TRANSISTOR FET

TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO

ANALGICA I

TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO

CANAL N (JFET-N)
UNIN

CANAL P (JFET-P)

EFECTO DE
CAMPO
METAL-OXIDOSEMICONDUCTOR

CANAL N (MOSFET-N)
CANAL P (MOSFET-P)

Dr Julius Lilienfield (Alemania) en 1926 patent el

concepto de "Field Effect Transistor".

20 aos antes que en los laboratorio Bell fabricaran

el primer transistor bipolar.
ANALGICA I

TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO

ANALGICA I

TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO

INTRODUCCIN:
Son dispositivos de estado slido
Tienen tres o cuatro terminales

Es el campo elctrico el que controla el flujo de cargas

El flujo de portadores es de un nico tipo ( o electrones
huecos)

Pueden funcionar en diferentes regiones de polarizacin

Segn en que regin de polarizacin se encuentren, funcionan
como:
Resistencias controladas por tensin
Amplificadores de corriente tensin
Fuentes de corriente
Interruptores lgicos y de potencia
ANALGICA I

TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO

La corriente de puerta es prcticamente nula

(func. Normal) es decir una ALTA IMPEDANCIA
DE ENTRADA. 1M
Tienen tres terminales denominados:
Drenador
Puerta
Fuente surtidor

Hay de bastantes tipos, pero los mas importantes

son los:
MOSFET (Metal-xido semiconductor)

ANALGICA I

FET VS BJT

Los FETs necesitan menos rea en un CI, y menos pasos

de fabricacin
Los BJTs pueden generar corrientes de salida mas
elevadas para conmutacin rpida con cargas
capacitivas.
Los FETs tiene una impedancia de entrada muy alta

En los FETs el parmetro de transconductancia (gm) es

menor que en los BJTs, y por lo tanto tienen menor
ganancia.
LOS BJT SON CONTROLADOS POR CORRIENTE
MIENTRAS QUE LOS JFET SON CONTROLADOS POR
VOLTAJE
ANALGICA I

FET VS BJT

Para el FET las cargas presentes establecen un campo

elctrico que controla la conduccin del circuito de salida.
Las ganancias de voltaje en CA son mayores para el FET

Los FET son ms estables ante los cambios de

temperatura que los BJT.
Los FET son ms sensibles a la manipulacin.
Inconvenientes
Los FET exhiben una pobre respuesta en frecuencia,
debido a la alta capacidad de entrada.
Algunos FET tienen una pobre linealidad.
Los FET se daan con el manejo debido a la electricidad
esttica.
ANALGICA I

TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO DE

JUNTURA - JFET
Consiste en un canal de semiconductor tipo N o
P dependiendo del tipo de JFET, con contactos
hmicos (no rectificadores) en cada extremo,
llamados FUENTE y DRENADOR.
A los lados del canal existen

dos regiones de material

semiconductor de diferente
tipo al canal, conectados entre
s, formando el terminal de
PUERTA.
Los JFET se utilizan
preferiblemente a los MOSFET
en circuitos discretos.
ANALGICA I

TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO DE

JUNTURA - JFET
En el JFET de canal N, la
unin puerta canal, se
encuentra polarizada en
inversa, por lo que
prcticamente no entra
ninguna corriente a travs
del terminal de la puerta.
El JFET tienes dos uniones
n-p sin polarizacin,
obtenindose una regin de
empobrecimiento en cada
unin similar al diodo

ANALGICA I

JFET DE CANAL N
En la unin p-n, al polarizar en inversa la puerta y el canal, una capa
del canal adyacente a la puerta se convierte en no conductora.
Cuanto mayor es la polarizacin inversa, ms gruesa se hace la zona
de deplexin; cuando la zona no conductora ocupa toda la anchura
del canal, se llega al corte del canal. A la tensin necesaria para que
la zona de deplexin ocupe todo el canal se le llama tensin puertafuente de corte (VGSoff Vto). Esta tensin es negativa en los JFET
de canal n.

