ELEMENTOS CONDUCTORES

Los conductores son los elementos que transmiten o llevan el fluido elctrico. Se
emplea en las instalaciones o circuitos elctricos para unir el generador con el
receptor
o Clasificacin de conductores:
+ Hilo o alambre: Es un conductor constituido por un nico alambre macizo.
+ Cordn: Es un conductor constituido por varios hilos unidos elctricamente
arrollados helicoidalmente alrededor de uno o varios hilos centrales.
+ Cable: Es un conductor formado por uno o varios hilos o cordones aislado
elctricamente entre s.
Segn el nmero de conductores aislados que lleva un cable se denomina unipolar,
si lleva uno solo; bipolar, si lleva dos hilos; tripolar, tres; tetrapolar, pentapolar,
multipolar
Los cables son canalizados en las instalaciones mediante tubos para protegerlos de
agentes externos como los golpes, la humedad, la corrosin, etc.

E LEMENTOS S EMICONDUCTORES Los "semiconductores" como el silicio

(Si), el germanio (Ge) y el selenio (Se), por ejemplo, constituyen elementos que
poseen caractersticas intermedias entre los cuerpos conductores y los aislantes,
por lo que no se consideran ni una cosa, ni la otra.
Los "semiconductores" como el silicio (Si), el germanio (Ge) y el selenio (Se), por
ejemplo, constituyen elementos que poseen caractersticas intermedias entre los
cuerpos conductores y los aislantes, por lo que no se consideran ni una cosa, ni la
otra.
11. E LEMENTOS S EMICONDUCTORES Si los conductores son materiales
que disponen de electrones libres y los aislantes carecen de ellos, los
semiconductores se encuentran en una situacin intermedia: a la temperatura de 0
K se comportan como aislantes, pero mediante una aportacin de energa puede
modificarse esta situacin, adquiriendo un comportamiento ms cercano al de los
conductores
12. E LEMENTOS S EMICONDUCTORES A temperatura cercana al cero
absoluto no hay electrones libres y el semiconductor se comporta como un aislador
o dielctrico. A mayores temperaturas algunos electrones adquieren suficiente
energa para escapar del enlace y se convierten en electrones libres ( libres pero
dentro del slido cristalino ), dejando atrs una vacante en el enlace covalente.
Dicha vacante se conoce como un hueco y todo este proceso se conoce como
produccin trmica de un par electrn-hueco.

13. A PLICACIONES DE LOS SEMICONDUCTORES . Las aplicaciones de los

semiconductores se dan en diodos, transistores y termisores principalmente.
Diodos: Al unir un semiconductor N con otro P se produce un fenmeno de
difusin de cargas en la zona de contacto, que crea una barrera de potencial que
impide a los dems electrones de la zona N saturar los restantes huecos positivos de
la zona.
14. R ESUMIENDO En resumen un semiconductor es un elemento que se
comporta como un conductor o como aislante dependiendo de diversos factores,
como por ejemplo el campo elctrico o magntico, la presin, la radiacin que le
incide, o la temperatura del ambiente en el que se encuentre.
Aislantes:
15. Q UE SON LOS MATERIALES AISLANTES ?Los cuerpos aislantes son
aquellos que no permitenel paso e intercambio de electrones perifricos,siendo sus
tomos normalmente estables, por lotanto no dejan pasar la corriente elctrica a
travsde ellos.
16. E STRUCTURA Los tomos de los elementos aislantes poseen entre cinco y
siete electrones fuertemente ligados a su ltima rbita, lo que les impide cederlos.
Esa caracterstica los convierte en malos conductores de la electricidad, o no la
conducen en absoluto.
17. : M ATERIALES AISLANTES Madera Vidrio Plastico Resinas
sinteticas Porcelana
18. E JEMPLO El plstico que recubre el hilo de cobre conductor, impide que
suframos una descarga elctrica al entrar en contacto con el hilo de cobre. Nos los
encontramos en el recubrimiento de los cables elctricos, en los aparatos
electrnicos y en todos los aparatos que funcionen con corriente elctrica.

