Notas:
El factor armnico HF es una medida de la distorsin de una forma de onda y tambin se conoce como
distorsin armnica total THD.
Si la corriente de entrada IS es puramente senoidal, IS1 = IS y el factor de potencia PF es igual al factor
de desplazamiento DF. El ngulo de desplazamiento se convierte en el ngulo de impedancia
=tan 1
( R L )
en el caso de una carga RL.
El factor de desplazamiento DF a menudo se conoce como el factor de potencia de desplazamiento

(DPF).
Un rectificador ideal debera tener:
= 100%,
VCA = 0,
RF = 0,
TUF = 1,
HF = THD = 0
PF = DPF = 1.
Ejemplo 1-2.

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En el caso de que la carga sea RL, debido a la carga inductiva, el periodo de conduccin del Diodo D1
se extiende ms all de los 180 hasta que la corriente se haga cero en t = + .
Las formas de onda de la corriente y voltaje se ven en la siguiente figura 1-7 y 1-8.
D1
iL
+VR
+ VD --
--
T1
120 Vrms
60 Hz
0
RL
+VL
--
L1
Figura 1-7, Circuito rectificador de media onda con carga RL.
Vm
V R = iL R
VL
VR
t2
-Vm
VD
t
D1 conduce
-Vm
Figura 1-8, Formas

de onda delRevisin:
voltaje By corriente
con carga RL.
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Las formas de onda de la corriente y voltaje aparecen en la figura 1-8. Debe hacerse notar que el V L
promedio del inductor es cero.
V m +
V CD =
SEN t (t)
2 0
V CD =
Vm
+
[cos t ]|0
2
+
[ 1cos |
V
V CD = m
2
La corriente promedio es
I CD =
V CD
R
Se puede aumentar el voltaje promedio haciendo = 0. Esto se logra aadiendo un Diodo de rueda
libre Dm en paralelo con la carga.
D1
V1
T1
120 Vrms
60 Hz
0
Figura 1-9, Circuito rectificador

de media onda con carga RL y
Dm
L
Diodo de rueda libre, Dm.
El efecto del Diodo Dm, es evitar que aparezca un voltaje negativo a travs de la carga

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Vm
VR = iL R
VL
VR
t2
-Vm
VD
D1 conduce
Dm conduce
t
-Vm
Figura 1-10, Formas de onda del voltaje y corriente con carga RL y Diodo Dm.
Rectificador Monofsico de Onda Completa, con derivacin central.

En el rectificador de onda completa con derivacin central, cada mitad del transformador con un Diodo
acta como si fuera un rectificador de media onda. Dado que a travs del transformador no fluye
corriente directa, no hay problema por saturacin en el ncleo de este mismo transformador.
La salida de voltaje promedio es:
T
2
V CD =
2V
2
V m SEN t t = m =0.636 V m
T 0
La corriente de salida promedio es:

I CD =
V CD
R
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La salida de voltaje eficaz (RMS) es:
V RMS =
La corriente eficaz de salida es:
I RMS=
T
2
1
2
2
V m SENt )2 t =0.7071V m
(
T 0
V RMS
R
D1
T1
Figura 1-12,120Circuito
rectificador de
Vrms
60 Hz
RL
0
onda completa
con derivacin central.
D2
Ejemplo 1-3.
Rectificador Monofsico de Onda Completa, tipo puente.

Si utilizamos cuatro Diodos, con un transformador sin derivacin central, durante el medio ciclo
positivo del voltaje de entrada, se entrega potencia a la carga a travs de los Diodos D 1 y D2. Durante el
semiciclo negativo, los Diodos D3 y D4 conducirn. El voltaje de pico inverso de un Diodo es solo Vm.
Este circuito se conoce como rectificador tipo puente y es de uso comn en aplicaciones industriales.

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D1
Figura 1-12, Circuito rectificador
D3
T1
de onda completa tipo puente.
120 Vrms
60 Hz
0
RL
D4
D2
Rectificador Monofsico de Onda Completa, tipo puente con carga RL.

En la prctica, la mayor parte de las cargas son en cierta cantidad inductiva, la corriente de carga
depende de los valores de la resistencia de carga R y de la inductancia L. Se agrega una batera E para
poder desarrollar ecuaciones de tipo general.
Si el voltaje de entrada es: Vmx SEN (t) =
2 V S SEN ( t )
La corriente de carga iL se puede deducir de:

L
i
+ R i L + E= 2 V S SEN ( t )
t
Que tiene una solucin de la forma:
iL =
2 V S
Z
( RL )t E
SEN ( t )+ A 1 e
Donde la impedancia de la carga : Z = ( R )2+ ( L )2
=tan 1
( R L )
Caso 1. Corriente de carga continua.

