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por
Claudio Alvares Conceio
DISSERTAO DE MESTRADO
Ao meu pai,
em memria
Agradecimentos
Agradeo a Deus por iluminar meus caminhos.
Resumo
Arcos eltricos devidos a curtos-circuitos em painis eltricos so fenmenos
indesejveis, ocorrendo de forma descontrolada e liberando grandes quantidades de
energia sob forma de calor, partculas metlicas ionizadas pela sublimao do cobre, o
qual atinge 67.000 vezes o volume slido da barra de cobre. Tambm h liberao de
grande quantidade de luz na faixa do ultravioleta e gases txicos pela queima de
materiais isolantes internos ao painel. As presses podem atingir algumas centenas ou
milhares de kgf, com sons associados podendo atingir valores superiores a 160dB e, por
fim, material slido e metal fundido so expelidos a partir da fonte do arco a uma
velocidade superior a 1.120km/h. Este trabalho tem como objetivo a realizao de
estudos e proposio do projeto para um sistema rpido de supresso de arco, baseado
em semicondutor de potncia, sendo sua principal finalidade de se eliminar por
completo todos os efeitos indesejveis associados ao curto-circuito a arco em painis
eltricos.
Abstract
Arc flashes due to short circuits in electrical panels are undesirable phenomena
with uncontrollable nature, releasing a lot of energy as heat, ionized metal particles due
to copper sublimation, reaching 67,000 times its solid volume. In addition high energy
light in the ultraviolet range is released, along with of toxic gases from the burning
internal insulating materials of the panel. Air pressure can reach hundreds or thousands
of kgf with associated sounds with intensity greater than 160dB. Finally, solid material
and molten metal are expelled from the arc source at speeds higher than 1,120km/h. The
work aims the development of studies and the design of an "Active Arc Suppression
System", whose main purpose is the complete elimination of the undesirable effects
associated with arcs in short-circuited electrical panels.
ndice
1 Introduo.......................................................................................................11
1.1 Introduo......................................................................................................11
1.2 Motivao......................................................................................................12
1.3 Objetivo.........................................................................................................13
1.4 Contribuies.................................................................................................14
1.5 Organizao e Contedo dos Captulos.........................................................14
2 O Arco Eltrico...............................................................................................16
2.1 A Natureza do Arco Eltrico .........................................................................16
2.1.1 Riscos Associados ao Arco Eltrico ...........................................................17
2.1.2 Efeito da Temperatura no Tecido Humano.................................................20
2.1.3 Estatstica de Acidentes com Arco Eltrico ............................................... 21
2.1.4 Fatores que Propiciam o Surgimento do Arco Eltrico ..............................24
2.1.5 Evoluo de um Curto-Circuito Trifsico a Arco em Painis Eltricos.....24
2.2 A Energia Irradiada por um Curto-Circuito Trifsico ...................................28
2.2.1 Mtodo Proposto por Ralph Lee.................................................................28
2.2.2 Mtodo Proposto por Doughty, Neal e Floyd .............................................32
2.2.3 Mtodo Proposto pelo IEEE Std 1584-2004...............................................40
2.3 Tecnologias para Mitigar os Efeitos do Arco-Eltrico ..................................45
2.3.1 Painel Resistente a Arco Eltrico................................................................45
2.3.2 Vestimentas para Trabalhos em Eletricidade..............................................50
2.3.3 Solues de Engenharia para Reduo do Nvel de Energia Irradiado......54
2.4 Tecnologias Disponveis na Aplicao de Supressores de Arco...................63
3 Sistema de Supresso de Arco Baseado em Tiristores de Potncia............75
3.1 Projeto de um Sistema Rpido de Supresso de Arco...................................75
3.1.1 Impedncia de Abafamento do Arco ..........................................................76
3.1.2 A Chave de Estado Slido ..........................................................................79
3.1.3 Sistema de Deteco de Arco Eltrico........................................................82
3.1.4 Sistema de Proteo, Controle e Comando.................................................89
3.2 Prottipo Conceitual de Bancada...................................................................91
4 Concluso.......................................................................................................100
5 Referncias Bibliogrficas............................................................................102
Anexos ...............................................................................................................107
ndice de Figuras
Fig. 1 - Natureza direcional geral de um arco eltrico. Fonte......................................... 17
Fig. 2 - Posio dos manequins em relao ao painel......................................................18
Fig. 3 - Exposio dos manequins ao arco eltrico..........................................................19
Fig. 4 - Resultados obtidos atravs dos sensores..............................................................19
Fig. 5 - Relao Tempo x Temperatura para tolerncia do tecido humano......................20
Fig. 6 - Nmero de acidentados com arco eltrico por ano..............................................21
Fig. 7 - Nmero de acidentes por nvel de tenso ............................................................22
Fig. 8 - Acidentes com arco eltrico por instalao..........................................................22
Fig. 9 - Nmero de acidentes com arco eltrico por rea.................................................23
Fig. 10 - Oscilografia de um curto-circuito a arco............................................................25
Fig. 11 - Oscilografia de um curto-circuito a arco............................................................26
Fig. 12 - Oscilografia de um curto-circuito a arco............................................................27
Fig. 13 - Diagrama de Vetores......................................................................................... 29
Fig. 14 - Teste de energia irradiada em ambiente aberto..................................................33
Fig. 15 - Corelao entre falta slida e energia incidente.................................................34
Fig. 16 - Energia incidente padronizada...........................................................................35
Fig. 17 - Teste de energia irradiada em ambiente fechado...............................................37
Fig. 18 - Direcionamento da energia irradiada.................................................................38
Fig. 19 - Corelao entre falta slida e energia incidente.................................................39
Fig. 20 - Energia incidente padronizada...........................................................................39
Fig. 21 - Planilha de calculo do IEEE Std 1584-2004.....................................................44
Fig. 22 - Fases devida elevao de presso e temperatura................................................47
Fig. 23 - Ensaio em um painel eltrico no certificado....................................................47
Fig. 24 - Recomendaes para instalao de painel certificado.......................................49
Fig. 25 - Teste de curto-circuito a arco em um painel de mdia tenso...........................49
Fig. 26 Teste de curto-circuito a arco em um painel com duto de exausto.....................50
Fig. 27 - Transferncia de calor pelo tecido. Fonte..........................................................51
Fig. 28 - Execuo de trabalho com uso de roupa para ATPV de 25cal/cm...................52
Fig. 29 - Aplicao de seletividade lgica........................................................................55
Fig. 30 - Aplicao de seletividade lgica........................................................................55
Fig. 31 Rels de proteo com sensores de luz pontual e regional...................................56
Fig. 32 - Sensor de arco pontual.......................................................................................56
ndice de Tabelas
Tabela 1 - Resultados obtidos de curto-circuito trifsico a arco.................................................33
Tabela 2 - Valores do curto-circuito slido e energia irradiada tirados da tabela 1.....................34
Tabela 3 - Valor da energia irradiada padronizado......................................................................35
Tabela 4 - Resultados obtidos de curto-circuito trifsico a arco..................................................38
Tabela 5 - Categoria de perigo/risco............................................................................................53
Tabela 6 - Tcnicas de reduo do nvel de energia irradiado.....................................................58
Tabela 7 - Comparativo entre solues de engenharia.................................................................62
Tabela 8 - Parmetros folha de dados fabricante. Anexo datasheet.............................................81
Tabela 9 - Dimensionamento do TC............................................................................................84
Tabela 10 - Clculo do burden.....................................................................................................85
Tabela 11 - Planilha de calculo de saturao de TC.....................................................................85
Captulo 1: Introduo
11
1 Introduo
Este captulo descreve a motivao, os objetivos gerais e as contribuies do trabalho
realizado, bem como a organizao e contedo de cada captulo deste texto.
Introduo
Quando da ocorrncia de um curto-circuito com formao de arco eltrico em
um painel de distribuio, tem-se a perda total ou parcial do mesmo levando a paradas
no programadas da planta industrial e causando srios acidentes aos profissionais da
rea eltrica envolvidos nos processos de manobras e manuteno destes. Os painis de
distribuio possuem nveis de curto-circuito que podem variar de 10 a 100kA, e valores
de atuao da proteo variando de dezenas de milissegundos a segundos. Desta forma,
a energia irradiada quando da ocorrncia de um curto-circuito trifsico a arco pode
atingir valores elevados, podendo no ser possvel resguardar a segurana do
trabalhador por falta de equipamentos de segurana individual e coletivo eficaz [1].
O setor eltrico brasileiro tem seu levantamento estatstico de acidentes
envolvendo arco eltrico desde 1996 onde em 2010 ocorreram 20 acidentes envolvendo
trabalhadores do setor eltrico[2].
