CAPITULO 1

1.1 Plasmas y su clasificacin:

Adicionalmente a los tres estados de agregacin de la materia solido,

lquido y gas, el estado de plasma es conocido como el cuarto estado de la
materia.
El plasma es un gas parcialmente ionizado compuesto por un nmero igual
de partculas de carga positiva y negativa y un nmero diferente de molculas
neutras no ionizadas
Pares de iones-electrones se crean continuamente por ionizacin y otros
son destruidos por recombinacin. Dado que estos procesos se dan siempre por
pares, los restos de espacio son ocupados por partculas de carga neutra. El
proceso de impacto de electrones que conduce a la ionizacin tambin puede
conducir a la excitacin y la posterior relajacin del tomo que conduce a la
emisin de fotones, que es otra caracterstica comn las descargas de resplandor
[1].
Clasificar la diversidad de tipos de plasmas que existen en la naturaleza o
que se pueden generar de forma artificial no es fcil, ya que resulta arriesgado
escoger parmetros aislados que nos sirvan de criterio para establecer las
diferencias. Pese a tales dificultades, podemos aventurarnos en una primera
clasificacin de los tipos de plasmas que atienda a su equilibrio trmico, es decir, a
si la temperatura o energa media de las partculas que lo forman es o no la misma
para cada tipo de partcula.
Todas las partculas tienen la misma temperatura (equilibrio trmico) en el
caso del plasma de los interiores estelares o de sus anlogos terrestres. Estos
plasmas reciben tambin la denominacin de plasmas calientes o trmicos, ya que
la temperatura en su interior llega a alcanzar millones de grados (10 7-109 Celsius),
lo mismo para electrones que para especies pesadas. Hay otro tipo de plasmas

trmicos, con ciertas aplicaciones industriales, que se generan a presiones altas,

por encima de los 133 milibares (133 mbar), algo ms de una dcima de
atmsfera, si bien sus temperaturas (104-105 Celsius) son mucho menores que las
de los plasmas de fusin.
Las antorchas de plasmas para las lmparas de plasmas producidos en
descargas de alta intensidad para alumbrado pblico o faros de coches, son
plasmas de ese tipo. Cuando la presin del gas es baja o la tensin elctrica
aplicada en la descarga alta, los electrones del plasma adquieren, en el tiempo
entre colisiones con otras partculas del plasma, energas cinticas superiores a la
energa asociada al movimiento trmico aleatorio de las partculas neutras del
plasma [2]. Podemos entonces atribuir cierto grado de desviacin del equilibrio
trmico al plasma, ya que los electrones, iones y partculas neutras tienen
diferentes temperaturas o energas cinticas medias.
Los plasmas no trmicos, conocidos tambin por plasmas fros, se
caracterizan por el hecho de que la temperatura de las especies pesadas (las
partculas neutras y los iones) es cercana a la temperatura ambiente (25-100
Celsius). La temperatura electrnica es, en cambio, mucho mayor (entre 5000 y
105 Celsius). Los plasmas fros suelen producirse a baja presin (p < 133 mbar) en
reactores con muy diversas geometras. Tales reactores generan plasmas
mediante sistemas de corriente continua, radiofrecuencia, microondas o en
descargas pulsadas.
Los plasmas fros resultan muy tiles para muchas aplicaciones tcnicas
porque, al no encontrarse en equilibrio trmico, es posible controlar la
temperatura, por una parte, de las especies inicas y neutras y, por otra, de los
electrones. Sin embargo, la elevada energa de los electrones constituye el factor
genuino determinante a la hora de iniciar muchas reacciones qumicas que, en
medios activados trmicamente, resultaran muy ineficientes o imposibles.
Las aplicaciones industriales de los plasmas fros conforman una parte muy
importante de la infraestructura productiva de los pases avanzados. En los

plasmas fros se generan un gran nmero y diversidad de especies reactivas lo

suficientemente energticas que activan procesos fsicos y qumicos difciles de
conseguir en entornos qumicos ordinarios. Entre esas especies se encuentran
fotones en el rango visible y en el ultravioleta, partculas cargadas (electrones e
iones), especies neutras muy reactivas, como los radicales libres o los tomos de
oxgeno, flor y cloro, especies atmicas y moleculares excitadas, excmeros y
monmeros. Gracias a los plasmas fros, ciertos procesos industriales se realizan
de forma ms eficiente y barata, con lo que se puede reducir la contaminacin y
los residuos txicos generados.

