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UNIVERSIDADE DE SO PAULO

INSTITUTO DE ENERGIA E AMBIENTE


SVSISFO-04 - SERVIO TCNICO DE SISTEMAS FOTOVOLTAICOS
Av. Prof. Luciano Gualberto, 1289 Cidade Universitria Butant
CEP 05508-010 So Paulo SP BRASIL www.iee.usp.br
CNPJ: 63.025.530/0042-82 Inscrio Estadual: isento

Folha
RELATRIO DE ENSAIO N 75613

1 de 8

A. Laboratrio Responsvel: SVSISFO-04 - SERVIO TCNICO DE SISTEMAS FOTOVOLTAICOS


B. Ordem de Servio n: 2013637
C. Descrio do Corpo de Prova: N: 3-Mdulo Fotovoltaico Marca: Jinko Solar Modelo: JKMS250P-60
60 clulas policristalino
D. Cliente: Sendi Industrial Ltda
Endereo: Rua Aparecida, n 09-28 Vila Rodrigues,
Cep: 17020-210
Cidade/Estado: Bauru SP
E. Interessado: Sendi Industrial Ltda
Endereo: Rua Aparecida, n 09-28 Vila Rodrigues,
Cep: 17020-210
Cidade/Estado: Bauru SP
F. Objetivo: Servio n: 3/1 - Pr-condicionamento Servio n: 3/2 - Inspeo Visual Servio n: 3/3 Determinao da Potncia Mxima Servio n: 3/4 - Isolamento Eltrico
G. Norma e/ou Procedimento: Portaria INMETRO 004/2011
H. Observaes:
O Corpo de Prova foi recebido em: 13/06/2013
Ensaio realizado no perodo de: 02/07/2013 a 29/07/2013
Relatrio de Ensaio em arquivo eletrnico:
- cpia integral e fiel do original impresso e assinado que estar disposio no IEE/USP.
Forma de apresentao:
X

Arquivo Eletrnico de igual teor ao original impresso;

Impresso em 2 via(s).

A reproduo deste documento no pode ser parcial e depende da aprovao por escrito do laboratrio;
O contedo e as concluses aqui apresentadas so da exclusiva responsabilidade do(s) autor(es) e no refletem, necessariamente, as opinies
da Universidade de So Paulo.
Os resultados apresentados neste documento referem-se exclusivamente ao corpo de prova submetido ao(s) ensaio(s) nas condies
especificadas, no sendo extensivos a quaisquer lotes;
O IEE-USP manter o original deste documento arquivado por um perodo de cinco anos, no mnimo.
IEE-MD-007 - rev 01 - ABR/2013

Antes de imprimir, pense em sua responsabilidade e compromisso com o meio ambiente

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SVSISFO-04 - SERVIO TCNICO DE SISTEMAS FOTOVOLTAICOS

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RELATRIO DE ENSAIO N 75613

Item

2 de 8

Prescrio
Pr-condicionamento

Conf.

Observao

Antes de comear os testes todos os mdulos, inclusive o de


controle, devem ser expostos em circuito aberto a um nvel de
2
irradiao entre 5 kWh/m2 e 5,5 kWh/m .

---

Legenda
C

Conforme

N/C

No Conforme

N/A

No Aplicvel

IEE-MD-007 - rev 01 - ABR/2013

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SVSISFO-04 - SERVIO TCNICO DE SISTEMAS FOTOVOLTAICOS

Folha
RELATRIO DE ENSAIO N 75613

Item

10.1

3 de 8

Prescrio
Inspeo Visual

Conf.

Observao

Para detectar Eventuais defeitos visuais no mdulo fotovoltaico,


inspecione cada mdulo sob uma iluminao no inferior a 1000 lux
verificando as seguintes condies:

---

Superfcies externas rachadas, no em linha reta ou desalinhadas;


Clulas quebradas;
Interconexes com defeito ou articulaes;

---

C
C

-----

Clulas se tocando entre si ou tocando a moldura;


Falha nos materiais adesivos;

C
C

-----

Bolhas ou delaminaes formando um caminho contnuo entre uma


clula e a borda do mdulo;

---

Superfcies de plstico mal produzidas;


Terminaes defeituosas ou partes eltricas expostas;
Quaisquer outras condies que podem afetar o desempenho.

C
C
C

-------

Tomar nota e/ou fotografar a natureza e a posio de qualquer


trinca, bolha ou delaminao, etc. que podem piorar ou afetar
negativamente o desempenho do mdulo nos testes subsequentes.

