Sunteți pe pagina 1din 49

INTRODUCERE

Un amplificator este un circuit capabil sa mareasca amplitudinea semnalului aplicat la


intrarea sa. Un amplificator bun trebuie sa fie liniar, n sensul ca trebuie sa amplifice toate
formele de unda prezente la intrare n acelasi mod, adica sa multiplice amplitudinea fiecareia
cu un numar constant, care reprezinta cstigul amplificatorului. Unui amplificator i se spune
de tensiune daca amplifica tensiunea; de curent daca amplifica curentul, sau de putere daca
amplifica puterea.
Amplificarea electrica se bazeaza pe proprietati electrice de material, iar cea
electronica

se bazeaza pe modificarea intensitatii unui curent de electroni prin

variatia tensiunilor aplicate unor electrozi de comanda (grile).


In amplificatoarele reale semnalele sunt distorsionate, adica forma semnalului de
iesire difera de forma de unda a semnalului de intrare. Performantele unui
amplificator sunt apreciate prin caracteristici si parametri care se refera la:
distorsiunea formei de unda a semnalelor;
marimea amplificarii in putere, tensiune sau curent;
stabilitatea functionarii amplificatorului;
sensibilitatea la zgomotele exterioare;
zgomotele interne;

natura dispozitivelor si regimul de functionare al acestora, structura interna,


numarul de etaje etc.

Este important ca valorile unor parametri sau forma unor caracteristici sa se modifice
ct mai putin la schimbarea componentelor, la variatia tensiunii surselor de alimentare
sau a conditiilor de mediu.

1.

CAPITOLUL I. NOTIUNI GENERALE PRIVIND AMPLIFICATORUL


AUDIO.
1.1.

Descrierea problemei.

O caracteristic a tendinelor actuale de evoluie a echipamentelor de tehnologia informaiei


este convergena tehnologiilor. Nevoile de mobilitate i de conectivitate au determinat pe de o
parte reducerea dimensiunilor calculatoarelor portabile simultan cu creterea duratei de
utilizare prin alimentarea de la acumulatorul intern, pe de alt parte creterea vitezei de
conectare la internet prin infrastructura reelelor de telefonie mobil.
Problema privind amplificatorul audio a aparut din necesitatea oamenilor care solicita
calitate inalta, avansata. Nu este suficienta puterea terminalelor mobile pentru a reda
un sunet de calitate, muzica calitativa.
1.1.1. Descrierea parametrilor terminalelor mobile.
Terminalele mobile moderne, precum telefoanele inteligente si tabletele, ofer functionalitti
din ce n ce mai complexe. Le utilizm zilnic n activitti ce variz de la divertisment la
ndeplinirea sarcinilor profesionale. Cu toate c dispozitivele mobile dobndesc o
functionalitate si o putere de procesare tot mai mare, considerm c va creste si rolul unei
infrastructuri mai puternice, care s amplifice capacittile portabilelor. Trecnd n revist cele
mai avansate progrese tehnologice, observm faptul c att dezvoltatorii, ct si cercettorii
studiaz modalitti de a accesa, de pe terminale mobile, resurse din Cloud, din infrastructura
de calcul local, precum si din alte portabile.
Accentul activittii noastre este pus pe definirea unui spatiu de explorare destinat
operatiunilor de offloading si pe utilizarea acestuia n evaluarea empiric si analitic a unor
astfel de mecanisme pentru dispozitive portabile. n primul rnd, consultm eforturile curente
de cercetare n materie de offloading folosind dispozitive mobile si propunem un Model si o
Taxonomie General de Offloading.
2.

De asemenea, propunem un Spatiu de Explorare care ilustreaz noi mecanisme de offloading,


precum si oportunitatea explorrii unui spatiu de proiectare.
n al doilea rnd, propunem un model pentru volumul de lucru destinat aplicat,iilor sociale,
att la nivel macro - numrul de utilizatori - ct si la nivel micro - operatiile pe care le
comand utilizatorii.
Colectm proiectii din mii de jocuri gzduite de platforma Facebook si din mai multe aplicatii
mobile native, si le folosim pentru a caracteriza si modela diverse elemente din modelul
volumului de lucru. n plus, demonstrm maniera n care modelul nostru poate fi utilizat
pentru a genera volume de lucru sintetice si pentru a ajuta dezvoltatorii s nteleag efectele
pe care modificrile din aplicatiile lor le pot avea asupra volumului de lucru.
n al treilea rnd, desfsurm o analiz comparativ a mecanismelor de offloading pentru
diverse aplicatii mobile. Investigm Adaptarea si Offloadingul Comunicatiei n cazul
aplicatiilor pentru terminale mobile ce utilizeaz extensiile hardware personalizate, precum si
Adaptarea si Offloadingul Calculului pentru aplicatii bazate pe bucle de procesare. Mai
propunem si o analiz operational viznd descrierea mecanismelor de offloading pentru
aplicatii bazate pe bucle de procesare care, potrivit modelului nostru pentru volumul de lucru,
includ aplicatii sociale online. n al patrulea rnd, efectum evaluarea performantelor pentru
diverse mecanisme de offloading. Prezentm rezultate ale evalurii empirice pe baza unei
aplicatii din lumea real, ale evalurii analitice bazat pe analiza operational propus de noi
si le comparm pentru a le demonstra validitatea. Offloadingul pentru terminalele mobile este
si va continua s fie o tem de larg interes, dat fiind faptul c suntem nconjurati de
dispozitive personale interconectate. Am gsit, n comunitatea stiintific, un puternic interes
pentru modelul volumului de lucru propus de noi, ceea ce ne determin s figurm
mbunttiri viitoare, care vor rafina modelul si i vor permite s acopere mai multe aplicatii,
cu o mai mare precizie. De asemenea, considerm c spatiul de explorare propus de noi poate
continua s serveasc drept baz pentru diverse evaluri empirice, att cu ajutorul aplicatiilor
reale, ct si al simulrilor.

3.

1.1.2. Descrierea castilor performante.


Problema alegerii castilor potrivite pare foarte simpla la prima vedere, toata lumea are
macar o pereche de casti in casa, fie de la telefon, fie de la mp3 player sau si le-a luat sa
asculte muzica. Cind, insa, se pune problema sa alegi o pereche de casti pentru un home
studio, alegerea se face foarte greu, daca nu ai posibilitatea sa asculti inainte mai multe
modele si sa alegi apoi ce ai nevoie, ce iti place.

Castile pentru un home studio trebuie sa indeplineasca cateva conditii, dupa care vei face
alegerea. Sunt casti inchise sau deschise, asta inseamna ca la cele inchise, cum sunt si cele
de DJ, nu se aude zgomotul din afara, sunt atifonate, intr-o anumita limita. Si nici afara nu se
aude ce muzica asculti. Cele deschise, permit trecerea sunetului din afara si auzi ce se
intampla in jurul tau, dar si afara se aude ce muzica asculti.
Aspectul acesta te intereseaza cand vrei sa interpretezi mai multe instrumente care sa le
inregistrezi pe rand pe computer, cand faci overdubbing. Ce asculti in casti redat de
computer, nu ar trebui sa capteze si microfonul cu care inregistrezi actuala interpretare. In
acest caz ai nevoie de casti inchise. o pereche de casti de DJ, nu cele mai scumpe neaparat,
isi fac foarte bine treaba. Aici te intereseaza o calitate a sunetului relativa; adica sa sune ok,
dar fara pretentii foarte mari, ideea e sa te ajute sa inregistrezi noua interpretare, adica
la overdubbing. Apoi pentru a asculta mai precis cum suna, instrumentul singur, sau in mix,
folosesti monitoarele de studio sau castile celalalte, deschise.
4.

