Srie de Eletrnica

SENAI

Sumrio
Introduo

Materiais semicondutores

Constituio qumica

Dopagem
Semicondutor tipo n
Semicondutor tipo p

9
10
12

Propriedades trmicas

14

O diodo semicondutor

15

Formao do diodo - juno pn

15

Aspecto e representao do diodo

17

Aplicao de tenso sobre o diodo

Polarizao direta
Polarizao inversa

18
18
20

Caracterstica eltrica do diodo semicondutor

O diodo semicondutor ideal
Modelo semi-ideal do diodo semicondutor
Curva caracterstica do diodo
Limites de operao do diodo

21
21
22
24
28

Teste de diodos semicondutores

Execuo do teste

30
31

Apndice

33

Questionrio

33

Bibliografia

34

Espao SENAI

Misso do Sistema SENAI

Contribuir para o fortalecimento da indstria e o desenvolvimento
pleno e sustentvel do Pas, promovendo a educao para o trabalho e a
cidadania, a assistncia tcnica e tecnolgica, a produo e disseminao
de informao e a adequao, gerao e difuso de tecnologia.

Srie de Eletrnica

Introduo
A eletrnica se desenvolveu de forma espantosa nas ltimas dcadas. A
cada dia novos componentes so colocados no mercado, simplificando o projeto
e construo de novos equipamentos cada vez mais sofisticados.
Um dos fatos que contribuiu de forma marcante para essa evoluo foi a
descoberta e aplicao dos materiais semicondutores. O primeiro componente
fabricado com esses materiais, que foi denominado de diodo semicondutor,
at hoje utilizado para a transformao de corrente alternada em corrente
contnua.
Este fascculo trata dos materiais semicondutores e do diodo
semicondutor com suas caractersticas e forma de teste, visando a fornecer os
conhecimentos indispensveis para o entendimento da transformao de ca em
cc.

Para a boa compreenso do contedo e desenvolvimento das

atividades contidas neste fascculo, o leitor dever estar
familiarizado com os conceitos relativos a:

Corrente eltrica.
Materiais condutores e isolantes.

Diodo semicondutor

Materiais
semicondutores
Alguns materiais apresentam propriedades de conduo eltrica
intermedirias entre aquelas inerentes aos isolantes e aos condutores. Tais
materiais so denominados de semicondutores. A caracterstica mais
interessante do material semicondutor, e que o torna atrativo do ponto de vista
da fabricao de componentes eletrnicos, a possibilidade de se poder variar
substancialmente sua condutividade eltrica pela alterao controlada de sua
composio qumica ou estrutura cristalina.
Um exemplo tpico de um elemento qumico que pode formar materiais
exibindo caractersticas eltricas distintas o carbono. Dependendo da forma
com que os tomos de carbono se interligam, o material formado pode tornar-se
um isolante ou um condutor.
Uma das formas naturais de matria formada por tomos de carbono
arranjados ordenadamente em uma estrutura cristalina o diamante, que um
material de grande dureza e eletricamente isolante.
Os tomos de carbono podem tambm arranjar-se naturalmente em uma
estrutura amorfa ou no cristalina, dando origem ao grafite que um material
semicondutor.
Nas sees seguintes sero discutidas algumas das caractersticas
principais associadas aos materiais semicondutores e a forma pela qual esses
materiais podem ser utilizados na construo de dispositivos eletrnicos.

Srie de Eletrnica

CONSTITUIO QUMICA
Os materiais semicondutores mais simples so constitudos de tomos de
um nico elemento qumico com quatro eltrons na camada de valncia.
tomos exibindo esta configurao eletrnica so denominados de tomos
tetravalentes.
A Fig.1 ilustra a configurao dos tomos tetravalentes de germnio (Ge)
e silcio (Si) que do origem a materiais semicondutores.

Fig.1 Configurao eletrnica dos tomos de silcio e germnio.

Os tomos que tm quatro eltrons na camada de valncia tendem a se
arranjar ordenadamente na formao do material segundo uma estrutura
cristalina com tomos vizinhos compartilhando seus eltrons de valncia,
conforme ilustrado na Fig.2.

Diodo semicondutor

Fig.2 Compartilhamento de eltrons de valncia entre dois tomos de silcio.

O compartilhamento de eltrons entre tomos tetravalentes em uma
estrutura cristalina ilustrado na Fig.3a. Esse tipo de ligao qumica recebe a
denominao de ligao covalente, sendo representada simbolicamente por dois
traos interligando cada par de ncleos, como mostrado na Fig.3b.

S i

S i

(a)

(b)

Fig.3 Compartilhamento de eltrons entre tomos ligados covalentemente em

uma estrutura cristalina e a representao simblica correspondente.
Nas ligaes covalentes os eltrons permanecem fortemente ligados ao
par de ncleos interligados. Por esta razo os materiais formados por estruturas
cristalinas puras, compostas unicamente por ligaes covalentes, adquirem
caractersticas de boa isolao eltrica.

