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Cuando las aplicaciones se ejecutan, primeramente deben ser cargadas en memoria RAM. El
procesador entonces efectúa accesos a dicha memoria para cargar instrucciones y enviar o
recoger datos. Reducir el tiempo necesario para acceder a la memoria, ayuda a mejorar las
prestaciones del sistema. La diferencia entre la RAM y otros tipos de memoria de
almacenamiento, como los disquetes o discos duros, es que la RAM es mucho más rápida, y se
borra al apagar el ordenador.
Es una memoria dinámica, lo que indica la necesidad de "recordar" los datos a la memoria cada
pequeños periodos de tiempo, para impedir que esta pierda la información. Eso se llama
Refresco. Cuando se pierde la alimentación, la memoria pierde todos los datos. "Random
Access", acceso aleatorio, indica que cada posición de memoria puede ser leída o escrita en
cualquier orden. Lo contrario seria el acceso secuencial, en el cual los datos tienen que ser
leídos o escritos en un orden predeterminado.
Los sistemas avanzados emplean RAM entrelazada, que reduce los tiempos de acceso
mediante la segmentación de la memoria del sistema en dos bancos coordinados. Durante una
solicitud particular, un banco suministra la información al procesador, mientras que el otro
prepara datos para el siguiente ciclo; en el siguiente acceso, se intercambian los papeles.
Los módulos habituales que se encuentran en el mercado, tienen unos tiempos de acceso de
60 y 70 ns (aquellos de tiempos superiores deben ser desechados por lentos). Es conveniente
que todos los bancos de memoria estén constituidos por módulos con el mismo tiempo de
acceso y a ser posible de 60 ns.
Hay que tener en cuenta que el busde datos del procesador debe coincidir con el de la
memoria, y en el caso de que no sea así, esta se organizará en bancos, habiendo de tener
cada banco la cantidad necesaria de módulos hasta llegar al ancho buscado. Por tanto, el
ordenador sólo trabaja con bancos completos, y éstos sólo pueden componerse de módulos del
mismo tipo y capacidad. Como existen restricciones a la hora de colocar los módulos, hay que
tener en cuenta que no siempre podemos alcanzar todas las configuraciones de memoria.
Tenemos que rellenar siempre el banco primero y después el banco número dos, pero siempre
rellenando los dos zócalos de cada banco (en el caso de que tengamos dos) con el mismo tipo
de memoria. Combinando diferentes tamaños en cada banco podremos poner la cantidad de
memoria que deseemos.
FPM (Fast Page Mode): a veces llamada DRAM, puesto que evoluciona directamente de ella, y
se usa desde hace tanto que pocas veces se las diferencia. Algo más rápida, tanto por su
estructura (el modo de Página Rápida) como por ser de 70 ó 60 ns. Es lo que se da en llamar la
RAM normal o estándar. Usada hasta con los primeros Pentium, físicamente aparece como
SIMMs de 30 ó 72 contactos (los de 72 en los Pentium y algunos 486).
Para acceder a este tipo de memoria se debe especificar la fila (página) y seguidamente la
columna. Para los sucesivos accesos de la misma fila sólo es necesario especificar la columna,
quedando la columna seleccionada desde el primer acceso. Esto hace que el tiempo de acceso
en la misma fila (página) sea mucho más rápido. Era el tipo de memoria normal en los
ordenadores 386, 486 y los primeros Pentium y llegó a alcanzar velocidades de hasta 60 ns. Se
presentaba en módulos SIMM de 30 contactos (16 bits) para los 386 y 486 y en módulos de 72
contactos (32 bits) para las últimas placas 486 y las placas para Pentium.
La ventaja de la memoria EDO es que mantiene los datos en la salida hasta el siguiente acceso
a memoria. Esto permite al procesador ocuparse de otras tareas sin tener que atender a la
lenta memoria. Esto es, el procesador selecciona la posición de memoria, realiza otras tareas y
cuando vuelva a consultar la DRAM los datos en la salida seguirán siendo válidos. Se presenta
en módulos SIMM de 72 contactos (32 bits) y módulos DIMM de 168 contactos (64 bits).
