Transformador de Impedância em Linha de Trasmissão

2
Transformador de impedncia em linha de transmisso
2.1.Introduo
A utilizao de estruturas de adaptao de impedncia capazes de acoplar os
sinais eltricos, de modo eficiente, a dispositivos optoeletrnicos, tais como lasers
semicondutores e fotodetectores tipo PIN, proporciona um melhor aproveitamento
da energia e um aumento da banda passante do sistema.
Tipicamente, a impedncia ativa de um laser semicondutor da ordem de
PUC-Rio - Certificao Digital N 0116436/CB
5 . Ao utilizar-se uma linha de transmisso convencional de 50 de impedncia

para fornecer sinais eltricos ao laser, a maior parte da potncia eltrica refletida
de volta para a linha. possvel introduzir dentro do encapsulamento do laser uma
resistncia, da ordem de 45 , em srie com o laser, de modo a promover o
casamento de impedncias. Esta prtica comum at os dias atuais, como
mostram os catlogos de diversos fabricantes de lasers semicondutores. Apesar de
melhorar o casamento de impedncias, a maior parte da energia no bem
aproveitada para o fim a que se destina, sendo dissipada sob forma de calor na
resistncia. Convm ressaltar que, embora a impedncia de entrada de um laser
semicondutor no seja puramente resistiva, j foi demonstrado pelos trabalhos de
Carvalho (1991a, 1991b, 1991c, 1992), que o casamento puramente resistivo
proporciona uma melhoria significativa no desempenho dos acoplamentos. Esta
questo ser abordada em maiores detalhes na seo 2.5.3 da presente tese.
Outra desvantagem do uso de linhas de transmisso com impedncia muito
superior a do laser a elevada constante RC, que faz com que o tempo de
descarga das capacitncias parasitas seja elevado e o tempo de resposta do laser
torne-se lento (Carvalho & Margulis, 1991a, 1991b).
Com o intuito de avaliar os benefcios da introduo do TLT, o desempenho
de um laser semicondutor foi comparado ao desempenho obtido quando o
acoplamento feito das formas convencionais, sem casamento ou com o resistor
de casamento.
35
A figura 1 mostra um diagrama esquemtico que ilustra as diferentes

possibilidades consideradas de acoplamento entre um gerador de tenso com
resistncia interna de 50 e um laser semicondutor.
Figura 1 - Diagrama esquemtico do sistema de alimentao de um laser semicondutor

com diferentes possibilidades de acoplamento entre o gerador e o laser, utilizando: um
TLT, ou uma linha de transmisso (LT) convencional ou uma LT associada a um resistor
de resistncia R.
Quando o laser conectado diretamente linha de transmisso de 50 ,

apenas um quarto da mxima potncia disponvel entregue ao laser. A situao
de mxima potncia disponvel aquela em que o laser substitudo por uma
carga casada com a impedncia do gerador (que seria uma outra carga de 50 ).
Essa situao de mxima potncia disponvel poderia tambm ser obtida num caso
hipottico de considerar um transformador ideal de impedncia, capaz de
transformar a impedncia de 50 no valor exato da impedncia do laser para
todas as freqncias.
Quando se introduz uma resistncia em srie com o laser, com o valor dado
pela diferena entre os 50 e a resistncia interna do laser, menos de 10 % da
mxima potncia disponvel entregue ao laser. O casamento de impedncias
alcanado s custas de um enorme desperdcio.
Quando introduzido um circuito passivo sem perdas, ou com nveis
tolerveis de perdas, representado na figura 1 pelo TLT, possvel obter o
casamento de impedncias e ainda fazer melhor uso da potncia disponvel pelo
gerador. Com o uso do TLT possvel fornecer ao laser pelo menos duas vezes
36
mais potncia em relao situao sem casamento, e aproximadamente dez

vezes mais potncia em relao ao circuito com o resistor em srie.
A estrutura de adaptao mais adequada aquela que realiza
simultaneamente o casamento de impedncias e faz o melhor uso possvel da
potncia disponvel. Alm disso, essa estrutura deve possuir uma resposta em
freqncia adequada. Quando sinais eltricos de alta freqncia (ou pulsos
eltricos ultra-curtos) so utilizados, imperativo que a estrutura possua uma
larga banda passante, de muitos gigahertz, para que a mesma no limite o
desempenho do sistema. Os transformadores de impedncia em linha de
transmisso (TLT) afilada atendem a todos os requisitos mencionados.
So evidentes os benefcios trazidos pelo casamento de impedncias.
Existem na literatura inmeros trabalhos que demonstram melhorias significativas
no desempenho dos circuitos quando o casamento de impedncias introduzido.
Grande parte dos trabalhos, porm, realiza o casamento apenas numa faixa
relativamente estreita de freqncias (Music et al., 2003).
Carvalho & Margulis (1991 a e 1991 b) demonstrou experimentalmente que
o desempenho de um laser semicondutor melhorou substancialmente com o uso
de um TLT banda larga devido melhoria na eficincia do acoplamento eltrico.
Entretanto, os TLTs apresentados nestes trabalhos possuem dois inconvenientes,
que so: fabricao bastante complexa, pois diversas combinaes de diferentes
tipos de linhas foram associadas; e tamanho (5 cm de comprimento)
demasiadamente grande para serem introduzidos dentro do encapsulamento de um
laser semicondutor.
Em 1990, Ghiasi (1990) apresentou o projeto terico de um circuito
microstrip para o casamento de impedncias entre um diodo laser de 2 e os
sistemas de 50 . Apesar deste transformador de impedncia Chebyshev de trs
sees possuir uma especificao bastante interessante (operao na freqncia
central de 10.5 GHz, largura de banda de 9 GHz, perda de insero de 1.5 dB e
coeficiente de reflexo na banda melhor do que -10 dB), sua implementao
extremamente problemtica.
A motivao da presente tese foi, ento, desenvolver um TLT planar banda
larga, de fcil implementao e compacto, que superasse todas as restries
mencionadas.
37
Neste captulo so apresentadas as vantagens e desvantagens da utilizao

de um transformador de impedncia banda larga em linha de transmisso para
realizar o acoplamento do sinal de RF, proveniente do gerador de 50 , ao laser
semicondutor.
38
2.2.Transformadores de impedncia com perfil Chebyshev

Em microondas, existem vrios tipos de linhas de transmisso capazes de
realizar o casamento de impedncias entre duas terminaes puramente resistivas
numa faixa de freqncias pr-estabelecida (Collin, 1992). O transformador de
quarto de onda multi-sees e o transformador com linha afilada, so exemplos de
linha de transmisso que possibilitam o casamento de impedncias numa
determinada faixa de freqncias. Esses transformadores diferenciam-se entre si
pela resposta em freqncia do coeficiente de reflexo na entrada da estrutura, e
resultam dos diferentes tipos de variao do nvel de impedncia ao longo da
linha.
O transformador de quarto de onda multi-sees composto, como o nome
diz, por sucessivas sees de quarto de onda, cada uma com um determinado nvel
de impedncia. A variao do nvel de impedncia em cada seo ao longo deste

transformador se d em um nmero de nveis discretos. O coeficiente de reflexo
resultante apresenta uma resposta em freqncia do tipo passa-faixa, com um
nmero infinito de bandas de passagem separadas entre si por bandas de
atenuao. A freqncia central de cada banda de passagem pr-estabelecida e a
largura de banda funo do nmero de sees. Quanto maior o nmero de
sees, maior a largura de banda. Se o comprimento total da estrutura for mantido
fixo e o nmero de sees for aumentado indefinidamente, cada seo passar a
ter comprimento infinitesimal. Neste caso limite, a largura de banda torna-se
infinitamente grande e a freqncia central desloca-se para o infinito. Como cada
seo muito curta e existe um nmero enorme de sucessivos nveis discretos de
impedncia, possvel dizer, neste caso, que a variao de impedncia se d de
forma continua. A transio contnua no nvel da impedncia caracterstica ao
longo do transformador o que caracteriza uma linha afilada. O coeficiente de
reflexo na entrada de uma linha afilada apresenta, ento, uma resposta em
freqncia do tipo passa-alta. A freqncia de corte, caracterstica de uma resposta
em freqncia passa-alta, funo do comprimento da linha, e definida como
sendo a menor freqncia para a qual o coeficiente de reflexo assume o mximo
valor tolerado na banda. O comportamento passa-alta das linhas afiladas o mais
adequado para os objetivos da presente tese, por isso elas foram escolhidas.
39
Na figura 2 encontra-se um esquema de uma linha de transmisso afilada

utilizada como estrutura de adaptao para casar uma linha de impedncia
normalizada unitria, Zc = 1, a uma carga de impedncia normalizada ZL
(considerada puramente resistiva). A impedncia caracterstica normalizada da
linha, Z, varia continuamente ao longo do comprimento y da linha.
L
ZL
Zc = 1
Z (y )
y
Figura 2 - Representao de uma linha afilada, de comprimento L, na qual a impedncia
normalizada Z(y) varia continuamente ao longo da linha.
Para uma linha afilada qualquer, a resposta em freqncia do coeficiente

de reflexo na entrada da estrutura, i, pode ser obtida a partir do comportamento
da impedncia ao longo da linha, Z(y), de acordo com a eq. (2.1) (Collin, 1992):
i =
1
2
e j 2 y
d
( ln Z ) d y
dy
(2.1),
onde L o comprimento total da estrutura, a constante de propagao e y o

eixo ao longo da linha representado na figura 2.
Analogamente ao problema de anlise, que consiste na determinao da
resposta do i em funo de Z(y) conhecido, o problema de sntese pode ser
resolvido. Neste caso, para uma determinada resposta em freqncia do
coeficiente de reflexo da estrutura, i, determina-se a variao Z(y) necessria.
A variao contnua na impedncia caracterstica de uma linha afilada pode
seguir diferentes comportamentos dando origem aos diversos tipos de linha
afilada, tais como: a linha exponencial, a seo hiperblica, a linha Chebyshev, a
seo de Bessel e a linha Gaussiana (Collin, 1992).
Numa linha afilada exponencial, por exemplo, a impedncia caracterstica
varia exponencialmente com a distncia ao longo do comprimento da linha. A
resposta em freqncia do coeficiente de reflexo resultante deste tipo de variao
40
da impedncia apresenta, na banda passante, uma oscilao (ou lbulos) cuja

amplitude mxima diminui medida que a freqncia aumenta.
Diferentemente, a variao da impedncia numa linha afilada Chebyshev
tal que, a resposta em freqncia do coeficiente de reflexo possui, na banda
passante, uma oscilao (lbulos) de amplitude constante. A figura 3 mostra o
grfico do mdulo do coeficiente de reflexo normalizado, em relao a ln(ZL)/2,
em funo do produto L para uma linha afilada Chebyshev. medida que L
cresce no sentido de cL (onde c a constante de propagao na freqncia de
corte), o coeficiente de reflexo vai progressivamente melhorando (diminuindo)
at atingir o mximo valor tolerado na banda para o coeficiente de reflexo na
banda (denominado tolerncia na banda passante). A partir de ento, o
coeficiente de reflexo ir oscilar e nunca exceder o valor mximo tolerado. O
comportamento em freqncia passa-alta da linha afilada nitidamente observado

nesta figura.
Figura 3 - Resposta em freqncia do coeficiente de reflexo de uma linha afilada

Chebyshev.
O i de uma linha afilada Chebyshev pode ser obtido atravs da seguinte

relao (Collin, 1992):
i =
41
cos L 2 c2
1 j L
e
ln Z L
2
cosh c L
(2.2),
onde c o valor de no limite inferior da banda passante, tal como ilustrado na

figura 3, e ZL a impedncia de carga normalizada (que corresponde razo de
transformao de impedncia). Para isto, a impedncia ao longo da linha afilada
Chebyshev deve variar de acordo com a eq. (2.3):
p 1
p
ln Z =
+
2 2 2 cosh u c
+
ln Z L
cosh u c
ln Z L +
cos n 2 u c2 cos n
n
n =1
(2.3)
sin np
onde p=2(y -L/2)/L, uc=cL/ e n um nmero inteiro.

