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Bsica
Prof. Eng. Romeu Corradi Jnior
Eletrnica Bsica
Prof. Eng. Romeu Corradi Jr.
1. Introduo
Esta apostila tem o objetivo de proporcionar ao aluno um primeiro contato com os dispositivos
semicondutores, como diodos e transistores. As informaes aqui apresentadas sero
utilizadas como introduo aos componentes semicondutores, cabendo ao aluno uma
complementao em literaturas tcnicas especificas. Os assuntos aqui abordados tem um
carter didtico; na inteno de facilitar a compreenso de literaturas tcnicas mais
abrangentes, ajudando o aluno a se familiarizar com os termos tcnicos e demais situaes
que envolve a eletrnica bsica. Assim esta apostila ir ajuda-lo em seus estudos, mas voc
dever reservar em casa um tempo para estudar os pontos aqui abordados e sempre
complementando as informaes apresentadas com livros de maior profundidade no assunto, e
tambm resolver os exerccios propostos varias vezes de forma a garantir um bom
aprendizado; lembre-se os assuntos a serem abordados requer estudo sistemtico e
dedicao na resoluo de problemas, para que voc obtenha boa compreenso dos circuitos
estudados. Abaixo temos uma lista de possveis literaturas tcnicas que voc poder usar para
se aprofundar mais nos assuntos, importante que voc tenha pelo menos um dos livros
indicados.
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Diodo ideal
Um resistor ento chamado um elemento de circuito bilateral. Um diodo ideal, como veremos,
um dispositivo unilateral. Isto , ele conduz perfeitamente em um sentido mas no no outro,
dependendo da polaridade da tenso aplicada. A representao esquemtica de um diodo
ideal est mostrada na fig. 2. Esta tambm a representao de um diodo a estado slido real,
sendo portanto necessrio indicar se est sendo considerado um diodo ideal ou real. Na
maioria dos casos, entretanto, o diodo a estado slido se aproxima tanto do diodo ideal que
podemos consider-los compatveis.
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I F ).
Inversamente, para um diodo ideal, VF = 0, sempre que uma corrente I F forada a
atravess-lo como a proveniente de uma fonte de corrente. Vemos que um diodo ideal
polarizado diretamente simula uma chave fechada. Se V uma quantidade negativa ( nodo
negativo com relao ao ctodo ), V chamada tenso reversa ( VR ) e I
correspondentemente negativa e chamada corrente reversa ( I R ). Quando polarizado
reversamente o diodo ideal tornado OFF e ele simula uma chave aberta, desde que nenhuma
corrente pode fluir no sentido inverso. Assim, I R = 0 para todos os valores de VR ou -V. O
ponto no qual o diodo passa do estado ON para OFF e vice-versa chamado ponto de quebra
ou de corte. No ponto de quebra V = 0 e I = 0. O conceito do ponto de quebra muito til na
anlise de circuitos contendo vrios diodos.
Resumindo: 1 Se a corrente ou a tenso aplicada ao diodo ideal tende a polarizar
positivamente o nodo com relao ao ctodo, o diodo torna-se polarizado diretamente ( ON ) e
simula uma chave fechada com resistncia zero e com queda de tenso zero. 2 Se a tenso
aplicada ao diodo ideal tende a polarizar negativamente o nodo com relao ao ctodo, o
diodo torna-se polarizado reversamente ( OFF ) e simula uma chave aberta com resistncia
infinita e com corrente nula atravs dela. 3 No ponto de quebra, V = 0, I = 0
Primeira srie de exerccios:
Problemas Bsicos
1. Determine E e I no circuito abaixo. Admita como ideal o diodo.
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RESPOSTA I = 0, E = 0
4. Esboce a forma de onda de eO .
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7. Como voc conectaria um diodo entre os terminais mostrados na fig. abaixo de modo que a
corrente flua atravs da carga RL ?
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Fig.3
Consideraremos somente os quatros prtons necessrios para balancear os quatro eltrons de
valncia, a fim de manter a neutralidade eltrica do tomo normal. A fig. 4 ilustra como cada
tomo de silcio ou germnio est ligado a cada tomo adjacente atravs de ligaes
covalentes.
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Este buraco atrair ento um eltron de uma das ligaes covalentes dos tomos vizinhos e
esse eltron deixar tambm um buraco na sua posio inicial. Um terceiro eltron ir
completar o buraco deixado pelo segundo eltron e assim por diante. Se um campo eltrico
aplicado, os buracos, que se comportam como cargas positivas mveis, caminham para a
extremidade positiva. O buraco tambm um portador de corrente, e ao alcanar a
extremidade negativa do cristal neutralizado por um eltron vindo do fio que est ligado ao
terminal negativo da fonte de voltagem. Assim, vemos que a ruptura de uma ligao covalente
produz no somente um mas dois portadores de corrente.
Deve ser notado que os buracos no fluem para o circuito externo mas somente no interior do
semicondutor. Este tipo de conduo, envolvendo a gerao de pares eltron-buraco ou
eltron-lacuna, chamada conduo intrnseca. Mais tarde veremos que a presena de pares
eltron-lacuna usualmente indesejvel, e que desejamos somente eltrons ou somente
buracos ou lacunas. Devemos tambm notar que temos tomado muita liberdade a fim de
simplificar a fsica dos semicondutores envolvida. Entretanto, a apresentao de suficiente
profundidade para dar uma boa idia intuitiva para a compreenso dos diodos e transistores. A
condutividade do silcio ou germnio aumentar medida que o nmero de portadores de
corrente crescer. Inversamente ela decrescer medida que o nmero de portadores
decresce. Podemos, portanto, controlar a condutividade pela disrupo de ligaes covalentes,
mas isto indesejvel por duas razes. Primeiro, nossa fonte de controle deve fornecer uma
grande quantidade de energia para quebrar uma ligao covalente. Segundo, portadores de
corrente de ambos os tipos ( buracos e eltrons ) so gerados em iguais quantidades. Outros
meios foram pesquisados para controlar a condutividade em semicondutores; descobriu-se que
a adio de certas impurezas reduziam esses efeitos indesejveis.
3-3. Semicondutores dopados
Para ver como a adio de certos tomos de impurezas afeta a condutividade de um
semicondutor, considere a adio de uma pequena quantidade de arsnio a uma fornada de
silcio puro em fuso. A fig. 6 a representao de um tomo de arsnio, que possui cinco
eltrons de valncia. Quando esse silcio em fuso se solidifica num cristal, os tomos de
arsnio estaro uniformemente dispersos atravs de estrutura cristalina. Como existem muitos
tomos de silcio comparados aos de arsnio, virtualmente cada tomo de arsnio estar
circundando por tomos de silcio. Isto est ilustrado na fig. 7. Mas o arsnio tem cinco eltrons
de valncia enquanto o silcio ou germnio tem quatro.
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Desde que esse quinto eltron de valncia do arsnio est fracamente ligado ao tomo
correspondente, ele requer uma quantidade de energia bastante pequena para tornar-se livre e
disponvel para a conduo sob ao de um campo eltrico. Muito importante notar que esse
eltron no veio do rompimento de uma ligao covalente. Isto significa que nenhum buraco foi
deixado para trs. Um buraco, voc deve estar lembrando, uma falta de um eltron numa
ligao covalente. Portanto, pela adio de impureza pentavalente ( cinco eltrons de valncia
) superamos as duas objees associadas variao da condutividade obtida pelo controle de
produo de pares eltrons-lacunas. Outras impurezas pentavalentes, tais como fsforo ou
antimnio, podem tambm ser usadas para formar peas de silcio ou germnio com
abundncia de eltrons fracamente ligados. Esses semicondutores enriquecidos de eltrons
so conhecidos como tipo N, e as impurezas pentavalentes so chamadas tomos doadores
ou impurezas doadoras. O processo de adio de tomos de impurezas ao semicondutor puro
chamado dopagem. tambm possvel produzir semicondutores tipo P, os quais so ricos
em lacunas, pela adio de pequenas quantidades de impureza trivalentes ( trs eltrons de
valncia ) ao semicondutor em fuso. Impurezas trivalentes ( tomos aceitadores ) so ndio,
alumnio e glio. A fig. 8 ilustra uma representao esquemtica de um tomo de impureza
trivalente.
A fig. 9 ilustra o efeito de uma impureza trivalente dentro da estrutura cristalina. Note que agora
temos uma ligao covalente incompleta na qual falta um eltron. Isto est de acordo com
nossa definio anterior de buraco ou lacuna. Neste caso o buraco o nico portador de
corrente, pois no h presena de eltrons fracamente ligados.
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Eltrons numa regio N ou buracos numa regio P so, por razes bvias, chamados
portadores majoritrios, enquanto que eltrons na regio P ou buracos na regio N so
chamados portadores minoritrios. Devido ruptura das ligaes covalentes nenhum material
semicondutor puramente N ou P. Ao invs disso, contm ambos os portadores: majoritrios e
minoritrios. Os portadores majoritrios esto continuamente se recombinando com os
portadores minoritrios, neutralizando-os. Os portadores minoritrios no se acabam,
entretanto, pois esto sempre sendo recriados pela energia trmica. Nem os portadores
majoritrios se esgotam, pois a gerao trmica de um portador minoritrio sempre
acompanhada pela gerao simultnea de um portador majoritrio. Infelizmente a gerao
trmica dos portadores minoritrios varia com a temperatura de uma forma exponencial. Isto
torna os materiais semicondutores altamente sensveis temperatura, com o efeito sendo mais
severo no germnio que no silcio.
3-4. A juno PN
As vrias tcnicas de fabricao de diodos e transistores tm pelo menos um objetivo comum,
e este produzir um cristal no qual exista uma ou mais junes PN. As propriedades da juno
PN tornam possveis a retificao e a ao do transistor. Se um cristal de semicondutor
preparado de modo que exista uma fatia de material tipo P adjacente a uma fatia tipo N, a
interface entre os dois conhecida como juno PN. Esta situao est ilustrada na fig. 10.