DOPAJE
Se denomina dopaje al proceso intencional de agregar impurezas en un
semiconductor extremadamente puro (tambin referido como intrnseco) con el fin
de cambiar sus propiedades elctricas.

Hueco de electrn

Un hueco de electrn , o simplemente hueco,1 es la ausencia de un electrn en

la banda de valencia (ver tambin valencia). Tal banda de valencia estara
normalmente completa sin el "hueco". Una banda de valencia completa (o casi
completa) es caracterstica de los aislantes y de los semiconductores. La nocin de
"hueco" en este caso es esencialmente un modo sencillo y til para analizar el
movimiento de un gran nmero de electrones, considerando ex profeso a esta
ausencia o hueco de electrones como si fuera una partcula elemental o -ms
exactamente- una cuasipartcula.
Considerado lo anterior, el hueco de electrn es, junto al electrn, entendido como
uno de los portadores de carga que contribuyen al paso de corriente elctrica en
los semiconductores.
El hueco de electrn tiene valores absolutos de la misma carga que el electrn pero,
contrariamente al electrn, su carga es positiva.
Aunque bien corresponde el recalcar que los huecos no son partculas como s lo es
-por ejemplo- el electrn, sino la falta de un electrn en un semiconductor; a cada
falta de un electrn -entonces- resulta asociada una complementaria carga de signo
positivo (+).
Por ejemplo cuando un cristal tetravalente (es decir de 4 valencias) como el muy
conocido silicio es dopado con tomos especficos que, como el boro, poseen slo
tres electrones en estado devalencia atmica, uno de los cuatro enlaces del silicio
queda libre. Es entonces que los electrones adyacentes pueden con cierta facilidad
desplazarse y ocupar el lugar que ha quedado libre en el enlace; este fenmeno es
llamado entonces hueco.
Para un observador externo lo antedicho ser percibido como el "desplazamiento
de una carga positiva", sin embargo lo real es que se trata del desplazamiento de
electrones en sentido opuesto al ms frecuente.
La descripcin figurada de un hueco de electrn como si se tratara de una
partcula equiparable al electrn aunque con carga elctrica positiva es en todo caso

didcticamente bastante til al permitir describir el comportamiento de estos

fenmenos.
Otra caracterstica peculiar de los huecos de electrn es que su movilidad resulta
ser menor que la de los electrones propiamente dichos; por ejemplo la relacin
entre la movilidad de los electrones y la de los huecos(de electrones) tiene un valor
aproximado de 2,5-3.

ELECTRONES
El electrn (del griego clsico , mbar), comnmente representado por el
smbolo: e, es una partcula subatmica con una carga elctrica
elemental negativa.12 Un electrn no tiene componentes o subestructura conocidos,
en otras palabras, generalmente se define como unapartcula elemental.2 Tiene una
masa que es aproximadamente 1836 veces menor con respecto a la del
protn.13 El momento angular (espn) intrnseco del electrn es un valor semientero
en unidades de , lo que significa que es un fermin. Su antipartcula es
denominada positrn: es idntica excepto por el hecho de que tiene cargas entre
ellas, la elctrica de signo opuesto. Cuando un electrn colisiona con un positrn,
las dos partculas pueden resultar totalmente aniquiladas y
producir fotones de rayos gamma.
Los electrones, que pertenecen a la primera generacin de la familia de partculas
de los leptones,14 participan en las interacciones fundamentales, tales como
la gravedad, el electromagnetismo y la fuerza nuclear dbil.15 Como toda la
materia, posee propiedades mecnico-cunticas tanto de partculas como de ondas,
de tal manera que pueden colisionar con otras partculas y pueden
ser difractadas como la luz. Esta dualidad se demuestra de una mejor manera en
experimentos con electrones a causa de su nfima masa. Como los electrones son
fermiones, dos de ellos no pueden ocupar el mismo estado cuntico, segn
el principio de exclusin de Pauli.14
El concepto de una cantidad indivisible de carga elctrica fue teorizado para
explicar las propiedades qumicas de los tomos, el primero en trabajarlo fue el
filsofo naturalista britnico Richard Laming en 1838.4 El nombre electrn para
esta carga fue introducido el 1894 por el fsico irlands George Johnstone Stoney.
Sin embargo, el electrn no fue identificado como una partcula hasta 1897
por Joseph John Thomson y su equipo de fsicos britnicos.6 16 17
En muchos fenmenos fsicos tales como la electricidad, el magnetismo o
la conductividad trmica los electrones tienen un papel esencial. Un electrn que
se mueve en relacin a un observador genera un campo elctrico y es desviado por
campos magnticos externos. Cuando se acelera un electrn, puede absorber o
radiar energa en forma de fotones. Los electrones, junto con ncleos atmicos
formados de protones yneutrones, conforman los tomos, sin embargo, los
electrones contribuyen con menos de un 0,06% a la masa total de los mismos. La