La constante A1 se puede determinar a partir de la condicin t = , iL = I1.

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R
( )( )
E 2
A 1= I 1+ V S SEN e L
R Z
Si sustituimos A1 en iL, obtenemos:
iL =
2 V S
Z
( RL )(t )
E 2
SEN ( t )+ I 1+ V S SEN e
R Z
E
R
Bajo condicin de rgimen permanente, iL(t = 0) = iL(t = ) . Esto significa que iL(t = 0) = I1.
Aplicando esta condicin, obtenemos el valor de I1 como:
I1 =
2 V S
Z
( RL )( )
SEN ( )
1+e
1e
( )( )
E
para I 1 0
R
Despus de reducirse y simplificarse nos da:
iL =
2 V S
Z
SEN ( t ) +
2
R
1e
( )( )
SEN e
( RL ) t
E
para 0 t ,i L o
R
La corriente eficaz del Diodo se puede encontrar como:

Ir =
1
2
i L ( t )
2 0
La corriente eficaz de salida se puede determinar mediante la combinacin de las corrientes
RMS
de cada
Diodo.
I RMS= ( I 2r ) + ( I 2r ) = 2 I r
La corriente promedio del Diodo.
1
I d= i L ( t )
2 0
Caso 2. Corriente de carga discontinua.
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La corriente de carga fluye slo durante el periodo t . Los Diodos empiezan a conducir en
t = , dado por:
=SEN 1
E
Vm
( )
En t = , iL(t = 0) y la ecuacin nos da:
( )( )
E 2
A 1= V S SEN [ ] e L
R Z
Despus se sustituye, proporcionando la ecuacin de la corriente en la carga:
iL =
2 V S
Z
)]
( )( )
E 2
SEN ( t ) + V S SEN [ ] e L t
R Z
En t = , la corriente cae a cero, e iL(t = ) = 0
iL =
2 V S
Z
SEN ( )+
)]
( )(
E 2
V S SEN [ ] e L
R Z
=0
se puede encontrar, mediante un mtodo de solucin iterativo (prueba y error), inicie con = 0.
La corriente eficaz del Diodo se puede encontrar como:
Ir =
1
2
i L ( t )
La corriente promedio del Diodo:

1
I d= i L ( t )
2
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D1
D3
D4
D2
T1
Figura 1-13, Circuito rectificador de onda completa tipo puente, con carga altamente inductiva.
Vi
Vm
t
2
iL
iMAX
I1
iMIN
t
+
Figura 1-14, Formas de onda del voltaje y corriente con carga RL, rectificador de onda completa tipo puente.

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Rectificadores Polifsicos.
Los rectificadores monofsicos se utilizan hasta una potencia de 15KWatts, para salidas de potencia
mayores, se utilizan los Rectificadores Trifsicos y Multifsicos. En la prctica se utilizan filtros para
reducir el nivel de las armnicas en la carga, pero el tamao del filtro se reduce con el aumento de la
frecuencia de las armnicas.
Adems a mayor potencia de salida de los rectificadores multifase, tambin aumenta la frecuencia
fundamental de las armnicas y resulta q veces la frecuencia de la fuente (q f ) . El rectificador se
conoce como rectificador estrella.
El rectificador de onda completa con derivacin central, se puede extender a varias fases mediante
embobinados multifase en el secundario del Transformador. Este circuito se puede considerar como q
rectificadores monofsicos de media onda. El Diodo de orden k conducir durante el periodo cuando el
voltaje de la fase k sea mayor que el de las dems fases.
El periodo de conduccin de cada Diodo es 2 / q.
El primario del Transformador debe conectarse en Delta, para evitar la componente de Corriente
Directa en el lado de entrada del Transformador.
Si suponemos una onda coseno desde / q hasta 2 / q, el voltaje promedio de salida para un
rectificador de q fases est dado por:
V CD =
2V mx /q
cos t ( t ) V CD=V mx q SEN q
2 /q 0
1
2
[ (
VCD = 0.8269Vmx
2
q 1
2
V RMS =
V 2mx cos 2 t ) t V RMS =V mx
+ SEN
(
2 /q 0
2 q 2
q

