Xps Cicata Altamira

PRIMERA SEMANA DE CIENCIA, TECNOLOGA Y CULTURA
CICATA-ALTAMIRA
Espectroscopa de electrones
fotoemitidos
(X-ray Photoelectron Spectroscopy)
Dr. Wencel De La Cruz H.
Centro de Nanociencias y Nanotecnologa
Universidad Nacional Autnoma de Mxico
Ensenada, B.C.
Seccin 1
Introduccin
Aspectos bsicos
Divisin spin-orbita
Anlisis cualitativo
Electrones Auger inducidos por los rayos-X
Profundidad de informacin
Anlisis cuantitativo por XPS
Error en la medicin
Asimetra de los fotoelectrones
Wencel De La Cruz
Centro de Nanociencias y Nanotecnologa de la UNAM.

Pag. 1

CICATA-ALTAMIRA
Introduccin
Efecto fotoelctrico
Descubierto por Hertz (1887)
y explicado por Einsten en 1905 (premio Nbel en 1921).
tomo de oxgeno
El desarrollo del XPS como un mtodo
sofisticado de anlisis es el resultado del
trabajo meticuloso del sueco Kai
Siegbahn y sus colegas (1957-1967).
Kai Siegbahn premio Nbel en 1981
Fotn de
rayos-X
Electrn fotoemitido O1s
XPS
ESCA
UPS
PES
X-ray Photoelectron Spectroscopy

Electron Spectroscopy for Chemical Analysis
Ultraviolet Photoelectron Spectroscopy
Photoemission electron Spectroscopy
Fuente de rayos-X
Electrones fotoemitidos
Wencel De La Cruz

Pag. 2

CICATA-ALTAMIRA
Aspectos bsicos
K.E. = h B.E. -
Fotn
Energa
cintica
Electrn fotoemitido
Espectro XPS:
Intensidad de los
electrones fotoemitidos
Vs. K.E. o B.E.
Energa de
enlace
9 Identificacin elemental y estados

qumicos del elemento.
9 Composicin relativa de los
constituyentes de la superficie.
9 Estructura de la banda de valencia
Ilustracin del proceso de fotoemisin para el Ni 3p donde los tomos de O 2p

son absorbidos por el metal.
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Pag. 3

CICATA-ALTAMIRA
Referencia para la energa de enlace
Nivel de vaco
Nivel de vaco
Nivel de Fermi
Mismo nivel
Nivel de Fermi
Espectrmetro
Muestra
Instrumentacin
Analizador de energa del electrn.
Fuente de rayos-X.
Neutralizadora.
Sistema de vaco.
Controles electrnicos.
Can de iones de Ar.
Sistema de Ultra Alto Vaco (<10-9 Torr)

Deteccin de electrones.
Se evita contaminacin.
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Pag. 4

CICATA-ALTAMIRA
Background:
Fotoelectrn con
prdida de energa
Wencel De La Cruz
Pico:
Fotoelectrn
sin prdida de
energa

Pag. 5

CICATA-ALTAMIRA
Divisin Spin-rbita
Notacin de los picos:
Acoplamiento L-S ( j=l+s )
rea ~ 2j+1
Los valores de separacin de un doblete

(producido por la interaccin Spin-rbita)
de un nivel interno de un elemento en
diferentes compuestos son casi los
mismos.
El cociente de las reas de los picos en un
doblete de un nivel interno de un elemento
en diferentes compuestos son tambin los
mismos.
El valor de separacin de los dobletes y el
cociente de las reas son de gran ayuda
para la identificacin de elementos.
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Pag. 6

CICATA-ALTAMIRA
Anlisis Cualitativo
Wencel De La Cruz

Pag. 7

CICATA-ALTAMIRA
Electrones Auger inducidos por los rayos-x
Estado base
Transicin a un estado
excitado
Estado final
La K.E. es independiente de la energa de los rayos-X.
Profundidad de informacin en XPS

Camino Libre Medio Inelstico (IMFP o ):
Es la distancia promedio que un electrn con una energa dada viaja
entre dos colisiones inelsticas sucesivas.
Intensidad de electrones (Io) emitida a una profundidad d por debajo de
una superficie es atenuada acorde a la ley de Beer Lambert. As, la
intensidad de esos electrones que alcanzan la superficie (Is) est dada por:
Para una longitud de

camino de un , la
intensidad de la seal ha
cado un 63%
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Pag. 8