---

Legenda
C

Conforme

N/C

No Conforme

N/A

No Aplicvel

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RELATRIO DE ENSAIO N 75613

4 de 8

Este informe apresenta a determinao da mxima potncia com o resultado do ensaio realizado no mdulo
fotovoltaico: JKMS250P-60

O ensaio foi efetuado conforme as indicaes e orientaes do Regulamento Especfico para Uso da Etiqueta
Nacional de Conservao de Energia Sistemas e Equipamentos para Energia Fotovoltaica, Desempenho nas
Condies Padro de Teste.
O mdulo ensaiado possui potncia nominal e eficincia, nas condies padro de teste, conforme apresentado
na tabela I.
Tabela I
Fabricante

Marca

Modelo

rea
(m)

Potncia
(W)

Corrente
Impp (A)

Produo
(kWh/ms)

Eficincia
(%)

Peso
(kg)

Classificao

Sindustrial

Jinko Solar

JKMS250P-60

1,62

250

8,23

31,25

15,4

18

Etiqueta

Sindustrial
Jinko Solar
JKMS250P-60

15,4
1,62
31,25
250

IEE-MD-007 - rev 01 - ABR/2013

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5 de 8

Curva I x V

10

Corrente A

8
6
4
2
0
0

10

Operador

15

20

25

Tenso V

30

35

40

Givaldo

E:\Data2.0.16\Optosolar\Settings\Sindustrial JKMS250P-60 60 cells poli.txt

Arquivo
Verso do Programa

OptoFlash 2.0.24Br

Temp-coeff V

-0,12032

V/C

Temp-coeff I

0,00060

%/C

Temperatura Referncia

TREF

25,0

Temperatura Mdulo

22,0

Intensidade

1008

W/m

Intensidade Referncia

GREF

1000

W/m

Tenso Circuito Aberto

UO

37,94

Tenso PMP

UPMP

31,24

Corrente curto-circuito

IK

8,30

Corrente PMP

IPMP

7,96

Potncia

PPMP

248,72

Fator de Forma

FF

0,79

Data

segunda-feira, 15 de julho de 2013

Mdulo

Sindustrial JKMS250P-60 60 cells poli

Modelo

Sindustrial JKMS250P-60 60 cells poli

N Serial

360504130307106806290003

Tolerncia Potncia -

Tolerncia Potncia +

Ok

IEE-MD-007 - rev 01 - ABR/2013

Conforme

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SVSISFO-04 - SERVIO TCNICO DE SISTEMAS FOTOVOLTAICOS

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RELATRIO DE ENSAIO N 75613

Item
10.3

6 de 8

Prescrio
RESISTNCIA DE ISOLAMENTO
No deve haver ruptura dieltrica ou rastreamento de superfcie
conforme IEC61215 - Clausula 10.3.4 - item C.

Conf.

Observao

---

N/A

---

---

Mxima Tenso do Sistema: 1000 V


2

Para mdulos com uma rea inferior a 0,1 m a


resistncia isolao no deve ser inferior a 400 M.
V/1 minuto
Resistncia:

V/2 minutos
Resistncia:

10.3.5 rea m2

rea m

Para mdulos com rea superior a 0,1 m , o produto entre a


resistncia de isolamento medida e a rea do mdulo no
2
deve ser inferior a 40 M x m .
3075 V/ 1 minuto
Resistncia: 20,2 G
rea: 1,62 m

Valor: 32,72 G.m

Legenda
C
N/C
N/A

1034 V/2 minutos


Resistncia: 31,4 G
rea: 1,62 m

Valor: 50,87 G.m

Conforme
No Conforme
No Aplicvel

So Paulo, 01 de agosto de 2013

Tec. Givaldo dos Reis

Tec. Tadeu Osano de Oliveira

SVSISFO 04 Serv. Tec. de Sistemas Fotovoltaicos


IEE USP

SVSISFO 04 Serv. Tec. de Sistemas Fotovoltaicos


IEE USP

Esp. Andr Ricardo Mocelin


SVSISFO 04 Serv. Tec. de Sistemas Fotovoltaicos
IEE USP

IEE-MD-007 - rev 01 - ABR/2013

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RELATRIO DE ENSAIO N 75613

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8 de 8

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SVSISFO-04 - SERVIO TCNICO DE SISTEMAS FOTOVOLTAICOS
Av. Prof. Luciano Gualberto, 1289 Cidade Universitria Butant
CEP 05508-010 So Paulo SP BRASIL www.iee.usp.br
CNPJ: 63.025.530/0042-82 Inscrio Estadual: isento