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Se dois terminais forem ligados a esta estrutura temos um diodo a juno que est ilustrado
esquematicamente sobre o cristal. Note que o nodo ( base da flecha ) corresponde ao material
P enquanto o ctodo corresponde ao material N. Memorize esta figura pois ser til mais tarde.
Para entender as propriedades da juno PN considere a fig. 11. Para fins de ilustrao,
admita que, no instante zero, ns, de alguma forma, formemos um cristal no qual h uma
interface entre uma regio tipo P e uma regio tipo N. Esta interface uma juno PN. Os
crculos com sinais ( - ) na regio P representam os ons fixos negativos da impureza. Estes
ons so negativamente carregados porque eles capturaram eltrons para preencher os
buracos introduzidos pelos tomos aceitadores ( tipo P ). Os sinais ( + ) representam os
buracos livres caminhando atravs da regio P. Analogamente, os crculos com sinais ( + ) na
regio N representam os ons fixos positivos das impurezas doadoras que perderam seus
eltrons fracamente ligados. Tanto a regio P quanto a
regio N so eletricamente neutras, pois existem tantos buracos livres quantos ons negativos
na regio P e tantos eltrons livres quantos ons positivos na regio N.
Admita que a juno PN j foi formada, que a temperatura seja constante, e que nenhuma
voltagem foi aplicada ao cristal. O lado P est carregado com buracos livres e ons fixos
negativos, enquanto que no lado N existem eltrons livres e ons fixos positivos abundantes.
Como a concentrao de buracos no lado P muito maior que no lado N, os buracos difundiro
na regio N. O mecanismo da difuso semelhante distribuio de molculas de tinta num
copo de gua, aps uma gota de tinta Ter sido introduzida. As molculas de tinta tentam
distribuir-se uniformemente. Em termos tcnicos dizemos que existe um gradiente de
concentrao de buracos da regio P para N. Analogamente existe um gradiente de
concentrao de eltrons da regio N para P e resulta na difuso de eltrons atravs da
juno. primeira vista, pareceria que eltrons e buracos manteriam a difuso atravs da
juno e recombinariam uns com os outros at que nenhum portador permanecesse ou at que
uma ou outra espcie de carga permanecesse. No , entretanto, este o caso. Para cada
buraco que cruza a juno de P para N, fica um on fixo negativo no neutralizado de cada lado
da juno so chamados cargas espaciais, e o campo eltrico entre eles pode ser
convenientemente representado por uma bateria colocada atravs da juno como mostrada
na fig. 12.
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10
Esta barreira de potencial interna tende a restringir a difuso de buracos do lado P para o lado
N e os eltrons do lado N para o lado P. A barreira de potencial interna fora tambm os
portadores minoritrios, isto eltrons do lado P e buracos do lado N, a cruzar a juno. A
regio adjacente e de cada lado da juno , portanto, relativamente livre de buracos e
eltrons.
Esta regio essencialmente livre de cargas chamada regio de depleo. A largura da regio
de depleo depende da maneira pela qual o cristal preparado. A largura da regio de
depleo do lado P no , necessariamente, a mesma que do lado N. O lado feito de material
de resistividade mais elevada ( menos tomos de impureza ) ter uma regio de depleo mais
larga. Os buracos que cruzam da regio P para a regio N recombinam com os eltrons no
lado N. Analogamente, eltrons da regio N recombinam com buracos do lado P. Este fluxo de
eltrons de N para P e de buracos de P para N constitui uma corrente de recombinao atravs
da juno. Esta corrente de recombinao no permanece, no entanto, em um valor constante.
Ela cai a valores extremamente baixos devido ao processo de recombinao manter cargas
descobertas nas proximidades de juno. Os ons negativos descobertos no lado P comeam a
repelir os eltrons do lado N enquanto a parede de ons descobertos positivos no lado N repele
os buracos do lado P. A bateria na fig. 12 representa, portanto, a barreira de potencial formada
pelas cargas descobertas, as quais inibem a corrente de recombinao. Assim, parece que
uma condio de equilbrio estabelecida entre o potencial de difuso do gradiente de
concentrao e a barreira de cargas descobertas.
Se a agitao trmica fornecesse s cargas mveis a mesma energia cintica, esta simples
explicao para as condies de equilbrio seria suficiente. No entanto, a energia trmica
fornecida aos portadores mveis de carga est distribuda aleatoriamente. Estatisticamente
falando, alguns buracos e eltrons possuem uma pequena quantidade de energia cintica
enquanto outros possuem uma grande quantidade. Alguns dos portadores de alta energia
sero capazes de vez por outra, vencer a barreira de potencial. Se esta fosse a nica ao,
pareceria que a altura da barreira de potencial continuaria crescendo, num esforo de
compensar os portadores de alta energia que conseguiriam venc-la. Finalmente, poderamos
esperar que o ltimo dos portadores de carga a cruzar a barreira deixaria uma barreira de
potencial bastante alta. Embora incompleto, este um quadro melhorado das condies da
juno. Algo que desprezamos que nenhum material perfeitamente P ou N. O material P
ter alguns eltrons livres, surgidos pela ruptura de ligaes covalentes por agitao trmica. O
buraco que produzido no diferente de qualquer outro buraco do lado P, onde os buracos
so os portadores majoritrios. O eltron no material P constitui um portador minoritrio e ter
um tempo mdio ( chamado tempo de vida ) antes de recombinar com um dos numerosos
buracos disponveis. O tempo de vida de um portador minoritrio depende, claramente, do
nmero de portadores majoritrios circundantes, os quais, por vez, so determinados pelo
nmero de tomos de impurezas introduzido no cristal. Se este eltron na regio P tem vida
suficientemente longa para caminhar at as vizinhanas da juno, ele ficar sob influencia do
campo eltrico l existente. O sentido do campo tal que o eltron ser forado a cruzar a
regio de depleo ( regio contendo as cargas descobertas ) pois ele atrado pelos ons
descobertos no lado N. Outra forma de visualizar, isto , de imaginar a bateria de barreira na
fig. 12, forando eltrons do lado P para o lado N.
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Sem voltagem externa aplicada, as condies reais de equilbrio so, como segue. Existe uma
corrente global de recombinao I r atravs da juno a qual consiste de buracos I rp
ultrapassando a barreira do lado P para N e eltrons
oposto. Como um buraco indo da esquerda para a direita equivalente a um eltron indo da
direita para a esquerda, as duas componentes da corrente de recombinao so aditivas, e
podemos escrever:
I r = I rp + I rn
Ao mesmo tempo a ruptura de ligaes covalentes causa a formao de uma corrente global
gerada termicamente I g devido aos portadores minoritrios que so forados a cruzar a
barreira. Esta corrente gerada termicamente ter tambm duas componentes, uma
componente de buracos I gp , que flui da regio N para P, e uma componente de eltrons I gn ,
que flui da regio P para N. Portanto:
I g = I gp + I gn
A corrente I g gerada termicamente depende somente da temperatura e , muita vezes
chamada I s , corrente de saturao. Sob as condies de equilbrio os portadores que cruzam
a juno devido a I g compensam aqueles devido a I r , a qual tem componentes fluindo nos
sentidos opostos aos de I g . O resultado final que a corrente total na juno zero, o que
deve ser verdade pois se curto-circuitarmos a juno PN com um pedao de fio, nenhuma
corrente circula pelo fio. A altura da barreira ter um potencial de valor tal que permita a
corrente de recombinao igualar-se exatamente corrente gerada termicamente. A
representao esquemtica de um diodo a juno est novamente mostrado na fig. 14. Como
mostrado, o nodo consiste de um material P e o ctodo consiste de um material N.
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A fig. 14 tambm indica alguns sentidos de referncia para voltagem e corrente. Note que V
representa a voltagem no nodo em relao ao ctodo, e I representa a corrente ( fluxo de
eltrons ) entrando pelo ctodo e saindo pelo nodo. Deve ser entendido que, embora eltrons
e buracos fluam no interior do semicondutor, a corrente externa I representa o sentido de
referncia admitido como positivo do fluxo de corrente.
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.VV
1) - I = I S T 1
normalmente
chamada
voltagem
Correspondentemente, a corrente I, no sentido referncia mostrado, pode ser uma quantidade
positiva ou negativa, dependendo da polaridade da voltagem aplicada. Se acorrente uma
quantidade positiva, ela normalmente chamada corrente direta I F , correspondendo
condio de aplicao de uma voltagem direta VF . De outro lado se I uma quantidade
negativa ela chamada normalmente corrente reversa I R , correspondendo condio na qual
V uma quantidade negativa ou uma voltagem reversa. A quantidade VT tem dimenso de
Volts e dada por:
2) - VT =
T
volts
11000
T a temperatura em graus Kelvin e est relacionada com a temperatura em graus Celsius por:
3) - TKelvin = TCelsius + 273
4) -
= nmero entre 1 e 2
A quantidade uma constante relativa geralmente tomada como 1 para o germnio. Para
silcio, pode variar de aproximadamente 2 nas baixas correntes, digamos menos de 0,2 mA,
at aproximadamente 1 para correntes diretas maiores que 0,2 mA. Na temperatura ambiente,
27C, VT = 26 mV. Vemos ento que a equao 1) com admitido = 1 e para V 100 mV,
VV
I I S T
5) -
gf
I
.VT
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14
rf =
.VT
I
A corrente direta est plotada para trs valores diferentes de temperatura. Evidentemente,
medida que a temperatura aumenta, a voltagem direta decresce. Especificamente, se a
corrente do diodo for mantida constante, a voltagem direta cair tipicamente a uma razo de 2
a 3 mV para cada C de aumento da temperatura. Matematicamente isto expresso por:
7) -
dVT
2,5mV / C
dT
Note que este coeficiente de temperatura negativo, o que implica num decrscimo da
voltagem direta com um aumento da temperatura. Na prtica este coeficiente de temperatura
tende a se tornar menos negativo medida que a corrente direta aumenta e para nveis de
corrente elevados pode atingir valores levemente positivos.