CICATA-ALTAMIRA
Profundidad de informacin en XPS

La profundidad de informacin es definida como la profundidad
a la cual el 95% de todos los fotoelectrones son dispersados al
momento de alcanzar la superficie (3).
La mayora de los estn entre 1 y 4 nm (usando fuente de Al
K).
As, la profundidad de informacin (3) ser aproximadamente

de 3 - 12 nm, bajo las condiciones mencionadas anteriormente.
No es correcto hablar de una curva Universal para los IMFP, ya

que es funcin de cada material.
depende de:
La energa cintica del electrn.
De un material en especfico.
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Pag. 9

CICATA-ALTAMIRA
Camino Libre Medio Inelstico (IMFP o IMFP)
TPP2M
IMFP =
E
C D
E ln(E ) + 2
E E
( )
2
p
donde:
= 0 .1 +
(E
0.944
+ Eg
2
p
+ 0.069
2
0.1
E : Energa del electrn (eV)
= 0.191 0.50
Eg: Ancho de energa prohibida (eV)
C = 1.97 0.91U
D = 53 .4 20.8U
Ep: Energa del plasmn (eV.)
E p2
N
U= V =
829 .4
M
: Densidad (g/cm-3)
NV: Nmero de electrones de Valencia
M: Peso atmico
Anlisis Cuantitativo por XPS: I

Algunos anlisis cuantitativos por XPS tienen una exactitud de 10%
donde: Ii = intensidad de un pico p de fotoemisin para un elemento i.

Ni = Concentracin atmica promedio de un elemento i en la
superficie bajo anlisis.
i = Seccin eficaz de fotoionizacin (Factor de Scofield).
i = Camino libre medio inelstico de los electrones del pico p.
K = Todos los factores relacionados a la deteccin de la seal (asumidos
constante durante un experimento).
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Pag. 10

CICATA-ALTAMIRA
Cmo medir la intensidad de un pico de fotoemisin?

Intensidad
La peor!!
Altura del pico
Energa cintica
Intensidad
rea del pico
Intensidad
Energa cintica
rea del pico
Energa cintica
Intensidad
La Mejor!!
rea del pico
Error del 15% usando los

ASF.
El uso de mediciones de
muestras patrn (o la
ecuacin descrita
anteriormente) el error es
aproximadamente del 5%.
En ambos casos la
reproducibilidad es de 98%
(Apro.)
Energa cintica
Debe incluir correcciones de prdida

debida a plasmones y otros picos
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Pag. 11

CICATA-ALTAMIRA
Funcin Respuesta de un Analizador

La funcin respuesta es la eficiencia de deteccin en un analizador de
electrones, la cual es funcin de la energa del electrn. La funcin
respuesta tambin depende de parmetros del analizador de electrones, tal
como la resolucin del analizador.
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Pag. 12

CICATA-ALTAMIRA
Anlisis cuantitativo: II
Seccin eficaz de fotoionizacin (i ) ha sido calculado
tericamente para todos los elementos y para las fuentes de Al
K y Mg K.
Camino libre medio inelstico (i) vara con la energa cintica
del fotoelectrn y puede ser estimado de la frmula TPP-2M.
Para una superficie compuesta por varios elementos i, j y k, la
concentracin relativa se puede obtener de:
Ii
Ni
=
Ni + N j + N k
i i K i
Ii
i i K i
Ij
j j K j
Ik
k k K k
Ejemplos de cuantificacin: I
Tabla I: xidos superficiales: cuantificacin obtenida a partir de la correspondiente
intensidad del pico.
Cociente atmico Oxgeno/metal
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Pag. 13

CICATA-ALTAMIRA
Ejemplos de cuantificacin: II
Tabla II: Comparacin de las concentraciones obtenidas por XPS y EPMA
(SEM+EDS) para algunos minerales.
Seccin eficaz de fotoionizacin (i ) de Scofield
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Pag. 14

CICATA-ALTAMIRA
Error en la cuantificacin
Ii = El error principal que se comete durante la medicin de

la intensidad es debida a la mala substraccin del
background.
i = Valores calculados tericamente (se desconoce su

magnitud).
i = el error estimado puede ser de hasta un 50%.
Asimetra de las picos de emisin

