Disipacin trmica

Como se ha visto en otros captulos, la temperatura de la unin

ejerce un efecto decisivo sobre el comportamiento de la misma, por
lo que ser ste un parmetro importante de controlar, debido a que
la unin, podr destruirse debido a un exceso de temperatura de la
misma, adems de que una mayor temperatura de la misma, hace
variar sus caractersticas de conduccin, lo que tambin la puede
llevar a la destruccin.
Es muy importante, por lo tanto, que el calor que en un
funcionamiento normal se produce en la unin, pueda ser evacuado
al exterior (al aire circundante) mediante el uso de disipadores, bien
sea con ventilacin natural (por conveccin) o bien mediante
ventilacin forzada (con ventiladores). De esta forma, el
semiconductor , podr soportar una mayor potencia, un mayor paso
de corriente a travs de l sin que quede destruido, adems de ser
ms estable ante las variaciones puntuales de intensidad.
Introduccin
El estudio trmico de los dispositivos de potencia es fundamental
para un rendimiento ptimo de los mismos. Esto es debido a que en
todo semiconductor, el flujo de la corriente elctrica produce una
prdida de energa que se transforma en calor.
El calor produce un incremento de la temperatura del dispositivo. Si
este incremento es excesivo e incontrolado, inicialmente provocar
una reduccin de la vida til del elemento y en el peor de los casos
lo destruir.
En electrnica de Potencia la refrigeracin juega un papel muy
importante en la optimizacin del funcionamiento y vida til del
semiconductor de potencia.
Propagacin del calor
En todo semiconductor el flujo de la corriente elctrica produce una
prdida de energa que se transforma en calor. Esto es debido al
movimiento desordenado en la estructura interna de la unin. El
calor elevar la energa cintica de las molculas dando lugar a un
aumento de temperatura en el dispositivo; si este aumento es
excesivo e incontrolado provocar una reduccin de la vida til del
dispositivo y en el peor de los casos su destruccin.

Es por ello que la evacuacin del calor generado en el

semiconductor es una cuestin de gran importancia para asegurar el
correcto funcionamiento y duracin del dispositivo.
La capacidad de evacuacin del calor al medio ambiente podr
variar segn el tipo de cpsula pero en cualquier caso ser
demasiado pequea, por lo que necesita una ayuda adicional para
transferir el calor disipado mediante un dispositivo de mayor
volumen y superficie conocido como disipador de calor, el cual
hace de puente para evacuar el calor de la cpsula al medio
ambiente.
Formas de transmisin del calor
La experiencia demuestra que el calor producido por un foco
calorfico se propaga por todo el espacio que lo rodea. Esta
transmisin del calor puede producirse de tres formas:
1. Conduccin:Es el principal medio de transferencia de calor. Se
realiza por la transferencia de energa cintica entre molculas,
es decir, se transmite por el interior del cuerpo establecindose
una circulacin de calor. La mxima cantidad de calor que
atravesar dicho cuerpo ser aquella para la cual se consigue una
temperatura estable en todos los puntos del cuerpo. En este tipo
de transmisin se debe tener en cuenta la conductividad trmica
de las sustancias (cantidad de calor transmitido por unidad de
tiempo, superficie, gradiente de temperatura).
2. Conveccin:El calor de un elemento slido se transmite
mediante la circulacin de un fluido que le rodea y este lo
transporta a otro lugar, a este proceso se le llama conveccin
natural. Si la circulacin del fluido est provocada por un medio
externo se denomina conveccin forzada.
3. Radiacin:El calor se transfiere mediante emisiones
electromagnticas que son irradiadas por cualquier cuerpo cuya
temperatura sea mayor a cero grados Kelvin. El estado de la
superficie influye en gran medida en la cantidad de calor
radiado. Las superficies mates son ms favorables que las
pulidas y los cuerpos negros son los de mayor poder de
radiacin, por este motivo se efecta un ennegrecimiento de la
superficie radiante. La transferencia de calor por radiacin no se
tiene en cuenta puesto que a las temperaturas a las que se
trabaja, sta es despreciable.
Parmetros que intervienen en el clculo
Para que un semiconductor disipe la potencia adecuada, hay que
mantener la temperatura de la unin por debajo del mximo
indicado por el fabricante.

