ELECTRNICA DE POTENCIA

INTRODUCCIN

Daniela Paladines

Definicin

Parte de la Electrnica que estudia dispositivos, circuitos,

sistemas y procedimientos para el procesamiento, control
y conversin de la energa elctrica.
Conmutacin de dispositivos semiconductores de
potencia (TIPO N y TIPO P)
Se manejan rangos de voltaje entre V ~ MV
Fuente de Energa

Conversor

Salida de Potencia

Conmutacin

Control

El conversor es el cerebro del

sistema de potencia, permite la
conversin de niveles de V y I con
alta eficiencia, adems su control.

CARGA

FUENTE DE ENERGA

CONVERSOR

Alterna /Continua

La energa
obtenida de las
fuentes, es
necesario
transformarla
para ser utilizada
por las cargas.

CONVERSIONES
CONVERSIN DC-DC:
Cambia y Controla la magnitud del
Voltaje (Tiristores)

CICLO-CONVERSIN AC-AC:
Controla y cambia la seal de voltaje
AC en magnitud y frecuencia

RECTIFICACIN AC-DC: Control

de V DC, I AC

RECTIFICADORES DE DIODOS

INVERSIN DC-AC: Produce seal

sinusoidal de magnitud y frecuencia
controlables. (triacs)

INTERRUPTORES ESTTICOS

EP y Campos de Aplicacin
La EP hace uso de:

Componentes electrnicos
Teora de Circuitos
Procesos tecnolgicos
Herramientas analticas

Para:

Conversin electrnica eficiente

Controlar
Acondicionar

EJEMPLOS:
Controles de temperatura
Controles de iluminacin
Control de motores
Fuentes de poder
Sistemas de impulsin vehiculares
Sistemas de corriente directa en
alto voltaje HVDC

Historia

1900 : rectificador de arco de mercurio

1948 : laboratorios Bell transistor de Si
1956 : transistor de disparo NPN y tiristor SCR
1958 : SCR comercial por GE Nueva Era de la EP
1970 : Se comercializa el MOSFET
1982 : Transistor Bipolar de Compuerta aislada
1900: Revolucin por grandes aplicaciones en robtica e
industria en general

Importancia en la Actualidad
El
desarrollo
tecnolgico
experimentado por la
electrnica
de
potencia durante los
ltimos cincuenta aos
la ha consolidado en la
actualidad como una
herramienta
indispensable para el
funcionamiento
de
todos los mbitos de
nuestra
sociedad
tanto
industrial como el de
servicios y domestico.

SEMICONDUCTORES DE
POTENCIA
Daniela Paladines

Semiconductores de Potencia

Los semiconductores de mayor importancia son:

1. Diodos de Potencia:

2 Terminales: A,K
Conduce cuando el potencial de A es > que del K y la cada de
V es muy pequea
Si el V de K es > al del A, el diodo entra en modo bloqueo

2.Transistores de Potencia:

3 Terminales Base, Emisor , Colector

Amplifica y Conmuta seales electrnicas y potencia elctrica

Semiconductores de Potencia

Tiristores de Potencia:

3 Terminales A,K,G
Cuando una corriente pequea pasa por el G hacia el K,
el tiristor conduce siempre que el A tenga > potencial que el
K
Cuando el intervalo de t entre el instante que la I principal baja
a Cero despus de una interrupcin externa (retiro de
fuente) y el instante cuando el tiristor es capaz de
sostener un V principal de respaldo especificado sin
encenderse se denomina Tiempo de Abertura

Requisitos

Operar en 2 estados:

Capacidad de Soportar :

1. Alta Impedancia (Bloqueo)

2. Baja Impedancia (Conduccin)
1. Intensidades altas con cadas de tensin bajsimas en estado
de conduccin y,
2. Tensiones altas con corrientes de fugas bajsimas en
estado de bloqueo

Control: de paso de un estado (on-off) a otro con

facilidad y poca potencia
Rapidez de funcionamiento: Capacidad de trabajo a
frecuencias altas

Caractersticas ideales

Un sper dispositivo de potencia:

Voltaje 0 en estado cerrado (conduccin)

Soportar V infinito en estado abierto
Manejar una I infinita
Velocidad infinita de conmutacin (t=0 entre ON y OFF)