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A corrente reversa real, devido aos efeitos de perdas na superfcie, exibe uma componente
hmica de resistncia atravs da juno, desde que um aumento na polarizao reversa causa
um aumento na corrente reversa. Como regra pode-se admitir que a componente gerada
termicamente, aproximadamente dobra a cada aumento de 10C na temperatura.
Quando uma juno PN est reversamente polarizada, a maior parte da tenso reversa
aplicada externamente aparece sobre a regio de depleo, pois a regio de cargas livres
que apresenta a mais alta resistncia do circuito. Em outras palavras, a queda de tenso
atravs da regio de depleo ser, em geral, quase igual voltagem total aplicada. A regio
de depleo bastante estreita, sendo tipicamente da ordem de 0,0001 in ( polegadas ), ou
menor. Ento uma pequena voltagem reversa, digamos 6 Volts, desenvolveria um campo
eltrico de intensidade 60.000 Volts/in. Esta alta intensidade de campo pode causar a ruptura
da juno. Quando a juno rompe, sua impedncia cai consideravelmente devido gerao
de muitos portadores adicionais de corrente por uma ionizao e/ou fenmeno de emisso
secundria. ( ver mais detalhes no anexo 1 ).
Diodos convenientemente projetados para serem usados na regio de ruptura so comumente
denominados diodos zener ou de avalancha. Outro termo s vezes usado para estes diodos
diodo regulador. Este termo provm do fato de, na ruptura ( note fig. 17 ), a voltagem reversa
ser mantida neste exemplo, num valor substancialmente constante de 20 Volts. Se a dissipao
de potncia do diodo limitada em um valor seguro, ento a operao na regio de ruptura
no destrutiva. A voltagem de ruptura, que pode ser de 3 Volts at varias centenas de Volts
determinada pelo processo de fabricao. Estes diodos sero estudas mais adiante em um
item exclusivo a ele. A voltagem reversa de ruptura VBD ( BD = Breakdown ) algo dependente
da temperatura. Para diodos cuja ruptura cerca de 5Volts ou menos VBD apresenta um
coeficiente de temperatura negativo. Isto , VBD decresce com o aumento da temperatura. De
outro lado, diodos que exibem um VBD de cerca de 6 Volts ou mais, tendem a apresentar um
coeficiente positivo de temperatura. Isto , VBD aumenta com o aumento da temperatura.
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Responda:
1. Quais so os portadores majoritrios na regio N?
2. Como controlada a corrente de recombinao num diodo?
3. O que acontece com a largura da regio de depleo quando a voltagem reversa
variada?
4. Como est a resistncia direta de um diodo, relacionada com a corrente direta? Assuma T
= 27C.
5. A uma corrente direta de 12 mA e a 25C, a queda de voltagem esttica (dc) atravs de um
diodo 0,31 V. Se a corrente direta fosse mantida constante, mas a temperatura
aumentasse para 50C, qual seria a nova voltagem direta?
6. Determine E na fig. abaixo.
7. Determine o coeficiente mdio de temperatura para uma faixa de 50C a 100C para um
diodo polarizado, tendo as caracterstica mostradas na fig. abaixo. Assuma que a corrente
direta mantida constante em 20 mA.
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8. Determine o ponto Q para um diodo tendo as caracterstica diretas da fig. abaixo, quando
usado no circuito dado abaixo.
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Faamos V = VBD . Neste ponto a caracterstica V-I da fig. 21 mostra uma descontinuidade
abrupta chamada ponto de quebra e, neste ponto de quebra, D2 passa de ON para OFF e I
cessa de fluir. O ponto de operao entra agora na regio 2. Com ambos os diodos OFF a
impedncia vista, quando se olha pelos terminais de entrada do modelo, infinita. A
condutncia , portanto, zero e a inclinao da caracterstica V-I na regio 2 zero, desde que
nenhuma variao de corrente pode ocorrer devido a uma variao de voltagem.
Quando a voltagem V aplicada tornar-se positiva a V, o diodo D1 torna-se ON e o ponto de
operao entra na regio 3.
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Soluo:
A fig. abaixo ilustra o modelo discreto. Ele conter no mnimo dois diodos ideais j que existem
dois pontos de quebra na caracterstica V-I. Para V menor ( mais negativa ) que 400 V, o ponto
de operao est na regio zener e D1 est ON. O diodo D2 est OFF. Portanto,
VBD = 400V e rZ , como determinado pela inclinao da curva
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V
I
410
100
400
x 10
= 100
22
rZ
1, 6 0 ,8
V
=
=
= 4
3
I
200 x 10
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Observao:
O segmento OA denominado de vetor girante ( fasor ), a velocidade ou freqncia
angular, o angulo por unidade de tempo; assim temos:
= .t
= 2 . rad. , t = T
= .t 2. = .t ou =
2 .
T
T 1
1
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Assim
2 .
1
f
f =
1
ento :
T
= 2 . . f
24
sen =
b
v (t)
b = v ( t ) . sen
v t = V max . sen ( .t +
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Observe:
vt = 10 sen (t + 30 )
V x = V max cos 30
V y = V max sen 30
V x = 8,66
Vy = 5
Representaes:
.
Polar : 10 30 [V] ;
Retangular : 8,66 + j 5 [V]
5-4. Outros valores importantes
Valor de pico a pico
O valor de pico a pico de qualquer sinal a diferena entre o seu mximo e o mnimo algbrico:
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Vrms = 0,707V p
Podemos provar estas relao experimentalmente construindo dois circuitos: um com uma
fonte dc seguida de um resistor e um outro com uma fonte senoidal ligada a um resistor de
mesmo valor. Se a fonte dc for ajustada para produzir a mesma quantidade de calor que a
onda senoidal, mediremos uma tenso dc igual a 0,707 vezes o valor de pico da onda senoidal.
( uma outra forma de se provar que Vrms = 0,707V p atravs de matemtica avanada ).
Valor mdio
O valor mdio de uma onda senoidal ao longo de um ciclo zero. Isto porque a onda senoidal
simtrica: cada valor positivo da primeira metade do ciclo compensado por um valor igual
negativo da Segunda metade do ciclo. Portanto, se voc somar todos os valores da onda seno
entre 0 e 360, ter zero como resultado, o que implica um valor mdio zero.
Em outras palavras, um voltmetro dc indicar zero se usado para medir uma onda senoidal.
Por que? Porque o ponteiro de um voltmetro dc tenta flutuar positiva e negativamente com
amplitudes iguais, porm a inrcia das partes mveis o impede de faz-lo, ento ele indica um
valor mdio igual a zero. ( isto supe uma freqncia maior do que aproximadamente 10 Hz, de
modo que o ponteiro no possa acompanhar variaes rpidas. )
5. O transformador
A alimentao dos equipamentos eletrnicos residenciais ou industriais vem da linha de
energia fornecidas pelas companhias concessionrias e estas linhas so perigosas devido a
sua resistncia Thevenin aproximar-se de zero. Isto que dizer que ela pode fornecer centenas
de ampres. Mesmo com um disjuntor no circuito, ela ainda pode liberar dezenas de ampres,
dependendo das dimenses do circuito disjuntor.
Abaixador de tenso
Alguns equipamentos eletrnicos ( a grande maioria ), incluem um transformador como o da
fig., abaixo para abaixar ou elevar a tenso da linha, conforme exigir a aplicao. As tenso de
um transformador esto relacionados da seguinte forma:
NS VS IP
= =
NP VP IS
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Um exemplo:
Suponha que para o circuito acima a relao de espiras seja de 9:1, ento
VS 1
127
= VS =
= 14,11Vrms
127 9
9
Esta tenso mais baixa um pouco mais segura para se trabalhar do que os 127 V rms, e um
valor tpico exigido por alguns circuitos de semicondutores. Alm disso, o transformador isola a
carga ( todos os circuitos que voc est medindo ) da rede. Isto quer dizer que a nica ligao
com a rede de alimentao atravs do campo magntico que pe em comunicao os
enrolamentos do primrio e do secundrio. Isto reduz ainda mais os perigos de um choque
eltrico porque no existe mais um contato eltrico direto com os dois lados da rede.
Fusvel
Para um transformador ideal, temos as seguintes relaes:
NS
I
= P
NP
IS
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1 IP
1,5
=
IP =
= 0,166 A rms
9 1,5
9
Isto que dizer que o fusvel deve Ter um valor maior que 0,166 A, mais 10% no caso da tenso
de linha ser alta, mais aproximadamente outros 10 % para perdas no transformador ( essas
perdas produzem corrente adicional no primrio ). O valor de fusvel padro imediatamente
superior, 0,25 A ( de fuso lenta no caso de oscilaes da rede ), provavelmente seria
satisfatrio. A finalidade do fusvel de evitar dano excessivo no caso da resistncia da carga
ser posta em curto acidentalmente.
Obs.: Voc ir ter mais informaes sobre transformadores em outra disciplina; para
compreendermos o funcionamento bsico dos retificadores a informao aqui oferecida
suficiente.
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Devemos observar que o circuito acima converteu a tenso ac de entrada em uma tenso dc
pulsante. Podemos concluir que a tenso na carga sempre positiva ou zero.
Tenso mdia na carga
Denominado de tenso dc pois o valor medido por um voltmetro e dado por:
VP
1 T2
1
(VP sen)d
vdt
=
0
T
1
2
T
V
V
V
Vmdio = P [ cos cos0 ] = P ( (1 1)) = P .2
0
2
2
2
V
Vmdio = P
Vmdio =
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30
I F I RL max
VRRM VS ( pico)
1N 914 - = 50 mA;
1N 3070 - = 100 mA;
1N 4002 - = 1 A;
1N 1183 - = 35 A.
