TEORIA Y PRACTICA DEL

GENERADOR HALL

por F e r n a n d o S e z

Vacas

Ingeniero de Telecomunicacin

INDICE
1.-

EFECTOS

1.1.1.2.-

GALVANOMAGNETICOS

Efecto Hall
Fsica de los efectos galvanomagnticos en los cuerpos istropos no f e rromagnticos.

1.3.-

Nota
Magnetorresistencia.

1 . 4 . - Angulo de H a l l .
1.5.-

Condiciones de val idez de la expresin

r

Rh
e.
= r . ,,-B
ho
d i

1 . 6 . - Constante de Hall y conductividad en semiconductores.

1.7.-

Condiciones que debe reunir un semiconductor para su empleo tcnico como generador H a l l .

2.-

UNIONES

INTERMETALICAS

2.1.-

Comparacin con los elementos del 42 grupo.

2.2.-

Propiedades elctricas generales.

2.3.-

Propiedades elctricas del antimoniuro de indio.

2.4.-

Propiedades elctricas del arseniuro de indio.

3.-

EL G E N E R A D O R
-

HALL

Nota.

3.1.-

Sensibilidad en circuito abierto.

3.2.-

C i r c u i t o equivalente.

Nota,

3 . 2 . 1 . - Algunas propiedades del cuadripolo.

3.2.1.1.-

Resistencia de entrada

3.2. 1.2.-

Resistencia de sal ida

3.2. 1.3.-

Transferencia de tensin

3.2. 1.4.-

Transferencia de corriente

3.2. 1.5.-

Transferencia de potencia.

3.2.1.6.-

Resistencia decarga ptima

3.3.-

Ruido trmico

3.4.-

Influencia de diversos factores.

3.5.-

Sensibilidad del generador en carga.

3.6.-

Linearizacin del generador.

3.7.-

Adaptacin a mxima potencia.

3.8.-

Rendimiento mximo

3.9.-

Construccin del generador H a l l .

3. 10.

Influencia de la frecuencia.

3.11.

Errores en la expresin

3.11.1.-

Caracterstica especfica.

K . i|.B

Errores intrnsecos

3. 11. 1. 1 . -

Tensin hmica en ausencia de campo de control.

3. 11. 1 . 2 . -

Tensin inductiva en ausencia de corriente de control

3.11.1.3.-

Acoplamiento mutuo

3.11.1.4.-

Efectos trmicos

3. 1 1 . 2 . -

3.12.

4.

Errores extrnsecos

3. 1 1 . 2 . 1 . -

Histresis

3.11.2.2.-

F l u j o residual

3.11.2.3.-

Temperatura

3.11.2.4.-

Frecuencia

Modelo de caractersticas

APLICACIONES DEL GENERADOR

HALL

4 . 1 . Introduccin
4.2.-

Aplicaciones basadas en el control de tensin de Hall por variacin s i multnea de B

e i^

4.2.1.-

M u l t i p l icador analgico

4.2.2.-

Medida del par de un motor de corriente continua

4.2.3.-

Multiplexor

4.2.4.-

Analizador de espectro de frecuencia

4.2.5.-

Vatmetro

4.3.-

Aplicaciones basadas en el control de tensin de Hall por variacin de B.

4.3.1.-

Medida de campos magnticos

4.3.2.-

Medida de corrientes continuas de elevada intensidad

4.3.3.-

Lectura esttica de programas magnticos

4.3.4.-

Transmisin de una seal sin contacto

4.3.5.-

Amplificador de potencia.

4.3.6.-

Modulacin de pequeas seales continuas

4.3.7.-

Transductor digital-analgico

4.3.8.-

Transductor de desplazamientos mecnicos longitudinales

4.3.9.-

Generador de funciones matemticas

4.3.10.

Defasador

Oscilador

. 4 . - Api caciones basadas en el control de tensin de Hall por variacin de

4 . 4 . 1 . - Girador.
4.4.2.-

Circulador

REFERENCIAS.

Aislador

El efecto Hall fu descubierto en 1879 por el fsico americano del mismo nombre.
Durante muchos aos ha permanecido en la oscuridad hasta que, histricamente,
ha adquirido importancia en el dominio de la fsica de semiconductores porque condujo a postular la existencia de los huecos y por tanto a construir nuevas teoras
no basadas exclusivamente en el f l u j o electrnico.

Actualmente es una prueba co-

rriente en los laboratorios para la determinacin de algunas caractersticas de los

materiales.

Pero tambin, a partir de la obtencin de las uniones intermetlcas entre cuerpos

de los grupos 32 y 52

de la tabla peridica, ha dado origen al generador H a l l ,

elemento nuevo en la medida y el control.

La presente monografa, dividida en

cuatro captulos, es un intento por nuestra parte de aportacin a una visin de

conjunto de! generador Hall y en ella hemos tratado de resaltar por igual tanto los
aspectos fsicos tericos como los eminentemente prcticos de dicho elemento.

Agosto 1965

1. EFECTOS GALVANOMAGNETICOS
Bajo la denominacin de efectos galvanomagnticos se agrupan en la literatura
cientfica los efectos Hall y de magnetorresistencia, que suelen manifestarse s i multneamente. El adjetivo "galvanomagnticos" se aplica para expresar la dea
de fenmenos que acontecen

en los cuerpos cuando stos se encuentran sometidos

a la accin de una corriente elctrica y de un campo magntico.

Nosotros analizaremos especialmente y casi exclusivamente el primero de ellos
porque ha dado origen a un elemento de gran aplicacin en la tcnica de las medidas, del control y de la acstica. N o s veremos forzados a considerar el efecto
de magnetorresistencia, ya muy conocido, porque realmente se presenta unido al
primero y precisamente, como se ver, de una forma un tanto indeseable. Por f o r tuna, para el uso industrial, un efecto acta de contrabalanza respecto al o t r o ,
lo que quiere decir que cuando uno se manifiesta con intensidad el otro tiende a
desaparecer.

1 . 1 . - Efecto H a l l .
Ocurre en un conductor o semiconductor que, atravesado por una corriente elctrica de densidad j se ve sometido tambin a la accin de un campo magnticoB,
el cual posee una componente en la direccin perpendicular a la corriente. En estas condiciones aparece un campo elctrico perpendicular a y B . El sentido de este campo, su signo, depende del mecanismo de la conduccin de corriente (conduccin por electrones, conduccin por huecos ) , es decir, del material del cuerpo y
de la temperatura.
La aparicin de este campo elctrico y , como consecuencia, la aparicin de una
tensin elctrica que se puede medir externamente entre dos puntos fsicos, se conoce con el nombre de efecto H a l l . Este efecto se caracteriza en los materiales no f e rromagntcos por un coeficiente R. , coeficiente que es un escalar en los materiales

-9-

istropos y un tensor en los anis tropos.

Se ha encontrado experimental mente que el campo elctrico resultante en los no f e rromagnticos es proporcional al producto vectorial de la induccin B y de la densidad de corriente :
Eh

- R

. J xB

(1.1)

La constante de proporcionalidad es R^ que se ha dado en llamar "constante de H a l l "

Parecera ms afortunado decir coeficiente o factor de H a l l , porque una de sus propiedades caractersticas es precisamente su variabilidad. N o obstante, como Id generalidad lo ha sancionacb , tambin en lo que sigue, se emplear aqu con preferencia
la primera de las denominaciones.
De la expresin ( 1 . 1 ) se deduce que el campo mximo E ^

se obtiene cuando j y B

son perpendiculares entre s . En una muestra de material de ancho b, de espesor d y

de una longitud a , muy grande comparada con las otras dimensiones, se obtiene una
tensin de Hall ( autntica fuerza electromotriz ) , que se expresa as:
R
e

donde

ho=

d ~

- V

( L 2 )

es proporcional a la intensidad de corriente que recorre la muestra, a la

induccin magntica perpendicular y a la constante de H a l l e inversamente proporcional al espesor d. Llamamos espesor a la dimensin paralela a la componente til
del campo magntico.
En ( 1 , 2 ) suelen u t i l i z a r s e las siguiente unidades prcticas convencionales:
e.
en voltios
ho
3 /
R^ en cm / amperio.seg
d

en cms.

i|

en amperios

en v o l t i o , seg./cm^

Habitualmente B se mide en gauss. Como 10

- 10-

gauss =

1 volt.seg./cm

, ( 1 . 2 ) pue-

de escribirse tambin
R
e

ho=

1 0

'

. ' - T - -

i -

( 1

'

3 )

3
Las unidades en ( 1 . 3 . ) son:

( v o l t . ) , R^ (cm / a m p . s . ) , d (cms), i| (amp) y

B (gauss).
El signo de R^ se escoge positivo por definicin cuando la densidad de corriente j ,
la induccin magntica B y el campo elctrico E = v x B , ( v , velocidad de los portadores positivos ) forman un sistema rectangular dextrgiro. El campo elctrico E ^ ,
producido en la dispersin de portadores de carga que ocasiona E , es de sentido contrario a E . ( f i g . 1 - 1 )
Entonces:
R^

efecto Hall normal ( cuando la conduccin de corriente es por electrones )

R^

efecto Hall anormal (cuando la conduccin es por

huecos)

Es decir, el sentido depende de la clase de portadores mayoritarios.

En los ferromagnticos ( hierro, nquel, cobalto, ciertas aleaciones de manganeso)
no existe ninguna linealidad entre campo de Hall e induccin magntica, por debajo del punto de C u r i e . Sabido es que, en los materiales ferromagnticos, segn la
moderna teora del magnetismo, hay un acoplamiento de origen elctrico que no
existe ms que cuando las distancias entre tomos estn comprendidas entre lmites
muy estrechos. El ferromagnetismo desparece cuando la energa trmica llega a ser
superior a la energa de este acoplamiento, llamada energa de cambio. Este ocurre a una temperatura muy tpica que se conoce como punto de C u r i e , por encima
del cual el cuerpo es paramagntico y responde a la ley de C u r i e .
Pues bien, por debajo del punto de C u r i e , el campo de H a l l o la tensin de Hall en
funcin de la induccin magntica puede representarse por la figura 1 - 2 , En las proximidades de B = 0 crece linealmente con B y termina por ltimo en una recta de poca

- 11 -

incl inacion.
Basados en esta dependencia de la tensin de Hall con la imantacin M se definen
en los ferromagnticos dos coeficientes de H a l l , correspondientes a la pendiente de
las tangentes de la curva e. = e. ( B ) rpara BO y rpara B
no
no
'

saturacin

Para la primera parte de la curva ( B - * 0 ) se podra poner:

y para la segunda

ho=

( B

<'-4>

) :

Rl

Por simple adicin se establece la tensin de Hall en cualquier estado magntico

posible:

ho

= ( R

ho-A'

Rhl-

MX.^d

(1.6)

expresin un tanto artificiosa si se recuerda que, en el sistema M K S racionalizado

B = JUL 0

(1.7)

se distingue como coeficiente de Hall regular y R^j como coeficiente irregular. En el siguiente cuadro se han seleccionado algunos valores de constantes de
Hall para hierro, cobalto, nquel y diversas aleaciones a tempertura ambiente. O b servar cmo la composicin de la aleacin y las condiciones previas de preparacin
influyen decisivamente en los mismos.

- 12 -

Elemento o
aleacin

Fe

3 /A
in-10
R.
en 10
m /A.s
no

1,87

Rhl

"

5,41

Observaciones

0 , 0 6 % de impureza,
quemado en H j a
6502 C

Co

1,33

0,19

0 , 9 de impureza, quemado en He a 8002 C

Ni

5,21

0,56

0 , 3 5 % de impureza,
quemado en He a
8002 C

Fe-Ni

Fe-C

9,6

266

31,4% N i ,

1,87

87,5

45% N i

1,88

3,39

71, 8% N i

3,51

15,5

en cinta, calentado l i -

calentado

geramente ( 1 , 1 8 % C)
+

5,39

18,2

en cinta, quemado normalmente ( 1 , 1 8 % C )

8,97

60,7

en cinta, templado
( 1,18% C )

Fe-Si

12,3

125,7

4 , 0 5 % S i , calentado
1 igeramente.

- 13 -

Por encima del punto de Curie los materiales ferromagnticos se asemejan en su

comportamiento a los no ferromagnticos. En la tabla que sigue hemos anotado las
constantes de Hall de varios elementos no ferromagnticos puros, a temperatura am
biente. Estn ordenados segn los pesos atmicos.

Elemento

i n _

R^ en 10

10

3,.
m /A.S,.

+ 740

C (grafito )

Elem.

Cd

+ 0 , 4 6 . .+ 0 , 6 3

Mg

0,84..-0,94

In

Al

0,32..-0,4

Sn

3,63

Sb

+ 2 0 0 . . + 234

Cr

-0,073
0,022..-0,04

Cu

0,49..-0,61

Zn

+ 0 , 6 3 , . + 1,04

Ir

+ 0,32.. + 0,4

Pt

0,13..-0,24

Au

0,72..-0,74

As
Mo
Pd
Ag

45

+ 1 , 2 6 . . . + 1,8
- 0,86
-0,86...-0,94

Hg
Pb
Bi-

, 1 1 . . + 1,18

| Rh | < 0 , 0 2
+ 0,09
- 5.300..-.800

1 . 2 . - F s i c a de los

efectos galvanomagnticos en los cuerpos istropos no ferromag-

nticos
Para f i j a r ideas consideramos una muestra de material con conduccin por electrones,
un metal, por ejemplo. De forma de paraleleppedo, ms o menos como en l a figura
1 - 3 , es decir, casi una oblea estrecha y lo ms larga posible. Sabemos que el efecto H a l l consiste en la aparicin de una fuerza electromotriz en la direccin de b ,
cuando la muestra est sometida simultneamente a la accin de un campo magntico en la direccin de d y de una corriente en la direccin de a.
En la figura 1 - 4 se analiza por partes e l comportamiento elctrico. En primer lugar,
sin campo magntico y con tensin en los electrodos circulan los electrones paralelamente a la dimensin longitudinal del conductor. El sentido de la corriente es el
convencional, contrario al movimiento verdadero de los electrones.
A continuacin, con campo magntico, sufren una desviacin segn una trayectoria
c i r c u l a r , debida a la fuerza magntica de L o r e n t z , perpendicular a los campos magntico y elctrico. U n lado se carga negativamente y el otro positivamente, puesto
que queda con defecto de electrones. Esto produce un campo elctrico, llamado campo de H a l l , E ^ , creciente con el nmero de electrones desviados. Este campo elctrico produce en los electrones una fuerza elctrica F , opuesta a la fuerza de L o rentz.
La carga de los bordes y por tanto el crecimiento del campo y de la tensin terminan en el momento en que las fuerzas elctrica y magntica se equilibran. Es el r gimen permanente. Los electrones se desplazan de nuevo en caminos paralelos ya que
la fuerza resultante, que acta sobre ellos, es nula.
Del equilibrio de fuerzas se obtiene
E
pero como
r

donde y

y
x

= v . B
x
=

( 1.8 )

- AJ. . E
/ n x

(1.9)

es la movilidad de los electrones, o sea la velocidad en cm/s que adquie-

re un electrn en un campo elctrico de 1 v o l t . / c m . , queda

- 15 -

B E
Ey = -JU
A^n - - x

( 1.10)

S i a stas se aaden las relaciones:

h o

= b

'

n.e.v

( 1 J 1 )

( 1.12 )

l=x.b.d

(1.13)

De ( 1 . 1 0 ) , ( 1 . 1 1 ) , ( 1 . 1 2 ) y ( 1 . 1 3 ) se deducen
R,
eh0

7 - V
d

n . 2 )

Todo este razonamiento se refiere a un metal y parte de una relacin de equilibrio de

fuerzas que, realmente slo es vlida para un flujo de electrones en el vacio. De esta visin simplificada no se desprende siquiera la posibilidad de una variacin de r e sistencia en el campo magntico ( 22 efecto ) .

En realidad los electrones no tienen

una velocidad uniforme, sino que v

= - h ,E
es un valor medio de la velocidad x
^ V x
^
Se trata de un movimiento aleatorio de portadores y no puede hablarse ms que de
efectos medios, de velocidades medias, A s f , en el caso de semiconductores, en la ve
locidad de un electrn en un campo elctrico exterior participa la componente de
velocidad trmica, generalmente mucho mayor. Por consideraciones estadsticas se
llega a o t r a

expresin del campo de H a l l , ligeramente distinta de ( 1 . 1 0 ) :

Pr

tant

= -|^n.B.Exvolt/cm

hn

-fr/o

n.e

n.e

16 -

io

(1.15)

( 1.16)

Este valor de R^ y el anterior del campo se han obtenido para semiconductores del ti
po n ( conductividad electrnica ). Los razonamientos son idnticos para semicon
ductores del tipo

p.

Nota a 1 . 2 . Se distinguen en los semiconductores dos movilidades: una, la llamada movilidad de

H a l l , q u e en esta nota designaremos p o r ^ ^ , y otra, la movilidad de conduccin o
movilidad de traslacin, que se designa p o r .

La primera se refiere a los portado-

res mayoritarios, que determinan el efecto H a l l . La segunda a los portadores minon_

tarios, determinantes del comportamiento de un transistor.
Se ha encontrado que la relacin que liga a stas es la siguiente :

"
los subndices

p y

/*pc

=An

/^ne

"

<

17

>

n significan, como siempre, conduccin por huecos y por elec

trones.
Esta es la explicacin de la aparicin del factor 3T1/ 8 en ( 1 . 1 5 ) y sucesivas.

En

todas aquellas expresiones la movilidad representa la movilidad de traslacin.

El hecho de q

atribuye a la captura de portadores inmediatamente d e s -

pus de colisiones. La movilidad de Hall determina la velocidad de traslacin media

de electrones o huecos debida al campo elctrico en el intervalo de tiempo entre colisiones.

En consecuencia, sta es la velocidad que determina la cantidad de desvia

cin producida por el campo magntico.

El tiempo adicional consumido en capturas

reduce la velocidad media de traslacin de los portadores, que es el valor especificado poyU Q .
De acuerdo con esto,

( 1 . 1 6 ) y ( 1 . 2 5 ) se pueden expresar tambin de la s i g u i e n -

te forma, en funcin de las movilidades de Hall y de las conductividades respectivas :

- 17 -

'hn =

n. e
J

( 1.18)

s&c
ykpH

y^pH
Ve

p.e /*pc

1.3.-

( 1.19)

Magnetorresistencia o efecto Gauss

A causa de la no uniformidad de la velocidad no es posible entonces una compensa

cin por el campo de Hall de la fuerza de Lorentz para cada electrn.

Unos electro-

nes no compensados se separan a derecha y otros a izquierda respecto de la direccin

longitudinal de la muestra, lo que da origen a un aumento de la resistencia especfica
comparada con el caso de ausencia de campo magntico.

La variacin es la misma i n -

dependientemente del sentido del campo.

De la teora electrnica de los metales se deduce que

=
siendo
magntico B y ^

0,38

(Jin.B

res's,'enc'a

( 1.20)

especfica del material conductor en un campo -

en campo magntico nulo.

En un semiconductor la manifestacin del efecto de magnetorresistencia depende mucho de la forma de la muestra.

En una muestra con forma de disco de Corbino, ( dis-

co con un electrodo en el centro y otro en la circunferencia perifrica ) la variacin

de la resistencia con el campo es mxima y sigue la expresin.

k (A. B > 2

donde k es una constante del material del disco.

( 1.21)

Esta expresin es aproximadamen-

te vlida tambin para muestras rectangulares en que a / b <3<l. A medida que crece
la longitud a de la pastilla, respecto de la anchura b, disminuye el efecto de mag-

- 18 -

netorresistencia

( ver 3 . 4 ) .