Collin
(1992)
apresenta
as
demais
equaes
que
descrevem
comportamento do coeficiente de reflexo de outras linhas afiladas. Utilizando

tais equaes, que se baseiam na propagao do modo TEM puro, as linhas
afiladas Chebyshev, exponencial e Gaussiana, foram comparadas entre si em
termos do desempenho do coeficiente de reflexo na banda passante, e do
compromisso entre o comprimento total do transformador e a freqncia de corte
(Carvalho et al., 2003).
A figura 4 mostra a relao entre o produto cL (constante propagao na
freqncia de corte multiplicada pelo comprimento) e a tolerncia na banda
passante normalizada em relao a ln(ZL), para as trs linhas afiladas analisadas.
Como pode ser observado atravs da figura, para as linhas exponencial e
Gaussiana, a curva consiste apenas de um ponto. Isto ocorre porque, para estas
linhas, o valor de est univocamente determinado pelos valores de ZL e do
produto cL. Por outro lado, para a linha Chebyshev, dado um certo valor de ZL,
existe um conjunto de valores de e do produto cL contidos na reta do grfico
que so permitidos. A linha Chebyshev proporciona, ento, uma maior
flexibilidade para o projeto em relaes s demais linhas.
Atravs desta anlise, foi possvel verificar que, conforme previsto na
literatura (Collin, 1992), a linha afilada Chebyshev apresenta um projeto timo no
sentido de que fornece a menor tolerncia na banda passante para um dado
comprimento do transformador, ou de outra forma, para uma dada tolerncia o
42
tipo de linha que resulta no menor comprimento da estrutura. Isto pode ser
verficado atravs dos resultados mostrados na figura 4. Para um determinado
valor de tolerncia na banda passante e uma dada razo de transformao, o
comprimento da linha Chebyshev o menor de todos em comparao com as
demais linhas afiladas. Quando se busca miniaturizar o dispositivo este aspecto
bastante relevante.
Figura 4 - Produto c.L (constante propagao na freqncia de corte vezes o

comprimento L do TLT) em funo da tolerncia na banda normalizada em relao
razo de transformao (ZL), para diferentes perfis de linha afilada: Chebyshev,
exponencial e Gaussiano.
A figura 5 mostra o comportamento do produto cL para a linha Chebyshev

em funo da razo de transformao ZL para diferentes valores de tolerncias .
Neste grfico, os valores da tolerncia so dados em termos da mxima perda de
retorno na banda passante (perda de retorno (dB)=-20.log). Observa-se atravs
da figura que, medida que a razo de transformao aumenta, o valor do produto
cL tambm aumenta. Alm disso, para uma mesma razo de transformao,

medida que o valor da tolerncia na banda diminui (ou seja, o mdulo da perda de
retorno aumenta), o valor do produto cL aumenta. Aumentar o valor de cL
requer uma estrutura de comprimento eltrico maior.
43
Na presente tese, os projetos dos transformadores de impedncia

envolveram uma razo de transformao de impedncias elevada (da ordem de
10) e uma perda de retorno mxima na banda passante de 20 dB (=0.1).
c L
2.0
15dB
1.6
20dB
1.2
30dB
25dB
35dB
0.8
0.4
0.0
10
Razo de transformao ZL
Figura 5 - Produto c.L (constante propagao na freqncia de corte vezes o
comprimento L do TLT) para um linha afilada Chebyshev em funo da razo de
transformao para diferentes valores de tolerncia na banda passante.
Outra vantagem da linha Chebyshev, o fato de que devido sua

construo, existe um efeito de descontinuidade dos valores das impedncias das
extremidades da linha em relao aos valores das impedncias das cargas
acopladas (Collin, 1992). Isto significa que, quando se deseja projetar uma
estrutura de adaptao para realizar o casamento entre 50 e 5 , por exemplo,
na realidade deve-se projetar uma estrutura que tenha de um lado uma impedncia
inferior a 50 e do outro lado, superior a 5 . Esta propriedade contribui para
facilitar os projetos das linhas, pois como ser visto nesta tese os valores
extremos, principalmente os de baixa impedncia, so os mais difceis de serem
realizados fisicamente. Os resultados tericos apresentados nesta seo foram
publicados em Carvalho et al. (2003).
Os transformadores de impedncia podem ser realizados em linhas de
transmisso planares tal como ser mostrado na prxima seo.
44
2.3.Transformador de impedncia em linha de transmisso planar e a

utilizao de filmes dieltricos
Nesta seo sero apresentadas algumas alternativas para a realizao do
transformador de impedncia em linha de transmisso planar.
As linhas de transmisso planares so amplamente utilizadas como elemento
de um circuito integrado, tanto em microondas quanto em dispositivos
optoeletrnicos, pois possuem geometria compatveis com a desses dispositivos.
Em linhas de transmisso planares, a impedncia caracterstica
determinada pelas dimenses transversais e pelas caractersticas do meio de
propagao (caracterizado pelo tipo de linha, pelo substrato sobre o qual a mesma
foi confeccionada, suas dimenses e encapsulamento). Alterando-se ligeiramente
a geometria da linha de transmisso planar, alargando a fita condutora central ou
aumentando a espessura do substrato, por exemplo, possvel modificar

lentamente a impedncia caracterstica da linha. Desta forma, o transformador de
impedncia em linha de transmisso planar pode ser construdo simplesmente
ajustando os parmetros geomtricos da linha ao longo do seu comprimento.
Desde que esta alterao seja suficientemente lenta, o coeficiente de reflexo de
cada transio pequeno e a estrutura comporta-se como um transformador banda
larga.
Conforme visto na seo anterior, os valores dos nveis de impedncia ao
longo da linha determinaro o tipo de comportamento da resposta em freqncia
do coeficiente de reflexo da estrutura. Especificamente nesta tese, a variao
gradual na impedncia (ou alternativamente na geometria) foi escolhida de modo
a se obter uma linha afilada Chebyshev.
Existem vrios tipos clssicos de linhas de transmisso planares, tais como:
microstrip, stripline, slot-line, CPW (CoPlanar Waveguide) e CPS (CoPlanar
Strip) (Collin, 1992, Gupta et al., 1979 e 1996). Alm desses, possvel, projetar
uma mesma estrutura que contenha diversas combinaes de diferentes tipos de
linhas, conforme apresentado no trabalho de Carvalho et al. (1992).
A linha de transmisso planar CPW a mais adequada para a integrao do
transformador de impedncia aos dispositivos optoeletrnicos MMIC (Monolithic
Microwave/Millimeter Integrated Circuits).
45
Na figura 6 (a) encontra-se a seo transversal de uma linha de transmisso

planar CPW de largura A. Como pode ser observado, a fita condutora central, de
largura W, encontra-se afastada dos semi-planos de terra laterais por um
espaamento G, e ambos os materiais condutores, que possuem espessura t, so
coplanares e localizam-se sobre um substrato bulk de constante dieltrica relativa,
r, e de espessura H.
Uma forma de variar a impedncia caracterstica de uma linha CPW
consiste em alterar lentamente o valor da separao, G, entre a linha condutora
central e os semi-planos de terra laterais. Aproximando-se progressivamente a
linha condutora central dos semi-planos de terra, possvel diminuir lentamente o
nvel de impedncia de linhas coplanares (Collin, 1992).
G
H
A
(a)
(b)
Figura 6 - Seo transversal de uma linha de transmisso planar CPW (a) e seu
diagrama com as linhas de campo (b).
Apesar do diagrama da figura 6 no ilustrar, os semi-planos de terra laterais

so aterrados caixa e o sinal eletromagntico transportado pela fita condutora
central. O modo de propagao em uma linha de transmisso planar CPW, no
pode ser considerado TEM devido presena de uma componente longitudinal do
campo magntico (Collin, 1992). Principalmente em alta freqncia, a natureza
no TEM dos modos de propagao deve ser considerada. fundamental, neste
caso, utilizar o mtodo de anlise de onda completa, que considera a dependncia
46
no linear da constante de propagao com a freqncia e as variaes da

impedncia caracterstica da linha com a freqncia. Este foi o mtodo empregado
nas anlises tericas no domnio da freqncia realizadas na presente tese e ser
tratado na seo 2.4.1.
Como mostra o esquema da figura 6 (b), numa linha CPW, uma parcela do
campo eletromagntico penetra no substrato e outra no ar (Gupta et al.,1996). A
existncia de meios dieltricos diferentes ao redor do condutor central d origem,
ento, ao mecanismo de disperso e definio da permissividade efetiva, ou
constante dieltrica efetiva, eff(f), que funo da freqncia. A constante
dieltrica efetiva depende das caractersticas do substrato (r e H), do meio ao
redor da fita condutora central, da geometria da estrutura e no modo de
propagao no TEM, depende ainda, da freqncia.
Os valores mnimo e mximo de impedncia caracterstica da linha que

podem ser obtidos na prtica esto limitados s restries impostas pela fabricao
da geometria correspondente. Quando se deseja obter uma estrutura com elevada
razo de transformao, os substratos convencionais de alumina (r=9.8), ou de
GaAs (r=13), no so adequados. Isto porque, a geometria necessria para
realizar o lado de baixa impedncia, com estes substratos muito crtica e requer
uma combinao de diferentes tipos de linhas, conforme demonstrado em
trabalhos anteriores (Carvalho et al.,1992). Alm disso, a estrutura resultante com
estes substratos excessivamente longa (comprimento superior a 5 cm) e no
atende aos objetivos da presente tese.
Neste sentido, os substratos bulk disponveis comercialmente que possuem
constantes dieltricas bem mais elevadas (superior a 30) so os mais indicados,
pois so adequados para a realizao da geometria do lado de baixa impedncia e
para a obteno de TLTs curtos. A reduo no comprimento do TLT quando
fabricado sobre substrato de elevada constante dieltrica (r>30) drstica. Por
exemplo, quando se utiliza um substrato com r=38, ao invs de um de r=9.8, a
reduo no comprimento do TLT da ordem de 50 %. Quando se utiliza um
substrato com constante dieltrica ainda superior, de r=80, a reduo de 70 %.
Esta reduo substancial das dimenses da estrutura, viabiliza a confeco de
TLTs de comprimentos inferiores a 2 cm.
47
No trabalho de Seixas et al. (2002) foram analisados diferentes substratos de

elevada constante dieltrica. Os resultados desta anlise mostraram que, a
realizao prtica de um transformador de impedncia CPW realizado sobre
substrato bulk de elevada constante dieltrica satisfazendo s restries de se ter
uma largura da fita central de no mnimo 20 m, e um espaamento entre a linha
condutora central e os planos de terra laterais de no mnimo 10 m, limitam
ambos, o valor da constante dieltrica e a razo de transformao a at, 80 e 6.5,
respectivamente. A razo de transformao limitada a 6.5 permite adaptar 50 a
no mnimo 7.7 .
Uma variao da configurao CPW pode ser obtida, conforme ilustrado na
figura 7, depositando-se uma camada de filme dieltrico entre o plano inferior
determinado pela fita condutora central e os semi-planos de terra laterais e o plano
superior do substrato e/ou acima do plano superior da fita condutora. A figura 7

ilustra a seo transversal de uma linha CPW com uma camada de filme de
constante dieltrica relativa, f, e espessura d depositado acima da fita condutora,
bem como uma outra camada de filme (f e d) depositado diretamente sobre o
substrato dieltrico abaixo da fita condutora central e dos semi-planos de terra
laterais.
d
d
H
A
Figura 7 - Seo transversal de uma linha de transmisso planar CPW com filmes
depositados acima e abaixo da fita condutora central e dos semi-planos de terra laterais.
Na configurao CPW com filme depositado acima da metalizao, uma