El paso de la corriente elctrica produce un aumento de la

temperatura de la unin (T ). Si sta se quiere mantener a un nivel
seguro, debemos evacuar al exterior la energa calorfica generada
por la unin. Para que se produzca un flujo de energa calorfica de
un punto a otro, debe existir una diferencia de temperatura. El calor
pasar del punto ms caliente al ms fro, pero aparecen factores
que dificultan este paso. A estos factores se les denomina
resistencias trmicas.
j

Por lo tanto, aprovechando la ley de ohm realizamos la siguiente

comparacin elctrica mostrada en la figura adjunta. Asemejaremos
las temperaturas a tensiones, las resistencias trmicas a las
resistencias hmicas.
Al igual que en un circuito elctrico, se puede decir que:
De la figura se obtiene la expresin:

Resistencias trmicas
En la siguiente figura se muestra la igualdad entre el circuito
equivalente de resistencias trmicas y los elementos en un montaje
real:

R : Resistencia unin-contenedor.
R : Resistencia contenedor-disipador.
R : Resistencia del disipador.
T : Temperatura de la unin.
T : Temperatura del contenedor.
T : Temperatura del disipador.
: Temperatura ambiente.
jc

cd

Ta

Resistencia Unin-Contenedor (Rjc)

En este caso el foco calorfico se genera en la unin del propio

cristal semiconductor, de tal forma que el calor debe pasar desde
este punto al exterior del encapsulado.
Generalmente este dato lo suministra el fabricante, y depender del
tipo de cpsula del dispositivo. Aparecer bien directamente o
indirectamente en forma de curva de reduccin de potencia. En la
figura siguiente se muestra este tipo de curva.

Esta muestra la potencia en funcin de la temperatura del

contenedor. En ella la pendiente de la recta dada es la resistencia
unin contenedor. La frmula que se utiliza para el clculo de esta
resistencia es:

Donde estos datos se obtienen de la curva de reduccin de potencia,

que ser propia de cada dispositivo. Deberemos de tener en cuenta
que P es la dada por el fabricante y no la que disipar el dispositivo
en el circuito. Normalmente T vale 25 C.
d

Si tomamos de un manual los datos correspondientes a un 2N3055

sern:

Sustituyendo estos valores en la siguiente ecuacin, se obtiene el

valor de la R :
jc

y sta es, precisamente, la Rjc indicada en los manuales para el

2N3055.
Resistencia Contenedor-Disipador (Rcd)

Es la resistencia trmica entre el semiconductor y el disipador. Este

valor depende del sistema de fijacin del disipador y el
componente, y del estado de planitud y paralelismo de las
superficies de contacto, puesto que a nivel microscpico, solo
contactan por unos puntos, quedando huecos de aire que entorpecen
la transmisin del calor.
Tambin depende del tipo de material que se interponga entre
ambas superficies de contacto. Los elementos que se sitan entre la
cpsula y el disipador pueden ser de dos tipos:
a. Pastas conductoras de calor, que pueden ser o no ser
conductoras de la electricidad.
b. Lminas aislantes elctricas que se pueden emplear
conjuntamente con siliconas conductoras de calor como mica,
kelafilm, etc. Tambin las hay conductoras de calor que no
precisan pasta de silicona.
El tipo de contacto entre cpsula y disipador podr ser:
Directo.
Directo ms pasta de silicona.
Directo ms mica aislante.
Directo ms mica aislante ms pasta de silicona.
El valor de esta resistencia trmica influye notablemente en el
clculo de la superficie y longitud que debe disponer la aleta que

