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Son materiales que poseen un nivel de conductividad sobre algn punto entre los
extremos de un aislante y un conductor.
= 10-6-cm
COBRE:
SILICIO
= 50 x 103-cm
MICA: = 1012-cm
GERMANIO:
= 50 -cm
Banda de conduccin
Banda de conduccin
Banda de conduccin
Banda prohibida
Eg > 5 eV
Banda prohibida
Eg = 1.1, 0.67, 1.41 eV
Banda de valencia
Banda de valencia
Banda de valencia
Aislante
Semiconductor
Conductor
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Material Intrinseco
Materiales extrinsecos
Antimonio
Arsnico
Fsoforo
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
TIPO n
Boro
Galio
Indio
TIPO p
Enlace metlico
tomos con muchos electrones, pero en su
ltima capa (capa de valencia) posee muy
pocos.
Aislante Conductor
necesitan para desligarse del tomo, mientras que en los materiales aislantes
ocurre lo contrario.
Semiconductor
Silicio
Semiconductor extrnseco
Se provoca un exceso de electrones o un exceso de huecos introduciendo nuevos tomos de
otros elementos (dopaje).
ID
+
+
E = VD + VR
VD
VR
-
VD = E
Modelo simplificado
Diodo ideal
El diodo ideal
vD = 0 cuando iD 0
iD = 0 cuando vD 0
Diodo
Ctodo
nodo
nodo
Ctodo
PARMETROS CARACTERSTICOS.
VM = Voltaje mximo.
Vr = Voltaje de ruptura.
IM = Corriente mxima
Diodo: Aplicaciones
Corriente alterna
Rectificador
Corriente continua
Diodos
Condensadores
Se encierran en una cpsula que permita que la radiacin luminosa en forma de fotones salga al
exterior.
Las principales aplicaciones se encuentran las de estabilizador, aunque tambin se pueden utilizar
como limitadores, recortadores o protectores.
Las principales aplicaciones se encuentran las de estabilizador, aunque tambin se pueden utilizar
como limitadores, recortadores o protectores.
Las principales aplicaciones se encuentran las de estabilizador, aunque tambin se pueden utilizar
como limitadores, recortadores o protectores.
VD
ID
+
NODO
ID
CTODO
ID
VD
FSICAMENTE
NODO
CTODO
Polarizacin directa
VA>VC
Polarizacin inversa
VA<VC
ID
resulta
una
curva
conocida
como
Zona de
Polarizacin
Directa
ideal
REAL
VZ
IS
Zona de
Polarizacin
Inversa
VD
Un diodo se puede aproximar por una fuente de tensin continua VD (VD 0,7V para diodos de
Si y VD 0,3V para diodos de Ge) cuando est polarizado directamente, y por un cortocircuito
cuando est polarizado inversamente.
VD
+
+
+
+
R
VR
VD
VD
R
E
VR
+Vm
IR=0
IR
+Vm
IR
-Vm
-Vm
+Vm
Ve
Ve
Vs
IR
Vs
+Vm
-Vm
El circuito presentado se conoce como
rectificador
de media onda.
Ve
+Vm
Ve
-Vm
Vs
Vs
Vm-2VD
Ve
Vs
+Vm
R
-Vm
Vm-VD
+
R
+
R
+
R
GND
Ve
+Vm-2VD
+Vm
2VD
VD
-VD
-2VD
-Vm
Vs
t
SEAL RECTIFICADA
Filtrado
El suavizamiento de la seal que sale del circuito rectificador se conoce como filtrado.
Esto puede lograrse colocando un capacitor a la salida del rectificador.
+Vm
SALIDA TRAFO
CIRCUITO
RECTIFICADOR
SIN FILTRO
+Vm
SALIDA RECTIF.
SIN FILTRO
-Vm
+Vm
-Vm
SALIDA TRAFO
CIRCUITO
RECTIFICADOR
CON FILTRO
+Vm
SALIDA RECTIF.
CON FILTRO
Cuando se conecta una carga al circuito, la condicin cambia. Para comprender lo que sucede
con el circuito puede colocarse una resistencia, RC , como carga del sistema:
RC
t
La tensin sobre la carga no es constante sino que vara con el tiempo, lo que se
conoce como rizado o ripple.
Filtrado
El rizado puede pensarse como formado por la suma de un voltaje de CC y una pequea seal de
CA. As, se define lo que se conoce como factor de ripple, FR, como:
FR
VCA
100%
VCC
Vsalida
VCC
Vpr
VCA
V pr
2
Encapsulados Axiales
DO 35
DO 41
DO 15
DO 201
DO 5
B 44
2 diodos en serie
Encapsulados de diodos
Encapsulados de diodos
Agrupaciones de 2 diodos. Diversos encapsulados para el mismo
dispositivo
Nombre del
dispositivo
Encapsulados
Encapsulados de diodos
Agrupaciones de 4 diodos (puentes de diodos)
Dual in line
Encapsulados de diodos
Agrupaciones de 4 diodos (puentes de diodos)
+ -
Encapsulados de diodos
Puentes de diodos. Toda la gama de Fagor
Encapsulados de diodos
Axiales
1N4148
(Si)
DO 201
DO 204
1N4007
(Si)
Encapsulados de diodos
D 61
TO 220 AC
DOP 31
DO 5
TO 247
B 44
Puente de diodos
Anillo de diodos
+
+ -
B380 C3700
(Si)
BYT16P-300A
(Si)
B380 C1500
(Si)
HSMS2827
(Schottky Si)