Tema 63

Tema 63.
Construccin de puertas lgicas con diversas tecnologas
MIGUEL
ESCRIBANO
RDENAS
TEMA 63
OPOSICIONES SECUNDARIA
TECNOLOGA
CONSTRUCCIN DE PUERTAS
LGICAS CON DIVERSAS
TECNOLOGAS
Miguel Escribano Rdenas
Tema63. Construccin de puertas lgicas con diversas tecnologas. Miguel Escribano Rdenas
Tema 63. Construccin de puertas lgicas con diversas tecnologas
MIGUEL
ESCRIBANO
RDENAS
TEMA 63. CONSTRUCCIN DE PUERTAS LGICAS

CON DIVERSAS TECNOLOGAS
NDICE
Esquema- Resmen ....................................................................................... 3
1. Introduccin............................................................................................. 5
2. Caractersticas reales de las puertas lgicas ........................................... 6
2.1 Tensin de alimentacin.................................................................... 6
2.2 Valores lgicos .................................................................................. 6
2.3 Corrientes de entrada y salida ........................................................... 7
2.3.1 Corrientes de entrada ................................................................... 7
2.3.2 Corrientes de salida...................................................................... 8
2.4 Conceptos de fan-in y de fan-out ...................................................... 9
2.5 Retardos. Velocidad de conmutacin................................................ 9
2.5.1 Retardo de propagacin ............................................................... 9
2.5.2 Retardo de transicin o de conmutacin ................................... 11
2.6 Consumo ..........................................................................................13
3 Escalas de integracin ...........................................................................14
4 Familias lgicas.....................................................................................14
4.1 Evolucin de las familias lgicas ....................................................14
4.2 Familias CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor)... 16
4.2.1 Clases de transistores CMOS ....................................................16
4.2.2 Inversor bsico CMOS...............................................................17
4.2.3 Puertas NAND, NOR Y AOI.....................................................19
4.2.4 Caractersticas de la familia CMOS ..........................................22
4.3 Familias TTL (Transistor Transistor Logic) ................................... 26
4.3.1 Esquema de una puerta NAND..................................................26
4.3.2 Caractersticas de la familia TTL ..............................................28
5. COMPATIBILIDAD TTL-CMOS........................................................30
5.1 Conexin CMOS a TTL .................................................................. 30
5.2 Conexin TTL a CMOS .................................................................. 32
6. Tipos de entradas y salidas....................................................................35
6.1 Tipos de entradas .............................................................................36
6.2 Tipos de salidas ...............................................................................37
6.3 Entradas/salidas bidireccionales......................................................40
7. Otras familias lgicas ............................................................................41
8. Referencias bibliogrficas.....................................................................42
MIGUEL
ESCRIBANO
RDENAS
Esquema- Resmen
1.- Introduccin..............................................................................5
2.- Caractersticas reales de las puertas lgicas...............................6
2.1.- Tensin de alimentacin
2.2- Valores lgicos
2.3.- Corrientes de entrada y salida
2.4.- Conceptos de Fan-in y de Fan-out
2.5.- Retardos. Velocidad de conmutacin
2.6.- Consumo
3.- Escalas de integracin................................................................12
4.- Familias lgicas..........................................................................13
4.1.-Evolucin de las familias lgicas
4.2.- Familias CMOS
4.2.1.- Clases de transistores CMOS
4.2.2.- Inversor bsico CMOS
4.2.3.- Puertas NAND, NOR y AOI
4.2.4.- Caractersticas de la familia CMOS
4.3.- Familias TTL
4.3.1.- Esquema de una puerta NAND
4.3.2.- Caractersticas de la familia TTL
5.-Compatibilidad TTL-CMOS.......................................................28
5.1.- Conexin CMOS a TTL
5.2.- Conexin TTL a CMOS
6.- Tipos de entradas y salidas......................................................34

MIGUEL
ESCRIBANO
RDENAS
6.1.- Tipos de entradas

6.2.- Tipos de salidas
6.3.- Entradas/Salidas bidireccionales
7.- Otras familias lgicas...............................................................40
8.- Referencias bibiliogrficas.......................................................41
MIGUEL
ESCRIBANO
RDENAS
1. INTRODUCCIN
En este tema se van a desarrollar las principales tecnologas con las que se
construyen puertas lgicas y, con las que se viene realizando prcticamente, la totalidad
de los circuitos integrados que se construyen en la actualidad.
Empezaremos describiendo las caractersticas reales de las puertas lgicas, es
decir, sus caractersticas elctricas para poder ser colocadas en un circuito integrado
tales como la tensin con que se alimentan, el consumo, las corrientes que se demandan
y se obtienen, los retardos y la velocidad de conmutacin. Se establecern los conceptos
de fan-in y de fan-out, claves cuando se quieren conectar a la entrada y a la salida de un
dispositivo varios elementos. En la actualidad cada vez se tiende a construir circuitos
que ocupen menos, que sean ms rpidos y que consuman menos, dentro de unos ciertos
lmites impuestos por cada tecnologa. Es importante sealar que en la actualidad existe
otro tema candente en la construccin de circuitos digitales; se trata de la disipacin del
calor que se genera en los mismos, que ha de ser evacuado de la mejor manera posible,
para que no se produzca un mal funcionamiento del dispositivo o la ruptura del mismo.
A continuacin, estableceremos las diferentes escalas de integracin de circuitos
digitales, entendiendo por tales el nmero de puertas lgicas o de transistores que
situamos en el circuito integrado por unidad de superficie, habiendo ms integracin
cuando mayor sea este nmero.
Pasaremos en siguiente lugar a describir las principales familias lgicas de
circuitos integrados (CMOS y TTL), esto es agrupamos los circuitos integrados segn la
tecnologa con que se fabrican, la funcionalidad que tienen, el tipo de encapsulado que
llevan y en ltimo lugar el tipo de componente que se trata. Asimismo se describirn las
caractersticas elctricas de cada tecnologa. Se obtendrn puertas bsicas a partir de
cada tecnologa y cmo a partir de cada una de ellas realizamos cualquier circuito
digital.
En el siguiente epgrafe estableceremos que circuitos adicionales debe llevar un
circuito de una tecnologa para que sea compatible con otra tecnologa para que se
puedan conectar, es decir, para que las seales que obtenemos con un circuito fabricado
con una tecnologa se encuentren dentro del margen que admite como seales de entrada
la otra tecnologa y viceversa.
A continuacin, detalllaremos qu tipos de entradas pueden tener los circuitos que
construimos con estas tecnologas a fin de fabricar circuitos de la forma ms eficiente
posible.
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ESCRIBANO
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En ltimo lugar dedicaremos parte del captulo a describir brevemente otras tecnologas,
con las que actualmente se construyen circuitos integrados pero que tienen menos
relevancia que las que se han expuesto anteriormente.
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2. CARACTERSTICAS REALES DE LAS PUERTAS LGICAS

Mediante puertas lgicas realizamos circuitos lgicos, circuitos que operan con
valores lgicos, realizan funciones lgicas combinacionales o secuenciales y devuelven
valores lgicos. Para poder utilizar estos circuitos en una aplicacin de terminada hay
que conocer sus caractersticas reales, que pasamos a enumerar a continuacin.
2.1 Tensin de alimentacin

