UNIVERSIDAD NACIONAL DEL

CALLAO
FACULTAD DE INGENIERA ELCTRICA Y ELECTRNICA

IMF
E. P. INGENIERA
ELECTRNICA
OR
ME
FIN
AL:

Res
pue
sta
en
Fre
cue
ASIGNATURA: CIRCUITOS ELECTNICOS 1 (LABORATORIO)
nci
GRUPO/TURNO:
91G / 11:00 AM 2:00 PM
a
PROFESOR:
CUZCANO RIVAS ABILIO
delBERNARDINO
Am
INTEGRANTES:
CODIGO
plif
AIRE VALENCIA FRANK
123220411
BARRIENTOS ROJAS
WILLIAM
cad
LOYO MAYANDIA KEVIN
1213220545
PEREZ FRETEL ANGEL
1213270018
or
de
un

2015

[RESPUESTA EN FRECUENCIA DE
AMPLIFICADOR COMUN]

Respuesta en Frecuencia del

Amplifcador de un Emisor Comn
OBJETIVOS

En esta prctica profundizamos en el conocimiento de la

amplificacin en general ,y del amplificador de una etapa formado
por un BJT en emisor comn
Mediremos el punto de operacin de las impedancias de entradas y
salida, los mrgenes dinmicos y observaremos la influencia que
tiene el condensador de desacoplo sobre la ganancia del circuito.

Introduccin:
La respuesta en frecuencia en los amplificadores establece el rango en el
cual trabajar el sistema sin distorsionar la seal. Este se conoce como
ancho de banda (BW) y determina las frecuencias para las cuales se
produce el proceso de amplificacin. El valor de este parmetro depende de
los dispositivos y de la configuracin amplificadora. En los siguientes
apartados, se describen las zonas de trabajo de un amplificador, se analiza
la respuesta en frecuencia de configuraciones bsicas y se plantea una
metodologa que permite determinar el ancho de banda para un
amplificador multietapa.

Marco Terico
El anlisis de la respuesta en frecuencia de un amplificador puede ser
considerado en tres rangos de frecuencia: la banda de baja, media y alta
frecuencia.

B 1

C
C

R
i

B 2

Pgina 2

V
L

[RESPUESTA EN FRECUENCIA DE
AMPLIFICADOR COMUN]
En la banda de baja frecuencia los capacitores usados para aislar la
componente continua CC (Acoplamiento en CA) y el capacitor de paso
afectan la frecuencia de corte inferior (-3 dB).
Circuito de pequea seal a frecuencias bajas
Capacidades internas del transistor, Cp y Cm, en abierto.

Funcin de transferencia

Mtodo del cortocircuito

Clculo de la resistencia que ve C1:

Cortocircuitamos vs, C2 y CE.

Sustituimos C1 por una fuente de test VX.

RC1 = VX/ IX

Clculo de la resistencia que ve C2:

Pgina 3

[RESPUESTA EN FRECUENCIA DE
AMPLIFICADOR COMUN]

Cortocircuitamos vs, C1 y CE.

Sustituimos C2 por una fuente de test VX.

RC2 = VX/ IX

Idntico proceso para CE

Constantes de tiempo

Frecuencias de corte interior

Pgina 4

[RESPUESTA EN FRECUENCIA DE
AMPLIFICADOR COMUN]

RC2 > RC1 > RCE CE introduce el polo dominante

Influencia de los ceros

Ceros de C1 y C2

C1 y C2 introducen un cero a frecuencia

= 0 ya que |A(j = 0)| = 0.

Los ceros estn alejados del polo dominante.

Ceros de CE

Para valores tpicos de RE el cero se encuentra suficientemente alejado del polo.

En la banda de alta frecuencia las capacitancias parsitas de los cables y las

capacitancias internas de los dispositivos determinarn la frecuencia de
corte superior del circuito.
Circuito de pequea seal a frecuencias altas
Condensadores de acoplamiento, C1 y C2 , y desacoplo CE en cortocircuito.
Cm conecta la salida con la entrada se espera efecto Miller.

Mtodo del circuito abierto

Clculo de la resistencia que ve Cp :

Cortocircuitamos vs.

Dejamos en abierto Cm.

Pgina 5

[RESPUESTA EN FRECUENCIA DE
AMPLIFICADOR COMUN]

Sustituimos Cp por una fuente de test VX.

RCp = VX/ IX

rb influye en RC si rs es pequea.

Idntico proceso para C:

Constantes de tiempo

Frecuencia de corte superior

RCm > RCp Cm introduce el polo dominante

Influencia de los ceros

Cero de Cp

Cp introduce un cero a frecuencia w = ya que |A(jw = )|= 0.

El cero est alejado del polo dominante.

Cero de Cm

Pgina 6

[RESPUESTA EN FRECUENCIA DE
AMPLIFICADOR COMUN]

Para ganancias grandes el cero se encuentra alejado del polo.