La probabilidad de que un fotoelectrn salga en la direccin en la que se
encuentra el analizador de electrones, requiere de la definicin del trmino
anisotrpico L, la cual est dada por la siguiente expresin (fuente no
monocromtica).
L( ) = 1 + 0.5 sen 2 1
2
es una constante para cada nivel de energa.

es el ngulo entre la fuente de rayos x y el analizador.
La ecuacin anterior implica la existencia de un ngulo mgico de 54.7

grados, para el cual L es igual a 1
I I 0MED ( E )T ( E ) a L( )
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Pag. 15

CICATA-ALTAMIRA
Seccin 2
Corrimientos qumicos en XPS
Estados inicial y final
Anchos de lnea y resolucin
Instrumentacin
Efectos qumicos en XPS

Corrimiento qumico: Cambio en la energa de enlace de un electrn del
core debido a un cambio en los enlaces de ese elemento.
Cualitativamente hablando, la energa de enlace del core est determinada
por la interaccin electrosttica entre l y el ncleo y reducida por:
Apantallamiento electrosttico de la carga nuclear debido a todos los
otros electrones (incluyendo a los electrones de valencia).
Remocin o adicin de carga electrnica como un resultado de los
cambios se alterara el apantallamiento.
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Remocin de la carga electrnica de valencia
Incremento de B.E.
Aumento de la carga electrnica de valencia
disminucin de B.E.

Pag. 16

CICATA-ALTAMIRA
Corrimientos qumicos: xido vs. metal

Energa de enlace es menor
debido al incremento del
apantallamiento de los ncleos
por los electrones 2s.
2p6
Energa de enlace es mayor

debido a que los electrones 2s
del Li son cedidos al oxgeno.
Espectro XPS
Usualmente los corrimientos qumicos son pensados como un

efecto del estado inicial (i.e. el proceso de relajacin son
similares en magnitud para todos los casos)
Los corrimientos qumicos son

una herramienta poderosa para
identificar ambientes qumicos,
estados de oxidacin y grupos
funcionales.
Corrimiento qumico para el Ti 2p

al pasar de Ti a Ti4+
Wencel De La Cruz

Pag. 17

CICATA-ALTAMIRA
Tabla III: Energas tpicas para el C 1s de muestras orgnicas
Tabla IV: Energas tpicas para el O 1s de muestras orgnicas
Ejemplos de corrimientos qumicos
Wencel De La Cruz

Pag. 18

CICATA-ALTAMIRA
Espectro de alta resolucin de la Arsenopirita
Wencel De La Cruz

Pag. 19

CICATA-ALTAMIRA
Corrimientos qumicos
Wencel De La Cruz

Pag. 20

CICATA-ALTAMIRA
Corrimientos qumicos
Se cuenta con base de datos en el NIST
http://srdata.nist.gov/xps/
Hay muchas opciones y puedes escoger la que ms te guste!!!
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Pag. 21

CICATA-ALTAMIRA
Calibracin de las energa
Instrumentacin
Analizador de electrones
Analizador hemisfrico
concntrico (CHA)
Analizador de espejos
cilndricos (CMA)
1. Estos analizadores deben de trabajar a resolucin constante para XPS.

2. Tambin pueden trabajar a resolucin variable, pero no se usa para XPS.
Wencel De La Cruz

Pag. 22

CICATA-ALTAMIRA
Resolucin baja
Resolucin media
Intensidad Normaizada
Intensidad (U.A.)
Influencia de la resolucin del analizador

en la forma e intensidad del pico
1.0
0.8
0.6
Resolucin baja
0.4
Resolucin media
Resolucin alta
Resolucin alta
0.2
295
290
285
280
275
295
Energa de enlace (eV)
290
285
280
275
Energa de enlace (eV)
Espectro de XPS del pico de C1s (muestra de BC)
Satlites de la fuente de rayos-X

Tabla VI: energas e intensidades de los satlites de rayos -X
Intensidad relativa a k1,2
100
Mg
Al
10
1300
1500
Energa (eV)
Wencel De La Cruz