ANALGICA I

JFET DE CANAL N
VGS=0V y variando VDS:

Para valores pequeos de

VDS, ID es proporcional a
VDS (zona hmica).
se obtiene una regin de
empobrecimiento
en
el
extremo de cada material p.
Cuando se aplica VDD, los
electrones son atrados hacia
el drenaje y se genera una
ID, teniendo que ID =IS

ANALGICA I

JFET DE CANAL N
VGS=0V y variando VDS:
Suponiendo que la resistencia
del canal es uniforme, segn
como avance la corriente
(sentido real) mayor oposicin
encontrara, y debido a que el
extremo del canal prximo D
se halla polarizado en inversa,
al aumentar VDS, la zona de
deplexin se hace ms ancha.
El paso entre las dos zonas se
produce en el valor de tensin
de estrangulamiento Vp, para
Vgs=0.
ANALGICA I

JFET DE CANAL N
El paso entre las dos zonas se produce en el valor de
tensin de estrangulamiento VP, para VGS=0.
Para valores de VDS pequeos, Id es proporcional a VDS
(zona hmica)
Al variar VGS. Si VGS<0, la unin puerta canal est
polarizada en inversa, incluso con VDS= 0.

ANALGICA I

JFET DE CANAL N

En cuyo caso el JFET se comporta como

una fuente de corriente en el caso de que
VDS>VP IDSS corriente de drenaje
maxima del JFET Para VGS=0V
ANALGICA I

JFET DE CANAL N

ANALGICA I

JFET DE CANAL N
Al variar VGS
La resistencia del canal es elevada. Esta es evidente para
valores de Vgs prximos a VGSoff. Si
(tensin de
corte), la resistencia se convierte en un circuito abierto y el
dispositivo est en CORTE.

La zona donde Id depende de VDS se llama REGIN LINEAL

U HMICA, y el dispositivo funciona como una resistencia. El
valor de esta resistencia (pendiente de recta) vara con Vgs.
La zona donde Id se hace constante (fuente de Intensidad cte)
es la REGIN DE SATURACIN. Id es mxima para Vgs = 0
(Idss), y es menor cuanto ms negativa es Vgs. Para Vgs=0 la
regin comienza a partir de Vp.

Siempre se cumple que Vgsoff = -Vp. Idss y Vp ( Vgsoff)son

datos dados por el fabricante.
Vgsoff = Vgs de corte = Voltaje de estrangulamiento
ANALGICA I

JFET DE CANAL N

ANALGICA I

CURVA DE TRANSCONDUCTANCIA

ANALGICA I

RESISTOR CONTROLADO POR VOLTAJE

Cuando |VDS| < |VP|, son una
funcin del voltaje aplicado VGS,
si VGS se hace ms negativo, la
pendiente de la curva se hace ms
horizontal, lo que significa una
resistencia mayor
ro = Resistencia con VGS =0V
rd = Para un valor en particular de
VGS

|VGSoff|=|VP|
ANALGICA I

RUPTURA DEL JFET

Cuando la polarizacin inversa entre puerta y canal se hace
demasiado grande, la unin sufre una ruptura inversa, y la
corriente de drenador aumenta rpidamente.
ro = Resistencia con VGS =0V
rd = Para un valor en particular de VGS

La polarizacin inversa de mayor magnitud tiene lugar en el

extremo correspondiente al drenador.
La ruptura se producir cuando VDG exceda de la tensin de
ruptura. Como VDG= VDS VGS, la ruptura tendr lugar a
valores ms pequeos de VDS a medida que VGS se
aproxime a VP.

ANALGICA I

RUPTURA DEL JFET

ANALGICA I

DISPOSITIVOS DE CANAL P

El JFET de canal p, tiene una estructura inversa a la de

canal n; siendo por tanto necesaria su polarizacin de
puerta tambin inversa respecto al de canal n.