SIMULACION DEL CIRCUITO en proteus

R3

R1

6.8k

56k

AC mA

C3

V1

10Uf

22V

C1

I0

+1.26

Q1

+1.75

2N2222

AC mA

10uF

R2
+4.67

8.2k

R4

+7.34

100k

AC Volts

AC mA

+1.27

AC Volts

C2
10uF

R5
1.5k

DATOS
B = 90
Re= 1.26 mV/ Ie = 1.26 mV/ 1.28 Am = 0.98 Ohm
IB= 1.76 Am
1055 Amp

IC: 0.98Amp

VI=4.67 Vol
Ie=1.28 Am
Pgina 7

En laboratorio:
IB: 056 Amp IE:

[RESPUESTA EN FRECUENCIA DE
AMPLIFICADOR COMUN]
IC=1.27 Am
r0=50k, este valor es elevado y en algunos casos se elimina
V0= 7.30 Vol
ZI= R1//R2//Bre = 7.15 k //(90 * 0.98) = 7.15 k // 88.2 = 87.12 k
Z0= RL // r0 = 33.3 K
AV= V0/ VI= 7.30 Vol /4.67 Vol =1.56 Vol
A0= - AV * ZI/ RL = - 1.56 * 87.12 k / 100 k = -1.56 * 0.87 = 1.28 Vol

SIMULACION EN EL PROTEUS VOLTAJE DE SALIDA CON EL

OSCILOSCOPIO

Simulacin del laboratorio en clases

Pgina 8

[RESPUESTA EN FRECUENCIA DE
AMPLIFICADOR COMUN]

Pgina 9

[RESPUESTA EN FRECUENCIA DE
AMPLIFICADOR COMUN]

CUESTIONARIO
1. Que es la regin activa, de corte y saturacin?
Zona activa:
Es una amplia regin de trabajo comprendida entre corte y
saturacin, con unos valores intermedios tanto de IC como de
VCE.El transistor trabajando en la zona activa se suele utilizar
en la electrnica de las comunicaciones.La potencia disipada
ahora es mayor, ya que ambos trminos tienen un valor
intermedio.
Zona de saturacin:
Corresponde a un punto Q con una IC elevada (depende de la
RC) y un voltaje VCE muy pequeo no menor a un valor
denominado de saturacin VCEsat.
Los valores tpicos de VCEsat son del orden de 0,3v.
Cuando el transistor esta saturado, se puede comparar a un
interruptor cerrado entre colector y emisor.
Zona de corte:
Corresponde a un punto Q con una IC prcticamente nula y un
voltaje VCE elevado. Si hacemos nula la IB, la IC=ICEO, es decir
tendr un valor muy pequeo, y por lo tanto la c.d.t. en RC ser
mnima con lo que VCE=VCC.
El transistor en corte se puede comparar con un interruptor
abierto entre colector y emisor.
La potencia que disipa el transistor tanto en corte como en
saturacin es mnima, ya que uno de los coeficientes en ambos
casos es prcticamente nulo.

Pgina 10

[RESPUESTA EN FRECUENCIA DE
AMPLIFICADOR COMUN]

2. Una vez armado el circuito y simularlo observe los

resultados son iguales? Si no lo so explique el porque
de esta diferencia si se trata del mismo circuito
No, esto se debe a los factores error que existen en los
resistencias estas no son exactas en valores los valores
tomados en proteus son exactas mientras que en la vida real
estas varian no son exactas haciendo sto un mal calculo no
exacto de las corrientes

3. Mencione 5 usos de los transistores bipolares

En grandes circuitos el consumo de energa es

relativamente muy bajo
En los telfonos celulares, computadores, etc comparado
con los antiguos, el descubrimiento del transistor hizo que
disminuya el tamao.
Usadas en equipos industriales y mdicos por su larga
vida til
Usadas e amplificadores de guitara, sonido, micrfono.
Usadas en la radio, ayudaron mucho en la evolucin del
mismo en las comunicaciones y tambin como las
porttiles

CONCLUSIONES

Pgina 11

[RESPUESTA EN FRECUENCIA DE
AMPLIFICADOR COMUN]
Podemos concluir que en esta prctica profundizamos el conocimiento de la
amplificacin, determinando el punto de operacin y las impedancias de
entrada y salida, con lo cual observamos evidentemente que no es posible
obtener una amplificacin sin una adecuada polarizacin DC.
Se puede decir que al trabajar el transistor BJT en regin activa
aproximadamente como un dispositivo lineal permite separar el anlisis en
AC y DC con lo cual la manipulacin del circuito y de las ecuaciones se
llegan a resultados ms favorables para el diseo.
Concluimos tambin que en la configuracin emisor comn se obtienen
elevadas ganancias de tensin y corriente, hacindolo el circuito ideal para
amplificacin de pequeas seales.
Se encuentra que cuando se realiza el diseo del circuito es conveniente
que el punto Q est situado en el centro de la recta de carga y que la
ganancia no sea excesivamente alta para dar estabilidad al circuito y evitar
distorsiones respectivamente.
Se puede observar que un circuito conectado en la opcin de colector
comn se comporta como un seguidor, no presenta amplificacin a su
salida.
Se concluye que se pueden presentar errores en las mediciones debido a
que los valores tericos de los elementos pueden no coincidir con los reales
(se hace necesario aproximarlos a un valor superior o inferior)

BIBLIOGRAFIA

http://www.unicrom.com/topic.asp?
TOPIC_ID=7510&FORUM_ID=43&CAT_ID=2&Forum_Title=Teor
%EDa+y+problemas+para+principiantes&Topic_Title=transistor+en
+corte%2C+saturacion+y+activa, 26/04/2015, 17:36 Pm.
http://es.wikipedia.org/wiki/Transistor_de_uni%C3%B3n_bipolar,
26/04/2015, 17:48 pm
http://www.ehowenespanol.com/transistores-hechos_312403/,
26/04/2015 , 18:00 pm

Pgina 12