IDEAL NO PASA EN LA PRCITA

Clasificacin Semiconductores de
Potencia
Daniela Paladines

General
DIODOS

TRANSISTORES
SEMICONDUCTORES
DE POTENCIA

TIRISTORES

CARBURO DE Si

En desarrollo

Diodos

DIODOS

SCHOTTKY

100V -300A
t de recup. s

PROPOSITO
GENERAL

6000V - 4500A

RECUPERACIN
RPIDA /ALTA
VELOCIDAD

6000V - 1100A
0,1s - 5s

Transistores
MOSFET (Metal
Oxide
Semiconductor Fiel
Effect T.)
IGBT (Insulated Gate
Bipolar T.)
TRANSISTORES
BJT (Bipolar Junction
T.)
NPN y PNP

SIT (Static Induction

Transistor)

Tiristores

TIRISTORES

TRIAC (Triode
for

Baja Potencia

SCR (Silicon
Controlled
Rectifier)

Controlados
por fase

GTO (Gate Turn

Off)

6000V-6000A

RCT(Reverse
Conducting Th.)
SITH (Static
Inducttion Th.)

Tiristores
GATT (Gate Assisted
Turn Off Th.)

LASCR (Light ctivated

Silicon Controlled
Rectifier)

MTO (Metal Oxide

Semic. Turn Off)

TIRISTORES

ETO (Emitter Turn

Off)

IGCT (Integrated
Conmmutated Th.)

BCT (Bidirecctional
Phase Controlled Th.)

MCT (MOS
Controlled Th.)

DIODOS DE POTENCIA
Daniela Paladines

Caractersticas

Similar al diodo comn con requerimientos de V y I mayores

Corresponden a una unin PN
Si (material usado por excelencia)
Es uni-direccional, no circula en sentido contrario al de
conduccin
Procedimiento de control es invirtiendo el voltaje entre nodo
y ctodo
Dos estados bien diferencias CORTE y CONDUCCIN, para
pasar de uno a otro es importante considerar el tiempo de
transicin
En CODUCCIN, Soporta alta I con pequea cada de V
En SENTIDO INVERSO, Soporta fuerte V negativo de nodo
con una pequea I de fuga

ESTADO DE CONDUCCIN

P. Directa: Se comporta como cortocircuito VAK es + y la

ID es +, es decir, est polarizado directamente.

P. Inversa: VAK es y la ID es cero, el diodo es un circuito

abierto con cada de V entre A-K, no conduce, es decir,
est polarizado inversamente.

Modelo Real (Regin de Rompimiento)

Regin de Rompimiento: Se considera la Resistencia

interna del diodo RD y el Voltaje de Codo.

Cuando la magnitud del V en sentido inverso supera

significativamente al VBR, el diodo se destruye.
Si oscila alrededor de VBR, la corriente inversa se incrementa
rpidamente la que deber ser limitada en la regin de
rompimiento para evitar su destruccin.

Modelo Real

Corriente de Fuga

Es la intensidad que corre por el diodo cuando est

bloqueado, es decir en polarizacin inversa circula una
corriente inversa en el orden de los micro-miliamperios.

Modo Ideal vs Real

Si idealmente RD=0 la Pendiente es

Ecuacin del Diodo

ID=IS (eV /nV -1)
D

e: Constante de Euler
ID: Corriente de Diodo
VD: Voltaje de Diodo
IS: Corriente de fuga, normalmente entre 10-6 y 10-5 (A)
n: Factor de idealidad para Ge=1 Si=2 en la prctica Si=1,1 y Ge=1,8
VT= Voltaje Trmico
VT=(KT)/q
q: carga del electrn: 1,6022 x10-19C
T: temperatura absoluta de Kelvin K=273+C
K: constante de boltzman k=1,3806x10 -23J/K
A temperatura ambiente de 25 en la unin da como resultado :
VT= 25,7mV
A temperatura especificada la IS es cte. para un diodo dado

Tiempo de recuperacin inversa (Turn Off)

Las caractersticas dinmicas del Diodo se centran en

estudiar el comportamiento transitorio provocado por la
conmutacin, pues limita la mxima frecuencia de trabajo
y se usa para determinar la velocidad del rectificador, es
decir tomar en cuenta el tiempo requerido de pasar de
estado de CONDUCCIN a NO Conduccin y al revs.
Se da porque los dispositivos no son ideales.