Observamos que la variacin de resistencia es especialmente grande cuando la movilidad de los electrones es elevada.

1.4,-

Angulo de Hall

Y a se ha visto cmo ha aparecido un campo elctrico E^ ( E ^ en el equilibrio ) que

no exista.

El campo elctrico total en la pastilla es el resultante de E^ y E ^ .

Las

lneas equipotenciales giran respecto de la posicin inicial un ngulo, que viene dado por ( 1 . 1 0 )

y ( 1.15) :
tg &

tgt

Q ' e s el llamado ngulo de H a l l .

tgp

- > . B
/ n
-

3f/8>n.B

1.22 )

( 1.23)

En el caso de conduccin por huecos

( 1.24)

Es decir, las nuevas lneas equipotenciales quedan desviadas

haca un lado u otro de

la direccin longitudinal de la muestra, segn el tipo de conduccin.

1 . 5 . - Condiciones de val idez de la expresin

(R ^ / d ) .

i |. B

Es vlida exactamente slo en las siguientes condiciones:

-

en materiales no ferromagnticos e istropos

en muestras de longitud infinita ( experimentalmente se ha comprobado que,
en cuerpos semiconductores, para pastillas rectangulares de relacin a / b ^ / 2 , 5
es valida en ms de un 9 0 % ) .
para tensin obtenida en una resistencia infinita

- 19 -

( tensin de Hall en circuito

abierto )
-

cuando se conoce con precisin R^ en las condiciones de trabajo ( tempS. i n duccin m a g n t i c a , e t c . . . )

1.6.-

Cuando no se sobrepasan los lmites de disipacin del material.

Constante de Hall y conductividad en semiconductores.

Se define la constante o coeficiente de Hall como el cociente del campo elctrico

producido por unidad de densidad de corriente y el campo magntico transversal. De
las relaciones

(1.8)

a (1.12)
R,
=
nm

se deduce

E /j . B =
y 'x

i
n.e

(1.14)

3
.
/
se puede dar en m /culombio, pero generalmente, debido a los valores ms usua3
.
3
les, en cm /culombio = cm / A . s .

R.

Las expresiones de R^ en semiconductores dopados para conduccin exclusiva por ele

trones o por huecos son las ya vistas

R,
=
hp

p.e

1.25)

3
p y n son respectivamente el n2 de huecos y electrones libres por cm ; son las concentraciones; e es la carga del electrn en culombios.
Existe an el caso de semiconductores mixtos o compuestos.
simultneamente hay portadores positivos y negativos.

Son aquellos en los que

La expresin obtenida super-

poniendo los efectos con electrones y huecos se complica

2
2
Rh

n,p

- 8l e- f ' ( ^ n nl ^, hP )

'

/<n- +/ p'

(]'

2 6

>

Reducindonos al caso de semiconductores con una sola clase de portadores de carga

- 20 -

vemos que la constante del Hall depende

-

del material de la muestra

de la cantidad de impurezas en el mismo.

En primera aproximacin, ademas, depende fuertemente de la temperatura, ya que

la concentracin o nmero de portadores libres crece con sta en todos los cuerpos
semiconductores.

Tambin depende de la induccin magntica.

( Remitimos al ca-

pitulo dedicado a las uniones intermetlicas donde pueden verse grficos de variacin con estas magnitudes).
La constante de Hall es negativa en todo el margen de temperaturas para s e m i c o n ductores tipo n.

Es positiva para semiconductores t po p a temperaturas ordina

ras, pero,se hace negativa a altas temperaturas, cuando la accin intrnseca em

pieza a producir portadores negativos con movilidades mas altas que las de los huecos.
S i ahora observamos la expresin ( 1 , 2 6 ) vemos que en los semiconductores mixtos
las cosas son an mas complicadas, ya que no puede hablarse ms que de resultados
cuantitativos.

Depende no slo de las concentraciones sino asimismo de las movi-

lidades.

Sabido es que las movilidades de los electrones son siempre mayores que
2
>
las de los huecos, como ilustra la siguiente pequea tabla de movilidades en cm /
v o l t , seg,:
Portador

Germanio

S i l icio

electrn

( tipo

n)

3.600

1.200

hueco

( tipo

p)

1.700

250

Ocurre entonces que, a veces ( para campos magnticos dbiles ) ; incluso con pre
ponderando de conduccin tipo p, es
tiene uo valor elevado.
los electrones y R^

R^

negativa, sobre todo si la relacin M'^/jU^

A l aumentar la induccin puede superarse la influencia de

hacerse positiva.

L a constante de Hall de este tipo de semicori

ductores depende mucho del valor de B .

- 21 -

Rh

En torno a la expresin

e^

-g. i| . B y

tratndose de semiconductores, cuer^

pos que nos interesarn de ahora en adelante con exclusin de los dems, es fcil
darse cuenta de que la tensin no depende de la temperatura slo a travs de la variacin de R^ sino tambin a travs de la variacin de i|,

por variacin de la

conductividad del material.

La conductividad de los semiconductores adopta las siguientes expresiones:

p
e

-(n'/An

- P - Xp
p

mhos/cm )
(

"

" >
"

tipo n
t!P

'P

( 1.27)
<

tipo compuesto

(1.29)

N o es menester hablar de la influencia de la temperatura sobre la conductividad

pues en cualquier libro que trat de semiconductores se hallar abundante material.

Unicamente interesa aqu destacar el hecho de que es otra causa de perturbacin cuan
do varan las condiciones ambientes y u t i l i z a r las frmulas

( 1 . 2 7 ) a ( 1 . 2 9 ) para

discutir las condiciones que debe satisfacer un cuerpo semiconductor con vistas a su
empleo tcni co .

1 . 7 . - Condiciones que debe reunir un semiconductor para su empleo tcnico como

generador Hall
El generador Hall es un elemento tcnico semiconductor, basado en el efecto H a l l .
Este es el nombre universal mente aceptado para denominar a este elemento, nuevo en
los circuitos.

En alguna especificacin americana recordamos haber leido Halltron

en lugar de generador H a l l .
Se plantea la cuestin de ver qu propiedades debe poseer un material semiconduc
tor para dar origen a un efecto Hall suficientemente importante para poder ser til i
zado en la prctica.

- 22 -

En la mayor parte de las aplicaciones tcnicas, se deben satisfacer las siguientes con
diciones:
a) L a tensin de Hall

e^

debe ser lo ms elevada posible, con objeto de que

sea factible una utilizacin de esta tensin como seal, sin que se haga necesario
un dispositivo de amplificacin demasiado importante.
Segn la expresin ( 1 . 2 ) se ve que el coeficiente R^ del semiconductor en cues
tin debe ser lo ms elevado posible.
b) La tensin de Hall debe permitir accionar directamente un r e l , un amplifica
dor magntico, un amplificador a transistores, un oscilgrafo, e t c . . .
Para disponer de una potencia suficiente, la resistividad ^ debe ser lo ms pequea
posible.
c) En cuanto a las aplicaciones en la tcnica de medidas, la tensin de Hall debe
ser, hasta cierto punto, independiente de las influencias del medio exterior, en particular de la temperatura.
La constante de Hall y la resistividad del material deben ser ampliamente indepen
dientes de la temperatura.
Veamos ahora qu condiciones fsicas internas son necesarias.
Tenemos que, en el caso de un solo tipo de portadores de carga,

quea concentracin de portadores.

e.

tipo n :

( 1.27)

La concentracin y la movilidad son constantes del material.

una constante de Hall elevada se satisface,

p.

La condicin a)

para

segn ( 1 . 1 6 ) , en un material de p e - '

Pero entonces, segn ( 1 . 2 7 ) , el material pre

senta una alta resistividad, lo que va en contra de la condicin

- 23 -

b).

De lo que se deduce que las condiciones

a) y b)

no se satisfacen simultneamen-

te ms que en un material que posea, al tiempo que una pequea concentracin de

portadores, una movilidad tan grande que el producto

nyn

Heve a un pequeo

valor de p.
En el momento actual solamente algunas uniones intermetlicas o uniones

'

entre elementos de los grupos 32 y 52 que presentan caractersticas de semiconductores, satisfacen las condiciones a) y b) y en determinados casos la

c).

2
La movilidad del arseniuro de indio

( InAs ) es de 2 5 . 0 0 0

moniuro de indio (InSb)

cm^/v.s.

de 7 0 . 0 0 0

cm / v . s .

Son considerablemente superiores

a los valores ms elevados conocidos en el germanio ( 3 . 8 0 0 )

( 1.600).

La del anti

y en el s i l i c i o

La ventaja de las uniones intermetlicas reside pues, en su altsima mo-

vilidad.
Material

Desnivel de
energa
A E, e.v.

Temp9
T

2K

M v i l idad

Expresin para l

M { cm2/v.s.
huec.
elec.

7,2

30Q

1.800

1.200

Si

1,12

300

1.500

500

Ge

0,75

ii

3.800

1.800

ii

200

200

ii

3.400

200

ii

3.400

50

4.000

650

23.000

240

65.000

700

830

540

DIAMANTE

AISb

1,5

GaAs

1,4

InP

1,2

GaSb

0,7

InAs

0,35

InSb

0,17

Te

0,38

Cu20

1,8

ZnO

3,2

CdS

2,2

PbS

0,37

PbTe

0,30

100

24 -

70

movilidad
elec.
huec.

9 -2,7
2J-109. T 2 - 5 2,3-10 - T
3,5.10 7 .T 1,6

9(M08.f2'3

~ T
665
I0exp(-])

ii

530

105

210

150

84

250

AgCI

5,1

86

275

AgBr

4,3

77

210

MgjGe

0,74

A/^Sn

0,36

NaCI

Tabla tomada del Handbook of Physics,

2,5-K-T'5

T958

Echemos ahora, despus de todo lo dicho, una nueva mirada sobre el mecanismo de
la conduccin para comprender ms intuitivamente los fenmenos descritos.
El mecanismo de la conduccin, o sea el transporte de portadores de carga, viene
determinado por la conductividad elctrica ( 1 . 2 7 ) ,

( 1,28),

( 1 . 2 9 ) . Gran

des valores del producto de la concentracin y de la movilidad definen a un buen

conductor elctrico.

En un buen conductor puede ser grande la concentracin y -

la movilidad relativamente pequea, o por el contrario, la movilidad muy alta y

la concentracin pequea en comparacin.
El mecanismo de la conduccin en los conductores metlicos se manifiesta de la
primera forma, mientras que en los compuestos intermetlicos, de la segunda, con
una movilidad excepcional mente elevada, y por tanto, an con pequea concen'
tracin, resultan buenos conductores.
En el cobre, p.

e j . , se mueven los electrones ( con las habituales densidades de

corriente ) a velocidades de algunos m m / s . , mientras que en los semiconductores

intermetlicos con velocidades del orden de unos 100 m/s.
Sobre las cargas mviles en un campo magntico se ejercen fuerzas que son proporcionales a la velocidad de los portadores.
mental de que las propiedades elctricas

Por ello resalta el hecho fsico funda

de los intermetlicos puedan,, debido a

su alta movilidad, ser afectadas, en presencia de una accin magntica, muchsimo ms,

( varias rdenes de magnitud } , que las de los conductores metlicos con

- 25 -

sus velocidades de traslacin de electrones, inherentemente pequeas.

Y ya, en

otro plano distinto, mas que los semiconductores habituales, germanio y s i l i c i o (

locidades desde 8 hasta 40 veces mayores ) .

- 26 -

2. UNIONES INTERMETALICAS. PROPIEDADES ELECTRICAS

2.1.-

Comparacin con los elementos del 42 grupo

Son las uniones entre los elementos de los grupos 32 y 52 de la tabla peridica.
Sean los elementos de los tres grupos principales que mas interesan en la fsica del estado slido los siguientes:
52 grupo principal

( P,

As,

Sb )

42

"

"

( diamante,

32

"

"

( Al,

Ga,

Si,

Ge,

Sn gris )

In )

Antes de explicar las caractersticas de las uniones intermetlcas parece conveniente recordar algunas de las caractersticas esenciales en la estructura cristalina de los
elementos del grupo cuarto y esto por dos razones:
semiconductores mas conocidos ( S i ,

en primer lugar se trata de los

G e ) que han dado origen a los diodos y

transistores, lo cual signific en su da una nueva revolucin industrial; y en segn

do lugar porque, histricamente, su desarrollo es posterior y la idea de su r e a l i z a cin fu una consecuencia del perfecto conocimiento de aquellos.
Los elementos del 42 grupo poseen la comn estructura cristalina del diamante, con
la propiedad caracterstica de que los cuatro tomos vecinos ms prximos de otro se
encuentran situados en los vrtices de un tetraedro.
uniones homopolares, en forma de puente

Los tomos estn ligados por

entre vecinos prximos.

tiene dos electrones, que no cuentan para la conductividad.

con estas uniones est la movilidad.
biente valores del orden de
en el s i l i c i o ,

3.600

1.000

Cada puente

En estrecha relacin

Las movilidades alcanzan a la temperatura am-

c m y volt.seg.

en el diamante,

1.200 a

1.500

en el germanio y alrededor de 3 . 0 0 0 en el estao gris.

Estas altas movilidades estn relacionadas con dos propiedades tpicas de la malla

- 27 -

cristalina del diamante.

Debido a la alta robustez de unin en la malla son especial

mente dbiles las amplitudes de las oscilaciones trmicas de las mismas.

Adems la

existencia de los puentes homopolares debe originar una pequea masa aparente

de

los electrones de conduccin y por tanto una alta movilidad.

O t r a propiedad muy importante : el ancho de zona prohibido o desnivel de energia.
En el diamante es de 6 a 7 electrn-voltios,
Ge

0,1

e.v.

en S n .

1,1

e.v.

en S i ,

0,7

e.v.

en

El ancho tiene el mismo sentido de crecimiento que el pun-

to de fusin respectivo.'
Esta interdependencia es, dentro de una serie homologa, tericamente comprensi
ble.

Por una parte, el punto de fusin es tanto ms alto cuanto mayor es la solidez

de la unin.

Por otra parte, segn la teora de los electrones en los metales, es el

ancho de zona prohibida tanto mayor cuanto mayor es en el potencial peridico de

malla la diferencia de potencial entre el mximo y el minimo.

Cmo esta diferen-

cia crece con la solidez de la unin, tambin crece el ancho de la zona prohibida.
(

Zona prohibida se llama a la diferencia de energa entre los electrones de la l

tima capa de la banda de valencia y I a banda de conduccin.

Justamente el an

cho de esta zona def i ne a un cuerpo como aislante, semiconductor o conductor

perfecto ) .
Otra notoria propiedad de los semiconductores del

42 grupo es que la dependen-

cia de las propiedades de cpnduccin con las impurezas introducidas es clara.

En-

tre las impurezas estn los elementos del

52'

como donadores.

32 grupo como aceptadores, las del

Unos dan lugar a huecos y otros a electrones, mviles en deter-

minadas condiciones.

Dentro de la serie homologa de aceptadores y donadores hay

todava una diferenciacin por lo que respecta a los radios covalentes de los ato
mos de impureza.

Ga ( 1 , 2 6 )

As

Sb ( 1 , 3 6 ) .

( 1,18)

que

est menos slidamente unido que In ( R

1,44)

Se plantea ahora la cuestin de si hay otro cuerpo con las propiedades anteriores en
igual o mayor medida.

- 28 -

Las nueve uniones i ntermetl icas siguient es : A I P ,

GaSb,

InP,

InAs,

InSb

AlAs,

AlSb,

GaP,

GaAs,

poseen la estructura de la blenda con su gran semejanza

con la malla del diamante.

Su semejanza sera total si los elementos que forman a

quellas no fueran distintos.

La s i m i l i t u d , de todas formas, es grande incluso hasta

en las dimensiones de malla y se pueden establecer, de acuerdo con esto, ciertas ho

mologas : Asi", en el s i l i c i o , la distancia entre tomos prximos es 2 , 3 4 A , mien- .
tras que en su homlogo A I P

es 2 , 3 6 A .

A ) respecto al arseniuro de galio

Ocurre lo mismo con el germanio

( 2 , 4 4 A ) y con el estao gris

( 2,80

( 2,44
A )

res-

pecto de InSb ( 2 , 8 0 ) .
En un sentido ms amplio pueden compararse los cuerpos A l S b

( 2,62 A ) y

( 2 , 5 4 A ) con el germanio;
unin hipottica
a otra GeSn

SiGe

(2,62

los cuerpos A l A s

( 2,39 A ) ;

( 2,44 A ) y

los cuerpos GaSb

InP
*

GaP

(2,62)

( 2 , 3 6 A ) a la
y

InAs

( 2,62 A )

).

Debido a que la representabilidad de las relaciones dimensionales es buena segn el

sistema de radios covalentes, se puede v e r , en las uniones
Homopolar, en

el enlace como -

12 aproximacin, igual que en los elementos. Pero como los elemen

tos del 52 grupo son ms negativos y los del 32 menos que los correspondientes elementos del

42

el carcter heteropolar o inico de una unin

que el del elemento correspondiente.

es ms fuerte

Es verdad que, a causa del principio de reso-

nancia de la mecn ica cuntica, que se manifiesta entre las partes o aspectos homopolar y heteropolar del enlace, la energa de ste se ve aumentada en una parte ini
ca, adicional respecto de la de los elementos.
correccin de 22
Ejemplo :

de A l

orden.

en la unin A l S b

( 0,62 A ).
3+

Pero representa slo un trmino de

el

, 3 +
in A l

( radio

*
0,5 A )

es menor que el

Sb

5+

^ 5 +
La fuerza de atraccin de Sb
mucho mayor, en comparacin, que la

para los electrones de enlace, que produce un encubrimiento de la parte -

inica del mismo, experimenta por ello una accin compensadora, debido a un efecto de volumen. Este efecto de volumen consiste en que los electrones, a causa del
principio de Paul i , tienen tendencia a irse al espacio libre. Por ello la accin atrae

- 29 -

tiva del
AlSb

Sb

5+

es de sobra compensada.

Con esto podemos prever que el enlace en

es preferentemente homopolar y el aspecto inico o heteropolar muy pequeo.

Esta participacin inica en el enlace se hace sucesivamente mayor, en G a S b ,

InAs
5+

e InSb.

En el ltimo caso se aprecia claramente cmo I a atraccin del in Sb

el efecto de volmen, lejos de compensarse, colaboran en el mismo sentido.

( fig.

2 - 1 )
Por consideracin de la resonancia de la mecnica cuntica se extraen notables consecuencias sobre el comportamiento elctrico de las uniones intermetlicas.
por ejemplo, el
lla que el

Sn.

InSb.

Y a se ha dicho que el

InSb

posee la misma dimensin de ma-

El peso atmicomedio de In y Sb es igual al de S n ,

bin las densidades lo son.

Veamos

por tanto tam

Como, sin embargo, la solidez del enlace es mayor en la

unin que en el elemento ( debido a la colaboracin de efectos volumtrico y de

atraccin ) resulta que las amplitudes de las oscilaciones trmicas de malla son meno
res en InSb.

De ello se desprende tericamente que la movilidad electrnica es ma

yor en el compuesto que en el elemento.

to. Movilidad de InSb
tao gris.

25.000

Experimental mente se comprueba, en efec-

2
cm / v o l t . seg.

2
frente a 3 . 0 0 0 cm / v . s . del es-

Las mismas consideraciones se pueden hacer para GaAs

para A I P

con S i .