Pag. 23

CICATA-ALTAMIRA
Fuentes monocromticas
Para Al K
Usando los planos (1010) de
Un cristal de cuarzo tenemos:
`Ventajas de usar fuente de rayos-X monocromticos:

Ancho de picos XPS delgados
Reduce el background
No hay picos satlites en XPS ni picos fantasma
XPS de una muestra de SiO2 usando una fuente de Al k
Radiacin no
Monocromtica
Radiacin
Monocromtica
Wencel De La Cruz

Pag. 24

CICATA-ALTAMIRA
Anchos de lnea y resolucin

Experimentalmente, poder discernir entre tomos que tienen
un pequeo corrimiento qumico est limitado por el ancho
del pico, el cual depende de:
1) El ancho intrnseco de los niveles iniciales y el tiempo
de vida del estado final (EP).
2) El ancho de lnea de la radiacin incidente (EF).
3) El poder de resolucin del analizador de electrones (EA).
E = E A2 + E F2 + E P2
Tabla V: Energas y anchos de las lneas de rayos-X
Ms comunes
Wencel De La Cruz

Pag. 25

CICATA-ALTAMIRA
Variacin de la fuente de rayos-X
Mtodos analticos
Convolucin
Cmo podemos obtener espectros XPS de alta resolucin?

Deconvolucin
Wencel De La Cruz

Pag. 26

CICATA-ALTAMIRA
Seccin 3
Prdidas de energa electrnica (background)
Atenuacin del electrn: dispersiones inelsticas
Modelo interpretativo: QUASES
Diferentes picos en un espectro XPS
Perfil de profundidad
Prdidas de energa electrnica (background)

Origen del background
Los fotoelectrones pierden
energa por chocar con los
plasmones (volumen y
superficies) y por producir
cualquier excitacin de los
niveles en la banda de
valencia.
Por qu es importante estudiar el background?
Por que se puede obtener informacin de la profundidad y
distribucin lateral de los elementos, utilizando la
metodologa desarrollada por Sven Tougaard.
Wencel De La Cruz

Pag. 27

CICATA-ALTAMIRA
Background:
dispersiones inelsticas
Tougaard desarroll un
procedimiento de ajuste a la
cola inelstica, la cual da
informacin de la
morfologa de las capas
superficiales. Tal como, el
recubrimiento, alturas de
partculas (o pelculas)
Anlisis de espectros XPS usando QUASES

La cuantificacin tradicional por XPS asume que:
El rea de anlisis es homognea.
La concentracin atmica superficial es directamente
proporcional a la intensidad del pico.
Para una mayor exactitud en la cuantificacin se debera
tener en cuenta la intensidad del pico, la forma del pico y la
energa del background.
En XPS los electrones detectados resultan de dos
procesos:
Los electrones intrnseco (los fotoelectrones).
Los electrones extrnsecos (los fotoelectrones
dispersados inelsticamente).
Los electrones extrnsecos dependen fuertemente de la
profundidad a la que fueron emitidos y de la distribucin lateral.
La figura muestra un clculo terico de la porcin extrnseca
del espectro 2p de Cu, como una funcin de la posicin y
distribucin de los tomos de Cu en una cierta matriz.
Wencel De La Cruz

Pag. 28

CICATA-ALTAMIRA
Formalismo matemtico para la

descripcin de un espectro XPS
Nmero de electrones por segundo, por tomo y por unidad de energa emitidos en ngulo slido
Concentracin atmica a una profundidad x
Espectro medido
J(E, ) =
1
i 2s (E E 0 )
dx f(x) e x (s) / cos
dE 0 F( E 0 , ) ds e
2
( s) =
K(T) e
isT
Prdida de energa del electrn
dT
Camino libre medio inelstico de

los electrones en el slido
Seccin eficaz de dispersin inelstica
S. Tougaard, Surface and Interface Analysis 11, 453 (1988).