)]
1
2
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VRMS = 0.8405Vmx
Si la carga es puramente resistiva, la corriente de pico a travs del Diodo es Imx = Vmx / R, pudindose
encontrar el valor eficaz (RMS) de la corriente del Diodo (corriente del secundario (IS) del transformador)
como:
1
2
[ (
2
1 1
2
I S=
I 2mx cos2 t ) t I S =I mx
+ SEN
(
2 0
2 q 2
q
)]
1
2
I S=
V RMS
R
La corriente promedio a travs de cada Diodo Id es:
I d=
2
1
I mx cos t ( t ) I d=I mx SEN
2 0
Ejemplo 1- 4.
Ejemplo 1- 5.
Transistores de Potencia.
Los transistores, son dispositivos semiconductores con caractersticas controladas para la conduccin
de corriente (encendido) y para la interrupcin de la corriente (apagado). Los transistores, cuando se los
emplean como interruptores, operan en la regin de corte y saturacin en los BJT e IGBT y regin de
corte y hmica para los MOSFET.
La velocidad de conmutacin de los transistores modernos es mucho ms alta que la de los tiristores
por lo que resultan convenientes para su utilizacin en convertidores de CC-CC y CC-CA.
Los transistores de potencia se pueden clasificar, de manera general, en cinco categoras a saber:
1-Transistores bipolares de juntura (BJT).
2-Transistores de efecto de campo de metal-oxido semiconductor (MOSFET).
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3-Transistores de induccin esttica (SIT).

4-Transistores bipolares de compuerta aislada (IGBT).
5-Transistores CoolMOS.
Transistor BJT.
Debido a las capacitancias internas, el transistor no se enciende al instante. Cuando la tensin de
entrada aumenta de cero a V1 y la corriente de base aumenta a IB1, la corriente de colector no lo hace en
forma inmediata. Se produce un retardo, denominado tiempo de retardo td para que la corriente de
colector comience a crecer. Este retardo se produce por la carga de la capacitancia de la Unin del
Emisor Ce hasta la tensin de polarizacin directa VBE 0.6 a 0.7 Volts. Despus del retardo td , la
corriente de colector comienza a aumentar hasta el valor Ics de estado permanente. El tiempo que
tarda en llegar a este valor, denominado tr depende de la constante de tiempo de carga de la
capacitancia de la juntura de emisor (JE).
La figura siguiente, muestra las formas de onda y tiempos de conmutacin.
Figura 1-5, Formas de onda y tiempos de conmutacin del BJT.

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Normalmente la corriente de base es mayor a la necesaria para saturar al transistor (sobresaturacin)

por lo que esto da lugar a un exceso de carga debido a los portadores minoritarios, en la regin de la
base. Mientras mayor sea la sobresaturacin (ODF), ms alta ser la cantidad de carga adicional
almacenada en la base. Esta carga adicional, denominada carga de saturacin, es proporcional al
exceso de excitacin de la corriente de la base:
IBexceso = IB(sobresat.) Ics / = ODF IBs IBs = IBs (ODF1).
Siendo:
IBs la corriente mnima para saturar al transistor.
La carga de saturacin se determina por la expresin: Qs = s IBexc = s IBs (ODF 1).
El valor de (tao) se llama constante de tiempo de almacenamiento del transistor.
Cuando la tensin de entrada se invierte, pasando del valor V1 a -V2, la corriente de base, tambin
cambia de IB1 a -IB2.
La corriente de colector, no cambia hasta transcurrido un tiempo ts denominado tiempo de
almacenamiento . El tiempo ts es el necesario para eliminar la carga de saturacin de la base.
Como el VBE todava es positivo (0.7 volt aproximadamente), la corriente de la base invierte su
direccin debido al cambio de polaridad de la fuente de seal digital VB , desde +V1 a -V2. Esta
corriente -IB2 en sentido inverso, ayuda a descargar el exceso de carga de la base.
Si no tenemos a -IB2 (por ejemplo dejamos la base abierta), el exceso de carga se elimina por
recombinacin, pero en este caso, el tiempo de almacenamiento ts seria mayor. Una vez que se
elimino el exceso de carga, la capacitancia de la juntura JE se carga hasta la tensin -V2 y la
corriente de base cae a cero. El tiempo de cada tf depende de la constante de tiempo de la
capacitancia de la juntura de emisor con polarizacin inversa.
El tiempo de encendido o activacin es la suma del tiempo de retardo td y el tiempo
de subida tr , t activo = td + tr