mismafuerza de Coulomb, que causa la atraccin entre protones y electrones,

tambin hace que los electrones queden enlazados. El intercambio o comparticin
de electrones entre dos o ms tomos es la causa principal del enlace qumico.18 Los
electrones pueden ser creados mediante ladesintegracin beta de istopos
radiactivos y en colisiones de alta energa como, por ejemplo, la entrada de un rayo
csmico en la atmsfera. Por otra parte, pueden ser destruidos por aniquilacin
con positrones, y pueden ser absorbidos durante la nucleosntesis estelar. Existen
instrumentos de laboratorio capaces de contener y observar electrones individuales
as como plasma de electrones, adems, algunos telescopios pueden detectar
plasma de electrones en el espacio exterior. Los electrones tienen muchas
aplicaciones, entre ellas la electrnica, la soldadura, los tubos de rayos catdicos,
los microscopios electrnicos, la radioterapia, los lseres, los detectores de
ionizacin gaseosa y los aceleradores de partculas.

Material P
Se denomina unin P-N a la estructura fundamental de los componentes
electrnicos comnmente denominados semiconductores, principalmente diodos y
transistores BJT. Est formada por la unin metalrgica de dos cristales,
generalmente de Silicio (Si), aunque tambin se fabrican de Germanio (Ge), de
naturalezas P y N segn su composicin a nivel atmico. Estos tipos de cristal se
obtienen al dopar cristales de metal puro intencionadamente con impurezas,
normalmente con algn otro metal o compuesto qumico.
Silicio "extrnseco" tipo "P"
Un Semiconductor tipo P se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado,
sustituyndole algunos de los tomos de un semiconductor intrnseco por tomos
con menos electrones de valencia que el semiconductor anfitrin, normalmente
trivalente, es decir con 3 electrones en la capa de valencia (normalmente boro), al
semiconductor para poder aumentar el nmero de portadores de carga libres (en
este caso positivos, huecos).
Cuando el material dopante es aadido, ste libera los electrones ms dbilmente
vinculados de los tomos del semiconductor. Este agente dopante es tambin
conocido como impurezas aceptoras.
El propsito del dopaje tipo P es el de crear abundancia de huecos. En el caso del
silicio, una impureza trivalente deja un enlace covalente incompleto, haciendo que,
por difusin, uno de los tomos vecinos le ceda un electrn completando as sus
cuatro enlaces. As los dopantes crean los "huecos". Cada hueco est asociado con
un ion cercano cargado negativamente, por lo que el semiconductor se mantiene
elctricamente neutro en general. No obstante, cuando cada hueco se ha
desplazado por la red, un protn del tomo situado en la posicin del hueco se ve

"expuesto" y en breve se ve equilibrado por un electrn. Por esta razn un hueco

se comporta como una cierta carga positiva.