S. Tougaard and H.S. Hansen, Surface Interface Analysis 14, 730 (1989).
S. Tougaard, J. Electron Spectroscopy 52, 243 (1990).
F ( E, ) =
donde
1
P1
P1
'
'
J ( E, ) dE J ( E, ) ds exp[ i 2s( E E )](1 P( s ) )
P( s) = dx f ( x ) exp
( s)
cos
P1 = dx f ( x ) exp
i cos
Para encontrar F(E,) primero se deben evaluar (s), P1 y P(s).
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Pag. 29

CICATA-ALTAMIRA
Para una muestra homognea
Superficie
SUSTRATO
f(x) = c ,
P(s) = c cos/((s))
P1 = ccos
F (E , ) =
1
'
'
'
J (E , ) dE J E , K E E
c cos
E
) (
Algoritmo de sustraccin de Background por Tougaard

Tambin puede ser utilizado para determinar si una muestra es homognea
Para el caso de nanopartculas

DX = Valor medio de las alturas
de las partculas
SUSTRATO
SUSTRATO
Nanopartculas
cf
f (x ) = 1
0
DX
SUSTRATO
DX
SUSTRATO
DX
P1 = c f 1 cos 1 exp

cos
P(s ) = c f1
Wencel De La Cruz
DX (s )
cos
1 exp
s
cos
(
)

para 0 < x < DX

para DX < x <
Sustrato
c (1-f1 ) para 0 < x < DX
f (x ) =
para DX < x <
c
f1 es la fraccin recubierta de la
superficies con valores entre 0 y 1

Pag. 30

CICATA-ALTAMIRA
Parmetros necesarios para el

anlisis
K, ,
Camino libre medio inelstico de los

electrones que provengan de la seal de
inters.
Seccin eficaz de dispersiones
inelsticas.
El ngulo entre el analizador y la
normal de la muestra.
Proponer
una
distribucin
en
profundidad de los tomos presentes en
la muestra.
(s ) = FFT (K )
Proponer una f(x)
1
P1
P(s )
P
FFT 1 1
P(s )
F (E )
NO
M.E.K.P. ~ 0
Terminar
Seccin eficaz de dispersin

inelstica (K)
Las secciones eficaces son obtenidas de mediciones de
prdidas de energa electrnica por reflexin (REELS).
La deconvolucin de las dispersiones mltiples se realizan a
partir de la siguiente expresin:
L
K ( E0 Ei m ) jl ( Em )E
+L
m =1
i 1
L
K ( E0 Ei ) =
+L
jl ( Ei )
jl ( E0 )E
Donde
jl ( E0 )E = Ap = rea del pico elstico
Wencel De La Cruz

Pag. 31

CICATA-ALTAMIRA
Diferentes picos en espectros XPS
1)
2)
3)
4)
5)
6)
7)
8)
Picos de Fotoemisin
Picos Auger
Picos debido a Satlites de Rayos-X
Picos Fantasmas de Rayos-X
Picos debido al shake-up
Picos por divisin de multiplete
Picos debido a prdidas de energa por plasmones
Picos y bandas de valencia
Picos debido a Satlites de Rayos-X
Wencel De La Cruz

Pag. 32

CICATA-ALTAMIRA
Picos Fantasmas de Rayos-X
Picos debido al shake-up
Niveles
desocupados
Niveles de
valencia
Wencel De La Cruz

Pag. 33

CICATA-ALTAMIRA
Picos por divisin de multiplete
Picos debido a prdidas de energa por plasmones
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Pag. 34

CICATA-ALTAMIRA
Espectros en la Banda de Valencia

Adems de los niveles internos mostrados en los espectros XPS, la regin de
baja energa de enlace del espectro (0-35 eV) contiene informacin de la
banda de valencia.
Mtodo general para la identificacin de los picos

1) Identificar los picos C1s, O1s, C(KLL), O(KLL) ya que son los ms
sobresalientes en un espectro XPS si las muestras no han sido
preparadas en forma in-situ. Recuerde identificar los picos debidos a
los satlites y los debidos a prdidas de energa.
2) Identifique las otras lneas intensa en el espectro (utilice el manual de
XPS) recuerde tener presente los picos debido a los satlites de rayos-x.
Realice una tabla con las posiciones en energa de los picos menos
intensos. Tenga presente que puede haber interferencia de los picos
ms intensos con algunos otros elementos, por ejemplo: para el C1s el
Ru3d; para el O1s el V2p y el Sb3d; para el O(KLL) el I(MNN) y
Cr(LMM); para el C(KLL) el Ru(MNN).
2) Identifique los picos de menor intensidad que te hagan falta identificar,
asumiendo que estos picos son los ms intensos de elementos
desconocidos. Los pequeos picos que no se puedan identificar pueden
ser picos satlites.
3) Observe que las separaciones debidas a los doblete de spin sean las
correctas (para los picos p, d y f) y, que el cociente entre los dobletes
del pico p es sea de 1:2; de los d sea de 2:3; y de los f sea de 3:4.
Wencel De La Cruz

