Experimento 1 - Transistor Bipolar

Rodrigo Daniel da Silva

Engenharia de Controle e Automao
UNESP - Campus Experimental de Sorocaba
Circuitos Eletrnicos
23/03/2015

Sumrio
1 Objetivos

2 Introduo Terica

3 Procedimentos Experimentais

3.1

Etapa I

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

3.2

Etapa II . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

3.3

Etapa III

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

4 Resultados Obtidos

4.1

Etapa I

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

4.2

Etapa II . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

4.3

Etapa III

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10

5 Concluses

12

6 Referncias

12

Objetivos

Os objetivos deste experimento, foram:

Determinar experimentalmente as curvas IC x VCE e IC x VBE em

montagem emissor comum (Etapa I);
Polarizar a congurao emissor comum e estudar amplicadores de 1
estgio (Etapa II e III);

Introduo Terica
O transistor um componente eletrnico que possui enorme importncia

no mundo da eletrnica, este foi responsvel pela revoluo da eletrnica na

dcada de 60. O transistor sugiu num contexto onde era necessrio reduzir e
aperfeioar as valvulas que at ento eram os componentes eletrnicos mais
utilizados, e assim, atravs de pesquisas na rea, surgiu o transistor como
uma opo mais eciente e barata.
Existem diversos tipos de transistores, dentre eles o bipolar, os transistores de efeito de campo(FET), os transistores FET de juno unipolar(MOSFET) e os transistores CMOS(Complementary MOSFET). Todos
possuem aplicaes especcas, entretanto, este trabalho analisou apenas o
bipolar.
O transistor bipolar um dispositivo com 3 terminais. O terminal do
meio (base) responsvel por controlar a corrente que passa entre os outros
2 terminais (coletor e emissor). O transistor bipolar constituido por 2
junes PN(base-emissor e base-coletor), a juno PN caracterizada por
ser um juno entre um material do tipo P, que possui predominamente
lacunas, e um material tipo N, que possui predominantemente eltrons. A
estrutura bsica do transistor bipolar demonstrada a seguir:

Figura 1: Esquema dos transistores NPN e PNP

Dentre as principais aplicaes do transistor a caracterstica de atuar
como um amplicador a mais utilizada. Inserindo-se uma pequena corrente
na base do transistor possvel induzir uma corrente bem maior atravs do
coletor. A corrente de coletor multipla da corrente de base por um fator
4

e devido a isso essa amplicao possvel.

Outro fato importante sobre o transistor que o modo como as junes
esto polarizadas inuencia em qual modo de operao ele se encontra. Basicamente existem 3 modos de operao do transistor mas as situaes de
corte e saturao no so utilizadas no estudo em questo.
O que diferencia essas 3 conguraes o modo como o circuito montado. Na congurao de emissor comum a montagem caracterizada por
um transistor bipolar em srie com um elemento de carga, e o termo emissor comum vem do fato que o terminal do emissor tem uma ligao comum,
no caso a ligao com 0V ou Terra. O terminal do coletor ligado a carga
de sada enquanto o terminal da base atua como a entrada do sinal. Esses
circuitos so utilizados para amplicar sinais de baixa voltagem.
A congurao de coletor comum possui um ganho muito prximo da
unidade e devido a isso podem ser aplicados como buers. Nesse caso o
terminal comum o coletor e a entrada continua sendo a base enquanto a
sada o terminal do emissor.
E a congurao base comum a ligao na qual a base ligada no ponto
comum do circuito, costuma ser utilizada em circuitos de baixa frequncia,
em amplicadores que necessitam de uma impedncia de entrada baixa.
Alguns exemplos de circuitos esto ilustrados abaixo:

Figura 2: Conguraes do TBJ

Procedimentos Experimentais

3.1

Etapa I

Na primeira etapa do experimento foram realizadas uma srie de medidas de forma a obter as curvas caractersticas do transistor bipolar BC 547.
Abaixo segue o circuito utilizado:

Figura 3: Circuito Experimental Etapa 1

Onde Rb 100K e Rc 470.
Para descrever a curva IC x VBE manteve-se VCC +8V e variou-se VBB
de modo a obter IC x Vbe . Esse mesmo procedimento foi realizado para VCC
de 6V, 10 V e 12 V.
Obtida a curva IC x VBE , variou-se ento o valor de VBB de modo a obter
correntes de base IB num intervalo de 5  80 uA. Para cada valor de IB
variava-se VCC de modo a obter VCE num intervalo de 0 a 7V e assim foi
possvel obter a curva IC x VCE parametrizada em IB .
3.2

Etapa II

Montamos o circuito da Figura 4 em um software de simulao (Pspice)

a m de vericar qual seria o ganho e a forma de onda de sada para posteriormente comparar com o experimento realizado no laboratrio. Os valores
dos respectivos resistores, capacitores e fontes de tenso utilizados para essa
primeira abordagem esto listados abaixo:
6

Figura 4: Circuito Amplicador

VCC = 12V, R1 = 10K, R2 = 2, 2K, RE = 10K, RC = 3, 6K, RS

= 600K, RL = 1K/10K, C1 = 470nF , C2 = 1F , C3 = 470F , com
VEntrada = 20/40 mVpico e frequencia de 10KHz
3.3

Etapa III

Nessa etapa montamos no laboratrio o circuito amplicador conforme a

Figura 4 . A princpio utilizamos os mesmos valores de tenso, resistores e
capacitores listados acima, mas para uma anlise das caractersticas da forma
de onda de sada alteramos os valores da resistncia de carga, dos capacitores,
da frequencia e amplitude da onda de tenso de entrada do circuito.

