Documente Academic
Documente Profesional
Documente Cultură
Neste trabalho iremos estudar sobre os sobre os transistores de efeito de campo, suas
funcionalidades e funcionamento. Falaremos sobre o JFET, um transistor de efeito de
campo que usa materiais portadores de carga colocados perpendicularmente e em contato
direto com seu canal para que se possa controlar a passagem de corrente eltrica e sobre o
MOSFET, o tipo mais comum de transstores de efeito de campo em circuitos
tanto digitais quanto analgicos. Veremos seus efeitos e como ele atua em um circuito, assim,
adquirindo um maior conhecimento sobre o assunto.
Esta atividade importante para que voc conhea os conceitos sobre os Transistores de
Efeito de Campo, essenciais para desenvolvimento de projetos de Eletrnica.
Passo 1: Pesquisar o princpio de funcionamento, caractersticas e configuraes do
FET (Transistor de Efeito de Campo).
Desenvolvimento: O FET (Field Effect Transistor) que traduzindo para o portugus
significa Transistor de Efeito de Campo (TEC) um transistor unipolar.
Figura 1
Assim como existem transistores bipolar NPN e PNP, existem transistores de efeito de
campo canal P e canal N.
Os FETs possuem algumas vantagens com relao aos transistores bipolares como:
impedncia de entrada elevadssima; relativamente imune radiao; produz menos rudo e
possui melhor estabilidade trmica. No entanto, apresentam algumas desvantagens como:
banda de ganho relativamente pequena e maiores riscam de dano quando manuseado.
10
11
12
Figura 2
13
Aplicando-se uma tenso positiva VDS atravs do canal e conectando-se a porta (G)
diretamente a fonte (S) estabelece a condio VGS = 0V, obtm-se ambos no mesmo potencial.
No instante em que uma tenso VDD = VDS aplicada, os eltrons fluem para o terminal
de dreno (D), estabelecendo uma corrente convencional ID com sentido definido pela figura 3.
14
15
Figura 3
Conforme ateno VDS tende a aumentar de 0 para alguns volts, a corrente aumenta
como previsto pela lei de OHM, quando VDS atingir um determinado valor definido por VP
(Tenso no qual resulta no estrangulamento do canal, tenso essa imposta por VDS) , as regies
de depleo tendem a se alargar, provocando uma reduo na largura do canal N, sendo assim,
aumentando a resistncia do canal (figura 3).
Para valores de VDS a um nvel onde as duas regies de depleo tendem a se tocar,
resulta na condio de pinch-off (tenso de constrio), tenso VDS esta que estabelece o
16
estrangulamento do canal. Porem, com VDS >= VP, teremos um canal mais estreito, mas com
uma corrente de altssima densidade, mantendo ID a um nvel de saturao definido por I DDS
(IDDS a corrente mxima de dreno para um JFET).
A tenso da porta (G) para fonte (S), denominada V GS, a tenso controladora do JFET.
Para o dispositivo de canal tipo N, a tenso controladora V GS feita cada vez mais negativa, a
partir de VGS = 0V. Portanto, quanto mais for negativo o VGS, maior ser o estrangulamento do
canal feito pela regio de depleo.
17
18
Figura 4
Note que em torno de um canal forma-se uma regio de potencial na juno PN. Esta
barreira restringe a rea de conduo do canal entre Dreno (D) e Fonte (S).
O nvel de VGS que resulta em ID = 0A definido por VGS = VPr, com VP sendo uma
tenso negativa para dispositivos de canal N e positiva para dispositivos de canal P.
19
20
21
Figura 5
22
23
24
Figura 6
25
26
27
Figura 7
28
29
Figura 8
30
31
Figura 9
32
33
Figura 10
34
Desenvolvimento:
Condies de funcionamento do JFET (canal N):
Resumindo tm-se abaixo as trs condies de operao do JFET:
- Para VGS = 0V e VDD VP => ID = IDSS; Funcionando como fonte de corrente
(Saturado);
35
36
37
38
- Para VP VGG 0V e VDD = Constante => 0mA ID < IDSS; funcionando com variao
da corrente de dreno (ID);
39
40
41
42
A fina camada de dixido de Silcio (S1O2), que isolante, impede a passagem de corrente da
porta para o material n.