Pag. 35

CICATA-ALTAMIRA
Perfil de profundidad
Material
erosionado
Se asume una velocidad

constante de erosin
Erosin con iones de Ar+
Tiempo de erosin
Concentracin
rea del pico
Anlisis por XPS
rea del pico
Anlisis por XPS
Tiempo de erosin
Profundidad
Calibracin de la escala de profundidad:

A partir de la velocidad de erosin, obtenida del tiempo que
se tarda en erosionar una capa del mismo material, la cual
tenga un grosor conocido.
A partir de medidas de perfilometra de la profundidad del
crter dejado por la erosin.
Wencel De La Cruz

Pag. 36

CICATA-ALTAMIRA
Perfil de profundidad con rotacin de la muestra

Iones: 4 kV
Muestra en reposo
Ancho de la interfaz
Cr/Si = 23.5 nm
Iones de
alta energa
Muestra
Iones de
alta energa
Iones: 4 kV
Muestra en rotacin
Cr/Si = 11.5 nm
Iones: 500 V
Muestra en rotacin
Cr/Si = 8.5 nm
Muestra
Iones de
baja energa
Muestra
Factores que afectan un

perfil de profundidad
Factor instrumental
Adsorcin de los gases residuales.

Redepsitos de las especies erosionadas.
Impureza en el haz de iones.
Intensidad no uniforme del haz de iones.
Dependencia en el tiempo de la intensidad del haz.
Caractersticas de la
muestra
Efectos inducidos
por la radiacin
Wencel De La Cruz
Informacin de profundidad (IMFP).

Rugosidad original de la superficie.
Estructura cristalina y defectos.
Erosin preferencial y rugosidad inducida.
Implantacin de los iones primarios (Ar+)

Mezcla atmica.
Rugosidad inducida.
Erosin preferencial y descomposicin del
compuesto.
Difusin y segregacin.

Pag. 37

CICATA-ALTAMIRA
Daos inducidos por los rayos - X
Para muestras sensibles

se deben hacer las
mediciones al menos
dos veces para ver si
hubo algn dao en la
muestra.
Seccin 4
Compensacin de cargas
Anlisis de reas pequeas e imagen
Variaciones angulares
Parmetro Auger
Sistemas XPS en Mxico
Wencel De La Cruz

Pag. 38

CICATA-ALTAMIRA
Compensacin de la carga
Fotoelectrones
Electrones Auger
Electrones secundarios
Background
Para metales u otras muestras

conductoras son aterrizadas al
sistema.
Rayos-X
Muestra
Los electrones se mueven

continuamente a la superficie
para compensar a los electrones
perdidos en la regin de la
superficie.
Carga superficial no-uniforme
Muestra
Ensanchamiento de los picos!!
Wencel De La Cruz

Pag. 39

CICATA-ALTAMIRA
Tcnicas para referenciar la energa de

enlace en muestras aislantes
Tomar ventaja de los contaminantes basados en carbono
- Contaminacin del ambiente.
- Contaminacin de bombas de aceite.
- Adicionar ciclohexano.
A menudo se utiliza una energa de enlace de 285 0.2 eV
u otro pico de la muestra con posicin bien conocida.
Tcnicas de compensacin de cargas

Usando un can de electrones de baja energa
Filamento
ptica de los
electrones
Wencel De La Cruz

Pag. 40

CICATA-ALTAMIRA
Anlisis de reas pequeas e imagen con XPS
Fotoelectrones
Fotoelectrones
Apertura del
analizador
Rayos -X
Rayos -X
Muestra
rea de anlisis determinada por el analizador
Wencel De La Cruz
Apertura del
analizador
Muestra
rea de anlisis determinada por tamao
del haz de rayos -X