No h registro estatstico de acidentes na indstria brasileira envolvendo
queimaduras por arco-eltrico. Fontes estrangeiras confirmam que na indstria h muito
mais ocorrncias de acidentes [3]. Na Inglaterra, pas com 49 milhes de habitantes
ocorrem cerca de 1.000 acidentes por ano com 25 mortes. Nos Estados Unidos da
Amrica, pas com 303 milhes de habitantes ocorrem cerca de 2.000 acidentes por ano
com 400 mortes [4]. O Brasil com uma populao em torno de 191 milhes de
habitantes [5], possui um nmero significativamente maior de trabalhadores na indstria
quando comparado ao setor eltrico de gerao, transmisso e distribuio.
A indstria, devido s caractersticas das cargas, contm um grande nmero de
painis eltrico de distribuio no interior das subestaes. Estatsticas mostram que os
acidentes no setor eltrico brasileiro no interior de subestaes o local com o terceiro
maior ndice de acidentes envolvendo queimaduras por irradiao devido a curtocircuito a arco [2]. Os acidentes na indstria nacional esto relacionados s atividades
de manuteno e operao nos Centros de Distribuio de Cargas (CDCs) e Centro de
Controle de Motores (CCMs) [42]. A intensidade da energia irradiada est diretamente
Captulo 1: Introduo
12
ligada ao nvel de curto-circuito dos painis de distribuio, sendo este nvel de curtocircuito maior em painis de distribuio de baixa tenso.
As normas tcnicas para construo de painis eltricos esto mais rigorosas
com relao sua capacidade de resistir aos esforos dinmicos do arco eltrico,
enclausurando a energia irradiada e direcionando os gases oriundos da expanso. O
painel compartimentando de forma a segregar a regio de curto-circuito diminuindo a
dimenso do dano ao painel [6, 7, 8].
Com relao segurana pessoal, foi dado ao trabalhador EPI (Equipamentos de
Proteo Individual), vestimentas com categoria de risco de acordo com os nveis de
energia irradiada no instante de um curto-circuito a arco. Estes EPIs minimizam o risco,
mas no o eliminam, isto , garantem que o trabalhador ter no mximo uma
queimadura de segundo grau quando exposto a energia irradiada de acordo com a
categoria de risco calculada para o seu EPI [1].
O Ministrio de Trabalho considera em suas prerrogativas que o EPI no
constitui uma proteo efetiva, sendo uma das barreiras para se evitar ou atenuar a
leso, medidas de proteo coletivas e administrativas devem ser tomadas por parte do
empregador para a mitigao do risco. A utilizao do EPI deve ser a ltima alternativa
a ser empregada, mesmo considerando a necessidade de seu uso [9].
Apesar dos avanos tecnolgicos que vm ocorrendo ao longo dos anos, a
tecnologia de aplicao atual no atende a todos os requisitos de segurana e
continuidade operacional, mostrando-se oportunidades para o desenvolvimento
tecnolgico e contribuies cientficas.
1. 2 Motivao
Ao longo dos anos at os dias atuais muito tem sido feito no desenvolvimento de
tecnologias para reduzir o grau de exposio s energias irradiadas a qual os
trabalhadores do sistema eltrico esto expostos durante um curto-circuito trifsico.
Porm, alm da energia irradiada no curto-circuito, h outros fatores de riscos que o
trabalhador est exposto, iguais ou maiores que o risco de queimaduras pela irradiao
trmica gerada quando da ocorrncia do curto-circuito a arco. Apesar de que a
comunidade internacional ter cincia destes outros riscos, no houve uma evoluo
tecnolgica significativa para um tratamento abrangente da eliminao dos riscos
causados pelo arco eltrico. A normalizao estrangeira e internacional [1, 6, 7, 8, 10,
Captulo 1: Introduo
13
11, 12, 13, 14, 15] vem ao encontro da aplicabilidade do desenvolvimento tecnolgico
hoje existente, especificando procedimentos para ensaios de equipamentos resistentes a
arco eltrico, mtodos para ensaios de tecidos e procedimentos para especificao de
uniformes adequado ao nvel de energia irradiada.
Ao longo dos ltimos anos, os principais fruns internacionais de discusso para
os assuntos relacionados segurana no trabalho para os efeitos danosos do arco
eltrico como: IEEE IAS Electrical Safety Workshop, IEEE IAS Petroleum and
Chemical Industry, trouxeram contribuies no que tange tecnologia de
equipamentos para enclausuramento do arco eltrico, painis resistentes a arco,
procedimento de engenharia como aplicao de seletividade lgica, grupo de ajuste e
equipamentos como rels de arco. Todos estes estudos esto relacionados diretamente
ao controle da energia irradiada.
A principal motivao para o estudo e projeto de um Sistema Rpido de
Supresso de Arco Baseado em Tiristores de Potncia est relacionada lacuna
existente no que diz respeito oportunidade para desenvolvimento cientfico e
tecnolgico de uma soluo para eliminao por completo dos efeitos danosos do arco
eltrico.
1. 3 Objetivo
O objetivo proposto o estudo e projeto de tecnologia, baseada em eletrnica de
potncia, para impossibilitar a formao dos arcos eltricos e seus feitos danosos
quando da ocorrncia de um curto-circuito a arco em painis eltricos de distribuio,
responsveis pela alimentao eltrica das cargas industriais. O Sistema Rpido de
Supresso de Arco Baseado em Tiristores de Potncia no evita o curto circuito onde
sua ocorrncia pode ter como origem vrios fatores que sero discutidos em captulo
posterior, porm as principais consequncias do curto circuito a arco que so: altas
energias trmicas irradiadas, projeo de material, vapores metlicos oriundos da
sublimao do cobre, gases txicos devido queima de materiais internos ao painel, entre
outros, sero eliminadas por completo.
No escopo deste trabalho inclui-se a realizao de estudos, projeto e a
implementao de um arranjo de pequena escala. Uma das grandes vantagens do
sistema proposto a possibilidade de aplicao do Sistema Rpido de Supresso de
Arco Baseado em Tiristores de Potncia em painis de distribuio novos ou os
Captulo 1: Introduo
14
existentes em operao, sem que haja a necessidade dos mesmos serem resistente ao
arco-eltrico.
1. 4 Contribuies
Como principais contribuies geradas pelo estudo e projeto do Sistema Rpido
de Supresso de Arco Baseado em Tiristor de Potncia tem-se:
Captulo 2
O Arco Eltrico
Este captulo realiza uma reviso bibliogrfica sobre o arco eltrico e suas
principais fontes de ignio, descreve o histrico da evoluo dos estudos no controle da
energia irradiada devido ao curto-circuito em painis de distribuio de energia eltrica,
bem como uma viso a respeito da segurana de pessoas e as principais tecnologias hoje
aplicadas e suas limitaes, considerando a dimenso de dano ao painel de distribuio,
perda de produo e segurana.
Captulo 1: Introduo
15
Captulo 3
Sistema Rpido de Supresso de Arco Baseado em Tiristores de
Potncia.
Este captulo apresenta o estudo de projeto para um Sistema Rpido de
Supresso de Arco. Ser montado um modelo conceitual de bancada com o intuito de
demonstrao da aplicao.
Captulo 4
Concluso
Este captulo apresenta as concluses e as propostas de continuidade para o
estudo e desenvolvimento de um "Sistema Rpido de Supresso de Arco Baseado em
Tiristores de Potncia" em escala industrial.
Captulo 5
Referncias Bibliografia
16
2 O Arco Eltrico
Este captulo realiza uma reviso bibliogrfica sobre o arco eltrico e suas
principais fontes de ignio, descreve o histrico da evoluo dos estudos no controle
da energia irradiada devido ao curto-circuito em painis de distribuio de energia
eltrica, bem como uma viso a respeito segurana de pessoas e as principais
tecnologias hoje aplicadas e suas limitaes, considerando a dimenso de dano ao
painel de distribuio, perda de produo e segurana.
17
18
grandes quantidades de energia sob forma de calor, partculas metlicas ionizadas pela
sublimao do cobre (qual chega a 67.000 vezes o volume slido do mesmo), grande
quantidade de luz na faixa do ultravioleta, gases txicos pela queima de materiais
isolantes internos ao painel. Presses que podem atingir valores extremamente elevados
de kgf/cm, com sons associados a estas presses que podem atingir valores superiores a
160dB. Por fim, material slido e metal fundido so expelidos a partir do arco a uma
velocidade superior a 1120km/h [17, 22].
Atualmente, as normas no tratam dos riscos associados exploso oriunda de
um curto-circuito a arco. Para as consequncias geradas pelo arco eltrico, no h
equipamentos de segurana pessoal que garantam a integridade do trabalhador, sendo
este fenmeno um dos fatores de contribuio significativa para acidentes de grandes
propores no setor eltrico e na indstria [22].