Tiempo de recuperacin inversa (Turn Off)

trr: Intervalo de tiempo entre el instante en que

corriente pasa por CERO durante el cambio
conduccin directa a inversa y el momento que la I
sentido inverso ha bajado entre el 10% y el 25% de
valor pico de I inversa.

la
de
en
su

TRANSISTORES DE POTENCIA
Daniela Paladines

Caractersticas

Los Transistores de Potencia tiene caractersticas

controladas de encendido y apagado
Posee especificaciones nominales de V/I menor que los
Tiristores
Se emplean en apps de baja y media potencia
Se utilizan principalmente en conversores CD-CD y;
CD-CA con diodos conectados en paralelo inverso, para
proporcionar flujo bidireccional de corriente
Se debe examinar las caractersticas nominales de cada
tipo de T. para definir su adecuacin a determinada app
Los ms utilizados: BJT, MOSFET, SIT, IGBT

Transistor BJT

Conocido comnmente como elemento amplificador de seal, en EP se lo

utiliza como dispositivo de conmutacin por tener caractersticas de
switching casi ideales.
Los estados de funcionamiento ms importantes son SATURACIN y
CORTE
Apps con: frecuencias <10 KHz <120 V <400A
Pol.
inversa
Pol.
directa

Pol.
directa

Pol.
inversa

Transistor BJT

Corrientes Kirchhoff: La suma de corrientes que ingresan es igual a la

suma de corrientes que salen
Voltajes Kirchhoff: La suma algebraica de Voltajes es 0
Transistores de baja potencia se consideran <1W y va de 100 a 300
Transistores de alta potencia se consideran >1W y es de 20 a 100
En configuracin PNP cumple las mismas caractersticas

NPN

PNP

Transistor BJT-NPN
Configuracin NPN:
Circuito donde el T.
opera como Switch

VBE =0,7 V (Si)

IB+IC = IE

IC IE
IB <<< IC comnmente se dice que IB =1% IC (por flujo de electrones)

Ganancia de corriente en sentido directo = relacin que existe entre IC/ IB

cd= IC/IB IC= cd . IB

Entonces la relacin
entre cd= IC/IE <1

Anlisis
Malla 1:
Inters es IB que determinamos por Voltajes
-VB +VRB +VBE =0
-VB +IBRB +VBE =0
IB= (VB-VBR)/RB

Anlisis

Malla 2:

Inters es VCE en funcin de IC

-VCC +VRC+VCE =0
VCE =VCC-VRC
VCE =VCC-ICRC
Si IC= IB
VCE =VCC- IB RC
Tb: VCB =VCE-VBE

Importante

La IC est en funcin de la IB de la Malla 1. Se puede

variar VCC sin que altere IC
Si IB es alta VCE es bajo IB crece hasta llegar a IBs
Cuando IC es alta VCE =VCC- IB RC decrece
Si IB =0 IC = 0 y VCE =VCC (Corte)
Regin Activa: Cuando el Diodo Emisor est en
Pol. Directa y el Diodo Colector en Inversa
Regin Saturacin: la IB es suficientemente alta
para que VCE sea bajo y el transistor acte como un
interruptor

Resumen

En Saturacin:
VCC VCESAT-VRC =0
ICS= (VCC-VCES)/RC
Factor de Sobresaturacin: IB>IBS
ODF=IB/IBS
Forzada=ICS/IB
PRDIDA POTENCIA ENTRE 2 UNIONES
RESUMEN

R. Activa: AMPLIFICA
R. Saturacin: ACTA COMO INTERRUPTOR
R. Corte: NO CONDUCE (ABIERTO)

TRANSISTORES DE POTENCIA
MOSFET e IGBT
Daniela Paladines

Transistores de Potencia MOSFET

Alta velocidad de conmutacin, orden de los MHz

Tres terminales Drenaje (D), Compuerta (G), Fuente (S)
El rea de trabajo mejora frente al BJT por no tener fenmeno
de 2da. ruptura
Para aplicaciones de Potencia se utilizan MOSFET de
acumulacin o incrementales de Canal N porque conducen
cuando VGS >0
El control se basa mediante el voltaje aplicado entre G y S
(VGS)