parcela do campo eletromagntico penetra no substrato e outra no filme. J na
configurao com o filme depositado abaixo da metalizao, uma parcela do
48
campo penetra no filme e no substrato, enquanto outra parcela se propaga pelo ar.
Portanto, a deposio de filmes de elevada constante dieltrica relativa (da ordem
de 100) sobre substratos dieltricos bulk e/ou sobre as camadas condutoras
metlicas, como ilustrado na figura 7, gera uma srie de modificaes no
comportamento de uma linha de transmisso, sobretudo CPW.
No trabalho de Tanabe (2001), foi demonstrada a viabilidade de confeco
de um transformador de quarto-de-onda CPW de uma seo, depositando-se uma
camada de filme fino de 1 m de titanato de estrncio (SrTiO3), com f da ordem
de 150, imediatamente acima do substrato de arseneto de glio (GaAs), com
r=12.85, e sobre o filme de SrTiO3, a fita condutora e os semi-planos de terra

laterais foram depositados. A geometria da seo transversal desse dispositivo
corresponde ao desenho da figura 7, para o caso em que f=150, d=1 m e a
camada de f removida. Os resultados desse trabalho demonstraram que o uso do

filme trouxe uma maior flexibilidade para o projeto da linha CPW, pois para as
mesmas dimenses fsicas (largura da fita condutora e dos espaamentos entre a
fita condutora e os semi-planos de terra laterais) valores menores de impedncia
caracterstica da linha de transmisso puderam ser obtidos. Em mdia, foi obtida
uma reduo de 10 no valor da impedncia apenas com a introduo do filme.
Utilizando o mtodo de anlise de onda completa, possvel demonstrar que uma
linha CPW confeccionada sobre uma camada de 1 m de um filme dieltrico de f
=150 depositado diretamente sobre um substrato bulk de GaAs (r=12.85), possui
as mesmas impedncia caracterstica e constante de propagao que uma linha
CPW confeccionada sobre um material bulk equivalente de constante dieltrica
relativa igual a 33.
possvel demonstrar ainda que, quando se deposita uma camada de 1 m
de espessura de um filme dieltrico de f =150 sobre o plano superior da fita
condutora central a estrutura (fabricada com substrato bulk de GaAs) passa a ter as
mesmas impedncia caracterstica e constante de propagao que uma linha CPW
confeccionada sobre um material bulk equivalente de constante dieltrica relativa
igual a 84.
Esses resultados foram os pontos de partida para a obteno das duas
configuraes propostas para a realizao do transformador em linha de
transmisso planar apresentadas no captulo 3.
49
2.4.Anlise terica dos transformadores de impedncia

Sero apresentados nesta seo os mtodos empregados para realizar as
anlises tericas das linhas de transmisso planares tratadas na presente tese.
Foram feitas anlises tanto no domnio do tempo quanto no da freqncia.
Para realizar as anlises no domnio da freqncia utilizou-se o mtodo de anlise
de onda completa, pois este o mtodo mais adequado para analisar as estruturas
no-TEM consideradas aqui.
Uma ferramenta baseada na anlise de onda completa, e no mtodo de
elementos finitos, que se mostrou adequada s necessidades foi o aplicativo
comercial HFSS 5.6 (High-Frequency Structure Simulator) (HP Agilent
Technologies, 2000). O aplicativo HFSS indicado para o modelamento
eletromagntico de estruturas tridimensionais passivas de forma arbitrria, e foi
utilizado tanto para projetar as estruturas apresentadas nesta tese, quanto para
analis-las no domnio da freqncia. Apesar de ser uma ferramenta bastante
poderosa, o HFSS no realiza anlises no domnio do tempo. Para isto, foi
necessrio buscar uma outra ferramenta.
Para realizar a anlise no domnio do tempo, foi utilizado o software
MARTINS (Conrado, 1996), que ser apresentado na seo 2.4.2. O software
MARTINS tambm uma ferramenta bastante poderosa porque, fazendo uso da
transformada de Fourier do sinal, permite que o problema seja analisado tanto no
domnio da freqncia, quanto no do tempo. Com a anlise no domnio do tempo
possvel simular a resposta de um TLT a pulsos de excitao e analisar os efeitos
gerados pelo TLT.
Com o intuito de avaliar o desempenho de um sistema ptico digital de altas
taxas quando um transformador de impedncia banda larga utilizado para
acoplar o sinal de RF ao laser foi feita tambm uma anlise da resposta do sistema
completo. Para realizar esta anlise do sistema foi utilizado o MARTINS, pois ele
permite, tambm, modelar todos os componentes, eletrnicos e optoeletrnicos, de
um sistema ptico, desde o transmissor at o receptor.
Entretanto, no possvel, com o MARTINS, incluir os efeitos prprios das
estruturas planares com a mesma abrangncia e fidelidade com a qual o HFSS faz.
Desta forma, o MARTINS e o HFSS so ferramentas complementares.
50
No caso mais geral, possvel inserir no MARTINS a matriz de

espalhamento S do transformador de impedncia planar obtida atravs do HFSS, e
analisar o comportamento da estrutura planar tambm no domnio do tempo.
2.4.1.HFSS e a anlise no domnio da freqncia
Para o dimensionamento, e a anlise no domnio da freqncia, das linhas
de transmisso planares, apresentadas neste trabalho, foi empregado o aplicativo
comercial HFSS 5.6 (High-Frequency Structure Simulator) da HP AGILENT
TECHNOLOGIES (HP Agilent Technologies, 2000), para modelamento
eletromagntico de estruturas tridimensionais passivas de forma arbitrria.
Os resultados obtidos para as linhas de transmisso afiladas Chebyshev, a
partir das equaes apresentadas na seo 2.2, podem ser tomados apenas como
ponto de partida, pois assumem o modo de propagao TEM e no consideram os

efeitos da implementao do perfil atravs de uma estrutura planar.
A constante de propagao () das linhas de transmisso depende da
constante dieltrica efetiva eff da estrutura que funo da geometria e da
freqncia. Ao considerar a aproximao de propagao do modo TEM
(Transverso EletroMagntico) assume-se que a constante de propagao varia
linearmente com a freqncia e que a impedncia independa da freqncia. Nem
sempre essas consideraes so vlidas, sobretudo em altas freqncias e nas
estruturas planares com substrato de alta constante dieltrica consideradas nesta
tese. Na anlise de onda completa, a natureza hbrida dos modos que se propagam
levada em considerao, de modo que, o efeito da disperso includo na
anlise e os resultados obtidos so mais fiis realidade. Alm dos efeitos da
disperso da constante dieltrica, esta anlise considera tambm os efeitos da
variao da impedncia com a freqncia e com as dimenses transversais.
O aplicativo HFSS utiliza o mtodo de elementos finitos para gerar uma
soluo de campo eltrico, a partir do qual os parmetros S podem ser calculados.
Em geral, no mtodo de elementos finitos o espao do problema dividido em
milhares de pequenas regies e o campo em cada sub-regio, denominada de
elemento, representado como uma funo local.
No programa HFSS, o modelo geomtrico, que representa a estrutura a ser
analisada, automaticamente dividido em um grande nmero de tetraedros, onde
51
um nico tetraedro formado por quatro faces triangulares, sendo os tringulos

equilteros. Essa coleo de tetraedros denominada de malha (mesh) do
elemento finito. O valor do vetor campo eltrico (ou campo magntico), nos
pontos internos a cada tetraedro interpolado a partir dos valores obtidos nos
vrtices do tetraedro. Em cada vrtice, o aplicativo HFSS armazena as
componentes do campo que so tangenciais s trs arestas do tetraedro. Alm
disso, a componente do campo vetorial no ponto intermedirio das arestas
selecionadas que for tangencial face e normal aresta pode tambm ser
armazenada. O campo dentro de cada tetraedro ento interpolado a partir desses
valores, denominados nodais. Representando os campos desta forma, as equaes
de Maxwell podem ser transformadas em equaes matriciais, as quais so
resolvidas usando mtodos numricos tradicionais.
Existe um compromisso entre o tamanho da malha (mesh), o nvel desejado
de preciso e a quantidade de recursos computacionais disponveis. Por um lado,

solues baseadas em malhas que se utilizam de um grande nmero de elementos
so mais precisas do que as solues baseadas numa malha com poucos
elementos. Por outro lado, a gerao de uma soluo de campo para malhas com
um nmero demasiadamente grande de elementos requer um grande esforo
computacional. Para gerar uma descrio satisfatria da intensidade do campo,
cada tetraedro deve ocupar uma regio que seja pequena o bastante para que o
campo seja adequadamente interpolado a partir dos valores nodais.
Para gerar a malha tima, o aplicativo HFSS utiliza um processo iterativo no
qual a malha automaticamente refinada nas regies crticas. Primeiramente,
gera-se uma soluo baseada numa malha inicial com poucos elementos. Depois,
faz-se um refinamento da malha baseado em critrios de erros adequados, e gerase uma nova soluo. Quando os parmetros S selecionados convergem para o
limite desejado, o processo iterativo termina.
Antes de calcular o campo eletromagntico tridimensional completo dentro
da estrutura, necessrio determinar o padro de campo de excitao em cada
porta. So computados os modos (ou padres de campos naturais) que podem
existir dentro de uma estrutura de transmisso com a mesma seo transversal que
aquela de cada porta da estrutura de interesse. O padro de campo bidimensional
resultante em cada porta serve como condio de contorno para o problema
tridimensional completo.
52
Assume-se, ento, que cada porta seja conectada a um guia de onda

uniforme que possua a mesma seo transversal que a porta. Considerando os
eixos x, y, e z, posicionados em relao estrutura, de tal forma que, x e z
pertenam seo transversal da porta, o eixo y indique a direo de propagao e
a interface da porta localize-se no plano y=0, o campo de excitao associado s
ondas propagantes que viajam ao longo deste guia de onda conectado porta
dado por:

E ( x, y, z, t ) = Re[ E ( x, z )e jt y ]
(2.4)

onde Re a parte real do nmero complexo, E ( x, z ) o campo eltrico fasorial, j
o unitrio imaginrio, a freqncia angular (2f), e =+j a constante de

propagao complexa. Sendo a constante de atenuao da onda e a constante
de propagao associada onda.
A soluo para o campo magntico, H , obtida a partir do campo eltrico

E atravs da seguinte relao:

E
H=
j
(2.5),
onde a freqncia angular (2f) e a permeabilidade do meio.