Pag. 41

CICATA-ALTAMIRA
Tcnicas de imagen por XPS

(1) - Moviendo el portamuestra
- Imagen: Posicin x,y vs. la
intensidad de los fotoelectrones
Resolucin: 50 m.
Tamao pequeo de los rayos-X
(2) - Usando placas para el barrido

- Imagen: Voltajes Vx,Vy de
barrido Vs. Intensidad de los
fotoelectrones.
Resolucin: 10 m.
(3) - Usando un arreglo de detectores

- Imagen: Posicin x,y del detector
vs. la intensidad de los
fotoelectrones
Resolucin: 3 m.
Wencel De La Cruz
Detector MPC

Pag. 42

CICATA-ALTAMIRA
Ejemplos de imagen por XPS
Variaciones angulares
Puede aprovecharse la sensibilidad angular de deteccin para obtener
informacin no destructiva de profundidad
Este anlisis est limitado a capas muy delgadas
Para valores pequeos de la contribucin
principal del espectro es de la muestra de Si
Para valores mayores de se vuelve sustancial la
contribucin de la capa de xido
Wencel De La Cruz

Pag. 43

CICATA-ALTAMIRA
Parmetro Auger
El parmetro Auger (insensible al efecto de carga electrosttica) fue
definido como
=Ek+EB-h
Ek: Energa cintica del pico Auger ms intenso

EB : Energa de enlace del pico XPS ms intenso
Algunas limitaciones del XPS
XPS no detecta Hidrgeno.

Requieren ultra alto vaco.
Las muestras generalmente son slidos.
Para muestras aislantes debe neutralizarse la
carga acumulada.
Wencel De La Cruz

Pag. 44

CICATA-ALTAMIRA
Aplicaciones
rea de
aplicacin
Informacin disponible
Corrosin y
oxidacin
Identificacin elemental; oxidacin; composicin qumica en el

proceso
Metalurgia/
tribologa
Identificacin elemental; anlisis de aleaciones; estudio de

recubrimientos
Adhesin
Enlace entre pelcula y sustrato; cambios qumicos durante la

adhesin
Catlisis
Identificacin de las especies intermedias formadas; estado

de oxidacin de especies activas
Semiconductores
Caracterizacin de recubrimientos de pelculas delgadas e

interfaces; identificacin de xidos nativos
Superconductores
Estados de valencia; estequiometras, estructura electrnica
Sistemas XPS en Mxico

CCMC-UNAM
IICO
*
CINVESTAV
**
IPN
IMP
IIM-UNAM
IF-UAP
UAM-IZTAPALAPA
Wencel De La Cruz

Pag. 45

Xps Cicata Altamira

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PRIMERA SEMANA DE CIENCIA, TECNOLOGA Y CULTURA

Centro de Nanociencias y Nanotecnologa de la UNAM.

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Electrn fotoemitido O1s

X-ray Photoelectron Spectroscopy

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9 Identificacin elemental y estados

Ilustracin del proceso de fotoemisin para el Ni 3p donde los tomos de O 2p

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Referencia para la energa de enlace

Sistema de Ultra Alto Vaco (<10-9 Torr)

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Los valores de separacin de un doblete

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Electrones Auger inducidos por los rayos-x

La K.E. es independiente de la energa de los rayos-X.

Profundidad de informacin en XPS

Para una longitud de

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Profundidad de informacin en XPS

As, la profundidad de informacin (3) ser aproximadamente

No es correcto hablar de una curva Universal para los IMFP, ya

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Camino Libre Medio Inelstico (IMFP o IMFP)

E : Energa del electrn (eV)

Eg: Ancho de energa prohibida (eV)

Ep: Energa del plasmn (eV.)

Anlisis Cuantitativo por XPS: I

donde: Ii = intensidad de un pico p de fotoemisin para un elemento i.

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Cmo medir la intensidad de un pico de fotoemisin?

Altura del pico

rea del pico

Error del 15% usando los

Debe incluir correcciones de prdida

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Funcin Respuesta de un Analizador

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Seccin eficaz de fotoionizacin (i ) de Scofield

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Ii = El error principal que se comete durante la medicin de

i = Valores calculados tericamente (se desconoce su

i = el error estimado puede ser de hasta un 50%.

Asimetra de las picos de emisin

es una constante para cada nivel de energa.

La ecuacin anterior implica la existencia de un ngulo mgico de 54.7

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