Circuitos de disparo sin aislamiento

El circuito de disparo es una parte integral de un convertidor de potencia, y

consiste en las salidas de un convertidor que depende de la forma de onda en
que el circuito de disparo se excita a los dispositivos de conmutacin , las
caractersticas del circuito de disparo son elementos clave para obtener la salida
deseada y los requisitos de control de cualquier convertidor de potencia.
El diseo de un circuito excitador requiere conocer las caractersticas de
compuerta y las necesidades de dispositivos como tiristores apagados por
compuerta (GTO), transistores bipolares de unin (BJT), transistores de efecto de
campo metal-oxido semiconductor (MOSFET) y transistores bipolares de
compuerta aislada (IGBT).

EXCITADOR DE COMPUERTA PARA MOSFET

Los MOSFET son dispositivos controlados por voltaje y tienen una impedancia de
entrada muy alta. La compuerta consume una corriente de fuga muy pequea, del
orden de los nanoamperes.
El tiempo de encendido de un MOSFET depende del tiempo de carga de la
capacitancia de entrada o de compuerta. El tiempo de encendido se puede reducir
conectando un circuito RC como se ve en la figura, para cargar con mayor rapidez
la capacitancia de compuerta.

Cuando se conecta un voltaje a la compuerta, la corriente inicial de carga de la

capacitancia es
IG = VG / RS
y el valor de estado permanente de voltaje de compuerta es
VGS = RGVG / (RS + R1 + RG)

donde RS es la resistencia interna de la fuente que excita la compuerta.

EXCITADOR DE BASE PARA BJT

La velocidad de conmutacin se puede aumentar reduciendo el tiempo de

activacin y el tiempo apagado.
Se puede reducir el tiempo de encendido permitiendo un pico de la corriente de
base durante la activacin, dando como resultado una B forzada baja al principio.
Despus de la activacin puede aumentar la B forzada baja hasta un valor
suficientemente alto como para mantener el transistor en la regin de casi
saturacin.
El tiempo de desactivacin se puede reducir invirtiendo la corriente de base y
permitiendo un pico de la corriente de base durante la activacin. Al aumentar el
valor del voltaje de pico de la corriente inversa IB 2 disminuye el tiempo de
almacenamiento.

Fig 2

Las tcnicas de uso comn para optimizar la activacin de la base de un transistor

son:
1) Control de encendido
2) Control de apagado

3) Control proporcional en base

4) Control por antisaturacin

Control de encendido

La correccin de la corriente de base se puede proporcionar con el circuito de la

figura 3. Cuando se conecta el voltaje de entrada, la corriente de base se limita
con el resistor R1.

Fig3

Dnde:
IB= (VI - VBE)/R1
Y el valor final de la corriente de base es:
IBS= (VI - VBE)/R1 + R2
Control de apagado
Si el voltaje de entrada de la figura se cambia a V2 durante el apagado, el VC se
suma a V2 como el voltaje inverso a travs del transistor. Por lo tanto, habr un
pico de la corriente de base durante el apagado.

Control proporcional en base.

Si la corriente del colector cambia debido a un cambio en la demanda de carga, la

corriente de encendido de la base cambia en proporcin a la corriente del colector.

Control de saturacin

Si el transistor se excita muy rpido, el tiempo de almacenamiento que es

proporcional a la corriente de base, aumenta, y se reduce la velocidad de
conmutacin. Se puede reducir el tiempo de almacenamiento operando el
transistor con una saturacin gradual, en lugar de muy rpida. Esto se puede
hacer sujetador el voltaje de colector a emisor a un valor predeterminado, la
corriente del colector es:
IC = (VCC -VCM)/RC
Donde VCM es el voltaje sujetador y VCM> VCD(Sat)

Circuitos de disparo con aislamiento

Acoplados ptimamente

El fotoacoplador permite conseguir un buen aislamiento elctrico entre el circuito

de control y el de potencia. Este tipo de aislamiento ofrece como inconveniente la
posibilidad de disparos espreos en las conmutaciones del interruptor de potencia,
debido a la capacidad parsita entre el LED y el fototransistor. Otro problema se
debe a la diferencia de potencial entre las tierras del fotodiodo y del fototransistor
que no debe superar la tensin de ruptura.
Para minimizar estos dos inconvenientes se pueden usar fibras pticas,
(inmunidad al ruido EMI, aislamiento de alta tensin y evitan el efecto inductancia
de los cables largos). No permiten transportar potencia, slo seal, por lo que ser
necesario una fuente de alimentacin auxiliar y un amplificador.

Circuito de Control de Base, con Aislamiento Optoacoplado de la Seal de Control

El diodo DA sirve para evitar la saturacin completa del BJT de potencia ya as
acelerar su conmutacin.

Circuito de Control de Puerta, con Aislamiento Optoacoplado de la Seal de

Control. Este circuito es til para hacer funcionar interruptores MOS a velocidades
bajas (Los circuitos integrados digitales CMOS tienen una impedancia de salida
alta). Para velocidades mayores pueden usarse circuitos especializados con
impedancia de salida mucho menor, por ejemplo IXLD4425, 3Amp y +/- 15v

Acoplados magnticamente

Seal de Control de Alta Frecuencia, Aislada con Transformador de Pulso

El transformador de pulsos permite transportar una seal de cierta potencia, y a

veces puede evitarse el uso de una fuente de alimentacin auxiliar el problema es
que no pueden usarse pulsos de baja frecuencia debido a la inductancia de
magnetizacin. Para pulsos de frecuencias superiores a la decena de kHz y con
D0.5 pueden conectarse directamente, conectndose bien a la puerta de
transistores de potencia, o en circuitos anlogos a los vistos sustituyendo a
fotoacopladores

Seal de Control de Baja Frecuencia Aislada con Transformador de Pulso

La frecuencia del oscilador podra ser por ejemplo de 1MHz, y los diodos
rectificadores sern de alta frecuencia, pero de seal.

Circuito de Base con Seal de Control Aislada mediante Uso de Transformadores

de Pulso. Aplicacin para Frecuencias de Trabajo Elevadas y Ciclo de Trabajo
Aproximadamente Constante. Evita Fuente de alimentacin.
Si T1 est conduciendo, ib sera negativa y por tanto, T2 se cortar. La corriente
de magnetizacin por el transformador (por Lm) ser transcurrido un tiempo:
ipVBB/Rp.
Al cortar T1 cuando por Lm circula ip, se hace circular una corriente por la base, y
por tanto por el colector, de forma que al interactuar los devanados 2 y 3 ser:
ib=icN3/N2.
Adems, durante el tiempo que est cortado T1 Cp se descargar por Rp. Si en
estas condiciones se vuelve a saturar T1, la tensin aplicada al devanado 1 es
VBB y la corriente ip por el transformador podr ser muy alta, de forma que:
ib= icN3/N2- ipN1/N2
Si se eligen adecuadamente las relaciones de transformacin, podr hacerse la
corriente de base negativa y se cortar el transistor de potencia.

Seal de Control de Baja Frecuencia Aislada con Transformador de Pulso