aplicaremos al dispositivo a refrigerar. Cuanto ms baja es

R menor ser la longitud y superficie de la aleta requerida.
Por ejemplo, para una cpsula TO.3 se tiene que con contacto
directo ms pasta de silicona la R = 0,12 C/W, que con contacto
directo R = 0,25 C/W, que con contacto directo ms mica y ms
pasta de silicona R = 0,4 C/W, y que con contacto directo ms
mica R = 0,8 C/W.
Por lo tanto podemos decir, que cuando no sea necesario aislar el
dispositivo, el tipo de contacto que ms interesa es el directo ms
pasta de silicona, ya que da el menor valor de R y si hubiese que
aislar con mica interesa montar mica ms pasta de silicona ya que la
R es menor que si se monta solo con mica. Por ello podemos
obtener la siguiente conclusin: La mica aumenta la R mientras
que la pasta de silicona la disminuye y como se ha dicho cuanto
ms pequea sea la R menor superficie de aleta refrigeradora.
cd

cd

cd

cd

cd

cd

cd

cd

cd

Resistencia del disipador (Rd)

Representa el paso por conveccin al aire del flujo calorfico a

travs del elemento disipador. Este dato ser, en la prctica, la
incgnita principal de nuestro problema, puesto que segn el valor
que nos de el clculo, as ser el tipo de aleta a emplear. Depende de
muchos factores: potencia a disipar, condiciones de la superficie,
posicin de montaje y en el caso de disipadores planos factores
como el grosor del material y el tipo de encapsulado. Para el clculo
de la resistencia se pueden utilizar las siguientes frmulas:
Este valor de R no es el que da el fabricante ya que ste la
suministra sin disipador, y la que hay que utilizar es con disipador.
El fabricante la facilita como suma de R y R puesto que ignora el
tipo de disipador que utilizaremos.
Una vez calculada la R se pasa a elegir la aleta refrigeradora. Para
la eleccin de la aleta, habr que tener en cuenta que el tipo de
encapsulado del dispositivo a refrigerar sea el adecuado para su
montaje en la aleta disipadora que se haya elegido. Despus de
cumplir la condicin anterior hay que calcular la longitud o la
superficie del disipador elegido. Para ello es necesario disponer de
uno de los dos tipos de grficas que ofrecen los fabricantes de
disipadores, la R -longitud y la R - superficie. Segn la grfica de
que se disponga se obtendr un valor de longitud o un valor de
superficie de disipador que hay que montar para refrigerar
adecuadamente el dispositivo semiconductor.
ja

jc

Resistencia Unin-Ambiente (Rja)

ca

Como su nombre indica es la resistencia que existe entre la unin

del semiconductor y el ambiente. Con esta resistencia deberemos de
distinguir dos casos, el de resistencia unin ambiente con disipador
y sin disipador. Cuando se habla de resistencia unin ambiente sin
disipador, nos referimos a la resistencia unin contenedor junto con
la contenedor ambiente:
Este valor es suministrado por el fabricante en funcin del tipo de
contenedor. Cuando se habla de la resistencia unin ambiente con
disipador nos referimos a la suma de la resistencia unin contenedor
(R ), la resistencia contenedor disipador (R ) y la resistencia
disipador ambiente (R ):
jc

cd

Este valor no es conocido ya que vara segn el tipo de disipador

que se utilice. El valor de R depender de los valores de R y de R .
Como no es un valor fijo, no existe una tabla de valores tpicos.
Temperaturas
ja

cd

Temperatura de la unin (Tj)

La temperatura mxima de la unin es el lmite superior de

temperatura a la que no se debe llegar y menos sobrepasar si
queremos evitar la destruccin de la unin. Este dato es un valor
que se suele suministrar, normalmente, en los manuales de los
fabricantes de semiconductores. Si este valor no se reflejara en
dichos manuales o, simplemente, no se encuentra, podremos
adoptar unos valores tpicos en funcin del dispositivo a refrigerar
como los mostrados en la tabla que se expone a continuacin:
Dispositivo
de unin de Germanio