Ao longo dos anos, extensivos testes vm sendo realizados para equacionar e
dimensionar os danos provocados ao trabalhador quando exposto aos efeitos danosos
provocados pelo arco eltrico em painis de distribuio. No artigo publicado por Crnko
e Dyrnes [26], so realizados ensaios em manequins com sensores apropriados para
determinao de danos por queimaduras incurveis, perda de audio, danos aos
pulmes e fraturas. O teste realizado em um painel de distribuio trifsico (CCM) de
480V com corrente de curto-circuito simtrica de 22,6kA, o sistema de proteo est
ajustada para interromper o arco eltrico em 6 ciclos (100ms) [26]. Dois manequins so
posicionados de tal forma que um fica prximo ao painel, simulando o trabalhador que
est realizando a manuteno, e o segundo, a uma distncia maior, simulando o
trabalhador que est acompanhando a execuo dos servios. A figura 2 abaixo ilustra a
posio dos manequins em relao ao painel [26].
19
O teste foi realizado e atravs dos sensores posicionados nos manequins foi
possvel quantificar o dano que um arco eltrico, nas condies especficas de ensaios
citadas, poder causar ao trabalhador. A figura 3 mostra a foto no instante em que
realizado o teste. Pode ser observado que o manequim prximo ao painel est
totalmente envolvido nos efeitos danosos do arco eltrico.
20
21
Figura 6 - Nmero de acidentados com arco eltrico por ano. Fonte [20].
Na figura 7 apresentada pela COGE a relao de nmeros de acidentes
envolvendo arco eltrico por nvel de tenso de trabalho. A baixa tenso, a
responsvel pelo maior nmero de ocorrncia de acidentes envolvendo queimaduras a
arco eltrico.
22
23
Figura 9 - Nmero de acidentes com arco eltrico por rea. Fonte [20].
O setor eltrico brasileiro tem uma pequena parcela de contribuio para os
acidentes envolvendo arco eltrico quando comparado com o vasto campo de aplicao
da eletricidade. A falta de informao sobre acidentes envolvendo eletricidade,
originados por arco eltrico, nos setores da indstria, comercio e construo civil, no
permite se ter conhecimento da totalidade dos acidentes envolvendo o arco eltrico no
Brasil.
De acordo com [43] 80% de todas as leses envolvendo eletricidade so
causadas por arco eltrico, e estas esto baseadas em levantamentos realizados por:
Electricit de France, 21% dos acidentes eltricos por arco eltrico tiveram
leses permanentes.
24
OSHA, 80% dos acidentes fatais envolvendo o arco eltrico, ocorrem com
profissionais qualificados. Nos EUA entre 2007 e 2011, foram aplicadas
mais de 2.880 multas por no cumprimento do regulamento OSHA
1910.132(d), no que diz respeito ao atendimento as recomendaes de
segurana dos trabalhadores frente aos riscos do arco eltrico.
25
Icc monofsico
fase C
Tempo
(ms)
26
27
28
, e voltando a
devido ao
representa 70,7% da
tenso do sistema e
29
70,7% de
45.
por
irradiada em um curto circuito a arco, sendo 0,5 vezes a capacidade em kVA mxima da
falta slida do sistema no ponto considerado. Haver arcos com nveis de energia mais
baixos, porm, no h nenhuma maneira de prev-los [16]. A maior potncia dissipada
pelo o estudo acima :
(1)
Onde:
[W].
[V].
[A].
30
Desta ultima, Ralph Lee, chegou a seguinte equao para a energia irradiada:
(2)
Onde:
[J/cm].
[kV].
[kA].
[s].
[mm].
Baseado na relao "tempo x temperatura de tolerncia do tecido humano,
mostrada na figura 5, verifica-se que uma elevao de temperatura do tecido humano
em 46C com um tempo de exposio de 100 ms, o limite para uma queimadura
curvel, e uma elevao de 62C com o mesmo tempo de exposio, o limite para uma
queimadura incurvel. Baseado nesta relao, [16] props duas equaes para
determinao da distncia de trabalho em relao fonte de arco eltrico, a equao (3)
determina a distncia de trabalho em relao fonte do arco eltrico, onde a irradiao
da mesma provocar apenas queimaduras curveis, e a equao (4) determina a
distncia de trabalho para queimaduras incurveis.
Onde:
.
[MVA].
[s].
31
Onde:
(MVA)
(s)
A ttulo de exemplo, aplicando-se as equaes de Ralph Lee em um circuito
eltrico com tenso de 768V, corrente de curto-circuito slido de 50,39kA e tempo de
extino do arco de 6 ciclos. A energia irradiada em um corpo de prova a uma distncia
de 588mm, e a distncia segura para uma queimadura curvel ser:
Energia Irradiada
ou
ou
32
33
Local
Arco no Ar
Arco no Ar
Arco no Ar
Arco no Ar
Arco no Ar
Arco no Ar
Arco no Ar
Arco no Ar
Arco no Ar
Arco no Ar
Arco no Ar
588
588
588
588
588
588
588
588
588
441
762
768
687
614
616
623
617
614
615
616
614
614
50,39
45,36
40,92
35,29
31,16
27,66
23,41
19,08
16,3
40,92
40,92
528,9
465,8
471,6
461,2
432,6
439,2
442,8
443,1
454,2
449,5
445,4
34,88
30,15
24,08
22,3
20,99
18,74
16,44
13,27
11,58
25,47
25,44
23061
16386
13583
12179
10902
10046
9204
7018
6193
13509
13735
3,71
2,98
2,46
2,31
2,05
1,8
1,49
1,1
0,94
4,63
1,86
4,63
3,87
2,96
2,52
2,3
1,97
1,78
1,25
1,1
5,52
2,04
34
Indicao Mdia da
Indicao Mxima da
Corrente de Falta
Energia Irradiada em em Energia Irradiada em em 6
Slida (kA)
6 Ciclos (cal/cm)
Ciclos (cal/cm)
50,39
45,36
40,92
35,29
31,16
27,66
23,41
19,08
16,3
3,71
2,98
2,46
2,31
2,05
1,8
1,49
1,1
0,94
4,63
3,87
2,96
2,52
2,3
1,97
1,78
1,25
1,1
A correlao dos valores da tabela 2 mostrada na figura 15, onde o eixo "x"
representa corrente de falta slida, e o eixo "y" as energias incidentes mdias e
mximas.
35
(5)
A segunda correlao pode ser observada na tabela 3, onde relacionado o valor
da energia irradiada padronizada para uma distncia de 24 polegadas em relao ao
corpo de prova (calormetro).
Tabela 3 - Valor da energia irradiada padronizado. Adaptado de [23].
Distancia do sensor
em relao aos
eletrodos (in)
30
24
18
0,76
1
1,88
A partir dos dados da tabela 3, obtido o grfico da figura 16, que apresenta a
interpolao da curva da energia incidente padronizada em relao distncia do corpo
de prova.
36
(7)
Onde:
= Mxima energia irradiada [cal/cm].
= Distncia do barramento ao ponto de prova [in].
37
38
Local
Arco Caixa
Arco Caixa
Arco Caixa
Arco Caixa
Arco Caixa
Arco Caixa
Arco Caixa
Arco Caixa
Arco Caixa
Arco Caixa
Arco Caixa
Arco Caixa
Arco Caixa
Arco Caixa
Distncia do
Indicao Mxima
Tenso de Corrente de Tenso Mdia Corrente MdiaPotncia Mdia Indicao Mdia da
sensor em
da Energia
Circuito Aberto Falta Slida de arco Fase- de Arco entre Aproximada de Energia Irradiada em
relao aos
Irradiada em em 6
(V)
(kA)
Fase (V)
Fases (kA)
Arco (kW) em 6 Ciclos (cal/cm)
eletrodos (mm)
Ciclos (cal/cm)
588
588
588
588
588
588
588
588
588
441
762
914
1219,2
1524
759
680
612
618
613
617
611
615
616
612
612
612
612
612
51,19
46,05
41,99
36,25
31,2
27,66
23,65
19,08
16,3
41,99
41,99
41,99
41,99
41,99
375
343,4
340,3
350,5
329,7
327,7
323,7
244,8
317,7
347,4
326,5
325,4
331,6
328,2
41,15
36,33
31,59
27,31
24,92
21,9
19,1
15,57
13,24
31,36
31,12
32,15
31,79
32,16
17578
14375
12664
11222
9709
8442
7439
6023
5050
12571
12275
11871
12430
12245
9,4
7,41
5,16
3,76
2,97
2,87
2,32
1,91
1,67
9,35
4,13
3,15
1,81
1,05
12,46
9,85
8,01
5,4
4,01
3,63
2,96
3,1
2,55
12,06
5,03
4,24
2,73
2,08
39
40
Diagramas unifilares.