1.1.1 Descargas de resplandor

Una descargar de resplandor se establece al hacer pasar una corriente

elctrica entre dos electrodos a travs de un gas a baja presin. Las reacciones
qumicas que ocurren pueden ser muy variadas y dependen del tipo de gas y de
las condiciones experimentales como la presin interna y la geometra del reactor,
la potencia aplicada, la densidad de partculas, la corriente elctrica, etc. Los
electrones libres son el medio por el cual se transfiere la energa del campo
elctrico hacia el gas. Cuando se establece una descarga de resplandor, el
espacio que existe entre los electrodos se ilumina por un resplandor caracterstico
que depende del tipo de gas empleado. La distribucin de la luz en las descargas
de resplandor es importante y depende de la relacin voltaje-corriente de la
descarga [3].
Las descargas de resplandor a corriente directa se caracterizan por la
aparicin de diferentes zonas luminosas y por la diferencia de potencial entre los
electrodos, el tamao relativo de estas zonas vara con la presin y la distancia
entre los electrodos, ver Figura 1.1.

Figura 1-1. Distribucin de voltaje en la descarga de resplandor [4].

1.1.2 Tipos de acoplamientos para generar descargas elctricas

Hay diferentes formas de producir descargas de resplandor, entre las ms

comunes se encuentran las descargas de corriente directa, de radio frecuencia
que pueden ser continuas y pulsadas con acoplamiento capacitivo, inductivo o
resistivo y descargas a presin atmosfrica. La configuracin experimental se
puede dividir en 3 grupos [5]
a) Con electrodos internos
b) Con electrodos externos
c) Sin electrodos
De acuerdo a la forma en que la energa se acopla al plasma se pueden
clasificar:
a) Acoplamiento resistivo
b) Acoplamiento capacitivo
c) Acoplamiento inductivo

En el acoplamiento resistivo, dos electrodos metlicos estn en contacto

directo con el plasma del gas. Los electrodos promueven la ionizacin del gas que
est en medio de ellos, cuando la presin del sistema es lo suficientemente baja.
Se le da el nombre de acoplamiento resistivo porque el gas entre los electrodos
acta como una resistencia al paso de la corriente elctrica.
El trmino acoplamiento capacitivo se refiere a la forma como se arreglan
dos electrodos formando una especie de capacitor con funcionamiento similar a la
del acoplamiento resistivo, con la diferencia de que entre los electrodos debe de
haber un dielctrico.
En el acoplamiento inductivo, la descarga se induce por medio de una
bobina que se coloca en el exterior del reactor e induce un campo
electromagntico debido al flujo de los electrones a travs de la bobina.

1.2 Polimerizacin por plasma

Cuando se introducen monmeros en fase gaseosa en un plasma de baja

temperatura (o fuera de equilibrio trmico) se puede producir un polmero que se
forma en las superficies interiores del contenedor y tiene propiedades muy
diferentes a las de los polmeros convencionales. Por las caractersticas de estos
materiales resultantes, stos pueden tener un papel importante en la tecnologa
moderna. Una forma de obtener polmeros semiconductores es por medio de esta
tcnica de polimerizacin, en donde se busca sintetizar una pelcula delgada
semiconductora. Una de las aplicaciones ms conocidas de estos polmeros es en
la industria de la microelectrnica utilizada en aparatos como computadoras,
televisiones etc.(6).

La polimerizacin por plasma se ha estudiado mucho, sin embargo, el

mecanismo de las reacciones qumicas no es claro todava debido a la
complejidad del proceso de polimerizacin, el cual depende de las especies que
estn presentes durante la sntesis, as como de las condiciones experimentales
como son: presin, potencia, flujo de entrada del monmero y temperatura en el
reactor.
Los polmeros formados en descargas de resplandor suelen tener
caractersticas muy importantes que son [7]:
a).- Excelente adhesin al substrato.
b).- Fuerte resistencia a los agentes qumicos.
c).- Tener unidades repetidas, como un polmero convencional, pero en diferentes
arreglos espaciales.
d).- Sus propiedades estn determinadas por el monmero usado y las
condiciones del plasma. Por ejemplo, un plasma de etileno no solamente produce
polietileno, sino una variedad de sub-productos incluyendo grupos insaturados y
cadenas laterales.

