FUNDACION UNIVERSITARIA TECNOLOGICO COMFENALCO

TRABAJO DE CIENCIA DE LOS MATERIALES

Presentado
a:

ING. ELMER FAJARDO OSPINO

Presentado por:
ANDRES FRANCISCO CABARCAS SANTOYA (15110265)
JULIANA PEREZ PARRA (14110014)
LILIBETH MENDOZA RODRIGUEZ (14113052)
JOSE MIGUEL RODRIGUEZ (12214117)

Aula:
F- 404 (SECCION 10)

17/03/15

FUNDACION UNIVERSITARIA TECNOLOGICO DE COMFENALCO

VII SEMESTRE DE INGENIERIA INDUSTRIAL

CARTAGENA-BOLIVAR

TALLER #2
IMPERFECCIONES EN EL ARREGLO ATMICO Y MECANISMO DE DIFUSIN
ATMICA
Introduccin
En todos los materiales el arreglo de los tomos contiene imperfecciones que tiene
efecto profundo sobre el comportamiento de los mismos. Mediante l control de
esas imperfecciones se crean materiales ms resistente y con mejores
prestaciones. El estudiante mediante este trabajo debe identificar los tipos bsicos
de defectos de red, as como comprender el mecanismo de difusin en los
materiales solidos como ayuda en la seleccin de materiales
Consulta
1. Qu son las dislocaciones? cul es la diferencia entre las dislocaciones
de borde y de tornillo?
2. Qu es una vacancia? En qu consiste un defecto intersticial? En qu
consiste un defecto sustitucional?
3. Qu es un defecto superficial? cules son los dos tipos ms
importantes? Cules son sus caractersticas?
4. En qu consiste el mecanismo de difusin? cules son las caractersticas
de la difusin por vacancia y la difusin intersticial? describa la aplicacin
industrial del fenmeno de difusin?
Entregable
El estudiante deber realizar una consulta ( libros y/o artculos cientficos de
revistas indexadas) con el fin de dar respuesta a la pregunta de planteadas
utilizando distintas fuentes bibliogrficas de apoyo, para posteriormente elaborar
un Informe elaborado en Word, con normas Icontec y no debe deber extenderse

de tres

pginas como mximo y tendr la siguiente estructura ordinal: 1)

Introduccin, 2) Anlisis (desarrollo de las preguntas) y 3) Conclusin , donde se

sintetice los criterios a tener en cuenta en la seleccin de materiales
Valor del taller: 10%
Grupos: Mximo 4 integrantes
Forma de entrega: enviar a correo efajardo0304@gmail.com. Indicar en el
archivo: Nombre de un integrante. Taller 1. Seccin. Semestre (ejemplo:
Carlos diaz.taller2.seccion5. sem 2)

INTRODUCCION

El arreglo de los tomos o de iones de los materiales diseados tiene

imperfecciones o defectos. Con frecuencia, estos defectos tienen un efecto
profundo sobre las propiedades de los materiales.
Estas imperfecciones solo representan defectos en, o desviaciones, respecto a los
arreglos atmicos perfectos o ideales, en una estructura cristalina dada. El
material no se considera defectuoso desde un punto de vista de la aplicacin. En
muchas aplicaciones es til la presencia de esos defectos, sin embargo, hay unas
pocas aplicaciones en donde se trata de minimizar determinada clase de defecto.
Por ejemplo, los defectos llamados dislocaciones son tiles para aumentar la
resistencia de los metales y las aleaciones, no obstante, en el cilicio mono
cristalino, que se usa para fabricar chips de computadoras, no es deseable la
presencia de dislocacin. Con frecuencia, se pueden crear en forma intencional
los defectos para obtener determinado conjunto de propiedades electrnicas,
pticas y mecnicas.

