Clase 13

EL42A - Circuitos Electrnicos
Clase No. 13: Circuitos Amplificadores Lineales (1)
Patricio Parada
pparada@ing.uchile.cl
Departamento de Ingeniera Elctrica
Universidad de Chile
22 de Septiembre de 2009
P. Parada
Ingeniera Elctrica
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Contenidos
Introduccin
Amplificador Bipolar Lineal
Modelo Hbrido-
P. Parada
Ingeniera Elctrica
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Introduccin I
I
Hasta este momento nos hemos concentrado en la descripcin de la

operacin de circuitos con transistores, y en particular, en circuitos
que combinan un transistor (dos en casos muy especiales) con
elementos pasivos como resistencias y condensadores.
En este captulo vamos a concentrarnos en circuitos amplificadores

lineales para seales analgicas.
Un amplificador lineal es un sistema cuya salida puede ser descrita

mediante una transformacin lineal de la entrada, esto es
L[1 (t )x1 (t ) + 2 (t )x2 (t )] = 1 (t )L[x1 (t )] + 2 (t )L[x2 (t )],
para 1 , 2 C y algn instante de tiempo t . En otras palabras, ante
una entrada cualquier x(t ) entrega una salida y(t ) proporcional a la
entrada.
P. Parada
Ingeniera Elctrica
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Introduccin II
I
En el caso de un amplificador, esta constante de proporcionalidad es

mayor que 1 y recibe el nombre de ganancia de amplificacin.
Un amplificador lineal proporciona ganancia de potencia a la seal de

salida, lo cul resulta muy til en aplicaciones en comunicaciones,
radioastronoma, sistemas de deteccin, y en general, en cualquier
aplicacin que requiera instrumentacin electrnica.
P. Parada
Ingeniera Elctrica
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Caracterizacin de Circuitos Amplificadores I
En muchas aplicaciones asumiremos adems que las propiedades del

sistema no cambian en el tiempo, por lo que el sistema completo ser
LTI (lineal e invariante en el tiempo).
Esta suposicin nos permitir emplear algunas herramientas del mundo

de sistemas lineales, como representacin mediante transformadas y
nociones de estabilidad basada en criterios de ceros y polos, en el
mbito de circuitos electrnicos.
Cabe preguntarse bajo que condiciones debemos imponer sobre la

operacin del circuito para que estas hiptesis tengan validez?
P. Parada
Ingeniera Elctrica
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Caracterizacin de Circuitos Amplificadores II
La condicin ms natural que deberemos imponer dice relacin con la

operacin del circuito ante pequeas variaciones en torno a un punto
de operacin dado.
Por ello, nuestra primera labor ser determinar la representacin

equivalente para pequea seal de los transistores que hemos
presentado en el curso.
Otra herramienta que nos ser de utilidad es la curva caracterstica

de transferencia, pues ella nos permite caracterizar el funcionamiento
del circuito desde el punto de vista de voltajes de entrada y salida, en
lugar de hacerlo en funcin de voltajes y corrientes.
P. Parada
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Anlisis y Diseo de Amplificadores Lineales
Cuando uno analiza y disea un circuito amplificador se deben

considerar dos tipos de enfoques:
I
El anlisis DC (y diseo de polarizacin) porque el circuito involucra

fuentes de voltaje y/o corriente continua que energizan los dispositivos.
Anlisis (y diseo) dependiente del tiempo. Aqu, las opciones son
bastante ms amplias porque podemos emplear cualquiera de las
tcnicas de sistemas lineales conocidas.
Cmo podemos combinar los resultados de ambos enfoques? Mediante

el principio de superposicin podemos establecer que la respuesta
total del circuito vO (t) es
vO (t) = vO (t)|vI (t)=VI (DC) + vO (t)|vI (t)=vi (t)
(1)
donde vI (t) = VI (DC) + vi (t).
P. Parada
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Amplificador Bipolar Lineal I

I
El amplificador lineal tiene en su corazn al menos un transistor.
Nuestra presentacin comienza considerando el caso en que este

transistor es un BJT.
Consideremos el circuito con emisor comn:
P. Parada
Ingeniera Elctrica
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Amplificador Bipolar Lineal II
La caracterstica de transferencia de voltaje del circuito nos permitir

determinar el comportamiento del circuito ante distintos voltajes de
entrada.
Para vI < VBE (on) el transistor est en corte. Luego iC = 0 y

vO = VCC .
Si vI > VBE (on), el transistor puede estar en el modo activo o bien en

el modo saturado.
Si est en el modo activo vO = VCE > VCE (sat), y

vO = VCC +
RC
RC
VBE (on)
vI .
RB
RB
P. Parada
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Amplificador Bipolar Lineal III
El transistor entrar en saturacin cuando vO = VCE (sat); ello ocurre

cuando
R

RC
B
VBE (on) VCE (sat)
.
vI = VCC +
RB
RC
Si asumimos el modelo de fuente para el comportamiento de

saturacin, tendremos que
vO = VCE (sat).