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El tiempo de apagado o desactivacin es la suma del tiempo de almacenamiento ts y el tiempo de

caida tf , t apagado = ts + tf.
MOSFET DE POTENCIA.
Los transistores bipolares son dispositivos controlados por corriente y requieren de una corriente de
base para que pase corriente en el colector. En saturacin, la corriente de colector es prcticamente
independiente de la corriente de entrada (base), solo depende de la tensin de alimentacin y la carga;
de all podemos decir que la ganancia de corriente depende de la temperatura de la juntura.
A diferencia del BJT, el MOSFET de potencia es un dispositivo controlado por voltaje, y solo requiere
de una pequea corriente de entrada. La velocidad de conmutacin es muy alta y los tiempos de
conmutacin son del orden de los nanosegundos.
Los MOSFET de potencia estn encontrando aplicaciones en convertidores de baja potencia y alta
frecuencia. Estos dispositivos no tienen los problemas de fenmenos de segunda avalancha, como los
BJT. Sin embargo, tienen inconvenientes de descarga electrosttica y requieren cuidados especiales en
su manejo. Otro inconveniente que tienen es que resulta relativamente difcil protegerlos en
condiciones de falla por cortocircuito. Tenemos dos tipos de MOSFET, el de tipo empobrecimiento y el
de tipo enriquecimiento.
Figura 1-6, Smbolo del MOSFET de Enriquecimiento, canal N y canal P.

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En ambos tipos de transistores, el canal de conduccin puede ser p o n. El MOSFET de potencia

que se utiliza como dispositivo de conmutacin es el de tipo enriquecimiento por lo que solamente
trataremos este tipo de transistor. (Ambos tipos de transistores fueron tratados en Electrnica I).
Los MOSFET requieren poca energa de compuerta, y tienen una velocidad muy grande de
conmutacin, y bajas perdidas por conmutacin. La resistencia de entrada es muy alta, del orden de
1011. Sin embargo, la desventaja de los MOSFET es su alta resistencia en sentido directo, en estado
activo, lo cual provoca altas prdidas en sentido directo, por eso se los hace menos atractivos como
dispositivos de potencia, aunque son excelentes como dispositivos amplificadores de compuerta para
Tiristores.
Figura 1-7, Formas de onda y tiempos de conmutacin del MOSFET.
En la grfica anterior, nos muestra las formas de onda del voltaje de excitacin de entrada para un
MOSFET y su voltaje VGS en funcin del tiempo. El retardo de encendido td(enc) es el tiempo
necesario para cargar la capacitancia de entrada hasta el valor del Voltaje umbral VT. El tiempo de
subida tr, es el tiempo de carga de la compuerta, desde el nivel de umbral hasta el voltaje total de
compuerta VGSP, que se requiere para activar al transistor hasta la regin lineal. El tiempo de retardo
de apagado td(apag) es el necesario para que la capacitancia de entrada se descargue desde el voltaje de
sobresaturacin V1 hasta la regin de estrechamiento. El voltaje VGS debe disminuir en forma
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apreciable antes de que VDS comience a subir. El tiempo de cada tf , es el necesario para que la
capacitancia de entrada se descargue desde la regin de estrechamiento hasta el voltaje de umbral. Si
VGS VT, el transistor se desactiva.
EL TRANSISTOR IGBT (Transistor Bipolar de Compuerta Aislada).