Las tensiones de alimentacin empleadas ms frecuentemente son: 5V, 12V, 3.3V,
2.2V y 1.1V. La tendencia actual es cada vez a reducir al mnimo la tensin de
alimentacin, de tal forma que la distancia entre las pistas de cobre del circuito
integrado es cada vez menor (del orden de micrmetros y menores) y podra saltar el
arco elctrico entre las pistas, al estar stas a diferente tensin. Es pues, esto ltimo un
problema para la fabricacin al integrar todos los elementos en un mismo bloque.
2.2
Valores lgicos
Se entiende por valores lgicos aquellos niveles de tensin que se entienden como
un 1 y un 0 lgicos.
a)Valores lgicos a las entradas
Se trata de los niveles de tensin que se necesitan para interpretar un 1 y un 0
lgicos en las entradas. Para cada tecnologa se definen los siguientes parmetros:
VIlmax: Mxima tensin de entrada que se interpreta como un cero lgico o mxima
tensin de entrada nivel bajo.
VIHmin: Mnima tensin de entrada que se interpreta como un uno lgico o mnima
tensin de entrada nivel alto.
Los fabricantes suelen dar unos valores tpicos, mnimos y mximos dependiendo de
cada parmetro. Dichos valores son necesarios debido a la dispersin que existe en la
fabricacin de circuitos integrados, inherente al proceso de fabricacin. Suelen
especificarse los ms significativos para cada parmetro.
Adems para cada tecnologa y fabricante se especifican los valores mximos de tensin
que soporta ese dispositivo sin que se produzca la destruccin del mismo.
b)Valores lgicos a las salidas
Anlogamente, se trata de los niveles de tensin que se necesitan para interpretar un 1
y un 0 lgicos en las salidas. Para cada tecnologa se definen los siguientes
parmetros:
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VOlmax: Mxima tensin de salida que se interpreta como un cero lgico o mxima
tensin de salida a nivel bajo.
VOHmin: Mnima tensin de salida que se interpreta como un uno lgico o mnima
tensin de salida nivel alto.
Mediante estos parmetros aseguramos que todos los circuitos interpretan los
valores lgicos a la entrada adecuadamente cuando se encuentran con los niveles de
tensin acotados por los parmetros que acabamos de enumerar.
Para que los circuitos lgicos funcionen correctamente las tensiones de las
entradas y salidas a nivel alto y bajo deben cumplir las siguientes condiciones
matemticas:
VOLmax VILmax
VOHmin VIHmin
Estas inecuaciones las podemos comprender mejor mediante el siguiente grfico
de la figura1.
VOHmin
VIHmin
VILmax
VOLmax
SALIDA
ENTRADA
Figura1. Niveles de tensin permitidos entre la entrada y la salida.
El motivo de estos rangos para los niveles de tensin de entrada y de salida es para
que sean compatibles cuando se conecten diferentes circuitos digitales.
2.3
Corrientes de entrada y salida

Para cada fabricante y tecnologa se definen las corrientes de entrada y salida
2.3.1 Corrientes de entrada

Nos interesa conocer que corriente absorbe un circuito integrado por cada una de
las patillas(entradas). Se definen los siguientes parmetros:
IIL: Corriente de entrada a nivel bajo. Es la intensidad que absorbe la puerta cuando
est conectada a un nivel bajo de tensin.
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IIH: Corriente de entrada a nivel alto. Es la intensidad que absorbe la puerta cuando
est conectada a un nivel alto de tensin.
El sentido de estas corrientes que acabamos de definir depende del fabricante y

suele expresarse el valor mnimo.
2.3.2 Corrientes de salida

Nos interesa conocer que corriente suministra un circuito integrado por cada una
de las patillas(salidas). Se definen los siguientes parmetros:
IOL: Corriente de salida nivel bajo. Es la intensidad que suministra la puerta cuando
est conectada a un nivel bajo de tensin.
IOH: Corriente de salida a nivel alto. Es la intensidad que suministra la puerta cuando
est conectada a un nivel alto de tensin.
Estos valores y los del epgrafe anterior dependen fuertemente del fabricante y de
la tecnologa empleada en la fabricacin del circuito integrado.
El sentido de estas corrientes que acabamos de definir depende del fabricante y
suele expresarse el valor mximo.
En la figura2 podemos ver lo que representan estos valores para el caso de una
puerta AND.
Estos valores mximos y mnimos que acabamos de especificar para las corrientes
de salida y de entrada indican que si la intensidad se mantiene dentro de un rango
concreto determinado por estos valores, las tensiones de entrada o salida se mantendrn
en el valor lgico (0 1) que deben, es decir no caern.
Figura2. Corrientes de entrada y de salida para el caso de una puerta AND.
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2.4 Conceptos de fan-in y de fan-out
Fan-in: Nmero que nos especifica la carga que tiene una entrada de un circuito.
Fan-out: Nmero que nos especifica la capacidad que tiene una salida concreta de un
circuito para manejar otras puertas.
Estas magnitudes se pueden expresar como capacidades elctricas o como

nmeros adimensionales.
Se pueden expresar como capacidades elctricas por que si entramos en detalle en
como estn hechas las puertas, podemos decir que los transistores que llevan estn
formados por un canal, un aislante y un metal y esto en trminos elctricos se asemeja a
un condensador.
Adems se pueden expresar como nmeros adimensionales ya que se supone que
el fan-in de todas las puertas de una determinada tecnologa, es el mismo y se le asigna
el nmero adimensional uno. Entonces el fan-out es el mximo nmero de puertas que
se pueden conectar a la salida de una puerta para que el sistema funcione correctamente.
Esto ltimo es necesario tenerlo en cuenta pues conforme vamos conectando ms
circuitos a la salida de otro circuito se va reduciendo la corriente que manejan las
entradas de los otros circuitos a los que se alimentan, es decir se va perdiendo la seal y
podra no funcionar bien. De hecho, se deber de cumplir que la suma de los fan-in
conectados a una salida debe ser menor que el fan-out conectado a esa salida para
conseguir un funcionamiento correcto. Si se quiere conectar una salida de un circuito a
muchos elementos ser necesario introducir elementos que reestablezcan las seales que
se manejan conforme se conectan ms, como es el caso de inversores.
Valores tpicos de fan-out son: 6,8 y 10. Algunos especiales son de 100 y 200.
2.5 Retardos. Velocidad de conmutacin

Los transistores tienen capacidades parsitas que hacen que los transistores no
respondan inmediatamente. Existe un retardo de propagacin.
Este tiempo es pequeo, pero para funcionar a frecuencias de conmutacin
elevadas tienen que serlo. Adems el hecho de conectar unas puertas detrs de otras
hace que estos retardos se acumulen, pudiendo llegar a que el circuito no funcione
adecuadamente si el retardo acumulado es suficientemente elevado.
2.5.1 Retardo de propagacin