La memoria EDO está pensada para funcionar a una velocidad máxima de BUS de 66 Mhz,
llegando a alcanzar 75MHz y 83 MHz. Sin embargo, la memoria SDRAM puede aceptar
velocidades de BUS de hasta 100 MHz, lo que dice mucho a favor de su estabilidad y ha
llegado a alcanzar velocidades de 10 ns. Se presenta en módulos DIMM de 168 contactos (64
bits). El ser una memoria de 64 bits, implica que no es necesario instalar los módulos por
parejas de módulos de igual tamaño, velocidad y marca
PC-100 DRAM: Este tipo de memoria, en principio con tecnología SDRAM, aunque también la
habrá EDO. La especificación para esta memoria se basa sobre todo en el uso no sólo de chips
de memoria de alta calidad, sino también en circuitosimpresos de alta calidad de 6 o 8 capas,
en vez de las habituales 4; en cuanto al circuito impreso este debe cumplir unas tolerancias
mínimas de interferencia eléctrica; por último, los ciclos de memoria también deben cumplir
unas especificaciones muy exigentes. De cara a evitar posibles confusiones, los módulos
compatibles con este estándar deben estar identificados así: PC100-abc-def.
BEDO (burst Extended Data Output): Fue diseñada originalmente para soportar mayores
velocidades de BUS. Al igual que la memoria SDRAM, esta memoria es capaz de transferir
datos al procesador en cada ciclo de reloj, pero no de forma continuada, como la anterior, sino
a ráfagas (bursts), reduciendo, aunque no suprimiendo totalmente, los tiempos de espera del
procesador para escribir o leer datos de memoria.
RDRAM:(Direct Rambus DRAM). Es un tipo de memoria de 64 bits que puede producir ráfagas
de 2ns y puede alcanzar tasas de transferencia de 533 MHz, con picos de 1,6 GB/s. Pronto
podrá verse en el mercado y es posible que tu próximo equipo tenga instalado este tipo de
memoria. Es el componente ideal para las tarjetas gráficas AGP, evitando los cuellos de botella
en la transferencia entre la tarjeta gráfica y la memoria de sistema durante el acceso directo a
memoria (DIME) para el almacenamiento de texturas gráficas. Hoy en día la podemos
encontrar en las consolas NINTENDO 64.
DDR SDRAM: (Double Data Rate SDRAM o SDRAM-II). Funciona a velocidades de 83, 100 y
125MHz, pudiendo doblar estas velocidades en la transferencia de datos a memoria. En un
futuro, esta velocidad puede incluso llegar a triplicarse o cuadriplicarse, con lo que se adaptaría
a los nuevos procesadores. Este tipo de memoria tiene la ventaja de ser una extensión de la
memoria SDRAM, con lo que facilita su implementación por la mayoría de los fabricantes.
ESDRAM: Este tipo de memoria funciona a 133MHz y alcanza transferencias de hasta 1,6
GB/s, pudiendo llegar a alcanzar en modo doble, con una velocidad de 150MHz hasta 3,2
GB/s.
La memoria FPM (Fast Page Mode) y la memoria EDO también se utilizan en tarjetas gráficas,
pero existen además otros tipos de memoria DRAM, pero que SÓLO de utilizan en TARJETAS
GRÁFICAS, y son los siguientes:
VRAM Es como la memoria RAM normal, pero puede ser accedida al mismo tiempo por el
monitor y por el procesador de la tarjeta gráfica, para suavizar la presentación gráfica en
pantalla, es decir, se puede leer y escribir en ella al mismo tiempo.