Se a tenso do secundrio for de 120 Vac no circuito anterior, qual o tipo de diodo dado acima
que pode ser usado?
3- Abaixo temos as especificaes de alguns diodos em termos de tenso reversa:
a)
b)
c)
d)
1N 914 - = 20 V;
1N 3070 - = 50 V;
1N 4002 - = 100 V;
1N 1183 - = 175 V.
Dada uma tenso do secundrio de 60 Vac no circuito do exerccio 1, qual a Vrrm atravs do
diodo? Qual dos diodos anteriores pode ser usado?
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31
Onde:
(a)
(b)
(c)
(d)
(e)
V dc = 2 x 0 ,318 V P 0 ,636 V P ou
2 .V P
Freqncia
O perodo T de uma onda repetitiva o tempo entre pontos equivalentes ou correspondentes
da onda. A freqncia f o inverso do perodo T. Num retificador de meia onda, o perodo da
sada igual ao perodo da entrada, o que quer dizer que a freqncia da sada a mesma
que a freqncia da entrada. Em outras palavras, para cada ciclo na sada voc tem um ciclo
na entrada. Por esta razo, a freqncia que sai de um retificador de meia onda de 60 Hz, o
mesmo valor da freqncia da rede.
Um retificador de onda completa j diferente. Observe atentamente a figura anterior item (b),
veja que o perodo a metade do perodo da entrada. Colocando de outra forma, ocorrem dois
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32
IF
V RRM
I RL
2
V S ( pico ) (" secundrio todo" )
Exemplo de aplicao:
No circuito abaixo a tenso do secundrio de 30 V ac. Utilizando diodos ideais, calcule a
tenso de carga dc. Deduza tambm as especificaes I F e VRRM para os diodos.
Resoluo :
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33
Observe que toda a tenso do secundrio aparece atravs do resistor de carga; este um dos
motivos que tornam o retificador em ponte melhor do que o retificador de onda completa visto
no item anterior, onde somente metade da tenso do secundrio chegava at a sada. Alm
disso, um transformador com derivao central que produza tenses iguais em cada metade do
enrolamento secundrio difcil e caro de ser fabricado. Pelo fato da sada da ponte ser um
sinal de onda completa, o valor mdio ou dc
I
V
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RRM
2
V
( pico )
34
Meia Onda
1
Onda Completa
2
Ponte
4
Vs (pico)
0,318 Vs (pico)
Idc
0,5 Vs (pico)
0,636 Vs (pico)
0,5 Idc
Vs (pico)
0,636 Vs (pico)
0,5 Idc
Vs (pico)
Vs (pico)
Vs (pico)
f (ent.)
0,45 Vs (rms)
f (ent.)
0,45 Vs (rms)
f (ent.)
0,9 Vs (rms)
PROBLEMAS
1- A tenso de entrada Es de forma triangular com um valor pico a pico de 60 V. Determinar
para cada um dos circuitos abaixo a forma de onda da tenso de sada.
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35
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36
Conclumos que a tenso de carga agora uma tenso dc quase perfeita. O nico desvio
so as pequenas ondulaes causadas pelas cargas e descargas do capacitor. Quanto
menor a ondulao, melhor a retificao.
E1 =
C=
q
, ento:
E
q1
q
e E 2 = 2 Obs. : a tenso de ondulao
C
C
a diferena entre t1 e t2.
ento : E1 E 2 =
q1 q 2
q
Vond . =
na funo do tempo
C
C
Vond . q Vond . .C q
=
=
=
t
C .t
t
t
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37
1
um tempo t igual ao perodo T T =
f
Vond . .C
= i Vond . .C . f = i assim a tenso de ondulao fica :
1
f
Vond . =
iC
onde (i C ) a corrente de carga max.
C. f
V dc = V
pico
V ond
2
I F I RL max
VRRM 2.Vsec( pco )
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38
Onda completa :
IF
VRRM
I RL (max)
2
Vsec .( pico )
Exerccios de aplicao
1- Um retificador em ponte com um filtro com capacitor de entrada tem uma tenso de pico na
sada de 25 V. Se a resistncia de carga for de 120 Ohms e a capacitncia de 560 F, qual
a ondulao de pico a pico?
2- A tenso do secundrio de 25 V ac na figura abaixo. Qual a tenso de carga dc se C =
330 F? Qual a ondulao de pico a pico? Quais as especificaes mnimas de I F e VRRM
dos diodos?
3- O circuito abaixo mostra uma fonte de alimentao dividida. Devido derivao central
aterrada ( fonte simtrica ), as tenses de sada so iguais e com polaridade oposta. Quais
as tenses dc de sada para uma tenso do secundrio de 12 Volts ac e C = 820 F? Qual
a ondulao de pico a pico? Quais as especificaes dos diodos e a tenso de isolao do
capacitor?
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39
6- Voc mede 24 Vac atravs do secundrio do circuito do exerccio dois (2). Em seguida
voc mede 21,6 V dc atravs do resistor de carga. Sugira alguns problemas possveis.
7- A tenso de carga dc do circuito do exerccio (2) tem um valor um pouco mais baixo do que
deveria. Olhando para a ondulao com um osciloscpio, voc descobre que ela tem uma
freqncia de 60 Hz. Quais so as possveis causas?
8- No h tenso de sada no circuito do exerccio (2). Quais so as possveis causas?
9- Fazendo um teste com um ohmmetro, voc percebe que todos os diodos do exerccio (2)
esto abertos. Voc substitui os diodos. O que mais voc deve verificar antes de ligar a
alimentao?
10- Voc est construindo um retificador em ponte com um filtro com capacitor de entrada. As
especificaes so uma tenso de carga dc de 15 V e uma ondulao de 1 V para uma
resistncia de carga de 680 . Que tenso de rms o enrolamento do secundrio deve
produzir para uma tenso de linha de 127 V ac? Qual deve ser o valor do capacitor do filtro
e sua tenso de isolao? Quais as especificaes mnimas para os seus diodos? Esboce
o circuito eltrico de seu projeto.
11- Projete um retificador de onda completa usando um transformador com derivao central
de 48 V ac que produza uma ondulao de 10 % atravs do filtro com capacitor de entrada
com uma resistncia de carga de 330 . Quais as especificaes mnimas dos diodos?
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40
13- Construa uma fonte de alimentao que preencha as seguintes especificaes: a tenso
de secundrio seja de 12,6 V ac, uma sada dc de aproximadamente 17,8 V em 120 mA, e
uma Segunda sada dc por volta de 35,6 V em 75 mA. Quais as especificaes mnimas
dos diodos?
14- A tenso do secundrio na figura abaixo de 25 Vac. Com a chave na posio mostrada
qual a tenso de sada ideal? Com a chave na posio mais baixa, qual a tenso de sada
ideal?
15- Projetar um retificador de onda completa com capacitor de filtro, para alimentar uma carga
que possui as seguintes caractersticas: V dc = 30 V, potncia dissipada pela carga de 300
mW. Apresentar: esquema eltrico, clculos, lista de componentes e lay out da placa
impressa.
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41
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42
PZ max
VZN
Exerccios bsicos:
12345-
Um diodo zener tem 15 V aplicado sobre ele com uma corrente de 20 mA atravs
mesmo. Qual a potncia dissipada?
Se um diodo zener tiver uma especificao de potncia de 5W e uma tenso zener de
V; qual o valor da sua corrente mxima?
Um diodo zener tem uma resistncia zener de 5 . Se a corrente variar de 10 mA a
mA; qual a variao da tenso atravs do diodo zener?
Uma variao de corrente de 2 mA atravs de um diodo zener produz uma variao
tenso de 15 mV. Qual o valor da resistncia zener?
Conforme o circuito abaixo esboce a forma de onda de sada.
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do
20
20
de
43
VZ
R
para I I Z max
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44
20 0
= 20mA
1x103
30 0
= 30mA
1x103
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45
Obs.: Pelas especificaes do diodo zener analisadas, existem limites mximos e mnimos para
a tenso de entrada e para a resistncia limitadora de corrente, dentro das quais o diodo zener
mantm a tenso de sada constante e no corre o risco de se danificar.
Limites de Vent. e Rs
Consideraes:
1- Se Is < Izt zener no regula pois:
ento :
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46
RL
Vth =
RL + RS
.Vent .
b) Corrente em srie
IS =
Vent . VZ
{ Vsada VZ I L = VZ
RS
RL
IS = IZ + IL IZ = IS IL
Assim, faz-se necessria uma anlise mais detalhada do circuito regulador de tenso quando
neste ligada uma carga. Basicamente, o projeto de um regulador de tenso consiste no
clculo da resistncia limitadora de corrente ( Rs ), conhecendo-se as demais variveis do
circuito, a saber:
I L (max) + I Z (min) =
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Vent .(min) VZ
RS
47
I Z (max) =
Vent .(max) VZ
RS
I L (max) + I Z (min)
I Z (max)
Vent .(min) VZ
Vent .(max) VZ
] [
][
] [[VV
ent .(max)
VZ
ent .(min)
VZ
]
]
Esta ultima equao o valor calculado da corrente mxima que ir atravessar o diodo zener,
assim devemos Ter sempre em mente que I Z (max) I Z (max)Calculado .
c.3) Ondulao
I S (max) =
Vent .(max VZ
RS
I S (min) =
Vent .(min) VZ
RS
I S (max) I S (min) =
I S =
Vent .