Folha
RELATRIO DE ENSAIO N 75614

1 de 8

A. Laboratrio Responsvel: SVSISFO-04 - SERVIO TCNICO DE SISTEMAS FOTOVOLTAICOS


B. Ordem de Servio n: 2013637
C. Descrio do Corpo de Prova: N: 4-Mdulo Fotovoltaico Marca: Jinko Solar Modelo JKMS300P-72
72 clulas policristalino
D. Cliente: Sendi Industrial Ltda
Endereo: Rua Aparecida, n 09-28 Vila Rodrigues,
Cep: 17020-210
Cidade/Estado: Bauru SP
E. Interessado: Sendi Industrial Ltda
Endereo: Rua Aparecida, n 09-28 Vila Rodrigues,
Cep: 17020-210
Cidade/Estado: Bauru SP
F. Objetivo: Servio n: 4/1 - Pr-condicionamento Servio n: 4/2 - Inspeo Visual Servio n: 4/3 Determinao da Potncia Mxima Servio n: 4/4 - Isolamento Eltrico
G. Norma e/ou Procedimento: Portaria INMETRO 004/2011
H. Observaes:
O Corpo de Prova foi recebido em: 13/06/2013
Ensaio realizado no perodo de: 02/07/2013 a 30/07/2013
Relatrio de Ensaio em arquivo eletrnico:
- cpia integral e fiel do original impresso e assinado que estar disposio no IEE/USP.
Forma de apresentao:
X

Arquivo Eletrnico de igual teor ao original impresso;

Impresso em 2 via(s).

A reproduo deste documento no pode ser parcial e depende da aprovao por escrito do laboratrio;
O contedo e as concluses aqui apresentadas so da exclusiva responsabilidade do(s) autor(es) e no refletem, necessariamente, as opinies
da Universidade de So Paulo.
Os resultados apresentados neste documento referem-se exclusivamente ao corpo de prova submetido ao(s) ensaio(s) nas condies
especificadas, no sendo extensivos a quaisquer lotes;
O IEE-USP manter o original deste documento arquivado por um perodo de cinco anos, no mnimo.
IEE-MD-007 - rev 01 - ABR/2013

Antes de imprimir, pense em sua responsabilidade e compromisso com o meio ambiente

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SVSISFO-04 - SERVIO TCNICO DE SISTEMAS FOTOVOLTAICOS

Folha
RELATRIO DE ENSAIO N 75614

Item

2 de 8

Prescrio
Pr-condicionamento

Conf.

Observao

Antes de comear os testes todos os mdulos, inclusive o de


controle, devem ser expostos em circuito aberto a um nvel de
2
irradiao entre 5 kWh/m2 e 5,5 kWh/m .

---

Legenda
C

Conforme

N/C

No Conforme

N/A

No Aplicvel

IEE-MD-007 - rev 01 - ABR/2013

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SVSISFO-04 - SERVIO TCNICO DE SISTEMAS FOTOVOLTAICOS

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RELATRIO DE ENSAIO N 75614

Item

10.1

3 de 8

Prescrio
Inspeo Visual

Conf.

Observao

Para detectar Eventuais defeitos visuais no mdulo fotovoltaico,


inspecione cada mdulo sob uma iluminao no inferior a 1000 lux
verificando as seguintes condies:

---

Superfcies externas rachadas, no em linha reta ou desalinhadas;


Clulas quebradas;
Interconexes com defeito ou articulaes;

---

C
C

-----

Clulas se tocando entre si ou tocando a moldura;


Falha nos materiais adesivos;

C
C

-----

Bolhas ou delaminaes formando um caminho contnuo entre uma


clula e a borda do mdulo;

---

Superfcies de plstico mal produzidas;


Terminaes defeituosas ou partes eltricas expostas;
Quaisquer outras condies que podem afetar o desempenho.

C
C
C

-------

Tomar nota e/ou fotografar a natureza e a posio de qualquer


trinca, bolha ou delaminao, etc. que podem piorar ou afetar
negativamente o desempenho do mdulo nos testes subsequentes.