WRAM (Window RAM) Permite leer y escribir información de la memoria al mismo tiempo,
como en la VRAM, pero está optimizada para la presentación de un gran número de colores y
para altas resoluciones de pantalla. Es un poco más económica que la anterior.
Para procesadores lentos, por ejemplo el 486, la memoria FPM era suficiente. Con
procesadores más rápidos, como los Pentium de primera generación, se utilizaban memorias
EDO. Con los últimos procesadores Pentium de segunda y tercera generación, la memoria
SDRAM es la mejor solución.
La memoria más exigente es la PC100 (SDRAM a 100 MHz), necesaria para montar un AMD
K6-2 o un Pentium a 350 MHz o más. Va a 100 MHz en vez de los 66 MHZ usuales.
La memoria ROM se caracteriza porque solamente puede ser leída (ROM=Read Only
Memory). Alberga una información esencial para el funcionamiento del computador, que por lo
tanto no puede ser modificada porque ello haría imposible la continuidad de ese
funcionamiento.
Uno de los elementos más característicos de la memoria ROM, es el BIOS, (Basic Input-Output
System = sistema básico de entrada y salida de datos) que contiene un sistema de programas
mediante el cual el computador "arranca" o "inicializa", y que están "escritos" en forma
permanente en un circuito de los denominados CHIPS que forman parte de los componentes
físicos del computador, llamados "hardware".
Concepto
RAM : Siglas de Random Access Memory, un tipo de memoria a la que se puede acceder de
forma aleatoria; esto es, se puede acceder a cualquier byte de la memoria sin pasar por los
bytes precedentes. RAM es el tipo más común de memoria en las computadoras y en otros
dispositivos, tales como las impresoras.
Los dos tipos difieren en la tecnología que usan para almacenar los datos. La RAM dinámica
necesita ser refrescada cientos de veces por segundo, mientras que la RAM estática no
necesita ser refrescada tan frecuentemente, lo que la hace más rápida, pero también más cara
que la RAM dinámica. Ambos tipos son volátiles, lo que significa que pueden perder su
contenido cuando se desconecta la alimentación.
Se habla de RAM como memoria volátil, mientras que ROM es memoria no-volátil.
La mayoría de los computadores personales contienen una pequeña cantidad de ROM que
almacena programas críticos tales como aquellos que permiten arrancar la máquina (BIOS
CMOS). Además, las ROMs son usadas de forma generalizada en calculadoras y dispositivos
periféricos tales como impresoras laser, cuyas 'fonts' estan almacenadas en ROMs.
Siglas de Vídeo RAM, una memoria de propósito especial usada por los adaptadores de vídeo.
A diferencia de la convencional memoria RAM, la VRAM puede ser accedida por dos diferentes
dispositivos de forma simultánea. Esto permite que un monitor pueda acceder a la VRAM para
las actualizaciones de la pantalla al mismo tiempo que un procesador gráfico suministra nuevos
datos. VRAM permite mejores rendimientos gráficos aunque es más cara que la una RAM
normal.
• SIMM :
Siglas de Single In line Memory Module, un tipo de encapsulado consistente en una pequeña
placa de circuito impreso que almacena chips de memoria, y que se inserta en un zócalo SIMM
en la placa madre o en la placa de memoria. Los SIMMs son más fáciles de instalar que los
antiguos chips de memoria individuales, y a diferencia de ellos son medidos en bytes en lugar
de bits.
El primer formato que se hizo popular en los computadores personales tenía 3.5" de largo y
usaba un conector de 32 pins. Un formato más largo de 4.25", que usa 72 contactos y puede
almacenar hasta 64 megabytes de RAM es actualmente el más frecuente.
Un PC usa tanto memoria de nueve bits (ocho bits y un bit de paridad, en 9 chips de memoria
RAM dinámica) como memoria de ocho bits sin paridad. En el primer caso los ocho primeros
son para datos y el noveno es para el chequeo de paridad.