Vent . = RS .I S
RS
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48
RS (max)
Vent .(min) VZ
I L (max) + I Z (min)
e RS (min)
Vent .(max) VZ
I Z (max)
2- No circuito eltrico abaixo, qual o valor aproximado da corrente zener para cada uma das
seguintes resistncia de carga:
a. RL = 100 K Ohms;
b. RL = 10 K Ohms;
c. RL = 1 K Ohms
3- Suponha que a fonte do circuito anterior tenha uma ondulao de pico a pico de 4 V. Se a
resistncia zener for de 10 , qual a ondulao de sada?
4- Para que valor da resistncia de carga o regulador anterior para de funcionar?
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49
Alem disso, o que acontece com a tenso da carga e com o diodo zener se o resistor em srie
estiver em curto?
11- Com relao ao exerccio seis, o diodo 1N1594 tem uma tenso zener de 12 V e uma
resistncia zener de 1,4 Ohms. Se voc medir aproximadamente 20 V para a tenso de
carga, que componente voc sugere que est com defeito? Explique por qu.
12- Utilize os mesmos dados do exerccio anterior, exceto que voc mede 30 V atravs da
carga e um ohmmetro indica que o diodo zener est queimado. Antes de substituir o diodo
zener, o que voc deve testar?
13- Para o circuito abaixo, desejamos calcular qual a mxima e mnima carga para o regulador
funcionar corretamente. Dados:
Vent. = 9 Volts 10%, Iz min = 10 mA, Pz max = 400 mW, Vz = 5,6 V e Rs = 47 Ohms x W.
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50
15- A figura abaixo mostra um circuito ac com diodo zener na sada. A curva caracterstica do
diodo est representada ao lado. Esboce a forma de onda de sada e determine o tempo
de conduo do diodo durante cada ciclo.
16- Determinar a corrente do LED para o circuito abaixo. Qual a aplicao bsica para este
circuito?
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51
Potencial de Barreira
Para os transistores de silcio temos um V = 0,7 V @ 25C e para o transistor de germnio
temos V = 0,3 V @ 25C, as camadas de depleo so diferentes entre as duas junes para
ambos os transistores NPN e PNP, sendo base-emissor menor do que base-coletor.
Polarizao externa
Podemos Ter trs polarizaes saber: polarizao direta-direta, polarizao reversa-reversa e
a que nos interessa onde teremos o que denominamos de efeito transistor a polarizao diretareversa.
Parmetros Eltricos do Transistor
Pelo fato de termos trs terminais poderemos Ter formas distintas de conexo do TjB saber:
Base-Comum, Emissor-Comum e Coletor-Comum, cada configurao nos dar um parmetro
para analise.
a) Ganho de corrente esttico na configurao de Base-Comum (
h f B ou )
IC
; esta relao mostra o quanto a corrente de coletor se aproxima da corrente de
IE
emissor.
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52
BVBE Baixa
BVCE Alta
junes.
c) Ganho de corrente esttico na configurao Emissor-Comum ( h f E ou )
d) Relao entre e
Exerccio Determinar sabendo-se que igual a 0,987.
Regio ativa
Para que o TjB opere na regio ativa devemos utilizar a seguinte tcnica de polarizao:
a. Diodo emissor diretamente polarizado;
b. Diodo coletor reversamente polarizado;
c. A tenso do diodo coletor no deve exceder a tenso de ruptura.
Assim quando estas condies so satisfeitas dizemos que o TjB um dispositivo ativo, pois
ele capaz de amplificar um sinal. Da o seu nome Transfer Resistor; ou seja temos um
Resistor de Transferncia, pois o mesmo capaz de transferir uma corrente de uma regio de
baixa resistncia para uma regio de alta resistncia.
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53
qVBE
I EF = I ES e K .T 1
qVCB
I CR= I CS e K .T 1
Com a polarizao direta no diodo emissor e inversa no diodo coletor, o modelo pode ser
simplificado, pois I EF R I CR , onde a corrente de fuga desprezvel em polarizao direta.
Esta equao implica em que I CR 0 . Desta maneira, o modelo assume a seguinte forma:
A corrente I CBO ento uma corrente de fuga da juno de coletor inversamente polarizada
que consiste de eltrons gerados termicamente na regio P da juno de coletor ( do diodo )
para a N e de buracos gerados no coletor que cruzam a juno em direo base. Os eltrons
de I CBO so ento altamente dependentes da temperatura, somando-se a corrente .I E ;
assim:
Temperatura aumenta (
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.I E + I CBO
) aumenta
54
Estas simplificaes so: A tenso VBE aproximadamente 0,7 V para o silcio, a queda de
'
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55
VCC VCE
RC
Fazendo I C = 0, obtemos que VCE = VCC que o primeiro ponto da reta. Para o segundo
ponto, fazemos com que VCE = 0 , onde obtemos
IC =
VCC
.
RC
IC =
1
. Lembrando que a equao da
RC
V
1
VCE + CC
RC
RC
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56
Prof. Corradi
57
Exerccios bsicos
1- A fig. X1 abaixo mostra um circuito de chaveamento com transistor acionado por uma
tenso em degrau. Determine a corrente de coletor e a tenso entre coletor e emissor para
zero Volts na base e +5 V. Na fig. X2 temos uma ligeira variao do projeto, o circuito pode
ser denominado comando do LED porque o transistor controla o LED. Determine a corrente
do LED para tenso da base igual a zero e depois para +5 V. Obs. tenso do LED 2,1 V.
2- Se a corrente do emissor for de 6 mA e a corrente do coletor de 5,75 mA, qual o valor da
corrente da base? Qual o valor de ?
3- Um transistor tem uma corrente de coletor de 100 mA e uma corrente de base de 0,5 mA.
Quais os valores de e ?
4- Qual a corrente da base para o circuito da fig. X3? Qual a tenso do coletor-emissor? O
transistor est em saturao ou em corte?
5- Suponha que ligamos um LED em srie com o resistor de coletor do circuito da fig. X3.
Qual o valor da corrente do LED? Comente a respeito do brilho do LED.
6- Qual o valor da corrente da base para o circuito da fig. X4? Qual a corrente do coletor?
Qual a tenso coletor-emissor?
58
Prof. Corradi
7- Desenhe a reta de carga para o circuito abaixo. Qual o valor de saturao da corrente do
coletor? Qual a tenso de corte?
8- Qual o valor da corrente do coletor para o circuito anterior? Qual a tenso entre o coletor e
o terra? Qual a tenso do coletor-emissor?
Prof. Corradi
59
Problemas de aplicao
1-
Conforme o circuito da fig. X5a abaixo determine o valor de RB para que o transistor
funcione como chave e acione o rel todas as vezes que tivermos nvel alto na base do
TjB. Dados: Corrente de atracamento do rel de 250 mA, tenso de sada do circuito
lgico 5 Vcc, ganho do transistor = 300 e Vcc = 12 V. Faa um comentrio a respeito da
funo do diodo D1 no circuito?
2-
Prof. Corradi
60
Verificao de defeitos
3-
A tenso do coletor ao terra do circuito do exerccio sete (7) srie anterior indica uma
leitura de aproximadamente 3 V. Em qual das seguintes opes est a causa do
problema? Justifique.
a.
b.
c.
d.
Prof. Corradi
61
6- Com a tenso da base retirada na exerccio seis (6) da srie anterior, a tenso do coletoremissor de aproximadamente zero. Relacione algumas das possveis causas.
7- O LED do exerccio onze (11) srie anterior esta ligado ou desligado para cada uma das
seguintes condies:
a.
b.
c.
d.
Projeto
1- Projete o circuito da figura X6, para obter uma corrente saturada de 5 mA para o coletor.
2- Projete a fonte de corrente da figura, X7 para estabelecer uma corrente do LED de
aproximadamente 35 mA para um Vbb de 5 V.
Prof. Corradi
62
Se Vbb = Vcc num transistor chave, uma rpida regra de projeto para a saturao deve
satisfazer esta condio:
RB
= 10 . Utilize recursos matemticos para provar que esta
RC
A fig. abaixo mostra uma conexo Darlington de dois transistores. Responda s seguintes
perguntas:
3-
10. Chaveamento em alta freqncia Anlise dos tempos reais de comutao do TjB
Prof. Corradi
63
tON = td + tr .
ts tempo de armazenamento ( storage time ) decorre entre o chaveamento na entrada at
90% de Vcc. o tempo para remover o excesso de eltron da base;
tf tempo de descida ( fall time ) o tempo entre 90% de Vcc e 10% de Vcc. Serve para a
descarga de C BC .
A soma de ts e tf fornece o tempo tOFF ou tempo de desligamento ( Turn-Off-Time ).
Obs.: Todos os tempos envolvidos na operao do TjB como chave, determinam o limite de
operao do mesmo. Uma das maneiras de diminuir os tempos de comutao adicionar um
capacitor de comutao CC ou ( speed-up ). Este capacitor deve estar compreendido entre:
t
Qt
CC P
2.V pp
5.RB
Onde:
Prof. Corradi
64
Exemplo numrico Dados: = 150, corrente de coletor de saturao 50 mA, tenso entre
coletor e emissor de saturao 0,2 V, tenso de base e emissor de saturao 0,7 V,
capacidade de carga do TjB 400 pC e a forma de onda de entrada quadrada com 6 Vpp e
freqncia de 10 KHz.
Prof. Corradi
65
Sada Q
1
0
1
Q*
Sada Q
1
1
0
Q*
Estado
Proibido
Reset
Set
No muda*
Para obtermos um multivibrador biestvel devemos fazer com que os transistores do circuito
operem como chave. Este tipo de aplicao utilizado na eletrnica industrial e digital como
comentado anteriormente. Assim faremos com que o TjB opere apenas em duas regies da
reta de carga no corte e/ou na saturao; lembrando:
VCC
VCE = VCE ( sat ) 0,2 V.
RC
Prof. Corradi
66
Polarizao da base;
Polarizao com realimentao do emissor;
Polarizao com realimentao do coletor;
Polarizao com realimentao do coletor e do emissor;
Polarizao por divisor de tenso ( Polarizao Universal );
Polarizao do emissor.