Materiais com estruturas cristalinas puras formadas por

elementos qumicos tetravalentes so bons isolantes eltricos.
Na forma cristalina, o silcio e o germnio puros so materiais
semicondutores com propriedades eltricas prximas quelas de um isolante
perfeito.

Srie de Eletrnica

A Fig.4 mostra uma representao planar do arranjo de tomos

tetravalentes em uma rede cristalina, onde cada tomo forma quatro ligaes
covalentes com seus vizinhos.
Fig.4 Representao planar de uma rede
cristalina de tomos tetravalentes.

A representao ilustrada na Fig.4 uma verso simplificada da situao

real em que os tomos tetravalentes se arranjam em uma estrutura
tridimensional. Essa estrutura tridimensional ilustrada na Fig.5, com os tomos
interligados em uma geometria tetradrica. O tetraedro assim formado sempre
contm um tomo central interligado aos seus quatro vizinhos posicionados nos
vrtices do tetraedro.

Fig.5 Estrutura tridimensional de uma rede cristalina de tomos tetravalentes.

DOPAGEM
A dopagem um processo qumico no qual tomos estranhos so
introduzidos na estrutura cristalina de uma substncia.

Diodo semicondutor

Os materiais encontrados em sua forma natural, geralmente contm um

certo grau de impurezas que se instalam durante o processo de formao desses
materiais. Essa situao pode ser caracterizada como um processo de dopagem
natural.
A dopagem pode tambm ser realizada em laboratrio, com o objetivo de
introduzir no cristal uma determinada quantidade de tomos de impurezas, de
forma a alterar, de maneira controlada, as propriedades fsicas naturais do
material.
Em um cristal semicondutor a dopagem geralmente realizada para
alterar suas propriedades eltricas. O grau de condutividade bem como o
mecanismo de conduo do semicondutor dopado ir depender dos tipos de
tomos de impureza introduzidos no cristal, como descrito a seguir.

SEMICONDUTOR TIPO n
Quando o processo de dopagem introduz na estrutura cristalina do
semicondutor uma quantidade de tomos contendo excesso de um eltron de
valncia relativamente ao nmero de eltrons da camada mais externa de cada
tomo do cristal, forma-se um semicondutor tipo n. Neste processo, uma
pequena quantidade dos tomos dopantes introduz apenas ligeiras modificaes
na estrutura cristalina do semicondutor puro.
Um exemplo tpico de formao de um semicondutor tipo n ocorre
quando tomos de fsforo so introduzidos na estrutura cristalina do silcio.
Conforme ilustrado na Fig.6, apenas quatro dos cinco eltrons de valncia do
fsforo, podem participar das ligaes covalentes com os tomos de silcio.

10

Srie de Eletrnica

Fig.6 Dopagem de silcio com tomo de fsforo.

Como mostrado na Fig.6, o quinto eltron de valncia do tomo de
fsforo no participa de nenhuma ligao covalente, pois no existe um segundo
eltron de valncia disponvel nos tomos vizinhos que possibilite a formao
dessa ligao. Esse eltron extra pode, portanto, ser facilmente liberado pelo
tomo de fsforo, passando a transitar livremente atravs da estrutura do cristal
semicondutor.
Com a adio de impurezas, e conseqente aumento no nmero de
eltrons livres, conforme ilustrado na Fig.7, o cristal que era puro e isolante
passa a ser condutor de corrente eltrica. importante observar que embora o
material tenha sido dopado, o nmero total de eltrons permanece igual ao
nmero total de prtons no cristal, de forma que o material continua
eletricamente neutro.

Fig.7 Eltrons livres no silcio dopado com fsforo.

O semicondutor dopado com tomos contendo excesso de um ou mais
eltrons na camada de valncia recebe a denominao de semicondutor tipo n,
pois nesses materiais a corrente eltrica conduzida predominantemente por
cargas negativas. Essa conduo eltrica ocorre independentemente da
polaridade da tenso aplicada entre as extremidades do material semicondutor,
conforme ilustrado na Fig.8.

11

Diodo semicondutor

Fig.8 Corrente de eltrons em um semicondutor tipo n.

SEMICONDUTOR TIPO p
Quando os tomos introduzidos na estrutura cristalina do semicondutor
exibem deficincia de um eltron de valncia relativamente ao nmero de
eltrons da camada mais externa de cada tomo do cristal, forma-se um
semicondutor tipo p.
O tomo de ndio, por exemplo, que tem trs eltrons na camada de
valncia, quando utilizado no processo de dopagem do silcio d origem a um
semicondutor tipo p, conforme ilustrado na Fig.9.

