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Abstract
En este laboratorio se busca comprobar los conceptos aprendidos en clase, para ello,
primeramente se construye un espejo de corriente con dos transistores PMOS, integrados en
el CD4007, luego se coloca como carga activa a un amplificador CS. Se realizaran las
mediciones respectivas para encontrar las curvas caractersticas del NMOS y luego con la
curva de carga se busca el punto de operacin.
Lista de materiales:
1 Protoboard
1 Generador de seales
1 Osciloscopio
1 Fuente de Voltaje
1 CD4007UBE
3 Voltmetro
1 R=80k
Introduccin.
En este reporte de laboratorio, la intensin es poner en prctica el diseo de un amplificador
CS con carga activa, para ello se dise una fuente de corriente basada en un espejo de
corriente para polarizar el circuito un amplificador de CS y analizar el comportamiento de
este, construido con MOSFETS de enriquecimiento como lo es el CI 4007 UBE que est al
alcance de cualquier persona gracias a su bajo costo.
El procedimiento que se llev acabo fue el diseo de una fuente de corriente de 100 A y
realizando el anlisis del circuito amplificador de forma terica, simulada y prctica para
cada uno de los casos se analiz la regin donde el circuito trabaja como amplificador esta
regin es conocida como regin III en la curva caracterstica de transferencia.
La intencin de mantener todos los MOSFET en esa regin es para tener un funcionamiento
como amplificador en el caso del NMOS que funciona como amplificador CS y los dos
PMOS que trabajan como la fuente de corriente.
ANALISIS TEORICO
Tomando una corriente de
I D =100uA
VD
R
V SG =10 vV D
1
W
V |V top|
I D 1= K p (
2
L )( SG
1
A
480
100 = (6 2 )
V |1.4| 2
(
2
5 )( SG
V
Tomamos como M1 al transistor de la izquierda, este ser el que distribuya la corriente para
el espejo, es decir este ser el encargado de reflejar la corriente al segundo transistor M2.
Recuerde que de la figura se observa que los transistores son PMOS, entonces se usaran
valores antes mencionados para estos transistores.
1 W
I D = kp ( V ov )2
2
L
Instrumentacin Electrnica
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V OV =
ID
1 W
kp
2
L
100uA
1
480
6
2
5
V OV =0.589255V
V SG 1=1.98 V
V D =10 V 1.98 V =8.02V
Por tanto:
R=
V D 8.02V
=
=80.2 K
I REF 100
TRANSISTOR M2:
Para que el transistor permanezca en la regin de saturacin,
Con
V D 2 100.58 9.42 V
V SG 2=V SG 1=1.98 V
1
A
480
I D 2= (6 2 )
1.98 V |1.4 V | 2
(
2
5 )(
V
I D 2 100 A
Instrumentacin Electrnica
Pgina 2
Sabiendo que:
V OV =
ID
1 W
kp
2
L
100 uA
1
124
20
2
5
V OV =0.635000
Tambin sabemos que para los NMOS:
V OV =V GSV t
Sabiendo que
V S =0
(3)
V
V GS=V G V S
V OV =V GV SV t
V G=V OV +V t
V G=0.635000+1.4
V G=2.03500
V = VBIAS
Este voltaje VG es el que ser aplicado como una fuente de voltaje antes de la fuente de
seal, siguiendo los modelos del anlisis incremental, mas no se llegara a esta forma, solo
lo usaremos de esta forma porque es muy ilustrativo saber que cada una de las fuentes
desaparece cuando se realiza cada anlisis, uno para DC y el otro para AC.