Portanto, para calcular a matriz S associada a uma estrutura tridimensional
so seguidos os seguintes procedimentos: (1) a estrutura dividida numa malha de
elementos finitos, (2) a forma de onda do campo eltrico suportado por cada porta
da estrutura obtida, (3) o diagrama de campo eletromagntico completo dentro
da estrutura obtido de modo a satisfazer s condices de contorno impostas por
cada porta, (4) a matriz S generalizada obtida, ento, a partir da relao entre as
potncias refletida e transmitida.
Para estruturas recprocas, a matriz S simtrica (S12=S21), e o aplicativo
HFSS calcula, pelo procedimento descrito acima, apenas metade dos elementos da
matriz S, poupando esforo computacional desnecessrio. Da mesma forma,
sempre que a geometria do problema permitir convm trabalhar com a metade da
estrutura, pois so obtidos resultados idnticos com esforo computacional
reduzido metade.
No aplicativo HFSS, toda a superfcie do modelo geomtrico de interesse
que faz fronteira com o plano de fundo automaticamente definida pelo programa
53
como sendo uma fronteira de um condutor perfeito. Quando o problema j

fechado por natureza, como o caso de problemas de guias de onda coaxiais, a
regio dentro da qual o campo ser calculado j est bem definida e igual
prpria regio do modelo geomtrico. Quando a geometria da estrutura aberta,
como o caso, por exemplo, de uma linha CPW, necessrio delimitar a regio
do problema dentro da qual ser obtida a soluo de campo. Neste caso, deve-se
fornecer, alm do modelo geomtrico de interesse, as condies de contorno ao
redor de toda a estrutura. Para uma estrutura CPW, por exemplo, convm definir
espaos preenchidos por ar nas seguintes regies: acima do plano definido pela
fita condutora central, entre a fita condutora central e os semi-planos de terra
laterais, e abaixo do plano definido pelo substrato.
O aplicativo HFSS bastante flexvel pois permite analisar uma infinidade
de
formas
geomtricas,
constitudas
de
materiais
cujas
caractersticas
(condutividade, permeabilidade, permissividade, perdas e outras) podem ser

definidas pelo prprio usurio.
A impedncia caracterstica em cada porta da estrutura utilizada para
renormalizar as matrizes: S, Z e Y pode ser calculada de trs formas. Durante o
processo de renormalizao permitido ao usurio escolher com qual das trs
impedncias resultantes se deseja trabalhar, so elas: Zpi, Zpv e Zvi.
A impedncia Zpi a impedncia calculada a partir da potncia P e da
corrente I atravs da seguinte relao:
Z pi =
2P
I .I
(2.6)
A potncia e a corrente so calculadas diretamente a partir dos campos

simulados. A potncia que passa atravs da porta obtida pela integral de
superfcie sobre a superfcie da porta, e dada por:
P=
1
E H dS
2 S
(2.7)
A corrente obtida pela lei de Ampre, atravs da seguinte integral de

linha, onde a linha contorna a porta:
I = H .dl
(2.8)
A corrente lquida calculada deste modo ser prxima de zero. Entretanto, a

corrente de interesse aquela que flui para dentro da estrutura, ou aquela que sai
54
da estrutura. Na integrao em torno da porta, o aplicativo HFSS contabiliza a

contribuio de cada uma das correntes, a que entra e a que sai, e faz uma mdia
das duas para calcular a impedncia.
A impedncia Zpv a impedncia calculada a partir dos valores da potncia
P e da tenso V atravs da seguinte relao:
Z pv =
V .V
2P
(2.9)
onde a potncia e a tenso so calculadas diretamente a partir dos campos

simulados. A potncia obtida do mesmo modo que aquele descrito pela eq. (2.7).
A tenso obtida a partir da seguinte integral de linha:
V = E.dl
(2.10)
O caminho sobre o qual o sistema realiza a integrao denominado de
linha de impedncia, a qual definida pelo usurio por ocasio da configurao

das portas. Para definir a linha de impedncia de uma porta so selecionados os
dois pontos que determinam a mxima diferena de tenso ao longo da seo
transversal da estrutura.
A impedncia Zvi dada por:
Z vi = Z pi .Z pv
(2.11)
Para ondas TEM, as impedncias Zpi e Zpv constituem limites inferior e

superior, respectivamente, para a impedncia caracterstica real da porta. Sendo
assim, a impedncia Zvi a que melhor descreve a impedncia real de ondas TEM.
recomendvel adotar o seguinte critrio para a escolha das impedncias:
Zvi para estrutura onde se propaguem ondas TEM, Zpi para alguns tipos de
estruturas microstrip, e Zpv para estruturas do tipo CPW. Nesta tese, onde foram
analisadas estruturas coplanares, utilizou-se a impedncia Zpv.
Em resumo, o software HFSS utiliza o mtodo de anlise de onda completa,
atravs do qual possvel considerar os diversos efeitos prprios das estruturas
planares, que so: disperso, variao da impedncia com a freqncia, variao
da constante dieltrica efetiva com a freqncia e ao longo da estrutura e
aparecimento de modos de ordem superior. Alm disso, as caractersticas e as
imperfeies inerentes aos materiais que compem a estrutura podem ser tambm
especificados. possvel obter com o HFSS previses tericas, no domnio da
55
freqncia, bastante realistas para os seguintes parmetros: matriz de

espalhamento S, constante de propagao e impedncia caracterstica.
2.4.2.Martins: anlise no domnio do tempo e do sistema ptico
A anlise no domnio do tempo foi realizada utilizando-se o aplicativo

MARTINS (Conrado, 1996) desenvolvido pelo Grupo de Sistemas ptico e de
Microondas (GSOM) do CETUC/PUC-Rio, que foi aprimorado para avaliar
sistemas pticos e de microondas, dispositivos fotnicos e combinaes entre
microondas e fotnica (Carvalho et al., 1999; Lima et al. 1997). Esse aplicativo
utiliza uma aproximao gaussiana para a estatstica do rudo e considera o efeito
da interferncia inter-simblica (ISI) no clculo da taxa de erro de bits (BER) do
sistema.
Atravs da anlise no domnio do tempo possvel avaliar a influncia da

introduo do circuito transformador de impedncia (TLT) na resposta ptica de
um laser semicondutor a pulsos eltricos curtos e calcular a BER do sistema.
O diagrama de blocos da figura 8 mostra todos os parmetros utilizados na
simulao do sistema de alimentao de um laser semicondutor, que so: a tenso
VRF do gerador de RF, a corrente IDC da fonte de corrente dc de polarizao do
laser, o T-bias (T de polarizao constitudo pelo capacitor de bloqueio de sinal dc
e pelo indutor de bloqueio de sinal de RF), a linha de transmisso de 50 dos
sistemas de microondas, o laser semicondutor e as diferentes possibilidades de
alimentao do laser. Esto representadas nesta figura, trs configuraes de
alimentao do laser semicondutor, que so: atravs de um transformador de
impedncia em linha de transmisso planar (TLT), atravs de uma linha de
transmisso convencional de 50 e atravs de uma linha de transmisso
convencional de 50 associada com um resistor de casamento de impedncias.
Todos os parmetros apresentados no diagrama podem ser considerados no
aplicativo MARTINS, e a corrente que efetivamente atinge o laser pode ser
obtida, aps atravessar cada uma das possibilidades ilustradas.
Do ponto de vista de circuitos eltricos, o laser considerado, nesta anlise,
como sendo uma carga, cujo valor depender do laser estudado. O detalhe da
figura 8 mostra o circuito eltrico equivalente do laser semicondutor. Neste
circuito eltrico, esto representados da direita para a esquerda: a carga resistiva
56
do laser (Rs da ordem de 5 ), os parasitas intrnsecos do laser (Rsub e Cs) e os

parasitas da montagem (Rp, Lp e Cp) (Carvalho & Margulis, 1991).
Em algumas anlises, onde so considerados lasers semicondutores de alta
velocidade, pode-se considerar a carga correspondente ao laser como sendo
puramente resistiva; em outros, h necessidade de analisar os efeitos dos parasitas
intrnsecos ao laser e os dos parasitas associados com a montagem
(encapsulamento e insero do laser no circuito eltrico). Nas sees 2.5.1 e 2.5.2,
o laser foi considerado como sendo uma carga puramente resistiva, enquanto que
na seo 2.5.3 os parasitas foram tambm levados em considerao e seus efeitos
analisados. Independente do caso, o valor da carga puramente resistiva associada
regio ativa do laser possui baixa resistncia (da ordem de 5 ).
LP
RP
Rsub
CP
RS
CS
Figura 8 - Diagrama esquemtico do sistema de alimentao do laser semicondutor com

diferentes possibilidades de acoplamento entre o gerador e o laser. O detalhe mostra o
circuito eltrico equivalente do laser, onde: Rs a carga resistiva do laser, Rsub e Cs so
os parasitas intrnsecos do laser e Rp, Lp e Cp so os parasitas da montagem.
57
Do ponto de vista do sinal ptico gerado pelo laser, representado na figura 8

pelo fton de luz emitido, o aplicativo MARTINS calcula a potncia ptica gerada
baseado nas equaes de taxa que modelam o comportamento do laser (Tucker et
al., 1983). Para esta anlise, o conhecimento dos parmetros do laser
fundamental. As equaes de taxa do laser descrevem a inter-relao da dinmica
entre os seguintes parmetros: densidade de eltrons, densidade de ftons e fase
do sinal ptico dentro da cavidade ptica do laser. A densidade de eltrons
determinada pela corrente eltrica que chega ao laser, que dada pelo circuito de
alimentao do laser.
O diagrama de blocos do sistema ptico digital analisado ilustrado na
figura 9. O sinal eltrico do gerador de RF consiste de uma seqncia de bits, Ak,
pseudo-aleatria. O sinal ptico gerado pelo laser, que o transmissor do sistema,
chega perfeitamente ntegro no receptor, pois os efeitos de disperso e atenuao
causados pelo canal (fibra ptica, por exemplo) no foram considerados para no
mascararem os resultados da influncia do TLT no sistema.
TRANSMISSOR
RECEPTOR
TLT
50
ip(t)
IL(t)
{AK}
Fotodiodo
{iK}
Filtro
LT50
Amostrador
{BK}
Detector de
Limiar
Estimador
de
BER
Figura 9 - Diagrama de blocos do sistema ptico digital.
A resposta ptica do laser a uma corrente eltrica que o alimenta, IL(t),

obtida, ento, atravs das equaes de taxa do laser dadas pelas eq. (2.12) e (2.13)
(Agrawal, 1997):
dN L
IL
N
=
L GL S L
dt
q Aa La n
(2.12)
sp N L
dS L
S
= GL S L L +
dt
p
n
(2.13)
GL = v g a ( N L N g )(1 gS L )
(2.14)
sendo,
58
e,
d L 1
1
= sc vg a( N L N g )
dt
2
p
(2.15)
onde NL(t) e SL(t) so as densidades de eltrons e ftons na regio ativa do laser,

respectivamente; IL(t) a corrente injetada na regio ativa; q a carga do eltron,
Aa e La so, respectivamente, a rea e o comprimento da regio ativa; p o tempo
de vida do fton; n o tempo de recombinao espontnea; GL(t) o ganho

ptico; o fator de confinamento ptico do modo, sp a frao de emisso
espontnea acoplada no modo de oscilao; L(t) a fase do sinal ptico; sc o
fator de alargamento espectral; a coeficiente de ganho da regio ativa, vg a
velocidade de grupo; Ng a densidade de eltrons mnima necessria para ter-se
transparncia (ou densidade de eltrons na transparncia) e g o fator de
compresso do ganho.
A eq. (2.12) descreve a injeo de eltrons e os efeitos de armazenamento
de carga na regio ativa. O primeiro termo do lado direito da equao corresponde
taxa de injeo de portadores, o segundo termo corresponde taxa de
decrscimo de portadores devida recombinao espontnea e o terceiro, e ltimo
termo, taxa de decrscimo de portadores devida emisso estimulada. A eq.
(2.13) descreve a dinmica de injeo e armazenamento correspondente para os
ftons, onde os termos do lado direito da equao so respectivamente: o primeiro
a taxa lquida de ftons, devida ao acrscimo de ftons por emisso estimulada e
ao decrscimo pela saturao de ganho; o segundo a taxa de perda de ftons por
radiao e absoro; e o terceiro, a taxa de emisso espontnea contida no modo.
O sinal ptico gerado pelo laser, eL(t), dado pela eq. (2.16):
eL (t ) = PL (t ) exp[ j L (t )]
(2.16)
onde PL(t) a potncia ptica emitida por cada face do laser e L(t) a fase do
sinal ptico dada pela eq. (2.15).
O receptor do sistema ilustrado na figura 9 modelado por um fotodiodo
APD, seguido dos seguintes componentes: um filtro eltrico, um amostrador de
sinais, um estimador de BER e um detector de nvel de corrente de limiar, ID.
Nesta tese, o fotodiodo analisado foi considerado ideal, com eficincia e ganho
unitrios e o filtro eltrico, que define a largura de banda do rudo, foi escolhido
59
Gaussiano porque ele fornece uma boa aproximao para os filtros de Bessel de
fase linear e para os filtros do tipo cosseno levantado (Lima et al. 1997).
No receptor foram considerados os efeitos dos rudos trmico e shot. A
varincia do rudo trmico T2 dada pela eq. (2.17) (Agrawal, 1997):
T2 =
4k BTBe
RL
(2.17)
onde kb a constante de Boltzmann, RL a resistncia da carga considerada igual a