MATERIALES DE TIPO P Y N
Se les llama semiconductores de tipo P a los semiconductores contaminados con
impurezas aceptoras. Las impurezas aceptoras son aquellas que agregan un hueco
en el material. Estas son impurezas con 3electrones en su rbita de valencia. Al
tener solo 3 electrones queda una unin incompleta dejando un hueco para que un
electrn libre pueda tomar ese lugar. Este material es de tipo P debido a que la
conduccin elctrica se produce debido a su gran nmero de huecos(portadores
mayoritarios). Comparados con los electrones los huecos tienen polaridad
positiva.Los semiconductores tipo N son aquellos a los que se le agregan impurezas
donoras (que donan un electrn). Estas impurezas suelen tener 5 electrones. De
estos 5 electrones 4 formaran una unin con los tomos vecinos y 1 quedara libre.
De esta forma este material contiene un mayor nmero de electrones libres
comparados con los huecos libres. Este material es de tipo N debido a que la
conduccin elctrica se produce debido a su gran nmero de electrones
(Portadores mayoritarios) de polaridad negativa.En ambos casos la conduccin se
hace por medio de los electrones perose puede decir que en el material tipo P la
conduccin se produce por elmovimiento de huecos ya que los electrones se
desprenden de una unindejando un hueco para pasar a otro.
SU USO EN ELECTRNICA
El material semiconductor (silicio o germanio) tiene 4 electrones en su ltima
rbita. Con fines electrnicos se contamina estos materiales con impurezas del tipo
N electrones y tipo P protones.Esto se hace para poder utilizar los semiconductores
como elemento

MATERIAL TIPO N El material tipo N, es un

dopante, es decir que se utiliza de manera intencional
con el fin de aadir impurezas a un semiconductor que
tiene una pureza demasiado alta. El propsito principal
de un dopante es cambiar las propiedades elctricas de
un semiconductor. A un material semiconductor,
dependiendo de la cantidad de tomos dopantes que se
le agreguen, se les puede denominar extrnsecos/ligeros
(cuando se aade un tomo dopante a cada cien millones
de tomos del material) o degenerados/pesados (cuando
se aade un tomo dopante a cada diez mil tomos del
material). Cuando un material semiconductor tiene un
dopaje pesado y se utiliza un material de tipo N, se
representa con la nomenclatura N+. El material tipo N

posee tomos de impurezas que permite la aparicin de

electrones sin huecos asociados a los mismos. A este tipo
de materiales, se les llama donantes, debido a que
brindan electrones. La valencia de estos es cinco, como
el arsnico y fsforo, de tal forma que al ser aadido al
material, ste mantiene la neutralidad elctrica; un
electrn queda desligado, pero su separacin necesita
una energa mucho menor que la que se necesitara para
separar la ligadura de un cristal de silicio. Tras el
proceso, habr ms electrones que huecos en el material,
en este punto, los portadores mayoritarios sern los
electrones originales (silicio) y los minoritarios del
material tipo N, minoritarios. Material tipo N Material
Semiconductor

2. TRANSISTORES PNP Y NPN Los transistores

PNP y NPN, son bipolares o BJT y estn elaborados de
germanio o de silicio. Estos se diferencian por la
direccin de flujo de corriente que tiene cada uno, en la
imagen siguiente se ve la direccin de cada uno: Los
transistores tienen tres patillas, una llamada base (B),
otra colector (C) y otra emisor (E), sta ltima siempre
coincide con la flecha de la grfica del transistor. Los
transistores NPN y PNP, sirven como amplificadores de
corriente, ya que expulsarn por el emisor una cantidad
mayor de corriente a la introducida en la base. A este
factor se le llama beta y su valor depende de cada
transistor. Para calcular el valor de corriente que saldr
del transistor, se utiliza la siguiente frmula: Ic = *Ib ,
en donde Ic es la cantidad de corriente que pasa por la
patilla colector, es el factor beta e Ib es la cantidad de
corriente que entra por la base. Ie tiene el mismo valor
que Ic, pero en el primer caso se refiere a la salida de
corriente y en el segundo a la entrada de esta. 4n0n1m0

Unin PN
Se denomina unin PN a la estructura fundamental de los componentes
electrnicos comnmente denominados semiconductores,
principalmente diodos y transistores BJT. Est formada por la unin metalrgica
de dos cristales, generalmente de Silicio (Si), aunque tambin se fabrican
de Germanio (Ge), de naturalezas P y N segn su composicin a nivel atmico.
Estos tipos de cristal se obtienen al dopar cristales de metal puro
intencionadamente con impurezas, normalmente con algn otro metal o compuesto
qumico.