ANALGICA I

VALORES MXIMOS Y NOMINALES

Los valores mximos especificados para VDS y VDG no
deben ser excedidos en cualquier punto de operacin.
VDD puede exceder los valores marcados en las hojas de
especificaciones, pero en los terminales del circuito no.
La disipacin total de potencia a temperatura ambiente
ser: = VDS .
Caractersticas comerciales:
IDSS y VP

ANALGICA I

POLARIZACIN DEL JFET

La variable de control de entrada es un voltaje

(VGS) y de salida ser una corriente (ID).
Parmetros importantes:
0
=
=

ANALGICA I

CONFIGURACIN DE POLARIZACIN FIJA

Analizando en CC

= 0
+ = 0
=
= +
=
ANALGICA I

CONFIGURACIN DE POLARIZACIN FIJA

EJERCICIO
VDD =12V, IDSS = 10mA, Vp=-4V
2
= 10 1
4
= 2,5

ANALGICA I

= +
12
=
= 9
0,0025 1200

CONFIGURACIN DE POLARIZACIN FIJA

EJERCICIO
Con VDD =12V,
Vp=-2,5V, calcular VGS y RD
tomando , IDSS = 7mA, ID = 3,5mA, VD = 6
=

= 1

ANALGICA I

0,0035
= 2,5 1
0,007

= +
12 6
=
0,0035
= 1,714 1,8

= 0,732

CONFIGURACIN DE AUTOPOLARIZACIN

Analizando en CC

=0V
=
=
= + +
Donde la Rs puede o no existir lo que reducira la ecuacin
previa a la misma de la configuracin anterior.
ANALGICA I

CONFIGURACIN DE AUTOPOLARIZACIN

Analizando en CC
=

=
=
=
= + +
= + =
=
= 0
=
=

=
+
ANALGICA I

CONFIGURACIN DE AUTOPOLARIZACIN

EJERCICIO
IDSS 10mA
VP 4
VGS ID RS
VGS 100 ID

100 ID
ID 10mA 1

ID 6.8mA

VDD VDS ID ( RD RS )
VDS

12
6.8mA 100 1.2k

VDS 3.16V
VDD
9.2mA
RS RD
VDS max VDD
ID max

Si RS aumenta, el punto de carga Q baja, es decir

ID disminuye

ANALGICA I

CONFIGURACIN DE AUTOPOLARIZACIN

EJERCICIO
Con VDD =12V,
Vp=-4V, calcular VGS, RD Y RS
tomando , IDSS = 7mA, ID = 4mA, VD = 6
=