Castile deschise, nu ai nevoie de ele pentru ca sunt deschise, insa de multe ori acestea suna
mai bine, multi recomanda deschise daca vrei sa sune bine spre excelent. De ele ai nevoie
daca nu ai monitoare de studio si mixezi doar in casti, precum si daca ai monitoare de studio
dar te ajuti de casti pentru a monitoriza pe doua variante mixul, casti si monitoare.
Un alt aspect important in munca de studio, este confortul oferit de casti pe termen lung.
Daca le iei pe cap si le simti confortabile, e foarte bine, dar testul se face dupa mai multe ore
de stat cu ele pe cap. Daca le tii 3-5 ore pe cap, asculti, si nu sunt obositoare nici urechilor ca
sunet, nici fizic ca purtare, ai ales bine.
Cele antifonate, de DJ, preseaza mult pe cap si nu sunt asa de confortabile, insa pe termen
scurt sunt OK, mai ales ca DJ-ul le foloseste pe termen destul de scurt asculta, apoi le da
jos, iar asculta, iar le da jos nu sta cu ele 3 ore, cum vei sta tu cand vei lucra la un mix.
Castile mai pot fi alese si dupa un alt criteriu constructiv: circumaurale, supra aurale,
sau in ureche.
Cele circumaurale se aseaza pe cap inconjurand intregul lob al urechii externe, ceea ce in
general le face mult mai confortabile in sesiunile lungi de utilizare.
Cele supra aurale se aseaza direct pe urechea externa, presand pe ea cei care poarta
ochelari, dupa un timp este foarte probabil sa le fie incomod, deoarece urechea e prinsa intre
casca si rama ochelarilor, sau/si cap. Este cazul auditiilor lungi; pe termen scurt, pana
inregistrezi un instrument pentru o piesa, nu deranjeaza.
Castile de tip in ureche (in-ear), in afara de cele scumpe profesionale, sunt mai mult
pentru portabilitate, pentru ascultat la mp3-player, telefon, etc. Calitatea este slaba in cele mai
multe cazuri, nu sunt confortabile pe termen lung, si multi oameni se plang ca le ies singure
din ureche daca intorci capul intr-o directie, cade usor casca, sau daca nu cade, iese putin si
nu le mai auzi la fel. Nu recomand astfel de casti pentru home studio.
Ar mai fi o discutie despre impedantele castilor, dar nu vreau sa intru in detalii care nu te
ajuta cu foarte mult. Am sa mentionez ca pentru casti de 250-600 ohmi vei avea nevoie de un
amplificator de casti mai performant, mai puternic. Cele mai multe casti sunt de 32 ohmi,
acestea le poti folosi si pe portabile, si pe placi de sunet, etc.

5.

Daca poti, asculta si compara cateva perechi de casti inainte sa dai banii. Toate datele
tehnice palesc in fata testului audio: suna bine sau nu suna bine. Doar nu osa iei casti ca sa te
uiti toata ziua la datele lor tehnice, ci sa asculti muzica :).
Ale detalii de care poti sa tii cont, sunt: mufe, cabluri, suport, greutate.
E bine sa fie usoare, sa ai un suport pe care le pui cand nu le folosesti, sa aiba un cablu de
2-3 metri, nu de un metru si ceva (chiar daca trebuie sa ii porti de grija sa nu il prinzi cand te
misti cu scaunul), pentru ca de obicei placa de sunet sau amplificatorul, daca optezi pentru
varianta asta, e mai departe de locul unde o sa folosesti castile, si ai nevoei sa te si misti putin
pe langa acel loc.
Multe casti pentru studio sau DJ vin cu mufa jack de 6.3mm, si au adaptor pentru mufa de
3.5mm; daca nu au, e bine sa ai tu, ca nu se stie cine vine la tine in studio si are un player cu
mufa de 3.5mm, asa cum e bine sa ai si adaptor invers, in caz ca vine cu castile sale ce au
mufa jack de 3.5mm si tu ai mufa de iesire de 6.3mm. Ambele tipuri de adaptoare sunt utile,
chiar cate doua de fiecare. Sculele din home studio-ul tau vor avea majoritatea mufa de 6.3
mm pentru casti.
Interfata audio (placa de sunet).

6.

Interfetele actuale din comert, sunt tot mai ieftine si tot mai calitative.
Majoritatea celor potrivite pentru home studio, sunt cu conexiune pe USB, sau fireire, au
intrari de linie, instrument, microfon deopotriva dinamic sau condensator, cu phantom
power, atit pe mufa XLR (canon), cit si phono (jack de 6.3 mm), au iesire de casti, iesire
de linie, eventual si balansata, au intrare si iesire MIDI (desi multe din controller ele
MIDI de azi vin pe USB si nu mai ai nevoie sa folosesti interfata audio pentru a le conecta),
au intrare si iesire digitala S/PDIF.

1.1.3. Cerinte pentru proiectarea amplificatorului audio de putere.


Scopul proiectului este de proiectat un amplificator de putere pentru casti, ce va
permite marirea puteri senmalului la intrarile in micro - boxele castilor, fiind alimentat
de la o sursa de curent externa.
Parametri principali ai amplificatorului audio de putere sunt:
1. Puterea nominala pe sarcina Ps (W)
2. Rezistenta de sarcina 4 ()
3. Rezistenta de intrare 20 (K)
4. Cistigul in tensiune 65 db
5. Banda de frecventa - 20ghz/25khz.

Sursa de alimentare va asigura urmatorii parametri:


1. Curentul maxim 1200(mAh)

2. Tensiunea de alimentare este 9V 10%.

7.

Fig.1. Schema generala a amplificator de putere.

1.2.

Clasele de amplificatoare de putere si caracteristicele lor.

Clasificarea amplificatoarelor se poate face dupa mai multe criterii:


a) Dupa frecventa semnalelor, amplificatoarele pot fi impartite in:
amplificatoare de curent continuu (c.c.) - amplifica semnale avnd o
variatie arbitrara si orict de lenta, dar pot sa lucreze si cu semnale de
curent alternativ de joasa frecventa.
amplificatoare de curent alternativ (c.a.). - au in structura cuplaje care nu
permit trecerea componentelor curentului continuu.
Dupa domeniul frecventelor semnalelor amplificatoarele se clasifica in:
amplificatoare de audiofrecventa cu banda cuprinsa intre zeci de Hz si zeci de
KHz; sunt considerate ca amplificatoare de joasa frecventa;
amplificatoare de videofrecventa cu banda de la aproximativ 20 Hz la 30 MHz;
amplificatoare de radiofrecventa care sunt destinate amplificarii semnalelor cu
frecvente mai mari de 100 KHz.

8.

Daca se tine cont de latimea benzii de frecventa, amplificatoarele de curent alternativ


se impart in:
amplificatoare de banda ingusta;
amplificatoare de banda larga.
Primele au banda mica in raport cu frecventa centrala din banda, iar cele de banda
larga au banda comparabila cu frecventa centrala.
b) Dupa natura sarcinii cuplata la iesirea amplificatorului, amplificatoarele sunt:
aperiodice - ce au sarcini neselective (amplificatoare de audiofrecventa si
videofrecventa);

selective (acordate) la care banda ingusta se obtine pe seama raspunsului


circuitului rezonant.

c) Dupa natura marimii amplificate, amplificatoarele se impart in:


amplificatoare de tensiune,
de curent si de putere.
d) Dupa nivelul semnalului, amplificatoarele se impart in:
o amplificatoare de semnal mic - caracterizate printr-o dependenta liniara a
semnalului de iesire de semnalul de intrare, inct pentru analiza lor pot fi
utilizate modele liniare pentru dispozitivele electronice, modele ce considera
parametrii constanti cu valori determinate in punctul static de functionare;

9.

o amplificatoare de semnal mare caracterizate printr-o dependenta neliniara a


semnalului de iesire de semnalul de intrare, iar la analiza si proiectarea lor se
folosesc familii de caracteristici de terminal si metode grafo - analitice.
e) Dupa clasa de functionare, amplificatoarele se impart in urmatoarele clase de
amplificatoare:
A,
B,
AB,
C.
Clasele de functionare sunt de fapt, regimuri de lucru ale amplificatoarelor ce depind
de pozitia punctului static de functionare si de amplitudinea semnalului.
Observatie. Exista si alte clase de functionare. De exemplu, amplificatoarele (etajele)
selective de putere lucreaza in clasele C, S si D.
Clase de functionare
n functie de pozitia punctului M0 si de amplitudinea semnalului un tranzistor poate lucra ntrunul din urmatoarele regimuri, numite clase de functionare: A, AB, B sau C.
Presupunem ca tranzistorul este conectat ca n figura 2. (conexiune EC). La intrarea
tranzistorului se aplica semnalul sinusoidal vbe = Vbesin t. Pe caracteristica de intrare se vede
ca o mica tensiune sinusoidala aplicata n baza (vbe) determina cresterea curentului de baza
(ib); curentul de baza determina la rndul lui cresterea curentului de colector (ic) (vezi pe
caracteristica de iesire).
10.