Unin P-N

En una unin entre un

semiconductor p y uno n, a
temperatura ambiente, los huecos de
la zona p pasan por difusin hacia la
zona n y los electronesde la
zona n pasan a la zona p.
En la zona de la unin, huecos y
electrones se recombinan, quedando una estrecha zona de transicin con una
distribucin de carga debida a la presencia de los iones de las impurezas y a la
ausencia de huecos y electrones.
Se crea, entonces un campo elctrico que produce corrientes de desplazamiento,
que equilibran a las de difusin. A la diferencia de potencial correspondiente a este
campo elctrico se le llama potencial
de contacto V0.

Semiconductores intrnsecos
En un cristal de Silicio o Germanio que forma una estructura tetradrica similar a
la del carbono mediante enlaces covalentes entre sus tomos, en la figura
representados en el plano por simplicidad. Cuando el cristal se encuentra a
temperatura ambiente algunos electrones pueden absorber la energa necesaria
para saltar a la banda de conduccin dejando el correspondiente hueco en
la banda de valencia (1). Las energas requeridas, a temperatura ambiente, son de
1,12 eV y 0,67 eV para el silicio y el germanio respectivamente.
Obviamente el proceso inverso tambin se produce, de modo que los electrones
pueden caer, desde el estado energtico correspondiente a la banda de conduccin,
a un hueco en la banda de valencia liberando energa. A este fenmeno de
singadera extrema se le denomina recombinacin. Sucede que, a una determinada
temperatura, las velocidades de creacin de pares e-h, y de recombinacin se
igualan, de modo que la concentracin global de electrones y huecos permanece
constante. Siendo "n" la concentracin de electrones (cargas negativas) y "p" la
concentracin de huecos (cargas positivas), se cumple que:
ni = n = p
siendo ni la concentracin intrnseca del semiconductor, funcin exclusiva de la
temperatura y del tipo de elemento.
Ejemplos de valores de ni a temperatura ambiente (27c):
ni(Si) = 1.5 1010cm-3
ni(Ge) = 1.73 1013cm-3
Los electrones y los huecos reciben el nombre de portadores. En los
semiconductores, ambos tipos de portadores contribuyen al paso de la
corriente elctrica. Si se somete el cristal a una diferencia de potencial
se producen dos corrientes elctricas. Por un lado la debida al
movimiento de los electrones libres de la banda de conduccin, y por
otro, la debida al desplazamiento de los electrones en la banda de
valencia, que tendern a saltar a los huecos prximos (2), originando
una corriente de huecos con 4 capas ideales y en la direccin contraria
al campo elctrico cuya velocidad y magnitud es muy inferior a la de la
banda de conduccin.