Tiempo que tarda en responder la salida de una puerta desde que cambian sus
entradas. Se miden desde el cambio del 50% de tensin. Esto que acabamos de decir
podemos observarlo en la figura 3.
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Figura3. Retardo de propagacin y conmutacin para una puerta AND.
Este retardo depende de la carga que tenga a la salida nuestro circuito digital. Si t p
es le retardo de propagacin se definen los siguientes retardos:
tpLH: retardo cuando la seal cambia de nivel bajo a nivel alto.
tpHL: retardo cuando la seal cambia de nivel alto a nivel bajo.
Estos dos ltimos retardos no tienen porqu ser iguales, pues son situaciones
diferentes cuando el nivel de tensin baja que cuando sube.
Antiguamente, estos tiempos eran los nicos inconvenientes para conseguir que el
circuito fuera ms rpido. Pero al conseguir hacer ms pequeos los transistores e
integrar un mayor nmero de componentes, las capacidades elctricas asociadas son
pequeas y estos retardos de propagacin han disminuido mucho. Actualmente lo que
empieza a no ser despreciable son las capacidades elctricas parsitas de las conexiones
entre puertas. Es interesante destacar que tambin influyen la temperatura y la radiacin.
Siempre se ha de considerar el peor de los casos par efectuar el diseo del circuito
digital en cuestin.
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2.5.2 Retardo de transicin o de conmutacin

Reflejan la pendiente con la que el valor lgico conmuta. Es el tiempo que tarda
la seal en pasar de 0 a 1 de 1 a 0, desde el 10% de la seal hasta el 90% del
valor mximo de la seal y viceversa. Se suelen considerar habitualmente t r y tf (tiempo
de subida y de bajada respectivamente). Ambos retardos suelen ser diferentes. Dichos
retardos los podemos ver reflejados en la figura 3.
El retardo de transicin suele ser muy pequeo, as que no suele influir en la
frecuencia de conmutacin til que se obtiene. An as influye mucho sobre el consumo
de la puerta. Este retardo depende mucho de la carga y por tanto no se suele apurar
mucho el fan-out de la salida correspondiente.
Tanto el retardo de propagacin como el de conmutacin suelen tener dos
componentes:
Retardo intrnseco. Es el retardo de la puerta sin carga.
Retardo extrnseco. Retardo debido a la carga. Est influenciado sobre todo por las
capacidades parsitas.
Es decir:
t d t di (
t de
) CL
pF
(1)
Siendo tdi el retardo intrnseco, tde/pF el retardo extrnseco medido por unidad de
capacidad(pF) y CL la capacidad debida a la carga. Con esta ltima ecuacin podemos
ver que en general el retardo vara linealmente con la capacidad de la carga. Es decir, si
la carga es muy grande el circuito se hace muy lento e inutilizable, depender por tanto
tambin del fan-out que tenga esa salida.
2.6 Consumo
Se trata de un factor de importancia creciente debido a la cantidad de transistores
que aparecen en una tecnologa con el paso del tiempo.
En relacin con el consumo de las puertas lgicas se definen:
Consumo esttico. Es el consumo que tiene el circuito cuando no cambia la seal.
Consumo dinmico. Es el consumo que tiene el circuito debido al cambio de la

seal. Normalmente este consumo es proporcional a la frecuencia. Esto es debido a
la carga y descarga de las capacidades parsitas de los terminales de las puertas.
Ya que la energa que almacena un condensador viene dada por:
E
1
C V 2
2
(2)
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Siendo C el valor de la capacidad y V el valor de la tensin aplicada al

condensador. Por tanto, en nuestra puerta cada vez que se conmuta de 0 a 1 o
viceversa se est perdiendo una energa por ciclo de valor C V 2 . La potencia disipada
en funcin de la frecuencia ser:
P C V 2 f
(3)
Siendo f la frecuencia de conmutacin del circuito en particular. A ms frecuencia,

ms cambio y por tanto ms consumo.
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3 ESCALAS DE INTEGRACIN
Cuando hablamos de escalas de integracin en la fabricacin de circuitos
integrados nos referimos al nmero de puertas que se hayan situadas en el circuito por
unidad de superficie. Se entiende que una escala de integracin es ms alta que otra si el
nmero de puertas que integra por unidad de superficie es mayor.
Los circuitos integrados han ido evolucionando segn la tecnologa. Los objetivos
fundamentales de cada tecnologa han sido aumentar la velocidad, aumentar el nmero
de componentes por unidad de superficie y disminuir el consumo. Las principales
escalas de integracin son las siguientes:
SSI (Short Scale of Integration).

Baja escala de integracin. Se trata de circuitos de 1-10 puertas.
MSI (Medium Scale of Integration).

Media escala de integracin. Se trata de circuitos de 10-100 puertas.
LSI (Large Scale of Integration).

Gran escala de integracin. Se trata de circuitos de 100-1.000 puertas.
VLSI (Very Large Scale of Integration).

Muy grande escala de integracin. Se trata de circuitos de ms de 1.000 puertas.
ULSI (Ultra Large Scale of Integration).

Escala de integracin elevadsisma. Se trata de circuitos de 10.000 puertas.
WSI (Wafer Scale of Integration).

Escala de integracin a nivel de puerta. Se trata de millones de puertas. Es el nivel
ms alto de integracin y se realiza en las etapas ms bajas de la construccin del
circuito integrado.
Nota: El nmero de puertas al que se hace referencia en las escalas de integracin

de este epgrafe se refiere a puertas equivalentes.
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4 FAMILIAS LGICAS
En los circuitos lgicos se distinguen dos clases. Por un lado se encuentran los
circuitos integrados de propsito general, que se pueden comprar a cualquier
suministrador (desde SSI hasta WSI), y por otro lado se encuentran los circuitos
integrados de aplicacin especfica (ASIC, Application Specific Integrated Circuit) que
se hayan diseados para lograr un propsito determinado.
Fundamentalmente se usan SSI y MSI que se pueden realizar con componentes
discretos. Se trata de circuitos con una cierta funcionalidad pero muy bsica. Por si solos
no hacen nada.
Cada circuito integrado se realiza y desarrolla con una cierta tecnologa. Los ms
habituales son CMOS y TTL. Cada tecnologa con la que se realiza un circuito integrado
implica un proceso de fabricacin:
CMOS: Transistores MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect

Transistor)
TTL: Transistores Bipolares (Transistor Transistor Logic)
Dentro de cada tecnologa se habla de series, es decir, circuitos con unas ciertas
funcionalidades encapsulados de una cierta forma. Tal es el caso de 74XX y 54XX de
TTL y 4000 de CMOS. En general cada serie se puede hacer con tecnologa CMOS y
TTL, salvo contadas excepciones.
Dentro de los circuitos integrados se habla adems de familias, es decir, un cierto
componente encapsulado de una cierta manera y hecho con una cierta tecnologa.
Los conceptos de serie y familia van muy unidos. En general se tienen series en
diferentes familias compatibles. Se pueden encontrar como 20 30 subfamilias para
cada familia.
En ltimo lugar destacar que hay problemas de compatibilidad entre todas la
familias.
4.1
Evolucin de las familias lgicas
Conforme han ido apareciendo familias lgicas con el paso del tiempo, todas han
buscado unos objetivos comunes:
Obtener una mayor velocidad, es decir lograr que el circuito integrado

conmute a una mayor frecuencia.
Conseguir un menor consumo
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Mejorar la escala de integracin, es decir aumentar el nmero de puertas