Rango de T

Tjmax

Entre 100 y 125C

de unin de Silicio

entre 150 y 200C

JFET

entre 150 y 175C

MOSFET

entre 175 y 200C

Tiristores

entre 100 y 125C

Transistores de Unin

entre 100 y 125C

Diodos de Silicio

entre 150 y 200C

Diodos Zener

entre 150 y 175C

En algunas ocasiones, en lugar de la temperatura de la unin se

suministra elOPERATING TEMPERATURE RANGE que es el
rango de valores entre los que puede funcionar el semiconductor,
pero que no tiene relacin con la temperatura de la unin. Se debe
distinguir entre la temperatura mxima de la unin permitida para
un dispositivo y la temperatura real de la unin a la que se pretende
que trabaje dicho elemento o dispositivo que, lgicamente, siempre
ser menor que la mxima permitida. El objetivo del que disea
ser mantener la temperatura de la unin por debajo de la mxima.
Para ello se utiliza un coeficiente (K) de seguridad cuyo valor dar
una temperatura de la unin comprendida entre el 50% y el 70% de
la mxima. Por lo tanto K estar comprendido entre 0,5 y 0,7. Le
asignamos el valor segn el margen de seguridad que queremos que
tenga el dispositivo. La temperatura de la unin que se utilizar en
los clculos ser:
Las condiciones de funcionamiento en funcin de k sern:
Para valores de k=0.5. Dispositivo poco caliente. Mximo
margen de seguridad, pero el tamao de la aleta refrigeradora
ser mayor.
Para valores de k=0.6. Dimensin menor de la aleta
refrigeradora sin que el dispositivo se caliente demasiado.
Para valores de k=0.7. Mximo riesgo para el dispositivo,
mxima economa en el tamao de la aleta refrigeradora. Este
coeficiente de seguridad exige que la aleta se site en el exterior.
Temperatura de la Cpsula (Tc)

Este dato no se suministra en los manuales ya que depende del valor

de la potencia que disipa el dispositivo, de la resistencia del
disipador y de la temperatura ambiente. Por lo tanto slo podemos
calcularla cuando conozcamos todos los datos reflejados en alguna
de las siguientes expresiones:

Temperatura del disipador (Td)

Este valor se obtiene a partir de la potencia disipada P , de la

resistencia trmica de la aleta R y finalmente de la temperatura
ambiente T . Se calcular con cualquiera de estas expresiones:
d

La temperatura obtenida ser siempre inferior a la temperatura de la

cpsula aunque ser lo suficientemente alta en la mayora de los
casos como para no poder tocar el disipador con las manos. Esto,
sin embargo, no es motivo de preocupacin ya que se han tomado
las medidas necesarias como para que la temperatura de la unin
disponga de un margen de seguridad dentro de los mrgenes ya
explicados. Puede suceder que la temperatura de la aleta sea
bastante elevada, tanto que si se toca con un dedo notaramos que
quema. Pero en todo momento la temperatura de la unin entrar
con amplio margen dentro de los lmites permitidos. No obstante, si
se quiere disminuir esta temperatura, solo hay que calcular de
nuevo la resistencia trmica R de la aleta, poniendo esta vez 0,5
como factor (k) necesario para determinar T . Ello llevar a adoptar
una aleta ms grande, pero tanto la T , como la T disminuirn como
se desea.
d

Temperatura ambiente (Ta)