41
42
Corrente de Arco
Neste padro foi inserido o conceito de corrente de arco, a importncia deste
termo est ligada ao fato do curto-circuito a arco limitar a corente de falta. Desta forma,
caso o sistema de proteo utilize curvas inversas padronizadas, a atuao da proteo
ocorrer em um tempo superior quele considerado para a corrente de falta slida.
Como a energia irradiada est diretamente ligada ao tempo de atuao da proteo, terse-ia uma energia irradiada maior que a calculada.
A corrente de arco devido a um curto-circuito trifsico em painis de
distribuio em sistemas eltricos com nvel de tenso abaixo de 1000V dada por [15]:
(9)
Onde:
= Corrente de arco [kA].
= 0.097 para configuraes em painis
= Corrente (rms) de falta slida trifsica simtrica [kA].
= Tenso do sistema [kV].
= Distncia (gap) entre os barramentos [mm].
43
), esta equao
44
(12)
Onde:
(13)
Onde:
= distncia da fonte do arco at o ponto de limite de proteo [mm].
= a energia incidente em J/cm de segurana para uma distncia limite.
= Fator de calculo, 1.0 para tenses acima de 1kV e 1.5 para tenses abaixo
de 1.0kV.
= Energia incidente normalizada.
= Tempo de durao do arco [s].
= o expoente de distncia entre barramentos, dado pela tabela 4 do padro
IEEE 1584.
Juntamente com o padro IEEE Std 1584-2004, fornecida uma planilha para o
clculo da energia irradiada e distncia segura de aproximao. Na figura 21
apresentada planilha onde dever ser preenchida, pelo usurio, com os dados obtidos
do sistema eltrico em estudo.
45
46
(14)
Onde:
= Amplitude da onda de presso [kN/m].
= Corrente do arco [A].
= Tempo [s].
= Distncia [m].
Na figura 22, so mostradas as fases relacionadas aos fenmenos devido
elevao da presso interna ao painel e elevao da temperatura responsvel pelos danos
trmicos, associado ao curto-circuito a arco no interior de um painel de distribuio.
47
48
de baixa tenso [6, 7]. Um painel resistente a arco, quando de um curto-circuito trifsico
a arco em um de seus compartimentos, o mesmo dever [6, 7]:
49
ao arco eltrico do painel, ser testado por um organismo certificador, nas condies de
instalao informadas pelo fabricante.
50
51
52
53
EPIs
Camisa manga comprida
Calas compridas
culos de segurana
Protetor auricular (tipo plug)
Luvas de couro
Roupas com ATPV de 4cal/cm
Cala e camisa manga comprida
EPIs
culos de segurana ou culos de proteo
Capacete
Proteo auditiva (tipo plug)
Luvas de couro
Sapatos de couro
Roupas com ATPV de 8cal/cm
Cala e camisa manga comprida ou macaco
Protetor facial e balaclava
EPIs
culos de segurana ou culos de proteo
Capacete
Proteo auditiva (tipo plug)
Luvas de couro
Sapatos de couro
Roupas com ATPV de 25cal/cm
Cala e camisa manga comprida ou macaco
Luvas
Capuz carrasco
EPIs
culos de segurana ou culos de proteo
Capacete
Proteo auditiva (tipo plug)
Sapatos de couro
Roupas com ATPV de 40cal/cm
Cala e camisa manga comprida ou macaco
Luvas
Capuz carrasco
EPIs
culos de segurana ou culos de proteo
Capacete
Proteo auditiva (tipo plug)
Sapatos de couro
54
Seletividade Lgica
A primeira soluo de engenharia a ser discutida, ser a implantao da
seletividade lgica no estudo de coordenao da proteo [18]. A coordenao da
proteo antes do advento dos rels numricos, era realizada por reles eletrnicos ou
eletromecnicos. Nestes rels, a coordenao da proteo realizada por curvas
inversas padronizadas, no permitindo ganhos significativos no tempo de atuao da
proteo sem que ocorra uma descoordenao no sistema eltrico [18]. Na aplicao de
rels numricos na coordenao da proteo, foi possvel inserir lgicas de proteo de
forma a garantir uma reduo significativa no tempo de atuao da proteo, deixando
os reles a jusante e a montante programados para atuao em caso de um curto-circuito
trifsico a arco em uma mesma base de tempo, porem, o rel a jusante envia um sinal de
seletividade lgica para o rel a montante informando que o mesmo j percebeu a falta e
ir isolar a mesma, j o rele a montante, com a informao recebida, reprograma a sua
atuao somando 200ms ao seu tempo. A ideia por traz deste procedimento est no fato
de, caso o disjuntor a jusante no abra devido uma falha mecnica, o disjuntor a
montante eliminar a falta no tempo que a proteo do disjuntor a jusante levar
somando 200ms [32]. A figura 29 mostra a aplicao da seletividade lgica utilizando o
padro IEC 61850, este um padro utilizado para projeto de automao de
subestaes.
55
56
Rel de Arco
A utilizao de rel de arco em painis de distribuio, reduz significamente a
energia irradiada devido a curto-circuito trifsico a arco, isto se deve ao elemento de
atuao instantnea do rele de arco enviar um comando de abertura ao disjuntor
encarregado da extino do curto-circuito a arco [34].
Um sistema de deteco a arco tem que ter uma atuao extremante rpida,
segura e confivel, desta forma o mesmo dever atuar em uma velocidade elevada e sob
hiptese alguma enviar comando indevido caso no haja curto-circuito a arco. Para
atender a estes requisitos, os rels de arco combinam a deteco da luz emitida pelo
arco, com o aumento significativo da corrente de carga [34].
A figura 31 mostra um sistema de proteo por deteco de arco utilizando
sensores de luz pontual e sensores de luz regional.
57
58
Painel: CDC
Tenso: 480V
ICC: 48kA
Sistema de
coordenao por
curva inversa
Energia Irradiada
cal/cm
66,4
Sistema de
coordenao por
seletividade lgica
9,4
Sistema utilizando
rel de arco
4,5
59
60
61
62
Energia Irradiada
cal/cm
66,4
Sistema de
coordenao por
seletividade lgica
9,4
Sistema utilizando
rel de arco
4,5
19,9
6,8
2.4
63
Arco
A supresso do arco devido a um curto-circuito a arco no interior de um painel
de distribuio deve ocorrer em um tempo extremamente baixo eliminando o mesmo
nos momentos iniciais da etapa de compresso. Nas figuras 39 e 40, so mostradas
respectivamente, a curva tpica de presso e etapas do arco, a presso desenvolvida
internamente ao painel com a atuao de um supressor de arco para uma corrente de
curto-circuito slido de 40kA [37].
64
65
66
disjuntor geral eliminara o curto circuito slido em um tempo que ser a soma do tempo
de atuao e comando da proteo somado o tempo de abertura do disjuntor [38].
67
68
69
70
71
72
impedindo seu alongamento criando assim um arco estvel [42]. O ejetor de plasma o
sistema responsvel por iniciar o curto-circuito trifsico nos eletrodos. A cmara de
conteno do arco formada pela cobertura exterior, escudo de choque e ventes. A
cmara tem que ter capacidade suficiente para resfriar e dissipar os gases gerados
evitando o acmulo de presso que poderia levar a destruio da cmera.
73
74
75
Impedncia de curto-circuito.
76
77
78
eltrico descrito acima, com a introduo de uma impedncia srie por fase de 7,54m
(20H).
79
80
, vem que:
(18)
Onde:
= Impedncia de compartilhamento forado [].
= Queda de tenso no SCR 1 [V].
= Queda de tenso no SCR 2 [V].
= Corrente de curto passante no SCR 1 [kA].
= Corrente de curto passante no SCR 2 [kA].
Para o compartilhamento forado de corrente a aplicao de reatores sries
representa um mtodo mais eficiente quando comparado aplicao de resistores, onde
se tem uma alta dissipao de potncia ativa [44].
O projeto de uma chave de estado slido para um sistema rpido de supresso de
arco, dever ter robustez tal que garanta o seu fechamento cumprindo o papel principal
na supresso do arco. No caso um de seus dispositivos semicondutores de potncia falhe
durante a circulao da corrente de curto-circuito para a supresso do arco eltrico, a
chave dever permanecer fechada garantindo a continuidade da circulao da corrente
de curto-circuito. A escolha pelos dispositivos semicondutores de potncia com
encapsulamento press-pack se deve forma de falha tpica destes dispositivos em curtocircuito [49,50,51]. A figura 63 mostra 3 SCR de potncia de fabricantes diferentes com
encapsulamento do tipo press pack, que podem ser aplicados ao "Sistema Rpido de
Supresso de Arco Baseado em Tiristores de Potncia".