50 , T a temperatura em Kelvin e Be a largura de banda do filtro eltrico
Gaussiano associada largura de banda equivalente de rudo.
A varincia do rudo shot S2 dada pela eq. (2.18) (Agrawal, 1997):
S2 = 2qM 02 FA (PL + I d ) Be
(2.18)
onde Mo o ganho mdio APD, considerado unitrio, FA o fator de rudo em
excesso, considerado igual a 1, a responsividade do fotodiodo, considerada

unitria, e Id a corrente de escuro, considerado igual zero.
Aps a deteco e a filtragem do sinal eltrico, o amostrador de sinais toma
amostras do sinal eltrico, ip(t), em intervalos de tempo regulares, Tb, e gera a
seqncia de bits detectada, que composta pelos bits ik=ip(t-nTb). O receptor,
ento, decide se o bit transmitido corresponde ao dgito 1, ou ao 0, comparando-se
o valor amostrado com o valor pr-estabelecido de corrente de limiar de deciso
ID. Se ik for maior ou igual a ID, o receptor decide por 1 e Bk=1, caso contrrio,
Bk=0. Quando BkAk ocorre um erro.
O desempenho do sistema analisado, ento, atravs da relao entre o

nmero de bits errados detectados e nmero total de bits transmitidos, ou seja,
pela BER. O aplicativo estima o valor da BER atravs do somatrio da
probabilidade de erro de cada bit da seqncia. Considerando o rudo Gaussiano, a
expresso para a BER dada pela eq. (2.19) (Agrawal, 1997):
BER =
1
N
P( Bk Ak ) =
k =1
exp(Q k2 / 2)
Q
2 N k =1
k
(2.19)
sendo,
ik I D
(t ) ,
Qk = 1 D
I i
D k,
0 (t D )
Ak = 1
(2.20)
Ak = 0
60
onde Ak corresponde aos bits transmitidos, Bk corresponde aos valores atribudos

pelo detector aos bits recebidos, ik o valor de corrente amostrada no fotodiodo,
ID o nvel de corrente de limiar de deciso, N o nmero total de bits
transmitidos, 12 e 02 so as varincias totais de rudo dos bits 1 e 0,
respectivamente.
Atravs desta anlise no domnio do tempo, que permite obter o diagrama
de olho do sistema e calcular a BER, foi possvel observar a influncia da
introduo do TLT no desempenho do sistema ptico como um todo. Tal como
ser mostrado na seo 2.5, existe uma dependncia direta entre os parmetros do
laser, a taxa do sinal transmitido e o comprimento do TLT, e existe um
comprimento de TLT para o qual o desempenho do sistema que o utiliza
otimizado (Demenicis et al., 2003).
Finalmente, interessante observar que, esta anlise terica permite
monitorar o pulso eltrico imediatamente antes e depois do TLT, o que possibilita

analisar o sinal eltrico que efetivamente acoplado carga. Esta facilidade no
pode ser obtida experimentalmente. Na prtica, o sinal eltrico medido resultado
de diversas etapas de processamento do sinal ao longo do sistema. O sinal de RF
do gerador de 50 , aps atravessar o TLT, modula em intensidade o laser, o qual
emite um sinal luminoso que, em princpio, contm a mesma informao
transportada pelo sinal eltrico que o alimentou. Este sinal luminoso do laser
reconvertido em sinal eltrico no fotodetector, que acessvel para medidas. Desta
forma, a anlise experimental do efeito do TLT no sinal do gerador engloba
tambm os efeitos dos outros componentes do sistema, o que no ocorre nesta
anlise terica.
61
2.5.Anlise terica no domnio do tempo dos efeitos do TLT no

desempenho de sistemas pticos
Com o intuito de avaliar os efeitos do casamento de impedncias entre o

gerador e o laser semicondutor, proporcionado pelo TLT, no desempenho de um
sistema ptico digital, foram feitas as anlises tericas que se seguem.
Inicialmente, na seo 2.5.1, foi analisada a forma de onda do sinal eltrico que
efetivamente alimenta o laser, aps atravessar o TLT. Em seguida, na seo 2.5.2,
o desempenho de todo o sistema ptico foi avaliado atravs da anlise do
diagrama de olho do sinal recebido e do valor da BER. Finalmente, na seo 2.5.3,
os efeitos dos parasitas do laser e dos parasitas associados montagem so
considerados. Nesta seo no foram considerados efeitos de disperso.
2.5.1.Influncia do transformador de impedncia na propagao de

pulsos eltricos curtos
O casamento de impedncias proporcionado pelos transformadores de

impedncia em linha de transmisso, e em particular o TLT Chebyshev, permite o
melhor aproveitamento da amplitude do sinal eltrico disponvel, pois acopla uma
quantidade maior de sinal eltrico carga (laser). Entretanto, os TLTs possuem
uma resposta em freqncia do tipo passa-alta, a qual introduz algumas distores
na forma do pulso eltrico que o atravessa.
Quando um sinal eltrico acoplado a uma carga (laser) atravs de um
transformador de impedncia em linha de transmisso, apenas as componentes de
freqncia superiores freqncia de corte do TLT so transmitidas sem
alterao, enquanto que as componentes de freqncia inferiores freqncia de
corte do TLT sofrem algum tipo de atenuao. A atenuao sofrida pelas
componentes de baixa freqncia de um pulso eltrico provoca as seguintes
alteraes na forma do pulso eltrico: atenuao do valor mdio do sinal
(diminuio do valor dc do sinal) e distores do tipo undershoot e overshoot.
Quando se considera uma seqncia de pulsos eltricos curtos (ou
alternativamente bits), estas distores (atenuao do valor mdio, undershoot e
overshoot) na forma de cada pulso acarretam uma variao adicional da amplitude
dos pulsos vizinhos, introduzindo, ento, interferncia inter-simblica (ISI).

Nesta seo, a anlise terica no domnio do tempo foi realizada utilizandose o aplicativo MARTINS, conforme abordado na seo 2.4.2, e foi considerado
62
um TLT Chebyshev ideal (sem disperso) com mxima perda de retorno na banda
de 20 dB, capaz de casar 50 a 3.5 .
Neste estudo, uma seqncia de 64 bits pseudo-aleatria no formato RZ
(Return-to-Zero), com a forma de onda sugerida pelo artigo de Carteledge et al.
(1989). Esta seqncia contm todas as combinaes possveis de uma palavra de
6 bits como mostra a figura 10, com taxa de repetio de 10 Gbit/s, amplitude de
3 V, largura a meia-altura de 50 ps e tempos de subida e descida de 10 ps,
introduzida no lado de alta impedncia do TLT (lado da fonte de 50 ) e
monitorada no lado de baixa impedncia do TLT (lado da carga). A carga
considerada foi um diodo laser ideal, representado pela sua impedncia puramente
Tenso do gerador (V)
resistiva de 3.5 .
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
-0.5
0
800
1600
2400
3200
4000
4800
5600
6400
Tempo (ps)
Figura 10 - Seqncia de 64 bits pseudo-aleatria com taxa de 10 Gbit/s.
Foi considerado inicialmente, um TLT hipottico, excessivamente longo,

com freqncia de corte extremamente baixa (1 Hz). Neste caso, apenas a
componente dc do sinal atenuada, e todas as demais componentes de freqncia
so transmitidas. Os efeitos de utilizar este TLT para realizar o casamento de
impedncias para todas as componentes de freqncia acima da freqncia de
corte, esto ilustrados na figura 11. O primeiro efeito, decorrente da
transformao de impedncias, foi o de aumentar a amplitude da corrente em duas
vezes em relao situao onde o laser conectado diretamente ao gerador, que
passa de 56 mA para aproximadamente 115 mA. O segundo efeito, decorrente da
atenuao da componente dc do sinal, foi o de abaixar o nvel dc do sinal de
corrente em 25 mA. importante observar que, neste caso do TLT hipottico, a
63
amplitude de todos os bits permaneceu constante, e igual soma da amplitude P,

definida na figura 11, com o valor de 25 mA, que corresponde ao decrscimo
gerado no nvel dc do sinal. Neste caso, no houve interferncia inter-simblica
(ISI), porque cada bit inicia em -25 mA e retorna a -25 mA dentro do seu
respectivo bit slot.
Convm ressaltar que, o aumento da amplitude da corrente que alimenta o
laser devido introduo do TLT, em relao ao caso em que o laser conectado
diretamente ao gerador, extremamente positivo, para a resposta do laser e, por
conseguinte para o desempenho do sistema ptico.
Corrente na carga (mA)
125
100
75
50
25
0
-25
-50
700
800
900
1000
1100
1200
1300
1400
Tempo (ps)
Figura 11 - Corrente na carga em funo do tempo aps um TLT com freqncia de
corte extremamente baixa (1 Hz).
Alm da componente dc do sinal, outras componentes de baixa freqncia

tambm so atenuadas quando TLTs de comprimentos factveis e de interesse so
considerados.
Quando TLTs com freqncias de corte da ordem de GHz so utilizados,
so adicionadas aos efeitos apresentados na figura 11, outras alteraes no sinal
eltrico. Na figura 12 encontra-se a seqncia completa do sinal de corrente no
lado de baixa impedncia de um TLT com freqncia de corte de 5 GHz. E na
figura 13, so apresentados apenas trs bits da seqncia para facilitar a
visualizao do que ocorre com cada bit isoladamente.
Observa-se a partir da figura 12 que a amplitude de cada bit varia de bit para
bit, e esta variao depende dos bits antecessores. Sempre que um bit 1
antecedido por outro bit 1, a amplitude do segundo fica significativamente
64
reduzida. Isto mostra ento, que diferente do caso do TLT hipottico, aqui ocorre
ISI (interferncia inter-simblica). Alm disso, a forma de onda de cada bit ficou
consideravelmente deformada, apresentando distores do tipo undershoot e
overshoot, como mostra bem a figura 13. Tais distores no ocorrem no caso do
TLT hipottico.
120
80
60
40
20
0
-20
-40
0
800
1600
2400
3200
4000
4800
5600
6400
Tempo (ps)
Figura 12 - Corrente na carga em funo do tempo aps o TLT com freqncia de corte
de 5 GHz.
120
100
100
80
60
40
20
0
-20
-40
800
900
1000
1100
1200
1300
1400
1500
Tempo (ps)
Figura 13 - Corrente na carga em funo do tempo aps o TLT com freqncia de corte
de 5 GHz, onde so apresentados apenas trs bits da seqncia.
65
Os efeitos das distores do tipo undershoot e overshoot na forma de onda

dos pulsos, e da variao do valor dc do sinal, podem ser melhor observados
atravs da representao de diagrama de olho, como mostra a figura 14.
140
Corrente na carga(mA)
120
100
80
60
40
20
0
-20
-40
-60
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
Tempo (ps)
Figura 14 - Diagrama de olho do sinal de corrente na carga aps o TLT com freqncia
de corte de 5 GHz para uma taxa de repetio de bits de 10 Gbit/s.
Como no diagrama de olho todos os bits ficam superpostos uns aos outros,
possvel observar as mximas e mnimas variaes de ambas as distores,
undershoot e overshoot. Na figura 14, o prametro o representa a diferena entre
o maior e menor valor (ou desvio) do pico de amplitude de bit devido ao