Folosind modelul liniarizat al caracteristicii de transfer IC= IC(VBE), sunt reprezentate relatiile
grafice semnal - raspuns, corespunzatoare celor patru clase de functionare. Semnalul vbe,
suprapus tensiunii de polarizare VBE din punctul mediu M0, este redat pe durata unei perioade
a sa, T = 2/.

Fig. 2. Amplificator EC, caracteristici de intrare iesire.

Curentul iC, care constituie raspunsul amplificatorului, are o forma specifica pentru fiecare
clasa de functionare, forma caracterizata de parametrul numit unghi de taiere (unghi de
deschidere) notat cu si definit ca jumatatea intervalului (t, t + T) pe care raspunsul
instantaneu la semnalul sinusoidal de perioada T este nenul. Unghiul de deschidere depinde
att de pozitia lui M0 ct si de amplitudinea semnalului.
- Functionarea n clasa A se caracterizeaza prin = 180o. Punctul M0 se plaseaza, prin
alegerea polarizariiVBE, pe caracteristica n portiunea centrala liniara, iar semnalul trebuie sa
aiba o amplitudine relativ mica. Clasa Ase distinge prin coeficient de distorsiuni neliniare d
redus, dar si printr-un randament redus. Prin sarcina circula curentul chiar si n lipsa
11.

semnalului. Este specifica functionarii tranzistorului bipolar n etaje audiofrecventa de semnal


mic.

- Functionarea n clasa AB se caracterizeaza printr-un unghi cuprins ntre 90o si 180o.


Se trece din clasa A n clasa AB daca se mareste semnalul sau/si se deplaseaza punctul M0
catre cotul caracteristicii. Ca urmare se mareste dar si d. Tranzistoarele din etajele de
audiofrecventa ca si cele de radiofrecventa de semnal mare simetrice (unde raspunsul nu
contine practic armonici pare) functioneaza de regula n aceasta clasa.

12.

Fig. 3. Relatiile grafice semnal-raspuns corespunzatoare celor patru clase de functionare.

Functionarea n clasa B se obtine cnd M0 se plaseaza chiar n cotul caracteristicii de


transfer, deci cndVBE = VBE(on).
Rezulta = 90o.

- Functionarea n clasa C se caracterizeaza prin < 90o si implica VBE < VBE(on).
Clasele B si C, furniznd un raspuns sub forma de impulsuri, deci cu spectru intens de
armonici, nu sunt proprii functionarii tranzistorului din amplificatoarele AF. Datorita
randamentului ridicat (de pna la 80%) si posibilitatii de filtrare a armonicilor nedorite, n
clasele B si C lucreaza tranzistoarele din circuitele de radiofrecventa, cum sunt
amplificatoarele de putere si multiplicatoarele de frecventa.
Amplificatorele care functioneaza n una din clasele AB, B sau C, au n circuitul de sarcina,
circuite selective acordate pe frecventa de lucru. Din acest motiv distorsiunile produse ca
urmare functionarii n impulsuri a etajelor amplificatoare, nu constituie un impediment n
utilizarea lor.

13.

Fig.4. Reprezentarea comparativa a functionarii amplificatorului n clasele A, AB, B si C.

Figura 4 prezinta comparativ durata de conductie ntr-o perioada, a semnalului sinusoidal n


diferitele clase de functionare ale amplificatoarelor. Aici, suprafetele n care tranzistoarele nu
conduc sunt marcate prin hasuri.
Randamentul amplificatoarelor n functie de clasa de amplificare n care functioneaza se
poate stabili relativ usor. Valorile medii sunt:
n clasa A; ~ 25%.
n clasa B; ~ 75%.
n calsa AB; ~ 30 - 70%.

n clasa C; > 75%.

14.

1.3. Revista Amplificatoare de putere.


Amplificatoarele de putere se caracterizeaza prin faptul ca lucreaza cu semnale mari,
astfel nct sa se obtina o putere utila ct mai mare ntr-o sarcina data.
Pies
Amplificarea in putere AP = Pin .

De regula sarcina este constituita dintr-un releu, servomotor sau difuzor, ceea ce face ca
rezistenta pe care se debiteaza putere sa fie cuprinsa ntre 1 Q si 100 H. Domeniul
caruia i apartine puterea utila se ntinde de la sute de miliwati pna la sute de wati.
Este evident ca pentru a obtine aceste puteri, punctul de functionare va avea excursii
relativ mari, lucru care are trei consecinte:
calculul nu mai poate fi facut cu parametrii de semnal mic, deoarece acestia sufera

variatii importante;
ntruct punctul de functionare intra n regiunile neliniare, sau n domeniile

lor adiacente, trebuie impus un grad de distorsiuni admisibil;

exista riscul de a scoate tranzistorul din regiunea n care lucreaza stabil, ceea ce
poate duce la distrugerea acestuia.

La aplicatiile care necesita comanda unui releu sau servomotor, distorsiunile nu constituie
un criteriu limitativ (ca de exemplu la amplificatoarele de audiofrecventa, unde se
urmareste o redare ct mai fidela a programelor, nregistrarilor etc).
Un alt criteriu de clasificare este dupa conexiunea n care lucreaza tranzistoarele de
putere. Astfel, conexiunea EC are posibilitatea de a da amplificarea n putere cea mai
mare.

15.

Fig. 5. Delimitarea ariei efective de lucru.

Conexiunea BC ofera o amplificare n putere ceva mai mica (circa 25-30 dB, fata de
35-40 dB n cazul conexiunii EC), dar prezinta avantajul unui comportari mai bune cu
frecventa. Aceasta o face utila n aplicatiile la care trebuie furnizata o putere nsemnata la
frecvente mari.
Conexiunea CC, desi are amplificarea n putere cea mai mica (n jur le 15-20 dB), este
utilizata destul de des din doua motive :
are o rezistenta de iesire foarte mica, ceea ce uneori face inutil transformatorul de
iesire, sarcina fiind legata direct;
gradul de distorsiuni este redus, datorita reactiei negative locale.
Prezinta totusi dezavantajul ca avnd amplificarea n tensiune subunitara, necesita la intrare
semnale cu amplitudine mare.
In cele ce urmeaza se va considera cazul amplificatoarelor de putere in conexiune EC si una
din chestiunile care trebuie abordate este delimitarea n planul caracteristicilor a suprafetei
efective de lucru, conform figurii 1.

16.

Astfel, aria este delimitata n primul rnd de hiperbola de disipatie PdM - icUcE (se
presupune ca puterea disipata n jonctiunea emitor-baza este neglijabila fata de cea a
jonctiunii colector-baza). Dupa cum s-a aratat, puterea disipata maxima depinde de
temperatura, ceea ce explica translatia hiperbolei pe pozitia punctata, la o crestere a
temperaturii ambiante (n cazul utilizarii unui radiator, are loc o translatie n sens invers).
A doua delimitare se face prin dreapta de saturatie, care este locul n care se despart
curbele, la tensiuni uCE mici.
Inversul pantei acestei drepte este proportional cu rezistenta de saturatie a colectorului, care
este constituita n cea mai mare masura din rezistenta de volum a materialului colectorului. I,
a tranzistoarele de putere ea trebuie sa fie ct mai mica posibil (la cele construite pe siliciu
este de ctiva ohmi, iar la cele pe germaniu, de fractiuni de ohm).
A treia limitare apare la curenti mari de colector, unde valoarea lui (3 scade att de mult nct
amplificarea devine neglijabila. Aceasta se traduce prin tesirea (taierea) vrfurilor sinusoidei
amplificate. La unele tipuri de tranzistoare acest fenomen apare dupa depasirea curentului de
colector maxim admisibil.
In al patrulea rnd, se delimiteaza aria prin acelasi fenomen de aplatizare a vrfurilor (de jos,
de data aceasta) ale sinusoidei, care apare prin reducerea parametrului

la intrarea

tranzistorului n taiere. In fine, mai trebuie considerata valoarea maxima admisa a tensiunii,
pentru a evita distrugerea prin strapungere a tranzistorului care este maximul raportului dintre
puterea data n sarcina si puterea data de tranzistor n timpul functionarii cu semnul.
1.3.1. Puterea maxima de iesire in regim sinusoidal.
Sa neglijam deocamdata caderea de tensiune pe rezistentele din emitor si sa consideram in
plus ca tranzistoarele au o tensiune de saturatie nula. in aceste conditii, potentialul iesirii
poate evolua intre VA si +VA. Cit de mare poate sa fie amplitudinea unei sinusoide care sa
evolueze intre aceste limite? Din Fig. 2 a) se constata ca aceasta amplitudine este chiar VA.

