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UNION P-N

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a la siguiente pgina web y explora los applets mostrados, luego

redacta en un documento en MS Word explicando lo que muestra cada


applet, dos pginas por cada uno. Utiliza imgenes en tu explicacin.
http://webpersonal.uma.es/~ECASILARI/Docencia/Applets/3.Union_
PN_en_equilibrio_y_polarizada/Applet3.html
http://webpersonal.uma.es/~ECASILARI/Docencia/Applets/4.La_ley
_de_Shockley/Applet4.html
http://webpersonal.uma.es/~ECASILARI/Docencia/Applets/Applet3/
DiodoConmutaApplet.html

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Los applets son animaciones interactivas, para que puedas


visualizar estas aplicaciones es necesario tener actualizada java
en tu computador, descrgalo gratis en www.java.com

Diodo de unin PN polarizado


La unin p-n est polarizada directamente cuando a la regin
p se le aplica un potencial mayor que a la regin n. Para ello,
tal y como se ve, se debe conectar el polo positivo de la
batera al nodo del diodo (zona
ctodo (zona n).

p) y el polo negativo al

En estas condiciones podemos observar los siguientes


efectos:

Los huecos de la regin p y los electrones de la regin n son


empujados hacia la unin por el campo elctrico Epol a que da
lugar la polarizacin. Por lo tanto, se reduce la anchura de la
zona de transicin.

El campo elctrico de la polarizacin Epol se opone al de la


unin Eu. As, se reduce el campo elctrico de la unin

y,

consecuentemente, la barrera de potencial. Recordar que,


como vimos en el Tema 4, la barrera de potencial sin
polarizacin es VJ=Vo. Con la polarizacin directa de la unin
p-n se reduce en la forma VJ=Vo-V, siendo V la tensin directa
aplicada a dicha unin.

La ley de Shockley

Un diodo

Shockley

es

un

dispositivo
de dos terminales que tiene dos estados estables: OFF o de
alta impedancia y ON o baja impedancia. No se debe
confundir con el diodo de barrera Schottky.

Est formado por cuatro capas de semiconductor tipo n y p,


dispuestas alternadamente. Es un tipo de tiristor.
La caracterstica V-I se muestra en la figura. La regin I es
la regin de alta impedancia (OFF) y la III, la regin de baja

impedancia. Para pasar del estado OFF al ON, se aumenta


la tensin en el diodo hasta alcanzar Vs, tensin de
conmutacin.

La

impedancia

del

diodo

desciende

bruscamente, haciendo que la corriente que lo atraviese se


incremente y disminuya la tensin, hasta alcanzar un nuevo
equilibrio en la regin III (Punto B). Para volver al estado
OFF, se disminuye la corriente hasta Ih, corriente de
mantenimiento. Ahora el diodo aumenta su impedancia,
reduciendo, todava ms la corriente, mientras aumenta la
tensin en sus terminales, cruzando la regin II, hasta que
alcanza el nuevo equilibrio en la regin I (Punto A).

Conmutacin
diodo

del

En este applet se simula la conmutacin de un diodo,


pudiendo cambiar la tensin aplicada en sus bornas de
positiva a negativa y viceversa. Para ello se dispone del
esquema de un circuito con dos fuentes de tensin (una
positiva y otra negativa) y un conmutador, un circuito de
polarizacin (que incluye una resistencia) y un diodo de
unin.
Este esquema se sita en la parte superior derecha del
applet y se puede conmutar entre tensiones haciendo
"click" con el ratn en la zona entre las dos fuentes de
tensin. Al iniciar la aplicacin aparecer un mensaje y
una flecha que seala la mencionada zona sensible.
El usuario puede modificar todos los parmetros del circuito presionando
el botn del panel superior con el texto "Parmetros ciscuito". Al
presionarlo aparecer una ventana con tres campos editables donde se
pueden introducir los valores numricos deseados para la tensin directa
(VF), la tensin inversa (VR) y la resistencia de polarizacin (R). Tras
introducir los nuevos valores es necesario pulsar el botn "Aceptar" de la
ventana de los parmetros del circuito para que tengan efecto los
cambios.

Debajo del circuito aparecen cuatro


grficas que varan en el tiempo y
donde
se
representan
los
parmetros ms importantes que
controlan el comportamiento del
diodo.
La primera grfica representa la
tensin seleccionada en el circuito;
la segunda la corriente que circula
por el diodo; la tercera la carga
acumulada en las zonas neutras del
diodo (aplicando la aproximacin de
diodo asimtrico) y la ltima grfica
es la tensin que cae en bornas del
diodo. Estas cuatro grficas se van
actualizando en el tiempo y se irn
desplazando hacia la derecha
conforme avance el tiempo.

En la parte superior de la derecha


del
programa
aparecen
las
ecuaciones
que
rigen
el
comportamiento del diodo en el
experimento que se simula. Se
muestran las ecuaciones literales
para la carga del diodo, la tensin en bornas del diodo y para los perfiles
de los minoritarios en el nodo y al ctodo. Justo debajo de cada una de
estas ecuaciones se muestran las mismas pero sustituyendo cada
variable por al valor actual que tiene en la simulacin. Algunos de los
parmetros son constantes en el tiempo (hasta que se modifican por
parte del usuario), pero otros se modifican instantneamente conforme
evoluciona el tiempo. Tambin, a la derecha de las grficas, se muestran
los valores instantneos para estas funciones temporales.