[editar]Semiconductores extrnsecos
Si a un semiconductor intrnseco, como el anterior, se le aade un
pequeo porcentaje de impurezas, es decir, elementos trivalentes o
pentavalentes, el semiconductor se denomina extrnseco, y se dice que
est dopado. Evidentemente, las impurezas debern formar parte de la
estructura cristalina sustituyendo al correspondiente tomo de silicio.
Hoy en dia se han logrado aadir impurezas de una parte por cada 10
millones, logrando con ello una modificacin del material.
[editar]Semiconductor tipo N
Un Semiconductor tipo N se obtiene llevando a cabo un proceso
de dopado aadiendo un cierto tipo de tomos al semiconductor para
poder aumentar el nmero de portadores de carga libres (en este caso
negativos o electrones).
Cuando se aade el material dopante, aporta sus electrones ms
dbilmente vinculados a los tomos del semiconductor. Este tipo de
agente dopante es tambin conocido como material donante, ya que da
algunos de sus electrones.
El propsito del dopaje tipo n es el de producir abundancia de
electrones portadores en el material. Para ayudar a entender cmo se
produce el dopaje tipo n considrese el caso del silicio (Si). Los tomos
del silicio tienen una valencia atmica de cuatro, por lo que se forma
un enlace covalente con cada uno de los tomos de silicio adyacentes. Si
un tomo con cinco electrones de valencia, tales como los del grupo 15
de la tabla peridica (ej. fsforo (P), arsnico (As) o antimonio (Sb)), se
incorpora a la red cristalina en el lugar de un tomo de silicio, entonces
ese tomo tendr cuatro enlaces covalentes y un electrn no enlazado.
Este electrn extra da como resultado la formacin de "electrones
libres", el nmero de electrones en el material supera ampliamente el
nmero de huecos, en ese caso los electrones son los portadores
mayoritarios y los huecos son los portadores minoritarios. A causa de que
los tomos con cinco electrones de valencia tienen un electrn extra que
"dar", son llamados tomos donadores. Ntese que cada electrn libre
en el semiconductor nunca est lejos de un ion dopante positivo
inmvil, y el material dopadotipo N generalmente tiene una carga
elctrica neta final de cero.
[editar]Semiconductor tipo P
Un Semiconductor tipo P se obtiene llevando a cabo un proceso
de dopado, aadiendo un cierto tipo de tomos al semiconductor para
poder aumentar el nmero de portadores de carga libres (en este caso
positivos o huecos).

Cuando se aade el material dopante libera los electrones ms

dbilmente vinculados de los tomos del semiconductor. Este agente
dopante es tambin conocido como material aceptor y los tomos del
semiconductor que han perdido un electrn son conocidos como huecos.
El propsito del dopaje tipo P es el de crear abundancia de huecos. En
el caso del silicio, un tomo tetravalente (tpicamente del grupo 14 de la
tabla peridica) se le une un tomo con tres electrones de valencia, tales
como los del grupo 13 de la tabla peridica (ej. Al, Ga, B, In), y se
incorpora a la red cristalina en el lugar de un tomo de silicio, entonces
ese tomo tendr tres enlaces covalentes y un hueco producido que se
encontrar en condicin de aceptar un electrn libre.
As los dopantes crean los "huecos". No obstante, cuando cada hueco se
ha desplazado por la red, un protn del tomo situado en la posicin del
hueco se ve "expuesto" y en breve se ve equilibrado como una cierta
carga positiva. Cuando un nmero suficiente de aceptores son
aadidos, los huecos superan ampliamente la excitacin trmica de los
electrones. As, los huecos son los portadores mayoritarios, mientras que
los electrones son los portadores minoritarios en los materiales tipo P.
Los diamantes azules (tipo IIb), que contienen impurezas de boro (B),
son un ejemplo de un semiconductor tipo P que se produce de manera
natural.

Los semiconductores extrnsecos se caracterizan, porque tienen un pequeo

porcentaje de impurezas, respecto a los intrnsecos; esto es, posee elementos
trivalentes o pentavalentes, o lo que es lo mismo, se dice que el elemento est
dopado.
Dependiendo de si est dopado de elementos trivalentes, o pentavalentes, se
diferencian dos tipos:

Semiconductores extrnsecos tipo n:

Son los que estn dopados, con elementos pentavalentes, como por ejemplo (As, P,
Sb). Que sean elementos pentavalentes, quiere decir que tienen cinco electrones en
la ltima capa, lo que hace que al formarse la estructura cristalina, un electrn
quede fuera de ningn enlace covalente, quedndose en un nivel superior al de los
otros cuatro. Como consecuencia de la temperatura, adems de la formacin de
los pares e-h, se liberan los electrones que no se han unido.
Como ahora en el semiconductor existe un mayor nmero de electrones que de
huecos, se dice que los electrones son los portadores mayoritarios, y a las
impurezas se las llama donadoras.
En cuanto a la conductividad del material, esta aumenta de una forma muy
elevada, por ejemplo; introduciendo slo un tomo donador por cada 1000 tomos
de silicio, la conductividad es 24100 veces mayor que la del silicio puro.