overshoot sofrido por cada bit; e o prametro u representa o mximo valor de
undershoot dentre os valores de undershoot sofrido por cada bit. Convm
observar que, no caso do undershoot quase no h variao entre os valores

mximos e mnimos do undershoot sofrido por cada bit, por isto optou-se por
observar seu valor mximo, ao invs do seu desvio, como foi feito para o
overshoot. Representando o caso da figura 11, por exemplo, atravs de um
diagrama de olho, o seria igual a zero, porque todos os bits possuem a mesma
amplitude de pico (no ocorre overshoot), e u tambm seria igual zero (caso o
valor de u fosse contabilizado a partir do nvel dc de -25 mA), pois neste caso,
nenhum bit sofreu undershoot.
66
A fim de analisar a influncia da freqncia de corte do TLT (ou

alternativamente, do comprimento do TLT) sobre o undershoot e o overshoot
foram feitas diversas simulaes no domnio do tempo utilizando o aplicativo
MARTINS.
Com o intuito de simplificar a exposio dos resultados, foi definido o
parmetro fcnorm, como sendo a freqncia de corte do TLT normalizada em
relao taxa de transmisso de bits. Por exemplo, para uma taxa de repetio de
10 Gbit/s e um TLT com freqncia de corte de 2 GHz, fcnorm igual a 0.2.
A figura 15 apresenta os resultados obtidos atravs de simulaes
considerando seqncias de bits com diferentes taxas de repetio e para TLTs
com freqncias de corte distintas. O eixo das ordenadas do grfico, mostrado na
figura 15, corresponde ao valor mximo do undershoot (u) dentre todos os bits,
40
35
u/P (%)
normalizado em relao ao valor da amplitude de pico, P.
30
25
20
15
fc norm = 0.1
fc norm = 0.2
10
5
0
fc norm = 0.5
fc norm = 1.0
10
Taxa de repetio de bits (Gbit/s)

Figura 15 - Efeito do undershoot (u) normalizado em relao ao valor da amplitude P
em funo da taxa de repetio de bits, para diferentes freqncias de corte
normalizadas (fcnorm) do TLT.
67
Atravs da figura 15 possvel constatar que, a distoro do tipo undershoot

se acentua tanto com o aumento da taxa de repetio de bits (ou alternativamente,
com a reduo do tamanho do bit slot) quanto com o aumento da freqncia de
corte do TLT (ou alternativamente, com a reduo do comprimento do TLT). Para
uma mesma taxa de repetio, o TLT que possui freqncia de corte maior (que
aquele que atenua uma quantidade maior de componentes espectrais de baixa
freqncia) introduz mais undershoot.
A figura 16 mostra o comportamento da diferena entre o maior e menor
valor de pico de amplitude de bit devido ao overshoot sofrido por cada bit, dado
pelo parmetro o, normalizado em relao ao valor da amplitude P, em funo da
taxa de repetio de bits para diferentes freqncias de corte normalizadas.
fc norm = 0.1
fc norm = 0.2
20
o/P (%)
25
fc norm = 0.5
15
fc norm = 1.0
10
0
2
10
Taxa de repetio de bits (Gbit/s)

Figura 16 - Parmetro o normalizado em relao ao valor da amplitude P como funo
da taxa de repetio de bits para diferentes freqncias de corte normalizadas.
A diferena entre o maior e o menor valor (ou desvio) de pico de amplitude

de bit devido ao overshoot sofrido por cada bit se acentua com o aumento da taxa
de repetio de bits, tal como ocorre com o efeito do undershoot. Entretanto,
medida em que a freqncia de corte do TLT aumenta (ou seja, medida em que
se atenua uma quantidade maior de componentes espectrais de baixa freqncia) a
amplitude de pico dos bits tende para um determinado valor, pois o diminui.
68
Vale ressaltar que, a diminuio de o decorrente do aumento da freqncia

de corte do TLT, no significa uma diminuio da distoro da forma de onda de
cada pulso (bit). Pelo contrrio, conforme mostrado na figura 17, para uma taxa de
repetio de bits de 2.5 Gbit/s (bit slot igual a 400 ps), o TLT com maior
freqncia de corte (1.5 GHz, que corresponde a fcnorm igual a 0.6) o que
apresenta maior distoro na amplitude do pulso devido ao overshoot, em relao
aos casos em que a fequncia de corte de 1 Hz (TLT hipottico) e 0.5 GHz.
Diminuir o significa dizer apenas que todos os bits da seqncia sero
distorcidos da mesma forma.
120
1 Hz
100
80
0.5 GHz
60
1.5 GHz
40
20
0
-20
-40
0
50
100
150
200
250
Tempo (ps)
300
350
400
Figura 17 - Amplitude do sinal de corrente na carga em funo do tempo, para um

intervalo de tempo igual a um bit slot, aps trs TLTs com freqncias de corte de: 1 Hz,
0.5 GHz e 1.5 GHz.
Do ponto de vista do desempenho do sistema, que medido atravs da

abertura do diagrama de olho, quanto mais aberto e limpo for o diagrama de olho,
melhor. Neste caso, quanto menor o valor de o e maior o valor da amplitude do
sinal melhor. Considerando apenas o valor de o, poderamos concluir que quanto
maior a freqncia de corte do TLT, melhor para o desempenho do sistema.
Entretanto, como foi visto anteriormente, o aumento da freqncia de corte do
TLT implica num aumento da distoro da forma de onda do pulso, tanto do
undershoot quanto do overshoot sofrido pelos pulsos. Portanto, existe um
compromisso para a escolha do valor da freqncia de corte do TLT, e para

decidir corretamente, necessrio avaliar os efeitos das distores dos pulsos
eltricos na resposta ptica do laser e no desempenho de todo o sistema, tal como
ser tratado na seo seguinte.
69
2.5.2.Influncia do transformador de impedncia no desempenho de

sistemas pticos
Conforme visto na seo anterior, apesar do melhor uso que se faz da

potncia de RF quando se realiza o casamento de impedncias com o TLT, a sua
utilizao introduz algumas distores na forma de onda do sinal eltrico acoplado
ao laser. Nesta seo, sero mostrados os resultados tericos do estudo dos efeitos
destas distores no desempenho de um sistema ptico. Para avaliar o
desempenho do sistema ptico, o diagrama de olho do sinal fotodetectado foi
observado e a taxa de erros de bits (BER-Bit Error Rate) deste sinal foi calculada.
Devido s distores introduzidas pelo TLT no sinal eltrico, o valor da
freqncia de corte do TLT um aspecto que deve ser analisado criteriosamente.
Neste estudo, ento, foram considerados TLTs com diferentes freqncias de
corte.
O sistema ptico digital mostrado na seo 2.4.2 encontra-se novamente na
figura 18. Tal como na seo anterior, o sinal eltrico da fonte consiste de uma
seqncia de 64 bits no formato RZ pseudo-aleatria. Foram consideradas nesta
anlise duas alternativas de acoplamento ao diodo laser: atravs do TLT, e pela
linha de transmisso de 50 (sem resistor de casamento de impedncias). Do
ponto de vista do circuito eltrico, o diodo laser foi considerado como sendo um
resistor de 3.5 de resistncia. Do ponto de vista ptico, o diodo laser foi
modelado pelas equaes de taxa, que descrevem a inter-relao da dinmica
entre a densidade de eltrons, a densidade de ftons e a fase do sinal ptico dentro
da cavidade ptica do laser, tal como descrito na seo 2.4.2.
RECEPTOR
TRANSMISSOR
TLT
50
ip(t)
IL(t)
{AK}
LT50
Fotodiodo
{iK}
Filtro
Amostrador
{BK}
Detector de
Limiar
Estimador
de
BER
Figura 18 - Diagrama de blocos do sistema ptico digital (figura idntica figura 9).
Neste modelamento, foi considerado um laser semicondutor modulado em

intensidade operando em 1550 nm, polarizado em 28 mA, com os parmetros
mostrados na tabela 1 que so compatveis com os de um laser de alta freqncia.
70
O valor adotado para o fator de confinamento ptico foi igual a um para

todos os casos analisados. A mesma anlise pode ser feita para outros valores de
fator de confinamento ptico, tais como 0.3 e 0. 4.
Parmetros
Comprimento de onda
Valor
1550 nm
Corrente de limiar
25 mA
Corrente de polarizao
28 mA
Comprimento do laser
320 m
Largura da regio ativa do laser
1.5 m
Espessura da regio ativa do laser
0.07 m
Fator de confinamento ptico
1.00
ndice de refrao da regio ativa do laser
3.7
Fator de alargamento espectral
2.3
Perdas internas
30 cm-1
Refletividade do espelho na face de entrada
0.378
Refletividade do espelho na face de sada
0.378
Coeficiente de emisso espontnea
6x10-4
Coeficiente de recombinao no-radiativo
0.194 ns-1
Coeficiente de recombinao bimolecular
5.5x10-20 cm3ns-1
Coeficiente de Auger
9.2x10-39 cm6ns-1
Densidade de portadores na transparncia por unidade
5.46x1018 cm-3
de volume da regio ativa

Coeficiente de ganho
Fator de saturao do ganho
8.34x10-7 cm3s-1
4.58x10-18 cm3
Tabela 1 - Valores dos parmetros do laser semicondutor.
O receptor ptico consistiu de um fotodiodo do tipo PIN ideal, seguido de

um filtro eltrico Gaussiano com largura de banda de 20 GHz. Aps a deteco e
a filtragem, o sinal eltrico foi amostrado em intervalos regulares gerando uma
seqncia de amostras da corrente eltrica. O receptor, ento, decide se o bit
transmitido corresponde ao dgito 1, ou ao 0, comparando-se o valor amostrado
com um valor pr-estabelecido de limiar.
71
Para avaliar a melhoria no desempenho do sistema ptico devido

introduo do TLT para alimentar o laser, foi definido o parmetro MBER
(Melhoria da BER). A Melhoria da BER a atenuao que deve ser aplicada ao
sinal ptico recebido no fotodetector, tal que, o valor da BER do sistema seja
mantida no mesmo valor da BER (considerado igual a 10-9) que seria obtida caso
o TLT fosse substitudo pela linha de transmisso convencional de 50 .
O efeito da introduo de TLTs com diferentes freqncias de corte no
desempenho do sistema ptico foi analisado considerando-se duas taxas de
transmisso: 2.5 e 10 Gbit/s. Para cada um dos casos, o diagrama de olho do sinal
fotodetectado foi observado, e a BER computada.
Na tabela 2 encontram-se os valores considerados para os dois sistemas.
Taxa de repetio de bits:
2.5 Gbit/s
10 Gbit/s
Durao do bit (ps)
160
40
Tempos de subida e descida (ps)
20
10
15 mA ou 0.75 V
60 mA ou 3 V
Amplitude do pulso
Tabela 2 - Especificao dos bits do sinal do gerador de RF.
Os valores da tabela 2 foram escolhidos de modo a manter a mesma energia

do pulso (bit) nos dois casos, a fim de garantir condies de operao do laser
equivalentes.
Na figura 19 encontra-se o diagrama de olho da corrente fotodetectada para
o sistema de 2.5 Gbit/s, no qual o TLT no foi utilizado. Conforme mostrado na
figura 19, o diagrama de olho do sistema que no utiliza TLT est fechado, e a
diferena entre o maior e o menor valor da amplitude do sinal enorme. Apesar
de no existir distoro dos pulsos, porque todas as componentes espectrais
experimentam os mesmos efeitos, a amplitude do sinal eltrico de corrente que
alimenta o laser aproximadamente a metade do valor da corrente que chega ao
laser atravs do TLT, e para o laser operando prximo ao limiar, este valor de
corrente no permite que o laser responda satisfatoriamente.
J as figuras 20, 21 e 22, mostram o diagrama de olho de sistemas nos quais
foram utilizados TLTs com freqncias de corte de 0.2 GHz, 2 GHz e 4 GHz,
respectivamente. evidente a melhoria obtida no diagrama de olho da corrente
fotodetectada nestes trs casos, quando comparados ao diagrama da figura 19,
72
onde o laser foi alimentado pela linha de 50 . Dentre as trs freqncias de corte
mencionadas, a de 2 GHz, que corresponde figura 21, foi a que proporcionou o
melhor desempenho para o sistema. Para valores superiores, ou inferiores, a
2 GHz o diagrama de olho tende a fechar, como mostram as figuras 20 e 22.
Existe, portanto, um valor timo para a freqncia de corte, para o qual o
desempenho do sistema maximizado. Para o sistema de 2.5 Gbit/s, o valor timo
da freqncia de corte de 2 GHz.
medida que o diagrama de olho abre, a taxa de erros (BER) tende a
diminuir, o que corresponde a um aumento na Melhoria da BER (MBER). A
figura 23 mostra os valores do parmetro Melhoria na BER em funo da
freqncia de corte do TLT. O pico desta curva evidencia que o TLT com
freqncia de corte de 2 GHz apresenta o melhor desempenho.
Resultados anlogos foram obtidos para o sistema de 10 Gbit/s. Neste caso,
de 5 GHz, como mostra a figura 24.
Corrente no fotodetector (uA)
a mxima Melhoria da BER (MBER) ocorreu para o TLT com freqncia de corte
700
600
500
400
300
200
100
0
0
100
200
300
Tempo (ps)
Figura 19 - Diagrama de olho da corrente no fotodetector de um sistema ptico de
2.5 Gbit/s acoplando-se o laser diretamente ao gerador (sem TLT).
400
73
700
600
500
400
300
200
100
0
0
100
200
300
400