43
44
A Figura acima mostra o MOSFET de modo depleo com uma tenso de porta (VGS)
negativa. A tenso VDD fora os eltrons livres a fluir atravs do material n. Como no JFET a
tenso de porta controla a largura do canal. Quanto mais negativa for VGS, menor a corrente
de dreno. At um momento que a camada de depleo fecha o canal e impede fluxo dos
eltrons livres. Com VGS negativo o funcionamento similar ao JFET.
45
Como a porta est isolada eletricamente do canal, pode-se aplicar uma tenso positiva na
porta (inverso de polaridade bateria VGG do circuito). A tenso positiva na porta aumenta o
nmero de eltrons livres que fluem atravs do canal. Quanto maior a tenso, maior a corrente
de dreno. Isto que a diferencia de um JFET.
Condies de funcionamento do MOSFET de enriquecimento (canal N):
O MOSFET de modo crescimento ou enriquecimento uma evoluo do MOSFET de modo
depleo e de uso generalizado na indstria eletrnica em especial nos circuitos digitais
46
47
48
Quando a porta positiva, ela atrai eltrons livres na regio p. Os eltrons livres recombinamse com as lacunas na regio prxima ao dixido de silcio. Quando a tenso suficientemente
positiva, todas as lacunas encostadas a dixido de silcio so preenchidas e eltrons livres
comeam a fluir da fonte para o dreno. O efeito o mesmo que a criao de uma fina camada
de material tipo n prximo ao dixido de silcio. Essa camada chamada de camada de
inverso tipo n. Quando ela existe o dispositivo, normalmente aberto, de repente conduz e os
eltrons livres fluem facilmente da fonte para o dreno.
49
O VGS mnimo que cria a camada de inverso tipo n chamado tenso de limiar, simbolizado
por VGS(TH). Quando VGS menor que VGS(TH), a corrente de dreno zero. Mas quando
VGS maior VGS(TH), uma camada de inverso tipo n conecta a fonte ao dreno e a corrente
de dreno alta. VGS(TH) pode variar de menos de 1V at mais de 5V dependendo do
MOSFET.
50
CONCLUSO
Nesse trabalho, observamos as caractersticas dos transistores JFET e MOSFET. Fazendo uma
comparao com os transistores BJT que vimos durante o trabalho, podemos mostrar algumas
como: Alta impedncia de entrada, maior que os BJT e as correntes de entrada so bem
menores que os BJT e seu ganho, que tambm menor que um BJT.
51
Quando um BJT no funciona de uma boa forma, podemos utilizar os JFETS, como por
exemplo, quando a correte de fuda para a base de um BJT muito alta.
O uso dos FETS so importantes em aplicaes para lgica digital, j que eles so mais
rpidos e dissipam uma potencia menor. Na maior parte dessas aplicaes so utilizados
MOSFETS, pois possuem uma impedncia ainda maior que os JFETS.
52
REFERNCIAS BIBLIOGRFICAS
http://www.mauriciocury.com/apostilas/Apostila-diodos.pdf
https://drive.google.com/file/d/0B4DWrkB2Lh2sSExSUjgtYl9rdTQ/view
http://www.mauriciocury.com/apostilas/Apostila-diodos.pdf
https://drive.google.com/file/d/0B4DWrkB2Lh2sSExSUjgtYl9rdTQ/view
53
MALVINO, Albert Paul. Eletrnica Vol. I, 4 ed. So Paulo, Makron Books, 1997.
KOSOV,I.L - Mquinas Eltricas e transformadores. 4 edio. Editora Globo, Rio de
Janeiro/RJ.1982. BERTOLI, Roberto Angelo. Eletrnica.
Departamento de Eletro-Eletrnica. Colgio Tcnico de Campinas UNICAMP.
http://www.ufv.br/dpf/320/JFET.pdf.
54