equivalentes por unidad de superficie.
Adems de estos tres objetivos existe un cuarto del que ya hemos hablado, y que
consiste en la disipacin trmica del circuito integrado en cuestin, que conforme los
consumos de los circuitos van siendo mayores, suele ser bastante crtica la evacuacin
del calor.
Las principales familias y subfamilias que han ido apareciendo con el paso del
tiempo han sido las siguientes:
TTL 74XX. Fue la primera que apareci construida por Texas Instruments. Es
por definicin TTL estndar.
TTL 74LXX(Low Power). Algo ms lenta que la anterior con un menor

consumo.
TTL 74SXX(Schottky). Ms rpida que la primera y con un consumo mayor.
TTL 74AXX(Advanced). Tecnolgicamente superior a la primera.
TTL 74ASXX(Advanced Schottky). Ms rpida que la anterior.
TTL 74LSXX(Low Power Schottky). Ms rpida que la 74LXX.
TTL 74ALSXX(Advanced Low Power Schottky). Conjuncin de las dos

anteriores
TTL 74HXX(TTL High Speed). Muy rpida pero consume mucho.
TTL 74FXX(Fairchild Advanced Schottky TTL).
TTL 54XX. Se trata de TTL con graduacin militar. Es una de las familias
ms fiables.
CMOS 40XX. Es la primera familia CMOS que apareci. Se trata de CMOS

pura.
CMOS 74CXX. Familia CMOS compatible TTL, se ha quedado obsoleta.
CMOS 74HCXX. CMOS High Speed Compatible TTL. Ms rpida que la

anterior.
CMOS 74ACXX. Advanced CMOS Compatible TTL.
CMOS 74HCTXX. High Speed CMOS Compatible TTL.
CMOS 74ACTXX. Advanced CMOS Compatible TTL.
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4.2
MIGUEL
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RDENAS
Familias CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor)
4.2.1 Clases de transistores CMOS

Se trata de una familia basada en transistores MOS complementarios.
D
TIPO P
TIPO N
Figura4. Smbolo y nomenclatura de los terminales para los tipos de transistores utilizados en
tecnologa CMOS.
Los transistores de esta tecnologa son de dos tipos, tipo p y tipo n. Podemos ver
el smbolo y los tipos en la figura 4. La nomenclatura de sus terminales es acorde con
los trminos anglosajones G, gate(puerta); D,drain(drenador); S,source(fuente).
Su funcionamiento es el siguiente. Los transistores MOS se comportan como
interruptores en la direccin drenador-fuente estando gobernados desde la puerta. Los
transistores tipo p conducen, es decir, el interruptor que gobiernan est cerrado, si la
tensin en la fuente es mayor que la tensin en la puerta; en caso contrario no conducen
y su interruptor asociado se queda abierto. Por el contrario, los transistores n conducen,
es decir, el interruptor que gobiernan est cerrado, si la tensin en la puerta es mayor
que la tensin en la fuente; en caso contrario no conducen y su interruptor asociado se
queda abierto. Hay que destacar que en general hay una situacin intermedia que se
denomina zona activa. Hablando en trminos de cadas de tensin lo que estamos
diciendo es equivalente a decir:
Tipo p:
conduce si UGS<0. Hay ms tensin en S que en G.
Tipo n:
conduce si UGS>0. Hay ms tensin en G que en S.
Si hablamos en trminos digitales, como las tensiones que se aplican en las

puertas de los transistores MOS se aplican respecto de masa, es equivalente a decir que
los transistores tipo p se activan, es decir conducen, cuando tenemos un 0 lgico en la
puerta y los transistores tipo n se activan, es decir conducen, cuando tenemos un 1
lgico en la puerta. Es importante sealar que en lo que se refiere al sentido de las
intensidades que conducen ambos tipos de transistores son bidireccionales, es decir
conducen corrientes en sentido drenador-fuente y fuente-drenador. Por este motivo,
utilizaremos como smbolo de estos elementos los siguientes:
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D
MIGUEL
ESCRIBANO
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TIPO P
TIPO N
Figura5. Smbolo y nomenclatura de los terminales para los tipos de transistores utilizados en
tecnologa CMOS.
En la figura5 podemos ver que el smbolo utilizado con esta convencin hace
referencia a qu tipo de valor lgico han de tener en las entradas para que conduzcan los
transistores que representan. Hay que destacar que los transistores a los que se hace
mencin, un estudio ms profundo dira que se les hace trabajar en zona de corte
(abierto) o de saturacin (cerrado), pero con los convenios adoptados es ms fcil
entender el funcionamiento de los circuitos digitales bsicos en lo que a transistores se
refiere.
4.2.2 Inversor bsico CMOS

Recordemos cul es la funcin lgica que realiza un inversor. Si la entrada del
inversor es un 1 lgico la salida es un 0 lgico y viceversa, si la entrada del inversor
es un 0 lgico la salida es un 1 lgico. Es decir el inversor le da la vuelta al valor
lgico que tengamos en ese momento en la entrada del dispositivo.
Figura6. Inversor en tecnologa CMOS con smbolo y tabla de verdad.
Tal y como podemos ver en la figura6, aparecen dos transistores de los dos tipos
que hemos visto. Cuando la seal A tiene un valor lgico 1 conduce el transistor de
abajo tipo n, y la seal de la salida toma un valor lgico de 0(GND). Por el contrario,
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MIGUEL
ESCRIBANO
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cuando la seal A tiene un valor lgico 0 conduce el transistor de arriba tipo p, y la

seal de la salida toma un valor lgico de 1(VDD).
En general, todas las puertas CMOS tienen en la alimentacin transistores MOS
de tipo p y en la tierra transistores MOS de tipo n. Para que el transistor de tipo p
conduzca tiene que estar la puerta a menor tensin que la fuente. Para que el de tipo n
conduzca tiene que estar la puerta mayor tensin que la fuente.
Figura7.Corriente por los transistores MOS en el inversor anterior(Figura6).
Segn podemos ver en la figura7 la corriente por los transistores, hay un consumo
de corriente en las conmutaciones. El resto del tiempo, si exceptuamos las pequeas
prdidas de los transistores, no hay consumo. Es decir, fuera de las conmutaciones el
consumo de corriente es prcticamente nulo.
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ESCRIBANO
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4.2.3 Puertas NAND, NOR Y AOI
Puerta NAND
Figura8.Puerta NAND en tecnologa CMOS, con smbolo y tabla de verdad.
Recordemos que en una puerta NAND, la salida toma el valor lgico 1 si y

slamente si al menos una de las entradas toma el valor lgico0 y en caso contrario la
salida toma el valor lgico0.
Los transistores MOS de tipo n de abajo ponen la salida a valor lgico 0. Los
transistores MOS de tipo p de arriba ponen la salida a valor lgico 1. El
funcionamiento del circuito es el siguiente. Slo si los dos transistores de abajo estn
activados (A y B con valor lgico 1) entonces la salida tomar un valor lgico 0,
entonces los dos transistores conducen y se comportan como un cortocircuito(Us=UGND).
Los dos transistores MOS de arriba de tipo p, estn en paralelo, y por tanto si
alguno de los dos tiene su puerta con valor lgico 0 la salida toma el valor lgico
1(VDD). Esto que acabamos de analizar lo podemos ver en la figura8.
Es importante sealar, que los transistores en paralelo suelen hacer entre las
seales una O lgica mientras que los que estn en serie suelen hacer una Y lgica.
Teniendo en cuenta esto ltimo se facilita la sntesis y comprensin del circuito digital
en cuestin.
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Puerta NOR
Figura9.Puerta NOR en tecnologa CMOS, con smbolo y tabla de verdad.
Recordemos que en una puerta NOR, la salida toma el valor lgico 0 si y