---

Legenda
C

Conforme

N/C

No Conforme

N/A

No Aplicvel

IEE-MD-007 - rev 01 - ABR/2013

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Folha
RELATRIO DE ENSAIO N 75614

4 de 8

Este informe apresenta a determinao da mxima potncia com o resultado do ensaio realizado no mdulo
fotovoltaico: JKMS300P-72

O ensaio foi efetuado conforme as indicaes e orientaes do Regulamento Especfico para Uso da Etiqueta
Nacional de Conservao de Energia Sistemas e Equipamentos para Energia Fotovoltaica, Desempenho nas
Condies Padro de Teste.
O mdulo ensaiado possui potncia nominal e eficincia, nas condies padro de teste, conforme apresentado
na tabela I.
Tabela I
Fabricante

Marca

Modelo

rea
(m)

Potncia
(W)

Corrente
Impp (A)

Produo
(kWh/ms)

Eficincia
(%)

Peso
(kg)

Classificao

Sindustrial

Jinko Solar

JKMS300P-72

1,93

300

8,07

37,50

15,5

26

Etiqueta

Sindustrial
Jinko Solar
JKMS300P-72

15,5
1,93
37,50
300

IEE-MD-007 - rev 01 - ABR/2013

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Folha
RELATRIO DE ENSAIO N 75614

5 de 8

Curva I x V

10

Corrente A

8
6
4
2
0
0

10

15

Operador

20

25

Tenso V

30

35

40

45

50

Givaldo

E:\Data2.0.16\Optosolar\Settings\Sindustrial JKMS300P-72 72 cells poli.txt

Arquivo
Verso do Programa

OptoFlash 2.0.24Br

Temp-coeff V

-0,14528

V/C

Temp-coeff I

0,00060

%/C

Temperatura Referncia

TREF

25,0

Temperatura Mdulo

22,8

Intensidade

1019

W/m

Intensidade Referncia

GREF

1000

W/m

Tenso Circuito Aberto

UO

45,54

Tenso PMP

UPMP

37,64

Corrente curto-circuito

IK

8,21

Corrente PMP

IPMP

7,87

Potncia

PPMP

296,19

Fator de Forma

FF

0,79

Data

segunda-feira, 15 de julho de 2013

Mdulo

Sindustrial JKMS300P-72 72 cells poli

Modelo

Sindustrial JKMS300P-72 72 cells poli

N Serial

360304130307106806310001

Tolerncia Potncia -

Tolerncia Potncia +

Ok

IEE-MD-007 - rev 01 - ABR/2013

Conforme

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RELATRIO DE ENSAIO N 75614

Item
10.3

6 de 8

Prescrio
RESISTNCIA DE ISOLAMENTO
No deve haver ruptura dieltrica ou rastreamento de superfcie
conforme IEC61215 - Clausula 10.3.4 - item C.

Conf.

Observao

---

N/A

---

---

Mxima Tenso do Sistema: 1000 V


2

Para mdulos com uma rea inferior a 0,1 m a


resistncia isolao no deve ser inferior a 400 M.
V/1 minuto
Resistncia:

V/2 minutos
Resistncia:

10.3.5 rea m2

rea m

Para mdulos com rea superior a 0,1 m , o produto entre a


resistncia de isolamento medida e a rea do mdulo no
2
deve ser inferior a 40 M x m .
3075 V/ 1 minuto
Resistncia: 1,55 G
rea: 1,93 m

Valor: 2,99 G.m

Legenda
C
N/C
N/A

1034 V/2 minutos


Resistncia: 2,61 G
rea: 1,93 m

Valor: 5,04 G.m

Conforme
No Conforme
No Aplicvel

So Paulo, 01 de agosto de 2013

Tec. Givaldo dos Reis

Tec. Tadeu Osano de Oliveira

SVSISFO 04 Serv. Tec. de Sistemas Fotovoltaicos


IEE USP

SVSISFO 04 Serv. Tec. de Sistemas Fotovoltaicos


IEE USP

Esp. Andr Ricardo Mocelin


SVSISFO 04 Serv. Tec. de Sistemas Fotovoltaicos
IEE USP

IEE-MD-007 - rev 01 - ABR/2013

UNIVERSIDADE DE SO PAULO
INSTITUTO DE DE ENERGIA E AMBIENTE
SVSISFO-04 - SERVIO TCNICO DE SISTEMAS FOTOVOLTAICOS

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RELATRIO DE ENSAIO N 75614

IEE-MD-007 - rev 01 - ABR/2013

7 de 8

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SVSISFO-04 - SERVIO TCNICO DE SISTEMAS FOTOVOLTAICOS

Folha
RELATRIO DE ENSAIO N 75614

IEE-MD-007 - rev 01 - ABR/2013

8 de 8

UNIVERSIDADE DE SO PAULO
INSTITUTO DE ENERGIA E AMBIENTE
SVSISFO-04 - SERVIO TCNICO DE SISTEMAS FOTOVOLTAICOS
Av. Prof. Luciano Gualberto, 1289 Cidade Universitria Butant
CEP 05508-010 So Paulo SP BRASIL www.iee.usp.br
CNPJ: 63.025.530/0042-82 Inscrio Estadual: isento