1.2.1 Mecanismos de la polimerizacin por plasma

La Polimerizacin por Plasma se lleva a cabo a travs de diferentes etapas

[8]. En el estado inicial se producen radicales libres y especies excitadas por el
impacto de electrones e iones con las molculas del monmero o por disociacin
de especies qumicas absorbidas sobre la superficie del sustrato. El siguiente paso
es la propagacin de la reaccin y la formacin de la cadena polimrica. Esta
formacin se lleva a cabo en la fase gas por la adicin de radicales a otros
radicales o molculas, o sobre la superficie del reactor o sustrato por la interaccin
con los radicales de la superficie.

Finalmente, la terminacin puede tener lugar en la fase gas o en la

superficie del polmero por procesos similares a la propagacin, finalizando con el
polmero [4]. Las reacciones de polimerizacin se pueden representar por
recombinacin de los radicales libres como se muestra a continuacin:

Iniciacin

M i Mi *
Mk Mk*

Recombinacin

Mi* + Mk* (Mi Mk)

Reiniciacin

(Mi Mk) (Mi Mk)*

Donde i y k son nmeros de unidades monmericas repetidas, i = k = 1 para

los monmeros.
Se han desarrollado diversos estudios sobre los mecanismos de
polimerizacin que se llevan a cabo en plasmas. Yasuda [3] propone que el paso
de iniciacin son los radicales que se forman por la descarga (lo ms probable es
que sea por impacto electrnico).
Los radicales ya formados se pueden recombinar con otros radicales que ya
hayan sido creados y de esta manera se puede ir sintetizando el polmero que se
adhiere sobre toda la superficie expuesta al plasma.

1.3 Materiales compuestos

Los materiales compuestos estn formados de materiales continuos y

discontinuos, al material continuo se le llama matriz, y al discontinuo que
usualmente es el ms fuerte y duro se llama refuerzo. Las propiedades de los
materiales compuestos son dependientes de las propiedades de los materiales
que constituyen as como de su distribucin e interaccin entre ellos [9].
Segn Derek Hull un material compuesto es aquel que cumple con las
siguientes condiciones:
a).- Consta de dos o ms materiales fsicamente distintos y separables
mecnicamente.
b).- Las propiedades son superiores y posiblemente nicas en algn aspectos
especifico, que las propiedades de los componentes por separado.
El ltimo punto impulsa a cientficos e investigadores, a crear y construir
nuevos materiales compuestos ya que si no se cumpliera este ltimo punto no
habra razn para formar un material compuesto.

1.3.1 Clasificacin Materiales Compuestos.

Una primera clasificacin es la que analiza el tipo de matriz, distinguindose los

siguientes tipos [9]:
a) Materiales compuestos de matriz metlica o MMC (metal, matrix ,composites),
b) Materiales compuestos de matriz cermica o CMC (ceramic, matrix,
composites),
c) Materiales compuestos de matriz de carbn

d) Materiales compuestos de matriz orgnica o RO (reinforced, plastics) y dentro

de estos, son los ms utilizados:
e) Los CRFP (carbon, fiber, reinforced, plastics) o materiales compuestos de fibra
de carbono con matriz orgnica,
f) Los GRFP (glass, fiber, reinforced, plastics) o materiales compuestos de fibra de
vidrio con matriz orgnica.
En lo que a los refuerzos se refiere, los hay de dos tipos:
a) Fibras, elementos en forma de hilo en las que la relacin l/d > 100,
b) Cargas, el resto, utilizadas en elementos de poca responsabilidad estructural tal
y como se han resaltado, los materiales compuestos ms utilizados son los de
matriz orgnica y refuerzos en forma de fibras.

1.3.2 Aplicaciones de los materiales compuestos.

En los ltimos aos ha habido un rpido crecimiento de los materiales

compuestos, los cuales han ido reemplazando a otros materiales en especial a los
metales. Las ventajas de los materiales compuestos aparecen cuando se
consideran el mdulo de elasticidad por unidad de peso (mdulo especfico) y la
resistencia por unidad de peso (resistencia especfica). En los materiales
compuestos este mdulo es muy alto, es decir se reduce mucho peso, lo cual es
muy importante en la industria del transporte ya que al reducir el peso en las
partes mviles, se incrementa el desempeo y un ahorro de energa.
En la Figura 1-2 se muestran un ejemplo de las aplicaciones de los
materiales compuestos en un avin comercial.