• DIMM :
Siglas de Dual In line Memory Module, un tipo de encapsulado, consistente en una pequeña
placa de circuito impreso que almacena chips de memoria, que se inserta en un zócalo DIMM
en la placa madre y usa generalmente un conector de 168 contactos.
• DIP :
Se refiere a la RAM que ha sido configurada para simular un disco duro. Se puede acceder a
los ficheros de un RAM disk de la misma forma en la que se acceden a los de un disco duro.
Sin embargo, los RAM disk son aproximadamente miles de veces más rápidos que los discos
duros, y son particularmente útiles para aplicaciones que precisan de frecuentes accesos a
disco.
Dado que están constituidos por RAM normal. los RAM disk pierden su contenido una vez que
la computadora es apagada. Para usar los RAM Disk se precisa copiar los ficheros desde un
disco duro real al inicio de la sesión y copiarlos de nuevo al disco duro antes de apagar la
máquina. Observe que en el caso de fallo de alimentación eléctrica, se perderán los datos que
huviera en el RAM disk. El sistema operativo DOS permite convertir la memoria extendida en
un RAM Disk por medio del comando VDISK, siglas de Virtual DISK, otro nombre de los RAM
Disks.
• Memoria Caché ó RAM Caché :
El caché de disco trabaja sobre los mismos principios que la memoria caché, pero en lugar de
usar SRAM de alta velocidad, usa la convencional memoria principal. Los datos más recientes
del disco duro a los que se ha accedido (así como los sectores adyacentes) se almacenan en
un buffer de memoria. Cuando el programa necesita acceder a datos del disco, lo primero que
comprueba es la caché del disco para ver si los datos ya estan ahí. La caché de disco puede
mejorar drásticamente el rendimiento de las aplicaciones, dado que acceder a un byte de datos
en RAM puede ser miles de veces más rápido que acceder a un byte del disco duro.
• SRAM
Siglas de Static Random Access Memory, es un tipo de memoria que es más rápida y fiable
que la más común DRAM (Dynamic RAM). El término estática viene derivado del hecho que
necesita ser refrescada menos veces que la RAM dinámica.
Los chips de RAM estática tienen tiempos de acceso del orden de 10 a 30 nanosegundos,
mientras que las RAM dinámicas están por encima de 30, y las memorias bipolares y ECL se
encuentran por debajo de 10 nanosegundos.
Un bit de RAM estática se construye con un --- como circuito flip-flop que permite que la
corriente fluya de un lado a otro basándose en cual de los dos transistores es activado. Las
RAM estáticas no precisan de circuiteria de refresco como sucede con las RAMs dinámicas,
pero precisan más espacio y usan mas energía. La SRAM, debido a su alta velocidad, es
usada como memoria caché.
• DRAM
Siglas de Dynamic RAM, un tipo de memoria de gran capacidad pero que precisa ser
constantemente refrescada (re-energizada) o perdería su contenido. Generalmente usa un
transistor y un condensador para representar un bit Los condensadores debe de ser
energizados cientos de veces por segundo para mantener las cargas. A diferencia de los chips
firmware (ROMs, PROMs, etc.) las dos principales variaciones de RAM (dinámica y estática)
pierden su contenido cuando se desconectan de la alimentación. Contrasta con la RAM
estática.
Algunas veces en los anuncios de memorias, la RAM dinámica se indica erróneamente como
un tipo de encapsulado; por ejemplo "se venden DRAMs, SIMMs y SIPs", cuando deberia
decirse "DIPs, SIMMs y SIPs" los tres tipos de encapsulado típicos para almacenar chips de
RAM dinámica.
Tambien algunas veces el término RAM (Random Access Memory) es utilizado para referirse a
la DRAM y distinguirla de la RAM estática (SRAM) que es más rápida y más estable que la
RAM dinámica, pero que requiere más energía y es más cara
• SDRAM
Siglas de Synchronous DRAM, DRAM síncrona, un tipo de memoria RAM dinámica que es casi
un 20% más rápida que la RAM EDO. SDRAM entrelaza dos o más matrices de memoria
interna de tal forma que mientras que se está accediendo a una matriz, la siguiente se está
preparando para el acceso. SDRAM-II es tecnología SDRAM más rápida esperada para 1998.