Para las otras uniones

en comparacin con G e y

no hay tanta posibilidad de com-

paracin con los elementos, pero siempre resulta la movilidad mayor en las uniones.
De manera semejante se extraen conclusiones respecto a la elevacin del punto de
fusin y del desnivel de energa para elementos homlogos.
apartado

( Comparar en tabla de

1.7).

En lo que concierne a la influencia en las propiedades de conduccin debida a las

purezas extraas, por analoga con los elementos del
22 ( C d ,

42 grupo, los elementos del

Z n ) actan en los intermetlicos como aceptadores, los del 62

como donadores.

- 30 -

im

( Se, T e . . )

2.2.-

Propiedades elctricas generales.

Las uniones intermetlicas fueron descubiertas por H . Welker y sus colaboradores,

de Siemens-Schuckert, en el ao 1952.

En los dos o tres aos sucesivos aparecie-

ron algunos resultados experimentales que demostraban que algunas de las uniones
intermetlicas presentan carcter de semiconductores, con algunas caractersticas
diferenciadas que magnificaban el efecto Hall y los comportamientos a las altas
frecuencias.

Esto ha dado origen al desarrollo de transistores de elevadas frecuen

cias de corte, diodos varactors, diodos tnel y tambin, aunque menos conocido,
de generadores H a l l .
A continuacin presentaremos una seleccin de aquellos resultados, exactamente en
la misma forma en que fueron obtenidos en los laboratorios de fsica y qumica de
Siemens en Erlangen.

Seguramente es preciso tener algunos conocimientos de la teo

ria general de los semiconductores para captar del todo la eseneja de los grficos,
pero de todas formas trataremos de resaltar exclusivamente las consecuencias fundamentales y elementales de los mismos.
A s , en la f i g , 2 - 2

se representan los logaritmos de las conductividades de unas

muestras de antimoniuro de indio de los tipos n y p,

nes de impurezas en funcin de la temperatura.

con distintas concentracio-

Las curvas de variacin presentan

dos partes, claramente diferenciadas: una, casi horizontal, correspondiente la

conduccin por impurezas y otra, casi paralela al eje vertical o rama de conduc
cin intrnseca.

Se observa que, finalmente, la conductividad se hace indepen

diente del tipo de impureza.

conductores.

Este es el comportamiento tpico de los cuerpos semi

De esta forma se comprueba empricamente que InSb

Las figuras 2 - 3

y 2 - 4

lo es.

muestran resultados similares para GaSb y

AlSb.

De las ramas de conduccin intrnseca se pueden determinar los anchos de zona pro
hibida para los distintos cuerpos por la frmula conocida de los semiconductores:

e. A E / 2 k T

- 31 -

(2 - 1 )

constante de Boltzmann

temperatura absoluta

constante de Planck

!j

movilidad de los electrones

y.

movilidad de los huecos

P
m masa aparente de los electrones
n

m
P

"

"

sustancia

"

Si

P U N T O DE f u sin en 2 C

1..420

1,15

A E ( e.v. )

hueco?

Ge

InSb

958

523

702

1.060

0,75

0,53

0,82

1,65

GaSb

AlSb

Los resultados confirman cmo con puntos de fusin relativamente bajos se obtiene
un amplio desnivel de energa A E comparado con los de S i

Ge.

Por ejemplo

el antimoniuro de galio presenta una gran relacin de ancho de zona a punto de fu

sin.
Tambin las caractersticas de rectificacin son las clsicas.
en InP

tipo

p son muy buenas y en InSb

En resumen, las uniones

InSb,

nes intermetlicas, ya que I n ,

no tan buenas.

GaSb y A l S b

En GaAs

tipo

n y

(Fig. 2-5 )

entran dentro del concepto de unio-

Ga y A l , por una parte

y Sb,

por otra, son me

tales. En modo alguno son semiconductores todas las uniones de este tipo.

Es ms,

la mayoria de ellas presentan principalmente caractersticas metlicas y en pequea

proporcin semiconductores.
En el caso de InSb,

GaSb y A l S b , el antimonio juega el papel de un metaloide.

Esto resulta especialmente claro si consideramos tambin las uniones

y

AlAs

InP,

GaP

y AIP

InAs,

GaAs,

que, en principio, no se diferencian en nada de las

- 32 -

primeras y en las cuales no puede caber duda alguna acerca del carcter metaloideo
del segundo componente.
Pues bien> de entre todas estas uniones, de entre las que presentan propiedades semiconductoras, han adquirido especial relieve, por lo que a los efectos galvanomag
nticos se refiere, el antimoniuro de indio ( InSb ) y el arseniuro de indio ( InAs ) .

2.3.-

Propiedades elctricas del antimoniuro de indio.

Para entender los siguientes grficos es preciso tener presentes las expresiones ( I. 16)
( 1,25 ) ,

( 1,26 ) ,

La figura 2 - 6

( 1,27),

( 1,28 ) y ( 1 , 2 9 ) .

es similar a la f i g . 2 - 2 , pero pertenece a otra serie posterior de medi

das realizadas con seis muestras de material tipo

n y p con distintas concentracio

nes de impurezas. Las muestras van numeradas de mayor a menor densidad de impurezas.

Es decir, la muestra nj

est ms impurificada que la n ^ ,

De hecho se observa que la muestra nj

por ejemplo.

tiene tal concentracin que, en realidad, se

comporta como un metal ya que, aproximadamente entre senta un coeficiente de temperatura como los metales.

1802C

y 4502C

pre

Las dems se comportan como

semiconductores con la clsica variacin de conductividades y constantes de Hall

( fig 2 - 7 )

en sentidos contrarios, debido, como ya se ha dicho anteriormente, al

aumento de portadores de carga libres con la temperatura.

Las figuras 2 - 7 y

2-8

presentan la variacin de IgR^

magntica de 2 . 5 0 0 gauss.
4 y 5.

En las muestras

El signo de R^

con l/T

para una induccin

es siempre negativo en las muestras 1 , 3

2 y 6 de material tipo

p,

el signo es positivo para ba

as temperaturas y se hace negativo, despus de pasar por cero, para temperaturas

mas altas.

Este es el significado de la fractura en las curvas de f i g .

2 - 8 . Esencial-

mente se observa que todas las muestras, incluso cuando las correspondientes conduc
tividades no pueden representarse en una curva comn de conduccin intrnseca, poseen la misma constante de Hall a altas temperaturas.

-33-

La constancia de la constante de Hall a bajas temperaturas se debe a la completa

ionizacin de donadores y aceptadores.
En la conduccin intrnseca

( n =

p =

n. ) , en cambio, se debe emplear la s i

guiente expresin, que se deduce fcilmente de ( 1 , 2 6 ):

1,18

S i se supone JU. /Jju independiente de la temp2

n
p
tre R^ y la temperatura T , dado que

n. =

2U\/m .m - k T
2 (
rP , .
\ n"

puede conocerse la relacin en-

3 / 2

2kf

)) <. t

( 2 . :3 )

Entonces
- AE'
p

R^ ~

1
n
n.
I

_
T

- 3/2

ct

Este resultado se aprecia mejor en la f i g . 2 - 9

2kT

,
{ 2.4)

correspondiente a otra serie de medi-

das, realizadas tambin en Siemens-Schckert con 6 preparados de InSb, cuatro

del tipo
(2.1017

p: 1 ( 4 . 1 0 1 5
cm"3)

cm " 3

),

2 ( 2,2.1Q16

y dos del tipo n :

cm"3),

( 1,3.1016),

3 ( 6.1016

B (1.1017).

cm"3),

Puede verse

cmo, para altas temperaturas, la pendiente de variacin es la misma y el valor de

R^

llega a ser el mismo finalmente.

Por lo que se refiere a la movilidad de los portadores, sta puede calcularse a par
t i r de los grficos anteriores mediante la expresin R ^ . G / 1 , 1 8 ;

en conduccin por

impurezas la movilidad es cualitativamente inversamente proporcional al

centros de impureza.
^ yJl^

n2 de -

De las figs. 2 - 1 0 y 2 - 1 1 se desprende que los valores de

pueden aumentarse con facilidad en un orden de magnitud purificando

las muestras.

- 34 -

En conduccin intrnseca, el producto R ^ . 0 / 1 . 18 es igual a la diferencia de las

mvilidades de electrones y de huecos ( deducir de expresiones
haciendo

n =

p =

n. ) .

(1.29)

(2.2.)

Dado que ^^ es mucho mayor que . , puede conside'

rarse con gran aproximacin que la movilidad intrnseca coincide con la movilidad
de los electrones.

La expresin ms corriente para sta en funcin de la temperatu '

ra absoluta es
=

65000 ( T / 3 0 0 ) " 1 ' 6 6

En la tabla del apartado

nal a T

cm2/v.s.

(2.5)

1 . 7 se considera una variacin algo distinta, proporcio.

Cualquiera de las dos y cualesquiera intermedias, valen.

El error

es muy pequeo de una a o t r a .

La movilidad de los huecos en el antimoniuro de indio resulta d i f c i l de determinar
cuantitativamente, debido a su fuerte variacin con la temperatura. Es ms o menos
dos rdenes de magnitud inferior a Jk^ .
La gran movilidad del

InSb ocasiona un efecto muy notable de magnetorresistencia

transversal. La figura 2 - 1 2 , que presenta la variacin relativa de la resistividad en

funcin del cuadrado de la induccin a tempS ambiente, no. tiene ms valor que
comprobar experimentalmente cmo para campos dbiles ( excepto cerca del o r
gen de coordenadas ) se cumple la expresin ( 1 . 2 0 ) .

A temperaturas inferiores

la variacin es considerablemente mayor en la muestra n^ o en cualquiera otra de

tipo

2.4.-

n,

respecto de p.

Propiedades elctricas del arseniuro de indio

Puede repetirse casi palabra por palabra todo lo dicho sobre el antimoniuro de in
dio.

La movilidad oscila alrededor de 3 0 . 0 0 0 cm / v . s e g .

-3/2

con una ley de variacin segn T

hibida es mayor que en el

lnSb

que la constante de Hall en el

a temperatura ambiente

El desnivel de energa o ancho de zona pro '

Se aprecia de una forma cualitativa

( fig. 2-13 )

InAs tiene un margen bastante amplio en que se man-

- 35 -

tiene constante con la temperatura ( comparar f i g .

2 - 1 3 con las figs.

2-7,

2-8 y

2 - 9 , fijando la atencin en la escala superior de temperatura, que en un caso viene

en grados centgrados y en los otros en grados absolutos).

La comparacin slo puede

ser cualitativa y relativa porque los grficos corresponden a tres series de medidas, en
distintas condiciones magnticas y con diferentes concentraciones, pero la conclusin
es vlida : el arseniuro de indio tiene mayor estabilidad con la temperatura que el an
timoniuro de indio.

Es un hecho muy conocido en la teora del estado slido que los

cuerpos ms estables con la temperatura son aquellos de zona prohibida ms ancha ( S i ,

AsGa y ,
En las figs.

en este caso y comparativamente,

2-14,

nAs ) .

2 - 1 5 y 2 - 1 6 se representan las variaciones de R^ y ^ con la

temp9 y de R. con la induccin magntica en unos generadores comerciales r e a l i z a n

dos con InAs y InSb. Podemos concluir que el material antimoniuro permite mayor
potencia y el arseniuro de indio mayor estabilidad.

- 36 -

3. EL GENERADOR HALL

Es un elemento de circuito que hace uso tcnico del efecto H a l l .

Consta fundamental-

mente de un cuerpo semiconductor, capaz de producir una potencia apreciable en f o r ma de una tensin elevada ( Ver nota ) .
La pastilla semiconductora va provista de electrodos para el paso de corriente de con
trol y pqra recoger la tensin de H a l l .

El conjunto total es lo que se llama sistema elc

trico del generador.

El generador H a l l , en su forma prctica, se presenta protegido contra las solicitaciones
mecnicas y en diversos tamaos y formas de las cuales se describirn algunas ms adelante.

A esto podemos unir el hecho de la imposibilidad de construir generadores cu

yas caractersticas dimensionales se ajusten a las establecidas por la teora.

Todo ello aconseja entrar en una serie de consideraciones que permitan atravesar el
puente entre la teora y la prctica, para acercarnos finalmente al elemento real, tal
como lo presenta o lo puede presentar el fabricante, tal como es necesario enfocarlo para un posible diseo.
En lo que sigue se tomar como base para los razonamientos, salvo eventuales alusiones
a otras formas, la construccin clsica, rectangular, con electrodos en los bordes, del
sistema elctrico del generador H a l l .
ma "normal"

Esta es la forma "quasionormal".

Se llama f o r -

a aquella, terica, en que los electrodos de corriente ocupasen todo el

ancho de la muestra y los de tensin Hall fuesen puntiformes.

Nota
Conviene aclarar que existen muchas posibilidades de aplicacin, en muy dver
sas condiciones, del efecto Hall de distintos materiales.

- 37 -

Asi", en determinadas circuns-

tancias puede ser preferible, y de hecho lo es, aprovechar la alta tensin de Hall y
resistencia de un silicio o un germanio, an cuando el rendimiento energtico sea me
or.

Materiales como el bismuto,

HgTe,

HgSe y otros muchos y construcciones es-

peciales en los laboratorios de investigacin dan lugar a nuevos dispositivos y patentes. Tambin el efecto de magnetorresistencia ha dado origen a una rama genuina de
aplicaciones.
Aunque no perdamos de vista completamente estos hechos, trataremos de encuadrarnos dentro de lo que por ahora se considera es el generador H a l l , de caractersticas
ya definidas.

Es decir, un elemento que, en principio, se construye primordialmen-

te de InSb y InAs y que cualquiera puede comprar al fabricante. Sin duda, en los
prximos aos los catlogos incrementar la lista de productos basados en ambos efec
tos galvanomagnticos.

3. 1 . -

Sensibilidad en circuito abierto

L a expresin terica

( 1.2 ) es slo vlida para muestras infinitamente largas, no rea-

I izables.
En muestras reales, con los electrodos correspondientes, la medida de la tensin de Hall
en vaco arroja valores que se apartan, en ocasiones considerablemente, de los calcu
lados en el caso ideal.
Parece aconsejable entonces sustituir aquella expresin pqr la siguiente, ms de acue
do con la real idad:
e2 =
El factor K q
al signo de K

K q . ,. B

( 3.1 )

se denomina "sensibilidad del generador en circuito abierto". Respecto

o

son vlidas las mismas consideraciones hechas en torno a R. . Su van

l o r , con referencia a R ^ / d , depende primordialmente de las dimensiones de la muestra y de la formo geomtrica de los contactos.

Fijada la geometra del sistema elc-

trico del generador ( entendiendo por sistema elctrico el conjunto de muestra semiconductora y contactos ) la sensibilidad depende eventualmente, aunque no en la mis

- 38 -

ma medida, de la induccin magntica, de la temperatura y en general de todo aquello que afecta al coeficiente de H a l l . Ms adelante volveremos sobre algunos de estos puntos.

3,2.-

Circuito equivalente

El generador Hall no puede ser considerado de una forma aislada, sino como parte in
tegrante de un dispositivo de u t i l i z a c i n ,

A estos efectos es necesario estudiar su

comportamiento en presencia de otros circuitos.

La figura

3-1

representa el esque-

ma de este funcionamiento.
La diferencia fundamental respecto de lo anterior reside en el hecho de que el generador se encuentra cargado.
El sistema se puede ver como uno de dos puertas, una que se toma como entrada y la
otra como salida y otra puerta ms, correspondiente a la actuacin de la induccin
magntica.
do.

Esta ltima no aporta energa dentro del sistema pero modifica su esta-

En trminos de teora de circuitos puede hablarse de un cuadripolo, cuya ma

t r i z de transferencia est controlada por un agente exterior, el campo magntico.

Si tomamos como puerta de entrada aquella por donde transcurre la corriente de control

i| y como salida la correspondiente a las bomas de tensin de H a l l , encontra-

mos que el rendimiento del sistema es

PA
1
a

'

r i

V 0 *i 0
=

\ T - r
r
i

La diferencia V|. i| - N ^ .

se

( 3

2 )

disipa trmicamente.

Y a que, como sabemos, toda la potencia presente en el sistema proviene de la suminis

trada por

i|,

cabe pensar en todo caso qu, de alguna forma, el rendimiento podr

mejorarse actuando sobre B Para llegar a expresiones ms explicitas del mismo es preciso antes establecer las ecuaciones del circuito equivalente y hacer algunas conside-

- 39 -

raciones referentes a las influencias del campo de control y de la geometra de lcr>

contactos sobre los parmetros de la matriz de impedancias.
Para la definicin de tensiones y corrientes en el cuadripolo adoptamos el convenio

21

\v2

/
t

1L

/V,

12'

11

V*

-Ko.B\

( 3.3)

K
1

.B

2L

'2/

Esta ecuacin matricialse refiere a un generador de seccin rectangular ( ver Nota ).

El efecto H a l l es reversible, como expresan las f igs, 3 - 3

( a) y

( b ) y por el mis-

mo hecho que aparece una tensin H a l l en los terminales de salida aparece otra en
los de entrada cuando por aquellos pasa una corriente
V.
R

,1

"

( 3.4

",L

'2

Es la resistencia primaria en circuito abierto o resistencia interna del circuito de con

trol.
V,
'21

=
1

'2

. B

( 3.5)

Aparece como una resistencia de transferencia. Representa la manifestacin cuantitativa del efecto H a l l en el generador y tiene la importantsima cualidad de su aptitud
para ser controlada desde el exterior del sistema sin contacto alguno elctrico o mecnico.

- 40 -

V.
-

12
l.

"

K . B
o

(3.6)

Resistencia de transferencia debida al llamado efecto Hall secundario.

'22
i1

2L

3.7. )

Resistencia secundaria en circuito abierto o resistencia interna del circuito H a l l .

Con objeto de presentar un cuadripolo ms de acuerdo en sus resultados con el funcio

namiento real del generador, se puede adoptar otro convenio, en el cual se considera

i2

en sentido contrario.

En este caso el circuito equivalente es el siguiente:

( Fig. 3-4 )

V,
1L

.B
(3.8.)

\v'

o*8

iW

~R2L

Q u e se emplea uno u otro circuito equivalente no tiene mayor importancia. Unicamen

te queda el hecho de que merece la pena prestar un poco de atencin a establecer con
claridad cual de ellos se ha adoptado.
De cual q uier forma los tres parmetros

^o ^ ' Q ' n < ^ u c c ' n magntica B

definen al generador en marcha. Pero su aplicacin correcta exige profundizar algo

ms en su conocimiento.