slamente si al menos una de las entradas toma el valor lgico1 y en caso contrario la
salida toma el valor lgico1.
Los transistores MOS de tipo n de abajo ponen la salida a valor lgico 0. Los
transistores MOS de tipo p de arriba ponen la salida a valor lgico 1. El
funcionamiento del circuito es el siguiente. Basta con que uno de los dos transistores de
arriba est activado (A B con valor lgico 1) entonces la salida tomar un valor
lgico 1, entonces al menos uno de los dos transistores conduce y se comporta como
un cortocircuito(Us=UGND).
Los dos transistores MOS de arriba de tipo p, estn en serie, y por tanto slo si los
dos tienen su puerta con valor lgico 0 la salida toma el valor lgico 1(VDD). Esto
que acabamos de analizar lo podemos ver en la figura9.
PUERTA AOI
Se trata de una puerta cuya funcin lgica es:

S ( A B) C
(4)
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ESCRIBANO
RDENAS
Figura10. Puerta AOI en tecnologa CMOS, con smbolo y tabla de verdad.
Tal y como observamos en la ecuacin lgica la podemos construir a partir de

elementos que ya hemos visto. Necesitamos un puerta AND de dos entradas que
construimos con una puerta NAND y un inversor(4+2=6 transistores). Se necesita
tambin una puerta NOR que construimos como ya hemos visto con 4 transistores,
haciendo un total de 10 transistores MOS. Esto es a partir de puertas simples. Pero
vemos que realmente hay menos transistores pues se tiene en cuenta la tabla de verdad.
Mediante este tipo de tecnologa segn observamos obtenemos funciones con
lgica negada. Es decir, si se quiere construir cualquier puerta en general se necesitarn
inversores y transistores adicionales por tanto.
A partir de las puertas bsicas que hemos construido, se puede construir cualquier
circuito lgico combinacional o secuencial sintetizable con puertas. Como es conocido,
segn un resultado clsico de la electrnica digital, mediante puertas NAND se pueden
construir inversores (cortocircuitando las dos entradas de una puerta NAND), puertas
AND (colocando un inversor a la salida de una puerta AND), puertas OR (ya que
A B A B y puertas NOR (ya que A B A B ),segn las leyes de De Morgan.
22
MIGUEL
ESCRIBANO
RDENAS
4.2.4 Caractersticas de la familia CMOS
Tensin de alimentacin
En general nos movemos con tensiones: 1,5V18V. Como ejemplo diremos que
para la serie 4000 es 3V15V y para la serie 74HC es 2V6V.
Valores lgicos
a)Valores lgicos a la entrada.
En general se cumple que: VIL=01/3*VDD y VIH=2/3*VDDVDD.
Expresando esto en un grfico se tiene la figura11.
Como ejemplo, para la serie 4000 se tiene que:
VIL=0V2.5V ;VIH=2.75V5V
Y para la serie 74HC se tiene que: VIL=01/3*VDD y VIH=2/3*VDDVDD. Valores
que coinciden con los que hemos tomado en general.
V
VIH
VIL
3V
15V
VDD
Figura11. Rango de valores lgicos a la entrada en tecnologa CMOS.
Siendo VDD la tensin de alimentacin.

b)Valores lgicos a la salida
En general se tiene que: VOL0 , VOHVDD
c)Inmunidad al ruido
Representa cuanto puede variar la seal a la entrada de una puerta sin que
cambie el valor a la salida. Suele ser del orden de 0,55 VCC, es decir muy inmune
al ruido.
Realmente es la diferencia entre el nivel de tensin que es interpretado como un
1 lgico a la salida y la mnima tensin de entrada que se interpreta como un
1 lgico a la entrada. Tambin se define como la diferencia entre el nivel de
tensin que es interpretado como un 0 lgico a la salida y la mxima tensin de
23
MIGUEL
ESCRIBANO
RDENAS
entrada que se interpreta como un 0 lgico a la entrada. Es decir se trata de las

diferencias entre VOH y VIHmn VOL y VIlmx.
Corrientes de entrada y salida

a)Corrientes de entrada
No se distingue entre corrientes de entrada a nivel bajo y nivel alto porque son muy
similares.
Para el caso de la serie 4000 se trata de II10pA y para el caso de la serie74HC
II0,1A.
b)Corrientes de salida
Para el caso de la serie 4000 IOL IOH 0,1mA y para el caso de la serie 74HC
IO8mA.
Fan-out
En tecnologa CMOS si es mayor de 50 suele tratarse de un circuito muy lento. Un
valor de 20 suele ser recomendable. Suele expresarse en funcin de puertas TTL LS
que son las primeras que aparecieron.
Para el caso de la serie 4000 es 1TTL LS y para la serie 74HC es 8TTL LS.
Retardos
Fundamentalmente nos interesa el retardo de propagacin. Es decir, tiempo que
tarda en responder la salida de una puerta desde que cambian sus entradas.
El retardo tiene dos componentes, el retardo intrnseco(independiente de la carga) y
el retardo extrnseco(dependiente de la carga). En las tablas suele darse el retardo
intrnseco y algunos valores a determinadas cargas.
A partir de una determinada carga es mejor utilizar puertas con buffer. Un buffer es
un elemento intermedio que se coloca a fin de lograr una inyeccin mayor de
corriente. Suele llevar transistores ms grandes. Tiene un retardo intrnseco mayor
pero con un valor tde/pF menor, es decir menor retardo extrnseco. Esto lo podemos
ver reflejado en la figura12, en la que aparece el retardo de propagacin para
diferentes tensiones de alimentacin, con y sin buffer.
24
MIGUEL
ESCRIBANO
RDENAS
Figura12. Retardo de propagacin en tecnologa CMOS con y sin buffer.
El retardo en general depende de la carga de la alimentacin y de la temperatura.

Como ejemplo, para el caso de la serie 4000 es de50 nS y para la serie 74HC es de
10nS. A veces en vez de hablar de retardos se habla de frecuencias, es decir la
mxima frecuencia de funcionamiento que para los casos de las series anteriores es
de 5MHz y 30MHz respectivamente.
Consumo
Se define el consumo esttico , como el consumo que existe cuando los valores
lgicos no estn cambiando se llama consumo quiescente. Es prcticamente nulo en
circuitos CMOS, incluso despreciable. Suele venir dado por el producto de la
tensin de alimentacin y una corriente definida como suma de la corriente de fugas
y la corriente en la carga. Es del orden de decenas de microvatios.
Adems se define el consumo dinmico, consumo del circuito cuando est
conmutando. Segn hemos visto depende de las capacidades parsitas de los
elementos que se conectan y de la frecuencia. Realmente es la potencia necesaria
para descargar y cargar esta capacidad. Suele ser del orden de 20pF. En genral esta
capacidad suele venir dada como suma de la capacidad intrnseca de la puerta y la
capacidad de la carga.
En la figura13 podemos ver como varia el consumo con la frecuencia para diferentes
series TTL y CMOS. En dicha figura podemos observar como existe una frecuencia
entorno a los 10MHz en la que el consumo de ambas tecnologas es el mismo.
25
MIGUEL
ESCRIBANO
RDENAS
Es interesante sealar que a veces las restricciones en ve de ser por la frecuencia,

son por la mxima potencia o calor a disipar por el dispositivo sin que se produzca
la ruptura del mismo.
Entradas no conectadas
En general, en tecnologa CMOS no se pueden dejar las entradas al aire, sin conectar
en las puertas. Ello es debido a que no sabemos que salida obtendremos, en general
conducirn todos los transistores de la puerta con lo que el consumo es muy
elevado. Por tanto siempre hay que dejar las entradas conectadas. Veremos a
continuacin que en tecnologa TTL esto no es as.
74HC
Figura13. Comparativa de consumo entre CMOS y TTL segn la frecuencia.
26
MIGUEL
ESCRIBANO
RDENAS
4.3 Familias TTL (Transistor Transistor Logic)