También conocido como DDR DRAM o DDR SDRAM (Double Data Rate DRAM o SDRAM),
permite leer y escribir datos a dos veces la velocidad bús.
• FPM
: Siglas de Fast Page Mode, memoria en modo paginado, el diseño más comun de chips de
RAM dinámica. El acceso a los bits de memoria se realiza por medio de coordenadas, fila y
columna. Antes del modo paginado, era leido pulsando la fila y la columna de las líneas
seleccionadas. Con el modo pagina, la fila se selecciona solo una vez para todas las columnas
(bits) dentro de la fila, dando como resultado un rápido acceso. La memoria en modo paginado
tambien es llamada memoria de modo Fast Page o memoria FPM, FPM RAM, FPM DRAM. El
término "fast" fué añadido cuando los más nuevos chips empezaron a correr a 100
nanoseconds e incluso más.
• EDO
Siglas de Extended Data Output, un tipo de chip de RAM dinámica que mejora el rendimiento
del modo de memoria Fast Page alrededor de un 10%. Al ser un subconjunto de Fast Page,
puede ser substituida por chips de modo Fast Page.
Sin embargo, si el controlador de memoria no está diseñado para los más rápidos chips EDO,
el rendimiento será el mismo que en el modo Fast Page.
EDO elimina los estados de espera manteniendo activo el buffer de salida hasta que comienza
el próximo ciclo.
BEDO (Burst EDO) es un tipo más rápido de EDO que mejora la velocidad usando un contador
de dirección para las siguientes direcciones y un estado 'pipeline' que solapa las operaciones.
• PB SRAM
Siglas de Pipeline Burst SRAM. Se llama 'pipeline' a una categoría de técnicas que
proporcionan un proceso simultáneo, o en paralelo dentro de la computadora, y se refiere a las
operaciones de solapamiento moviendo datos o instrucciones en una 'tuberia' conceptual con
todas las fases del 'pipe' procesando simultáneamente. Por ejemplo, mientras una instrucción
se está ejecutándo, la computadora está decodificando la siguiente instrucción. En
procesadores vectoriales, pueden procesarse simultáneamente varios pasos de operaciones de
coma flotante
Básicamente, la memoria caché de un procesador es un tipo de memoria volátil (del tipo RAM),
pero de una gran velocidad.
Esta caché está integrada en el núcleo del procesador, trabajando a la misma velocidad que este.
La cantidad de memoria caché L1 varía de un procesador a otro, estando normalmente entra los
64KB y los 256KB. Esta memoria suele a su vez estar dividida en dos partes dedicadas, una para
instrucciones y otra para datos.
Es un tipo de memoria caché más lenta que la L2, muy poco utilizada en la actualidad.
Las memorias caché son extremadamente rápidas (su velocidad es unas 5 veces superior a la de
una RAM de las más rápidas), con la ventaja añadida de no tener latencia, por lo que su acceso no
tiene ninguna demora... pero es un tipo de memoria muy cara.
Esto, unido a su integración en el procesador (ya sea directamente en el núcleo o no) limita
bastante el tamaño, por un lado por lo que encarece al procesador y por otro por el espacio
disponible.
Por un lado está la habitualmente utilizada por Intel, que consiste en que el total de la caché L2
está accesible para ambos núcleos y por otro está la utilizada por AMD, en la que cada núcleo
tiene su propia caché L2 dedicada solo para ese núcleo.
La caché L2 apareció por primera vez en los Intel Pentium Pro, siendo incorporada a continuación
por los Intel Pentium II, aunque en ese caso no en el encapsulado del procesador, sino
externamente (aunque dentro del procesador).