( Ver apartado

3.4 )

Nota
En una pastilla semiconductora de forma arbitraria con cuatro electrodos a r b i trariamente dispuestos

( f i g . 3-5 ), formando un cuadripolo con conexiones de s a l i -

- 41 -

dcr y entrada en electrodos no contiguos, se cumplen las relaciones de Meixner-Casimir en presencia de un campo magntico ortogonal :

R12 ( B )

R12

R21

(B)

(3.9)

R21

( -B )

(3.10)

(B)

E n ausencia de campo magntico R ^

R12 ( 0 )

R21

(0)

y R-gj deben ser guales

rQ

(3.11)

S i los electrodos estn equilibrados, como es aproximadamente el caso de los generadores Hall convencionales, rectangulares,

R ,^ ( 0 ) =

R2-j

( 0 )

0,

(ver aparta_

do 3 - 1 1 . 1 . 1 ) . Entonces se tiene que, en el caso de que los trminos cuadrticos en

B

sean despreciables

- R01
I

Ru
ti

(3.12)

Esta es la propiedad " g i r a -

dor"
S i no hay equilibrio de electrodos, debe aadirse

R12

rQ

R21

rQ

Rh

(3.13)

Rh

(3.14)

3 . 2 . 1 . - Algunas propiedades del cuadripolo. Resistencias de entrada

Es sabido que la impedancia de entrada, cuando se maneja una matriz de independencias, viene dada por la siguiente frmula :
z

ent

A +

22

- 42 -

^2

( fig

3-6 )

i r

22

"

12'

21

En nuestro caso, las Impedancias son resistencias puras, por lo que

.
ent

R , i . Ro

11

21

R2L

B
R

+ R i..
1L2

( 3 J 5 )

La resistencia de entrada depende claramente del valor de la induccin magntica y

tambin, como no, de la carga.
K
ent

ent

R2

R2 =.o

De ( 3 . 1 6 )

y (3.17)

l L ^

I 1L1

~ n r

. B2
(3.16)

2L

(3.17)

1L

y de la condicin

e n t ^

l L

K^. B <

R^

R0|
2L

(3.18)

se desprende que

relacin muy til porque permite conocer siempre, a la vista de las caractersticas del
generador, las posibilidades de variacin de la resistencia de entrada. Hay ms an;
si se representa ( 3 . 1 5 ) en escala logartmica por el mtodo aproximado de las asntotas ( F i g . 3 - 7 ) vemos que, para una resistencia de carga igual a R o l +
L
R j ^ , o sea, redondeando por exceso, para R

^ R^

+ R^

2
o

.B

2 /

no es posible obtener

variaciones en la resistencia de entrada.

Los valores de R ^

y R^

que hay que considerar son los definidos por el estado de

magnetorresistencia del sistema.

Dependen de la geometra y material del mismo.

- 43 -

3.2.1.2.-

Resistencia de salida

Razonamiento similar nos lleva a resultados anlogos para la resistencia de salida,

sin ms que sustituir en todo lo anterior R
por R , ,
^
ent r
sal
Por

y R,

R
1L

por R.
2L

y viceversa
'

R.

3.2.1.3.-

Transferencia de tensin

La expresin de la ganancia de tensin es

Kq.
A

1 L

.R

2 L

i r

B.R2
K2.B-

K . B
o

R0
2

2
R1L'

R2L

Ko

R1L.R2=

(3.19)

2
-B

"

R
1 +

2
R

K
R'
2

r"

R,
2L

R1LR2L
LL

.B

1L'R2L

Ko

R2

-B

R1L

K . B
o

.B

Por el mismo razonamiento aproximado se puede decir que, aunque realmente el valor
de A y

no se hace constante y mximo hasta que R j

para valores cercanos a R ^

+ R^

vale i n f i n i t o

es ya vlido considerar A ^

En circuito abierto A^, < 1 :

- 44 -

(circuito

abierto),

constante ( f i g . 3 - 8 )

K
Av
v

B
<

r1l

( 3.20)

Esto significa que la tensin de H a l l e s siempre menor que la establecida en el circui

to de entrada. Es decir, no hay ganancia, aunque s hay transferencia.

3.2.1.4.-

Transferencia de corriente
KQ

A|

R2L

KQ.B

+'R2

En circuito cerrado

R2L

( R2 =
K

A,
i

1
' 1 +

-J--.R.
2L 2

( 3

2 1 )

0 )

.B

= -tt<1
R2L

Para valores de R 2

'

prximos a R ^

(3.22)

y superiores, la transferencia de corriente dismi-

nuye continuamente con una pendiente conocida, cuando se representa como en la f i gura

3-9.

3.2.-.5,-

Transferencia de potencia
K

AP

.B

K . B
o

R2L

1
B^

'

1 +

-L- . R2

R,
(3.23)
1 +

R1L-R2L

IL ^^
+

Ko

'

,R2

- 45 -

La curva de transferencia de potencia viene representada aproximadamente por la f i gura

3 - 1 0 . La transferencia es siempre menor que la unidad, dado que el generador

Hall es un elemento pasivo, disipativo.

La consecuencia importante que podemos extraer de la figura es que se transfiere un
mximo de potencia a la carga cuando sta es una resistencia que cumple la condicin.

2L<

3.2.1.6.-

<

R2L

( 3

'

2 4 )

Resistencia de carga ptima

Desde el punto de vista de teora de circuitos puede deducirse la resistencia de carga

ptima como aquella que hace mxima la potencia transferida ( tal como la hechos de
finido en este caso ) . Para ello no hay ms que hacer

y obtenemos
2
R2,Max

"

R2L

2 L

T [ '

.B

2
Ko

2
'

i r n r 1L
2L

< 3 - 25 )

El valor de esta resistencia depende de la induccin magntica que acta sobre el generador, lo mismo que el rendimiento de la transferencia.

Ms adelante volveremos

sobre estos extremos, enfocndolos desde un punto de vista ms fsico y utilizando en

cierto modo parmetros relativos.

- 46 -

3.3.-

Ruido trmico

N o s referimos a un generador con cuatro conexiones y al menos un eje de simetra.

Los generadores que venimos estudiando estn dentro de estas condiciones.
Un circuito con ruido, com el de la figura

3 - 6 , se puede sustituir por otro ( fig. 3-11)

sin ruido y dos fuentes de tensin de ruido, definidas por la conocida frmula;

V?

4K.T.R...M

R1L

V2

4k.T.R,..Af

2L
donde -

(3.26)

1L

va | 0| . e f c a z

(3.27)

21

Je | a tensin de ruido, en voltios

_?3

constante de Boltzmann,

temperatura de la resistencia, en 2 K

A f

1,3805.10

ancho de banda, en ciclos.seg.

_i
wat.seg.K

Con objeto de determinar la correlacin que existe entre ambas fuentes hay un procedimiento consistente en cerrar la entrada por una resistencia R . Circula por R
una
o
o
corriente y sta, a su v e z , causa un ruido adicional en la salida.
Burckhardt demuestra que, en el caso del generador H a l l , las fuentes de ruido son i n correladas.
S i se define el factor de ruido com el cuadrado del voltaje de ruido de salida debido
a todas las fuentes de ruido, partido por el cuadrado del voltaje de ruido a la salida
debido a R , se encuentra que :
o
se tiene el mnimo factor de ruido cuando la issistencia de entrada tiene el valor necesario para obtener adaptacin conjugada de entrada y salida,
se tiene el factor mnimo respecto del cuadripolo, o sea el minimo-minimorum, en
un generador Hall para el que

- 47 -

R2L

o-6

,L

( 3

2 8 )

En tal caso, se tendra

F

.
min

7,66

db.

resultado puramente terico, ya que siempre

( 3.29)
<C

Respecto al ruido de centelleo, " f l i c k e r n o i s e " , se ha demostrado experimentalmente

que es despreciable frente al ruido trmico.

3 . 4 . - Influencia de diversos factores ( geometra , i n d u c c i n . . . )

Los parmetros del cuadripolo dependen todos ellos fuertemente de la temp9, de la
geometra de los contactos y muestra y del campo magntico. La primera influencia
la consideramos suficientemente estudiada en los apartados 2 . 4

3 , 1 1 . 1 . 4 . Es un

tanto imprevisible y en general el nico procedimiento eficaz para contrarrestar su

efecto suele ser el apatallamiento trmico del generador en un compartimento adeca
do.
En cuanto a las influencias de las dimensiones y de la induccin magntica, resulta
muy d i f c i l separar unas de otras, ya qye a menudo dependen entre s .

En primer l u -

gar, las resistencias primaria y secundaria dependen del campo de i.ontrol. Este es
el efecto r e s i s t i v o magntico transversal o magnetorresistencia, ya estudiado, uno
de los dos efectos galvanomagnticos que se manifiestan en el semiconductor. En generadores reales esta dependencia con el campo se debe a dos causas : una, a la magnetorresistencia propia del material

(fig. 3 - 1 2 ) y otra a las dimensiones de la mues-

tra.
Aunque de distinta forma, tambin

K^ vara debido a las mismas causas. Se ha en-

contrado experimentalmente que las variaciones en cualquier caso dependen deyVj B ,

de a/b y de la anchura de los electrodos de H a l l , segn diferentes funciones.

-48-

R,|(B)
r

( B )

R ^ O r

R9i(B)
^ o )

r 2 L (B) =

f?(B)
=

p(V)
Y W .

f2

'

'>

5 )

( a/b, s/a,j.Q )

( 3

3 0 )

(3.31)

R,
K .B
o

(a/b,

s/a^B)
'

(3.32)

Las dos primeras relaciones expresan las variaciones relativas de resistencia respecto
al valor en ausencia de campo magntico.
Existen varios mtodos tericos para determinar las caractersticas elctricas de un
sistema rectangular con electrodos de corriente de anchura menor que b y con electrodos de Hall de dimensin s, en funcin de la geometria de la muestra y de los
contactos. El mtodo de Newsome permite obtener, por medio de un ordenador d i g i t a l , la distribucin de potencial en la muestra, mediante la solucin de la ecuacin de Laplace en la forma de diferencias finitas. La muestra de material semiconductor se divide en una red uniforme de clulas cuadradas. Las intersecciones de las
lneas de la red entre s y con los lmites de la muestra proporcionan puntos nodales,
a los cuales se aplica el mtodo, con las condiciones de contorno adecuadas. Esto
da lugar a un conjunto de acuacIones que puede ordenarse y tratarse con la mquina.
Otros autores, como Lippmann y K u h r t , u t i l i z a n el mtodo de la transformacin conforme y obtienen prcticamente los mismos resultados, pero la primera tcnica ofrece
la ventaja de poder aplicarse con facilidad a muestras de cualquier configuracin.

La f i g . 3 - 1 3

representa la variacin de r ^

dio d e ^ O )

en unas muestras de antimoniuro de in-

4 2 . 0 0 0 Cm^/v.s. en funcin de B .

Se ha tomado a/b como par

metro y en todos los casos se consideraron los electrodos de Hall puntiformes (s/a = 0 )
En la configuracin de disco de Corbino, la magnetorresistencia es mxima y sigue una
I ey

- 49 -

r1L

(B)

k. ( / i B ) *

(3.33)

donde k es una constante del material y Jtla

movilidad de los portadores de carga.

En los dems casos

r1L ( B )

oc

,m
B

con

m<2

(3.34)

El abaco de la f i g . 3 - 1 4 muestra las variaciones del producto K .B en unas mues2

3
tras de arsenuro de indio dey"( 0 ) = 2 3 . 0 0 0 cm / v . s . R^ = 100 cm / A . s , d =
100/^m.

Aunque realizadas las experiencias con materiales distintos tienen v a l o r

de comparacin y de las figuras

3 - 1 3 y 3 - 1 4 se pueden extraer las siguientes impor^

tantas consecuencias :
Las resistencias primaria y secundaria crecen con el campo magntico tanto ms cuanto que la relacin a/b de dimensiones del sistema elctrico es menor.
El producto

Kq.B

por el contrario se hace menor segn disminuye a/b

Se comprueba que los efectos galvanomagnticos son cuantitativamente opuestos. En

la anternativa de fabricacin de un generador Hall interesa magnificar el efecto Hall
y hacer que el efecto de magnetorresistencia aparezca como secundario y a ser posible despreciable. En teora slo se conseguira esto para una relacin a/b =ot>, pero
en la prctica se Mega a una buena aproximacin para a/b =

2.

De hecho, por

imperativos industriales se toma a veces una relacin algo ms pequea. La variable

s/a entre 0 y 0 , 1 5 no influye apena en los resultados.
La f i g u r a

3 - 1 5 visualiza la preponderancia de uno u otro efecto segn el valor de

la relacin s/b.

S i se tratase, no de obtener un generador H a l l , sino una r e s i s t e n -

cia controlable magnticamente, se fabricara una muestra muy corta en la direccin

de la corriente.
En las figuras

3 - 1 6 y 3 - 1 7 se pone de manifiesto la sola dependencia con el campo

magntico de las resistencias primaria y secundaria en una muestra comercial de d i mensiones a/b =

2,

s/a =

0 , 1 5 . Es digno de observar que, a pesar de tratarse

de un elemento preparado para su utilizacin como generador H a l l , el efecto mag-

- 50 -

netorresistivo es suficientemente importante como para duplicar los valores. Pero

en definitiva lo que importa es el comportamiento de la senbilidad total del generador cargado y sus variaciones con las impedancias externas, es decir con el grado de adaptacin.

3.5.-

Sensibididad del generador en carga. Caractrfstica especfica

De la ecuacin ( 3 . 8 ) y teniendo en cuenta que V 2

K
V

i2< ^

(B)
+

( B )

2 l

- V

3 5

'

R2

Esta expresin, por analoga con ( 3 . 1 ) , se puede escribir

V2

K
K

COn

K^

1+

( 3.36)

(B)
^

xr~

2 =

es la sen&ebilidad del generador en carga.

R ^

<3'37>

Como en todo lo que sigue suponemos

establecida una determinada geometra en la muestra K| depender exclusivamente

de B y 2'

Depende del campo magntico y de las propiedades del circuito exte

rior.

es un parmetro de acoplo.

Paralelamente se obtiene la tensin de Hall secundaria

V]

K2. \r B

( 3.38)

- 51 -

A diferencia de la sensibilidad en circuito abierto, las sensibilidades primaria y secundaria en carga K^ y K j

son distintos entre s f , debido a las resistencias.

En la mayoria de las aplicaciones del generador Hall interesa que la sensibilidad

K^ sea lo ms independiente posible del campo magntico. Slo en este caso ser
la tensin de Hall verdaderamente proporcional al producto de las magnitudes de
control i j

B.

Ahora bien e s K^ constante? A esto podemos contestar rotundamente no. La f o r ma genrica y cualitativa de variacin viene descrita por la f i g . 3 - 18.
En la f i g . 3 - 19 se describe grficamente la funcin
V
S ] ( X 2 , B) =

- J -

S j ( ^ 2 , B) =

K ^

= B.K1
(

2 ) .

(^2,

B)

(3.40)
(X2,B)

(3.41)

La funcin S^ ( ^ 2 # B) se define como "caracterstica especfica del generador"

Se desea q u e ^ ^ ( X j , B) sea lo menor posible. En la f i g . 3 - 19 existen dos puntos
de mximas f l u c t u a c i o n e s ^1 g max (se aprxima la recta
^ | para que stas sean iguales)
Si se define una nueva funcin como el cociente ' - -
.
. ..
tuacion relativa maxima.
y su valor depende de X

F (X,)

(^2). B

sta es una f l u c m

*
K,

mox

(3.42)

( X 2 ) . Bm

3 . 6 . - Linearizacin del generador

Linearizar un generador consiste

en acoplarle una resistencia de carga tal que

- 52 -

(B)
i

1 +

i.

sea lo ms independiente posible del campo y que ( 3 . 4 2 )

r2L

2
sea mnimo. Arribas son una misma condicin.
Para cualquier generador hay siempre un valor mnimo de esta funcin. Cual sea este
valor depende tambin por supuesto de la forma y dimensiones de la muestra y de los
electrodos. La f i g . 3 - 2 0 se refiere a una muestra de A s n
100 c m 3 / A . s ,

a/b =

2,

s/a =

El parmetro de acoplo X21 j n

tencia R j ,

clue

de coeficiente de Hall

0,15.
hace mnima la funcin corresponde a una resis-

que se suele denominar resistencia de lineatizacin.

Este dato es suma-

mente importante y aparece siempre en las especificaciones del fabricante. En general dista mucho de ser la correspondiente a una daptacin de impedancias segn el
sentido habitual de mxima transferencia de energa. Pero es la adaptacin a una m
xima fidelidad en la constancia del producto

3.7.

i^. B .

Adaptacin a mxima potencia

La expresin de la potencia en la carga es

y 2
R

2
2

A 2
"

<2

< V
r2L

Hay una adaptacin para

>2

R2L0

max

r2|_'

>

,
'

4 3

'

.
*

decir, seria necesario adaptar la cor

ga para cada valor del campo magntico, o lo que es lo mismo, no es posible la cda^
tacin, en cuanto a la potencia, de un generador Hall ms que cuando ste ha de tra
bajar con campo constante, por ejemplo, con imanes permanentes. Afortunadamente
este caso se presenta a menudo en algunos procesos de control en que el generador
tiene aplicacin.
En un generador de las caractersticas enunciadas para la f i g . 3 - 2 0 la relacin de
las potencias en la carga con adaptacin

- 53 -

lineal y con adaptacin mxima oscilan

entre 0 , 4 4 y o , 7 3 en el margen de 0 a

10.000 gauss.

Esta adaptacin en principio no tiene gran inters porque se supone la intensidad de

entrada

i^ constante e independiente de la carga.

3 . 8 . - Rendimiento mximo.
Haciendo operaciones en ( 3 . 8 ) considerando V j

'2*^2'

Para

se

e'

ren"

dimiento del efecto Hall primario

1, = A -

^ r r

( 1 + p

2L

jj =
R

4 - ) .
2L

( 1

B2

1L'

TT

+4

-)
2L
2

(3'44)

(3.45)

2L

de lo cual se sigue que, para un generador dado, el rendimiento primario ( nico que
se considera en la prctica ) no depende de la magnitud de la corriente de control sj^
no slo del campo y de la resistencia de carga.
La figura

3 - 2 1 muestra la variacin del rendimiento con el parmetro de acoplo, to-

mando como parmetro constante la induccin. Para cada valor del campo hay un m^
ximo dependiente de la impedancia de carga.

**

dA.2

0
B

2,Max

r2L'

\/\

, Max

Comparar este resultado con ( 3 . 2 5 )

Anlogas relaciones se obtienen para el efecto Hall secundario.

- 54 -

1) /

y> 1 ,Max

lL

92,Max

"

tyl

+ J

H
(3.47)

El rendimiento mximo es el mismo en uno y otro sentido, pero se consigue con distintas iripedancias.
Para valores pequeosdel campo ( B + 0 ) ,
y

-L-b
A p - AJ -' R

ax

Como R-|lq y ^ 2 L 0

SOn

2Z

o
R

fi

.B

2
(3.48).

1 LO

2L0

ProPorc'n^esa

Mr

y Kq

Rp, y por o t r a parte el pro^

ducto R^.G" es proporcional a la movilidad de los portadores, el rendimiento mximo

es a su vez proporcional al cuadrado de^UB.
El rendimiento mximo crece con el campo, al principio con una ley cuadrtica, despus con arreglo a ninguna ley ( f i g . 3 - 2 2 ). Hay un valor lmite. Sabemos que la
tensin de Hall en circuito abierto no puede ser nunca mayor que la tensin de con
trol; entonces
V,

V
'2 =

K
V

.B
(3.49)

1L

i, =

,B

2L

( 3.50)

luego

H
Para J}

(3.51)

1 se alcanza tericamente el mximo-maximorum del rendimiento.

7M ax,max

0,172

( 3.52 )

Este val or no puede sobrepasarse, cualquiera que sea el campo, el material o la resistencia de carga. ( Es preciso guardar memoria de que nos referimos a muestras rectangulares,-ya que existen formas de este' elemento que permiten un rendimiento ms

- 55 -

elevado ) .
En la figura 3 - 2 3
,>

2/lin

rv2,max

aparecen los tres parmetros de acoplo ptimos considerados

y
..
( con mayscula para distinguirlo del anterior) en su
' 'N2,Max

dependencia con el campo, para la misma muestra de los abacos prcedentes.