Folha
RELATRIO DE ENSAIO N 75615

1 de 8

A. Laboratrio Responsvel: SVSISFO-04 - SERVIO TCNICO DE SISTEMAS FOTOVOLTAICOS


B. Ordem de Servio n: 2013637
C. Descrio do Corpo de Prova: N: 5-Mdulo Fotovoltaico Marca: Jinko Solar Modelo: JKMS250M-60
60 clulas monocristalino
D. Cliente: Sendi Industrial Ltda
Endereo: Rua Aparecida, n 09-28 Vila Rodrigues,
Cep: 17020-210
Cidade/Estado: Bauru SP
E. Interessado: Sendi Industrial Ltda
Endereo: Rua Aparecida, n 09-28 Vila Rodrigues,
Cep: 17020-210
Cidade/Estado: Bauru SP
F. Objetivo: Servio n: 5/1 - Pr-condicionamento Servio n: 5/2 - Inspeo Visual Servio n: 5/3 Determinao da Potncia Mxima Servio n: 5/4 - Isolamento Eltrico
G. Norma e/ou Procedimento: Portaria INMETRO 004/2011
H. Observaes:
O Corpo de Prova foi recebido em: 13/06/2013
Ensaio realizado no perodo de: 02/07/2013 a 30/07/2013
Relatrio de Ensaio em arquivo eletrnico:
- cpia integral e fiel do original impresso e assinado que estar disposio no IEE/USP.
Forma de apresentao:
X

Arquivo Eletrnico de igual teor ao original impresso;

Impresso em 2 via(s).

A reproduo deste documento no pode ser parcial e depende da aprovao por escrito do laboratrio;
O contedo e as concluses aqui apresentadas so da exclusiva responsabilidade do(s) autor(es) e no refletem, necessariamente, as opinies
da Universidade de So Paulo.
Os resultados apresentados neste documento referem-se exclusivamente ao corpo de prova submetido ao(s) ensaio(s) nas condies
especificadas, no sendo extensivos a quaisquer lotes;
O IEE-USP manter o original deste documento arquivado por um perodo de cinco anos, no mnimo.
IEE-MD-007 - rev 01 - ABR/2013

Antes de imprimir, pense em sua responsabilidade e compromisso com o meio ambiente

UNIVERSIDADE DE SO PAULO
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Folha
RELATRIO DE ENSAIO N 75615

Item

2 de 8

Prescrio
Pr-condicionamento

Conf.

Observao

Antes de comear os testes todos os mdulos, inclusive o de


controle, devem ser expostos em circuito aberto a um nvel de
2
irradiao entre 5 kWh/m2 e 5,5 kWh/m .

---

Legenda
C

Conforme

N/C

No Conforme

N/A

No Aplicvel

IEE-MD-007 - rev 01 - ABR/2013

UNIVERSIDADE DE SO PAULO
INSTITUTO DE DE ENERGIA E AMBIENTE
SVSISFO-04 - SERVIO TCNICO DE SISTEMAS FOTOVOLTAICOS

Folha
RELATRIO DE ENSAIO N 75615

Item

10.1

3 de 8

Prescrio
Inspeo Visual

Conf.

Observao

Para detectar Eventuais defeitos visuais no mdulo fotovoltaico,


inspecione cada mdulo sob uma iluminao no inferior a 1000 lux
verificando as seguintes condies:

---

Superfcies externas rachadas, no em linha reta ou desalinhadas;


Clulas quebradas;
Interconexes com defeito ou articulaes;

---

C
C

-----

Clulas se tocando entre si ou tocando a moldura;


Falha nos materiais adesivos;

C
C

-----

Bolhas ou delaminaes formando um caminho contnuo entre uma


clula e a borda do mdulo;

---

Superfcies de plstico mal produzidas;


Terminaes defeituosas ou partes eltricas expostas;
Quaisquer outras condies que podem afetar o desempenho.

C
C
C

-------

Tomar nota e/ou fotografar a natureza e a posio de qualquer


trinca, bolha ou delaminao, etc. que podem piorar ou afetar
negativamente o desempenho do mdulo nos testes subsequentes.