Es una tecnologa basada en transistores bipolares. Es ms antigua y tediosa que la
CMOS.
4.3.1 Esquema de una puerta NAND
Figura14. Puerta NAND en tecnologa TTL, con smbolo y tabla de verdad.
Recordemos el funcionamiento de la puerta NAND. La salida toma el valor lgico

1 si y slo si al menos una de las entradas tiene el valor lgico 0. En caso contrario la
salida toma el valor lgico 0.
En lo que se refiere al funcionamiento de los transistores bipolares en la
construccin de puertas lgicas hay que destacar que existen dos tipos de tipo n y de
tipo p, cuyo smbolo aparece en la figura 15.
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MIGUEL
ESCRIBANO
RDENAS
TIPO N
TIPO P
Figura15. Transistores bipolares y sus tipos empleados en la tecnologa TTL.
Tienen tres terminales, colector(C), emisor(E) y base(B).Estos transistores dentro

de un circuito digital funcionan en saturacin comportndose como un cortocircuito o
una tensin muy baja entre el colector y el emisor, o en corte en cuyo caso se comportan
como un circuito abierto entre los mismos terminales. Dentro de las condiciones que
llevan a estos componentes a esta situacin, cabe decir que si la corriente por la base es
muy baja o nula, el transistor se encuentra abierto o en zona de corte, y si la corriente
por la base supera un cierto valor determinado por el circuito externo que lo polariza, se
halla en zona de saturacin, con lo que se comporta como un cortocircuito entre colector
y emisor. No es bidireccional y slo puede conducir corrientes en la direccin colectoremisor(tipoN) o emisor-colector(tipoP). Hay que decir que existe una zona intermedia
que se denomina zona activa, similar a la de los transistores MOS.
Si observamos la figura14, vemos que existe un transistor T1, transistor
multiemisor, cuyo funcionamiento es similar al de varios transistores en paralelo. Es
fcil de construir. Existen dos diodos D2 y D3, que se denominan diodos de
enclavamiento. Se utilizan para que las tensiones de los terminales A y B no bajen por
debajo de la tensin de tierra. El funcionamiento del circuito de la puerta NAND es el
siguiente.
Si no entra corriente por A ni por B, entrar corriente por la base de T2. T2 estar
saturado y por tanto T4 tambin. El diodo D1 evita que el transistor T3 conduzca. T3
por tanto no conduce, est al corte. La salida S tendr un valor aproximado de 0V.
De aqu deducimos que dejar A y B al aire es equivalente a conectarlos a la
alimentacin, ponerlos a un valor lgico de 1. De esta forma la unin p-n del transistor
T1 estar polarizada inversamente.
Por otro lado si conectamos A B a tierra la corriente en la base del transistor T2
dejar de circular. T2 estar al corte. No circular corriente por el emisor de T2 y T4
tambin estar al corte. Es como si T2 y T4 no existieran. La salida se pondr
aproximadamente ala tensin de alimentacin.
28
MIGUEL
ESCRIBANO
RDENAS
Hay que sealar que T3 dependiendo de la corriente que se pide estar o no en

saturacin. Depender de las condiciones de carga. La resistencia R4, es un resistencia
limitadora para el paso de la saturacin a corte. En este caso T3 y T4 conduciran a la
vez y habra un cortocircuito. R4 evita esto.
4.3.2 Caractersticas de la familia TTL
Tensin de alimentacin
VDD=5V(5%~10%) dependiendo de la subfamilia.
Valores lgicos
a)Valores lgicos en las entradas

VIL=0V0.8V ; VIH=2V5V
b)Valores lgicos a las salidas
VOL=0V0.4V ; V0H=2.4V5V
Inmunidad al ruido
Se trata de la diferencia entre el valor que se interpreta y el valor que se obtiene.
Si representamos los valores lgicos a la salida y a la entrada en un grfico como el
de la figura16, podemos ver el valor de la inmunidad al ruido que no suele venir
reflejado en las tablas. Es del orden de 0,4V y no depende de la tensin de
alimentacin.
5,0V
2,4V
2,0V
2,8V
0,4V
0,0V
SALIDA
ENTRADA
Figura16.Inmunidad al ruido para el caso de la tecnologa TTL
29
MIGUEL
ESCRIBANO
RDENAS
Corrientes de entrada y de salida

a)Corrientes de entrada
IIH50A ; IIL1,6mA
b)Corriente de salida
IOL20mA ; IOH500A
Los valores de IIH, IIL, IOL y IOH son compatibles.
Fan-out
Es del orden de 10. Diez puertas equivalentes TTL LS. Est limitado por la corriente
y no por las capacidades parsitas como en tecnologa CMOS.
Retardos
Los retardos de conmutacin o de transicin son del mismo orden de magnitud que
en CMOS.
Los retardos de propagacin son:
tpHL5nS ; tpLH10nS. Al conmutar de valor 0 a 1 tienen el mismo retardo que en
CMOS. Esto se puede traducir tambin en una frecuencia mxima del orden de
30MHz.
Consumo
Los circuitos TTL, a diferencia de los CMOS tienen un consumo esttico importante
que es ms grande que el dinmico, por lo que slo se considera el consumo
esttico.
El consumo se puede cuantificar por los valores de las corrientes en lugar de la
potencia.
Consumo a nivel bajo: 1mA. Consumo a nivel alto: 3mA.
30
5.
MIGUEL
ESCRIBANO
RDENAS
COMPATIBILIDAD TTL-CMOS
Al intentar acoplar circuitos integrados construidos con tecnologa TTL con

circuitos integrados fabricados con tecnologa CMOS podemos encontrar problemas de
incompatibilidad. La incompatibilidad se debe fundamentalmente a:
La tensin de alimentacin
Valores lgicos a la entrada y a la salida
Corrientes que se manejan (fan-out)
Retardos de ambas tecnologas
La circuitera adicional que se colocar tratar de evitar en definitiva estos

problemas, de la mejor manera posible.
5.1
Conexin CMOS a TTL

Igual tensin de alimentacin
Si observamos los rangos de tensin de salida de CMOS y los comparamos con los
rangos de tensin de entrada de TTL, vemos que no hay problemas por las tensiones
de entrada y salida, tal y como vemos en la figura17.
Figura17. Rango de tensiones entre salida de tecnologa CMOS y entrada de tecnologa TTL.
En cuanto a las corrientes podemos observar que si puede haber problemas.