R
RC
B
para vI VCC +
VBE (on) VCE (sat)
.
RB
RC
P. Parada
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Amplificador Bipolar Lineal IV

I
La curva caracterstica es entonces
P. Parada
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Modelo Equivalente de Pequea Seal I
La operacin de amplificadores utiliza el modo activo de un transistor.
Nuestro enfoque consistir en determinar un modelo equivalente para

pequeas seales que nos permita derivar una expresin analtica para
la ganancia de voltaje del circuito completo.
La derivacin del modelo es bastante directa, y sigue el mismo

procedimiento mostrado en el captulo de diodos.
Notamos que
iC = IS evBE /VT
iE = iC /
iB = iC /
vC = vCE = VCC iC RC
P. Parada
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Modelo Equivalente de Pequea Seal II
Si vBE = VBE + vBE , entonces

iC = ICQ +
donde ICQ = IS exp
el punto de operacin.
ICQ
vBE .
VT
(2)
VBE
corresponde a la corriente de colector en
VT
Por lo tanto, la excitacin vBE induce una corriente de colector

iC =
ICQ
vBE
VT
P. Parada
Ingeniera Elctrica
(3)
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Modelo Equivalente de Pequea Seal III
La variacin de la corriente de la base es proporcional a iC

iB =
ICQ
vBE
VT
La constante de proporcionalidad entre vBE y iB se puede

interpretar como una resistencia r definida como

vBE
VT
r =
=

iB IC =ICQ
ICQ
P. Parada
Ingeniera Elctrica
(4)
(5)
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Modelo Equivalente de Pequea Seal IV
Notamos que podemos definir el parmetro de transconductancia gm

como

ICQ
iC
=
gm =
(6)

vBE vBE =VBEQ
VT
Luego
iC = gm vBE
(7)
Estos parmetros permiten desarrollar un circuito equivalente para

pequeas variaciones que recibe el nombre de circuito equivalente
hbrido-.
P. Parada
Ingeniera Elctrica
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Modelo Equivalente de Pequea Seal V
El modelo circuital de para seal

pequea nos indica que existen
una impedancia r entre la base
y el emisor, con el transistor
visto desde la base.
Existen dos variantes que

resultan equivalentes al
momento de analizar un circuito.
El primero se basa en la
transconductancia.
P. Parada
Ingeniera Elctrica
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Modelo Equivalente de Pequea Seal VI
El segundo utiliza el parmetro de ganancia de corriente .
Ambos modelos pueden utilizarse para relacionar los fasores de voltaje

y corriente asociados para el rgimen permanente.
P. Parada
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Relacin entre y F
La constante F se utiliza para denotar la constante de

proporcionalidad entre las corrientes DC de base y colector, incluyendo
cualquier tipo de corriente de fuga o efecto de segundo orden que
exista.
IC (DC)
F =
(8)
IB (DC)
La constante denota el cambio incremental en la corriente de

colector con los cambios en la corriente de la base.
=
iC
.
iB
(9)
En un BJT ideal ambas constantes son iguales.
P. Parada
Ingeniera Elctrica
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Ganancia de Amplificacin de Voltaje I

I
I
Consideremos el circuito en la configuracin de emisor comn (slide 8).

Utilizaremos el modelo de pequea seal para determinar
Av
Vo
Vs
NOTA: Este modelo se utilizar para el anlisis de rgimen

permanente del circuito. Hemos elegido utilizar maysculas en este
caso para denotar la representacin en el dominio transformado
(frecuencia , Laplace s o fasor).
P. Parada
Ingeniera Elctrica
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Ganancia de Amplificacin de Voltaje II
Tenemos las siguientes ecuaciones:

r
Vs
RB + r
Vo = Vce = gm V RC
V =
Luego
Av = gm RC
P. Parada
r
RB + r
Ingeniera Elctrica
(10)
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Procedimiento para realizar Anlisis AC de circuitos amplificadores bipolares
Procedimiento Anlisis AC
Trabajamos en la regin lineal del amplificador. Luego podemos aplicar el
principio de superposicin, y por lo tanto, podemos separar el anlisis AC
del DC.
1. DC: Analizar el circuito slo con las fuentes DC presentes.
Esto nos entrega el punto de operacin del circuito. Se debe verificar
que el transistor opere en la regin activa directa para que funcione
como amplificador lineal.
NOTA: ZC % y ZL & 0 cuando = 0.
P. Parada
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Procedimiento para realizar Anlisis AC de circuitos amplificadores bipolares
Procedimiento Anlisis AC (cont.)