^ 2 max ^ X 2 Max

Prc,,'carnente

se

confunden en casi todo el margen y en r e a l i -

dad no merece la pena la mayor parte de las veces considerar ms que uno de ellos.
S i se conoce la ley de variacin con el campo de la resistencia secundaria, establecido el punto de trabajo ( valor de la induccin ) , lo mejor es hacer la adaptacin
con una resistencia de carga igual a la secundaria en ese punto.

3.9.-

Construccin del generador Hall

El generador Hall se fabrica en diversas formas y tamaos, segn la aplicacin a que

estn destinados. En principio puede hacerse una clasificacin en dos grupos que comprenden a aquellos elementos que llevan incorporado circuito magntico ( ferritas,
arrollamiento inductivo, ncleos magnticos ) o no lo llevan.

"Grosso modo" pode-'

mos decir que el primero de los grupos est constituido por dispositivos multiplicadores
moduladores y por aquellos cuyo ms amplio uso parece ser la transmisin de seales
sin contacto y la lectura de programas magnticos. El segundo consta de una variada
gama de elementos, por lo general de menor tamao, que son lo que pudiramos l l a mar sondas; su aplicacin bsica es la medida de campos magnticos y otras medidas
derivadas.
Cualquiera que sea la presentacin f i n a l , el sistema elctrico suele ser idntico en
todos los generadores ( f i g . 3 - 2 4 ) . Los electrodos que llevan la corriente de control se extienden a todo lo ancho b de la pastilla. Los electrodos para la tensin
de Hall presentan siempre, por razones de fabricacin, unas determinadas dimensiones s y

t,

cuando seran de desear puntifotmes.

I carcter diferenciador lo imprime por lo general la envoltura del sistema elctri3. En el caso del segundo grupo de que acabamos de hablar, el sistema pastilla seiconductora-conexiones elctricas se introduce dentro de una cpsula no magnti-

- 56 -

ca, que puede ser un aislante elctrico de buena conductividad trmica, con objeto de evacuar las prdidas por calor debido a las corrientes que circulan por la pas
tilla.

Esta cpsula define la forma y tamao del generador. El conjunto se realiza

tambin depositando en vacfo una pelicula delgada del semiconductor sobre un sus
trato no magntico.
El primer grupo u t i l i z a un circuito magntico para guiar el flujo til segn una posicin determinada, generalmente perpendicular a la pastilla de material semicon
ductor. De los diversos procedimientos de construccin dan idea la figura
( con placas de ferrita ) ,

la f i g .

3-25

3 - 2 6 ( con arrollamiento y ncleo ) y la f i g . 3 - 2 7

( tambin con placas de ferrita).

Todos son de muy reducidas dimensiones. Para hacerse una ide, sin tomar los datos del fabricante, baste decir, como ejemplo, que varios de los generadores del
primer grupo encuentran utilidad como cabezas lectoras de cintas o tambores magnticos convencionales. Y entre los del segundo, se emplean algunos como sondas
para la medida punto a punto de campos magnticos y realizacin de cartas magnticas.
Para aplicaciones particulares se construyen en los laboratorios los sistemas elctricos en forma de disco de Cobino, hexagonales, rectangulares con varios elec
trbdos, cuadrados, etc. (fig. 3 - 2 8 ) .

A s f , por ejemplo, el sistema de fig.

3-28

'( a ) es muy til para modulacin de pequeas seales. U n sistema de la forma ( b )

( multicontacto ) permite conseguir altos rendimientos, tanto mayores cuanto ms
elevado el nmero de electrodos.
muy grande.

Y a se comprende que este nmero, no puede ser

Los pares electrdicos

control y los A - A 1 ,

1-1' ,

2 - 2 ' , e t c . . . llevan la corriente de

B - B 1 . . . la tensin de H a l l . En campos magnticos fuertes el

rendimiento pasa con facilidad del 6 0 % .

- 57 -

3.10.-

Influencia de la frecuencia

Hablando en trminos del semiconductor ste puede transmitir seales cuya trecuencia slo viene limitada por la de relajacin del material y sta es ordinariamente
muy el evada, del orden de gigaciclos.
Pero el generador Hall consta adems de unos electrodos, unas conexiones, una envoltura y , a menudo, un circuito magntico de excitacin que, sin duda, introducen una alteracin en la respuesta terica del elemento.

Es notorio que unos hilos

de conexin de entrada y salida no apantallados pueden limitar la frecuencia mxima a menos de

1 Mc/s.

El proposito de este apartado es presentar, casi a t t u l o de ejemplo, el comporta

miento, en cuanto a la frecuencia, de los generadores Hall con placqs de ferrita.
Se deduce que, finalmente, este comportamiento depende del diseo y calidad del
sistema elctrico y de su periferia;
De las dos magnitudes de control pueden sucesivamente considerarse variables con
el tiempo parece que, experimentalmente, la corriente de control no afecta en absoluto al resultado esperado.

Es decir, las medidas realizadas no presentan ningu-

na variacin con referencia al valor obtenido para frecuencia nula, en mrgenes

que van ms all de los 5 0 Mc/s.

En semiconductores del tipo de unin interme-

tlica es muy lgico esperar resultados correctos para frecuencias mucho ms elevadas, dado que la movilidad es muy grande, por tanto la inercia tiende a cero y
el semiconductor responde a cualquier impulso sin retraso alguno.
Por el contrario en el caso de que la magnitud variable con el tiempo sea la induccin magntica puede ocurrir que, en ciertas condiciones, la respuesta tens in-fre
cuencia ( para induccin constante ) est muy lejos de ser una repuesta plana. Esto
viene asociado, como se ver, a la aparicin de unas corrientes parsitas debidas
a la oscilacin del campo magntico, corrientes que afectan a la distribucin del
campo elctrico en la clula semiconductora.
Kuhrt y otros han realizado un estudio terico y experimental, que establece en
principio las siguientes limitaciones : se considera que la sonda es infinita en la

- 58 -

direccin

x y que la induccin magntica slo tiene componente z

nea en esa direccin ( f i g .

y es homog-

3-29)

Las ecuaciones de Maxwell :

i

= rr.E

rot E

rot

+ cr. R h .

( i 1 B.)

B
Spp

( 3.53)

(3.54)

(3.55)

se reducen, con aquellas consideraciones, ms las adicionales de que (Tes independiente del campo ( condicin vlida para valores menores de 500 gauss) y de que
el trmino

&t

se puede despreciar en el margen de frecuencias estudiado, a

las siguientes :
i

C. E

( 3.56)

& Ex

&

St

6 y

E
y

R,.i
h x

y B
'
z

( 3.57)

( 3.58)

( 3.59)

La tensin H a l l es la integral de ( 3 . 5 7 ) entre y =

cal se deducen

b/2,

y =

como funciones de ( y , t ) eliminando

b/2

para lo

entre las ecuacio-

nes anteriores.
N o vamos a indicar los clculos, que han sido desarrollados por K u h r t , pero nicamente destacar que la intensidad de corriente puede descomponerse como una suma de dos
trminos de la forma

<x ( y , O

io +

i (y)

e|Wt

- 59 -

donde

es la densidad, constante en el tiempo y en el espacio, de la corriente

de control, mientras que el segundo sumando, de expresin complicada, depen

diente de y y de la frecuencia, describira, la distribucin de densidades de corrientes parsitas producidas por el campo magntico oscilante.
De aqu que la influencia del campo magntico variable, de alta frecuencia, sobre la tensin Hall proviene de la interaccin del campo magntico propio de la
corriente de control y las corrientes parsitas, asi como de la interaccin del campo de estas corrientes y la de control.

En la expresin de la tensin Hall resul-

tante aparecen un factor de correccin, un tanto complicado que, a nuestro j u i cio, no ofrece inters porque su deduccin depende de unas condiciones particulares en el enunciado del problema. De todas formas estas condiciones se s a t i s facen en determinados casos reales de generadores prcticos y por eso tiene inters presentar los resultados en forma de grficos.
En la figura

3 - 3 0 se preserit la variacin relativa de la amplitud con la frecuen-

cia para una muestra de InAs,

a =

1 , 5 cm.

b =

0 , 6 cm.

de R,
d =

inducciones en el entrehierro de

10

100 c m / A , s ,
cm.

240-ft- cm

Las medidas se han realizado con

10 a 20 gayss. La pastilla se introdujo entre pa

cas de ferrita de tal forma que el entrehierro era igual al grueso del semiconductor.
La curva de trazo lleno reprsente la terica y la de trazos interrumpidos la obtenida prcticamente.
Mc/s.

La primeraalcanzael

44%

y la segunda un 35%

para

1,5

La diferencia se debe a que los electrodos de Hall no se pueden situar exac

tamente en los bordes de la muestra sino un poco por encima, lo que limita la anchura efectiva de la misma. Para una anchura real mucho menor b =
aumento a 1,5 Mc/s

era inapreciable, alrededor de un 3%

0 , 3 cm. el

que cae dentro de

la precisin de las medidas.

Veamos en qu casos reales se cumplen las hiptesis o condiciones iniciales del plan
teamiento terico del problema-. La hiptesis primera de corriente en direccin
x exclusivamente se satisface en una muestra dotada de electrodos de cobre o pla-

- 60-

ta a todo lo ancho de la misma.

La segunda hiptesis, campo con componente en direccin

y homogneo, se con-

sigue experimentalmente introduciendo la pastilla entre dos placas de ferrita de a l t

ta permeabilidad con entrehierro & igual al grueso d la pastilla.
Es importante insistir que, slo en este tipo de generadores, el efecto de la frecuen
cia es grande e inadmisible.

En una muestra muy estrecha, an con ferritas comple

tamente adheridas; en una muestra entre ferritas, pero con entrehierro mucho mayor
que el grueso de la misma; en una muestra excitada por bobina; en todos estos casos el efecto de la frecuencia es inapreciable, siempre que el nivel de excitacin
se mantega por debajo del de saturacin del circuito.
Las corrientes parsitas causan prdidas que limitan la potencia admisible til en
el generador, que viene determinada por la disipacin trmica del elemento.

En

el caso de generador citado, emparedado entre ferritas, las prdidas pueden l l e gar a 0, 1 mw para

1 Mc/s y con

1 gauss de induccin magntica. Con cam-

pos mayores las prdidas son tambin mayores.

3.11.-

Errores en la expresin e =
__
2

K .
o

i,.B
1

Consideraremos errores intrnsecos aquellos debidos .a la pastilla y.conexiones propias y extrnsecos a los debidos a la estructura magntica y conexiones elctricas
y magnticas al generador.

En determinadas aplicaciones, en aquellas en que se

u t i l i z a el generador como elementos sensible, pueden considerarse como autnticos ruidos

e.

K , i .B
o
I
+

f ( A ) . dB/dt + M . d L / d t
I

f(ir)

f(i|

- 61 -

)+

f (Bn)

+ f ( T ) +

+.,.,

3.11.1.-

Errores intrnsecos

Hay varios.
ejemplo.

Entre ellos ya hemos hablado de las dimensiones del generador, por

S i bien la expresin slo es correcta para una muestra de longitud i n f i -

nita, parece que el error cometido es suficientemente pequeo con dimensiones

a/b =

2.5.

Otra causa de error es el efecto de magnetorresistencia.

Hemos convenido en que

precisamente interesa y as se hace, que este efecto se manifieste lo menos posible . En la expresin de arriba viene representado por el trmino

(B").

3 . 1 1 . 1 . 1 . - Tensin hmica en ausencia de campo de control.

Llamada en las distintas literaturas tensin ohmique vide, resistive nuil voltage,
ohmsche Nullspannung, corresponde al trmino

f ( ^ ) .

En realidad, se puede hablar de un error proporcional a i^.

Este error proviene

de la imposibilidad fsica de colocar los terminales de salida perfectamente alineados.

E l l o origina que, en ausencia de campo magntico, los electrodos de H a l l no

estn al mismo potencial

( fig. 3-31 ).

La expresin de la tensin de Hall sera, afectada de este error

e0 =
2
f

( I

K . i
o l
}

r . i.
o
I
r

IL

( 0 )

i l

( 3.60)

( 3

'

6 1 )

<3-

6 2 )

r , factor de proporcionalidad del trmino parsito, tiene dimensiones de r e s i s t e n cia hmica.

Es un dato del fabricante y es una caracterstica inevitable del gene-

rador, puesto que depende del material semiconductor y primordialmente de la f i nura de fabricacin
que 5 0 . 10

-3

^b ) . Se da en voltios/amperio.

Suele tener un valor menor

y en la mayora de las ocasiones mucho menor.

- 62 -

Para casi todas las aplicaciones, para todas aquellas que u t i l i z a n en campo elevado, esta tensin carece en absoluto de importancia, pues es totalmente despreciable frente a la tensin de H a l l .
Para aplicaciones de alta precisin y para aquellas que se valen de campos dbiles
el error puede ser notable, pero existe un procedimiento externo sencillo de compensacin de caidas de tensin por red de resistencias ( f i g . 3 - 3 2 ) . En una posicin del cursor se obtiene con seguridad una perfecta compensacin.

3.11.1.2.-

Tensin inductiva en ausencia de corriente de control.

En la literatura cientfica se designa como tensin inductive a vide, inductive nuil

voltage, induktive Nullspannung.

Se representa por f ( A ) .

d B / d t . Proviene de

los bucles que forman las conexiones de entrada y de salida. Por grande que sea el
cuidado en preparar los generadores no es posible evitar que en la presentacin
prctica de los mismos los hilos de conexin de ida y vuelta del circuito de salida
no comprendan superficie no nula frente a las variaciones del campo magntico.
(' f i g . 3 - 3 3 ) . Entonces, cuando el campo es variable con el tiempo se induce una
tensin adicional parsita e indeseable que es proporcional a la superficie A

com-

prendida por lo$ hilos y la pastilla en el plano normal al campo.

2
El fabricante de los valores de A generalmente en cm , que suelen estar por debao de 0 , 1 cm2 en el peor de los casos.
Es norma prctica que la tensin inductiva puede despreciarse para los campos elevados y para las variaciones de campo con la frecuencia industrial de 50 c/s. Para las aplicaciones de gran precisin y para aquellas de campos rpidos puede compensarse este trmino de error mediante una tensin en oposicin, inducida en un 22
circuito colocado dentro de la accin del mismo campo.
presenta en la f i g . 3 - 3 4 .

- 63-

Esquemticamente se re-

3.11. 1 . 3 . -

Acoplamiento mutuo M . d i ^ / d t .

Aparece por acoplamiento entre los terminales de entrada y de salida cuando por
aquellos circula una corriente variable con el tiempo.
estos terminales.

Depende de la forma de

En el mejor de los casos presenta una zona de acoplamiento tal

como ilustra la f i g . 3 - 3 5 .
Tericamente esta tensin puede separarse de la tensin inductiva, ya que aquella
est en cuadratura para corrientes senoidales y sta en fase.

En la prctica, sin

embargo, cuando la frecuencia de control es suficientemente alta como para que

este trmino sea apreciable, aparecen efectos de capacitancias y no ha sido posible separarlos.

3,11.1.4.-

Se considera que M

es muy pequea.

Efectos trmicos

Hay que considerar dos efectos :

los gradientes de temperatura y el cambio de tem-

peratura ambiente.
El primero de ellos, f (

) , tiene su origen en las variaciones fsicas de u n i f o r -

midad y grosor del material cristalino del generador. Debido a esto la corriente
no es uniforme y por tanto la disipacin de potencia no lo ser tampoco y habr una
irregularidad en la distribucin del calor.

Existe una diferencia de temperatura en

tre los electrodos de H a l l y esto da lugar a una tensin suplementaria.

Cuando el campo B es nulo se mide entonces a la salida una tensin igual a r . i
2
o I
+ f ( i j ) . Por eso, a veces, esta ltima parte se incluye dentro del concepto de
tensin hmica con campo nulo, pero se deben a motivos bien distintos:

la prime-

ra a asimetra de los electrodos, la segunda a la no homogeneidad del material.

La forma de separar ambas partes en un laboratorio consiste en realizar dos medidas
sucesivas basadas en lo siguiente:

el calentamiento, as como la diferencia de tem-

peratura entre los electrodos de salida, son producidos por las prdidas de calor en
gendradas por las corrientes que recorren la muestra. La tensin trmica depende

- 64 -

por tanto del cuadrado de la corriente, en tanto que la tensin hmica perturbadora se relaciona linealmente con aquella. El procedimiento es invertir el sentido de
la corriente en la segunda medida.

rQ.i1

f(i,2)

r .i.
o I

2f

( i2)

2.r . i
o
I

(3.63)

f ( i2,)
I

( 3.64)

e .+

e'

( 3.65)

e -

e'

( 3.66 )

En cuanto al segundo efecto, hay que considerar.dos coeficientes de temperatura ms

importantes:

el de la resistividad y el del coeficiente de H a l l . Ambos son negativos

y varan exponencialmente.
De las ecuaciones:

e,
'ho

= -1-. i,. B
d '
T

( 1.2)

V
ii
i

donde V^

(3.4)

i r L L
R1l

es la tensin aplicada y de las expresiones, obtenidas experimentalmente:

R
R

(T2)

1 L

(T2)=

Rh

(02).e"

1 L

(02).e"

q J

(3.67)
(.3.68)

se deduce que:
e ho

( q

Valores tpicos de p y q son 0 . 0 1 7

es muy pequeo. La figura

"

P ) J

y 0.014

(3-69>
respectivamente, por lo que ( q - p)

3-36 muestra la depndencia con la temperatura para el

mismo generador bajo diferentes condiciones de excitacin.

- 65 -

Debe recalcarse que

generadores Hall de capa delgada, con su mayor mpedancia de entrada, son ms

propicios para excitacin por voltaje.
Para compensar en parte el pernicioso efecto de la temperatura sobre los resultados
del generador, se u t i l i z a n muy variados procedimientos tcnicos, distintos para cada caso, desde circuitos con termistores hasta cmaras aisladas.

3 . 1 1 . 2 . - ' Errores extrnsecos.

Aparecen principalmente en los generadores que utilizan material magntico como
ferrita, mumetal o cualquier otro, ya sea como material concentrador o asociado al
electroimn.

3.11.2.1.-

Histresis

Para mejorar la linealidad es importante la eleccin del material magntico en el solenoide.

La fig.

3-37 muestra los vol ta jes de error para dos materiales distintos con

el mismo tamao de entrehierro y el mismo generador. Los voltajes deducidos son

las tensiones Hall respecto a un voltaje de referencia. El procedimiento consiste en
aplicar una corriente mxima de campo, igualar la tensin Hall al voltaje de refe rencia, llevar despus la corriente magnetizante a cero y al mximo negativo y vuel
ta al punto i n i c i a l .

3.11.2.2.-

F l u j o residual

As como el ciclo de histresis se debe buscar lo ms estrecho posible, el flujo residual conviene muy pequeo , preferentemente nulo.

3. - 1 1 . 2 . 3 .

Temperatura

Si se monta la pastilla de forma que la conductividad trmica con el ncleo magn-

- 66 -

tico sea grande, el margen dinmico aumente notablemente.

3,11.2.4,-

Frecuencia

Tericamente la frecuencia superior del generador viene slo limitada por el tiempo d relajacin de los portadores.

En un montaje prctica se crea una limitacin

grande en los circuitos excitadores. Es preferible, por ejemplo, excitar la bobina

de campo por corriente antes que por tensin, ya que en el primer caso la frecuencia de corte viene determinada por la relacin de impedancia de la fuente a la inductancia del devanado y en el segundo por la relacin de la resistencia del mismo a la inductancia.

El ancho de banda es tanto mejor en el primer caso cuanto m:

se acerque la fuente a una de corriente ideal.