Figura 1-2 Aplicacin de los materiales compuestos en un avin comercial.

1.4 Microscopia ptica

El ojo puede discriminar dos objetos si estn situados no ms cerca de 0,l

mm, mirando desde una distancia normal de 25 cm. Este es un factor lmite del
ojo humano y cualquier otro detalle ms pequeo que ste, debe ser aumentado

para ser visto. Se puede usar una lupa o un microscopio para aumentar la imagen.
El objetivo del microscopio es el de hacer distinguir los detalles estructurales de la
muestra a observar. El primer microscopio ptico con la suficiente resolucin para
identificar protozoos, los glbulos rojos, el sistema de capilares, fue diseado por
Anton Van Leeuwenhock en el ao 1675 posteriormente el microscopio ptico fue
recibiendo notables mejoras. El microscopio de luz es un sistema ptico de lentes
convergentes que cumplen la funcin de aumentar la imagen de un objeto [10]. En
la Figura 1-3 se muestra un microscopio.

Figura 1-3 Microscopio ptico

1.4.1 Formacin de la imagen en el Microscopio.

La imagen en un microscopio se forma por la transmisin de los rayos

provenientes de una fuente luminosa a travs del objeto. Los rayos luminosos
atraviesan el diafragma, que a manera de iris, delimita el dimetro del haz lumnico
que penetra por el condensador. Este ltimo, est formado por un sistema de

lentes convergentes que concentra y proyecta el haz lumnico sobre el objeto a

examinar, a travs de la abertura de la platina. El objetivo recoge la luz que
atraves el objeto examinado y proyecta una imagen real, invertida y aumentada
que se forma dentro del tubo y que es recogida por el ocular que es la segunda
lente, la cual forma una imagen virtual, invertida y aumentada del objeto
examinado.
Imagen real: significa que podr ser recogida por una pantalla o por una placa
fotogrfica.
Imagen virtual: es una impresin subjetiva que no puede ser recogida ni por
pantalla ni por placas fotogrficas.

1.5 Microscopia de barrido (SEM)

El primer microscopio electrnico de barrido fue desarrollado en 1930 en

Alemania. El primer modelo comercial fue presentado en 1964 por "The
Cambridge Scientific Instrument Company", posteriormente muchos otros
fabricantes han desarrollado nuevos modelos.
El principio del sistema SEM consiste en que si se hace incidir sobre la
muestra un haz de electrones finamente enfocado, emite una seal que pude
registrarse en una pantalla. La microscopa electrnica ha revolucionado el
conocimiento de ciencias como la biologa o la medicina, aunque su campo de
aplicacin se ha extendido a la mayora de disciplinas cientficas, incluidas las de
materiales. La principal ventaja de este tipo de microscopa es alcanzar una
extraordinaria amplificacin de la imagen de la muestra manteniendo un poder de
resolucin casi mil veces mayor que el ptico.
Estas magnficas propiedades se deben a que la fuente de iluminacin
usada es un haz de electrones. El funcionamiento de la microscopa electrnica,

sobre todo la de transmisin, es anlogo al funcionamiento de un microscopio

ptico. Por tanto una vez entendido los fundamentos tcnicos de la microscopa
ptica sern tambin fciles de entender los de la microscopa electrnica y, para
su descripcin, nos vamos a basar inicialmente en el Microscopio Electrnico
Barrido.
Caractersticas de SEM.
Las caractersticas ms importantes de SEM son: poder de resolucin,
profundidad del campo y contraste. En la siguiente figura 1-4 se muestra un
microscopio electrnico.

Figura 1-4 Microscopio electrnico de barrido SEM

1.5.1 Poder de resolucin

El poder de resolucin en el microscopio electrnico de barrido (SEM)

depende de varios factores, tales como la dimensin del haz de electrones, la
difusin del mismo en la muestra antes de la emisin de los electrones
secundarios, y la corriente estabilizada de la lente. La dimensin del haz puede
reducirse de muchas formas usando potencial elevado (kV). Por ejemplo a
potencia de 1 kV, la resolucin es 140 nm, mientras que a 30 kV, la resolucin les
20 nm (200 A).
Se puede prevenir la difusin del haz de electrones en la muestra,
aumentando la corriente. Finalmente, la alimentacin de corriente debe ser muy
estable, del orden de 1 parte en 100.000, para conseguir alta resolucin.