1. Qu son las dislocaciones? Cul es la diferencia entre las

dislocaciones de borde y de tornillo?
DISLOCACIONES
Son imperfecciones lineales en un cristal que de otra manera seria perfecto. Se
suelen introducir en el cristal durante la solidificacin del material o cuando el
material se deforma permanentemente. Aunque en todos los materiales,
incluyendo cermicos y polmeros, hay dislocaciones, son especialmente tiles
para explicar la deformacin y el endurecimiento de los materiales metlicos. Se
pueden identificar tres (3) clases de dislocaciones: de tornillo, de borde y mixta.
DISLOCACIONES DE TORNILLO
Se puede ilustrar haciendo un corte parcial en un cristal perfecto, y a continuacin,
torciendo ese cristal una distancia atmica. Si se sigue un plano cristalogrfico
durante una revolucin respecto al eje de torcimiento del cristal, comenzando en el
punto X y recorriendo distancias interatmicas iguales en cada direccin, se
termina una distancia atmica abajo del punto de partida (en el punto Y). el vector
necesario para terminar el circuito y regresar al punto de partida es el vector de
Burgers. Si se continuara la rotacin, se describira una trayectoria espiral. El eje
o lnea respecto al cual se traza la trayectoria es la dislocacin de tornillo. El vector
de Burgers es paralelo a la dislocacin de tornillo.

DISLOCACIONES DE BORDE
Se puede ilustrar haciendo un corte parcial en un cristal perfecto, abriendo el
cristal y llenando en parte el corte con un plano adicional de tomos. La orilla
inferior de este plano insertado representa la dislocacin de borde. Si se describe
un circuito en torno a la dislocacin de borde, en sentido de las manecillas del reloj
comenzando en el punto X y recorriendo una cantidad igual de distancias atmicas
en cada direccin, se terminara en el punto Y, a una distancia atmica del punto
de partida. El vector necesario para cerrar el circuito es, de nuevo el vector de
Burgers. En este caso el vector de Burgers es perpendicular a la dislocacin. A
diferencia de una dislocacin de borde o arista, una de tornillo no se puede
visualizar como un semiplano adicional de tomos.

2. Qu es una vacancia? En qu consiste un defecto intersticial?

En qu consiste un defecto sustitucional?
VACANCIA
Una vacancia se produce cuando falta un tomo o un ion en un sitio normal de la
estructura cristalina. Cuando faltan tomos o iones, es decir cuando hay vacancia,
aumenta el desorden normal o entropa del material, lo cual aumenta la estabilidad
termodinmica de un material cristalino. Todos los materiales cristalinos tienen
defectos de vacancia. Las vacancias se introducen a los metales y aleaciones
durante la solidificacin, a temperaturas elevadas o como consecuencia de daos

por radiacin. Las vacancias desempean un papel importante en la

determinacin de la rapidez con que se pueden mover los tomos o los iones, es
decir, difundirse, en un material solido, en especial en los metales puros.

DEFECTO INTERSTICIAL
Se forma cuando se inserta un tomo o ion adicional en la estructura cristalina en
una posicin normalmente desocupada. Los tomos o los iones intersticiales,
aunque son muchos menores que los tomos o los iones que estn en los puntos
de red, son mayores que los sitios intersticiales que ocupan; en consecuencia, la
regin cristalina vecina esta comprimida y distorsionada.

DEFECTO SUSTITUCIONAL
Es cuando un tomo o ion es sustituido con un tipo distinto de tomo o ion. Los
tomos o iones sustitucionales ocupan el sitio normal en la red. Pueden ser
mayores que los tomos o iones normales en la estructura cristalina, en cuyo caso
se reducen los espacios interatmicos vecinos, o pueden ser menores, lo cual
causara que los tomos vecinos tengan distancias interatmicas mayores. En
ambos casos, los defectos sustitucionales perturban al cristal que los rodea.