= 1

0,004
= 4 1
0,007

ANALGICA I

VGS = VG VS
-0,976V= 0 VS VS =0,976V
VS = R S ID R S = 0,976 0,004
R S = 250

= 0,976

= + +
12 6
=

0,004
= 1,25

CONFIGURACIN CON PARTIDOR DE TENSIN

Analizando en CC
2

= 1

=
=
= + +
2
=

=
1 + 2
Cuando

= 0

=
+
ANALGICA I

entonces

1 = 2

=
+

CONFIGURACIN CON PARTIDOR DE TENSIN

Analizando en CC

ANALGICA I

CONFIGURACIN CON PARTIDOR DE TENSIN

Analizando en CC

ANALGICA I

CONFIGURACIN CON PARTIDOR DE TENSIN

EJERCICIO CONOCIENDO VALORES DE CADA RESISTENCIA
VDD 12V
IDSS 10mA
VP 4
VGS VG ID RS

1M
VG
*12 6V
1M 1M
VGS 6 100 ID

6 1100 ID

ID 10mA 1

ID 6.22mA

VDD VDS ID ( RD RS )
VDS 12 6.22mA 1100 150
VDS 4.225V
VDD
9.6mA
RS RD
VDS max VDD
ID max

Para efectos de diseo se puede asumir RS = RD, R1=R2 lo que

significa que VG=VDD/2
ANALGICA I

CONFIGURACIN CON PARTIDOR DE TENSIN

EJERCICIO - DISEO
VDD 12V
VDS 4V
IDSS 10mA

6 0.003RS

0.003 10mA 1

RS1 2603.0366, RS 2 4063.63

2

VP 4V
ID 3mA
R1 R 2 1M

1M
VG
*12 6V
1M 1M
VGS 6 0.003RS

CON RS1

VDD VDS ID ( RD RS )
12 4 0.003* 2603.0366
0.003
RD 63.603
RD

CON RS2

VDD VDS ID ( RD RS )
12 4 0.003* 4063.63
0.003
RD 1396.963
RD

ANALGICA I

CONFIGURACIN COMPUERTA COMN

ANALGICA I

CONFIGURACIN COMPUERTA COMN

=

=
= +

=
ANALGICA I

si = 0

= Si ID=0mA
=

= +

CONFIGURACIN COMPUERTA COMN

=
=

ANALGICA I

si = 0

= Si ID=0mA

= +

= +

CONFIGURACIN COMPUERTA COMN

= +

= +

ANALGICA I

Si ID=0mA

CASO VGS=0V
=

=
=
=
ANALGICA I

= 0

TRANSISTOR MOSFET - canal N

Drenador
(Drain)

Puerta
(Gate)

Aislante (Si O2)

Fuente
(Source)

N
P

Substrato
(Substrate)

SECCIN

Canal
(Channel)

VISTA SUPERIOR

ANALGICA I

MOSFET de empobrecimiento

ANALGICA I

MOSFET: transistor de efecto de campo

semiconductor de xido metlico
Se forma una placa de material tipo p a partir de una base de
silicio y se conoce como substrato.

En algunos casos, el

sustrato se conecta
internamente a la terminal
de fuente.
Muchos dispositivos

individuales cuentan con

una terminal adicional
etiquetada SS

ANALGICA I

MOSFET: transistor de efecto de campo

semiconductor de xido metlico
La fuente y el drenaje estn conectados mediante
contactos metlicos a regiones tipo n dopadas
vinculadas a un canal n
La compuerta est

conectada a una
superficie de contacto
metlica aunque
permanece aislada del
canal n por una capa
de bixido de silicio
(SiO2) muy delgada
ANALGICA I

MOSFET: transistor de efecto de campo

semiconductor de xido metlico
El(SiO2) es un tipo de aislante conocido como dielctrico, el
cual establece campos elctricos opuestos

No hay una conexin

elctrica entre la terminal

de compuerta y el canal
de un MOSFET.
La capa aislante de SiO2
en la construccin de un
MOSFET es la
responsable de la
muydeseable alta
impedancia de entrada
del dispositivo.
ANALGICA I

MOSFET: transistor de efecto de campo

semiconductor de xido metlico
Si el voltaje de la compuerta a
la fuente se ajusta a 0 V por
la conexin directa de una
terminal a la otra y se aplica
un voltaje VDS del drenaje a
la fuente
resultado es la atraccin del

potencial positivo en el
drenaje por los electrones
libres del canal n y la
corriente semejante a la
que se establece a travs
del canal del JFET
ANALGICA I

MOSFET: transistor de efecto de campo

semiconductor de xido metlico
Si VGS =-1 V.
El potencial negativo en la
compuerta tender a ejercer
presin en los electrones
hacia el sustrato tipo p (las
cargas semejantes se
repelen) y a atraer los huecos
del sustrato tipo p (las cargas
opuestas se atraen)

ANALGICA I

MOSFET: transistor de efecto de campo

semiconductor de xido metlico
Dependiendo de la magnitud
de la polarizacin negativa
establecida por VGS, ocurrir
un nivel de recombinacin
entre los electrones y huecos
que reducir el nmero de
electrones libres en el canal n
disponibles para conduccin.
Por consiguiente, el nivel de
la corriente de drenaje
resultante se reduce con la
polarizacin cada vez ms
negativa de VGS

ANALGICA I

MOSFET: transistor de efecto de campo

semiconductor de xido metlico
Para valores positivos de
VGS, la compuerta positiva
atraer ms electrones
(portadores libres) del
sustrato tipo p debido a la
corriente de fuga inversa y
establecer nuevos
portadores a causa de las
colisiones que ocurren entre
las partculas de aceleracin.