1.5.2 Profundidad de campo

|
Se utilizan lentes magnticas con simetra axial con el fin de producir un haz
fino de electrones. De todos modos hay que considerar que la aberracin esfrica
de las lentes magntica no puede corregirse con ningn tipo de lente de simetra
axial.
El haz de electrones mide aproximadamente 30 mm y se mueve en forma
de lneas paralelas a travs de la muestra. Se puede cambiar la amplificacin en
escalones de 20 X a 100.000 X aunque la resolucin de 25 nm es restringida a
aumentos de 10.000 X a 30.000 X.
La gran profundidad de campo permite observaciones especiales de la
muestra. En general la profundidad del campo es tan grande que permite
imgenes estereoscpicas.

1.5.3 Contraste

El contraste en SEM es logrado por el sistema colector. La muestra recibe

los electrones del haz de barrido y genera electrones secundarios. Estos
electrones emitidos son recogidos por el colector. Los electrones se desplazan en
lnea recta cuando la muestra es uniforme. Se consigue el contraste ptimo
cuando el colector puede recoger el mximo de electrones secundarios.

1.6 Conductividad elctrica

La conduccin de electricidad a travs de un material consiste en la

transferencia de una carga elctrica de una posicin a otra [11]. Segn la forma de
llevarse a cabo este transporte, los conductores elctricos pueden ser de dos
tipos: conductores metlicos o electrnicos y conductores inicos o electrolticos.
Se han propuesto varios mecanismos que explican dicha conductividad a lo
largo de los ltimos aos. En un material conductor el flujo elctrico proviene del
movimiento de electrones, los cuales pueden moverse dentro y a travs de
estados discretos de energa, conocidos como bandas. Cada banda tiene una
capacidad finita de ser ocupada por electrones y las bandas tambin pueden estar
vacas. El movimiento de los electrones ocurre nicamente entre bandas
parcialmente llenas; la conduccin de electricidad no puede llevarse a cabo ni en
bandas completamente llenas ni en bandas vacas, como es el caso de los
aislantes. Por el contrario, los metales poseen bandas parcialmente llenas. Existen
dos tipos de bandas que determinan la conduccin de electricidad en un material.
Por un lado, la banda con el mayor grado de ocupacin es llamada banda de

valencia, mientras que la banda superior a sta es conocida como banda de

conduccin.
Los intervalos de conductividad elctrica, , que separan a un tipo de
materiales de los otros no estn muy bien definidos.
Por ejemplo, de acuerdo con Shackelford [12].Se puede hacer la siguiente
clasificacin atendiendo a sus posibles aplicaciones en ingeniera:
a) Conductores : Con valores de conductividad entre 10 8 a 104 S/m
b) Semiconductores: Con valores de conductividad entre 10 4 a 10-4 S/m
c) Aislantes: Con valores de conductividad menores a 10 -4 S/m

Los materiales conductores estn constituidos por estructuras en las que se

produce el fenmeno enunciado: La corriente elctrica puede circular por ellos con
facilidad, ya que tienen electrones libres.
Conductores elctricos son en general los metales (oro, plata, cobre,
aluminio...). Cada tomo de estos elementos tiene al menos un electrn
compartido con los dems, llegando a poseer un nmero de electrones libres del
orden de 1023 electrones por cm3.
No existe banda prohibida, estando solapadas las bandas de valencia y
conduccin. Esto hace que siempre haya electrones en la banda de conduccin,
por lo que su conductividad es muy elevada.
Por otro lado estn los materiales aislantes con escasa conductividad
elctrica. El comportamiento de los aislantes se debe a la barrera de potencial que
se establece entre las bandas de valencia y conduccin que dificulta la existencia
de electrones libres capaces de conducir la electricidad a travs del material [13].