81
Fabricante
Powerex
Infineon
Westcode
82
83
a saturao [45]:
(19)
Onde:
= a corrente mxima de falta em pu da corrente nominal do TC [kA].
= a carga do TC em pu da carga padro [].
= a relao
84
(20)
Desta forma:
(21)
A partir dos dados obtidos na simulao do sistema eltrico da figura 65, foi
possvel realizar o clculo da corrente de curto-circuito a arco no CCM de 480V do
sistema em simulao. Utilizando a planilha de clculo do IEEE 1584 [15] para
determinao do nvel de energia irradiado e distncia segura de aproximao, foi
possvel determinar a corrente de curto-circuito a arco de 22kA para uma corrente de
curto-circuito slido de 50,1kA no barramento do CCM.
Sero realizadas simulaes com o intuito de determinao do nvel de saturao
do TC de proteo, o grau de incerteza na atuao do rel de arco e consequentemente
no sistema rpido de supresso de arco devido saturao do TC provocada pelas
correntes assimtricas nos primeiros ciclos da corrente de curto-circuito a arco.
A tabela 9 mostra os dados do TC a ser aplicado no alimentador do CCM do
sistema eltrico da figura 51, bem como os dados do sistema necessrio aos clculos a
serem realizados a partir das equaes 20 e 21.
Tabela 9 - Dimensionamento do TC.
85
86
87
88
89
90
91
92
93
94
95
Depois de transcorrido
Comando para
o contactor
96
Tempo para
abertura
100ms
41.6ms
Tempo de
atuao 1.2ms
Corrente de arco
42ms
Taxa de inclinao
da corrente
Comando de abertura
para o contactor
97
Atuao da proteo
Corrente de arco
Tenso no barramento
Tenso de arco
98
Corrente de curto-circuito
Tenso no barramento
99
A figura 85 mostra a atuao do supressor relacionando a corrente de curtocircuito a arco inicial e a corrente de conduo pela chave esttica. A forma de onda
verde representa o incio do curto-circuito a arco no barramento e a forma de onda azul
representa a corrente de curto-circuito sendo conduzida pela chave de estado slido.
Para se ter uma melhor visualizao na forma de onda da corrente de curto-circuito a
arco no barramento, foi necessrio diminuir a amplitude da corrente de 100A por
diviso para 20A por diviso e o tempo de 5ms por diviso para 2ms por diviso no
canal 2 do osciloscpio (CH2).
Corrente de curto-circuito
a arco no barramento
Tempo de atuao
da proteo
960s
Corrente de curto-circuito
conduzida pela chave
Captulo 4: Concluso
100
4 Concluso
Este captulo apresenta as concluses finais e as propostas de continuidade para o
estudo de desenvolvimento de um sistema rpido de supresso de arco em escala
industrial.
Concluso
Quando do primeiro artigo publicado por Ralph Lee em 1989 intitulado "The
other electrical hazard: electrical arc blast burns", j se passaram mais 25 anos e ainda
hoje as estatstica mostram que 80% dos acidentes causados por eletricidade so
decorrentes do arco eltrico [43].
Ao longo dos anos foram desenvolvidos procedimentos de trabalho, produzidos
EPIs com o intuito de minimizar a leso ao trabalhador, painis para confinamento da
energia irradiada e projetos para proteo do sistema eltrico de distribuio com o
intuito de reduzir o tempo de exposio do curto-circuito arco. Contudo todas estas
evolues minimizam mais no eliminam os riscos associados a uma exploso interna a
um painel de distribuio devido a um curto-circuito a arco.
Os supressores de arco vieram preencher uma lacuna que faltava para se ter a
eliminao por completo de todos os efeitos nocivos segurana do trabalhador quando
este exposto a um curto-circuito eltrico a arco.
O supressor rpido de arco proposto tem a vantagem da eliminao do curtocircuito a arco em um tempo inferior quando comparado aos supressores disponveis
comercialmente. Os supressores existentes quando de sua atuao, devem ser
substitudos ou retirados dos barramentos do painel de distribuio para permitir o
religamento das cargas e o retorno operacional da planta, geralmente se gasta um tempo
considervel para realizao desta tarefa. O retorno operacional da planta de imediato
de suma importncia devido ao lucro cessante provocado pela sua parada, considerando
tambm que h processos industriais em que a perda de temperatura em uma parada
operacional acaba aumentando significamente o tempo de retorno operao. O sistema
rpido de supresso de arco proposto, ao eliminar o arco, checa os dispositivos
semicondutores de potncia e libera de imediato o religamento do disjuntor alimentador
do painel de distribuio, ficando a cargo da equipe de manuteno a identificao e
Captulo 4: Concluso
101
102
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103
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pdfs/nota_2014_006.pdf>. Acesso em: 20 fevereiro de 2015.
106
Anexos
Anexos
A.1 Folhas de Dados dos Dispositivos Semicondutores
Tiristor Powerex TDS5_5003
Tiristor Infeneon T4301N
Tiristor Dynex DCR5980A
Tiristor AEGIS A5N:300 18H
Grampo AEGIS
Phototransistor TEPT5600
107
TDS5__5003
Phase Control Thyristor
5000Amperes 2000Volts
FEATURES:
Low On-State Voltage
High di/dt Capability
High dv/dt Capability
Hermetic Ceramic Package
Excellent Surge and I2t Ratings
APPLICATIONS:
DC Power Supplies
Motor Controls
Plating Rectifiers
ORDERING INFORMATION
Select the complete 12 digit Part Number using the table below.
EXAMPLE: TDS520503DH is a 2000V-5000A SCR with 200ma
IGT and 12 inch gate and cathode potential leads.
Voltage Voltage Current Current
PART
Rating
Code
Rating
Code Turn-Off
Tq
VDRM-VRRM
Itavg
TDS5
2000
1800
1600
1400
1200
20
18
16
14
12
5000
50
Gate
IGT
3
500us
200ma
(typ.)
(max)
Page 1
Leads
12"
Revised:
4/23/2009
TDS5__5003
Phase Control Thyristor
5000Amperes 2000Volts
Symbol
Rating
Units
VDRM-VRRM
2000
Volts
IT(Avg.)
5000
IT(RMS)
7854
IT(Avg.)
5700
IT(RMS)
8954
ITSM
90,000
ITSM
84,852
I2 t
3.38E+07
A2s
I2 t
3.60E+07
A2s
di/dt
100
A/us
di/dt
300
A/us
PGM
16
Watts
PG(avg)
Watts
Tj
-40 to+125
TStg.