17.

Fig.2. Tensiunea de iesire sinusoidala de amplitudine maxima posibila (a) si aparitia


distorsiunilor de limitare in cazul in care potentialul de repaus nu este stabilit la zero (b), sau
amplitudinea depaseste valoarea maxima.
Pentru a obtine aceasta,

Daca punctul de functionare nu a fost stabilit corect, sinusoida sufera distorsiuni de limitare
(desenul b al figurii). Distorsiuni de acelasi tip apar intodeauna cand amplitudinea sinusoidei
depaseste valoarea VA, asa cum se vede in desenul c). in consecinta, limita superioara a
puterii semnalului sinusoidal (nedistorsionat) care poate fi produs pe sarcina este determinata
de valorile tensiunilor de alimentare. Aceasta limita are valoarea

(1)
Daca notam cu Valim tensiunea totala intre firele de alimentare (V alim =+VA (VA) = 2 VA in
cazul de care ne ocupam acum), puterea maxima se scrie ca

(2)

18.

1.3.2. Randamentul amplificatorului in contratimp.


Puterea calculata mai sus este puterea utila maxima (debitata pe sarcina ), in conditii ideale.
Daca tensiunea de iesire nu are amplitudinea maxima ci numai VA, cu 1, puterea utila este

(3)
Incercam acum sa calculam puterea medie consumata de la sursele de alimentare. Pe
semialternanta pozitiva curentul curge de la sursa pozitiva prin tranzistorul NPN si sarcina,
avand o dependenta de timp

(4)
Acest curent este debitat de sursa sub tensiunea constanta VA, asa ca puterea medie pe
semialternanta pozitiva este

(5)
Pe semialternanta negativa curentul este absorbit de la sarcina prin tranzistorul PNP spre
alimentarea negativa si are aceeasi dependenta de timp. Rezulta ca si pe semialternata
negativa vom avea aceeasi putere medie absobita, de data aceasta de la sursa de alimentare
negativa. In consecinta, puterea medie consumata de la surse este

(6)

19.

Randamentul amplificatorului este dat de raportul intre puterea utila (care este furnizata
sarcinii) si puterea consumata (absorbita de la sursele de alimentare), avind valoarea

(7)

Dar aceasta amplitudine nu poate creste decit pina la VA, altfel apar distorsiuni de limitare.
Avem, astfel, o valoarea maxima a randamentului pentru tensiune de iesire sinusoidala
nedistorsionata. Punand = 1 in formula precedenta, obtinem aceasta valoare maxima ca
fiind

(8)
Pentru proiectant este mult mai important sa stie raportul intre puterea disipata pe tranzistoare
si puterea utila, pentru a putea estima puterea disipata si a dimensiona radiatoarele. In
conditiile in care este valabila relatia precedenta, acest raport este

(9)
Pentru a face o comparatie cu amplificatorul in clasa A prezentat la inceputul capitolului, la
14 W putere utila, amplificatorul in contratimp disipa pe tranzistoare aproximativ 3.8 W,
adica 1.9 W pe tranzistor. In cazul amplificatorului in clasa A, pe tranzistorul final se disipa
56 W numai in repaus, cu semnal puterea disipata fiind inca si mai mare.

20.

Nu trebuie sa uitam ca randamentul din relatia, numit, pentru simplitate, in toate textele,
randamentul amplificatorului in contratimp, este randamentul obtinut cu semnal sinusoidal
maxim, nedistorsionat. In plus, el este calculat in niste conditii foarte idealizate. Mai intai sa presupus ca tensiunea de saturatie a tranzistoarelor este nula; la curenti mari aceasta
depaseste chiar 1 V, asa ca amplitudinea semnalului la iesire nu ajunge la VA. Un alt lucru pe
care l-am neglijat este curentul de repaus al tranzistoarelor, amplificatoarele practice lucrand
in clasa AB. De asemenea, o pierdere suplimentara de putere are loc pe rezistentele din
emitoare, care au fost introduse pentru asigurarea stabilitatii termice. In concluzie, valoarea
randamentului din relatia precedenta nu este atinsa niciodata.
Randamentul maxim, pentru un etaj anumit, se obtine si se masoara la un semnal de iesire de
amplitudine maxima, inca nedistorsionat.

Amplificator audio de 3w cu TDA1015


n continuare v prezint schema unui amplificator audio de mic putere, care poate fi
alimentat de la 4,5 volti curent continuu, pn la 18 V DC (maxim). Acest amplificator se
bazeaz pe TDA1015, produs de NXP Semiconductors vechiul PHILIPS Semiconductors.
TDA1015 este un amplificator operaional, conceput special pentru radio portabile i aplicaii
de nregistrare i ofer pn la 4 wati ntr-o impedan de 4 ohmi.
Acest amplificator este potrivit pentru folosire ca amplificator portabil putnd fi alimentat de
la bateria de masin sau poate fi folosit n aplicaiile audio unde este necesar folosirea unui
amplificator.

21.

Fig. 6. Schema amplificatorului audio cu semiconductorul TDA1015.

Amplificator audio cu tranzistor BC547


Amplificator de AF prezentat aici furnizeaza la iesire pana la 250mW si potre fi utilizat de
exemplu ca amplificator final pentru aparatele de radio. Schema este simpla: un tranzistor
BC547 comanda un amplificator de putere echilibrat (in contratimp) realizat cu BC337 si
BC327.
Curentul de repaus este stabilit de diodele D1 si D2. Datorita simplitatii circuitului, curentul
de repaus variaza cu temperatura. Acest neajuns poate fi observat indeosebi cand
tranzistoarele de iesire se incalzesc mai puternic decat diodele. In acest caz trebuie fie sa se
reduca puterea la iesire, fie ca tranzistoarele finale sa se monteze pe radiatoare termica.
O alta solutie ar reprezenta-o inserarea unor rezistente de 0.47 in circuitele de emitor ale
tranzistoarelor de iesire. Amplificarea este determinata de valorile lui R1 si R3 si de cea a lui
P1. Cu valorile indicate in schema si in functie de reglajul lui P1, amplificarea este de 15.

22.

Sensibilitatea la intrare corespunzatoare unei puteri la iesire de 250mW pe 8 si unei


amplificari de 15 este de circa 95mV. In aceasta situatie circuitul absoarbe un curent de
aproximativ 180 mA.

Fig. 7. Schema aplificatorului cu tranzistor.

1.3.3. Tranzistoare compuse (dubleti).


Desi nu apare in formula amplificarii de tensiune a repetorului, factorul al tranzistorului
este important deoarece de el depinde curentul necesar pentru excitarea etajului de
putere. Din pacate, tranzistoarele de medie si mare putere au factorul de valoare mica
(de ordinul zecilor). Solutia o reprezinta utilizarea unor tranzistoare compuse din doua
tranzistoare, numite si dubleti.

23.

Tranzistoarele din varianta prezentata in Figura de mai sus a) sint legate in conexiune
Darlington, dubletul fiind echivalent cu un tranzistor NPN care are factorul egal cu
produsul factorilor individuali. Cum tranzistorul T1 este unul de putere mai mica, el are
factorul mare.
Tensiunea de deschidere a acestui tranzistor compus este insa dubla fata de a unui
singur tranzistor, fiind aproximativ 1.2 V. De asemenea, tensiunea sa de saturatie este mai
mare, depasind 0.6 V.
Dubletul, asa cum a fost desenat, actioneaza ca un tranzistor lent, deoarece tranzistorul T1
nu poate bloca rapid tranzistorul T2, neputand descarca spre masa capacitatea sa dintre
baza si emitor. Deficienta este inlaturata prin adaugarea unui rezistor intre baza si emitorul
lui T2, desenat punctat in figura. In plus, acest rezistor nu permite curentului rezidual al lui
T1, (care este de nanoamperi pentru tranzistoarele de mica putere dar ajunge la sute de
microamperi pentru cele de mare putere) sa deschida tranzistorul T2.