En los transistores IGBT se combinan las ventajas de los BJT y de los MOSFET. Un IGBT tiene una
alta impedancia de entrada, como los MOSFET y pocas prdidas por conduccin en estado activo
como los BJT. Sin embargo, no tiene el problema de segunda avalancha, como los BJT. Por el diseo y
la estructura del microcircuito, se controla la resistencia equivalente de drenaje a fuente, R DS, para que
se comporte como la de un BJT.
Figura 1-12, Estructura fsica del IGBT, Transistor Bipolar de Compuerta Aislada,
circuitos equivalentes y smbolos del IGBT.
Como se puede observar la estructura de Silicio de un IGBT, es idntica a la de un MOSFET, a
excepcin del substrato p+. Sin embargo, el rendimiento de un IGBT se parece ms al de un BJT que al
de un MOSFET. Esto se debe al substrato p+, causante de la inyeccin de portadores minoritarios en la
regin n. En la figura 1-12, tambin se muestra el circuito equivalente que se puede simplificar ms
mediante un BJT tipo NPN y un MOS de canal N. Un IGBT se construye con 4 capas alternas PNPN y
puede tener retencin como un tiristor cuando se cumple la condicin (npn +pnp) > 1. La capa de
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acoplamiento n+ y la ancha base epitaxial reducen la ganancia en el Terminal NPN por diseo interno,
logrndose con ello evitar la retencin. Los IGBT tienen dos estructuras:
a) De perforacin (PT, punch through).
b) NPT ( non punch through).
Para el caso a el tiempo de conmutacin se reduce usando una capa de acoplamiento n muy dopada,
en la regin de corrimiento cerca del colector. Para los del tipo b, los portadores tienen una vida
mayor que para los IGBT tipo PT, lo que causa modulacin de conductividad de la regin de
corrimiento y reduce la cada de voltaje en estado de encendido.
Un IGBT es un dispositivo controlado por voltaje, parecido a un MOSFET de potencia. Como en un
MOSFET, se hace positiva la compuerta respecto al emisor, los portadores n son atrados al canal p
cerca de la regin de la compuerta, produciendo una polarizacin directa de la base del transistor
npn, logrndose el encendido. Entonces, un IGBT se enciende con un voltaje positivo en la
compuerta y se apaga cuando le eliminamos el voltaje positivo aplicado en la compuerta. Dado que la
activacin y desactivacin se efecta con una tensin elctrica, el circuito de control asociado a la
activacin y desactivacin, resulta sencillo.
Los IGBT tienen menores perdidas de conmutacin y de conduccin y al mismo tiempo comparte
muchas de las propiedades ventajosas de los MOSFET de potencia, como la facilidad de excitacin de
compuerta, corriente pico, buenas caractersticas tensin corriente y robustez. En forma inherente un
IGBT es ms rpido que un BJT pero resulta ms lento que los MOSFET.

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Figura 1-13, Nos muestra el circuito bsico de

aplicacin, las caractersticas tensin- corriente de
salida y la caracterstica de transferencia o sea
corriente de colector versus voltaje de compuerta.
La especificacin de corriente de un solo IGBT puede llegar hasta 1200 V, 400 A con una frecuencia de
conmutacin de hasta 20 KHZ.
Los IGBT tienen aplicaciones crecientes en potencias intermedias, como por ejemplo propulsores de
motores de CD y CA, fuentes de corrientes, relevadores de estado slido y contactores.
A medida que los limites superiores de las especificaciones de IGBT disponibles en el comercio
aumentan (hasta 6500 V y 2400 A), estn encontrando aplicaciones donde se usan los BJT y los
MOSFET convencionales principalmente como interruptores llegando a sustituirlos.

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Figura 1-13a, Circuito equivalente de un IGBT.
Figura 1-13b, Circuito equivalente de un IGBT.
Limitaciones por i / t y por V / t.

Los transistores requieren ciertos tiempos de encendido y de apagado. Si no se toman en cuenta el
tiempo de retardo td y el tiempo de almacenamiento ts , las formas tpicas de ondas de voltaje y
corrientes, de un dispositivo semiconductor interruptor, son las siguientes:

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Figura 1-14, Diagrama de tiempos de encendido

y apagado de un Transistor de Potencia.
Durante el encendido, la corriente en el colector aumenta y la variacin de corriente resulta:

i I L I cs
= =
t t r t r
Durante el apagado, el voltaje de colector a emisor debe aumentar en relacin con la cada de corriente
de colector resultando una variacin de tensin:
Las condiciones de
i
t
V
t
V V S V CC
= =
t t f
tf
estn establecidas por las caractersticas de conmutacin del
transistor y deben satisfacerse durante el encendido y apagado.

Normalmente, cuando se superan estos valores, se requieren de circuitos adicionales para proteccin
por
i
t
V
, como en el siguiente
t
circuito.
Figura 1-15, Circuito tpico con proteccin para

sobrecorrientes y transitorios de voltaje.

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La red Rs Cs , en paralelo con los terminales del transistor, es un circuito amortiguador que limita
la
V
. El inductor Ls, limita la
t
i
t
y se le denomina amortiguador en serie. Analicemos
como actan esto circuitos amortiguadores.