-50 to+150
6.5
lb
2.95
Kg
16,000-20,000
lbs
Mounting Force
71.2 - 89.0
Page 2
KNewtons
TDS5__5003
Phase Control Thyristor
5000Amperes 2000Volts
Electrical Characteristics,
Rating
Characteristic
Repetitive Peak Forward
Leakage Current
Repetitive Peak Reverse
Leakage Current
Symbol
Test Conditions
min
typ
max
Units
IDRM
Tj=125C, VDRM=Rated
200
ma
IRRM
Tj=125C, VRRM=Rated
200
ma
VTM
Tj=125C, ITM=4000A
1.15
V0
Tj=125C
15% ITM - ITM
0.848
6.58E-02
V0
Tj=125C
1.117
4.74E-02
Tj=125C
0.770
15%ITM - ITSM
-0.013
VTM= A + BLn(ITM) +
C(ITM) + D(ITM)
r
r
ITM - ITSM
D
td
Turn-Off Time
tq
3.30E-05
5.40E-03
VD = 0.5VDRM
G t Drive:
Gate
Di
40V - 20
Tj=125C
dv/dt = 20V/us to 67% VDRM
dv/dt(Crit)
dv/dt
IGT
VGT
Tj=25C VD = 12V
us
500
us
500
V/us
30
150
200
ma
0.8
2.0
4.0
max
Units
VGRM
Thermal Characteristics
Rating
Characteristic
Thermal Resistance
Test Conditions
Junction to Case
Rjc
0.0065
C/Watt
Case to Sink
Rcs
0.0015
C/Watt
Zjc
Zjc(t) =
Symbol
(A(N)(1-exp(-t/Tau(N))))
N=
where:
Page 3
TDS5__5003
Phase Control Thyristor
5000Amperes 2000Volts
7.0E-03
VTM (V)
1.500
1.000
0.500
0.000
100
1000
10000
100000
ITM (A)
6.0E-03
Tj = 125C
5.0E-03
4.0E-03
3.0E-03
2.0E-03
1.0E-03
0.0E+00
0.001
120
CONDUCTION ANGLE
110
60
CONDUCTION ANGLE
180
Tc
c (C)
(Watts)
Pavg
130
120
90
360
180
360
90
80
60
90
70
2000
4000
120
180
6000
130
120
CONDUCTION ANGLE
2000
CONDUCTION ANGLE
110
120
Tc (C)
60
(A)
Square Waveform
180
6000
180
100
4000
Iavg
6000
8000
60
(A)
90 120
2000
4000
Iavg
Page 4
360
80
60
2000
180
90
70
360
0
0
6000
360
10000
4000
Iavg
12000
90
2000
(A)
(Watts)
100
60
Iavg
Pavg
10
Sinusoidal Waveform
180
4000
Sinusoidal Waveform
8000
0.1
Time (sec)
0.01
(A)
180
360
6000
8000
TDS5__5003
Phase Control Thyristor
Powerex, Inc., 173 Pavilion Ln, Youngwood, PA 15697-1800 (724)925-7272 WWW.PWRX.COM
5000Amperes 2000Volts
MULTI-CYCLE SURGE
VR = 0
100000
SURGE, ITSM
(A)
90000
60Hz
80000
50Hz
70000
60000
50000
40000
1
10
No. of Surge Cycles
Page 5
Technische Information /
technical information
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T4301N
Key Parameters
enndaten
VDRM / VRRM
2200V 2900V
ITAVM
4030A (TC=85C)
ITSM
vT0
100000A
3570A (TC=55C)
0,772V
rT
0,107m
RthJC
5,0K/kW
Clamping Force
63 91kN
Max. Diameter
151,5mm
Contact Diameter
100mm
Height
35mm
For type designation please refer to actual shortform
catalog
http://www.ifbip.com/catalog
Merkmale
Features
Hohe DC Sperrstabilitt
Hohe Stostrombelastbarkeit
Hoher Gehusebruchstrom
Hohe Einschalt di/dt Fhigkeit
Typische Anwendungen
Typical Applications
4 5
DMX code
digit
1..7
8..16
17..18
19..20
21..22
23..26
27..30
DMX code
digit quantity
7
9
2
2
2
4
4
Revision: 9.0
www.ifbip.com
support@infineon-bip.com
Seite/page: 1/11
Technische Information /
technical information
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T4301N
VDRM,VRRM
2200
2600
2800
2900
Durchlastrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
TC = 85 C
ITRMSM
6330 A
Dauergrenzstrom
average on-state current
TC = 85 C
ITAVM
4030 A
4920 A
5700 A
Stostrom-Grenzwert
surge current
Tvj = 25 C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
ITSM
Grenzlastintegral
It-value
Tvj = 25 C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
It
Kritische Stromsteilheit
critical rate of rise of on-state current
(diT/dt)cr
300 A/s
Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of off-state voltage
(dvD/dt)cr
1000 V/s
vT
typ.
Max.
1,15 V
1,2 V
Schleusenspannung
threshold voltage
V(TO)
typ.
max.
0,738 V
0,772 V
Ersatzwiderstand
slope resistance
rT
typ.
Max.
0,103 m
0,107 m
typ.
Elektrische
Eigenschaften
repetitive peak forward off-state and reverse
voltage
Durchlakennlinie
on-state characteristic
TC = 70 C
TC = 55 C
400A iF 5000A
v T A B i T C Ln ( i T 1) D
max.
iT
V
V
V
V
100000 A
91000 A
50000 10 As
41400 10 As
A
B
C
D
A
B
C
D
0,6001
0,000034
-0,0094
0,00776
0,6009
0,000034
-0,00622
0,00808
Zndstrom
gate trigger current
Tvj = 25C, vD = 12 V
IGT
max.
350 mA
Zndspannung
gate trigger voltage
Tvj = 25C, vD = 12 V
VGT
max.
2,5 V
IGD
max.
max.
20 mA
10 mA
VGD
max.
0,4 V
Haltestrom
holding current
Tvj = 25C, vD = 12 V
IH
max.
350 mA
Einraststrom
latching current
max.
3 A
iD, iR
max.
600 mA
Zndverzug
gate controlled delay time
tgd
max.
prepared by: TM
date of publication:
approved by: JP
revision:
2 s
2011-05-02
9.0
Revision: 9.0
Seite/page: 2/11
Technische Information /
technical information
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T4301N
tq
typ.
250
Qr
max.
12
IRM
max.
320
RthJC
RthCH
= 100 V, v = 0,67 V
ThermischevdvEigenschaften
/dt = 20 V/s, -di /dt = 10 A/s
/ 4 letter O
Mechanische4.Kennbuchstabe
Eigenschaften
T =T
RM
DM
Sperrverzgerungsladung
recovered charge
Rckstromspitze
peak reverse recovery current
bergangs-Wrmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
vj
DRM
T
th
vj max
mAs
max.
max.
max.
max.
5,4
5,0
9,0
11,2
K/kW
K/kW
K/kW
K/kW
max.
max.
1,5 K/kW
3,0 K/kW
125 C
Hchstzulssige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Tvj max
Betriebstemperatur
operating temperature
Tc op
-40...+125 C
Lagertemperatur
storage temperature
Tstg
-40...+150 C
Seite 4
page 4
Anpresskraft
clamping force
Steueranschlsse
control terminals
DIN 46244
typ.
3000 g
49 mm
Kriechstrecke
creepage distance
kN
A 4,8x0,8
A 6,3x0,8
G
Gewicht
weight
Schwingfestigkeit
vibration resistance
Gate
Kathode /Cathode
63...91
f = 50 Hz
Revision: 9.0
50 m/s
Seite/page: 3/11
Technische Information /
technical information
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T4301N
Mabild
1: Anode/anode
4 5
1
2: Kathode/cathode
2
4: Gate
5: Hilfskathode/
cathode (control terminal)
Revision: 9.0
Seite/page: 4/11
Technische Information /
technical information
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T4301N
beidseitig
two-sided
anodenseitig
anode-sided
kathodenseitig
cathode-sided
Durchlasskennlinie
2
3
4
Pos. n
Rthn [K/kW]
1,58
2,16
0,42
0,55
0,29
n [s]
2,05
0,25
0,09
0,0195
0,0055
Rthn [K/kW]
5,58
2,16
0,42
0,55
0,29
n [s]
7,2
0,25
0,09
0,0195
0,0055
Rthn [K/kW]
7,78
2,16
0,42
0,55
0,29
n [s]
10
0,25
0,09
0,0195
0,0055
Z thJC
nmax
-t
R thn 1 e
n=1
12
ci
10
bi
Zth JC [K/kW]
ai
0
0,001
0,01
0,1
10
100
t [s]
thJC
= f(t) for DC
Revision: 9.0
Seite/page: 5/11
Technische Information /
technical information
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T4301N
6000
Durchlassverluste
5000
4000
iT [A]
typ.
max.
3000
2000
1000
0
0
0,2
0,4
0,6
0,8
1,2
1,4
vT [V]
Revision: 9.0
Seite/page: 6/11
Technische Information /
technical information
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T4301N
30
Steuerkennlinie
20
10
c
5
b
a
vG [V]
-40 C
2
+ 25 C
+125 C
1
Zndverzug
0,5
0,2
20
50
100
200
500
1000
2000
5000 10000
iG [mA]
b - 40 W/1ms
Revision: 9.0
c - 60 W/0,5ms
Seite/page: 7/11
Technische Information /
technical information
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T4301N
25
20
Qr [mAs]
15
10
0
0
10
15
20
25
30
35
-di/dt [A/s]
Revision: 9.0
Seite/page: 8/11
Technische Information /
technical information
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T4301N
800
700
600
IRM [A]
500
400
300
200
100
0
0
10
15
20
25
30
35
-di/dt [A/s]
Revision: 9.0
Seite/page: 9/11
Technische Information /
technical information
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T4301N
100
90
80
70
IT(OV)M [kA]
60
50
0-50V
0,33 VRRM
40
0,67 VRRM
30
20
10
0
1
10
11
12
13
14
15
16
17
Typische Abhngigkeit des Grenzstromes IT(OV)M von der Anzahl fr eine Folge von Sinus Halbwellen bei 50Hz.
Parameter: Rckwrtsspannung VRM
Typical dependency of maximum overload on-state current IT(OV)M as a number of a sequence of sinusoidal half waves
at 50Hz. Parameter: peak reverse voltage VRM
IT(OV)M = f (pulses, VRM) ; Tvj = Tvjmax
Revision: 9.0
Seite/page: 10/11
Technische Information /
technical information
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T4301N
Nutzungsbedingungen
Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschlielich fr technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die
Beurteilung der Geeignetheit dieses Produktes fr die von Ihnen anvisierte Anwendung sowie die Beurteilung der
Vollstndigkeit der bereitgestellten Produktdaten fr diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. Ihren technischen Abteilungen.
In diesem Produktdatenblatt werden diejenigen Merkmale beschrieben, fr die wir eine liefervertragliche Gewhrleistung
bernehmen. Eine solche Gewhrleistung richtet sich ausschlielich nach Magabe der im jeweiligen Liefervertrag enthaltenen
Bestimmungen. Garantien jeglicher Art werden fr das Produkt und dessen Eigenschaften keinesfalls bernommen.