Hay todava otros efectos a ms altas frecuencias : capacitancias entre arrollamientos en la bobina, entre devanado y ncleo, entre generador y ncleo, e t c . . . Se
puede recurrir a apantallar para evitar parte de estos efectos.
El material del ncleo para el trabajo en altas frecuencias es importante.

Los ncleos

de hierro en polvo o ferrita son recomendables por sus bajas prdidas. Sin embargo
por su bdj permedbilidad y pronta saturacin, tienen muy limitado el margen dinmico. En cada caso se debe resolver un compromiso para escoger el material ms
adecuado a la circunstancia, pero no hay que olvidar que un circuito magntico
bien diseado

es la clave del xito para buen resultado en determinadas aplicacio-

nes del generador.

- 67 -

3.12.-

Modelo de caractersticas

Tomadas de Siemens Taschenbuch

1962-63 y del catlogo Semiconductor

de Siemens, presentadoen el Saln de Componentes

1965

1965 de Paris.

Para f i j a r ideas creemos que es suficiente con reproducir las caractersticas de dos
generadores cual esquiera, por ejemplo F

F A

' ln
B

24

mvi-

Klin

o<

A <

>
^

V/A.kG
%/K

V/A
cm

S A

10

10

300

200

0,075

0,08

75

75

2,5.10"3

50.10"3

0,04

0,1
1,9

1,4

R1L0

R2L0

1,1

2
1,2

mm.

mm.

19

mm.

A-l

diseo

23

250

R2,lin

Ko

2 3 , ambos sondas d campo.

400

kG

2on

mA

24 y SA

- 68 -

14

La palabra diseo A - l

y B se refiere a los esquemas que aparecen en otra parte

del catlogo. Las caractersticas difieren ligeramente unas de otras, segn el t i po de elemento, pero en general no falta el dato correspondiente a la
misible en el mismo.

- 69 -

ijmax

ad-

4. APLICACIONES DEL GENERADOR HALL

4. 1 . -

Introduccin

El generador Hall pertenece a la nueva generacin de elementos semiconductores,

posterior a los transistores, cuyo uso y conocimiento an no ha pasado, por asi" dec i r l o , de los laboratorios al mercado.
Sus dimensiones, como ya se ha dicho, son muy reducidas y su funcionamiento presenta hechos muy ventajosos: en su forma ms sencilla u t i l i z a dos seales de entrada
aisladas ambas entre s , una de las cuales no tiene contacto alguno con el elemento
El elemento, independientemente del circuito exterior, responde a seales desde fre
cuencia cero hasta de microondas, funciona en tiempo real, es sensible a una funcin y no a su derivada, realiza el producto vectorial respecto del tiempo o el espacio, e t c . . .
En los ltimos aos han aparecido en diversas publicaciones algunos resultados de dispositivos a base de generador H a l l .

Unos son conocidos suficientemente, como el

multiplicador, el gausmetro o el girador: otros, en cambio, por ms recientes o por

otras causas, no se han difundido. N o es nuestro proposito describir prolijamente to
dos ellos. Unicamente pretendemos pasar revista a algunos de ellos, resaltando los
principios fundamentales y las propiedades caractersticas de los mismos, tanto l i mitaciones como ventajas.
Para la exposicin del tema nos ha parecido ms adecuado ordenar los dispositivos
con arreglo a la variacin de una u o t r a de las seales de entrada o de ambas a la
vez.

De acuerdo con este criterio hemos confeccionado el siguiente cuadro de apli

cac iones.

- 71 -

Api icacin

Variable

Constante

!|

Medida punto a punto de

campos magnticos

II
ii

Medida de corrientes con

tfnuas de elevada intensidad.

II

Lectura esttica de progra

mas magnticas

i
n

II

Transmisin de seal

sin

contacto.
l

II

Amplificador de potencia.
Oscilador.

II

II

II

II

Chopper
Transductor de desplaza
mi en tos.

II

.11

Transductor digital-anlogico.

II

II

Generador de funciones
matemticas.

II

II
B

!l

Defasador, etc
Circulador

II

Girador

II

Aislador

- 72 -

Multiplicador analgico
Medida de un par-motor

Multiplexor

11

"

Anal izador de espectro

"

Vatmetro,

etc....

N O T A . - Hemos incluido dentro de las aplicaciones basadas en la variacin del cam

po algunas en que, realmente, el campo, en un sentido absoluto, no varia porque
procede de un imn permanente.

Sin embargo, se obtiene una variacin real del

mismo, en el generador, por desplazamiento mecnico.de ste o bien del imn.

4.2.-

Aplicaciones basadas en el control de tensin de Hall por variacin simultnea de B e i|.

Son las que hacen uso de la propiedad multiplicativa del generador.

El esquema bsico de la multiplicacin analgica por elemento Hall es el de la f i g .
4 - 1 . La tensin de salida V^

es, en determinadas condiciones de linealidad, pro-

porcional al producto de las corrientes

i| e ip

donde

ip

es la corriente magne-

tizante.
Sustituyendo funciones de inters por

i| e ip

es posible conseguir dispositivos ope-

radores, medidores de potencia, moduladores, m u l t i p l e x o r e s . . . La seal de salida

puede visualizarse, grabarse o utilizarse para indicacin remota,

4 . 2 . 1, -

Multipl icador

Un multiplicador analgico real tiene el diagrama de bloques de la f i g . 4 - 2 ,

que el corazn lo constituye el multiplicador Hall de la f i g . 4 - 1 .

en

Los amplificado-

res realizan la adaptacin a las seals exteriores. Estas seales son tensiones de
amplitud proporcional y de las mismas frecuencia y fase de aquellas magnitudes f
sicas que se quieren manipular.
Nos parece que conseguir un multiplicador de efecto Hall de grandes resultados en

- 73 -

cuanto a los mrgenes posibles de amplitud y sobre todo de frecuencia es lo ms

difcil que se puede intentar con este elemento. Todos los errores inherentes al generador, que se han sealado en el apartado 3 . 1 1 , pueden estar presente y hay que
eliminarlos.

Esto complica los circuitos y encarece todo el dispositivo hasta tal

punto que el diseador se ver obligado a llegar a un compromiso, aceptando unos

determinados porcentajes de error .
Daremos algunas normas prcticas.
Como semiconductor quiz sea preferible emplear Asn por su pequeo coeficiente
de temperatura, aunque finalmente lo mejor es encerrar el conjunto del generador
en una estufa con termostato, regulada a una cierta temperatura.
La pastilla semiconductora

( normalmente entre placas de ferrta ) se sita en el

entrehierro de una bobina con ncleos. N o hay que olvidar que el entrehierro es
proporcional a la intensidad en el arrollamiento
En este sentido interesara que fuera pequeo.

para una densidad dada de f l u j o .

Pero por otra parte, el error por

histresis en ccntinua es inversamente proporcional al, entrehierro. De ah que no

pueda hacerse demsiado pequeo.
En cuanto al ncleo magntico, sabemos que la ferrita permite un buen ancho de
banda. En cambio presenta algunas desventajas respecto de muchos materiales dehierro : tiene baja densidad de saturacin

( lo cual, despus de todo,

pudiera no

tener mayor importancia, dado que las placas de ferrita del propio generador l i m i tan de suyo la densidad ) y gran error de histresis en continua.
Referente a los amplificadores se construyen de transistores, ms adecuados por las
intensidades de corriente y resistencias internas.

Las etapas de los mismos se aco-

plan directamente, con objeto de permitir el funcionamiento incluso para seales

continuas.

El amplificador de producto suele presentar problemas de deriva. Para

conseguir estabilidad en los amplificadores puede ser necesario recurrir a reducir

la respuesta en frecuencia de alguna etapa.

El empleo de realimentacin, sobre

todo en el amplificador de corriente de campo, mejora la respuesta en frecuencia,

al ensanchar el margen de que la corriente est en fase con la tensin seal correspondiente.

- 74 -

La respuesta total en frecuencia del conjunto es pobre y depende de los nfveles de

entrada.

La respuesta viene limitada por muchas causas, entre las cuales las capa-

cidades propias de pastilla y circuito excitador, las dificultades del circuito magntico ( material del ncleo, capacidades entre hilos del devanado, entre devanado y ncleo, entre ncleo y pastilla, histresis, saturacin, e t c . . ) Por el momento, los dispositivos realizados tienen una frecuencia mxima til de unos pocos
kilociclos.
La casa Blackburn produce o produca el multiplicador BIE 294,

que admite en

sus dos entradas amplitudes de -

100 milivoltios en continua y en corriente alter-

na hasta varios cientos de ciclos.

La salida puede llegar hasta -

bre una carga mnima de

de

10 K l , con un ruido mximo de

10 voltios so-

10 mV. El cristal es

A s n . Hemos tenido ocasin de realizar algunas experiencias con este aparato

en el verano de 1963.
Multiplicando dos seales senoidales de la misma frecuencia y fase
Acoswt.Acoswt =

A2

( 1 + cos2wt )

( 4.1 )

y comparando la seal de salida con una de las de entrada en un oscilgrafo de doble v i a , se obtena una componente continua superpuesta con otra alternativa pura de la misma amplitud que la continua y frecuencia doble que la seal de entrada.
S i se realizaba el producto de dos tensiones de

100 m V . , mxime admisible segn

las especificaciones, recogamos resultados correctos hasta 200 c/s, aproximadamente.

A l disminuir la amplitud de las seales de entrada aumentaba considerable

mente el margen til de frecuencias y para seales de alrededor de 30 mV. poda

operarse con toda esqctitud hasta unos 600 c/s. Variando slo la frecuencia de la
seal de entrada al canal de corriente de control la respuesta es mucho mejor.
U n folleto de Beckman Instruments, fechado en Marzo de 1964, presenta un m u l t i plicador analgico con entradas posibles mximas de da de -

10 voltios.

pico a pico son

100 voltios para una s a l i -

Las frecuencias mximas a las que se obtienen 20

15 Kc/s

para el canal X

- 75 -

y 2 Kc/s

para el canal Y .

voltios
Presenta

deriva y errores, calibrados por el fabricante.

Y

100,

A s , la siguiente tabla para

lOO.senwt:

frec, c/s.

error,

defasaje

de escala total

100

0,25

0,22

500

1,00

0,52

1000

2,00

1,02

La variedad de resultados puede ser tanta como la de fabricantes,

Basados en el efecto de multiplicacin es posible realizar diferentes operadores:
multiplicadores de tres, cuatro., .ene magnitudes, inversores y divisores. Por ejemplo, en la f i g .
nal a ip.

4-3

se realiza la inversin de una magnitud cualquiera proporcio

El sistema debe disearse de tal manera que se regula la tensin de Hall

a un valor constante a travs del amplificador, que puede ser magntico.

4.2.2.-

= f =

c.lp.,;

1,

Entonces

(4.2)

Medida del par de un motor de corriente continua

El par M

es proporcional al producto del flujo de la pieza polar y la corriente de

inducido.
M~0.l

(4.3)

En el punto medio de una pieza polar puede considerarse que la induccin B

proporcional al f l u j o , en mquinas compensadas.

es

Si se coloca un generador Hall

en dicho lugar, de tal forma que se vea atravesado por B ^

como campo de control

y se hace pasar por los terminales de corriente de control una parte de la de inducido, la tensin Hall excitada, proporcional a B m . l .
tanto al

par.

- 76 -

lo es tambin a Q U .

y por

c.V, =
h

M =

+ M

(4.4)

El par motor esta compuesto de dos sumandos, M

til ) , que predomina sobre el anterior.
yor parte de las aplicaciones.

( par de prdidas) y M
( par
p
u
suele ser adems constante en la ma-

La variacin de la tensin con el par til es una

recta cuya pendiente y ordenada en el origen son fciles de determinar en cada

caso. Con un mtodo basado en est principio puede regularse un motor de c o - rriente a un par constante.

4.2.3.-

Multiplexor

Supongamos las dos entradas senoidales y , para mayor generalidad, de diferentes

amplitudes y frecuencias y cori un defasaje
i]
B

X.senw^t

Y.sen

(4.5)

( w2t

+f)

(4.6)

Realizados el producto y una sencilla conversin trigonomtrica del mismo, tenemos :

K
V =

X.Y
-.eos ( w 1

2
K

X.Y

T5
K
=

.X.Y
-j

w2)

-r

.eos

t-

W]

+ w2)

t + 2>J

K..X.Y
.cos(wdt

-J))

wd =

.cos-( w t + J ) )

(4.7)

dpnde

w2

( 4.8)

w. + w0
\

( 4.9)

W]

Un examen de las ecuaciones revela que ninguna de las frecuencias originales aparece a la salida. Por tanto :

- 77-

a) La salida est libre de portadora.

La informacin est contenida en cual-

quiera de las bandas laterales.

b) N o est sujeta a distorsin de modulacin.

La seal puede ser de mayor am

plitud que la portadora.

c) N o hay restriccin en cuanto a la relacin de frecuencia seal a frecuencia
portadora.
d) Lo que se detecta es el nivel de la entrada ( no su variacin ) , lo que permite una buena respuesta transitoria.

4 . 2 . 4 . - Analizador de espectro de frecuencia

La ecuacin ( 4 . 7 ) , supuesta constante a todas las frecuencias la amplitud del carn^
po magntico, se convierte en

k x

r-

V = - 4 . e o s

-r

W]

w2)

k 2 .x

t - <J>
J

Si X

p
eos

" f w"

w2 ) t +
(4.10)

representa la amplitud de corriente de la seal a analizar, fcilmente s cons

tituye un analizador de espectro.

Varese, sin alterar su amplitud, la frecuencia

de la corriente de la bobina de campo hasta que w^ =

K
V2

K
.cos(p-

Wg.

Entonces

X
.eos ( 2 W ] t

+<p)

( 4.11 )

y un voltmetro de corriente continua conectado a la salida dar en ese momento una

lectura, que es proporcional a la amplitud del armnico que se investiga.
U n dispositivo de este tipo es muy simple y tiene una resolucin muy elevada, tanto
que en un instrumento prctico pudiera ser necesaria alguna forma de control automtico de frecuencia.

Su frecuencia superior viene limitada por la exigencia de

tener que obtener un campo magntico senoidal a dicha frecuencia.

u t i l i z a un oscilador de potencia.

Para ello se

Como el nivel de salida est determinado por la

- 78 -

amplitud de la componente y por el valor del campo, la frecuencia superior lo estar en definitiva por la sensibilidad deseada.

N o resulta dificil llegar a varios mega

ciclos.
Es posible que la principal aplicacin de este dispositivo est en la gama de las f r e cuencias de audio sustituyendo a los analizadores convencionales de filtros muy s i n tonizados.

Un analizador de efecto Hall permite detectar un buen nmero de arm-

nicos.

4.2.5.-

Vatmetro

Tambin cuando las dos seales en el multiplicador Hall son de la misma frecuencia
puede constituirse un traductor de potencia.

V2

K, . X . Y
^
.eos (f)

K. .X.Y
L -

En este caso ( 4 . 7 ) se reduce a :

.eos ( 2wt + vp )

(4.12)

El primer sumando es un trmino de tensin continua proporcional al producto de las

amplitudes de las dos seales y al coseno del ngulo de defasaje entre las mismas.
Cuando X es proporcional a la corriente o a la tensin en una carga e Y

a la ten

sin o corriente en la misma carga, el trmino es proporcional a la potencia media

y la medida se realiza con un voltmetro calibrado de corriente continua.
En la figura 4 - 4 , 1 =

I 1 , con el pequeo error de la corriente que se desva por el

primario del transformador y V

V 1 , salvo la caida despreciable de tensin en la

bobina excitadora de campo.

Del primer sumando de (.4. 12 ) se desprende la posibilidad de detectar o medir cambios en el ngulo de fase, lo que da origen a otros dispositivos, como puede ser un
discriminador de fase.

El segundo sumando permite duplicar frecuencias, medir fac-

tores de potencia, voltiamperios, etc. . . .

En el mercado existen vatmetros de co-

rriente industrial, para red mono y trifsico, en los que no hay problema con la frecuencia ( 50 o 60 c/s, )

- 79 -

El elemento H a l l , por sus dimensiones y por su inherentemente extensa respuesta en

frecuencia, resulta

muy adecuado asimismo para medir potencias en conductores ta-

les como cables coaxiales

El campo elctrico

( f i g . 4-5

( a)

/ o en guias de. onda,

( fig. 4 - 5 ( b )

E del.vector de Poynting produce la corriente en la sonda y el

campo magntico necesario.

El umbral de excitabilidad de la sonda es muy bajo y

en est sentido se adquiere una ventaja respecto del empleo de t.ermistancias.

Es conveniente situar la sonda en un lugar donde el campo magntico sea fuerte antes que lo sea el elctrico, a causa de la. I imitacin impuesta por la disipacin del
elemento.

Es deseable incrementar el flujo mediante algn concentrador magntico

como anillos de alta permeabilidad, ncleos, etc.'..

Hay que disponer circuitos pa-

ra eliminar la accin rectificadora de las conexiones. Es necesario tener en cuenta

un gran nmero de factores y , en resumen, puede decirse que no parece resultar fcil por ahora el empleo de sondas Hall en la medida de potencias de alta frecuencia.
En torno al empleo del efecto Hall en la tcnica de microondas es importante conocer los trabajos de Barlow.
N o nos resistimos a citar aquf y describir someramente el principio de una nueva tc
nica, que permite mejorar los resultados de los dispositivos de microondas basados
en el efecto Hall ( vatmetros, mezcladores, atenuadores v a r i a b l e s . . . ) . Esta tcnica se denomina de "refuerzo de los campos de alta frecuencia por medio del efec
to H a l l " ,

En 1960 Midgley demostr que, cuando una corriente continua recorre r.a-

dialmente un semiconductor en forma de disco de Corbino, el cual est sometido a

la accin de un campo magntico axial, el efecto Hall del disco produce una co
rriente circular que, segn el sentido de la corriente aplicada, tiende a oponerse o
a reforzar el campo magntico.

En un semiconductor tipo

n de gran conductividad

con una corriente de sentido periferia-centro, el campo axial se ve reforzado.

Esta propiedad es particularmente til cuando materiales como Asn

o Sbln se ma-

nejan en muy alta frecuencia, con la consiguiente dificultad de penetracin por el

campo magntico.

La tcnica slo es vlida en semiconductores cuya componente de

densidad conductiva prevalece.

Un vatmetro de efecto Hall basado en este princi-

- 80 -

pi es ligeramente distinto

( ya que hay que proveer los medios para una corriente

radial ) de uno clsico.

4 . 3 . - Aplicaciones basadas en el control de tensin d Htall por variacin de B

4.3.1. -

Medida de campos magnticos

La medida de un campo magntico con un generador Mal se basa en el hecho de que,

si se mantiene la corriente de control constante y se consigue unaadaptacinlineal,
la tensin Hall es directamente proporcional a la componente del campo magntico
normal a la pastilla semiconductora.
La idea de aplicar el efecto Hall a la medida de los campos magnticos es antigua,
pero la solucin autnticamente prctica slo ha sido posible a partir de la conse
cucin de las uniones intermetl icas, hacia el ao 1952.

Parece que la primera a -

plicacin tcnica del efecto Hall fu la medida de campos magnticos por medio de
un dispositivo basado en el efecto Hall del germanio \ 1 9 4 8 ) .
La utilizacin del generador Hall tiene, sobre todos los procedimientos hasta ahora
empleados en dichas medidas, tres importante y fundamentales ventajas:
1) Es proporcional al valor absoluto del campo.