CALCULO DE LA GANANCIA DEL CIRCUITO
Para poder calcular los parmetros a pequea seal y para calcular ro, necesitaremos el
voltaje early, este se calcula como sigue:
Instrumentacin Electrnica
Pgina 3
1
ID
1
=100
=50
V APMOS =
Sea entonces ro2 la resistencia vista por el transistor M2 y ro3 la resistencia vista por el
transistor M3, entonces tenemos:
V
r o 2= APMOS
ID
r o 2=0.50 M
r o 3=
V ANMOS
ID
r o 3=1 M
Siguiendo con el clculo de la ganancia solo resta calcular la transconductancia del
transistor M3, pues es el que se encargara de la amplificacin, lo haremos como se sigue:
2I
gm= D
V OV
gm=
2100uA
0.635000
gm=0.31496 mA / V
Ahora la ganancia se calcula con la formula de ganancia de un amplificador de fuente
comn, puesto que no existe una red de polarizacin en la entrada del voltaje que llega a la
compuerta del transistor es el voltaje de la fuente de seal, ahora teniendo esto en cuenta, la
ganancia se calcula de la siguiente forma:
GV = A V =gm(r o 2 r o 3 R L )
r o 2 r o3 |R L ) =1 M 0.5 M 10 k
r o 2 r o3 |R L ) =
9.708773k
A V =0.31496 mA /V9708.7378
A V =3.0578
V
V
Instrumentacin Electrnica
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Instrumentacin Electrnica
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2.8
3
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.2
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.4
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.8
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.5
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23.3
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6.02
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24.7
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Instrumentacin Electrnica
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.1
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128
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.2
129
.6
130
.1
130
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132
.1
8.4
220
8.6
221
8.8
221
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9.2
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9.4
223
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224
9.8
225
10
225
VGS=Vt
VGS=Vt+0.25
VGS=Vt+0.75
VGS=Vt+1.0
VGS=Vt+0.50
Grafica 1: esta es simplemente la curva caracterstica id vsd del transistor de canal p, M2,
para un voltaje constante de fuente a compuerta Vsg
V
0.2
0.3
0.4
0.5
ID
1.07E+
02
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02
1.06E+
02
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02
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0.6
0.7
0.8
0.9
ID
1.06E+
02
1.06E+
02
1.05E+
02
1.05E+
02
V
1
1.5
2
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ID
1.05E+
02
1.05E+
02
1.03E+
02
1.02E+
02
Instrumentacin Electrnica
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1.01E+
02
9.98E+
01
9.98E+
01
9.96E+
01
VGS=Vt
VGS=Vt+0.25
VGS=Vt+0.50
VGS=Vt+0.75
VGS=Vt+1.0
Recta de carga
Instrumentacin Electrnica
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Funcion de Trasnferencia
Instrumentacin Electrnica
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SIMULACION
Ahora bien teniendo en cuenta los resultados medidos en el laboratorio podemos simular el
circuito y observar los modos de operacin y comprobar si nuestras mediciones estn
correctas
Fig. 5 Respuesta del amplificador CS ampleada para observar los puntos de interes
Podemos decir lo siguiente tomando en cuenta los datos obtenidos en el laboratorio y
comprobandolos con nuestra simulacion y es que el circuito no se ve afectado por el efecto
del cuerpo porque las terminales de la fuente de M1 y M2 estan a tierra de senal. Tambien
el amplificador CMOS se puede disenar para proporcionar ganancias de voltaje de 15 a 100
Instrumentacin Electrnica
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IMPLEMENTACION EN EL LABORATORIO
ENCONTRANDO LA GANACIA TOTAL DEL
CIRCUITO
Instrumentacin Electrnica
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Instrumentacin Electrnica
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CONCLUSIONES.
En esta practica se tiene que tener un gran cuidado con la conexin de los pines del
IC ya que un pequeo error en la conexin puede llevar, a que desde que no
funcione el amplificador, hasta incluso daar irreparablemente el integrado e
inclusive los equipos de prueba.
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REFERENCIAS
2006.
[3]. Hambley.Electrnica, 2 edicin. Prentice Hall, 2001.
Instrumentacin Electrnica
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ANEXOS
Instrumentacin Electrnica
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Instrumentacin Electrnica
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