A partir de agora iremos apresentar um breve comentrio de cada uma das polarizaes
citadas, bem como o circuito especifico de cada polarizao. Porem a anlise do circuito,
comentrios de funcionamento e as equaes bsicas que rege cada polarizao ser feita em
sala de aula, pois uma anlise mais profunda iria tomar uma grande quantidade de paginas
desta apostila, tirando o objetivo da mesma que de oferecer uma informao bsica e rpida.
Mas fique tranqilo nas aulas tericas o assunto ser abordado com profundidade adequada
para o entendimento de projetos de polarizao.
Prof. Corradi
67
Um exemplo numrico:
Seja os dados abaixo, determinar Rb e Rc.
Dados: Vcc = 15 V, Vce = 7,0 V, Ic = 50 mA, Vbe = 0,7 V e = 150
Resoluo:
IC =
RC =
(VCC VBE )
RB
RB =
50 x10 3
= 42,9 K
15 7
VCC VCE
=
= 160
IC
50x10 3
Prof. Corradi
68
V CC
2
LKT:
VCC
2
VCC
V
V
= I CQ .RC CC = I CQ .RC RC = CC
2
2
2.I CQ
V
I C .RB
R
V
VCC VBE = I CQ CC + B VCC VBE = CC + Q
2
2.I CQ
I C .RB
V
V
VCC VBE CC = Q
CC VBE . = I CQ .RB
2
2
. CC VBE
2
RB =
I CQ
Exerccios
1- Calcule o valor da corrente de saturao do coletor para o circuito abaixo. A seguir, calcule
a corrente de coletor para estes dois valores de : 100 e 300.
Prof. Corradi
69
2- Para o circuito abaixo, calcule a corrente do coletor para estes dois valores de : 100 e
300.
3- Para que valor aproximado de o circuito da figura abaixo se satura. Desenhe a reta de
carga para o mesmo circuito. Se o transistor tiver um = 80. Qual a tenso entre o coletor
e o terra?
4- Se Vcc = 10 V no circuito abaixo, qual a tenso do coletor em cada estgio? Se Vcc = 15V
para o circuito abaixo, qual a potncia dissipada em cada transistor?
Prof. Corradi
70
Novas Polarizaes:
d) Polarizao com realimentao do emissor e do coletor
Esta polarizao nada mais do que uma associao de ambas polarizao com
realimentao do emissor e coletor na inteno de reduzirmos ainda mais as variaes de e
evitarmos o disparo trmico. Abaixo temos o circuito bsico para posterior anlise
Obs.: na prtica costume utilizar para a tenso nos terminais do resistor do emissor uma
queda de tenso em torno de 10% da tenso de alimentao.
Prof. Corradi
71
f)
Polarizao do emissor
Esta polarizao oferece tambm uma boa estabilidade do ponto de operao ( ponto Q )
semelhante ao divisor de tenso; o nico inconveniente que temos que dispor de uma fonte
de alimentao simtrica. Abaixo o circuito para este tipo de polarizao para posterior anlise
dc.
Problemas
1- Qual a corrente do LED para a figura K1?
Prof. Corradi
72
3- Calcule a corrente de saturao do coletor para cada estgio da fig. K2, para um Vcc de 15
V.
4- Faa uma anlise completa da figura K2 para Vcc = 20 V calculando para cada estgio os
seguintes valores: Vb, Ve, Vc, Ic e Pd ( potncia dissipada ).
5- Na figura K2 Vcc = 20 V. Indique se a tenso do coletor de Q1 aumenta, diminui, ou
permanece constante em cada um dos seguintes problemas:
a.
b.
c.
d.
e.
f.
g.
Prof. Corradi
73
11- Calcule as seguintes quantidades na figura K4: Ve, Ic e Vc. ( Admita diodos de silcio ).
12- A figura K5 um exemplo de acoplamento direto entre estgios. Qual o valor de Vsada?
Se Vent. variar de 2 V para 3 V, qual o novo valor de Vsada?
13- Na figura K5, compliance da tenso de sada a faixa mxima da tenso que a sada pode
oscilar quando se varia a entrada. Qual a compliance da tenso na sada do circuito?
Prof. Corradi
74
Bem chegamos ao final de nosso estudo bsico sobre os transistores bipolares obviamente o
assunto aqui tratado no tem a pretenso de esgotar o assunto pois se trata de um tpico
extremamente amplo. O objetivo desta apostila volto a informar de oferecer ao aluno de
eletrnica um primeiro contato com o assunto de dispositivo semicondutores a fim de facilitar e
amenizar o trabalho futuro; no esquea de consultar sempre uma boa literatura tcnica
complementar e estudar outros assuntos relacionados pois os tpicos so extensos e tambm
procure sempre resolver novos exerccios isto lhe trar slidos conhecimentos na soluo de
problemas com dispositivos semicondutores.
BOA SORTE E UM ABRAO
Prof. Eng. Romeu Corradi Jnior.
Prof. Corradi
75
( complemento no anexo 2
Prof. Corradi
76
Tipo de
recombinao
Largura da banda
proibida E g (eV )
Coeficiente de
recombinao (
Ga As
1,43
cm3 xs 1 )
7,21x10 10
Ga Sb
0,73
2,39 x1010
0,35
8,50 x1011
In Sb
0,18
4,58 x1011
Si
1,12
1,79 x1015
0,67
5,25 x10 14
2,26
5,37 x10 14
In As
Ge
Ga P
Direto
indireto
Prof. Corradi
77
Prof. Corradi
78
de
do
de
de
Prof. Corradi
79
n0 p0 = ni2 .
Tornando a densidade de impurezas dopantes bem superior a ni , pode-se determinar o
predomnio de n0 sobre p0 no semicondutor tipo n, ou de p0 sobre n0 no tipo p. No
semicondutor tipo p, p0 essencialmente dado pela concentrao de impurezas aceitadoras,
enquanto no semicondutor tipo n a concentrao de impurezas doadoras determina n0 .
Em materiais compostos como arsenieto de glio ( Ga As ) e o arseneto de glio-alumnio ( Ga
Al As ), comumente usados em fontes pticas, a dopagem feita com impurezas do grupo IV (
silcio, germnio ou estanho ), tanto para o material tipo p como para o tipo n. Quando o tomo
dopante do grupo IV substitui o tomo do grupo III ( glio ou alumnio ), ele funciona como
doador, pois tem um eltron a mais, resultando ento um material tipo n. Quando a mesma
impureza substitui o tomo de arsnio, porem, ela funciona como impureza aceitadora,
produzindo um material tipo p.
Conforme foi visto acima, a dopagem em si em nada altera a taxa de recombinaes num
material semicondutor homogneo: da a necessidade da juno pn para estimular as
recombinaes em regies localizadas do cristal. A idia que, como h abundncia de
lacunas no lado p da juno e de eltrons no lado n, as imediaes da superfcie de transio
entre aos dois lados possam ser um local privilegiado para a ocorrncia de recombinaes
fotogeradoras em fontes luminosas.
Para que isso ocorra, entretanto, necessrio que a juno seja polarizada, isto , que seja
estabelecida uma diferena de potencial entre os dois lados.
Se a juno no for polarizada, a difuso de eltrons, para o lado p, e de lacunas , para o lado
n, faz com que surja uma regio esvaziada ( em ingls, depleted region ) de portadores de
carga em torno da transio entre dopagens, pelo efeito das recombinaes ( figura 4 ).
Restam nesta regio esvaziada as cargas presas dos tomos dopantes, positivas no lado n e
negativas no lado p. Em conseqncia, surge na regio esvaziada um campo eltrico que age
no sentido de repelir a penetrao dos portadores majoritrios ( eltrons no lado n e lacunas no
lado p ), estancando as recombinaes na juno.
Prof. Corradi
80
Quando, por outro lado, o lado p conectado a um potencial inferior ao do lado n, dizemos que
a juno est polarizada reversamente. Nesse caso, os potenciais externos agem no sentido
de atrair os portadores majoritrios ( eltrons no lado n e lacunas no lado p ) para longe da
juno. Em conseqncia, a regio esvaziada se alarga e a barreira de potencial cresce at
igualar-se ao potencial externo. No havendo injeo de portadores de um lado para outro da
juno, a corrente fica ento limitada gerao de novos portadores na regio esvaziada, que
pode ocorrer segundo dois mecanismo principais: a) a agitao trmica, que gera a chamada
corrente escura ( dark current ), que independe da tenso reversa aplicada, sendo
essencialmente uma funo crescente da temperatura e decrescente da largura da banda
proibida do material utilizado; b) a absoro de ftons, que gera a fotocorrente nos
fotodetectores.
Prof. Corradi
81
Como pode ser visto, a juno pn pode ser usada como estrutura semicondutora bsica, tanto
em fotoemissores como em fotodetectores. Nos fotoemissores, a juno polarizada
diretamente para produzir luz a partir da corrente injetada de fora. Nos fotodetectores, a juno
polarizada reversamente para produzir a fotocorrente a partir da absoro de ftons
incidentes.
ANEXO 2
Um pouco de Fsica dos semicondutores
-
Potencial de ionizao processo que faz com que o eltron saia completamente da banda de
valncia, observe o grfico de energia abaixo:
Prof. Corradi
82
Corrente
METAL fluxo de eltrons ( cargas negativas )
SEMICONDUTOR - fluxo de ambas as cargas positiva ( lacunas ) e negativas ( eltrons )
densidade de corrente
n
por
t
n.q
e =
definio i carga total por segundo pela rea, assim podemos escrever: i =
t
L
L
, assim podemos escrever :
velocidade mdia de deriva que dado por =
t =
t
n.q
n.q.
.
i=
L
L
Por definio densidade de corrente a corrente por unidade de rea do meio condutor,
assim :
i
J
n.q.