Su aumenta el voltaje positivo

en la compuerta, la corriente
de drenaje

ANALGICA I

MOSFET de empobrecimiento de canal p

ANALGICA I

MOSFET de empobrecimiento de canal p

ANALGICA I

Polarizacin fija de MOSFET tipo

empobrecimiento (y MESFET)

ANALGICA I

Polarizacin por medio del divisor de voltaje del

MOSFET tipo empobrecimiento (y MESFET)

ANALGICA I

MOSFET: de Enriquecimiento
La curva de transferencia no est definida por la ecuacin de
Shockley. La corriente de drenaje ahora es la de corte hasta
que el voltaje de la compuerta a la fuente alcance una
magnitud especfica.

El control de corriente en un

dispositivo de canal n ahora

se ve afectado por un voltaje
positivo de la compuerta a la
fuente

ANALGICA I

MOSFET: de Enriquecimiento
Si VGS se ajusta a 0 V y se aplica un voltaje entre el drenaje y
la fuente del dispositivo la ausencia de un canal n producir
una corriente de 0 A
Con un cierto voltaje positivo

de VDS, VGS de 0 V y la
terminal SS directamente
conectada a la fuente, hay
dos uniones p-n polarizadas
en inversa entre las regiones
tipo n dopadas
el sustrato que se oponen a
cualquier flujo entre el
drenaje y la fuente.

ANALGICA I

MOSFET: de Enriquecimiento
Si tanto VDS como VGS se ajustaron a un determinado voltaje
positivo de ms de 0 V, para establecer el drenaje y la
compuerta a un potencial positivo con respecto a la fuente.

El potencial positivo en la
compuerta ejercer presin en los
huecos en el sustrato p a lo largo
del borde de la capa de SiO3 para
que abandonen el rea y lleguen
a regiones ms profundas del
sustrato p,

ANALGICA I

MOSFET: de Enriquecimiento
Para valores de VGS menores que el nivel de umbral, la
corriente de drenaje de un MOSFET tipo
enriquecimiento es de 0 mA.

El trmino k es una constante

que es una funcin de la
construccin del dispositivo

ANALGICA I

MOSFET: de Enriquecimiento

ANALGICA I

Polarizacin por medio del divisor de voltaje del

MOSFET tipo enriquecimiento (y MESFET)

ANALGICA I

Polarizacin por medio del divisor de voltaje del

MOSFET tipo enriquecimiento (y MESFET)

ANALGICA I

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)

C
G
E

Combinacin de MOSFET y transistor

Bipolar que ana las ventajas de los
dos:
La facilidad de gobierno del MOSFET
El buen comportamiento como
interruptor de BIPOLAR

Dispositivo reciente muy importante en

Electrnica de Potencia
Inventado por H.W. Becke y C.F. Wheatley en 1982
ANALGICA I

Con los MOSFET e IGBT para manejar corrientes elevadas se

produce un cambio de tendencia importante.
Un Transistor Bipolar de potencia es un solo dispositivo de
dimensiones (Seccin) suficiente para manejar la corriente
elevada.

Un Transistor MOSFET o un IGBT de potencia, pensado para

manejar corrientes elevadas, est formado por muchos
transistores integrados colocados en paralelo

ANALGICA I

C
N-

N+

B
E
BIPOLAR DE POTENCIA
ANALGICA I

Cada punto
representa
un MOSFET

MOSFET DE POTENCIA
(Muchos pequeos MOSFET en
paralelo, realmente es un
"Circuito Integrado")

BIBLIOGRAFA

ROBERT BOYLESTAD. Electrnica: Teora de Circuitos y

dispositivos; Editorial, Prentice Hall Hispanoamericana
S.A, Dcima Edicin.
FLOYD T, Electronics device, E. Prentice Hall, 2011