Resultados Obtidos

4.1

Etapa I

Utilizando o circuito da Figura 3, obteve-se as seguintes curvas de IC

versus VBE :

Figura 5: Curvas IC x VBE

Em seguida, utilizando o mesmo circuito da Figura 3, VBB foi variado de
modo a impor corrente de base IB no intervalo de 5 - 80 A, com VCC xo em
7 V. Com base nesses valores escolheu-se as correntes de base de 11, 40 e 75

A para construir as curvas IC verus IVCE parametrizada em IB . As curvas

obtidas esto apresentadas na Figura 6 :

Figura 6: Curva IC x VCE

Na Figura 5 verica-se que as curvas obtidas se aproximam satisfatoriamente da curva IC x VBE do modelo terico, e alm disso h pouca discrepncia entre as curvas para diferentes valores de VCC . J na Figura 6
vericamos que as curvas apresentadas apresentam comportamento similar
ao encontrado na teoria para diferentes valores de IB o que mostra que na
prtica o experimento executado correspondeu ao modelo terico.
Atravs da segunda derivada da curva de IC x VBE (Figura 7) conseguimos
encontrar o valor limiar de VBE que foi em torno de 6,66 V.

Figura 7: Curva da segunda derivada da curva de IC x VBE

4.2

Etapa II

Na Figura 8 temos a curva apresentada pela simulao do circuito amplicador (Figura 4) :

Observa-se qua a curva de sada est amplicada em um fator de aproximadamente 3,4.

Figura 8: Curvas de entrada e sada do circuito amplicador simuladas pelo

software PSpice
4.3

Etapa III

Nas guras seguintes seguem os valores encontrados para os ganhos em

funo da alterao nos valores dos capacitores, resistores e frequencia de
trabalho da fonte de entrada.

10

(a) Vin:

10Khz,

30mV,

(b) Vin:

1Khz,

30mV,

(c) Vin:

1Khz,

60mV,

Carga: 1K, Ganho = 3.6

Carga: 1K, Ganho = 3.6

Carga: 1K, Ganho = 3.6

(d) Vin:

(e) Vin:

(f ) Vin:

1Khz,

100mV,

10Khz,

30mV,

1Khz,

30mV,

Carga: 1K, Ganho = 3.6

Carga: 10K, Ganho = 13

Carga: 10K, Ganho = 13

(g) Vin:

(h) Vin:

(i) Vin:

1Khz,

60mV,

Carga: 10K, Ganho = 10

1Khz,

100mV,

Carga: 10K, Ganho = 10

(j) Vin: 1Khz, 30mV, Carga: (k) Vin: 1Khz, 60mV, Carga: (l) Vin:
10K, Ganho = 14

10K, Ganho = 11

30mV,

1Khz,

100mV,

Carga: 10K, Ganho = 10

Figura 9: Sinais de Sada Amplicador

11

10Khz,

Carga: 10K, Ganho = 14

Concluses
As curvas experimentais de IC x VBE e IC x VCE apresentaram caracters-

ticas conforme a teoria do transistor bipolar, e atravs da segunda derivada

da curva IC x VBE pode-se vericar a tenso de limiar do componente utilizado.
Com relao ao circuito amplicador, pode-se concluir essa congurao
totalmente dependente dos componentes que fazem parte do sistema. Um
valor de capacitor maior ou menor pode resultar numa grande diferena no
ganho do sistema, mesmo que este seja utilizado apenas para o acoplamento.
O mesmo vale para os valores das resistncias, quando troca-se os valores
da resistncia principalmente no emissor e na base, uma grande diferena no
ganho do sistema ocorre. Isso pois, qualquer variao por mnima que seja
na corrente de base, gera uma grande variao na corrente que circula entre
o emissor e o coletor.
Por m, vericamos tambm que para as mesmas condies simuladas
e experimetais o circuito amplicador apresentou ganho muito prximo (Simulado 3,4 e Experimental 3,6). Com uma variao de 6% para uma carga
de 1K, inverso do ngulo do sinal de sada com relao ao sinal de entrada (defasagem de 90o ) e a mesma distoro encontrada na simulao foi
apresentada no experimento.

Referncias
[1] SEDRA, Adel S.; SMITH, Kenneth C.. Microeletrnica. 5. ed. So

Paulo: Pearson Prentice Hall, 2007. 848 p.

[2] MALVINO, Albert Paul.. Eletrnica. 4. ed. So Paulo: Pearson
Prentice Hall, 2005. 450 - 468 p.

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