24.

Din acest motiv, valoarea acestei rezisten\e este de cativa k in dubletii de mica putere si
de sute de in dubletii de putere mare. In afara amplificatoarelor de putere, dubletii
Darlington mai sunt utilizati in stabilizatoare de tensiune si repetoare pe emitor cu
impedanta de intrare foarte mare.
Conexiunea din desenele b) si c) este cunoscuta sub numele de "Darlington
complementar" , "super G" sau Sziklai. Dubletul din desenul b) este echivalent cu un
tranzistor NPN cu factorul de amplificare egal cu produsul factorilor individuali. Tensiunea
de deschidere este acum egala cu aceea a unui singur tranzistor, dar tensiunea de saturatie
continua si ramine mare. Din aceleasi considerente ca la conexiunea Darlington, este bine
sa se conecteze un rezistor intre baza si emitorul tranzistorului T2. Trebuie sa observam ca
acest tip de dublet "schimba tipul tranzistorului de putere: in desenul b) tranzistorul T2
este PNP iar dubletul este echivalent cu un tranzistor NPN. Utilitatea dubletului super G se
bazeaza in special pe aceasta proprietate: din considerente tehnologice, tranzistoarele de
mare putere NPN sant mai usor de realizat decit cele PNP si atunci, in etajele in
contratimp, tranzistorul PNP este inlocuit cu un dublet super G, ca in desenul c), in timp ce
pentru tranzistorul NPN se utilizeaza un dublet Darlington.

25.

CAPITOLUL II. PROIECTAREA AMPLIFICATORULUI AUDIO PENTRU


TERMINALELE MOBILE DE REPRODUCERE A SEMNALULUI AUDIO.
2.1. Schema structurala a amplificatorului.
Amplificator de putere pentru chitare electrice - schema electrica

Functie: Amplificator de putere pentru chitare electrice.


Functionare: Amplificatorul de putere pentru chitare electrice este bazat pe un amplificator
de 60W, dar si-a diversificat functiile pentru a se potrivi cu preamplificatorul.
De asemenea a fost modificat pentru a furniza mai multa putere- nu la standardele unui
amplificator cu valve, dar ceva mai bun decat un amplificator cu tranzistori clasic.
Daca, calea de iesire ar fi scurtcircuitata, o tensiune mult mai mare decat cea normala de 7 V
ar aparea pe rezistoarele de 1Ohm . Acest lucru ar pune in functiune cel mai apropiat
tranzistor, care inchide intreg circuitul. Acest lucru nu este tocmai placut dar salveaza calea
de iesire de la distrugere.
Circuitul este proiectat in asa fel incat sa nu functioneze sub orice conditii normale, ci sa
limiteze curentul de iesire la aproximativ 8.5A.

26.

Schema electrica pentru antena radio activa AM/FM/SW

Functie: Antena radio activa AM/FM/SW


Functionare: Acest circuit arata o antenna active care poate fi folosita pentru AM/FM, si
pentru unde scurte(SW). Pe unde scurte aceasta antenna active poate fi folosita la 10 metri de
antenna-fir. L1 poate fi folosita pt aceasta antenna. O bobina de 470uH poate fi folosita
pentru unde de frecventa maijoasa(AM). Pentru unde scurte se poate folosi o bobina de 20uH.
Unitatea poate fi alimentata de o baterie de 9V.
Aplicatii: receptoare care folosesc antene-fir precum radiourile de masina.

27.

2.2. Proiectarea amplificatorului.


Amplificatorul audio de putere este un aparat care realizeaza amplificarea puterii semnalului
acustic preluat dintr-un etaj intermediar. Amplificatorul de semnal este unul din cele mai
importante aparate dintr-o linie de sonorizare, de calitatea acestuia depizind in mod essential
calitatea sunetului final.
Amplificatorul de putere se limiteaza la functia de amplificare in putere si trebuie sa aiba un
nivel al distorsiunilor cit mai redus.
Termenul de amplificator este foarte comun. In general, scopul unui amplificator este de a
prelua un semnal de intrare si de a-i creste amplitudinea. Exista multe tipuri diferite de
amplificatoare, fiecare cu un anumit scop.
Acest topic isi propune sa prezinte principalele aspect ale proiectarii amplificatoarelor audio
de putere. Se porneste de la o tema de proiectare ce stabileste schema bloc a amplificatorului
si principalii parametric ai amplificatorului, apoi se realizeaza proiectarea etajului final, pilot
si diferential.
Pentru proiectarea amplificatorului audio din figura de mai jos vom porni de la urmatoarele
ipoteze:
Rezistenta de sarcina Rl = 32 Ohmi;
Tensiunea de iesire variabila in domeniul 0 5 V v-v.
Tensiunea de intrare variabila in domeniul 0 350 mV.
Amplificatorul are rolul de a asigura o tensiune corespunzatoare pe R L la curentul de sarcina
cerut IS_efectiv. Amplificatorul audio se va utilize pentru reproducerea domeniului de frecventa
cuprins intre f0min = 20 Hz si f0max = 20 kHz.
Solutie:

Unde 0,35II reprezinta coeficientul care face legatura dintre o valoare virf la virf si una
efectiva a unei tensiuni electrice sinusoidale.
28.

Deoarece IS_efectiv cerut de sarcina RS = 32 Ohmi este mai mare ca valoarea curentului nominal
al unui amplificator operational de tipul NE5532 data de catalog atunci vom realize un
amplificatory final ca cel din figura de mai jos.

Amplificatorul din figura de mai sus este un amplificator clasa B. La iesirea amplificatorului
final se conecteaza sarcina de 32 Ohmi.
Tensiunea de alimentare a amplificatorului trebuie sa satisfaca urmatoarea relatie pentru a
permite variatia tensiunii in plaja mai sus mentionata:
29.

(10)

Unde Vv-v este tensiunea virf la virf pe iesirea amplificatorului final (data initial) iar V SAT
reprezinta tensiunea de saturatie a unui transistor final (Q1 si Q2).
In cazul de fata avem:

(verifica)

Am ales o tensiune de alimentare simetrica de +/- 15Vcc pentru a obtine o tensiune pe sarcina
cu distorsiuni armonice reduse (<0,1%).
Pentru determinarea valorii componentelor amplificatorului final, se procedeaza astfel:
a) Determinarea curentului maxim din emitoarele tranzistoarelor finale:

(11)
Vom avea:

(12)
b) Adoptam initial VR4 = VR5 = 0,7V, atunci rezulta:

(13)
Se va adopta valoarea nominalizata R4 = R5 = 2,20 hmi, 10%.
Puterea disipata de rezistentele R4 si R5 va fi:

30.

(14)
Se vor adopta rezistente de 0,5W.
c) Calculul puterii disipate de tranzistoarele finale Q1 si Q2:

(15)

Alegerea tranzistoarelor Q1 si Q2 se face tinind cont de VCC, IQmax si PD_Q. Din catalog vom
adopta BD135 si BD136 cu urmatoarele specificatii: VCC = 45 V, IQmax = 1,5A si PD_Q = 12,5
W, caracteristici care sunt peste cele determinate.
Deoarece PD_Q1 = PD_Q2 >1,25W, tranzistoarele Q1 si Q2 necesita fiecare cite un radiator de
aluminiu, profil U, de dimensiuni reduse.
d) Determinarea valorii rezistentelor R1 si R7:

(16)
Din catalog vom citi hFe ul tranzistoarelor BD135 si BD136, de unde vom alege o
valoare medie necesara in calculi. Este indicat totusi ca aceasta valoare sa fie cit mai
apropiata la cele doua tranzistoare asta pentru a permite o distributie egala a puterii
disipate si obtinerea unor distorsiuni reduse la I.

(17)

31.

Vom adopta o valoare normalizata apropiata de 5,1 Ohmi, 10 %.