Fig.9 Dopagem de silcio com tomo de ndio.

12

Srie de Eletrnica

Como se pode observar na Fig.9, o tomo de ndio se acomoda na

estrutura cristalina, formando trs ligaes covalentes com tomos vizinhos de
silcio. Com respeito ligao com o quarto tomo de silcio, verifica-se a
ausncia do segundo eltron que comporia o par necessrio formao daquela
ligao com o tomo de ndio. Essa ausncia de eltron de ligao
denominada de lacuna.
A existncia de lacunas no semicondutor permite que haja um mecanismo
de conduo distinto daquele observado em um semicondutor tipo n. No caso
do semicondutor tipo n, os eltrons adicionais resultantes do processo de
dopagem podem transitar livremente no interior do material. Por outro lado,
quando a dopagem produz lacunas no semicondutor, um eltron proveniente de
uma ligao covalente s poder transitar para um ponto do cristal onde haja
uma lacuna disponvel.
Esse
mecanismo
de
conduo est ilustrado na
Fig.10, onde se considera uma
representao de um cristal de
silcio dopado com tomos de
ndio submetido a uma ddp.

Fig.10 Movimento de lacunas em um

semicondutor sujeito a uma
ddp.
O movimento de eltrons de valncia se d do plo negativo para o plo
positivo, pela ocupao de lacunas disponveis na rede cristalina. Nesse
13

Diodo semicondutor

processo, cada eltron torna disponvel uma nova lacuna em seu stio de origem,
como pode ser observado na representao da Fig.10.
Esse movimento de eltrons equivale portanto, a um movimento de
lacunas do plo positivo para o plo negativo do material.
De acordo com esse ponto de vista, as lacunas em um semicondutor
dopado se comportam efetivamente como cargas positivas que podem transitar
em um cristal quando este est submetido a uma tenso externamente aplicada.
O semicondutor dopado com tomos contendo deficincia de um ou mais
eltrons na camada de valncia recebe a denominao de semicondutor tipo p,
pois nesses materiais a corrente eltrica conduzida predominantemente por
lacunas que se comportam como portadores de carga positiva durante o
processo de conduo eltrica.
Como no processo de conduo eltrica de um semicondutor tipo n, o
movimento de lacunas em um semicondutor tipo p, submetido a uma ddp, ocorre
independentemente da polaridade da tenso aplicada entre as extremidades do
material.
Analisando-se as propriedades bsicas de semicondutores dopados, notase que o nmero de eltrons em um semicondutor tipo n, ou lacunas em um
semicondutor tipo p, cresce com o aumento do nmero de tomos de
impurezas introduzidas no cristal. Com o aumento do nmero de portadores de
carga, aumenta a condutividade eltrica do material. Dessa forma, torna-se
possvel alterar de forma controlada a condutividade eltrica de um
semicondutor, efetuando-se a dosagem adequada da quantidade de dopagem do
cristal durante a etapa de fabricao.
Essa caracterstica de controle externo de condutividade possibilita o uso
de cristais semicondutores como matria prima na fabricao de componentes
eletrnicos, incluindo diodos, transistores, circuitos integrados etc., bem como
na construo de dispositivos optoeletrnicos, tais como fotodetetores, diodos
emissores de luz e lasers semicondutores.

A condutividade eltrica de um semicondutor pode ser

controlada pela dosagem adequada da quantidade de dopagem do
cristal, durante a etapa de fabricao.

14

Srie de Eletrnica

PROPRIEDADES TRMICAS
A temperatura exerce influncia direta sobre as propriedades eltricas de
materiais semicondutores. Quando a temperatura de um material semicondutor
aumenta, o aumento de energia trmica do eltron de valncia facilita a sua
liberao da ligao covalente de que participa. Cada ligao covalente que se
desfaz por esse processo propicia, portanto, a gerao de um par eltron/lacuna a
mais na estrutura do cristal, conforme ilustrado na Fig.11.

Fig.11 Gerao por aquecimento de pares eltron/lacuna em um semicondutor.

O aumento do nmero de portadores devido ao aquecimento do cristal
aumenta sua condutividade, permitindo assim que se obtenha um maior fluxo de
corrente no material.

15

Diodo semicondutor

O diodo semicondutor
O diodo semicondutor um componente que pode comportar-se como
condutor ou isolante eltrico, dependendo da forma como a tenso aplicada
aos seus terminais. Essa caracterstica permite que o diodo semicondutor possa
ser utilizado em diversas aplicaes, como, por exemplo, na transformao de
corrente alternada em corrente contnua.