L n.q.
A
L. A
condutividade
= .
, onde a
J = n.q. = n.q. .
Prof. Corradi
83
1
1
J = .
R
R
ANEXO 3
SENSORES
Iniciamos agora um anexo de grande importncia quando utilizamos circuitos eletrnicos para
deteco de algum tipo de fenmeno fsico como radiaes, temperaturas, presso, etc. Para o
projeto de tais circuitos necessitamos de dispositivos eltricos denominados transdutores,
dispositivos capazes de converter uma forma de energia em outra por exemplo: luminosa em
tenso, trmica em variao de resistividade, etc. Assim este anexo ser til na elaborao de
pequenos projetos envolvendo tais dispositivos.
A natureza da luz
A luz uma forma de energia eletromagntica oscilatria que se dispersa no meio em que se
encontra. Uma radiao luminosa se caracteriza por seu comprimento de onda. O comprimento
de onda ( ) dado em metros pela relao:
c
f
m/s
Uma radiao luminosa verde, por exemplo, tem uma freqncia de aproximadamente 566
GHz e seu comprimento de onda de 530 nm. A vista humana sensvel as radiaes
luminosas na faixa de 380 nm ( violeta ) at 780 nm ( vermelho escuro ), sendo que a
sensibilidade mxima em 555 nm amarelo esverdeado. A figura 1 mostra o espectro da
radiao luminosa visvel ao ser humano, acrescentando nos extremos as faixas de
infravermelho e ultravioleta que so invisveis.
Prof. Corradi
84
Sensibilidade espectral
Por esta curva se verifica que o componente tomado como exemplo tem sensibilidade mxima
para radiaes luminosas de aproximadamente 680 nm, que se situa na faixa das radiaes
visveis pelo ser humano. Verifica-se tambm que a sua sensibilidade 3 vezes menor ( 30%
do mximo ) para radiaes entre o azul e o verde ( 500 nm ). Em geral, admite-se como faixa
de funcionamento o intervalo de freqncias nas quais o componente tem um mnimo de 70%
de sensibilidade relativa. No grfico apresentado como exemplo, esta faixa seria entre 540 nm
e 760 nm. A sensibilidade tambm pode ser apresentada como um parmetro absoluto, para
um determinado tipo de luz. Por exemplo:
5 A/100 lux lmpada incandescente de tungstnio a 2500 C.
Prof. Corradi
85
Resposta em freqncia
Os LDRs apresentam uma resistncia elevada quando colocados no escuro e sofrem uma
reduo de resistncia a medida que a incidncia de luz sobre o componente aumenta. Os
valores de resistncia dos LDRs no escuro e no claro variam de tipo para tipo, com variaes
tpicas que vo desde alguns MegaOhms no escuro at algumas centenas de Ohms quando
em ambientes com grande intensidade de luz.
Um aspecto importante que a variao de resistncia de um LDR em funo da luz no
linear, conforme mostra a curva caracterstica tpica da figura 6.
Prof. Corradi
86
Figura 6.
Prof. Corradi
87
O LDR pode ser utilizado em um divisor de tenso de forma que o resultado seria uma tenso
de sada dependente da intensidade luminosa ( figura 9 ).
Figura 9
Este divisor associado, por exemplo, a um disparador de Schimitt ( ver anexo 4 ), poderia ser
utilizado para comandar uma lmpada que s acenderia noite ( figura 10 ). Embora a tenso
de entrada varie vagarosamente medida que o ambiente escurece ou clareia, o disparador de
Schimitt se encarrega de chavear corretamente o rel que aciona a lmpada. Uma das
vantagens do LDR em relao aos outros sensores sensveis luz reside no fato de que,
apesar de ser semicondutor, no tem junes pn de forma que pode ser utilizado em tenses
de corrente alternada.
Outra vantagem a sua sensibilidade que a torna particularmente interessante em locais onde
o nvel de iluminao baixo. Sua maior desvantagem reside no tempo de resposta. O LDR
apresenta um tipo de memria luminosa que retarda a variao de resistncia do
componente sempre que a clula estiver exposta a uma certa quantidade de luz por algum
tempo. Isto limita a faixa de funcionamento em freqncias a, no mximo, algumas centenas de
Hertz.
Prof. Corradi
88
Figura 10
B) FOTODIODO
Trata-se de um diodo fabricado com um encapsulamento especial que permite a incidncia de
luz sobre a juno pn. Geralmente o encapsulamento metlico e possui uma lente para a
concentrao da luz sobre a juno ( figura 11 ). Um dispositivo conhecido o TIL 32 invlucro
plstico transparente.
A indicao do nodo ou ctodo varia de tipo para tipo, de forma que a maneira mais prtica de
identificar os terminais atravs do catlogo do fabricante ou teste com o multmetro. O
fotodiodo utilizado normalmente com polarizao reversa. Nesta situao a corrente
circulante uma corrente de fuga ( figura 12 ). A aplicao de luz no fotodiodo provoca a
liberao de portadores nos cristais, ocasionado um aumento na corrente reversa.
Prof. Corradi
89
Prof. Corradi
90
O funcionamento do fototransistor tem como base o fato da juno base-coletor, que sempre
polarizada inversamente, se comportar como um fotodiodo. A incidncia de luz sobre
fotodiodo base-coletor d origem a uma corrente reversa ( semelhante a Icbo ) que
amplificada beta ( ) vezes no coletor. Esta corrente proporcional a intensidade luminosa
qual o transistor est sujeito. Portanto podemos escrever:
I C hFE .I
Prof. Corradi
91
Nestas curvas a corrente de base ( dos transistores convencionais ) foi substituda pelo
iluminamento. Apesar de possuir o terminal de base como qualquer outro transistor ( alguns
modelos ), este raramente utilizado, sendo mais comum a excitao somente atravs da luz (
figura 20 ). Caso seja necessrio, no entanto, alterar a tenso de coletor para um determinado
iluminamento, possvel polarizar a base da mesma forma que um transistor convencional (
figura 21 ).
Prof. Corradi
92
TERMISTORES
So componentes semicondutores cuja resistncia eltrica varia com a temperatura. So
utilizados toda vez que se necessita transformar uma variao de temperatura em um sinal
eltrico. Dependendo da forma como a resistncia se altera com a temperatura, os termistores
podem ser do tipo PTC ou NTC. A figura 24 mostra o aspecto fsico destes componentes e os
smbolos. Os termistores podem ser utilizados em dc quanto em ac.
a. termistor PTC
Prof. Corradi
93
Os termistores, tanto o PTC como o NTC, podem ser utilizados de duas formas distintas:
a. atuando como sensores, se comportando de acordo com a temperatura do equipamento;
b. atuando sobre o equipamento, de acordo com as condies de tenso ou corrente do
mesmo.
Como sensores de temperatura, os termistores so utilizados, por exemplo, para a manuteno
do ponto de operao de transistores ( figura 27 ). ( verifique tambm a aplicao do mesmo no
anexo sobre estabilidade e compensao ).
Prof. Corradi
94
Exerccio de aplicao
Para o circuito representado abaixo, deseja se que o rel atraque para uma temperatura de
40C. Dados: NTC @ 25C = 5 K Ohms e a temperatura de 40C = 2,5 K Ohms; corrente de
atracamento do rel de 50 mA. Determinar R1 e R2.
Prof. Corradi
95
Questionrio
1. Defina:
a. Luz;
b. Comprimento de onda;
c. Espectro visvel.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
8.
ANEXO 4
SCHIMITT TRIGGER ( DISPARADOR DE SCHIMITT )
Este circuito utilizado na deteco de nvel, regenerao de impulsos degradados e na
transformao de ondas quadradas. O Schimitt basicamente um circuito de comutao
rpida, cuja mudana de estado ocorre quando a entrada passa por um dado valor pr
estabelecido. Alm disto este circuito tm a particularidade de no efetuar a comutao para o
estado prvio assim que o sinal de entrada reduzido at o valor de limiar. Com efeito a
entrada ter de atingir um valor inferior ao necessrio para passar ao estado alto. Esta
propriedade de histerese ou folga permite eliminar rudos sobrepostos ao sinal de entrada.
Observar o circuito abaixo:
Prof. Corradi
96
Ra = 3Re ; Rb = 0,1Rx ; Rx =
Rc =
IB
VT + =
VT
Re
.VCC
( Re + Rd + Rb )
Rb
VCC + (VBE . R ).Re .Rc
c
=
[Rb .Rc + Rb .Re + Rc .( Rd + Re )]
Exemplo numrico : projetar um disparador de Schimitt para Ic = 10mA, beta = 200 e Vcc
= 12 V. Colocar os valores comerciais para os resistores e determinar o limiar superior,
inferior e a histerese.
Prof. Corradi
97
I C
I
I
K = C ento podemos escrever : C = K
IC
Prof. Corradi
98
I C = 1 mA e I C = 0,5 mA , ento :
0 ,5 x10 3
50
= K
K =1
3
1x10
100
Obs.: Podemos verificar que tal circuito o pior caso para a estabilidade de beta (). Voc deve
recordar da polarizao de base fixa comentada anteriormente, naquele momento j havamos
comentado que o circuito era extremamente dependente das variaes de beta e neste ponto
comprovamos as informaes transmitidas.
Anlise do circuito de estabilidade de beta ( )
Estamos interessado na estabilidade do ponto de operao e sabemos que o mesmo
determinado pela anlise do circuito dc, assim iremos fazer uma anlise mais detalhada em um
circuito com realimentao e verificar a estabilidade de forma geral.
-
IC
Obs.: Se o transistor for substitudo teremos novos valores de e corrente de coletor, ento
teremos: ( + ) e (I C + I C ) , assim substituindo estas variaes na equao A temos:
Prof. Corradi
99
VCC VBE =
(I C + I C ) (R
( + )
+ RE ) + (I C + I C ).RE eq. B
0=
(I C + I C ) (R
( + )
I C
IC
=
+ RE ) (RB + RE )
IC
+ (RE .I C )
1
1 + ( + )
RE
RB + RE
I C
RB + RE
=
.