Puterea disipata de aceste rezistente va fi:
PR1 = PR7 = 0, 039W. deci, vom adopta rezistente de 0,25W STAS.
e) Alegerea diodelor D1 si D2. Aceste diode trebuie sa fie diode rapide (de comutatie) cu

VRRM > 50 V. Pentru simplitate dar si pentru a evita utilizarea unor diode diverse, vom
alege 1N4148.
f) Determinarea condensatoarelor de by-pass C1, C2, C5 si C6. Aceste condensatoare se

adopta din diverse tabele sau astfel:

(18)
Unde IAO este curentul tipic consumat de un amplificator operational din capsula
circuitului integrat NE5532.
Vom adopta doua condensatoare electrolitice de 220 uF, 25V, 10%.
Capacitatile C2 si C6 se adopta de 100nF 63 V normalizat.
g) Determinarea valorii componentelor din bucla de reactie.

Cunoscind valoarea virf la virf a tensiunii de intrare si iesire a amplificatorului din


figura de mai sus, putem aplica formula binecunoscuta:

(19)
Se considera R8 = 0,47 5kohmi. Vom alege R8 = 470Ohm, 100% iar rezistenta R9 se
determina inlocuind valoarea rezistentei R8 in relatia de mai sus, rezulta:

(20)
32.

Voi adopta o valoare nominalizata de 6,2kOhmi, 10%, 0,25W.


Valorile capacitoarelor se determina cunoscind f max si f min din figura de mai
sus. Aceste frecvente reprezinta limita inferioara si superioara a domeniului de
frecventa ce se doreste amplificat. Vom avea:

(21)
Se aplica formulele:

(22)
Se adopta valori normalizate de 22mF si 1nF.
h) Determinarea rezistentei R3 si a potentiometrului de pe intrarea amplificatorului final.

Valoarea potentiometrului R2 de pe intrare se adopta in functie de valoarea


condensatorului C3. De regula C3 = 0,47 10mF. Vom adopta C3 = 2,2mF, rezulta:

(23)
Vom adopta un potentiometru simplu, liniar, normalizat de 5kOhmi.
Rezistenta R3 are rolul de a impiedica cuplarea directa a intrarii neinversoare a
amplificatorului la masa. Se conecteaza optional. De regula, se adopta R3 = 0,2* R2 =
1kOhmi, 0,25W.
i) Determinarea valorii componentelor R6 si C4, a filtrului Boucherot, de pe iesirea

amplificatorului.
33.

Condensatorul C4 se determina cu relatia:

(24)
Unde:
VCEO reprezinta tensiunea caracteristica a tranzistoarelor finale de tipul BD135 si
BC136. Din catalog extragem VCEO = 45 V;
tf perioada de timp in care curentul se anuleaza printr-un transistor final la f max, Uzual
se considera:
(25)
Rezulta:
(26)
Vom adopta un condensator normalizat de 270nF, 10%, X2, 100VAC.
Rezistenta R6 se determina cu relatia:

(27)
Puterea disipata de rezistorul R6.

(28)

Vom adopta o valoare normalizata de 120 Ohmi, 10%, 0,6W.


j) Puterea nominal a amplificatorului pe sarcina de 32 Ohmi:
34.

(29)

2.3. Elaborarea plachetei.


Realizarea plachetelor semiconductoare
Din lingoul de siliciu cristalin se obin plachetele (wafers) pe care prin tehnologii specifice
urmeaz a se realiza dispozitivele electronice i circuitele integrate.
Succesiunea principalelor operaii de obinere a plachetelor.
a) debitarea plachetelor - dup obinerea lingoului de siliciu monocristalin acesta va fi
decupat n discuri subiri ce vor reprezenta plachetele (wafers). O modalitate de debitare a
plachetelor este aceea care se face cu ajutorul unui ferstru diamantat. Dac se ia n
considerare eliminarea capetelor de lingou i polizarea, rezult c din lingou se elimin n
total 50% la 60% .

b) tratament termic - operaia de debitare a plachetelor creeaz tensiuni mecanice n cristal.


Eliminarea acestor tensiuni i relaxarea cristalului se obine printr-o cretere lent a
temperaturii plachetelor pn la 600...700C.

35.

Prin acest tratament termic de recoacere, atomii obin suficient energie proprie pentru a se
reaeza n isturile cristaline. Se obine n acelai timp diminuarea efectului atomilor de
oxigen (de tip donor) i se stabilizeaz rezistivitatea.
c) polizarea marginilor (debavurarea) - dup tiere, pe marginile plachetelor rmn bavuri ce
trebuie eliminate. Se realizeaz n acelai timp i o rotunjire a muchiilor, pentru a uura
manipularea plachetelor n cursul procesului de fabricaie. Prin aceasta se evit degradarea
dispozitivelor de prindere i se suprim amorsele de fisuri.
d) selecia plachetelor n funcie de grosime - dup debitare, grosimile plachetelor pot fi
sensibil diferite. Pentru reducerea timpului de polizare plachetele se triaz n game de grosimi
e) acoperirea plachetelor cu o suspensie de alumin i polizarea - pentru a ameliora starea
suprafeelor, plachetele sunt polizate cu ajutorul unei soluii ce conine n suspensie granule
de alumin de dimensiuni micronice.
f) curirea - aceasta etap are rolul de a elimina produsele abrazive i substanele
contaminante, prin splare cu solveni i ap deionizat.
g) atacul chimic al plachetelor - n cursul etapelor parcurse de plachete, acestea formeaz la
suprafa un strat de oxid care conine impuriti. Aceste impuriti sunt fie particule metalice
i pot fi eliminate cu soluii acide, fie substane organice ce pot fi eliminate folosind soluii
bazice. Se obine n acest fel o suprafa neutr din punct de vedere chimic, naintea polizrii
"oglind".
h) deteriorarea feei inferioare - partea util a plachetei (n care se vor crea componentele
electronice) se gsete foarte aproape de suprafaa superioar.
Se urmrete realizarea unei caliti maxime a materialului n aceast zon, att sub aspectul
gradului de puritate (atomi strini), ct i ai defectelor cristalografice (macle, dislocri, etc).

36.

n acest scop se creeaz intenionat defecte pe faa inferioar, prin sablaj sau bombardament
laser.

Aplicnd ulterior un tratament termic, impuritile de pe faa activ a plachetei vor migra prin
substrat spre faa inferioar i vor fi captate de defectele create n aceast parte, acestea
oferind stri energetice favorabile fixrii atomilor. Acest fenomen este numit efectul "getter".
i) selecia n funcie de grosime - prin operaia precedent se modific grosimile plachetelor.
Se face o nou selecie n game de grosime.
J) prelucrarea final a suprafeei - aceast prelucrare tip "oglind" poate fi efectuat mecanic
sau mecano-chimic. Se urmrete eliminarea zgrieturilor i a micilor denivelri ale
suprafeei rmase de la operaiile anterioare. Operaia se efectueaz cu discuri abrazive
folosind o soluie abraziv cu granule foarte fine.
k) testarea rezistivitii plachetelor, selecia final n funcie de rezistivitate - formarea
loturilor ce urmeaz s se livreze beneficiarilor dup o selecie n funcie de rezistivitate.
Determinarea rezistivitii se realizeaz cu ajutorul a patru electrozi punctiformi care se
aeaz pe suprafaa plachetei.

37.

Prin doi dintre aceti electrozi se injecteaz un curent I n circuit, iar ntre ceilali doi electrozi
se msoar tensiunea UBC care ia natere. n funcie de configuraia electrozilor, se poate
determina prin calcul rezistivitatea plachetei. Atunci cnd electrozii sunt coliniari i
echidistani rezistivitatea se calculeaz cu relaia:

l) repararea/marcarea - se marcheaz pe lingou cu ajutorul unui fascicul laser: numrul


lotului n care s-a realizat, data fabricaiei. Prin aceste reperare este posibil urmrirea
plachetei de-a lungul ntregii linii de fabricaie.
m) curarea final n "camera alb- pentru a demara ansamblul etapelor ce formeaz
procedeul de fabricaie a circuitelor integrate, plachetele trebuie sa fie perfect curate (fr
grsime, fr particule de praf, etc). Curarea final se realizeaz n incinta cu condiii de
mediu perfect controlate ("camera alb").