2 AC: Reemplazar cada transistor por su modelo de pequea seal
equivalente (modelo hbrido-).
1
y ZL = jL.
Reemplazar C por ZC =
jC
3 Analizar el circuito resultante, fijando las fuentes DC en 0 (de voltaje
se cortocircuitan a tierra y de corriente se abren) para producir un
circuito de rgimen permanente.
P. Parada
Ingeniera Elctrica
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Ejemplo
Determine la ganancia de voltaje

de pequea seal para el
amplificador bipolar de la figura.
Considere que = 100,
VCC = 12 V, VBE = 0,7 V,
RC = 6 k, RB = 50 k y
VBB = 1,2 V.
P. Parada
Ingeniera Elctrica
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Solucin I
Solucin DC: Determinamos el punto de operacin Q.

IBQ =
1,2 0,7
VBB VBE (on)
=
= 10 A.
RB
50 k
La corriente de colector es
ICQ = IBQ = 100 10 A = 1 mA.
El voltaje VCEQ lo podemos determinar a travs de la curva de carga:

VCEQ = VCC RC ICQ = 12 1 6 = 6 V.
Luego, el transistor est polarizado en forma directa.
P. Parada
Ingeniera Elctrica
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Solucin II
Solucin AC: Determinamos los parmetros del modelo hbrido-.

r =
VT
100 0,026
=
= 2,6 k.
ICQ
1m
y
gm =
I
ICQ
1
=
= 38,5 mA/V.
VT
0,026
La ganancia de amplificacin de voltaje es

Av = gm RC
2,6
r
V
= 11,4 . (11)
= 38,5 6
RB + r
2,6 + 50
V
P. Parada
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Modelo Hbrido- Extendido I
El modelo hbrido- que acabamos de presentar es la versin ms

simplificada en la que uno puede pensar; por ello , no incorpora
efectos como capacitancias internas, resistencias internas (salvo r ) ni
el efecto Early.
En los anlisis de pequea seal resulta clave incorporar estos efectos

para tener una respuesta ms realista del circuito.
Comenzaremos con la incorporacin del efecto Early.
Recordemos que
ic = IS exp
v
BE
VT

1+
vCE
,
VA
donde VA es el voltaje de Early.
P. Parada
Ingeniera Elctrica
26 /
30
Modelo Hbrido- Extendido II
La resistencia de salida del transistor es

vCE
ro =
iC ICQ
Luego

iC
1
=
ro
vCE VCEQ

v
1
BE
= IS exp
VT
VA VCEQ
ICQ
.
VA
P. Parada
Ingeniera Elctrica
27 /
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Modelo Hbrido- Extendido III
El modelo hbrido se modifica incorporando una resistencia en paralelo

a la carga, entre los terminales C y E.
En este caso, la ganancia de voltaje de un amplificador en la

configuracin de emisor comn se modifica para tomar la forma
Av = gm (RC k ro )
P. Parada
r
.
RB + r
Ingeniera Elctrica
(12)
28 /
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Modelo Hbrido- Extendido IV
Notamos que RC < RC k ro para cualquier resistencia de salida rO

finita.
Por lo tanto, la ganancia de amplificacin decae producto de la

consideracin del efecto Early.
El calificativo de hbrido se deriva de la naturaleza hbrida de los

parmetros del modelo: la resistencia de entrada r , la resistencia de
salida ro , el parmetro de transconductancia gm y la ganancia de
corriente de la base .
Notemos que los modelos para transistores pnp son completamente

equivalentes a lo visto hasta el momento (vlido para transistores
npn).
P. Parada
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29 /
30
Modelo Hbrido- Extendido V

I
En este caso, tenemos los modelos modificados siguientes:
Y el circuito equivalente para seal pequea con emisor comn (pnp).
P. Parada
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30 /
30

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