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Curso: Electrnica Analgica II

Informe de laboratorio II

Elaborado por: Joel Josu Bolaos Gonzlez


Lesther Salomn Borge Campos
Arnoldo Osmar Noguera Silva

Docente: Dora Ins Reyes Chvez

Carrera: Ingeniera Electrnica

Turno: Vespertino

Grupo: 3T2-Eo
Fecha: 17/05/2015

Introduccin

Durante asignaturas previas hemos estudiado el comportamiento del transistor BJT en sus
diferentes configuraciones ante pequea seal, as tambin como difieren los clculos tericos
con los resultados obtenidos mediante la prctica.
En este laboratorio se proceder a analizar parmetros adicionales del transistor los cuales son:
frecuencia de corte en alto (FH), frecuencia de corte en bajo (FL) con la finalidad de
determinar el comportamiento del transistor en sus diferentes configuraciones ante pequea
seal.

Objetivo
Determinar tericamente y mediante medicin las frecuencias FL y FH de un amplificador.

Desarrollo

Para llevar a cabo con xito el laboratorio se requiri la obtencin de FL y FH de forma terica
(anexados al final del informe) y se utilizaron los siguientes medios:

Osciloscopio X
Multmetro X
Fuente DC
Generador de funciones
Breadboard

As tambin se utiliz:
1) 560 (1/4 W)
2) 8.2K (1/4 W) 8
3) 2 resistores de 2.2K (1/4 W)
4) 1.8K (1/4 W)
5) 680 (1/2 W)
6) 2 Capacitores 470nF
7) 1 Capacitor 220F
8) Transistor 2N3904

Se procedi a construir el siguiente circuito:

Fig. 1.
Luego se procedi a completar la siguiente tabla con los resultados obtenidos:
Medidas
ABM
FL
FH

Valor
prctico
-17.53
38Hz
3.19MHz

Valor
terico
-109.62
179Hz
39Mhz

% Error
16%
21%
76%

Preguntas de repaso.
1) Qu pasara con la FH de su circuito si usted sustituye el transistor por otro con una
FT mayor?
c) No cambia ya que es independiente del transistor.
2) Si la resistencia de carga aumenta que pasa con la F H de su circuito:
a) Aumenta
3) Qu pasa con la FL si sustituimos el capacitor de 220F por uno de 10F?
b) Disminuye
4) Cul es la tendencia a seguir por la ganancia en la banda media si aumentamos el V CC?
b) Tiende a aumentar.

Conclusin
La construccin de un circuito que permita el anlisis de la respuesta en frecuencia de los
transistores nos facilita la comprensin de este fenmeno, a su vez, realizar el anlisis terico de

los transistores previo a la prctica de laboratorio permite la verificacin de los resultados


obtenidos; de tal forma nos permitir la comprensin de dispositivos y/o sistemas que
implementen transistores para conocer su funcionamiento, as tambin nos facilitara la
construccin de sistemas y/o dispositivos que los implementen.

Anexos

Malla
2.

Malla
1.

Fig. 2.
Se procede a realizar el anlisis DC para el circuito de la Fig. 1 obteniendo el circuito de la fig. 2.
Vth= 1.818 /(1.8+8.2) = 3.24V.
RTH= 1.88.2 / (1.8+8.2)= 1.47 K.

Realizando LKV en malla 1 y malla 2 obtenemos:


IE = (3.24V 0.7V) / (1476/ 201 + 680) = 3.69mA.
Vce = 18V 3.69mA(2880) = 7.37V.

Realizando el anlisis AC y cortocircuitando los capacitores en la figura 1 obtenemos:


Vi
+
Vo
-

Vi

Donde R1 = 610 , r2 = rb = 10, R3 = r = 1416.26, RL1 = R4 || R5.


Analizando el circuito encontramos que Vo = -gmRL1V, donde V = Vir/ (rb + r).
Vi = ViRth / (Rth+ R1).
Vi/Vi = Rth / (Rth+ R1) = 0.7076.
Vo = -gmVi (r/ (r+rb)) RL1.
Vo/Vi = - RL1/( rb/201 + re ) = -154.93.
Avm = Vo/Vi * Vi/Vi = -109.62.

Se procede a calcular FL y FH tomando en cuenta las capacitancias externas al transistor, dando


como resultado el siguiente circuito:

Fig. 3.
FL = WL/2 = 179Hz
WL = 1/c1 + 1/c2 + 1/c3 = 1,130.04 rad/seg
c2 = (R6 + R7)*C2 = 2.068ms
c1 = [R1 + Rth || (rb + r )]*C1 = 0.5861 ms
Utilizando fuente y corriente de prueba para encontrar c3 obtenemos lo siguiente:
c3 = [(Rth + rb + r ) / (1 + gm*(Rth + rb + r )]*C3 = 1.5498ms

Ahora procedemos a calcular FH, tomando en cuenta las capacitancias internas del transistor,
dando como resultado el siguiente circuito:

FH = WH / 2 = 39MHz
WH = 1/c1 + 1/c2 = 247,770,388rad/seg
c2 = (R4 || R5) * C2 = 2.2 E - 9
c1 = [(R1 || Rth + rb) || r ] * C1 = 3.806 E - 9