1.6.1 Los materiales semiconductores

Un semiconductor es una sustancia que se comporta como conductor o

como aislante dependiendo del campo elctrico en el que se encuentre, capaz de
conducir la electricidad mejor que un aislante, pero en menor medida que un
metal.
El elemento semiconductor ms usado es el silicio, aunque un
comportamiento similar presentan las combinaciones de elementos de los grupos
II y III con los de los grupos VI y V respectivamente (AsGa, PIn, AsGaAl, TeCd,
SeCd y SCd). De un tiempo a la fecha parte se ha comenzado a emplear tambin
el azufre. La caracterstica comn a todos ellos es que son tetravalentes, teniendo
el silicio una configuracin electrnica sp.

Los semiconductores, el salto de energa entre la de entre la banda de

valencia y la de conduccin es pequeo, del orden de 1 eV, por lo que
suministrando energa trmica pueden conducir la electricidad; pero adems, su
conductividad puede regularse, puesto que bastar disminuir la energa aportada
para que sea menor el nmero de electrones que salte a la banda de conduccin;
cosa que no puede hacerse con los metales, cuya conductividad es constante, o
ms propiamente, poco variable con la temperatura.

1.6.2 Tipos y caractersticas

Semiconductores Intrnsecos: Se dice que un semiconductor es intrnseco

cuando se encuentra en estado puro, o sea, que no contiene ninguna impureza, ni
tomos de otro tipo dentro de su estructura. En ese caso, la cantidad de huecos
que dejan los electrones en la banda de valencia al atravesar la banda prohibida

ser igual a la cantidad de electrones libres que se encuentran presentes en la

banda de conduccin. Cuando se eleva la temperatura de la red cristalina de un
elemento semiconductor intrnseco, algunos de los enlaces covalentes se rompen
y varios electrones pertenecientes a la banda de valencia se liberan de la
atraccin que ejerce el ncleo del tomo sobre los mismos. Esos electrones libres
saltan a la banda de conduccin y all funcionan como electrones de conduccin,
pudindose desplazar libremente de un tomo a otro dentro de la propia estructura
cristalina, siempre que el elemento semiconductor se estimule con el paso de una
corriente elctrica [4].
Semiconductores Extrnsecos: Si a un semiconductor intrnseco, como el
anterior, se le aade un pequeo porcentaje de impurezas, es decir, elementos
trivalentes o pentavalentes, el semiconductor se denomina extrnseco, y se dice
que est dopado. Evidentemente, las impurezas debern formar parte de la
estructura cristalina sustituyendo al correspondiente tomo de silicio.
Semiconductor Tipo N: Un Semiconductor tipo N se obtiene llevando a cabo
un proceso de dopado aadiendo un cierto tipo de tomos al semiconductor para
poder aumentar el nmero de portadores de carga libres (en este caso negativas o
electrones).Cuando se aade el material dopante, ste aporta sus electrones ms
dbilmente vinculados a los tomos del semiconductor. Este tipo de agente
dopante es tambin conocido como material donante ya que da algunos de sus
electrones. El propsito del dopaje tipo N es el de producir abundancia de
electrones portadores en el material.
Semiconductor Tipo P: Un Semiconductor tipo P se obtiene llevando a cabo
un proceso de dopado, aadiendo un cierto tipo de tomos al semiconductor para
poder aumentar el nmero de portadores (positivos o huecos). Cuando el material
dopante es aadido, ste libera los electrones ms dbilmente vinculados de los
tomos del semiconductor. Este agente dopante es tambin conocido como
material aceptor y los tomos del semiconductor que han perdido un electrn son
conocidos como huecos. El propsito del dopaje tipo P es el de crear abundancia
de huecos.

1.6.2 Conductividad en polmeros

Tal y como ocurre con los semiconductores, los polmeros pueden ser
dopados mediante la adicin de pequeas cantidades de ciertos tomos que
modifican sus propiedades fsicas. Al dopar por primera vez el poliacetileno con
vapor de yodo, Shirakawa [15] y sus colaboradores lograron aumentar su
conductividad mil millones de veces. Desde entonces se ha podido emplear el
dopado en diversos polmeros, como las polianilinas, polipirroles y politiofenos,
logrando un aumento considerable de la conductividad elctrica de dichos
polmeros.
La conductividad en los polmeros conductores, aunque puede alcanzar
valores metlicos (s >104 S/cm), es diferente de la conductividad metlica. En los
polmeros conductores sta sigue un proceso complejo que depende de la
preparacin y el dopado.
Los polmeros no conductores se comportan como aislantes, ya que tienen
una banda de valencia llena y una banda de conduccin vaca. En el caso de los
materiales aislantes existe una separacin energtica importante entre estas dos
bandas, mientras que en el caso de los semiconductores esta separacin es algo
menor. Los polmeros conductores difieren de los polmeros aislantes debido,
principalmente, a la presencia de agentes dopantes que modifican la cantidad de
electrones en las distintas bandas.

