UNIVERSIDAD PRIVADA DEL VALLE

FACULTAD DE TECNOLOGA
INGENIERIA MECATRNICA
CAMPUS TIQUIPAYA

Evaluacin

ELECTRONICA BASICA II
Informe de Practica de Laboratorio
N 1
AMPLIFICADOR CON BJT EN
FRECUENCIAS MEDIAS
Grupo C
Estudiante: Estela Albarracn
Carmona
Docente: Ing. Elas Chavez
Cochabamba 27 de Marzo del 2015
Gestin I 2015

AMPLIFICADOR CON BJT EN FRECUENCIAS MEDIAS

1. OBJETIVO
a) Objetivo general
Disear, analizar y caracterizar circuitos amplificadores en frecuencias medias
en las distintas configuraciones utilizando transistores BJT., a travs de la
resolucin de problemas que se presentan en el campo de trabajo del
profesional.

Comprender los parmetros que caracterizan a cada amplificador, como ser sus
ganancias y sus impedancias, en la electrnica bsica.

2.- MARCO TERICO

El transistor de unin bipolar (del ingls bipolar junction transistor, o sus siglas BJT) es un
dispositivo electrnico de estado slido consistente en dos uniones PN muy cercanas entre
s, que permite controlar el paso de la corriente a travs de sus terminales. La denominacin
de bipolar se debe a que la conduccin tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores
de dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran
nmero de aplicaciones; pero tienen ciertos inconvenientes, entre ellos su impedancia de
entrada bastante baja.
Los transistores bipolares son los transistores ms conocidos y se usan generalmente en
electrnica analgica aunque tambin en algunas aplicaciones de electrnica digital, como
la tecnologa TTL o BICMOS.

Un transistor de unin bipolar est formado por dos Uniones PN en un solo cristal
semiconductor, separados por una regin muy estrecha. De esta manera quedan formadas
tres regiones:
Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada, comportndose
como un metal. Su nombre se debe a que esta terminal funciona como emisor de portadores
de carga.
Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector.
Colector, de extensin mucho mayor.
La tcnica de fabricacin ms comn es la deposicin epitaxial. En su funcionamiento
normal, la unin base-emisor est polarizada en directa, mientras que la base-colector en
inversa. Los portadores de carga emitidos por el emisor atraviesan la base, porque es muy
angosta, hay poca recombinacin de portadores, y la mayora pasa al colector. El transistor
posee tres estados de operacin: estado de corte, estado de saturacin y estado de actividad.
Una de las aplicaciones ms tpicas del BJT es su uso como amplificador de corriente
alterna. Dicha aplicacin consiste en un sistema capaz de amplificar la seal de entrada en
un factor de ganancia determinado, que ser la relacin de salida sobre la entrada. En
trminos de seales del voltaje, se habla de ganancia de voltaje Av = vo vi . Para que este
sistema funcione, el BJT debe estar polarizado en zona activa. Esto significa que
simultneamente conviven elementos de corriente continua (cc) y corriente alterna (ca). En
los siguientes apartados se analizan los efectos de ambas componentes y se introducen
conceptos dinmicos de funcionamiento de los sistemas basados en BJT.
Una de las configuraciones tpicas amplificadoras es el circuito de emisor comn, el cual
recibe una seal vi(t) que es transmitida hacia la salida vo(t) y que adems tiene una fuente
de polarizacin de corriente continua VCC . Los capacitores, permiten conectar la
excitacin con el circuito y a su vez unir el circuito con la carga, por lo que reciben el
nombre de capacitores de acoplo. Estos condensadores permiten la interconexin con
fuentes de seal, carga u otra etapa de amplificacin, su rol consiste en bloquear las
componentes de cc. Por otro lado CE (bypassed capacitor) en ca, funciona como un

cortocircuito haciendo que el emisor sea el terminal comn, desde el punto de vista de las
seales.

3.- MATERIALES Y EQUIPO

Generador de seal
Osciloscopio Digital
Multmetro Digital
Fuente de poder DC
Resistencias de diseo
Potencimetro de 1M
Transistores BJT de diseo (2N2222)
Capacitores de diseo

4.- PROCEDIMIENTO
Parte 1.1
Verifique la polarizacin del transistor midiendo los siguientes voltajes y comparando con
los resultados tericos:

Seleccionar una onda sinusoidal de frecuencia F = 5 [KHz]. Conectar el Osciloscopio para

medir las seales de entrada y salida: CH1 = Vin y CH2 = Vout. Actuar sobre la amplitud de
entrada para obtener la mxima seal de voltaje de salida sin distorsin. Anotar los valores
en el siguiente cuadro y calcular la Ganancia de tensin y el desfase entre las seales.
Con Capacitor en CE

Sin Capacitor en CE

5.-DATOS

Con capacitor en Ce
CH1:
V PP =26 mV
V max =12.80 mV
CH2:
V PP =2. 04 mV
V max =1.0 0 mV

Sin Capacitor en Ce
CH1:
V PP =39 6 mV
V max =200. 0 mV
CH2:
V PP =1.84 mV
V max =920.0 mV

6.- CLCULOS Y GRFICOS

Con capacitor en Ce

Sin Capacitor en Ce

7.-CUESTIONARIO
1.- Mediante las hojas de datos especificar los valores de los parmetros H de
los transistores a ser usados en laboratorio.
R.-

hie=

26 mV
IC

hie=3.43 k
hfe=200

2.- Calcular en forma terica la Ganancia de voltaje del amplificador, Av =

Vout/Vin, AI, ZIN y ZOUT
R.- Con capacitor:
hfeR C
Av =
hie
Av =192.42

zi=hie R B
zi=2.72 k
zo=3.3 k

Sin capacitor:
Av =

hfeR C
hie + ( +1 )R E

Av =4.85
E
hie+ ( +1 )R
zi=RB
zi=12.12 k

zo=3.3 k

3.- En cada uno de los puntos mencionados arriba hacer una comparacin de
los resultados tericos y prcticos y explicar las posibles hiptesis sobre las
variaciones.
R.-

error =

Av (mayor)Av (menor )
100
Av (mayor )

Ganancia con capacitor:

8.23%
Ganancia sin capacitor:
1.88%
Impedancia de entrada con capacitor:
38.25%
Impedancia de entrada sin capacitor:19.09%
Impedancia de salida con capacitor: 33%
Impedancia de salida sin capacitor: 38.78%

8.- CONCLUSIONES
De acuerdo con las mediciones realizadas en los voltajes y corrientes, podemos observar
que fueron las esperadas, con un rango mnimo de error el cual se encuentra dentro del
rango de las tolerancias. Por lo cual podemos concluir que las conexiones de los circuitos,
las mediciones respectivas y lo clculos fueron correctos.

9.- RECOMENDACIONES
Se recomienda tener especial cuidado al hacer las conexiones en el circuito, para
evitar un mal uso del material y resultados incorrectos. Tambin leer con atencin el cdigo
de colores en las resistencias, para saber bien con lo que se est trabajando y poder

anticipar los resultados para calcular la exactitud experimental. Se recomienda al momento

de utilizar el multmetro que ste est conectado correctamente y ajustado en una escala
apropiada para la cantidad de corriente que se medir. Adems asegurarse de identificar
correctamente los terminales del diodo para asegurar una conexin correcta del circuito.

10.- BIBLIOGRAFA
http://es.wikipedia.org/wiki/Transistor_de_uni
%C3%B3n_bipolar#Modelo_en_peque.C3.B1a_se.C3.B1al
http://146.83.206.1/~jhuircan/PDF_CTOI/T03IEE2.pdf