Semiconductores extrnsecos de tipo p:

En este caso son los que estn dopados con elementos trivalentes, (Al, B, Ga, In).
El hecho de ser trivalentes, hace que a la hora de formar la estructura cristalina,
dejen una vacante con un nivel energtico ligeramente superior al de la banda de
valencia, pues no existe el cuarto electrn que lo rellenara.
Esto hace que los electrones salten a las vacantes con facilidad, dejando huecos en
la banda de valencia, y siendo los huecos portadores mayoritarios.

e dice que un semiconductor es intrnseco cuando se encuentra en estado puro, o sea,

que no contiene ninguna impureza, ni tomos de otro tipo dentro de su estructura. En ese
caso, la cantidad de huecos que dejan los electrones en la banda de valencia al atravesar
la banda prohibida ser igual a la cantidad de electrones libres que se encuentran
presentes
en
la
banda
de
conduccin.
Cuando se eleva la temperatura de la red cristalina de un elemento semiconductor
intrnseco, algunos de los enlaces covalentes se rompen y varios electrones pertenecientes
a la banda de valencia se liberan de la atraccin que ejerce el ncleo del tomo sobre los
mismos. Esos electrones libres saltan a la banda de conduccin y all funcionan como
electrones de conduccin, pudindose desplazar libremente de un tomo a otro dentro
de la propia estructura cristalina, siempre que el elemento semiconductor se estimule con
el paso de una corriente elctrica.

Como se puede observar en la ilustracin, en el

caso de los semiconductores el espacio
correspondiente a la banda prohibida es mucho
ms estrecho en comparacin con los materiales
aislantes. La energa de salto de banda (Eg)
requerida por los electrones para saltar de la
banda de valencia a la de conduccin es de 1 eV
aproximadamente. En los semiconductores de
silicio (Si), la energa de salto de banda requerida
por los electrones es de 1,21 eV, mientras que en
los de germanio (Ge) es de 0,785 eV.

Estructura cristalina de un semiconductor intrnseco, compuesta solamente por tomos de

silicio (Si) que forman una celosa. Como se puede observar en la ilustracin, los tomos de
silicio (que slo poseen cuatro electrones en la ltima rbita o banda de valencia), se unen
formando enlaces covalente para completar ocho electrones y crear as un cuerpo slido
semiconductor. En esas condiciones el cristal de silicio se comportar igual que si fuera un
cuerpo
aislante.

Banda de valencia

En la teora de slidos, se denomina banda de valencia al ms alto de los intervalos

de energas electrnicas (o bandas) que se encuentra ocupado por electrones en
el cero absoluto. Ensemiconductores y aislantes aparece una banda
prohibida o gap por encima de la banda de valencia, seguida de una banda de
conduccin a energas an mayores. En los metales, por el contrario, no hay
ningn intervalo de energas prohibidas entre las bandas de valencia y de
conduccin.