2.5 Gbit/s quando um TLT com freqncia de corte de 0.2 GHz acopla o gerador ao
laser.
Tempo (ps)
700
600
500
400
300
200
100
0
0
100
200
300
Tempo (ps)
2.5 Gbit/s quando um TLT timo com freqncia de corte de 2 GHz acopla o gerador ao
laser.
400
74
700
600
500
400
300
200
100
0
0
100
200
300
400

2.5 Gbit/s quando um TLT com freqncia de corte de 4 GHz acopla o gerador ao laser.
16
Melhoria da BER (dB)
Tempo (ps)
15
14
13
12
11
10
9
8
0
Frequncia de corte do TLT (GHz)

Figura 23 - Melhoria da BER em funo da freqncia de corte do TLT, para o sistema
de 2.5 Gbit/s.
75
Melhoria da BER (dB)
10
8
6
4
2
0
2
10
11
Frequncia de corte do TLT (GHz)

Figura 24 - Melhoria da BER em funo da freqncia de corte do TLT, para o sistema
A figura 25 apresenta o diagrama de olho de um sistema com taxa de

repetio de 10 Gbit/s para dois casos: com o TLT timo (especificamente neste
caso o de freqncia de corte de 5 GHz), representado pelas linhas escuras, e sem
qualquer TLT, representado pelas linhas claras.
de 10 Gbit/s.
220
200
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
Com TLT
Sem TLT
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
Tempo (ps)

10 Gbit/s para dois casos: com o TLT timo (com freqncia de corte de 5 GHz),
representado pelos traos escuros, e sem qualquer TLT, representado pelos traos
claros.
76
Apesar do TLT introduzir as distores no sinal eltrico que alimenta o laser

discutidas na seo 2.5.1. (undershoot, overshoot e diminuio no valor dc da
amplitude do sinal), o desempenho do sistema ptico, como um todo, melhorou
consideravelmente, devido ao aumento no valor da amplitude da corrente
proporcionado pela transformao de impedncia. Alm disto, existe um valor
timo da freqncia de corte, para o qual o desempenho do sistema maximizado.
Este comportamento pode ser compreendido da seguinte forma. Para os
TLTs com freqncias de corte inferiores freqncia de corte tima (TLTs mais
longos do que o timo), a intensidade das distores do tipo undershoot e
overshoot menor, mas ocorre uma diminuio significativa do valor dc do sinal
que varia de bit para bit, resultando numa ISI mais acentuada e consequentemente
no fechamento do olho. Para os TLTs com freqncias de corte superiores ao
valor timo (TLTs mais curtos do que o timo), a intensidade das distores do
tipo undershoot e overshoot maior em ambos os casos, e o diagrama de olho fica

prejudicado.
interessante observar que, o TLT com freqncia de corte extremamente
baixa (que corresponde ao TLT infinitamente longo) no a melhor opo para
alimentar um laser com uma seqncia de pulsos curtos. Este aspecto bastante
til do ponto de vista prtico, pois ao mesmo tempo em que promove uma
melhoria no desempenho, o TLT timo, possui dimenses compatveis com as dos
lasers semicondutores.
Por ocasio da especificao do TLT mais adequado para um determinado
sistema recomendvel utilizar um TLT cujo comprimento (dado pela freqncia
de corte) otimize o desempenho do sistema. Para isto, so levados em
considerao, no s os seguintes parmetros: valor da impedncia que se deseja
casar, mxima perda de retorno tolerada na banda e dimenses fsicas envolvidas
no sistema; como tambm, os parmetros caractersticos do laser e a taxa com a
qual o sistema ir operar.
Finalmente, vale mencionar que, o undershoot gerado no pulso eltrico que
alimenta o laser, que mais acentuado com TLTs de comprimento reduzido,
uma caracterstica positiva para reduzir o tempo de resposta do laser. A corrente
reversa gerada pelo undershoot contribui para evitar a presena de pulsos pticos
duplos, normalmente observados quando o laser alimentado com pulsos
eltricos curtos (Carvalho & Margulis, 1991).
77
2.5.3.Influncia dos parasitas do laser e da montagem na escolha do

TLT
Nesta seo, so apresentados os resultados da anlise terica no domnio

do tempo da influncia dos parasitas do laser no desempenho dos transformadores
de impedncia em linha de transmisso (TLT). Diferentemente da anlise feita nas
sees 2.5.1 e 2.5.2, o laser no foi modelado simplesmente por uma carga
puramente resistiva. O circuito da figura 26 mostra o modelo utilizado na anlise,
que inclui: a carga resistiva do laser (Rs=3.5 ), seus parasitas intrnsecos (Rsub e
CS) e os parasitas da montagem (Rp, Lp e Cp).
LP
RP
Rsub
CP
RS
CS
Figura 26 - Circuito eltrico equivalente do laser semicondutor onde so considerados:

os parasitas intrnsecos do laser (Rsub e CS), os parasitas da montagem (Rp, Lp e Cp) e a
resistncia do laser (Rs).
Foram analisados dois lasers semicondutores encontrados na literatura,

denominados aqui de lasers A (Ghiasi et al., 1990) e B (Tucker et al., 1984). Na
tabela 3 encontram-se os valores dos elementos para esses dois lasers.
Evidentemente, o laser A apresentada uma qualidade bem superior a do laser B.
Elemento
Laser A
Laser B
RS []
3.5
3.5
Rsub []
0.5
1.5
CS [pF]
4.1
8.0
RP []
1.0
LP [nH]
0.047
0.63
CP [pF]
0.07
0.23
Tabela 3 - Valores dos elementos correspondentes aos lasers A e B.
78
Tal como nas sees anteriores, o transformador de impedncia em linha de

transmisso (TLT) analisado, foi do tipo Chebyshev, com mxima tolerncia na
banda de 20 dB, com 50 no lado de alta impedncia e 3.5 no lado de baixa.
O sinal do gerador de 50 a ser acoplado ao laser consistiu de um trem de
pulsos Gaussianos com largura meia altura de 50 ps e uma taxa de repetio de
1 GHz.
ttulo de comparao, foram analisados os dois tipos de acoplamentos
entre o gerador de 50 e o laser: um utilizando o TLT e outro utilizando uma
linha de transmisso convencional de 50 (situao sem casamento de
impedncias).
Para cada um dos lasers, e para cada um dos dois acoplamentos, os parasitas
dos lasers foram introduzidos na anlise em trs etapas: primeiro, tanto os
parasitas do laser quanto os da montagem foram desconsiderados e o laser

modelado exclusivamente pelo seu resistor Rs de 3.5 ; segundo, os parasitas do
laser (Rsub e CS) foram considerados juntamente com a sua resistncia (Rs); e por
fim, o modelo completo mostrado na figura 26 foi analisado, que inclui tambm
os parasitas associados montagem (Rp, Lp e Cp).
As figuras 27 e 28 mostram, respectivamente, os pulsos eltricos acoplados
aos lasers A e B, para as diversas situaes descritas acima. As curvas em linhas
cheias correspondem ao acoplamento com o TLT, e as linhas pontilhadas ao
acoplamento sem o TLT. O valor da corrente, nestes grficos, foi normalizado em
relao corrente para o caso do acoplamento com TLT a um laser considerado
puramente resistivo.
Os dois primeiros pulsos correspondem situao sem parasitas, com e sem
TLT, respectivamente. Os terceiro e quarto pulsos, situao onde apenas os
parasitas do laser so considerados, com e sem TLT. E os dois ltimos pulsos,
correspondem ao modelo da figura 26, com e sem TLT.
79
Corrente na carga normalizada

1.2
1.0
Sem parasitas
0.8
Com parasitas
do laser
Com parasitas do
laser e da montagem
0.6
0.4
0.2
0.0
-0.2
Linha de transmisso de 50 ohms

TLT de 50 para 3.5 ohms
-0.4
0
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
Tempo (ps)
(a)
1.2
Sem parasitas
1.0
Com parasitas
do laser
0.8
Com parasitas do laser

e da montagem
0.6
0.4
0.2
0.0
-0.2

-0.4
0
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
Tempo (ps)
(b)
Figura 27 Efeito do casamento de impedncias proporcionado pelo TLT que adapta
50 a 3.5 , considerando os parasitas: (a) do laser A, e (b) do laser B.
Para o caso em que o laser modelado por uma carga puramente resistiva de
3.5 , a introduo do TLT de 50 para 3.5 corresponde a um casamento de
impedncias perfeito. A corrente eltrica acoplada ao laser para este caso
corresponde aos dois primeiros pulsos das figuras 27 (a) (para o laser A) e 27 (b)
(para o laser B). Observa-se pelas figuras, que o casamento de impedncias
resultou numa melhoria significativa na intensidade da corrente eltrica acoplada
aos lasers, A e B (linhas cheias), quando comparado ao acoplado feito atravs da
80
linha convencional de 50 (linhas pontilhadas). Comparando-se as curvas cheias

com as pontilhadas, observam-se tambm as distores do tipo undershoot e
overshoot introduzidas pelo TLT na forma de onda do pulso de corrente, cujos
efeitos j foram abordados nas sees 2.5.1 e 2.5.2 e que no ocorrem no caso do
acoplamento atravs da linha convencional de 50 .
Para o caso em que apenas os parasitas do laser so adicionados sua carga
resistiva, a corrente eltrica acoplada ao laser corresponde aos dois pulsos
intermedirios das figuras 27 (a) (para o laser A) e 27 (b) (para o laser B). A
introduo destes parasitas degradou a intensidade da corrente acoplada ao laser e
distorceu a forma de onda da corrente (alargando-a) tanto no acoplamento com
TLT quanto naquele sem TLT. Alm disto, a degradao e a distoro do pulso de
corrente foram bem mais intensa para o laser B, que possui parasitas com valores
maiores, do que para o laser A, que possui parasitas menores.