FORMAO DO DIODO - JUNO pn

Um diodo semicondutor formado a partir da juno entre um
semicondutor tipo p e um semicondutor tipo n, conforme ilustrado na Fig.12.
Existem vrios processos que permitem a fabricao desse tipo de estrutura e
que utilizam tcnicas altamente sofisticadas para o controle de crescimento dos
cristais semicondutores com os graus de dopagens desejados. A estrutura
formada recebe a denominao de juno pn.

Fig.12 Diodo semicondutor.

16

Srie de Eletrnica

Conforme ilustrado na Fig.13, logo aps a formao da juno pn, alguns

eltrons livres se difundem do semicondutor tipo n para o semicondutor tipo p.
O mesmo processo ocorre com algumas lacunas existentes no semicondutor tipo
p que difundem para o semicondutor tipo n.

Fig.13 Difuso de eltrons e lacunas logo aps a formao da juno pn.

Durante o processo de difuso, parte dos eltrons livres se recombinam
com lacunas na regio prxima juno. A diminuio do nmero de eltrons
livres existentes inicialmente do lado n que conseguiram se difundir e
recombinar com as lacunas no lado p, produz uma regio de cargas positivas do
lado n e negativas do lado p da juno.
Conforme ilustrado na Fig.14, as cargas produzidas nas proximidades da
juno so cargas fixas rede cristalina. Essa regio de cargas prxima juno
denominada regio de cargas descobertas ou regio de depleo.

Fig.14 Regio de cargas descobertas nas proximidades da juno pn.

17

Diodo semicondutor

Com o aparecimento da regio de depleo, o transporte de eltrons para o

lado p bloqueado, pois estes so repelidos da regio negativamente carregada
do lado p. O mesmo efeito se aplica para lacunas cujo transporte para o lado n
repelido pelas cargas positivas existentes no lado n da juno.
Portanto, imediatamente aps a formao da juno, uma diferena de
potencial positiva gerada entre os lados n e p. Essa barreira de potencial
previne a continuao do transporte de portadores atravs da juno pn no
polarizada.

Imediatamente aps a formao da juno pn, aparece uma

barreira de potencial que positiva do lado n e negativa do lado p
da juno.
A tenso VB proporcionada pela barreira de potencial no interior do diodo,
depende do material utilizado na sua fabricao. Valores aproximados para os
diodos de germnio e silcio so VB = 0,3 V e VB = 0,7 V, respectivamente.
No possvel medir diretamente o valor de VB aplicando um voltmetro
conectado aos terminais do diodo, porque essa tenso existe apenas em uma
pequena regio prxima juno. No todo, o componente eletricamente
neutro, uma vez que no foram acrescentados nem retirados portadores do
cristal.

ASPECTO E REPRESENTAO DO DIODO

O diodo semicondutor representado
em diagramas de circuitos eletrnicos pelo
smbolo ilustrado na Fig.15. O terminal da
seta representa o material p, denominado de
nodo do diodo, enquanto o terminal da barra
representa o material n, denominado de
ctodo do diodo.

Fig.15 Representao do diodo.

A identificao dos terminais do componente real pode aparecer na forma

de um smbolo impresso sobre o corpo do componente ou alternativamente, o

18

Srie de Eletrnica

ctodo do diodo pode ser identificado atravs de um anel impresso na superfcie

do componente, conforme ilustrado na Fig. 16.

Fig.16 Formas de identificao dos terminais do diodo semicondutor para

dois tipos comuns de encapsulamento.
Observa-se que o comportamento de qualquer componente eletrnico
depende diretamente da sua temperatura de trabalho. Essa dependncia trmica
um fator importante que deve ser considerado quando se projeta ou se montam
circuitos com esses componentes.

APLICAO DE TENSO SOBRE O DIODO

A aplicao de tenso sobre o diodo estabelece a forma como o
componente se comporta eletricamente. A tenso pode ser aplicada ao diodo pela
polarizao direta ou pela polarizao inversa do componente, conforme
examinado a seguir.

Fig.17 Diodo submetido

polarizao direta.

19

Diodo semicondutor

Como
resultado,
apenas
alguns eltrons e lacunas tm
energia suficiente para penetrar a
barreira de potencial, produzindo
uma pequena corrente eltrica
atravs do diodo.

POLARIZAO DIRETA
Polarizao direta uma condio que ocorre quando o lado p
Na situao ilustrada na
Fig.18, o valor da tenso aplicada ao
diodo inferior ao valor VB da
barreira de potencial. Nessa
condio, a maior parte dos eltrons
e lacunas no tm energia suficiente
para atravessar a juno.
submetido a um potencial positivo relativo ao lado n do diodo, conforme
ilustrado na Fig. 17.
Nessa situao, o plo positivo da fonte repele as lacunas do material p
em direo ao plo negativo, enquanto os eltrons livres do lado n so repelidos
do plo negativo em direo ao plo positivo.