Caractersticas

Valores nominales: 1000V y 500 A

Encapsulamiento especial e inconveniente de alta sensibilidad a
descargas electrostticas y ms costosos
No tienen inconvenientes de segunda avalancha
Apps: Conmutacin a altas frecuencias, sistemas inversores
para controlar motores, generadores de altas frecuencia para
induccin de calor, generadores de ultrasonido, amplificadores
de audio y trasmisores de radiofrecuencia.
La principal diferencia entre los BJT y los Mosfet consiste en
que estos ltimos son controlados por voltaje aplicado en (G)
y requieren solo una pequea corriente de entrada, mientras
que los BJT, son controlados por corriente aplicada a la base,
por esta razn resulta relativamente simple de activar y
desactivar.

Anlisis

La conduccin se consigue cuando VGS > VT lo que forza al MOSFET a

entrar en la regin de trabajo hmica.
La NO conduccin cuando VGS < VT
Para los dos estados la IG es muy baja

Anlisis

Regin de Corte: VGS < VT ID=0

Estado de conduccin:VGS > VT y se dan dos casos:
Si:V > V - V el Mosfet se SATURA para un valor de VGS una ID cte. de
donde se determina:
DS

GS

K=cte. de conductividad en mA/V

Lmite entre regin lineal

y saturacin:
VGD=VT=VGS-VDSSAT-MIN

Si:V < V - V el Mosfet estar en R.Ohmica (lineal) de forma que si

DS

GS

crece VDS , tambin crece ID y la rDS

DS: Normalmente

en
el orden de los m

Resumen

IGBT (Insulate Gate Bipolar T.)

Tres terminales G, E,C

Combina las ventajas del BJT y el MOSFET con bajas prdidas de

conmutacin como los BJT y con una impedancia elevada en G como los
MOSFET lo que permite trabajar a altas frecuencias y grandes intensidades
En conduccin su resistencia es baja y alta velocidad de conmutacin
De conduccin a bloqueo 2s y la frec. = 50KHz, adems de un elevado
voltaje de ruptura
Valores nominales de:1400 V y 300 A
Se encienden (controlan) por voltaje ms rpidos que los BJT, pero ms
lento los MOSFET
La corriente en G es pequea A lo que permite ser controlado por
circuitos integrados
El inconveniente con los MOSFET es que a mayor temperatura menor
cada de voltaje aumenta la I que incrementa la temperatura por lo que
no pueden existir varios en paralelo
Apps. como propulsores de motor de cd y ca, fuentes de corriente.

TIRISTORES DE POTENCIA
Daniela Paladines

General

Unidireccionales, conduce I de A a K si est

polarizado directamente y se aplica un seal a su G
Tres terminales A, K y G
En polarizacin inversa el dispositivo estar siempre bloqueado
Biestable (Corte a Conduccin) que puede ser controlado con
precisin actuando sobre su G
Este dispositivo no se disea con la funcin apagado por G,
para provocar este estado se debe bajar la corriente a cero
por otros medios.
Comparando con los Qs tienen < prdida de conduccin en
ON (cerrado) y > manejo de potencia, pero < velocidad de
conmutacin por lo tanto > prdidas de conmutacin.

Estructura y Activacin

Formado por 4 capas semiconductoras que forman 3

uniones que interactan entre s.
Pol. directa
Pol. inversa
Pol. directa

Activacin:

Trmica
Luz
Alto Voltaje
Variacin de Voltaje
Corriente en G

Tipos de Tiristores: SCR

SCR (Silicon Controller Rectifier)

3 terminales A K G

Se puede gobernar a voluntad el paso de corriente haciendo del tiristor un dispositivo idneo
en EP por conmutar casi idealmente, rectificar y amplificar a la vez

Tres zonas:

1. VAK>0; IA=0 Th. se comporta como circuito abierto (Bloqueo Directo)

2. VAK>0; se aplica seal a G. IA>0 Th. pasa de bloqueo a conduccin (Estado de Conduccin)

Nota: de conduccin a corte se polariza inversamente al Th. Provocando que IT sea < a IH

3.VAK<0; IA=0 Th. Equivale a un circuito abierto (Bloqueo Inverso)