En la interpretacin de este dato puede haber alguna confusin ya

que se puede tomar su valor como la temperatura del medio
ambiente, cuando en realidad es la temperatura existente en el
entorno donde est ubicado el disipador.
Potencia disipada
La potencia mxima es un dato que nos dar el fabricante. Este dato
es para las mejores condiciones de funcionamiento del dispositivo,
es decir, para una temperatura del contenedor de 25 C y un
disipador adecuado. Por ejemplo, si de un determinado transistor
nos dice el fabricante que puede disipar un mximo de 116 Watios,
a primera vista se puede pensar que disipando 90 Watios no se corre
ningn riesgo puesto que hay un margen con respecto al mximo y
no se necesita disipador. Si conocemos que la temperatura de la
unin es de 200 C y Rja de 35 C/W se tiene:

Esta es la mxima potencia disipable sin disipador. Se puede ver

que este valor se queda muy por debajo del indicado por el
fabricante. Si consideramos una aleta con una buena resistencia

trmica como puede ser una de 0.6 C/W y unas resistencias

trmicas contenedor-disipador (R ) y unin-contenedor (R ) de 0.12
C/W y de 1.5 C/W respectivamente, ambos valores tambin
bastante adecuados, se tendr:
cd

jc

Si hiciramos disipar 90 W como pretendamos se destruira la

unin. Como se puede observar la potencia obtenida es superior a la
disipable sin disipador e inferior a la que nos suministra el
fabricante. Ello es debido a que el fabricante ha calculado la
P manteniendo la temperatura del contenedor a 25 C, cosa que en
la prctica es imposible:
dmax

Como se ha dicho este dato de 116 W es para las mejores

condiciones de funcionamiento y el fabricante debe indicar en
cuales se realiz esa medida.
Resumiendo, es importante saber interpretar adecuadamente los
datos suministrados por el fabricante, de lo contrario pueden
aparecer sorpresas desagradables. Sabemos que la mxima potencia
que se puede hacer disipar a un semiconductor sin disipador viene
dada por el cociente entre el incremento de la temperatura y la
resistencia trmica unin ambiente:

Donde R es la que nos suministra el fabricante que no incluye R .

Cuando se utiliza un disipador, la resistencia trmica se divide en
tres parmetros: la resistencia entre la unin y el contenedor (R ),
entre el contenedor y el disipador (R ) y entre el disipador y el
ambiente (R ):
ja

jc

cd

Refrigeracin ms eficaz. Con disipadores de calor

PLANSEE.

Las densidades de potencia cada vez mayores en componentes electrnicos cada vez
ms pequeos plantean grandes retos a nivel de la gestin trmica. Una refrigeracin
insuficiente perjudica la fiabilidad de los elementos semiconductores. Si falla un componente
electrnico, la culpa es frecuentemente de influencias trmicas.

Los componentes electrnicos se montan en

substratos y placas base que pueden dispiar el
calor generado. Solo pocos materiales tienen
la conductividad trmica y la expansin
trmica que son necesarias para la disipacin
fiable del calor en componentes electrnicos. La
figura muestra la estructura bsica de un
conjunto electrnico hermticamente cerrado.

Consltenos. Tenemos el material ideal.

Los laminados de MoCu, WCu, Cu-Mo-Cu y Cu-MoCu-Cu disipan con seguridad el calor en
componentes elctricos y ayudan a mantener frescos sus mdulos IGBT, conjuntos RF, chips
de LED y otros productos. Nuestros materiales combinan la baja expansin trmica del
molibdeno y del tungsteno con la excelente conductividad trmica del cobre. Hemos adaptado
la composicin de estos materiales compuestos de forma ptima para corresponder a los
requisitos de materiales semiconductores basados en silicio, GaAs y GaN.

MoCu tiene una baja densidad y, en consecuencia, un bajo peso especfico. Es particularmente
apropiado en aplicaciones donde cuenta cada gramo, por ejemplo en los sectores aeroespacial
o de automocin.

Cuando se pide el rendimiento mximo

recomendamos nuestros laminados de CuMoCu-Cu. Cu-MoCu-Cu es un material
compuesto de 3 capas. Est fabricado de
MoCu y recubierto con cobre OF de alta
pureza. Generalmente, este laminado est
estructurado con una relacin de grosor entre
las capas de 1:4:1. Como resultado podemos
garantizar una excelente distribucin y
disipacin del calor en transistores LDMOS
y otras aplicaciones con altas densidades de
potencia.