Sollten Sie von uns Produktinformationen bentigen, die ber den Inhalt dieses Produktdatenblatts hinausgehen und
insbesondere eine spezifische Verwendung und den Einsatz dieses Produktes betreffen, setzen Sie sich bitte mit dem fr Sie
zustndigen Vertriebsbro in Verbindung (siehe www.infineon.com). Fr Interessenten halten wir Application Notes bereit.
Aufgrund der technischen Anforderungen knnte unser Produkt gesundheitsgefhrdende Substanzen enthalten. Bei
Rckfragen zu den in diesem Produkt jeweils enthaltenen Substanzen setzen Sie sich bitte ebenfalls mit dem fr Sie
zustndigen Vertriebsbro in Verbindung.
Sollten Sie beabsichtigen, das Produkt in Anwendungen der Luftfahrt, in gesundheits- oder lebensgefhrdenden oder
lebenserhaltenden Anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir fr diese Flle
- die gemeinsame Durchfhrung eines Risiko- und Qualittsassessments;
- den Abschluss von speziellen Qualittssicherungsvereinbarungen;
- die gemeinsame Einfhrung von Manahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend
empfehlen und gegebenenfalls die Belieferung von der Umsetzung solcher Manahmen abhngig
machen.
Soweit erforderlich, bitten wir Sie, entsprechende Hinweise an Ihre Kunden zu geben.
Inhaltliche nderungen dieses Produktdatenblatts bleiben vorbehalten.
Revision: 9.0
Seite/page: 11/11
DCR5980A
DCR5980A
Phase Control Thyristor
Replaces DCR5980Z issue December 2002, version DS5482-2.0
FEATURES
KEY PARAMETERS
VDRM
IT(AV)
(max)
ITSM
(max)
dV/dt
dI/dt
1800V
5985A
98000A
1000V/s
250A/s
APPLICATIONS
DC Motor Control
VOLTAGE RATINGS
Part and Ordering
Number
DCR5980A18
DCR5980A16
DCR5980A14
DCR5980A12
Repetitive Peak
Voltages
VDRM and VDRM
V
1800
1600
1400
1200
Conditions
Tvj = 0 to 125C,
IDRM = IRRM = 500mA,
VDRM, VRRM tp = 10ms,
VDSM & VRSM =
VDRM & VRRM + 100V
respectively
ORDERING INFORMATION
When ordering, select the required part number shown in the
Voltage Ratings selection table.
For example:
DCR5980A14
Note: Please use the complete part number when ordering and
quote this number in any future correspondance relating to your
order.
1/9
www.dynexsemi.com
DCR5980A
CURRENT RATINGS
Tcase = 60C unless stated otherwise.
Parameter
Symbol
Test Conditions
Max.
Units
5985
IT(RMS)
RMS value
9400
8400
3820
IT
IT(RMS)
RMS value
6000
4920
Max.
Units
4650
IT
Symbol
Test Conditions
IT(RMS)
RMS value
7300
6360
2910
IT
IT(RMS)
RMS value
4570
3630
IT
2/9
www.dynexsemi.com
DCR5980A
SURGE RATINGS
Parameter
Symbol
ITSM
I2t
ITSM
I2t
Test Conditions
Units
78.0
kA
30.4 x 106
A2s
98.0
kA
48 x 106
A2s
Max.
VR = 0
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min.
Max.
Units
500
mA
dV/dt
1000
V/s
dI/dt
Repetitive 50Hz
250
A/s
Non-repetitive
500
A/s
IRRM/IRRM
tr = 0.5s, Tj = 125C
Threshold voltage
At Tvj = 125C
0.77
rT
At Tvj = 125C
0.05
tgd
Delay time
1.0
1.5
VT(TO)
tr = 0.5s, Tj = 25C
IL
Latching current
Tj = 25C, VD = 5V
150
750
mA
IH
Holding current
Tj = 25C, VGK =
40
200
mA
3/9
www.dynexsemi.com
DCR5980A
Rth(c-h)
Tvj
Test Conditions
Parameter
Thermal resistance - junction to case
Min.
Max.
Units
DC
0.0065
CW
Anode DC
0.013
CW
Cathode DC
0.013
CW
Double side
0.001
CW
0.002
CW
On-state (conducting)
135
Reverse (blocking)
125
Tstg
55
125
Fm
Clamping force
74.0
91.0
kN
Symbol
Test Conditions
Max.
Units
VGT
3.5
IGT
500
mA
VGD
0.25
VFGM
30
VFGN
0.25
VRGM
IFGM
30
PGM
150
PG(AV)
10
4/9
www.dynexsemi.com
DCR5980A
CURVES
6000
8000
7000
6000
Mean power dissipation - (W)
5000
5000
4000
3000
4000
3000
2000
2000
dc
1/2 wave
3 phase
6 phase
1000
1000
0
0.7
0.75
0.8
0.85
0.9
0.95
1.05
1.1
1.15
0
0
1000
2000
3000
4000
5000
Mean on-state current, IT(AV) - (A)
6000
A = 0.4624
B = 0.0275
C = 2.2501 x 105
D = 0.0032
these values are valid for Tj = 125C for IT 500A to 7000A
5/9
www.dynexsemi.com
DCR5980A
1200
100
1100
1000
Gate trigger voltage, VGT - (V)
900
800
700
600
500
400
Frequency Hz
50
150
150
150
150
20
s
100
200
500
1ms
10ms
100
150
150
150
100
-
400
150
125
100
25
-
VFGM
100W
50W
20W
10W
10
%
99
it
m
Li
Tj = 25C
er
p
p
U
300
200
VGD
Lo
100
0
0
3
5
7
9
2
4
6
8
10
Rate of decay of on-state current, di/dt - (A/s)
11
0.001
0.1
200
50
180
45
160
40
140
35
120
30
100
25
80
20
60
15
ITSM (VR = 0)
40
10
Anode side
0.0130
0.0137
0.0138
0.0141
10
0.01
0.01
10
0.0001
0.001
IFGM
0.01
0.1
1.0
Gate trigger current, IGT - (A)
0.1
d.c.
Halfwave
3 phase 120
6 phase 60
it 1
IGD
0.1
0.001
Conduction
we
im
rL
I2t (VR = 0)
20
I2t
100
Time - (s)
0
1
3
4
5
6
7
8
9
Pulse length, half sine wave - (ms)
10
6/9
www.dynexsemi.com
DCR5980A
120
Surge current (VR = 0)
Surge current (VR = 50% VRRM)
100
80
60
40
20
0
0
10
20
30
40
Number of cycles @ 50Hz
50
60
7/9
www.dynexsemi.com
DCR5980A
PACKAGE DETAILS
For further package information, please contact Customer Services. All dimensions in mm, unless stated otherwise.
DO NOT SCALE.
2 holes 3.6 x 2.0 deep (In both electrodes)
Cathode tab
Cathode
148 nom
100 nom
35.0 0.5
1.5
Gate
100 nom
Anode
138.5
Nominal weight: 2575g
Clamping force: 83kN 10%
Lead length: 420mm
Lead terminal connector: M4 ring
Package outline type code: A
Fig.9 Package outline
8/9
www.dynexsemi.com
HEATSINKS
The Power Assembly group has its own proprietary range of extruded aluminium heatsinks which have been designed to
optimise the performance of Dynex semiconductors. Data with respect to air natural, forced air and liquid cooling (with flow
rates) is available on request.
For further information on device clamps, heatsinks and assemblies, please contact your nearest sales representative or
Customer Services.
http://www.dynexsemi.com
e-mail: power_solutions@dynexsemi.com
HEADQUARTERS OPERATIONS
DYNEX SEMICONDUCTOR LTD
Doddington Road, Lincoln.
Lincolnshire. LN6 3LF. United Kingdom.
Tel: +44-(0)1522-500500
Fax: +44-(0)1522-500550
CUSTOMER SERVICE
Tel: +44 (0)1522 502753 / 502901. Fax: +44 (0)1522 500020
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Dynex Semiconductor 2003 TECHNICAL DOCUMENTATION NOT FOR RESALE. PRODUCED IN
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www.dynexsemi.com
AEGIS
SEMICONDUTORES LTDA.
