PRCTICA N 11

CARACTERIZACIN DE MATERIALES SEMICONDUCTORES

OBJETIVOS:
1. Determinar

Las

caractersticas

intermedias

responsables

de

semiconduccin elctrica de los materiales semiconductores

2. Definir a los electrones y huecos electrnicos como portadores de carga
3. Relacionar cuantitativamente la semiconductividad intrnseca con

la

la

temperatura absoluta mediante ecuaciones adecuadas

CONDUCTIVIDAD DE SLIDOS
-

Conductividad < 10-12 ohms-1, cm-1 son aislantes.

Conductividad > 103 ohms-1, cm-1 son conductores.

Los

slidos

con

SEMICONDUCTORES.

conductividad

entre

estos

dos

rangos

son

CLASIFICACIN DE LOS SEMICONDUCTORES

Semiconductores

Elementales: su conductividad
depende de su pureza y
sobretodo de la temperatura.
Ejm. Si, Ge.

Intrnsecos:
(# e-= # huecos)

Compuestos:
su
conductividad
no
depende de la T sino, de la introduccin
de impurezas o dopantes elementos Grupo
III o V. Ejm. GaAs, SiC, etc.

Intrnsecos:
(# e-= # huecos)

Extrnsecos

Extrnsecos
Dopantes
Grupos

Dopantes
elementos
Grupo V. Ej. P.

Dopantes
elementos
Grupo III. Ej. Al
Tipo P
Portadores de
carga positivos

Tipo N
Portadores de
carga negativos

Se utilizan para fabricar transistores,

diodos y circuitos integrados.

Tipo P
Portadores de
carga positivos

1. Electrones
(conductividad)
q = carga por portador, para los e- = 1.6 x 10 -19 amp.s
= movilidad de los electrones, en cm 2 / volt. seg.
2. Huecos electrones

nn = nmero de portadores negativos (electrones)

n = movilidad electrones

Portadores de
carga negativos

Se utilizan para fabricar lser, LED y

similares.

PORTADORES DE CARGA

n = portadores / cm3

Tipo N

np = nmero de portadores positivos (huecos)

p = movilidad huecos
n > p
Problema 1.
Un semiconductor de germanio

tipo p, contiene 10 18 electrn-hueco/cm3

Cul es su conductividad?
Solucin

El trmino tipo p se refiere a semiconductores que tienen ms portadores

positivos (huecos) que portadores negativos (electrones).
Problema 2.
El Fosfuro de indio (InP) es un semiconductor que tiene el mismo nmero de
portadores positivos y negativos, es decir de electrones y de huecos. Tiene
una estructura con una arista cbica de 5,78 . Su conductividad es de 4
ohm-1.cm-1. Cuntas celdas unitarias existen por portador, dado que las
movilidades n y p son 4000 y 100 cm2/volt. seg. respectivamente?
Solucin:

Como

despejando tenemos

Reemplazando:

= 6,1x1015 / cm3

n=
n = 1,22 x

portadores /cm3

Portadores celda/unitaria = (1,22x10 16 portadores/cm3) (5,87x10-8)3/celda unitaria

Portadores por celda unitaria = 2,5 x 10-6 portadores / celda unitaria
Celdas unitarias/portador ser el inverso:
Celdas unitarias/portador =

Nota: Como este material fosfuro de indio) tiene igual nmero de portadores
positivos y negativos, no puede ser considerado ni tipo p ni tipo n. El trmino
intrnseco se aplica comnmente al fosfuro de indio, significando que se trata de
un semiconductor en estado puro.

SEMICONDUCTIVIDAD (INTRNSECA) CONTRA TEMPERATURA

A ms temperatura ms conductividad, la energa promedio de los electrones se
incrementa en forma proporcional a la temperatura absoluta K.

Conductividad (ec.1)

=
= Conductividad 1
=
Eg =
T1 =
T2 =
P =

Conductividad 2
Salto energa (en eV)
Temperatura 1 (K)
Temperatura 2 (K)
resistividad

Problema 3.
La resistividad del germanio a 20C es de 50 ohm.cm Cul es su resistividad a
40C? Eg = 0.72 eV

Frmula:

Reemplazando:

Problema 4.
Un semiconductor tiene una conductividad de 1,11 ohm -1.cm-1 a 10 C y 1,72
ohm-1.cm-1 a 17C Cul es su salto de energa?
Solucin
Datos

T1
T2

=
=
=
=

1,11
10 + 273 = 283K
1,72
17 + 273 = 290K

Reemplazamos en la frmula:

Eg = 0.89 eV