Estructura de bandas en un semiconductor

Vase conduccin elctrica y semiconductor para una descripcin ms detallada de

la estructura de bandas.
La baja conductividad elctrica de semiconductores y aislantes se debe a las
propiedades de la banda de valencia. Se da la circunstancia de que el nmero de
electrones es exactamente el mismo que el nmero de estados disponibles en la
banda de valencia. En la banda prohibida, evidentemente, no hay estados
electrnicos disponibles. Esto significa que cuando se aplica uncampo elctrico los
electrones no pueden incrementar su energa (es decir, no pueden ser acelerados) al
no haber estados disponibles donde puedan moverse ms rpidamente de lo que ya
lo hacen.
Pese a esto, los aislantes presentan cierta conductividad. Esto se debe a la
excitacin trmica, que provoca que algunos electrones adquieran suficiente
energa como para saltar la banda prohibida y acceder a un estado de la banda de
conduccin. Una vez que se encuentran en la banda de conduccin pueden
conducir la electricidad. Adems, los estados disponibles o huecosque dejan los
electrones en la banda de valencia contribuyen tambin a la conductividad del
material, al permitir cierta movilidad al resto de electrones de la banda de
valencia.
Un error frecuente consiste en decir que los electrones de los aislantes se
encuentran "ligados" a los ncleos atmicos, dando a entender que no pueden
moverse. De hecho, estos electrones s pueden moverse libremente por el aislante,
alcanzando velocidades del orden de 100 km por segundo. Tanto en metales como
en aislantes, los electrones se encuentran "deslocalizados", sin que sea posible
asignarles una posicin definida dentro del material.

Banda de conduccin
En semiconductores y aislantes, la banda de conduccin es el intervalo
de energas electrnicas que, estando por encima de la banda de valencia, permite
a los electrones sufrir aceleracionespor la presencia de un campo elctrico externo
y, por tanto, permite la presencia de corrientes elctricas. Los electrones de un
semiconductor pueden alcanzar esta banda cuando reciben suficiente energa,
generalmente debido a la excitacin trmica.

Teora de bandas

Representacin esquemtica de las bandas de energa en un slido.

En fsica de estado slido, teora segn la cual se describe la
estructura electrnica de un material como una estructura de bandas electrnicas,
o simplemente estructura de bandas de energa. La teora se basa en el hecho de
que en una molcula los orbitales de un tomo se solapan produciendo un
nmero discreto de orbitales moleculares.
[editar]Configuracin de las bandas de energa.
Cuando una gran cantidad de tomos se unen, como en las estructuras slidas, el
nmero de orbitales de valencia (los niveles de energa ms altos) es tan grande y la

diferencia de energa entre cada uno de ellos tan pequea que se puede considerar
como si los niveles de energa conjunta formaran bandas continuas ms que niveles
de energa como ocurre en los tomos aislados. Sin embargo, debido a que algunos
intervalos de energa no contienen orbitales, independiente del nmero de tomos
agregados, se crean ciertas brechas energticas entre las diferentes bandas.
Dentro de una banda los niveles de energa son tan numerosos que tienden a
considerarse continuos si se cumplen dos hechos:
1. Si la separacin entre niveles de energa en un slido es comparable con la
energa que los electrones constantemente intercambian en fotones;
2. Si dicha energa es comparable con la incertidumbre energtica debido
al principio de incertidumbre de Heisenberg, para periodos relativamente largos
de tiempo.
[editar]Bandas de energa

La banda de valencia (BV): est ocupada por los electrones de valencia de los
tomos, es decir, aquellos electrones que se encuentran en la ltima capa o nivel
energtico de los tomos. Los electrones de valencia son los que forman los
enlaces entre los tomos, pero no intervienen en la conduccin elctrica.

La banda de conduccin (BC): est ocupada por los electrones libres, es

decir, aquellos que se han desligado de sus tomos y pueden moverse
fcilmente. Estos electrones son los responsables de conducir la corriente
elctrica.

En consecuencia, para que un material sea buen conductor de la corriente elctrica

debe haber poca o ninguna separacin entre la BC y la BV (que pueden a llegar a
solaparse), de manera que los electrones puedan saltar entre las bandas. Cuando la
separacin entre bandas sea mayor, el material se comportar como un aislante.
En ocasiones, la separacin entre bandas permite el salto entre las mismas de solo
algunos electrones. En estos casos, el material se comportar como un
semiconductor. Para que el salto de electrones entre bandas en este caso se
produzca deben darse alguna o varias de las siguientes situaciones: que el material
se encuentre a altas presiones, a una temperatura elevada o se le aadan impurezas
(que aportan ms electrones).

Entre la banda de valencia y la de conduccin existe una zona denominada banda

prohibida o gap, que separa ambas bandas y en la cual no pueden encontrarse los
electrones.