1.6.3 Conductividad Inica

La conductividad inica en un slido es el resultado del movimiento de los

iones dentro de la estructura atmica por efecto de un campo elctrico externo.

Los iones se pueden mover de una posicin contigua a otra si hay algn lugar
vacante en la estructura. A este movimiento se le llama mecanismo de vacancias,
porque parece que el lugar vacante se desplaza en sentido contrario al
desplazamiento de los iones. Al ser el movimiento de una posicin contigua a la
otra, el movimiento es en una distancia finita a la vez. Por esta razn se le ha
llamado tambin modelo de saltos.
Otro mecanismo parecido al de vacancias es el movimiento intersticial de
los iones. En este proceso los iones se mueven sin la necesidad de vacancias,
pues brincan de una posicin intersticial a otra vecina sin alterar grandemente la
estructura del slido. Aunque los iones se pueden mover dentro de la estructura
del slido, su movimiento es restringido en comparacin con el de los electrones,
debido a su gran masa y a que los iones participan ms activamente que los
electrones libres dentro de la estructura cristalina del slido. Sin embargo el
movimiento de los iones tiene a su favor la vibracin de la red, que al
incrementarse la temperatura incrementa la energa de vibracin del slido
facilitando el movimiento de los iones. As pues, la movilidad de los iones depende
de la temperatura y puede expresarse por medio de la ecuacin de Arrhenius.

1.7 Ley de Ohm. Conductividad y resistividad

Anteriormente hablamos de materiales semiconductores, y mencionamos

algunas de sus caractersticas mecnicas, elctricas y qumicas, por ende estos
materiales tienes propiedades que mencionaremos en este apartado.

1.7.1 Ley de ohm

La ley de Ohm dice que la intensidad de corriente que circula entre dos
puntos de un circuito elctrico es proporcional a la tensin elctrica entre dichos
puntos. Esta constante de proporcionalidad es la conductancia elctrica, que es el
recproco de la resistencia elctrica.
La intensidad de corriente que circula por un circuito dado, es directamente
proporcional a la tensin aplicada e inversamente proporcional a la resistencia del
mismo.

I
Es la expresin

GV =

V
R

matemtica que relaciona las magnitudes antes

mencionadas: donde las unidades son, para I el ampere, para G el siemens, para
V el volt, y para R el ohm.

1.7.2 Conductancia

Si hablamos de conductores podemos hablar de conductancia que est

directamente relacionada con la facilidad que ofrece un material cualquiera al paso
de la corriente elctrica. La conductancia es lo opuesto a la resistencia. A mayor
conductancia la resistencia disminuye y viceversa, a mayor resistencia, menos
conductancia, por lo que ambas son inversamente proporcionales. No se debe
confundir con conduccin o con conductividad son cosas relacionadas pero muy
diferentes. La conductancia se mide en el Si en siemens. La conductividad es la
conductancia de un material en especfico.

1 I
G= =
R V

1.7.3 Resistencia

Si hablamos de aislantes en este caso nos podemos referir a la resistencia

pero no es una propiedad exclusiva de estos, se define como: la mayor o menor
oposicin que tienen los electrones para desplazarse a travs de un conductor.
Todos los materiales se oponen en mayor o menor medida al paso de la corriente
de ah que cada material tenga una resistencia determinada. La unidad de medida
en el SI es el ohm ()
R=

L
S

Donde R es la resistencia, la resistividad del material y L y S la longitud y

seccin transversal de un conductor, respectivamente. La resistividad es la
resistencia elctrica especfica de cada material para oponerse al paso de una
corriente elctrica. Se designa por la letra griega Rho minscula () y se mide en
ohm metro (m).

La carga elctrica es una propiedad fsica intrnseca de algunas partculas

subatmicas que se manifiesta mediante fuerzas de atraccin y repulsin entre

ellas.