Fig.18 Diodo sob polarizao

direta para V<VB.
20

Srie de Eletrnica

Se a tenso aplicada aos

terminais do diodo excede o valor da
barreira de potencial, lacunas do lado
p e eltrons do lado n adquirem
energia superior quela necessria
para superar a barreira de potencial,
produzindo como resultado um
grande aumento da corrente eltrica
atravs do diodo, como mostrado na
Fig. 19.
Quando
o
diodo
est
polarizado diretamente, conduzindo
corrente eltrica sob a condio V >
VB, diz-se que o diodo est em
conduo.

Fig.19 Diodo sob polarizao

direta para V > VB.

Um diodo est em conduo quando polarizado diretamente

sob a condio V > VB .
POLARIZAO INVERSA

Fig.20 Diodo sob polarizao inversa.

21

Diodo semicondutor

A polarizao inversa de um
diodo ocorre quando o lado n fica
submetido a um potencial positivo
relativo ao lado p do componente,
como mostrado na Fig.20.
Nessa situao, os plos da
fonte externa atraem os portadores
livres majoritrios em cada lado da
juno; ou seja, eltrons do lado n e
lacunas do lado p so afastados das
proximidades da juno, conforme
ilustrado na Fig.21.
Com o afastamento dos
portadores majoritrios, aumenta no
s, a extenso da regio de cargas
descobertas, como tambm o valor da
barreira de potencial atravs da
juno.
Com o aumento da barreira de
potencial, torna-se mais difcil o
fluxo, atravs da juno, de eltrons
injetados pela fonte no lado p e de
lacunas no lado n. Como resultado, a
corrente atravs do diodo tende
praticamente a um valor nulo.

Fig.21 Regio de depleo de um

diodo sob polarizao inversa.

Quando o diodo est sob polarizao inversa, impedindo o fluxo de

corrente atravs de seus terminais, diz-se que o diodo est em bloqueio ou na
condio de corte.

Um diodo inversamente polarizado bloqueia o fluxo de

corrente eltrica.

22

Srie de Eletrnica

CARACTERSTICA ELTRICA DO DIODO

SEMICONDUTOR
sempre conveniente modelar um determinado componente eletrnico
atravs de seu circuito equivalente. O circuito equivalente uma ferramenta
largamente utilizada em eletrnica para representar um componente com
caractersticas no comuns, por um circuito consistindo de componentes mais
simples, tais como interruptores, resistores, capacitores etc.
No caso do diodo semicondutor, o circuito equivalente se torna bastante
simplificado quando o diodo considerado ideal, conforme descrito a seguir.

O DIODO SEMICONDUTOR IDEAL

Por diodo ideal entende-se um dispositivo que apresenta caractersticas
ideais de conduo e bloqueio.
Um diodo ideal, polarizado diretamente, deve conduzir corrente eltrica
sem apresentar resistncia, comportando-se como um interruptor fechado, como
ilustrado na segunda linha da Tabela 1. O interruptor fechado , portanto, o
circuito equivalente para o diodo ideal em conduo.
Polarizado inversamente, o diodo semicondutor ideal deve comportar-se
como um isolante perfeito, impedindo completamente o fluxo de corrente. O
interruptor aberto ilustrado na terceira linha da Tabela 1 , portanto, o circuito
equivalente para o diodo ideal na condio de corte.
Em resumo, o diodo ideal comporta-se como um interruptor, cujo estado
controlado pela tenso aplicada aos seus terminais.
Tabela 1 Circuitos equivalentes para o diodo ideal.

23

Diodo semicondutor

MODELO SEMI-IDEAL DO DIODO SEMICONDUTOR

O diodo ideal um modelo simplificado do diodo real, pois naquele
modelo alguns parmetros relacionados fabricao e s propriedades de
materiais semicondutores so desprezados. Modelos mais realsticos do diodo
operando em conduo ou em bloqueio so descritos a seguir.

Diodo em conduo
Com respeito s caractersticas de conduo do diodo semicondutor, devese levar em conta que o diodo entra em conduo efetiva apenas a partir do
momento em que a tenso da fonte externa atinge um valor ligeiramente
superior ao valor VB da barreira de potencial.
Deve-se tambm considerar a existncia de uma resistncia eltrica
atravs da juno quando o diodo est sob polarizao direta. Essa resistncia
existe em qualquer semicondutor, devido a colises dos portadores com a rede
cristalina do material. O valor da resistncia interna dos diodos em estado de
conduo normalmente inferior a 1.
Assim, um modelo mais aprimorado para o circuito equivalente do diodo
em conduo pode ser obtido pela associao srie de um resistor Rc,
representativo da resistncia direta de conduo, com uma fonte de tenso VB
correspondente ao valor da barreira de potencial na juno, como mostrado na
Fig.22.