Finalmente, para o caso em que o laser modelado pelo circuito da figura
26, que inclui tambm os parasitas associados montagem, a corrente acoplada ao
laser corresponde s duas ltimas curvas das figuras 27 (a) e 27 (b). A introduo
dos parasitas Rp, Lp e Cp no trouxe grandes modificaes na curva da corrente
eltrica acoplada ao laser A em comparao ao caso em que os parasitas do laser
j haviam sido considerados. Isto ocorreu, tanto no acoplamento com TLT quanto
naquele sem TLT. Entretanto, para o laser B, a introduo dos parasitas Rp, Lp e
Cp, que possuem valores mais elevados, degradou drasticamente a curva da
corrente eltrica no acoplamento com o TLT, reduzindo sua intensidade e
alargando-a consideravelmente. Especificamente nesta situao, com parasitas de
valores elevados, a introduo do TLT projetado em funo do valor da carga
resistiva do laser de 3.5 no teve um efeito positivo na corrente. Pelo contrrio,
nesta situao, o acoplamento sem o TLT mostrou-se mais eficiente.
A partir destes resultados, conclui-se que, quando os parasitas apresentam
valores elevados, a parte reativa da impedncia de entrada do laser torna-se
dominante, principalmente para as freqncias elevadas, o TLT deve ser projetado
em funo da impedncia do laser, mais do que em funo apenas da sua parte
puramente resistiva.
Para confirmar esta concluso, foi projetado um outro TLT que casa os 50
do gerador a uma carga de 15 (ao invs dos 3.5 ). Nesta anlise foi
81
considerado o laser B modelado com todos os parasitas, de acordo com a figura

26. A figura 28 mostra os pulsos de corrente eltrica acoplada ao laser B para trs
tipos de acoplamentos: com o TLT que casa 50 a 15 (curva mais a esquerda);
com a linha convencional de 50 (curva do centro); e com o TLT que casa 50
a 3.5 (curva mais a direita). Neste grfico, a corrente acoplada carga foi
normalizada em relao ao valor da corrente obtida para o acoplamento com o
TLT que casa 50 a 3.5 , que representa o pior caso entre os trs. O
acoplamento com o TLT que casa 50 a 15 mostrou-se um pouco mais
eficiente do que o acoplamento sem TLT. Conclui-se ento que o lado de baixa
impedncia do TLT deve ser escolhido em funo da impedncia de entrada do
laser, e no apenas em funo de sua parte resistiva. Alm disto, apesar da curva
com o TLT que casa 50 a 15 apresentar uma intensidade maior, os parasitas
introduziram um alargamento considervel, e indesejvel em muitas aplicaes,

na forma de onda do pulso.
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
-0.2
-0.4
-0.6
TLT de 50 para 15 ohms

-0.8
0
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
Tempo (ps)
Figura 28 - Corrente normalizada acoplada ao laser B quando so utilizados, na ordem

em que aparecem: TLT que casa 50 a 3.5 ; linha de transmisso convencional de
50 ; e TLT que casa 50 a 15 .
Finalmente, interessante observar que, para o laser A modelado com todos

os seus parasitas, a figura 27 (a) mostrou que os pulsos de corrente quando
analisados no domnio do tempo no foram muito sensveis presena de
parasitas com valores reduzidos. Contudo, quando o problema analisado no
domnio da freqncia e a perda por insero observada, os parasitas, mesmo
tendo valores reduzidos, comprometem o desempenho do TLT, como mostra a
82
figura 29. Nesta figura so mostradas as curvas da perda por insero em funo
da freqncia para o laser A modelado de trs formas, que so: como uma carga
puramente resistiva; como uma carga resistiva associada aos parasitas do laser; e
como uma carga resistiva associada com os parasitas do laser e os da montagem.
Perda por insero (dB)
2
0
-2
-4
-6
-8
-10
Sem parasitas
Com os parasitas do laser
Com os parasitas do laser e da montagem
-12
-14
-16
0
10
15
20
25
30
35
40
Frequncia (GHz)
Figura 29 - Perda por insero para o TLT que casa 50 a 3.5 para o laser A
modelado de trs formas: carga puramente resistiva; carga resistiva e os parasitas do
laser; e carga resistiva com os parasitas do laser e os da montagem.
De fato, os parasitas so completamente indesejveis do ponto de vista da

largura de banda dos sistemas. Mesmo para o laser A, que apresenta baixos
valores para os parasitas, a perda por insero do TLT que casa 50 a 3.5
degrada tal como mostra a figura 29. Em 40 GHz, por exemplo, quando so
considerados apenas os parasitas do laser, a perda por insero degradou mais do
que 6 dB, e quando so adicionados os parasitas da montagem, a degradao
ainda maior, de 16 dB.
83
2.6.Concluses
Neste captulo foram apresentadas as vantagens e desvantagens da utilizao

de um transformador de impedncia em linha de transmisso (TLT) banda larga
para realizar o casamento de impedncias entre o sistema de RF de 50 e os
lasers semicondutores de baixa impedncia.
Foi analisado o transformador de impedncia em linha de transmisso
afilada, cuja resposta em freqncia do tipo passa-alta. Devido s vantagens
apresentadas na seo 2.2, optou-se pelo perfil Chebyshev para a realizao dos
TLTs tratados nesta tese.
Os TLTs podem ser realizados em linhas de transmisso planares. Foram
apresentados dois exemplos de configuraes em linhas de transmisso planares, a
CPW e a CPW com uma sobrecamada de filme dieltrico, que podem ser
utilizadas para a realizao dos TLTs planares. Para obter linhas de dimenses
reduzidas compatveis com as dimenses dos dispositivos optoeletrnicos, o valor
da constante dieltrica efetiva da estrutura planar deve ser elevado, conforme
discutido na seo 2.3.
Foram descritos os mtodos empregados nas anlises tericas realizadas na
presente tese. Analisando-se, no domnio do tempo, uma seqncia pseudoaleatria de pulsos eltricos curtos com alta taxa de repetio imediatamente aps
atravessar o TLT, foram observadas algumas distores na forma de onda do sinal
eltrico. Estas distores so decorrentes da filtragem das componentes espectrais
de baixa freqncia provocadas pelo TLT. Entretanto, analisando-se o
desempenho de um sistema ptico digital cujo transmissor consistiu de um laser
semicondutor alimentado atravs de um TLT, foi observada uma melhoria
significativa no desempenho do sistema. Esta melhoria no desempenho ocorreu
em virtude do melhor acoplamento do sinal de RF ao laser proporcionado pelo
TLT. Apesar das distores, introduzidas pelo TLT, na forma de onda do sinal
eltrico que alimenta o laser, a utilizao do TLT se mostrou, bastante vantajosa
para a resposta ptica do laser. Os grandes benefcios para o laser, e
conseqentemente para o sistema, proporcionados pelo TLT justificam sua
utilizao.
Os resultados das simulaes no domnio do tempo apresentadas neste
captulo mostraram tambm que para obter o TLT adequado, preciso considerar
84
vrios aspectos prticos. A escolha da freqncia de corte mais adequada para o

TLT uma questo complexa. Uma vez escolhido o valor mximo tolerado para o
coeficiente de reflexo na banda passante e a razo de transformao do TLT, o
valor da freqncia de corte depender inversamente do comprimento da
estrutura.
Por um lado, o primeiro aspecto a ser considerado o comprimento do TLT,
que deve estar limitado a poucos centmetros (< 2 cm). Este limite no
comprimento do TLT tem como objetivo viabilizar a insero do mesmo dentro
do encapsulamento dos lasers semicondutores. importante salientar que, a
insero do TLT dentro do encapsulamento do laser prov uma reduo
significativa dos valores dos parasitas associados com a montagem. Este aspecto
de fundamental importncia do ponto de vista da otimizao do desempenho da
resposta do TLT quando ele acopla o sinal de RF ao laser, conforme tratado na
seo 2.5.3. Do ponto de vista da facilidade de integrao do TLT ao laser, e

conseqente reduo dos parasitas, quanto menor o seu comprimento, melhor.
Por outro lado, o comprimento do TLT no pode ser reduzido
indiscriminadamente, porque medida que o comprimento do TLT reduzido, a
freqncia de corte da estrutura desloca-se para valores mais elevados. E, de
acordo com os resultados de simulaes no domnio do tempo apresentados na
seo 2.5.2, existe um valor timo para a freqncia de corte do TLT para o qual o
sistema ptico no qual o TLT inserido tem seu desempenho maximizado. O
valor timo da freqncia de corte depende das seguintes especificaes do
sistema: dos parmetros do laser; do tipo (amplitude, forma e durao) do pulso
de RF acoplado ao laser; e principalmente, da taxa de transmisso dos pulsos
(bits). Para um laser de alta freqncia, por exemplo, modulado diretamente com
pulsos de 160 ps de durao, a uma taxa de repetio de 2.5 Gbit/s, o seu
desempenho maximizado quando os pulsos so acoplados a ele atravs de um
TLT com freqncia de corte de 2 GHz. J para uma seqncia de pulsos de 40 ps
de durao, com uma taxa de repetio de 10 Gbit/s, o TLT mais indicado
aquele que possui freqncia de corte de 5 GHz.
Finalmente, foi mostrado neste captulo que quando os parasitas do laser
no so desprezveis, o mais indicado escolher um TLT capaz de adaptar a
impedncia de 50 a uma impedncia cujo valor seja superior ao valor da
impedncia puramente resistiva do laser.

Transformador de Impedância em Linha de Trasmissão

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Transformador de impedncia em linha de transmisso

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5 . Ao utilizar-se uma linha de transmisso convencional de 50 de impedncia

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A figura 1 mostra um diagrama esquemtico que ilustra as diferentes

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resistncia interna de 50 e um laser semicondutor.

Figura 1 - Diagrama esquemtico do sistema de alimentao de um laser semicondutor

Quando o laser conectado diretamente linha de transmisso de 50 ,

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mais potncia em relao situao sem casamento, e aproximadamente dez

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Neste captulo so apresentadas as vantagens e desvantagens da utilizao

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2.2.Transformadores de impedncia com perfil Chebyshev

de impedncia. A variao do nvel de impedncia em cada seo ao longo deste

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Na figura 2 encontra-se um esquema de uma linha de transmisso afilada

Figura 2 - Representao de uma linha afilada, de comprimento L, na qual a impedncia

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normalizada Z(y) varia continuamente ao longo da linha.

Para uma linha afilada qualquer, a resposta em freqncia do coeficiente

onde L o comprimento total da estrutura, a constante de propagao e y o

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da impedncia apresenta, na banda passante, uma oscilao (ou lbulos) cuja

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comportamento em freqncia passa-alta da linha afilada nitidamente observado

Figura 3 - Resposta em freqncia do coeficiente de reflexo de uma linha afilada

O i de uma linha afilada Chebyshev pode ser obtido atravs da seguinte

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onde c o valor de no limite inferior da banda passante, tal como ilustrado na

onde p=2(y -L/2)/L, uc=cL/ e n um nmero inteiro.

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comportamento do coeficiente de reflexo de outras linhas afiladas. Utilizando

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Figura 4 - Produto c.L (constante propagao na freqncia de corte vezes o

A figura 5 mostra o comportamento do produto cL para a linha Chebyshev

cL tambm aumenta. Alm disso, para uma mesma razo de transformao,

Transformador de impedncia em linha de transmisso

Na presente tese, os projetos dos transformadores de impedncia

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Outra vantagem da linha Chebyshev, o fato de que devido sua

Transformador de impedncia em linha de transmisso

2.3.Transformador de impedncia em linha de transmisso planar e a

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aumentando a espessura do substrato, por exemplo, possvel modificar

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Na figura 6 (a) encontra-se a seo transversal de uma linha de transmisso

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Apesar do diagrama da figura 6 no ilustrar, os semi-planos de terra laterais

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no linear da constante de propagao com a freqncia e as variaes da

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Os valores mnimo e mximo de impedncia caracterstica da linha que

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No trabalho de Seixas et al. (2002) foram analisados diferentes substratos de

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superior do substrato e/ou acima do plano superior da fita condutora. A figura 7

Na configurao CPW com filme depositado acima da metalizao, uma

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