Corrientes

I. de mantenimiento IH: mnima corriente de A para

mantener al Th. En ON, inmediatamente despus de haberse
activado y retirado la seal de G.
I. de retencin o enganche IL: mnima corriente de A para
oscilar al Th. del estado de bloqueo a conduccin

Conclusin:

La IT debe ser > IL para quedarse en su estado de conduccin

Si IT < IL el Th. Se regresa a su estado de bloqueo

Principio de Funcionamiento

Depende de la seal en G y la polaridad del V aplicado entre A y K

VAK (-) U1 y U3 polarizadas inversamente y U2 polarizada directamente de
donde la corriente inversa:
que se la considera
nula para cualquier valor de VAK<VRSM (Voltaje inverso mximo)
VAK (+)

a) Sin seal en G: U1 y U3 polarizadas directamente, U2 polarizada

inversamente circulando una nica IS2 (C. inversa de saturacin)

b) Con seal en G: Si se aumenta la corriente en U2 inyectando una

corriente por G, disminuye la polarizacin inversa en U2. En estas
condiciones el th. Se comporta como
C.C. y el VAK ser del orden de 1-2(V)

Modos de disparo

Voltaje suficientemente elevado: Si el VAK se aumenta a un

valor suficientemente grande la U2 se daa, provocando que el
Th. Entre en efecto de avalancha (VBO)
Corriente positiva de polarizacin en G: Para bloqueo
directo como para el estado de Pol. Inversa existen unas
pequeas corrientes de fuga.
Caractersticas:

Interruptor casi ideal

Amplificador eficaz
Fcil controlabilidad
Soporta alta tensiones
Capaz de soportar grandes potencias
Relativa rapidez

Aplicaciones

Ideal para el control de Corrientes Alternas

Atenuadores de luz (reguladores dimmer)

Controles de Velocidad para Motores elctricos
Calentadores elctricos

TIRISTORES DE POTENCIA
Daniela Paladines

DIAC

Conduce en dos sentidos

2 terminales A1 y A2
Funciona como 2 diodos que conducen
en sentidos opuestos
Para cualquier polarizacin y que deje de conducir se
debe reducir la corriente por debajo de la IH

TRIAC

3 terminales E1, E2 y G
Controla el paso de corriente en ambas direcciones (bidireccional)
Se usa en reguladores de CA
Pasa a conduccin tanto para Voltajes (-) como (+)
2 th. en antiparalelo
4 Modos de Disparo

GTO (Gate Turn Off)

3 terminales A,K,G
Combina las caractersticas de un transistor
tiristor convencional con las de un Q bipolar
Ventaja de pasar de estado de Conduccin a Bloqueo
mediante un pulso (-) en G
Para activar a un GTO por corriente en la G, se deber
actuar igual que con el SCR
Para bloquear al GTO se debe aplicar una corriente
negativa en la G y mantener constantemente un voltaje
negativo en su G, para evitar que pudiera activarse
espordicamente.

Modo de Disparo GTO

Para encenderse, el pulso inicial debe ser grande (IGM) cuyos valores
min y mx se detallan en el DataSheet
El tiempo de duracin de este pulso ser el necesario para
mantener activado al dispositivo.
Para apagarlo se disear un circuito,
que limite la IA y extraiga la carga de la G.
La ganancia de corriente de un GTO en el momento de corte viene
dada por:
La ganancia de corriente de un GTO en el momento de conduccin
viene dada por la misma relacin para la corriente de G en ON.
Igualdad en los lmites de corte a conduccin y conduccin a corte

Circuitos de proteccin

Existen 2 tipos de circuitos de proteccin:

Contra variaciones de V: (Circuito amortiguador)
Si S1 se cierra en t=0 el Vs puede disparar al Th. se coloca un
C para limitar la y se coloca una R en serie al C para limitar la
corriente de descarga del C.

y la corriente de descarga:
donde
podemos encontrar Rs.

Circuitos de proteccin
Contra variaciones de I: (Circuito de Frenado)
Si la IA en un instante de tiempo es muy alta, el Th. Se calienta y
puede fallar por la temperatura excesiva que adquiere. Esto se
provoca en estado de corte a conduccin, se coloca una L que
controla el efecto provocado por la
. Si el th. Entra en
conduccin la corriente de nodo estar dada por:
Para t=0 se obtiene el mx. valor, de donde se puede obtener el
valor de L, cuyo valor debe ser menor al de la hoja de datos.