Fig.22 Modelo semi-ideal do diodo semicondutor em conduo.

Em situaes em que o diodo utilizado em srie com componentes que
exibem resistncias muito superiores sua resistncia de conduo, esta pode
ser desprezada e o diodo pode ser considerado como ideal, sem que se incorra
em um erro significativo.
No circuito da Fig.23, por exemplo, o valor da resistncia externa 1.500
vezes superior resistncia de conduo do diodo, e o erro relativo cometido no
24

Srie de Eletrnica

clculo da corrente do circuito ao se considerar o diodo como ideal de apenas

1,5%.

49,3 V
0,0328 A
1500

Erro relativo(%)

50
0,0333 A
1500

I 2 I1
0.0333 0.0328
0.0005
100
100
100 1,5%
I1
0,0328
0.0328

Fig.23 Circuito com diodo submetido a conduo e clculo do erro cometido ao

se utilizar o diodo ideal como modelo.

Diodo em bloqueio
Efeitos associados temperatura e a absoro de ftons nas
proximidades da juno de um diodo, possibilitam a gerao de uma pequena
quantidade de portadores minoritrios, ou mais precisamente, lacunas no lado
n e eltrons livres no lado p. Conseqentemente, sempre existe uma corrente de
fuga, quando o diodo inversamente polarizado, correspondendo passagem de
portadores minoritrios atravs da juno. Essa corrente de fuga geralmente
da ordem de alguns microampres, o que indica que a resistncia da juno
inversamente polarizada pode chegar a vrios megahoms.

25

Diodo semicondutor

O diodo em bloqueio pode, portanto, ser modelado a partir do circuito

equivalente mostrado na Fig.24.

Fig.24 Circuito equivalente para o diodo em bloqueio.

CURVA CARACTERSTICA DO DIODO

O comportamento de qualquer componente eletrnico pode ser expresso
atravs de uma curva caracterstica ou curva VI que representa a relao entre
tenso e corrente atravs dos terminais do componente. Dessa forma, para cada
valor da tenso aplicada, pode-se, a partir dos dados da curva caracterstica,
obter o valor da corrente que flui no dispositivo e vice-versa. A curva
caracterstica do diodo serve para determinar seu comportamento real qualquer
que seja o seu estado de polarizao, conforme examinado a seguir.

Regio de conduo
Durante a conduo, uma corrente Id flui atravs do diodo, conforme
ilustrado na Fig.25. A medida que aumenta a corrente injetada Id, a queda de
tenso Vd , observada atravs dos terminais do diodo, aumenta muito pouco em
relao ao valor VB, como conseqncia do baixssimo valor da resistncia de
conduo do diodo.

Fig.25 Modelo do diodo no regime de conduo e parmetros utilizados na

definio da curva caracterstica.

26

Srie de Eletrnica

Uma representao grfica dessa relao tensocorrente para o caso do

diodo de silcio mostrada na Fig.26. Nessa representao, a curva
caracterstica do diodo obtida simplesmente pela unio de todos os pontos
representativos dos pares de valores possveis de corrente Id e tenso Vd, atravs
do diodo no regime de conduo.
200
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0

Id (mA)

0,2

0,4

0,6

0,8

Vd (V)
Fig.26 Curva caracterstica do diodo de silcio no regime de conduo.

27

Diodo semicondutor

Id

200
180
160
140
120
100
80
I0
60
40
20
0

V0
0,2 0,4 0,6 0,8

Vd

Fig.27 Representao de um par de valores de

tenso e de corrente na curva
caracterstica.
A obteno do valor
de tenso V0 que corresponde
a um dado valor de corrente
I0, feita conforme ilustrado
na Fig.27. Deve-se traar
inicialmente uma
linha
horizontal a partir do ponto
sobre o eixo vertical
correspondente ao valor I0.
Essa linha intercepta a curva
no ponto P indicado na
Fig.27. Traando-se a partir
de P uma linha vertical,
obtm-se a interseo com o
eixo horizontal no ponto V0
que o valor desejado da
queda de tenso nos
terminais do diodo.

28

Atravs da curva verifica-se tambm que,

enquanto a tenso sobre o diodo no ultrapassa
um valor limite, que corresponde ao potencial da
barreira VB, a corrente atravs do diodo permanece
muito pequena. Essa condio est indicada na
Fig.28, para um tipo de diodo de silcio, onde Id <
6 mA para Vd < 0,7 V. A partir do valor limite VB
= 0,7 V, a corrente atravs do diodo pode
aumentar substancialmente sem que isso cause um
aumento significativo na queda de tenso atravs
do diodo. Verifica-se, portanto, que na faixa de
valores Vd > 0,7 V, o diodo comporta-se
praticamente como um resistor de baixssima
resistncia.