---

Legenda
C

Conforme

N/C

No Conforme

N/A

No Aplicvel

IEE-MD-007 - rev 01 - ABR/2013

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SVSISFO-04 - SERVIO TCNICO DE SISTEMAS FOTOVOLTAICOS

Folha
RELATRIO DE ENSAIO N 75615

4 de 8

Este informe apresenta a determinao da mxima potncia com o resultado do ensaio realizado no mdulo
fotovoltaico: JKMS250M-60

O ensaio foi efetuado conforme as indicaes e orientaes do Regulamento Especfico para Uso da Etiqueta
Nacional de Conservao de Energia Sistemas e Equipamentos para Energia Fotovoltaica, Desempenho nas
Condies Padro de Teste.
O mdulo ensaiado possui potncia nominal e eficincia, nas condies padro de teste, conforme apresentado
na tabela I.
Tabela I
Fabricante

Marca

Modelo

rea
(m)

Potncia
(W)

Corrente
Impp (A)

Produo
(kWh/ms)

Eficincia
(%)

Peso
(kg)

Classificao

Sindustrial

Jinko Solar

JKMS250M-60

1,62

250

8,17

31,25

15,4

18

Etiqueta

Sindustrial
Jinko Solar
JKMS250M-60

15,4
1,62
31,25
250

IEE-MD-007 - rev 01 - ABR/2013

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SVSISFO-04 - SERVIO TCNICO DE SISTEMAS FOTOVOLTAICOS

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5 de 8

Curva I x V

10

Corrente A

8
6
4
2
0
0

10

Operador

15

20

25

Tenso V

30

35

40

Givaldo

E:\Data2.0.16\Optosolar\Settings\Sindustrial JKMS250M-60 60 cells mono.txt

Arquivo
Verso do Programa

OptoFlash 2.0.24Br

Temp-coeff V

-0,11280

V/C

Temp-coeff I

0,00050

%/C

Temperatura Referncia

TREF

25,0

Temperatura Mdulo

22,2

Intensidade

983

W/m

Intensidade Referncia

GREF

1000

W/m

Tenso Circuito Aberto

UO

37,53

Tenso PMP

UPMP

30,81

Corrente curto-circuito

IK

8,26

Corrente PMP

IPMP

7,82

Potncia

PPMP

240,94

Fator de Forma

FF

0,78

Data

segunda-feira, 15 de julho de 2013

Mdulo

Sindustrial JKMS250M-60 60 cells mono

Modelo

Sindustrial JKMS250M-60 60 cells mono

N Serial

350504130307106806300002

Tolerncia Potncia -

Tolerncia Potncia +

Ok

IEE-MD-007 - rev 01 - ABR/2013

Conforme

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INSTITUTO DE DE ENERGIA E AMBIENTE
SVSISFO-04 - SERVIO TCNICO DE SISTEMAS FOTOVOLTAICOS

Folha
RELATRIO DE ENSAIO N 75615

Item
10.3

6 de 8

Prescrio
RESISTNCIA DE ISOLAMENTO
No deve haver ruptura dieltrica ou rastreamento de superfcie
conforme IEC61215 - Clausula 10.3.4 - item C.

Conf.

Observao

---

N/A

---

---

Mxima Tenso do Sistema: 1000 V


2

Para mdulos com uma rea inferior a 0,1 m a


resistncia isolao no deve ser inferior a 400 M.
V/1 minuto
Resistncia:

V/2 minutos
Resistncia:

10.3.5 rea m2

rea m

Para mdulos com rea superior a 0,1 m , o produto entre a


resistncia de isolamento medida e a rea do mdulo no
2
deve ser inferior a 40 M x m .
3075 V/ 1 minuto
Resistncia: 9,98 G
rea: 1,62 m

Valor: 16,17 G.m

Legenda
C
N/C
N/A

1034 V/2 minutos


Resistncia: 16,8 G
rea: 1,62 m

Valor: 27,22 G.m

Conforme
No Conforme
No Aplicvel

So Paulo, 01 de agosto de 2013

Tec. Givaldo dos Reis

Tec. Tadeu Osano de Oliveira

SVSISFO 04 Serv. Tec. de Sistemas Fotovoltaicos


IEE USP

SVSISFO 04 Serv. Tec. de Sistemas Fotovoltaicos


IEE USP

Esp. Andr Ricardo Mocelin


SVSISFO 04 Serv. Tec. de Sistemas Fotovoltaicos
IEE USP

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