Combinacin perfecta.
Nuestros productos de gestin trmica tienen un coeficiente de expansin trmica similar al
de los materiales semiconductores. Si el semiconductor y el material de soporte tienen unos
comportamientos de expansin trmica distintos, se producen esfuerzos durante la produccin
o el funcionamiento de los mdulos semiconductores. stos pueden daar el semiconductor y
causar el fallo del dispositivo.

Suministramos productos semiacabados como chapas, placas y bloques en distintas

dimensiones, as como componentes acabados como disipadores de calor, diusores, placas
base, substratos y subconjuntos para la industria electrnica con diferentes recubrimientos.
Mecanizamos los componentes de acuerdo sus especificacioes. Nuestros recubrimientos
especiales protegen el material contra la corrosin y representan la base para una interfaz
perfecta entre el semiconductor y el disipador trmico.

Vista general de nuestros materiales compuestos

metlicos.
Materiales

Composici
n
[% en peso]

Densidad a
20C
[g/cm ]
3

Conductividad
trmica
a 20 C
[W/(mK)]

Coeficiente de
expansin
trmica a 20-150C
[10 /K]
-6

Molibdeno

Mo 99.97%

10.2

22C

5.5/

20-800C

Tungsteno

W 99.95%

19.3

22C

MoCu

Mo-30% Cu

9.7

22C

WCu

W-10% Cu

17.1

22C

WCu

W-15% Cu

16.4

22C

WCu

W-20% Cu

15.5

22C

Cu/Mo30Cu/Cu
(CPC)

1:4:1 /
Mo-52%Cu

9.4-9.6

20-150C

Cu/Mo/Cu
(CMC)

1:1:1 /
Mo-66%Cu

9.3

22C

Cu/Mo/Cu/.../C
u
(S-CMC)

5:1:5:1:5 /
Mo-87%Cu

9.2

200C

5.7

xyz

4.5/

20-800C

7.1/

20-800C

142

4.8

xyz

7.8

xyz

165
205

6.4

xyz

195

7.3

xyz

8.3

xyz

215

235

7-8/

8.3/

6.5-8.5

20-800C

6.4

20-800C

12.8/

6.1

20-800C

xy

280/ 170

xy

305/ 250

xy

350/ 295

Tiene algn requerimiento especial? Consltenos.

Con mucho gusto le suministraremos composiciones de materiales a medida.

Comparacin directa de la conductividad trmica y del coeficiente de expansin trmica de

diferentes materiales:

Donde podr emplear nuestros materiales.

Nuestras placas base y nuestros disipadores trmicos se encuentran en componentes para
laoptoelectrnica, en aplicaciones de alta frecuencia y en la electrnica de alto
rendimiento y la microelectrnica.
Las principales aplicaciones de nuestros materiales son, por ejemplo:

Transistores LDMOS (LDMOS = laterally diffused metal oxide semiconductor)

HEMT (HEMT = high electron mobility transistors) incl. transistores GaN

HPA (High Power Amplifiers) y MMIC (monolithic microwafe integrated circuits) en
aplicaciones de radar

Estaciones base de radiotransmisin en el mbito de telecomunicaciones

Tecnologas "chip on board" (COB)

Diodos lser, placas de soporte de cristal para lseres de estado slido

Crystal carriers for solid state lasers

LED de alto rendimiento, LED emisores simples, LED emisores mltiples

Mdulos IGBT para sistemas de propulsin elctricos para automviles (EV/HEV)

Dganos cul es su aplicacin. Sea Cu/Mo/Cu (CMC), Cu/MoCu/Cu (PMC), MoCu, WCu o
molibdeno puro: le asesoraremos con mucho gusto a la hora de elegir su material.