31
MIGUEL
ESCRIBANO
RDENAS
CMOS(4000): IO=95mA y TTL:IIL=1.6mA, con lo que puede haber problemas.

Realmente este problema es debido al fan-out, la corriente de salida de la tecnologa
CMOS es muy grande.
Una solucin posible es intercalar un bloque entre ambos 74HC, un interfaz, ya que
para este bloque se cumple que IO=8mA, tal y como vemos en la figura18.
Hay que sealar que se podra conectar el bloque CMOS para alimentar una o dos
salidas pero no ms.
Figura18. Interfaz a colocar entre CMOS y TTL con distintas tensiones de alimentacin.
Realmente lo que se suele hacer es colocar un buffer o puerta no inversora. Este tipo
de puertas se utilizan en general para dar ms corriente. De esta forma no hay
problemas con la conexin a varias puertas TTL.
Distintas tensiones de alimentacin
32
MIGUEL
ESCRIBANO
RDENAS
Se utiliza un circuito adaptador que se alimenta con dos tensiones, una para la parte
CMOS y otra para la parte TTL, tal como el 4401, el 74109, el 4049, el 74901 o el
14504, tal y como vemos en la figura19.
Figura19.Circuito de adaptacin entre CMOS y TTL con distintas tensiones alimentacin.
5.2
Conexin TTL a CMOS

Igual tensin de alimentacin
Figura20. Rango de tensiones de conexin desde la salida en TTL hasta entrada en CMOS.
33
MIGUEL
ESCRIBANO
RDENAS
Si observamos los rangos de tensiones de salida de TTL y de entrada de CMOS

observamos que hay problemas. Hay un cierto margen de error, tal y como vemos en
la figura 20.
Para resolverlo podemos introducir una resistencia de valor entre 1k y 4k, tal y
como aparece en la figura21.
Figura21. Resistencia a introducir entre TTL y CMOS a igual tensin de alimentacin.
Este circuito hace que el valor mnimo del valor '1' lgico suba.
34
MIGUEL
ESCRIBANO
RDENAS
Otra solucin sera introducir entre los dos un circuito HCT. Es un circuito CMOS
compatible TTL que interpreta a la entrada los valores lgicos de la salida de los
circuitos TTL tal y como aparece en la figura 22.
Figura22. Circuito interfaz entre CMOS Y TTL con igual tensin de alimentacin(HCT).
Distintas tensiones de alimentacin

La solucin es aadir un circuito adaptador de nivel, como el 4049, el 74901 o el
14504, tal y como aparece en la figura23.
Figura32. Circuito interfaz entre CMOS Y TTL con distintal tensin de alimentacin
Hay que sealar que no es normal juntar dos tecnologas diferentes a distinta
tensin.
35
MIGUEL
ESCRIBANO
RDENAS
6. TIPOS DE ENTRADAS Y SALIDAS

6.1
Tipos de entradas
a)Entradas con resistencias de pull-up y de pull-down.
Se usan tanto en tecnologa CMOS como en tecnologa TTL.
Hay que destacar que en CMOS no se pueden dejar entradas al aire, pues ello
conllevara a estados indeterminados.
Colocar una resistencia de pull-up consiste en colocar una resistencia entre una
lnea y la alimentacin, de forma que si hay algo que demanda corriente se ponga
a valor lgico '0' y si no se demanda corriente se ponga a valor lgico'1'
(alimentacin).
Colocar una resistencia de pull-down consiste en colocar una resistencia entre una
lnea y la masa, de forma que si hay algo que demanda corriente se ponga a valor
lgico '1' y si no se demanda corriente se ponga a valor lgico'0' (tierra).
Esto lo podemos ver reflejado en la figura24.
Figura24. Resistencias de pull-up y de pull-down en las entradas de tecnologa CMOS.
Esto se usa fundamentalmente en CMOS en TTL si queremos poner valores

lgicos '1', podemos dejarlo abierto y si queremos poner valores lgicos '0' se
pueden poner unas resistencias bajas, pero hay que absorber mucha corriente y no
se usa.
b)Entradas Schmitt-Trigger
36
MIGUEL
ESCRIBANO
RDENAS
Se trata de circuitos integrados que conmutan a un cierto nivel de tensin, que

tienen histresis y que en los flancos pueden producir comportamientos
incorrectos en circuitos sensibles a los flancos. Tal y como se ve en la figura 25.
Figura25. Entradas Schmitt-Trigger y con histresis.
En estos flancos puede haber cambios de estado en los circuitos secuenciales que
pueden dar lugar a funcionamientos incorrectos. Al producirse estas
conmutaciones, stas producen ms consumo. Como ejemplo est el 7414
Adems existen circuitos que conmutan con dos niveles, como se ve en la
figura25.Como ejemplo el 7404. Con este circuito se solucionan los problemas de
rebotes que tena la seal de antes.
Este tipo de entradas se encuentra tanto en tecnologa CMOS como en tecnologa
TTL.
6.2
Tipos de salidas
a)Salidas a colector abierto(open collector) o drenador abierto(open drain)
37
MIGUEL
ESCRIBANO
RDENAS
Las salidas a colector abierto se dan en tecnologa TTL. Permiten aprovechar el

hecho de que no conectar nada en TTL es como poner un valor lgico '1'. De esta forma
se permite hacer puertas AND cableadas. Slo con que una lnea est a valor lgico '1',
pone el resto de las lneas al mismo valor lgico y con esto nos ahorramos puertas.
Como ejemplo el 7405. Esto se puede ver en la figura26.
Figura26. Salidas a colector abierto en tecnologa TTL.
De esta forma tiene menos inmunidad al ruido y es ms lento que la tecnologa

TTL.
Este mismo concepto se puede aplicar a la tecnologa CMOS con el concepto de

drenador abiero. Permite hacer puertas OR cableadas, y reduce el nmero de puertas.
Esto lo podemos observar en la figura26
b)Salidas triestado
38
MIGUEL
ESCRIBANO
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Cuando se quiere tener acceso al control de un bus al que se hayan conectado dos
sistemas, interesa que unas veces uno de los dos imponga el valor lgico, y otras veces
el otro segn una seal de referencia. Esto se puede solucionar mediante un multiplexor
segn se ve en la figura27.
Figura27.Salidas triestado. Salida triestado con multiplexor.
Otra forma de resolver el problema es a partir de salidas triestado. Son unas

puertas con una seal de habilitacin de tal forma, que con esa seal podemos hacer que
la puerta quede desconectada de su salida. Es decir, a la salida de la puerta una
impedancia muy elevada (alta impedancia). Tal y como se ve en la figura28.
39
MIGUEL
ESCRIBANO
RDENAS
Figura28. Salidas triestado.
Hablamos as de un nuevo estado, estado de alta impedancia. Suelen ser

inversores o no inversores. Tambin hay puertas AND.
Realmente con esto lo que se quiere es que el control unas veces lo tome un
sistema y otras veces el otro. De esta forma se consigue obtener un sistema que permite
desconectar la puerta de la seal.
40
6.3
MIGUEL
ESCRIBANO
RDENAS
Entradas/salidas bidireccionales
Se trata de lneas o seales que actan a veces como entrada y otras veces como
salida.
Se tienen dos sistemas y unas veces queremos que el sistema1 transmita al
sistema2 y otras veces sea al sistema2 el que transmita al sistema1. Se trata de situar un
bloque que tiene una puerta triestado por un lado y una entrada por otro. Esto lo
podemos ver en la figura29.
1 2
2 1
Figura29. Entradas y salidas bidireccionales.
En el caso de que el sistema1 transmita al sistema2 se habilita su salida y se

deshabilita la salida del sistema2 y viceversa. De esta forma logramos ahorrar pistas, y
usamos las mismas pistas en un sentido y en otro. Se trata pues de patillas
bidireccionales. Se utilizan muy a menudo en microprocesadores, cuando se leen y se
envan datos por el mismo canal o pista.
41
MIGUEL
ESCRIBANO
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Figura29. Entradas y salidas bidireccionales.
42
MIGUEL
ESCRIBANO
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7. OTRAS FAMILIAS LGICAS
ECL (Emitter-Coupled Logic)