3. Qu es un defecto superficial? cules son los dos tipos ms

importantes? Cules son sus caractersticas?
DEFECTO SUPERFICIAL
Los defectos superficiales son los lmites o bordes o planos que dividen un
material en regiones, cada una de las cuales tiene la misma estructura cristalina
pero diferente orientacin.
o La superficie del material: las dimensiones exteriores del material
representan superficies en donde termina el cristal en forma sbita. Cada
tomo en la superficie ya no tiene el nmero adecuado de coordinacin y se
interrumpe el enlazamiento atmico.

o Limites de grano: la superficie que separa los granos individuales, es una

zona angosta donde los tomos no tienen las distancias correctas. Es decir,
los tomos estn tan prximos entre s en algunos lugares del lmite del grano,
que producen una zona de compresin; y en otras areas estn tan alejados,
que producen una zona de tensin.
4. En qu consiste el mecanismo de difusin? cules son las
caractersticas de la difusin por vacancia y la difusin intersticial?
describa la aplicacin industrial del fenmeno de difusin?
DIFUSION
Indica el flujo neto de cualquier especie, como iones, tomos, electrones,
vacancias y molculas. La magnitud de este flujo depende del gradiente inicial de
concentraciones y de la temperatura. El proceso de la difusin es fundamental en
una gran cantidad de tecnologas importantes de hoy. En las tecnologas de
procesamiento de material, la clave es controlar la difusin de tomos, iones,
molculas u otras especies.
En los materiales existen defectos llamados vacancias. El desorden que crean
esas vacancias, es decir, la mayor entropa ayuda a minimizar la energa libre y,
en consecuencia, la estabilidad termodinmica de un material cristalino. Los
materiales cristalinos tambin contienen otras clases de defectos. En materiales
que contienen vacancias, los tomos se mueven o saltan de una posicin en la red
a otra. Este proceso se llama autodifusion y se puede detectar con trazadores
radiactivos.
DIFUSION DE VACANCIAS
En la autodifusion y en la difusin de tomos sustitucionales, un tomo deja su
sitio de red y llena una vacancia cercana (con lo que se crea una vacancia nueva
en el sitio de red original). Al continuar la difusin, se forman flujos de tomos y de
vacancia a contracorriente. La cantidad de vacancias, que aumenta con la
temperatura, ayuda a determinar el grado de autodifusion y tambin de difusin
de tomos sustitucionales.

DIFUSION INTERSTICIAL
Cuando en la estructura cristalina hay un tomo o ion intersticial pequeo, se
mueve de un sitio intersticial a otro. En este mecanismo no se requieren
vacancias. En parte porque hay mucho mas sitios intersticiales que vacancias, la
difusin intersticial sucede con ms facilidad que la difusin de vacancias. Los
tomos intersticiales que son relativamente ms pequeos se pueden difundir con
mayor rapidez.
APLICACIN INDUSTRIAL DEL FENOMENO DE DIFUSION
Cromizacin del acero
Es un proceso de saturacin de las capas superficiales del acero con cromo por
medio de la difusin a alta temperatura. El proceso se facilita por la fcil formacin
de soluciones slidas del hierro con el cromo. Una vez cromizado, el acero
presenta una alta resistencia a la corrosin en cido ntrico, el agua marina, los
gases sulfurosos y el sulfuro de hidrgeno entre otros. La termo resistencia
aumenta hasta los 750-800C, a partir de estas temperaturas el cromo difunde
dentro del acero y se empobrece la capa superficial con lo que disminuye su termo
resistencia.

CONCLUSION
Todos los metales son cristalinos.las estructuras cristalinas que adoptan, as como
las imperfecciones en el arreglo, determinan en buena medida muchas de sus
propiedades ms relevantes. En particular, los defectos dislocaciones son
responsables de la ductilidad de los metales. En una aleacin los elementos
aleantes pueden existir como tomos aislados alojados en la red cristalina como
intersticiales o sustitucionales, tambin pueden formar compuestos. El
conocimiento de la estructura cristalina de los metales permite comprender mejor
sus propiedades y su desempeo en aplicaciones prcticas.