CONVERSORES AC-DC
Rectificadores de Onda
Daniela Paladines

Introduccin

Rectificadores controlados o Conversores AC-DC, reciben

este nombre porque utilizan un dispositivo de control (Th.).
Subsistema electrnico cuya misin es convertir el voltaje
alterno de valor medio nulo, en otro voltaje unidireccional.

Para obtener voltajes de OUT controlados se usan tiristores

con control por fase en lugar de Diodos; un tiristor
controlado por fase se activa aplicando un pulso corto a su G.
y se desactiva por conmutacin natural.

Clases de Rectificadores
Los rectificadores se usan en aplicaciones industriales como
Propulsores de Velocidad Variable desde media Potencia a altas
potencias (MW), dentro de los cuales existen Rectificadores
Monofsicos y Rectificadores Trifsicos.
Rectificadores de Media Onda:
El ngulo de retardo es fundamental, ya que al actuar sobre
l, es posible variar la relacin entre el valor del voltaje
rectificado de salida y el valor de los voltajes alternos de
entrada.

Rectificador Controlado

El ngulo de retardo es fundamental, ya que al actuar

sobre l, es posible variar la relacin entre el valor del
voltaje rectificado de salida y el valor de los voltajes
alternos de entrada.
Este circuito solo rectifica la mitad del voltaje de IN,
cuando A es (+) con respecto al K(-) y se puede controlar
el valor medio del Voltaje en la carga cuando se le
proporcione un impulso a la C.

Carga R
Durante el semiciclo positivo, el
Vin es (+),VAK es (+) por lo que
est preparado para entrar en
conduccin.
El Voltaje promedio en la carga se
determina para <t<:

Si =0 :
El valor normalizado sera la relacin
de ambos valores:

Carga R

Voltaje eficaz rms en la carga para <t< :

Si =0 :

El valor normalizado sera:

El voltaje inverso de pico que soportar el Th. es:

Corriente media en la carga:

Corriente eficaz en la carga:
Eficiencia en la rectificacin:

Carga RL

El th. empieza a conducir para t = por el retardo del circuito de disparo.

Para valores entre y t ; el

1

VL es positivo.

Cuando t = t VL= se hace

1,

negativa y la corriente disminuye

Cuando t = t la corriente se anula y se

2

cumple que A1 = A2
A1: voltaje acumulado en la L
A2: descarga del voltaje de la L sobre la R y el
Voltaje de entrada con la carga actuando como
generador.

Carga RL

A partir del disparo el circuito cumple con:

Para =0 :

Donde:

Al anularse la corriente en t2:

CONVERSORES AC-DC
Rectificadores de Onda Completa
Daniela Paladines

Carga Resistiva

Los Th.1 y Th.4 conducirn durante el semi-ciclo positivo

de la entrada y los Th.2 y Th.3 en el negativo.
Los Th. se disparan de dos en dos con un ngulo de
retardo

Carga R

El Voltaje promedio en la carga, cuando <t<

El Voltaje promedio en la carga, cuando =0

Corriente eficaz en la carga:

Corriente media en los th.

Potencia eficaz en la carga:

Carga RL

An cuando el Voltaje de entrada sea negativo al ser un

circuito con carga inductiva los th. Seguirn conduciendo
ms all de t=

Carga RL

Al ser inductiva la carga es continua y no tiene rizo y se

utiliza en aplicaciones industriales de hasta 15KW
Dependiendo del valor de el Vcd en la carga puede ser
+ o por lo que proporciona una operacin en 2
cuadrantes.

Voltaje eficaz a la salida es:

Por series de Fourier se determina el voltaje y la

corriente de salida en caso de corriente continuada:

Carga RL

El valor medio en continua es:

En alterna, la amplitud de los trminos se calcula:

La corriente eficaz:

Donde:

Bibliografa

RASHID, M. H.: Electrnica de Potencia, 3rd. Ed.

Prentice Hall International Editions.
J. AGUILAR PEA /U. JAEN: Electrnica de Potencia