Elimina por tanto las partes m-

viles.
2) Debido a su pequesimo tamao permite la medida punto a punto y el acceso fcil en cualquier circunstancia.
3) Como la nica componente d la induccin magntica que interviene en su
funcionamiento es la normal , permite asimismo la determinacin precisa de la direccin y amplitud.
Los campos, por lo que se refiere a su medida con esta nueva tcnica, se pueden d i vidir en intnsos y dbiles.
Para la medida de campos dbiles no alternativos se presntala dificultad de la ten-

- 81 -

sin de Hall residual inherente con campo nulo.

Esta tensin perturba la medida, aun

que se puede compensar con circuitos exteriores de resistencias.

En la gama de 0 a

50 gauss existe un artificio que consiste en aumentar la sensibilidad del generador

concentrando el campo magntico mediante dos barras de alta permeabilidad, mymetal o f e r r i t a , como ilustra la figura 4 - 6 .

De est forma se eleva la intensidad del

campo en la proximidad de la sonda y como consecuencia la tensin H a l l , lo que pe

mite considerar despreciables los efectos

perturbadores.

Este dispositivo presenta, sin embargo dos inconvenientes : en primer lugar limita el
margen d medidas, en principio hasta 40 o 50 gauss, debido a la rpida saturacin del concentrador. Por otra parte, a causa de la deformacin del campo, producido par las barritas de metal, no se consiguen medidas precisas ms que en el caso
de campos homogneos

o de gradiente dbil.

Para obtener distintos mrgenes hay que variar el nivel de saturacin utilizando distintos materiales concentradores. Existen generadores de Asn con una sensibilidad
_5
del orden de 10
voltios/gauss.
Con este elemento y en este orden de magnitud se realizan medidas del campo te
rrestre, del campo de dispersin presente en las proximidades de grandes masas de
hierro, por ejemplo para la deteccin de yacimientos de mineral. Se ha desarroIlado un inclinmetro para la medida de la inclinacin del campo terrestre, que u t i l i z a las propiedades directivas de una sonda con concentrador. La resolucin angular es de 3 minutos de arco y permite estudios de prospeccin de minerales.

Las

sondas Hall tambin son sumamente tiles para las medidas en entrehierros de aparatos electrotcnicos.
Respecto a la medida de campos magnticos elevados no alternativos, necesaria en
los centros de investigacin nuclear o en cualquier lugar donde existan aceleradores de partculas o grandes electroimanes, no hay ireonveiente alguno, poniendo
gran cuidado en l diseo de los equipos electrnicos que detectan, amplifican y
transforman la seal recogida en la sonda, en obtener una precisin absoluta de
_3
10
, slo superada por el muy delicado procedimiento de la resonancia magn-

- 82 -

tica nuclear.
Se puede til izar un generador de Asn

o de l n ( A s g gP^

mantiene su R. constante hasta unos 180

h

) l u e ' con un +

3%,

KG.

En el caso de campos magnticos elevados creados por una bobina en el aire, recorrida por una corriente, pueden realizarse medidas con una precisin relativa mayor
del

1% hasta unos 200 K G .

haciendo uso de dos sondas.

Primeramente se cal ibran hasta

nancia magntica.

17 0 20 K G con ayuda de un dispositivo de reso-

Se coloca la primera sonda, A , en el centro geomtrico de la

bobina y se hace que por sta pase la corriente para la cual se quiere conocer el
campo en dicho punto.

La sonda B

la colocamos en un punto tal que la tensin

de Hall producida est sobre la curva de calibrado anteriormente realizada.

den las tensiones Hall en A

y B , a las cuales corresponden campos

Se mi-

l primero de los cuales es desconocido , ya que no se encuentra en la curva de cal ibrado ( figura 4 - 7 )
Despus se disminuye la corriente en la bobina hasta que el campo creado en el punto en que se encuentra A
movemos.
H^'

sea idntico al medido previamente en B , cuya sonda no

Se miden de nuevo las tensiones, a las que corresponden campos H ^

Tenemos que

HBI

A2

<4-l3>

Y por la proporcionalidad entre corriente y campo:

HA2

a.l2

HB2

b.l2

(4.15)

HA1"

a.lj

(4.16)

De todas ellas se deduce:

- 83 -

( 4 . 14)

^A2

se

'ee

en

menor que 20

A1

(4.17)

A2'I2

ca!'krado,

curva

ya que forzosamente corresponde a un campo

KG.

Principales inconvenientes de las sondas de efecto Hall en la medida de campos mag^

nticos no alternativos:

su sensibilidad a los cambios de temperatura y la molestia

que significa no poder encontrar dos sondas iguales, an con la misma nomenclatura, lo que obliga a realizar un nuevo calibrado cada vez que se cambia de sonda.
La medicin de campos magnticos alternativos ofrece la dificultad de que la tensin de Hall ( en circuito abierto ) puede depender de la frecuencia de los mismos.
Afortunadamente en el caso de generadores sin circuito de material magntico o en
todo caso con un entrehierro bastante mayor que el grosor de la pastilla, la variacin con f

es insensible.

Debido a esto, como es natufal , se fabrican generado-

res sin ferrita especialmente diseados para medida de campos magnticos.

En cualquier caso es evidente que existen mrgenes de frecuencia en los cuales la
tensin no vara, pero de todas formas no hay nada que impida la medida de campos
magnticos alternativos, incluso de elevada frecuencia, siempre que se realice un
calibrado previo de la sonda.
Con objeto de resaltar el punto a que se ha llegado a nivel de fabricacin industrial
de equipos en este terreno de medidas, transcribimos algunos datos de un gausmetro de la Bell I n c . , recientemente aparecido. Permite la medida de campos cont
nuos y alternativos de 0 , 0 0 1 a 3 0 , 0 0 0 gauss en medidas puntuales con sondas
axiales, transversales y diferenciales.
hasta 400

Precisin

c/s.

- 84 -

1%. El margen de frecuencias va

4.3.2.-

Medida de corrientes continuas de elevada intensidad ( Ampermetro )

El dispositivo utilizado

( f i g . 4 - 8 ) se basa en la ley de Biot y Savart para un circui-

to magntico cerrado, atravesado por una corriente

^ H . d ?

I.

(4.18)

Para medir la corriente muy elevada que discurre por las barras correspondientes, se
rodea a stas de un yugo magntico dividido en dos partes, en cuyos entrehierros
se colocan dos generadores Hall alimentados por corrientes de control constantes.

Segn el corte de la figura anterior se tiene

FN.DE

donde

L 2

H +

F E

. FFE

(4.19)

es el trayecto medio del campo magntico en el hierro, 6 la magnitud

de los entrehierros y H ^ ,

H^,

Hp g

los valores del campo.

Jj
B

L1

L2

T '

>

)"

Escogiendo la forma y la sustancia del circuito magntico se puede conseguir que

H_

'

<

10

(4.21 )

por lo que tenemos

L1

L2

"

<4-2*>

La corriente continua que se trata de medir es proporcional a la suma de inducciones en los entrehierros y por tanto a la de tensiones. La constante de proporcionalidad se conoce perfectamente y adems se pueden calibrar los generadores.
Esta medida es independiente de los campos magnticos extrao?, del campo magn-

- 85 -

tico de los conductores de vuelta y de la influencia de las piezas ferromagntica.s

en los alrededores, siempre, por supuesto, que no se alcance la saturacin en ninguna parte del circuito magntico. Todo ello se desprende de la expresin de B i o t ,
que es invariable, incluso en presencia de campos perturbadores.
Utilizando generadores Compensado? ; respecto de la temperatura se puede mantner
la influencia por debajo de un +

1 %o

en un margen de +

de salida de un tal dispositivo alcanza alrededor de

1,5

construyen desde hace tiempo yugos completos hasta para

con errores en la medida inferiores al

15 2 C .

voltios

L a tensin

y 20 mw.

150 K A .

Se

por lo menos,

0 , 2 % para todo el conjunto del dispositivo.

El mismo procedimiento, pero con pequeas pinzas magnticas en lugar de yugos,

puede emplearse para medir corrientes no muy elevadas en cualquier punto de una
lnea elctrica.

4.3.3.-

Lectura esttica de programas magnticos

La lectura o transformacin en una tensin elctrica de un estado magntico remanente registrado sobre un portador magntico, ya sea banda, tambor o disco magnticos,
se ha venido realizando con una cabeza reproductora a induccin, basada en la pro
porcionalidad de la tensin inducida en una bobina con la variacin en el tiempo
"i
del f l u j o remanente. Para ello es necesario, como es lgico, la existencia de una
velocidad relativa, no menor que un determinado valor, entre la cabeza lectora y
el elemento portador del f l u j o .
Incorporando un generador Hall como cabeza sensible sustituimos.la ley de induccin
por una ley de proporcionalidad con el campo o el f l u j o magnticos. La ventaja i n mediata de esta sustitucin es la posibilidad de lecturas al mismo nivel de intensidad,
cualquiera que sea le velocidad de avance del programa.
En la figura 4 - 9 la capa semiconductora va dispuesta, por construccin, entre dos
placas de f e r r i t a , perpendicularmente a la banda.

Estas placas canalizan el flujo

magntico de tal forma que ste atraviesa casi normal al semiconductor. Una corrien

-86-

te constante ( unos mil amperios ) alimenta al mismo de modo qu se establece una

tensin entre los bordes superior e inferior.
Algunas de las ventajas de este mtodo de reproduccin respecto del que u t i l i z a la
cabeza inductiva son :
- La tensin de salida es independiente de la frecuencia.
- Para su realizacin slo es necesario un generador de pequeo tamao ( 6 , 5 x
7,3

10 mms. en el caso del Siemens SBV 5 3 6 ) muyprximo a la induccin mag-

ntica.
dedor de

El nivel de la salida es independiente de la anchura de la pista hasta alre1 mm., lo que permite por lo menos la duplicacin de la posibilidad de

almacenamiento en bandas de sonido, conservando la misma fidelidad.

- La completa transistorizacin de los equipos no ofrece dificultad alguna, porque
las resistencias internas del generador son hmicas puras, de valores comprendidos
entre 25 y 50

ohmios.

- Debido a la pequeez de las cabezas, los efectos perturbadores de induccin

son ms dbiles.

4,3.4.-

Transmisin de una seal sin contacto

Esta es una de las ms recientes aplicaciones y encuentra campo fructfero en ciertos procesos automticos.

Se basa en que los generadores Hall son elementos que

se pueden controlar magnticamente y reproducen un flujo magntico en forma de

una tensin proporcional.
? Qu debe entenderse por transmisin sin contacto ?: la transmisin de seales a
travs de cortas distancias sin que exista contacto mecnico entre transmisor y r e ceptor.
El principio d esta transmisin viene ilustrado en la figura 4 - 1 0 . Se introduce el
generador en el entrehierro de una pieza en forma de U , de gran permeabilidad y
pequea remanencia. Para magnificar las acciones magnticas se aumentan las ca-

-87-

ras de la pieza en U

por medio de unas lminas magnticas ( fig. 4 - 1 1 ) . El con-

junto de pieza, lminas y generador incorporado se llama cabeza receptora.

Con relacin a sta se debe desplazar una cabeza emisora, que puede ser un peque~
o imn, un dipolo magntico o, cuando se quiere transmitir mayor cantidad de i n formacin, una ordenacin magntica codificada. Debido al movimiento relativo
j
entre cabeza emisora y receptora vara el flyjo que atraviesa al generador y por
tanto la tensin de H a l l .
i

Esta tensin elctrica bascula un amplificador digital

i

transistorizado. Es decir, es posible anunciar la posicin relativa entre dos objetos mediante una,seal de suficiente potencia para excitar un rel, un motor o cual
quier dispositivo de gobierno. El conjunto de cabeza receptora y amplificador, al
no llevar partes mviles, puede construirse de una forma slida.
La figura 4 - 1 2

representa el modo de funcionamiento y un grfico de la tensin

de salida para distintas distancias entre emisor y receptor.

El generador es una pastilla entre dos placas de ferrita formando un sandwich. El material empleado es, con preferencia, antimoniuro de indio.

Este material produce

una comparativamente alta potencia de salida, con una dependencia con la temperatura no demasiado grande,
amplificador digital.

1% por grado, tolerable por fortuna si detrs lleva un

El generador con el que se han tomado las medidas de la f i g u -

ra anterior presenta resistencias de alrededor de 2 ohmios en ambos sentidos y se

puede excitar como mximo con una corriente de 500 m A . , con lo que se puede al
canzar

0 , 8 voltios, valor limitado por la induccin de saturacin en las ferritas.

La corriente de control utilizada ha sido de 400

mA.

Vemos en la figura cmo al situarse el imn exactamente en el punto simtrico sobre

la cabeza receptora la tensin es nula, pues no hay flujo a travs del generador. La
pendiente de la curva de respuesta es tanto ms aguda y la amplitud tanto mayor
cuanto que la distancia entre cabezas es menor.
Con tales caractersticas elctricas y geomtricas y un ampl ificador digital de un umbral de alrededor de
tos distantes

10 mV. puede determinarse la posicin simtrica de dos obje- -

2 cm. con una precisin de -

- 88 -

1 mm.

El dispositivo es an u t i l i z a b l e

a 7 cm.

con una precisin de -

5 mm. , bastante menor que la anterior.

Con

algunas modificaciones geomtricas y sobre todo con un emisor de campo ms poten

te se extiende el margen de utilizacin hasta
-

2 a -

15 o 25 cm. con precisiones

de

7 cm. en la determinacin.

Otpa forma de transmisin

(fig. 4 - 1 3 ) consiste en u t i l i z a r un dipolo magntico. La

respuesta elctrica es simtrica respecto al je de distancias y presenta un mximo

donde en la anterior era nula.

La primera forma de transmisin es idnea para aque-

llas aplicaciones en que se pretende una exacta indicacin de la posicin de un objeto mvil para un control preciso. Por ejemplo, sirve como interruptor magntico
de parada de un ascensor de las vagonetas de extraccin en las minas o conmutador de precisin para mquinas herramientas.

Por el contraro el procedimiento a ba-

se de dipolo rene condiciones para la transmisin de informacin con contenido

sf-no.
En ciertos casos de automatizacin , p. ej.

de cadenas de transporte de objetos con

plancha de hierro (carrocerias ) u otros procesos mviles, puede resultar difcil equipar a stos de Imanes permanentes. Entonces se recurre a una de las propias lminas
i
de hierro para el envo de la seal.

El procedimiento se basa en el siguiente prin-

cipio : el campo de dispersin de dos imanes permanentes paralelos tiene un plano

de simetra que no es atravesado por ninguna lnea de flujo

( fig. 4-14 ) .

se

coloca en este plano un generador excitado por corriente constpnte, la tensin Hall
ser nula. Cuando en las proximidades se coloca un trozo de hierro, se crea una
nueva distribucin de campo no simtrico y el generador detecta una seal Sobre
este principio y moviendo los hierros de diferentes formas, se; consiguen aproximadamente las mismas respuestas.
Igualmente es posible la conmutacin programada, utilizando generadores de alta
sensibilidad como el SBV

540 Siemens entre placas de ferrita.

antimoniuro de indio de 5/Lm,

inverso, de dimensiones totales

resistencias
10 x 7 x 6 , 5

Este generador, de =
i

50 y 25 ohmios en sentido directo e

mms. produce tensiones de varios ci^n

tos de milivoltios con campos produqidos por delgadas agujas magnticas. Estos pe-

- 89 -

queos imanes, por ejemplo de longitud 6 mm.

y dimetro 2 mm. , se pueden o r -

denar en lnea o en crculo, segn quieran controlarse procesos mviles longitudinales o giratorios, con l,as polaridades escogidas de acuerdo con el programa prefijado.
Esta cinta de imanes se hace pasar en el momento oportuno por un generador en la
forma que indica la figura

4-15.

La figura 4 - 1 6 presenta la respuesta elctrica de

un programa magntico cualquiera, antes y despus de excitar un amplificador digital.

Una variacin ms, entre otras que podpqn pormenorizarse, sobre el tema de la trans^
misin sin contacto, es un contador a distancia.
El contador puede ser uno de corriente trifsica, por ejemplo. El imn permanente
transmisor lo constituyen ahora dos en forma de corona de material muy ligero. Las
coronas, con dientes alternativamente magnetizadas, se colocan una enfrente d otra
y giran solidariamente con el disco contador. El generador Hall va alojado en un
entrehierro entre ambas, de forma que sucesivamente la atraviesan flujos opuestos,
con mximos positivos y negativos de tensin en los momentos en que dos polos pasan por encima del punto medio de la pastilla. Estas seales quasisenoidales pasan al
amplificador que |as amplifica y conforma rectangularmente, enviando los impulsos
al receptor lejano. El nmero de impulsos partido por el nmero de dientes de la corona es el nmero de revoluciones del disco contador. Para fines de cmputo a distancia va bien con

10 impulsos por revolucin, o sea

i

10 dientes / corona.
i

Ventajas: N o hay reaccin mecnica, elctrica o magntica sobre el contador. El

i
, 1
peso del dispositivo adosado es mnimo. Se compensa trmicamente con resistencias.

4. 3 . 5 . - Ampl ificador de potencia., Ose iIador

En determinadas condiciones de dimensionodo del circuito magntico es posible coni
seguir amplificacin de la potencia introducida por las bomas de corriente de excitacin de campo, manteniendo constante, continua y lo ms elevada posible la corriente de control del generador.
En efecto, sabemos que el nmero de amperios vuelta para producir un determinado

- 90 -

campo disminuye con el entrehierro. Esto quiere decir que la potencia de entrada
necesaria para obtener un cierto nivel a la salida disminuye tambin.

Calculando

el factor de amplificacin en funcin de las magnitudes fsicas y geomtricas de

electroimn.y generador e imponi'endo la condicin de que la corriente de control
no sobrepase la mxima permitida, se encuentra que ste es tanto mayor cuanto ms
elevada la movilidad del material y cuanto menor el entrehierro efectivo.
2
Con A s n

de 2 0 . 0 0 0 c m / V . s

y entrehierro de 20Jk se han obtenido ganancias de

10.
Las oscilaciones pueden conseguirse cerrando el circuito de Hall por una capacidad
en serie con el arrollamiento de campo. Las frecuencias, como en todos los dems
casos, vienen limitadas por el circuito magntico excitador.

4.3.6.-

Modulacin de pequeas seales continuas o conversin de continua a a l terna ( chopper)

Los amplificadores de tensin continua de alta sensibilidad de entrada tienen un cero que no es constante con el tiempo. Por ello no sirven directamente para amplificar
pequeas tensiones, ya que su error de cero suele ser mayor que 1 0 / i V . La solucin consiste en transformar primero por medio de un modulador sensible la tensin
continua a amplificar en una alterna, amplificar como alterna y rectificar en fase.
El efecto Hall proporciona un medio nuevo para realizar esta modulacin.
Por dos caminos se puede realizar:
1 ) Se inyecta como corriente de control

i| del generador Hall una corriente1 a l -

ternativa constante con una frecuencia f . La seal de tensin continua se hace pasar
como corriente excitadora

ip

por un arrollamiento inductivo que produce un campo

magntico. La tensin resultante en los electrodos de Hall es una tensin alternativa proporcional a la corriente continua

ip, ya que Bocip. Esto seria un mod'ulador

Hall controlado desde las conexiones de campo. Ventajas: ausencia de contactos m-

- 91 -

v i l e s , separacin de potenciales entre las conexiones de salida y entrada, con posibilidad de aumento de potencia de la seal de entrada. Inconvenientes: la tensin
hmica en ausencia de campo de control y principalmente su variacipn con la temperatura y la histresis del ncleo de ferrita.
Por el momento este proceder slo da resultados correctos a partir de tensiones de unos
milivoltios.
2 ) Se conecta la tensin continua a modular a las bomas de corriente de control
del generador. Por la bobina de campo se hace pasar una corriente alternativa constante de frecuencia

f . A la salida del generador en circuito abierto aparece una ten-

sin alternativa de frecuencia

f , proporcional a la continua de entrcfda y al nmero

de amperios - v u e l t a .
Esta forma de modulacin no est tampoco libre de inconvenientes. En efecto, debido
al campo magntico variable se induce una tensin inductiva perturbadora en el c i r cuito de salida, defasada 902 respecto de la tensin de H a l l . Otra perturbacin r e sulta de las tensiones trmicas en el circuito de entrada por los contactos

InSb-Gu.