Srie de Eletrnica

200

Id(mA)

180
160
140
120
100
80
60
40
20
6

0
0

0,2

0,4

0,6

Vd(V)

0,8

0,7

Fig.28 Curva caracterstica para um tipo comum de diodo de silcio.

Regio de bloqueio
Como discutido anteriormente, existe uma corrente de fuga quando o
diodo inversamente polarizado.
Essa corrente de fuga aumenta
gradativamente com o aumento da tenso inversa nos terminais do diodo. Esse
comportamento pode ser observado na regio de tenses e correntes negativas
do grfico da curva caracterstica mostrado na Fig.29. Note-se que, para este
tipo de diodo de silcio, a corrente de fuga satura no valor de 1 microampre
negativo.

29

Diodo semicondutor

I d (mA)
0,002

0,001

-0,001

-0,002
-1

-0,8

-0,6

-0,4

-0,2

0,2

Vd (V)

Fig.29 Grfico exibindo a poro da curva caracterstica em que o

diodo inversamente polarizado.
Como em polarizao direta a corrente tipicamente mais de 1.000 vezes
superior ao valor da corrente de polarizao inversa, a representao das duas
regies de operao em um mesmo grfico geralmente feita utilizando-se a
escala de mA na regio de tenses positivas, e a escala de A na regio de
tenses negativas. Essa forma de representao est ilustrada na Fig.30, para um
tipo comum de diodo de silcio, onde se pode visualizar detalhadamente o
comportamento da curva caracterstica em ambos os regimes de operao.

30

Srie de Eletrnica

I d(mA)
150

100

50

V d(V)
0

-1

-0,8 -0,6 -0,4 -0,2

0,2

0,4

0,6

0,8

-50

-100

Id(A)

Fig.30 Curva caracterstica de um diodo de silcio com escala vertical

dupla para detalhar os regimes de polarizao direta e inversa.

LIMITES DE OPERAO DO DIODO

Os limites de operao do diodo em cc estabelecem os valores mximos
de tenso e corrente que podem ser aplicados ao componente em circuitos de
corrente contnua, sem provocar danos a sua estrutura.
Analisando o comportamento do diodo no regime de conduo, verificase que a corrente de conduo o fator diretamente influenciado pelo circuito de
alimentao do diodo. A queda de tenso nos terminais do diodo no regime de
conduo praticamente independente do circuito, mantendo-se em um valor
prximo ao valor do potencial da barreira do dispositivo, ou seja, 0,7 V para o
silcio e 0,3 V para o germnio.
31

Diodo semicondutor

No regime de polarizao inversa, a tenso atravs do diodo o parmetro

diretamente influenciado pelo circuito de alimentao. A corrente de fuga no
muito influenciada pelo circuito externo pois depende apenas das propriedades
materiais do diodo.
Dessa forma, os limites de operao do diodo so definidos pela corrente
de conduo mxima e tenso inversa mxima descritas a seguir.

Corrente de conduo mxima

A corrente mxima de conduo de um diodo fornecida pelo fabricante
em um folheto de especificaes tcnicas. Nesses folhetos, a corrente mxima
de conduo aparece designada pela sigla IF, com a abreviao F simbolizando a
palavra inglesa forward que significa para a frente, direto(a) etc. Na Tabela 2
so especificados valores de IF para dois tipos comerciais de diodos.
Tabela 2 Valores de IF para dois diodos.
TIPO
IF
SKE 1/12
1,0 A
1n4004
1,0 A

Tenso inversa mxima

Sob polarizao inversa, o diodo opera no regime de bloqueio. Nessa
condio, praticamente toda tenso externamente aplicada atua diretamente
entre os terminais do diodo, conforme ilustrado na Fig.31.

Fig.31 Circuito alimentando diodo sob polarizao inversa.

32

Srie de Eletrnica

Cada diodo tem a estrutura preparada para suportar um determinado valor

mximo da tenso inversa. A aplicao de um valor de tenso inversa superior
quele especificado pelo fabricante, provoca um aumento significativo da
corrente de fuga suficiente para danificar o componente.
Os fabricantes de diodos fornecem nos folhetos de especificao o valor
da tenso inversa mxima que o diodo suporta sem sofrer ruptura. Esse valor
designado por VR. Na Tabela 3 esto listadas as especificaes de alguns diodos
comerciais com os respectivos valores do parmetro VR.
Tabela 3 Especificaes de
correspondentes.

diodos

TIPO
1N4001
BY127
BYX13
SKE1/12

tenses

inversas

mximas

VR
50 V
800 V
50 V
1.200 V

TESTE DE DIODOS SEMICONDUTORES

As condies de funcionamento de um diodo podem ser verificadas pela
medio da resistncia atravs de um multmetro.
Os testes realizados para determinar as condies de um diodo resumemse a uma verificao da resistncia do componente nos sentidos de conduo e
bloqueio, utilizando a tenso fornecida pelas baterias do ohmmetro. Entretanto,
existe um aspecto importante com relao ao multmetro que deve ser
considerado ao se testarem componentes semicondutores:

Existem alguns multmetros que, quando usados como

ohmmetros, tm polaridade real invertida com relao polaridade
indicada pelas cores das pontas de prova.
Isso implica que, para estes multmetros:

Ponta de prova preta

Ponta de prova vermelha

Terminal positivo
Terminal negativo

33

Diodo semicondutor

Para realizar o teste com segurana deve-se utilizar um multmetro cuja

polaridade real das pontas de prova seja conhecida ou consultar o esquema do
multmetro para determinar as polaridades reais.

EXECUO DO TESTE
Para determinar se o diodo est defeituoso, no necessrio identificar os
terminais do nodo e do ctodo. Basta apenas conectar as pontas de prova do
multmetro aos terminais do diodo e altern-las para verificar o comportamento
do diodo quanto s duas polaridades possveis.
A seguir so descritos possveis testes de diodos que podem ser realizados
com o multmetro.
Diodo em boas condies: O
ohmmetro deve indicar baixa
resistncia para um sentido de
polarizao e alta resistncia
ao se inverterem as pontas de
prova nos terminais do diodo,
conforme ilustrado na Fig.32.
Diodo em curto: Se as duas
leituras
indicarem
baixa
resistncia, o diodo est em
curto, conduzindo corrente
eltrica nos dois sentidos.
Diodo aberto (interrompido
eletricamente): Se as duas
leituras
indicarem
alta
resistncia o diodo est em
aberto,
bloqueando
a
passagem de corrente eltrica
nos dois sentidos .

Fig.32 Teste das condies do diodo com

um multmetro. Neste exemplo, o
diodo est em boas condies e a
cor vermelha corresponde
polaridade positiva.

Identificao do nodo e ctodo de um diodo: Em muitas ocasies, a barra de

identificao do ctodo no corpo de um diodo pode estar apagada. Nessas
34

Srie de Eletrnica

situaes, os terminais do diodo podero ser identificados com auxlio do

multmetro. O diodo exibe baixa resistncia quando a ponta de prova com a
polaridade real positiva conectada ao nodo. Basta, portanto, testar o diodo
conectando-se as pontas de prova nas duas posies possveis. Quando o
multmetro indicar baixa resistncia, o seu nodo estar conectado ponta de
prova com polaridade real positiva.

35

Diodo semicondutor

Apndice
QUESTIONRIO
1. Qual a caracterstica eltrica de um material semicondutor?
2. Quais so as duas formas naturais do carbono puro e quais as suas
caractersticas?
3. Quantos eltrons de valncia possuem os seguintes compostos: (a) germnio,
(b) silcio, (c) arsnio e (d) fsforo.
4. Qual a caracterstica eltrica de cristais puros formados por tomos
tetravalentes?
5. O que a dopagem de um semicondutor?
6. O que so um semicondutores tipo n e tipo p?
7. Que tomos de impureza so utilizados na dopagem do silcio para formar
um semicondutor tipo p? E para formar um semicondutor tipo n?
8. O que so lacunas em um semicondutor?
9. De que forma a temperatura altera a condutividade eltrica de um
semicondutor?
10.O que ocorre imediatamente aps a formao de uma juno pn?
11.Sob que condies um diodo entra em conduo ou em bloqueio?
12.Quais os circuitos equivalentes referentes ao diodo ideal e semi-ideal?
13.Qual o valor tpico de tenso que deve ser aplicada a um diodo de germnio
para que ele conduza? E para o diodo de silcio?

36

Srie de Eletrnica

BIBLIOGRAFIA
ARNOLD, Roberts & BRANDT, Hans.
Retificadores semicondutores no
controlados. So Paulo, E. P. U., 1975, 49p. il. (Eletrnica Industrial, 1).
CIPELLI, Antnio Marco Vicari & SANDRINI, Waldir Joo. Teoria e
desenvolvimento de projetos de circuitos eletrnicos. 8.a ed., So Paulo, rica,
1984, 580p. il.
SENAI/DN. Reparador de circuitos eletrnicos; Eletrnica Bsica II. Rio de
Janeiro, Diviso de Ensino e Treinamento , 1979 (Coleo Bsica SENAI,
Mdulo 1).
TRAINING PUBLICATIONS DIVISION OF PERSONEL PROGRAM
SUPPORT ACTIVITY. Curso de eletrnica. So Paulo, Hemus, c1975, 178p.
MILLMAN, Jacob e HALKIAS, Christos C., Integrated electronics: analog and
digital circuits and systems, So Paulo, McGraw-Hill, 1972.

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