Lgica de emisores acoplados. Se basa en transistores bipolares trabajando en la
zona activa, por que el rebote de corte a saturacin es ms largo que la variacin en
la zona activa. La velocidad es muy alta. Se consigue conmutar a frecuencias por
encima de los 50MHz. Los transistores no se saturan. As cuesta menos hacerles
cambiar de estado.
Tiene un problema con el consumo, que es muy elevado. Adems necesita fuentes
de alimentacin por encima y debajo de masa( positivas y negativas).
GaAs (Arseniuro de Galio)

Trabaja con transistores similares a los de efecto de campo(CMOS) pero en vez de
usar silicio utiliza arseniuro de galio.
Es una tecnologa muy rpida con frecuencias de conmutacin de 1GHz-10GHz.
No se usa en dispositivos lgicos, aunque si en diodos LED.
Tiene un consumo muy alto.
BiCMOS
Intenta combinar las ventajas de la tecnologa CMOS y de la tecnologa bipolar. A la
entrada de las puertas se colocan transistores MOSFET y a la salida transistores
bipolares.
De esta forma se interpretan bien los valores lgicos y se puede extraer mucha
corriente. Se busca una velocidad aceptable. Se usa en circuitos mixtos
(digitales/analgicos). Se consiguen velocidades bastante altas, con frecuencias de
conmutacin del orden de 300MHz.
CMOS especial para alta velocidad

Se trata de tecnologa CMOS modificada. Los transistores que la integran no entran
ni en corte ni en saturacin, y tardan muy poco tiempo en conmutar.
Se alcanzan altas velocidades con frecuencias de conmutacin del orden de 2,4GHz.
Se trata de una tecnologa muy sensible al ruido.
43
MIGUEL
ESCRIBANO
RDENAS
8. REFERENCIAS BIBLIOGRFICAS
[1] Diseo Lgico. A. Llovis, A. Prieto. Ed. Mc Graw Hill.
[2] Principios Digitales. Roger L. Tokheim. Ed. Mc Graw Hill
[3] Contemporany Logic Design. Randy H. Katz. Ed. Benjamin/Cummings
[4] Microelectrnica. Circuitos y Sistemas Analgicos y Digitales. Jacob Millman.

Ed. Hispano-Europea, S.A.
44

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Tema 63.

Construccin de puertas lgicas con diversas tecnologas

Miguel Escribano Rdenas

Tema 63. Construccin de puertas lgicas con diversas tecnologas

TEMA 63. CONSTRUCCIN DE PUERTAS LGICAS

Tema 63. Construccin de puertas lgicas con diversas tecnologas

6.- Tipos de entradas y salidas......................................................34

Tema 63. Construccin de puertas lgicas con diversas tecnologas

6.1.- Tipos de entradas

Tema 63. Construccin de puertas lgicas con diversas tecnologas

Tema 63. Construccin de puertas lgicas con diversas tecnologas

Tema 63. Construccin de puertas lgicas con diversas tecnologas

2. CARACTERSTICAS REALES DE LAS PUERTAS LGICAS

2.1 Tensin de alimentacin

Tema 63. Construccin de puertas lgicas con diversas tecnologas

Figura1. Niveles de tensin permitidos entre la entrada y la salida.

Corrientes de entrada y salida

2.3.1 Corrientes de entrada

Tema 63. Construccin de puertas lgicas con diversas tecnologas

El sentido de estas corrientes que acabamos de definir depende del fabricante y

2.3.2 Corrientes de salida

Figura2. Corrientes de entrada y de salida para el caso de una puerta AND.

Tema 63. Construccin de puertas lgicas con diversas tecnologas

2.4 Conceptos de fan-in y de fan-out

Estas magnitudes se pueden expresar como capacidades elctricas o como

2.5 Retardos. Velocidad de conmutacin

2.5.1 Retardo de propagacin

Tema 63. Construccin de puertas lgicas con diversas tecnologas

Figura3. Retardo de propagacin y conmutacin para una puerta AND.

tpLH: retardo cuando la seal cambia de nivel bajo a nivel alto.

tpHL: retardo cuando la seal cambia de nivel alto a nivel bajo.

Tema 63. Construccin de puertas lgicas con diversas tecnologas

2.5.2 Retardo de transicin o de conmutacin

Retardo intrnseco. Es el retardo de la puerta sin carga.

Consumo esttico. Es el consumo que tiene el circuito cuando no cambia la seal.

Consumo dinmico. Es el consumo que tiene el circuito debido al cambio de la

Tema 63. Construccin de puertas lgicas con diversas tecnologas

Siendo C el valor de la capacidad y V el valor de la tensin aplicada al

Siendo f la frecuencia de conmutacin del circuito en particular. A ms frecuencia,

Tema 63. Construccin de puertas lgicas con diversas tecnologas

SSI (Short Scale of Integration).

MSI (Medium Scale of Integration).

LSI (Large Scale of Integration).

VLSI (Very Large Scale of Integration).

ULSI (Ultra Large Scale of Integration).

WSI (Wafer Scale of Integration).

Nota: El nmero de puertas al que se hace referencia en las escalas de integracin

Tema 63. Construccin de puertas lgicas con diversas tecnologas

CMOS: Transistores MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect

TTL: Transistores Bipolares (Transistor Transistor Logic)

Evolucin de las familias lgicas

Obtener una mayor velocidad, es decir lograr que el circuito integrado

Conseguir un menor consumo

Tema 63. Construccin de puertas lgicas con diversas tecnologas

Mejorar la escala de integracin, es decir aumentar el nmero de puertas

TTL 74LXX(Low Power). Algo ms lenta que la anterior con un menor

TTL 74SXX(Schottky). Ms rpida que la primera y con un consumo mayor.

TTL 74AXX(Advanced). Tecnolgicamente superior a la primera.

TTL 74ASXX(Advanced Schottky). Ms rpida que la anterior.

TTL 74LSXX(Low Power Schottky). Ms rpida que la 74LXX.

TTL 74ALSXX(Advanced Low Power Schottky). Conjuncin de las dos

TTL 74HXX(TTL High Speed). Muy rpida pero consume mucho.

TTL 74FXX(Fairchild Advanced Schottky TTL).