(RB + RE ) + .RE + .RE
IC
Dividindo toda a equao por (RB + RE ) , temos:
Prof. Corradi
100
RE
RB + RE
1
1 + ( + ).
RE
RB + RE
Podemos observar que o primeiro termo da equao nada mais do que o fator K, assim
temos que:
K=
1
1 + ( + ).
RE
RB + RE
K=1
Equao acima
Se houver um Re fica Re =
Rc + Re
Correntes de fuga
( + 1).I CBO .
Regras bsicas:
a.
Prof. Corradi
I 'CBO = 2 N .I CBO ;
( + 1).2 N .I CBO .
101
S=
I C
, a deduo desta expresso foge do escopo desta apostila; deixamos a cargo do
I CBO
S=
RE + RB
R
RE + B
1+
Compensao de polarizao
Escolhida uma determinada polarizao dentre as vistas anteriormente, podemos melhorar a
sua estabilidade utilizando-se de caractersticas no lineares e de sensibilidade a temperatura
de alguns dispositivos. Estas so denominadas tcnicas de compensao. Diferentemente das
tcnicas de estabilizao de um ponto Q, que mantm a corrente de coletor e a tenso entre
coletor e emissor com a menor variao possvel em funo da escolha dos resistores de uma
determinada configurao de polarizao, a compensao utiliza, diodos e transistores para
melhorar ainda mais o fator de estabilidade.
Compensao por termistores ( dispositivos visto no anexo sobre sensores )
a) Controle de tenso do emissor:
Prof. Corradi
102
d) Compensao de I CBO .
Prof. Corradi
103
Pesquisa:
1-
Faa uma pesquisa sobre um circuito estabilizador de tenso com sada varivel e com
proteo contra curto-circuito, mas que utilize somente resistores, diodos, diodos zener e
transistores.
2-
Faa uma pesquisa sobre as caractersticas eltricas dos seguintes circuitos integrados
reguladores de tenso: 7805, 7905, 7812, 7912 e LM 317. Mostrar trs exemplos prticos:
uma fonte de tenso positiva, uma fonte de tenso simtrica e uma fonte de tenso
ajustvel empregando estes dispositivos.
3-
Faa uma pesquisa sobre fonte de corrente estabilizada que utilize apenas um diodo
zener, um transistor e resistores de limitao e polarizao.
Prof. Corradi
104
Se seu resistor tem quatro faixas, as primeiras duas faixas so nmeros, a terceira faixa o
multiplicador, e a Quarta faixa a tolerncia, e se seu resistor tem cinco faixas, as primeiras
trs so nmeros, a Quarta faixa o multiplicador, e a quinta faixa a tolerncia. Se no existir
a faixa para a tolerncia, a tolerncia de 20% do valor do resistor. Nota atualmente devido
ao avano tecnolgico voc no ir encontrar resistores com essa tolerncia, somente em
equipamento muito antigos em torno de mais de 20 anos. Assim para encontrar o valor do
resistor voc deve tomar os primeiros nmeros e multiplicar pelo fator de multiplicao e assim
voc ter o valor do resistor em Ohms.
Prof. Corradi
105
Caractersticas:
Diodos de Germnio
Cdigo
I F (mA)
VRRM (V )
Uso
AA 119
AAZ 18
OA 70
OA 95
AA 113
AA 116
AA 117
1N 34
1N 60
35
180
50
50
25
45
500
15
40
45
20
22,5
115
65
30
115
60
50
Detetor de AM discriminador FM e TV
Uso geral e comutao
Detetor de vdeo
Uso geral
Detetor AM/FM
Detetor AM/FM
Uso Geral
Uso Geral
Uso Geral
Prof. Corradi
106
I F [A ]
1
V RRM [V ]
50 - 100
1N4001
(50V)
1N4002
(100V)
200
400
600
800
1N4003
1N4004
1N4005
1N4007
1000
1200
1600
(DO-7)
12
12F20
12F100
(DO-4)
12FR20
12FR100
40
40HF10
40HF60
(DO-5
40HFR10
40HFR60
Ctodo rosqueado
nodo rosqueado
Importante: - As correntes de conduo direta citadas nos dispositivos de montagem
rosqueada so os valores nominais mximos. As informaes do fabricante devem sempre ser
consultadas j que, em alguns casos, os dispositivos precisam ser resfriados a ar
artificialmente para que a corrente nominal mxima citada possa ser obtida.
Prof. Corradi
107
Fabr.
V Z N [V ]
2,4
2,7
3,0
3,3
3,6
3,9
4,3
4,7
5,1
5,6
6,2
6,8
7,5
Philips
National National
Cod.
Cod.
Cod.
BZX79C BZX55C BZX85C
400 mW 500 mW
1,3 W
2V4
2V7
3V0
3V3
3V3
3V3
3V6
3V6
3V6
3V9
3V9
3V9
4V3
4V3
4V3
4V7
4V7
4V7
5V1
5V1
5V1
5V6
5V6
5V6
6V2
6V2
6V2
6V8
6V8
6V8
7V5
7V5
7V5
Philips
Cod.
BZV85C
1,3 W
Philips
Cod.
BZT03C
3W
_
Cod.
1N53
5W
33B
5V1
5V6
6V2
6V8
7V5
7V5
35B
36B
37B
38B
39B
41B
42B
43B
8,2
9,1
10
11
12
8V2
9V1
10
11
12
8V2
9V1
10
11
12
8V2
9V1
10
11
12
8V2
9V1
10
11
12
8V2
9V1
10
11
12
44B
46B
47B
48B
49B
13
13
13
13
13
13
50B
15
15
15
15
15
15
52B
16
16
16
16
16
16
53B
Prof. Corradi
Semicron Semicron
Cod.
Cod.
BZY93C BZY91C
20 W
75 W
7V5#
7V5R
8V2
9V1
10
11
12#
12R
13#
13R
15#
15R
16
10
12
15#
15R
108
18
18
18
18
18
55B
20
20
20
20
20
20
57B
22
24
22
24
22
24
22
24
22
24
22
24
59B
27
27
27
27
27
27
61B
30
33
36
39
30
33
36
39
30
33
30
33
36
30
33
36
39
30
33
36
39
63B
64B
65B
66B
43
47
51
56
62
68
75
43
47
51
56
62
68
75
82
91
100
43
47
51
56
62
68
75
82
91
100
110
120
130
150
160
180
200
220
270
47
56
75
120
130
150
160
180
200
220
270
68B
69B
70B
72B
73B
74B
75B
77B
78B
79B
18#
18R
20#
20R
22
24#
24R
27#
27R
30
33
36
39#
39R
43
47
51
56
62
68
75
18
24
30
33
36
43
47
51
68
75
83B
84B
86B
88B
Prof. Corradi
109
500 mW
Tipo
1N746
1N747
1N748
1N749
1N750
1N751
1N752
1N753
1N754
1N755
1N756
1N757
1N758
1N962
1N759
1N964
1N965
1N966
1N967
1N968
1N969
1N970
1N971
1N972
1N973
encapsulamento DO-35
Zz @ Iz
Iz (mA)
max ()
20
28
20
24
20
23
20
22
20
19
20
17
20
11
20
7
20
5
20
6
20
8
20
16
20
17
11,5
9,5
20
50
9,5
13
8,5
16
7,8
17
7
21
6,2
25
5,6
29
5,2
33
4,6
41
4,2
49
3,8
58
Diodos Zener
Tenso
Zener
VZn
3,3
3,6
3,9
4,3
4,7
5,1
5,6
6,2
6,8
7,5
8,2
9,1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
1W
Tipo
1N4728
1N4729
1N4730
1N4731
1N4732
1N4733
1N4734
1N4735
1N4736
1N4737
1N4738
1N4739
1N4740
1N4741
1N4742
1N4743
1N4744
1N4745
1N4746
1N4747
1N4748
1N4749
1N4750
1N4751
1N4752
encapsulamento DO-41
Zz @ Iz
Iz (mA)
max ()
76
10
69
10
64
9
58
9
53
8
49
7
45
5
41
2
37
3,5
34
4
32
4,5
28
5
25
7
23
8
22
9
19
10
17
14
15,5
16
14
20
12,5
22
11,5
23
10,5
25
9,5
35
8,5
40
7,5
45
Prof. Corradi
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Prof. Corradi
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Nomenclatura de Transistores
Identificao dos transistores e outros dispositivos semicondutores ( Cdigo Europeu )
Exemplo: cdigo com duas letras, trs nmeros e uma letra final ( BC 548C )
1- Significado da primeira letra:
A : dispositivo com uma ou mais juno constitudo por cristais de germnio;
B : dispositivo com uma ou mais junes constitudo por cristais de silcio;
C : dispositivo constitudo de cristais de arsenieto de glio ( GaAs );
D : dispositivo constitudo de cristais de antimoneto de ndio;
R : dispositivo com junes que utilizam materiais como empregados em clulas
fotocondutoras e geradores de efeito Hall ou materiais compostos; por exemplo Sulfeto de
Cdmio.
2- Significado da Segunda letra:
A : diodos detetores, diodos de comutao e diodos de baixo sinal;
B : diodos varicap ( diodos de capacitncia varivel );
C : transistores para udio freqncia de baixa potncia;
D : transistores para udio freqncia de mdia potncia;
E : diodo tnel;
F : transistores para rdio freqncia de baixa potncia;
G : diversos, miscelneas, dispositivos mltiplos;
H : prova de campos magnticos ( sensores );
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hFE
125 260
250 500
450 900
-
V CEO
100 V
200 V
300 V
400 V
500 V
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