Supongamos que bajo condiciones especiales la corriente de la carga IL tiene circulacin libre a travs
del diodo Dv, cuyo tiempo de recuperacin inversa es despreciable. Cuando se enciende el transistor
Q1, la corriente de colector sube y la corriente del diodo Dv cae, porque Dv se comporta como un
cortocircuito. En esta situacin, el crecimiento de la corriente del transistor la podemos determinar
como:
i VS
=
.
t L S
Como este valor no puede superar al establecido como lmite para el dispositivo interruptor, entonces
en el lmite debemos igualarlo con este ltimo, resultando:
V S I CS
=
LS t r
donde ICS = IL.
Con la igualdad anterior podemos encontrar el valor de Ls que me permita superar los lmites del
dispositivo semiconductor:
LS =
VS
t .
IL r
Durante el apagado, el capacitor Cs se carga con la corriente de carga y el voltaje del capacitor aparece
a travs del transistor, resultando:
V IL
=
.
t C S
Igualando con la expresin que limita la
V
t
del dispositivo, tendremos:
V CS I L
=
.
tf
CS
Con esta ltima expresin, determinamos el valor de Cs que limita el crecimiento de la tensin a un
valor que no supere al lmite del dispositivo interruptor: C S=

IL
t .
VS f
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Una vez cargado el capacitor con Vs y el diodo Dv se activa, aparece un circuito resonante
amortiguado Ls, Cs, Rs. Este circuito se hace crticamente amortiguado, en el caso normal, para evitar
las oscilaciones.
Para un amortiguamiento crtico, el valor de Rs lo obtenemos como:
RS =2
LS
.
CS
El capacitor Cs se debe descargar a travs del transistor, lo que aumenta la especificacin de corriente
pico del transistor. Se puede evitar la descarga por el transistor si conectamos Rs a travs de Cs, en
lugar de ponerlo en paralelo con Ds.
Por otra parte, tenemos que tener en cuenta el tiempo de descarga de Cs a travs de Rs; por lo general
se establece en un tiempo no mayor a 1/3 del periodo de conmutacin.
Para este caso debemos verificar Rs para que no se supere este tiempo, resultando:
R S C S=
RS =
TS
1
=
3 3f S
TS
1
=
3 3 C S f S

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Unidad I Electronica Potencia Aplicada Rev B 11FEB2015 Notas Alumnos

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Figura 1-1, Curva caracterstica del Diodo

El Diodo responde a la ecuacin:

Figura 1-1a, Presentaciones del

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Proteccin contra sobrecorrientes.

Figura 1-2, Grfica de seales y parmetros

Electrnica Potencia Aplicada

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Instituto Tecnolgico de Reynosa

Intensidad media nominal (IF(AV)): es el valor promedio de la mxima intensidad de impulsos

Intensidad directa de pico no repetitiva (IFSM): es el mximo pico de intensidad aplicable, de

Figura 1-3, Recuperacin Inversa del Diodo.

Electrnica Potencia Aplicada

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Tiempo de recuperacin inverso.

El paso del estado de conduccin al de bloqueo en el Diodo no se efecta instantneamente. Si un

o Qrr: se define como la carga elctrica desplazada y representa el rea negativa de la

Ing. Luis Domingo Ramrez Rivas

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o di/dt: pendiente del cambio de corriente inversa con respecto al tiempo.

Influencia del t r r en la conmutacin.

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El fenmeno de recuperacin inversa determina la mxima frecuencia de operacin del Diodo de

Tiempo de recuperacin directo.

Potencia mxima disipable (Pmx).

Electrnica Potencia Aplicada

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Instituto Tecnolgico de Reynosa

Se define la potencia media (PAV) que puede disipar el dispositivo, como:

Si incluimos en esta expresin el modelo esttico, resulta:

Es la intensidad eficaz al cuadrado

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Temperatura de almacenamiento (Tstg).

Proteccin contra sobrecorrientes.

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La causa principal de sobre intensidad es, naturalmente, la presencia de un cortocircuito en la carga,

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Part Number: UF4002-E3/54, Manufacturer: Vishay, Description: DIODE, FAST, 1 A, 100 V

Diode Type: Fast Recovery

External Length / Height: 5.2 mm,

Forward Current I f(AV): 1 A

Forward Surge Current Ifsm Max: 30 A, Forward Voltage VF Max: 1 V

Junction Temperature Tj Max: 150C,

Mounting Type: Axial Leaded

Operating Temperature Range: -55C to +150C

Package / Case: DO-41,

Repetitive Reverse Voltage Vr r m Max: 100 V

Reverse Recovery Time tr r Max: 50 ns,Reverse Recovery Time tr r Typ: 50 ns

SVHC: No SVHC (18-Jun-2010),

External Diameter: 2.7 mm

Tipos de Diodos de potencia.

Figura 1-4A, Diodos de Potencia

para baja frecuencia.

Baja frecuencia (60Hz).

Diodos rpidos (fast) y ultrarrpidos (ultrafast).