38.

n) inspecia vizual - inspecia final se impune pentru a detecta variaiile de culoare,


zgrieturile, particulele de praf. Omul este la ora actual cel mai bun inspector.
El poate detecta vizual i n scurt timp variaiile de culoare, zgrieturile, particulele de praf cu
dimensiuni mai mici de un micron. Un sistem automat de control cu baleiaj optic al ntregii
suprafee a plachetei ar necesita deocamdat un timp de analiz mult mai mare dect cel
necesar unui operator uman antrenat.
o) testul de planeitate - planeitatea plachetelor este foarte important pentru operaiile
litografice la care acestea urmeaz s se supun. Exista n prezent dispozitive bazate pe
msurri optice (devierea unui fascicul laser), pentru testarea planeitii.
Plachetele semiconductoare sunt n continuare supuse la o serie de operaii dintre care se pot
sintetiza: impurificarea controlat i selectiv n mai multe etape, depuneri de straturi,
realizarea conexiunilor la pini, ncapsularea, testarea.
2.4. Protectia muncii la lucrari de proiectare si motare a echipamentului electronic.
Conform articolului 222 Direciile principale ale politicii de stat n domeniul proteciei
muncii sunt urmatoarele:
a) asigurarea prioritii privind pstrarea vieii i sntii salariailor;
b) emiterea i aplicarea actelor normative privind protecia muncii;
c) coordonarea activitilor n domeniul proteciei muncii i al mediului;
d) supravegherea i controlul de stat asupra respectrii actelor normative n domeniul
proteciei muncii;
e)

sprijinirea controlului obtesc asupra respectrii drepturilor i intereselor legitime ale


salariailor n domeniul proteciei muncii;

f)

cercetarea i evidena accidentelor de munc i a bolilor profesionale;

39.

g) aprarea intereselor legitime ale salariailor care au avut de suferit n urma accidentelor
de munc i a bolilor profesionale, precum i ale membrilor familiilor lor, prin
asigurarea social obligatorie contra accidentelor de munc i bolilor profesionale;
h) stabilirea compensaiilor pentru munca n condiii grele, vtmtoare i/sau periculoase
ce nu pot fi nlturate n condiiile nivelului tehnic actual al produciei i al organizrii
muncii;
i) propagarea experienei avansate n domeniul proteciei muncii;
j) participarea autoritilor publice la realizarea msurilor de protecie a muncii;
k) pregtirea i reciclarea specialitilor n domeniul proteciei muncii;
l) organizarea evidenei statistice de stat privind condiiile de munc, accidentele de
munc, bolile profesionale i consecinele materiale ale acestora;
m) asigurarea funcionrii sistemului informaional unic n domeniul proteciei muncii;
n) colaborarea internaional n domeniul proteciei muncii;
o) contribuirea la crearea condiiilor de munc nepericuloase, la elaborarea i utilizarea
tehnicii i a tehnologiilor nepericuloase, la producerea mijloacelor de protecie
individual i colectiv a salariailor;
p) reglementarea asigurrii salariailor cu echipament de protecie individual i colectiv,
cu ncperi i instalaii sanitar-social, cu mijloace curativ-profilactice din contul
angajatorului.
2.5. Managementul retelei de comunicatii mobile.
Telecommunication Management Network este un model de protocol definit de ITU-T pentru
gestionarea unor sisteme deschise ntr-o reea de comunicaii. Acesta face parte din seria
M.3000 a recomandrii ITU-T i se bazeaz pe specificaiile de management OSI n
recomandrile ITU-T seria X.700 (figura 2.4.).
TMN ofer un cadru pentru realizarea de interconectri i comunicaii ntre sisteme eterogene
de operare i reelele de telecomunicaii. Pentru a realiza acest lucru, TMN definete un set de
puncte de interfa pentru elementele care efectueaz procesarea efectiv a comunicaiilor
(cum ar fi o central de procesare a apelurilor) pentru a fi accesate de ctre alte elemente,
cum ar fi staii de lucru de management, pentru monitorizarea i controlul acestora.
40.

Interfaa standard permite ca entitile de la diferii productori s fie ncorporate ntr-o reea
sub un control de management unic.
Pentru comunicarea ntre sistemele de management i NE (elemente de reea), se folosete
protocolul comun de gestionare a informaiilor (Common management information protocol CMIP) sau dispozitive de mediere, atunci cnd se folosete interfaa Q3.
Nivelul de management al afacerilor n comunicaii face analiza evoluiei (inclusiv cu
predicie financiar), a calitii, a aspectelor comerciale (direct implicate n modelul
facturare extins la nregistrarea i evaluarea tuturor evenimentelor din reea). Nivelul de
management al Serviciilor se ocup de crearea, administrarea i contorizarea serviciilor.
Nivelul de management al Reelei are funciile de alocare a resurselor distribuite: configurare,
monitorizare i control. Nivelul de management al Elementelor de Reea face comanda
nodurilor de reea transmiterea, colectarea i procesarea informaiilor (nregistrri) de stare
(inclusiv alarme) n vederea automatizrii mentenanei hardware i software.
TMN-ul prezint cinci funcii de baz: managementul erorilor (FM - Fault Management
detecie, nregistrare, raportare, izolare), managementul conturilor (AM Account
Management colectarea, salvarea i livrarea informaiilor de contorizare i de plat),
managementul performanelor (PM Performance Management, colectarea, salvarea i
livrarea datelor statistice de funcionare, n vederea optimizrii reelei), managementul
configuraiilor (CM Configuration Management instalarea echipamentului de reea, setarea
de parametri, configurarea capacitilor utilizate), managementul securitii (SM Security
Management administrarea funciilor de autorizare i de acces multiplu, protecia la
intruziune).
Datele oferite de sistemele de management al reelelor pot fi utilizate ulterior pentru
postprocesare n sisteme SPOTS (Suport, Planificare, Operare & mentenan i analiza
Traficului n Sistem) i pentru optimizarea serviciilor oferite abonailor.
Un protocol utilizat n TMN este SNMP. n utilizarea tipic a SNMP, exist o serie de sisteme
care sunt gestionate i unul sau mai multe sisteme de gestionare a acestora. O component
software numit agent ruleaz pe fiecare sistem gestionat i raporteaz informaiile, prin
intermediul SNMP la sistemele de gestionare.
41.

n esen, agenii SNMP expun datele de gestionare a sistemelor administrate sub form de
variabile (cum ar fi "memorie liber", "numele de sistem", "numrul de procesele", "ruta
default").
Configurarea i operaiunile de control sunt utilizate numai atunci cnd schimbrile sunt
necesare pentru infrastructura de reea. Operaiunile de monitorizare sunt de obicei efectuate
n mod regulat.
SNMP folosete un design extensibil, n care caz informaiile disponibile sunt definite n baze
de informaii de gestiune (management information bases - MIB). MIB-ul descrie structura
de gestionare a datelor unui subsistem al unui obiect; el utilizeaz un spaiu de nume ierarhic
care conine identificatori obiect (OID). Se poate spune c fiecare OID identific o variabil
sau un set ce poa te fi citit prin SNMP. MIB-ul utilizeaz notaia definit de ASN.1. n
domeniul telecomunicaiilor i al reelelor de calculator, Abstract Syntax Notation One
(ASN.1) este un standard de notaie flexibil, care descrie structuri de date pentru
reprezentarea, codificarea, transmiterea, precum i decodare datelor.

42.

ASN.1 este un standard comun ITU-T i ISO, iniial definit n 1984, ca parte a CCITT X.409:
1984. ASN.1 a primit propriul su standard, X.208, n 1988 (revizuit n 1995) din cauza
aplicabilitii largi., versiunea actual este seria X.680. Un subgrup adaptat ASN.1, Structura
de Management al Informaiei (SMI), este specificat n SNMP pentru a defini seturi de
obiecte legate de MIB; aceste seturi sunt numite module de MIB.
Un sistem de management de reea (SNM) execut aplicaii de monitorizare i control al
dispozitivelor gestionate. NMS-urile execut cea mai mare parte a prelucrrii i folosete cea
mai mare parte a resurselor de memorie necesare pentru gestionarea reelei.
Aceste date furnizate de sistemul TMN, prin intermediul serviciilor SPOTS, utiliznd
protocoale SNMP i Q3 vor fi utilizate ca date de intrare (opionale) pentru serviciul de
decizie de handover.

43.