La

materia

cargada

elctricamente

es

influida

por

los

campos

electromagnticos, siendo a su vez, generadora de ellos. La denominada

interaccin electromagntica entre carga y campo elctrico es una de las cuatro
interacciones fundamentales de la fsica. Desde el punto de vista del modelo
estndar la carga elctrica es una medida de la capacidad que posee una
partcula para intercambiar electrones.

En el Sistema Internacional de Unidades la unidad de carga elctrica, q, se

denomina culomb (smbolo C). Se define como la cantidad de carga que pasa por
la seccin transversal de un conductor elctrico en un segundo, cuando la
corriente elctrica es de un amperio, y se corresponde con la carga de 6,241 509 x
1018 electrones aproximadamente.

1.7.5 Corriente elctrica

La corriente o intensidad elctrica es el flujo de carga por unidad de tiempo

que recorre un material. Se debe al movimiento de los electrones en el interior del
material. Su unidad en el SI es el ampere donde, t est en segundos.

I=

q
t

1.7.6 Potencial elctrico

Es el trabajo que debe realizar un campo electrosttico para mover una

carga positiva q desde el punto de referencia, dividido por unidad de carga de
prueba. Dicho de otra forma, es el trabajo que debe realizar una fuerza externa
para traer una carga unitaria q desde la referencia hasta el punto considerado en
contra de la fuerza elctrica. Matemticamente se expresa por:

V=

W
q

1.8 ley de Arrhenius

La palabra cintica por s misma significa velocidad. En principio se puede

estudiar la cintica de cualquier proceso (deshidratacin, crecimiento microbiano,

cristalizacin). En el caso concreto de que el objeto de estudio sean las

reacciones qumicas, la disciplina implicada se denomina Cintica Qumica (CQ)
[15].
El estudio de la velocidad de las reacciones qumicas tiene aplicaciones
numerosas. En la sntesis industrial de sustancias, las velocidades de reaccin
son tan importantes como las constantes de equilibrio. El equilibrio termodinmico
nos indica la mxima cantidad de producto que puede obtenerse a partir de los
reactivos a una temperatura y presin dadas, pero si la velocidad de reaccin es
muy baja la obtencin industrial de dicho producto no ser rentable.
Para comprender y predecir el comportamiento de una reaccin qumica
deben considerarse conjuntamente la Termodinmica y la Cintica Qumica. La
Cintica Qumica estudia la velocidad de las reacciones qumicas. sta depende
de diferentes factores entre los cuales se encuentra la temperatura (T). Muy
frecuentemente, la velocidad de las reacciones qumicas se puede expresar a
travs de una ecuacin cintica similar a:

V =K ( A)n
Ecuacin cintica

Donde k es la constante cintica, A es el reactivo y n es el orden de

reaccin. Ni la concentracin de reactivo ni el orden de reaccin dependen de la
temperatura, por lo tanto concluimos que si la velocidad de reaccin depende de la
temperatura es porque la constante cintica k depende de la temperatura.
Para muchas reacciones, esta dependencia de k respecto de la temperatura
se puede expresar segn una ecuacin emprica, la ecuacin de Arrhenius [15] .

K= AeEa / RT

Ecuacin de arrhenius

Segn esta ecuacin, k aumenta de modo exponencial cuando aumenta la

temperatura. En ella aparecen dos parmetros:
a) La energa de activacin (Ea) est relacionada con la barrera de energa
que deben superar los reactivos para transformarse en productos, por lo
que un valor elevado de la misma provoca un valor reducido de k y por lo
tanto de v. Sus dimensiones son de energa por cada mol.
b) El factor pre exponencial o factor de frecuencia (A) tiene las mismas
unidades que k.
El modo ms cmodo de trabajar con la ecuacin de Arrhenius es transformarla en
su forma linealizada. Si se aplican logaritmos neperianos a ambos lados de la
igualdad, se obtiene [15]:

A
ln K =ln

Ea
1
R
T
Ecuacin de Arrhenius linealizada

sta es la ecuacin de una lnea recta, donde Y es ln k, X es 1/T, la

ordenada en el origen es ln k y la pendiente es Ea/R. En la figura 1-5 se muestra
una representacin de dicha lnea recta.Entonces podemos obtener la energa de
activacin con la formula:

m=

Ea
K

Figura 1-5 Dependencia lineal de ln k respecto a 1/T