A5N:350.XXH
VOLTAGE RATINGS
Part Number
VRRM , VR (V)
Max. rep. peak reverse voltage
O
TJ = 0 to 125 C
TJ = -40 to 0 C
TJ = 25 to 125 C
A5N:350.02H
200
200
300
A5N:350.04H
400
400
500
A5N:350.06H
600
600
700
A5N:350.08H
800
800
900
A5N:350.10H
1000
1000
1100
A5N:350.12H
1200
1200
1300
A5N:350.14H
A5N:350.16H
1400
1600
1400
1600
1500
1700
VALUE
NOTES
UNITS
TJ Junction Temperature
-40 to 125
-40 to 150
IT(AV)
350
75
510
C
C
A
O
5.35
ITSM Max. Peak non-rep. surge
current
5.83
kA
6.1
6.65
149
t = 10ms
162
I2t Max. I2t capability
t = 8.3 ms
kA2s
170
t = 10ms
185
t = 8.3 ms
2000
kA2s1/2
800
A/ms
10
150
mA
450
N.m
AEGIS
SEMICONDUTORES LTDA.
A5N:350.XXH
CHARACTERISTICS
PARAMETER
VTM peak on-state voltage
MIN.
TYP.
---
---
1.72
---
---
0.875
rT Slope resistance
---
---
0.842
mW
IL Latching current
---
---
400
mA
IH Holding current
---
---
500
mA
td Delay time
---
0.7
ms
tq Turn-off time
---
---
100
ms
---
---
1000 V/ms
---
15
30
---
---
360
MAX. UNITS
mA
TEST CONDITIONS
O
mA
TC = -40 C
O
TC = 25 C
---
---
180
---
---
---
---
---
---
0.3
---
---
0.085
---
---
0.106
---
---
0.109
---
---
0.03
C/W Mtg. Surface smooth, flat and greased. Double side cooled.
---
57(2.1)
TO-200AA
---
TC = -40OC
TC = 25OC
TC = 25O C, Max. Value which will not trigger with rated VDRM
V
anode.
O
C/W DC operation, double side cooled.
O
O
C/W 180 sine wave, double side cooled.
O
g(oz.)
JEDEC
-----
120
125
115
110
105
100
30
95
60
90
90
120
85
80
180
75
70
0
*Sinusoidal waveform
100
200
300
400
120
115
110
105
100
95
30
60
90
90
85
120
80
180
75
DC
70
0
100
200
300
400
500
*Rectangular waveform
AEGIS
SEMICONDUTORES LTDA.
A5N:350.XXH
4000
30
3000
60
2000
90
120
1000
180
0
0
100
200
300
400
500
25C
100
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
1500
90
120
1000
180
DC
500
100
1000
1.0
60
4.0
100
4.5
5.0
200
300
400
500
0.5
2000
*Rectangular waveform
125C
2500
*Sinusoidal waveform
10000
30
3000
10-1
10-2
10-3
10-2
10-1
100
Time (s)
101
AEGIS
SEMICONDUTORES LTDA.
A5N:350.XXH
Gate Characteristics
Rectangular gate pulse
a) Recommended load line for
rated di/dt: 20V, 30W;
tr<=0.5ms, tp=>6ms.
b)Recommended load line for
<=30% rated di/dt: 15V, 40W;
tr<=1ms, tp=>6ms.
10
(b)
(a)
TJ = 140C
TJ = -40C
TJ = 25C
100
(1)
(2) (3)
(4)
VGD
IGD
0.1
1E-3
0.01
0.1
10
100
TO-200AA
1000
aegis
SISTEMA DE CODIFICAO
(CODE SYSTEM)
COMPONENTES (DEVICES)
A1F:130S12H20
A AEGIS
TIPO DE ENCAPSULAMENTO
(HOUSING)
3 - Mdulo (Module)
FAMLIA DE COMPONENTES
(FAMILY OF DEVICES)
A - Diodo normal anodo na base (normal recovery diode anode to stud)
B - Diodo normal catodo na base (normal recovery diode cathode to stud)
C - Diodo rpido anodo na base ( fast recovery diode anode to stud)
D - Diodo rpido catodo na base (fast recovery diode cathode to stud)
K - Diodo Schottky (Schottky diode)
L - Mdulo (Module)
N - Tiristor normal (controle de fase) (Phase control thyristor)
F - Tiristor rpido (inversores) (Inverter)
J - Ponte compacta (bridges)
RECUPERAO RPIDA
(FAST RECOVERY)
tq tempo de apagamento (us)
(turn off time)
trr tempo de recuperao reversa (x100) (ns)
(reverse recovery time x100 ns)
aegis
GRAMPOS
DIMENSES EM mm
B
E
L
C
CDIGO
Frca (Kgf)
N Molas
AU450
70
18
1.5
143
450
AU900
70
6.0
18
1.5
143
900
AU1250
80
110 157
27
7.5
18
1.5
158
1250
AU1550
80
110
157
27
9.0
18
1.5
158
1550
AU2500
27
13.5
25
1.5
172
2500
AU450L
70
18
1.5
240
450
AU900L
70
18
1.5
240
900
AU1250L
80
110 241
27
7.5
18
1.5
250
1250
AU1550L
80
110
241
27
9.0
18
1.5
250
1550
AU2500L
27
13.5 25
1.5
270
2500
AU5000
37 21.0
3.0
340
5000
18
36
TEPT5600
www.vishay.com
Vishay Semiconductors
94 8390
Material categorization:
for definitions of compliance please see
www.vishay.com/doc?99912
APPLICATIONS
DESCRIPTION
PRODUCT SUMMARY
COMPONENT
TEPT5600
IPCE (A)
(deg)
0.5 (nm)
630
20
440 to 800
Note
Test condition see table Basic Characteristics
ORDERING INFORMATION
ORDERING CODE
PACKAGING
REMARKS
PACKAGE FORM
Bulk
MOQ: 4000 pcs, 4000 pcs/bulk. Label with IPCE group on each bulk.
Specifications of group A/B/C/D see table Type Dedicated Characteristics
T-1
TEPT5600
Note
MOQ: minimum order quantity
SYMBOL
VALUE
UNIT
TEST CONDITION
VCEO
VECO
1.5
IC
20
mA
PV
100
mW
Tj
100
Tamb
-40 to +85
Tstg
-40 to +100
t 3 s, 2 mm distance to package
Tsd
260
RthJA
230
K/W
Collector current
Power dissipation
Tamb 55 C
Junction temperature
Soldering temperature
Thermal resistance junction/ambient
TEPT5600
www.vishay.com
Vishay Semiconductors
120
100
80
60
21333
10
20 30 40
50 60 70 80
90 100
TEST CONDITION
SYMBOL
MIN.
6
TYP.
MAX.
UNIT
50
nA
IC = 0.1 mA
VCEO
VCE = 5 V, E = 0
ICEO
V
16
VCE = 0 V, f = 1 MHz, E = 0
CCEO
IPCE
IPCE
630
20
deg
570
nm
0.5
440 to 800
nm
Photo current
25
pF
226.8
Photo current
TEST CONDITION
EV = 20 lx,
CIE illuminant A,
VCE = 5 V, Tamb = 25 C
BINNED GROUP
SYMBOL
MIN.
MAX.
UNIT
IPCE
25
50.4
IPCE
41.7
84
IPCE
69.4
140
IPCE
113.4
226.8
Note
Each 4000 piece bag will contain a single group. The label on the bag will indicate which binned group is in the bag. A specific group cannot
be ordered. Production shipments containing multiple bags will likely include multiple groups. Please design accordingly.
TEPT5600
www.vishay.com
Vishay Semiconductors
10 000
VCE = 5 V
10 -7
10 -6
10 -8
10 -9
10 -10
10 -11
1000
100
10 -12
10
10 -13
-40
-20
0
20
40
60
80
Tamb - Ambient Temperature (C)
19758
100
10
20204
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
VCE = 5 V, white LED
-40
19759
-20
0
20 40 60 80
Tamb - Ambient Temperature (C)
100
25
f = 1 MHz
20
15
10
0
0.1
19762
1.0
10.0
VCE - Collector Emitter Voltage (V)
1.0
700
650
600
550
500
450
400
350
300
250
200
150
100
50
0
2.0
1000
2.2
0.4
0.2
100
EV - Illuminance (lx)
200 lx
100 lx
50 lx
20 lx
0
20205
20019
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
300 400 500 600 700 800 900 1000 1100
- Wavelength (nm)
TEPT5600
www.vishay.com
Vishay Semiconductors
10
20
40
1.0
0.9
50
0.8
60
70
0.7
- Angular Displacement
30
80
0.6
0.4
0.2
94 8624
5.75
0.15
0.15
Chip position
R 2.45 (sphere)
0.15
7.6
0.3
8.6
+ 0.2
- 0.1
+ 0.2
- 0.1
0.63
+ 0.2
- 0.1
0.5
+ 0.15
1.5
0.25
0.8
< 0.7
34.8
0.5
11.8
0.3
(4.3)
2.54 nom.
Drawing-No.: 6.544-5185.03-4
technical drawings
according to DIN
specifications
Issue:1; 19.06.06
21981
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Revision: 02-Oct-12