CONCLUZII
Pentru a oferi servicii de comunicaii mobile este necesar cunoaterea reelelor prin care este
posibil realizarea acestor servicii. Calitatea serviciului, oferit utilizatorului, calitate pe care
o percepe acesta, SQE, depinde de mai muli factori, obiectivi i subiectivi.
Dintre acetia se pot enumera:
calitatea transmisiei oferit de reea;
calitatea informaiei oferit de ofertantul serviciului;
calitatea i accesibilitatea interfeei de comunicaie prin care se realizeaz serviciul;
coninutul informaiei oferite i adaptarea acesteia la necesitile clienilor etc.
Atita timp cit rolul circuitelor este numai si prelucreze informatia, curentii sunt de ordinul
mA - zeci de mA, puterile implicate fiind mici, de ordinul zecimilor de W. Tranzistoarele
utilizate sunt de mici putere (300 mW - 800 mW) iar rezistoarele au puterea nominala de 125
mW- 500 mW. Din acest motiv, nici nu ne intereseaza marimea amplificarii de putere pe care
o realizeaza circuitele iar informatiile asupra curentilor de intrare si de iesire se dau, de
obicei, prin intermediul impedantelor de intrare si, respectiv, iesire. Cand circuitele
electronice trebuie sa controleze sisteme fizice producand, de exemplu, sunete prin
intermediul difuzoarelor, lumina cu ajutorul becurilor cu incandescenta sau deplasari
mecanice cu actuatoare piezoelectrice sau servomotoare, puterile implicate sunt mult mai
mari, de zeci si sute de W. Curentii sunt, la rindul lor, mari, de ordinul zecilor de amperi; in
aceasta situatie, disipatia de putere pe tranzistoare si componentele pasive devine critica si
valorile puterilor trebuie calculate cu atentie. Amplificatoarele care realizeaza aceste functii
sunt numite amplificatoare de putere.
Ele pot fi usor recunoscute datorita capsulelor mari ale tranzistoarelor si prezentei
radiatoarelor cu dimensiuni ajungand uneori la zeci de cm, pe care sunt montate aceste
tranzistoare.

44.

N.B.: Oricare din etajele de baza cu tranzistoare amplifica (pe langa tensiune si/sau curent)
puterea semnalului de la intrare. Sintagma "amplificator de putere" trebuie inteleasa ca
"amplificator de putere mare" si se refera la amplificatoarele care furnizeaza la iesire puteri
de la cativa W la sute de W.

45.

BIBLIOGRAFIE
1. Bensky A. - Wireless Positioning Technologies and Applications, Artech House,
ISBN-13: 978-1- 59693-130-5, London, 2008.
2. Bogdan I.- Antene i propagare - Tehnici de determinare a poziiei utilizatorilor n
reele de comunicaii mobile, Casa de editur Venus, Iai, 2007.
3. El Kassis C., Picheral J., Mokbel C. - Advantages of nonuniform arrays using root
MUSIC.Signal Process, 2010, pag. 689695.
4. El Kassis C., Picheral J., Fleurz G., Mokbel C. - Direction of Arrival Estimation using
EMESPRIT with Nonuniform Arrays, Circuits Syst Signal Process, Springer Science Business Media, 2012.
5. Figueiras J., Frattasi S. Mobile Positioning and Tracking from Conventional to
Cooperative Techniques, Wiley( ISBN 978-0-470-69451-0), UK, 2010.
6. FilonenkoV., Cullen C., Carswell J. - Investigating Ultrasonic Positioning on Mobile
Phones, Proceedings of the 2010 International Conference on Indoor Positioning and
Indoor Navigation (IPIN), ETH Zurich, Switzerland, Campus Science City, September
1517, 2010.
7. Habib T. - A Survey on Location Systems for Ubiquitous Computing, Department of
Computer Science and Engineering, BRAC University, Dhaka, Bangladesh, 2007.
8. Haslett C. - Essentials of Radio Wave Propagation, Cambridge University Press,
ISBN-13 978-0- 511-37112-7, United Kingdom, 2008.
9. Moghtadaiee V., Dempster, A., Lim S. - Indoor Localization Using FM Radio Signals:
A Fingerprinting Approach, Proceedings of the 2011 International Conference on
Indoor Positioning and Indoor Navigation (IPIN), Guimares, Portugal, September
2123, 2011.
10. Sahinoglu Z., Gezici S., Guvenc I. - Ultra-wideband Positioning Systems Theoretical
Limits, Ranging Algorithms and Protocols, Cambridge University Press(ISBN-13 9780-511-43816-5), UK, 2008.
46.

11. Samama N.- Global Positioning Technologies and Performance, Wiley


Interscience(ISBN 978-0- 471-79376-2), Canada, 2008, pag. 309-342.
12. Miholc, C., Mrescu, N. Electronic pentru profiluri neelectrice, Editura MATRIXROM, Bucureti, 2003.
13. Brc Gleanu, S., Stoichescu, D.A., Constantin, P. Electronic de putere
Aplicaii, Editura Militar, Bucureti, 1991.
14. Bulucea, C. Circuite integrate liniare. Editura Tehnic, Bucureti, 1976.
15. Ceang, E. aimac, A., Banu, E. Electronic industrial, Editura didactic i
pedagogic, Bucureti, 1981.
16. Ceang, E. Tusac, I., Miholc, C., Electronic industriala i automatizri,
Universitatea din Galai, 1979.
17. Catalog de circuite integrate digitale, SANYO Electric Co.,Ltd. Semiconductor
Company TOKYO, http://www.sanyo.co.jp, JAPAN,2001.
18. Catalog de componente electronice FULL LINE PRODUCTCATALOG, VISHAY
INTERTECHNOLOGY, INC. 63 LincolnHighway, Malvern, PA 19355,
http://www.vishay.com, United States,2002.
19. Circuite integrate analogice, Catalog IPRS Bneasa, Bucureti, 1983.
20. Circuite integrate liniare, Catalog IPRS Bneasa, Bucureti,1981.
21. Constantin, P., Brc Gleanu, Electronic industrial (pentru subingineri), Editura
didactic i pedagogic, Bucureti, 1976.
22. Constantin, P., Creang, E., Buzuloiu, V., Rdoi, C., Neagoe,V. Electronic industrial,
Editura didactic i pedagogic, Bucureti, 1980.
23. Lupu, C. epelea, V., Purice, E., Microprocesoare Aplicaii, Editura Militar,
Bucureti, 1982.
24. Circuite integrate liniare vol. 3, Ed. Tehnium Bucuresti.
25. Miron C., Introducere n circuite electronice, Editura Dacia, Cluj-Napoca.
26. Dascalu D., s.a., Dispozitive si circuite electronice, Editura Didactica si Pedagogica
Bucuresti, 1982.
27. Oltean, G., Miron, C., Gordan, Mihaela, Hotoleanu, M., Dispozitive si circuite
electronice. ndrumator de laborator, II. Multiplicare UTCN, 1999.
47.

28. Miron,C., Oltean, G., Gordan, Mihaela, Dispozitive si circuite electronice, --Culegere de probleme, Editura Casa Cartii de Stiinta, Cluj-Napoca, 1999.
29. Lungu,S., s.a. - Electronica. Culegere de probleme Editura Casa Cartii de Stiinta,
Cluj-Napoca, 1993.
30. Dascalu,D., s.a. - Dispozitive si Circuite Electronice. Probleme, Ed. Didactica si
Pedagogica, Bucuresti, 1982.
31. Croitoru,V., s.a. - Electronica. Culegere de probleme, Ed.Didactica si Pedagogica,
Bucuresti, 1982.
32. Ciugudean, M., s.a. - Electronica aplicata cu circuite integrate analogice. Dimensionare., Editura de Vest, Timisoara,1991.
33. Ciugudean, M., s.a. - Stabilizatoare de tensiune cu circuite integrate liniare.
Dimensionare, Editura de Vest,Timisoara, 2001.
34. Electronics World, Nov. 1996, pag. 897 900.
35. http://www.tehnium-azi.ro/page/articole_articles/_/articles/surse-dealimentare/Surse_de_alimentare_liniare_pentru_amplificatoare_audio

48.

ANEXA NR. 1.
AMPLIFICATOR AUDIO DE 10W FORMAT ELECTRONIC
SIMULARE IN PROGRAMELE:
ELECTRONICS WORKBENCH V5.12;
EAGLE ( CABLAJ ).

49.