Estas tensiones, moduladas, aparecen a la salida en fase con la seal.til ;

Actualmente, con n diseo especial, se ha desarrollado un generador para modulacin
de pequeas seales que emplea este segundo procedimiento y evita casi totalmente
los inconvenientes mencionados. Su apariencia exterior es la de una cajita metlica ,
del tamao de una de cerillas o algo menor, con cuatro bomas metlicas por un lado
y dos por el opuesto. Para una frecuencia de modulacin de

1 Kc/s y corriente de

campo de 35 mA. la tensin inductiva parsita a la salida es menor que

1/V. E I

error de cero, referido a la entrada, en las mismas condiciones, es < 6 A V .

4.3.7.-

Transductor digital-analgico

Se aplica a la entrada del generador la mxima corriente posible y en el ncleo del

circuito magntico de excitacin se colocan n arrollamientos separados ( para codificar n dgitos binarios ) ( f i g .

4-18).

- 92 -

Con resistencias limitadoras se asegura que en cada arrollamiento la corriente magr

netizante sea la misma. Los dgitos se ponderan por diferentes nmeros de vueltas
en los devanados.
Por este procedimiento se han aplicado hasta

4.3.8.-

1000 nmeros binarios por segundo.

Transductor de desplazamientos mecnicos longitudinales

A l mover un generador Hall en un campo magntico no uniforme, vara la tensin,

aun manteniendo constante la corriente de control.
V2

K.fj ( B )

pero

luego

V2

K".f3

(4.23)

(x)

(4.24)
(x)

(4.25)

la tensin de Hall es funcin del desplazamiento en la direccin x . L o mejor es que

f.j ( B ) ,

f2 ( x)

y fg ( x ) seqn linales. Para conseguirlo es necesario qu el gra-

diente d la densidad de flujo sea constante y lo ms elevado posible. Se Consigue

con electroimn y piezas polares de forma especial tambin con dos imanes permanentes ( de f e r r i t a , por ejemplo) con los polos enfrentados. Esta solucin ltima es peor
porque el gradiente no es muy elevado y. vara el Flujo con el tiempo

( fig. 4 - 1 9 ) .

La respuesta depende por supuesto de_y y de l distancia entr imanes. Se calibra para un mximo que puede llevarse a un oscilgrafo.
Las dimensiones del conjunto y el peso de la parte mvil son pequesimos y por tanto
no hay apenas inercia ni rozamientos. >on posibles medidas de furzas mecnicas,
presiones, dimensiones> rugosidad de superficies y en general magnitudes relacionadas
con vibraciones mecnicas.
U n ejemplo: la constitucin de un acelermetro de efecto H a l l . En el caso de un acelermetro de lmina flexible con masa^M y constante de suspensin
nes d relacin d amortiguamiento

K , en condicio-

0 , 7 , la aceleracin puede expresarse por:

- 93 -

donde x es el desplazamiento del extremo libre de la lmina respecto de su posi

cin de reposo. S la lmina se termina por un elemento H a l l , de masa despreciable,
sumergido en un campo magntico, la tensin medir el desplazamiento.
Ventajas:

la respuesta es ms rpida que cualquier vdriacin mecnica. Permite la

medida de aceleraciones positivas y negativas. Es posible, mediante una proteccin

adecuada, proteger al instrumento contra cambios rpidos de temperatura.

4.3.9.-

Generador de funciones matemticas

U n generador convencional girando en un campo magntico uniforme .y alimentado

por una corriente constante engendra una tensin proporcional a la funcin seno o
coseno. Esto permite, entre otras, la medida a distancia de ngulos de giro.
Con dos muestras acopladas a un mismo eje de rotacin, formando entre s un ngulo
recto ( f i g . 4 - 2 0 ) , alimentadas en serie por la misma corriente y sumergidas en un
campo magntico uniforme, se constituye un transductor de giro ( resolver)
V.
1

k.B

max

.eos 0

V^
2

k.B

max

.sen 9

( 4.27)

lo que equivale a una transformacin de coordenadas polares a cartesianas.

En esta lnea y con diferentes artificios de circuitera y utilizando distintos ngulos
fsicos entre las muestras pueden generarse otras funciones trigonomtricas. A base
de campos no uniformes se obtienen tambin funciones exponenciales.
Volviendo el principio del revs, o sea, utilizando generadores Hall inmviles y r o tores mviles, constituidos por imanes permanentes, se han construido motores sncrones sin devanado ni escobillas, de mayor seguridad de funcionamiento, mejores mrgenes de frecuencia y dimensiones ms reducidas, muy aptos para funcionar en aeronaves
a gran altura.

-94-

4.3.10.-

Defasador

Como ejemplo de la gran variedad de aplicaciones posibles basadas en el efecto Hall

cuando se preparan las muestras en los laboratorios, describimos a continuacin la in
geniosa idea de principio de un defasador realizado en el Laboratoire Central des
Industries Elctriques.
El dispositivo defasador obtiene una tensin seal cuya fase reproduce un ngulo geomtrico.
El elemento semiconductor

( InSb ) , de forma cuadrada ( 6 mm de lado, 0 , 5 1 de es-

pesor ) ( f i g . 4 - 2 1 ) , est alimentado por dos corrientes elctricas de la misma amplitud y en cuadratura. El campo magntico B , en el plano de la muestra, forma un
ngulo ec con el ee

1 1 ' . La tensin se recoge en las caras superior i n f e r i o r del

elemento.
Es fcil de comprobar que el campo elctrico normal al plano del papel ( en la direccin de la tensin de Hall ) es
E = R..J
n
=

'

, B . (senocsenwt
o
.

R . . J .B.cos
h o

cosoocoswt)

( wt +oc)

(4.28)

Es decir, la fase de este campo ( de la tensin ) est controlada por la posicin angular del campo magntico.
Esta es la idea simplificada, que no es absolutamente correcta, porque supone invariable la distribucin de densidad de corriente en presencia de un cdmpo magntico.
Este defasador tiene la importante propiedad d que su funcionamiento es totalmente
independiente de la temperatura, ya queaf( 4 . 2 8 ) no est afectada por las variaciones de

R,.

- 95 -

4.4.-

Aplicaciones basadas en el control de tensin de Hall por variacin de

En este apartado pueden clasificarse los circuladores, giradores y aisladores, basados

todos en la no reciprocidad del generador H a l l .

4.4.1.-

Girador, Aislador

Creemos, con Kroemer, que ambos dispositivos pueden tratarse, en principio, como aspectos de un mismo problema. U n elemento no reciproco, cuyas resistencias de transferencia tengan la expresin general
R12

R21

rQ - R h

ro

(3.13)

( 3

U )

puede considerarse un giro acoplador. Girador y aislador seran entonces casos particulares del giroacoplador.
Caso particular:

girador. -

Cuando los electrodos estn equilibrados

r

Rj2

=
=

0
~ ^2]

(3-12)

condicin de girador, lo que ocu-

rre en el generador clsico, se tiene un girador H a l l . Parece que esta propiedad t o ma el nombre del hecho de que acuaciones semejantes son vlidas para el girscopo,
aunque en ste la relacin z ^ / z ^

es

P e c l u e a ' mientras que en el

girador de efecto Hall es mayor que la unidad y la prdida de transmisin considerable. Wick cifra la prdida minima terica en 7 , 6 6 db.
Caso particular: aislador.
Para un campo magntico cualquiera siempre puede encontrarse una separacin de
electrodos ( un desequilibrio ) tal que la caida resistiva

- 96 -

L.r

en los terminales de

entrada, causada por la corriente de salida, ser igual y opuesta a la tensin

L.R

H,

debida al efecto Hall ( f i g . 4 - 2 2 )

Entonces
R]2

(4.29)

R21

2.r0

condicin de

aislador
=

2.Rr

(4.30)

Esto significar que una corriente en la entrada producir una tensin de salida aumentada ( respecto del girador) pero que una corriente en el lazo de salida no producir
ninguna tensin en las bomas de entrada.

Tenemos un aislador, que permite slo un

flujo unidireccional, aislando completamente la salida de la entrada.

Respecto del material u t i l i z a b l e , los intermetlicos producen un buen rendimiento de
transmisin, pero un germanio por ejemplo, aunque inferior en este sentido, facilita
mayores niveles de impedancia.
EL problehde disear un aislador ptimo es el de maximizar la seal transmitida,
conservando por otra parte el completo aislamiento. La medida de dicha transmisin
viene dada por la conocida expresin ( con R ^ 2 =

4.R

] r

0 ) :

2 2

Se pued construir un aislador a partir de un girador ( f i g . 4 - 2 3 )

sistencias Rs|, y R s 2 ,
que

R J J

Rsl

shuntando con re-

que deben satisfacer la siguiente condicin, en el caso de

R22 :

Rs2

- f

r2

1 1

U >

C-3')

El rendimiento de la transmisin resulta mejor en el verdadero aislador. N i qu decir

tiene que las condiciones

de aislador en ambos casos slo se mantienen cuando perma-

necen constantes el campo magntico, la movilidad del material y la temperatura, o

-97-

sea, el ngulo de H a l l .

El sentido de aislamiento cambia invirtiendo el sentido del campo.

4.4.2.-

Circulador

Un circulador, como se sabe, es un dispositivo no reciproco, con varias entradas

( en nuestro caso tres puertas, seis terminales) que permite el paso de seal principalmente en un solo sentido, por ejemplo el de las agujas del reloj. A s f , una seal
en la puerta 11' sale toda por la 22' y nada por la 33' . Una seal de entrada en la
22' sale por 33' y no llega a 111 , etc.
En la pastilla de la figura 4 - 2 4 ( a ) el campo elctrico total es el resultante del
campo elctrico debido a la corriente de control y el campo de Hall
Ey

Ex.tg
E

O'c*

Ex. ( ^ . B . 1 0 ~ 8 )

E^ .

(4.32)

en volt/cm.
2

en cm / v o l t . s e g .

B en gauss
S i ahora se toma una pastilla circular ( figura 4 - 2 4 (b) ) segn la geometra de disco
de Corbino, y se colocan 6 contactos igualmente espaciados, puede conseguirse, pa-8

ra ciertos valores de la induccin magntica ( tg 9

tensin solamente en un par de terminales 22'

A j . B . 10

) obtener sal ida de

Para conseguir la circulacin sucesi-

va de la seal es importante que los contactos sean simtricos respecto a un eje central. N o hay nada que impida realizar circuladores de ms puertas, como no sea la
dificultad de establecer fsicamente los contactos, ya que, como hemos v i s t o , el
ngulo puede ajustarse ajustando B . El sentido de circulacin depende del sentido
de B .
A l acoplar una carga a los terminales

22' aparece una corriente y se produce un cam-

po de Hall adicional ( no representado ) que tiene como efecto disminuir el ngulo de

- 98 -

Hall efectivo en la pastilla. Por consiguiente se requerir un campo magntico ms

fuerte para equilibrar el circulador.
Existen dificultades tambin para conseguir ciertos niveles de admitancias en las entradas, por lo cual se emplean redes que acoplan impedancias en ciertos casos y dan
simetra a los circuladores. Se han obtenido relaciones medias de transmisin de 44
db. correspondientes a prdidas de 61 db en sentido inverso y de

17 db en sentido

directo.
Como ya se ha dicho, tericamente el tiempo de respuesta viene limitado slo por las
propiedades del material. El circulador de efecto Hall debera poder funcionar desde
0 c/s

hasta varios G c / s . es decir hasta la frecuencia de relajacin del dielctrico.

En la prctica, debido a la geometra de la pastilla ( contactos muy juntos y por tanto radiacin, efecto pelicular q u i z , e t c . . . . ) quedar considerablemente limitado
el margen. Parece que esto ltimo no se ha comprobado o por lo menos no ha llegado
a nuestro conocimiento.

- 99 -

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- 106 -

FIG. 1-1

FIG. 2-3

FIG. 1-4

O - o

(3O "

! sb

FIG. 2-1

InSb
000 300100 0-50

-tS

-t6osC

9.

JO~*qroc/~1

O*

3 j

6
9

temp

o/7?>e/?fe

y fe/ryo

obso/c/fo

FIG. 2-106

GoS
Km300too o-50

ISO

-t8oC

/o'

10^

i v r U W *

/&77/D ^ o>so/u/a
FIG. 2 - 3

iooo too o

4/S

-f80 C

-100

-160

9.10-* (/<r

//po

FIG. 2 - 4

mA

2
AiSh
tipo p

O'S

r |

12 10 6 7 f 4 3 21

1 2
or
FIG.

-20o"C

-150
10'

n.

nu

/O3
n3

nr

10'

Pe
10

Pb

ta
4

10
9

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12
osos/a

FIG. 2-6

14

(Hf' 18.10

-3

ns
s
I

)Y

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10

10

&
Q
O

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1
10

n.

10

T.A

>9

y M m p * obso/v/b

/ rj

-'

FIG. 2 - 7

2 TA A

10

FIG. 2-8

12

f4iO'

"/S)'

1000

$00

200

150

10

/_

10

<n

10

V
10

6000

<

'/t

Gouss

8.1o'

V * 1

FIG. 2 - 9

100

10*

-150c

-200'C
n*,
nt

*<0

"j
n,

TA
2

' 4

'/tempe

10

obso/uh

F I G . 2-10

12

14. 10
'}'

- 200 "C

1S0C

VT
F I G . 2-11

Pe

o'e

f!
%

o'4

0'2

B2(i'nc/ucc/dn

mognetico)*

FIG. 2-12

10
(Goass)

12.10"

F I G . 2-13

ctn/As
Z50\

ZOO-

1?

150

too
50

20 W

SO 90 OO 120 140 t0180

temparoJuro -

en uo/c/oc/es //neo/es no

FIG. 2-14

200C

/oyor/im/cos

X l0" Sl'cm

InAs

Ia 7*
0)

r
i

S>
g

17
50

100

150

JempercA/ra
FIG. 2-15

's

InSb

300
Rh

200
InAs
100

100

50
B

FIG. 2-16

SOO"C

150KG

FIG. 3 - 1

i,
/

N
2

FIG. 3 - 2

y
xa.

H-

(o)

/>
'*fJ

e/ecfo /-/o// primario

efecto No/1 secuoc/or/o

FIG. 3 - 3

Lt

3
Vi

FIG. 3 - 4

Vi

FIG. 3-5

Vi

FIG. 3 - 6

^ fnnt

FIG. 3-7

80

20 lo
J

LyAvfdb)

D.

OCT

FIG. 3 - 8

^OlgA

Q f

FIG. 3 - 9

20 y Ap

Rat.

Rija;

yfl

- 6

FIG. 2-10

oct

FIG. 3-11

8.10

jx.cin
6

V
Qj

4
1

3!

induccin

HG 10

magntica
FIG. 3-12

FIG. 3-13

o . O-O /
b
/ S Z

o'e

/
a

y A

k0b

OA
y^O.2
o'z

induccin

mog/neca

iOKG
-

FIG. 3-14

o/

1*1

\
it

efeab
Ho/t

magneto rre$ishf?c/Q

groncfe

pequeo

med/'o

medio

designacin

generador
Ho//

U -M f

B
>N
n

~b

il 1 1

>i

pequeo

<jronde

Ju
FIG. 2-15

reste fe/7c/o controiobie.

por
ei
campo

inducc/r> mogfico

KSO

B
FIG. 3-16

6
B

FIG. 3-17

tmc*

I
6t

Bm

induce/t*?

mopofieo

FIG. 3-19

6
%
S

FAj

porome/ro

10

12

oa ocop/o

14 16

FIG.3-20

0'1

oba

obe

1*

> 0'02

3On

12

16

por medro efe ocop/o

FIG. 3-21

nc/ucc/o /7?op/?a//ccy
FIG. 3-22

20

<\l
-r.
Ai Un

1:

4 4
12

a.

A* no

mor
2

ftt
KG10

indi/cc/o/? mogneZ/co

FIG. 3-23

FIG. 3-24

p/aca

horno os ra/fye A/o//

o/e ferri/o
st//oer/'or

p/oco c/e /bj

k, /n/kr/or

Cristo/

oreo c/e oon/oo/o

p/o/eoc/o

hornos
hornos poro

c/e so//o/e /-/o//

corr/en/e c/e con/ro/

FIG. 2-25

yeneraofor-

corrie/y/e a
compo

FIG. 3-26

e/ec/roc/os c/e coa/ro/

ekc/rodo3 de A/o//
posadero 06 /err/'/o
cuoc/ror> <?i//or
posM/o

sem/c on c/oc/oro
JnS6 ~ &flf/rr

p/ooos

o/e /emito

/erm/'no/es

so/o/oo/os

FIG. 3-27

patpt/e&s

B'

C' D'

/ois/o-

oes rior/TToe/ec/r/cos

{o)

A e c o

(di

(O

o/s/ador

girador $fm/r/co
FIG. 2-28

FIG, 3-30

Vro r0

FIG. 3-31

l,

e.

FIG.3-32

FIG. 3-33

FIG. 3-34

-Hall
enrac/o
FIG.3-35

ISO

too

-6

80
60

i
$
1

40
20

0
B

exc/fac/n por corriente efe.

excitacin por vo/fo/e c/s.
>'4 Kt'/oyoJ3& o/a.
80

40

60

FIG. 2-36

80

lOO

corriente c/s compo /mA).

ocero o/ s///c/ c/e <?rono or/on/oc/o.
40%

M,

Sa%Fe.

FIG. 3-37

//

gen&roc/or
X

s.
6,

FIG. 4-1

FIG. 4-2

FIG. 4-3

carga

i'nea

FIG. 4-4

(J
FIG. 4-5

FIG.3-6

a
bobino

dia/oncio

FIG. 4 - 7

en/rehierro poro
a/ gonerodor
eodneA/erso
1
\

entrehierro
2

FIGi 4 - 8

pbcos

do ferrifct

pasA'/fcr &em/condue/oro

'toado moy/t^po

( f t f j p f f i i t i <
dominio

n?o^ne//xoc/o
FIGi 4 - 9

>>>>-(> > zz\

\copo

par/bdc'o/-

mognefeofob

FIG. 4-13

1 generochr

So//

2 imanes
pormonenfajs

3 p/orfo oh
s/me/no

FIG. 4-14

O'SSmm.
optaos

generador /-/oM
c/?opos de Mi/ma/o/i

FIG, 4-15

mopne'cos

tenafn

ienaion Hof/

FIG. 4-16

receptor

coniodor
ompUfc oo/or
FIG. 4-17

V W

-.

A/ vue/fos

i
*

- nJc/ao

-AAAr
2N

vue/tos

-VW-

"i
s

3J\J vua/tos

efc

H
FIG.3-18

V*

eojs/n
oo/opa

por/onca
FIG. A19

mon

FIG. 4-20

J eos
B

FIG. 4-21

FIG. 2-22

lo sen

A/WW
Vi

VAA/-

FIG.4-23

B*

o o ^

(o

FIG. 4 - 2 * .