Electronique Analogique

1009-04 Electronique Analogique
Facult Polytechnique de Mons

Service dElectronique et Microlectronique
21.10.07
Cr par : FPMs
Adaptation libre du cours de circuits lectroniques des Professeurs Jespers et Trullemans donn lUCL en
1987.
1009-04 Electronique Analogique

Facult Polytechnique de Mons
Service dlectronique et Microlectronique
Prof. Valderrama
Avant propos
1009-04lectroniquee Analogique [21 oct. 07]
Ce cours est une adaptation libre du cours de circuits lectroniques des Professeurs Jespers et Trullemans donn
lUCL en 1987. Cette adaptation tient compte des progrs rcents dans le domaine de la microlectronique en
mettant laccent sur linfluence dominante de la technologie CMOS par rapport au bipolaire mais tient galement
compte de la nouvelle rpartition des cours dlectronique la Facult Polytechnique de Mons.
AVANT PROPOS................................................................................................................ 1
1. ORGANISATION......................................................................................................... 5
2. INTRODUCTION ........................................................................................................ 6
1.1
CIRCUITS ANALOGIQUES ET NUMRIQUES ................................................................... 7
1.2
CONCEPT DAMPLIFICATION ................................................................................... 8
1.3
LE CONCEPT DACTIVIT ....................................................................................... 9
1.4
NOTIONS FONDAMENTALES.................................................................................. 10
1.4.1
REPRSENTATIONS ..................................................................................... 10
1.4.2
APPROXIMATION ....................................................................................... 15
1.4.3
MODLES ................................................................................................ 15
2
MODLISATION DES DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS.......................................................... 17
2.1
LA DIODE ....................................................................................................... 17
2.1.1
MODELE GRANDS SIGNAUX : .......................................................................... 17
2.1.2
DEPENDANCE EN TEMPERATURE : ................................................................... 17
2.1.3
DIODE EN PETITS SIGNAUX : .......................................................................... 17
2.1.4
MODELE DYNAMIQUE .................................................................................. 18
LE TRANSISTOR BIPOLAIRE.............................................................................................. 19
MODELE GRANDS SIGNAUX ......................................................................................... 19
2.1.5
ECARTS PAR RAPPORT AU MODELE IDEAL ........................................................... 20
2.1.6
EFFETS DE LA TEMPERATURE .......................................................................... 20
2.1.7
MODELE PETITS SIGNAUX .............................................................................. 21
2.1.8
2.2
LE TRANSISTOR MOS ......................................................................................... 21
2.2.1
MODELE GRANDS SIGNAUX ........................................................................... 22
2.2.2
ECARTS PAR RAPPORT AU MODELE IDEAL ........................................................... 22
2.2.3
MODELE PETITS SIGNAUX .............................................................................. 23
2.2.4
3
MONTAGES DE BASE DES TRANSISTORS MOS ET BIPOLAIRE.................................................... 25
4
ETUDE DE QUELQUES CIRCUITS TYPIQUES ........................................................................ 27
4.1
EXEMPLE DE METHODE DE CALCUL ......................................................................... 27
4.2
AMPLIFICATEUR ELEMENTAIRE .............................................................................. 29
4.3
MONTAGE A GAIN TRES ELEVE ............................................................................... 30
4.4
MONTAGE CASCODE.......................................................................................... 32
4.5
AMPLIFICATEUR TROIS ETAGES.............................................................................. 32
4.6
LE DARLINGTON............................................................................................... 34
4.7
AMPLIFICATEUR DIFFERENTIEL .............................................................................. 35
4.7.1
CARACTERISTIQUE DC ................................................................................ 36
4.7.2
GAIN PETITS SIGNAUX .................................................................................. 40
4.8
MIROIRS DE COURANT ........................................................................................ 41
4.8.1
SIMPLE MIROIR DE COURANT MOS .................................................................. 41
4.8.2
MIROIR DE COURANT CASCODE ...................................................................... 43
4.8.3
SOURCE DE COURANT WILSON ...................................................................... 45
4.9
APPLICATION DES MIROIRS DE COURANT .................................................................. 46
4.9.1
AMPLIFICATEUR DIFFERENTIEL CHARGE PAR DES SOURCES DE COURANT ...................... 47
1009-04 lectronique Analogique [21 oct. 07]
1 Sommaire
4.9.2
GENERATION DE SOURCES DE COURANT TRES FAIBLES : SOURCE WIDLAR .................... 49
4.9.3
CIRCUITS AUTO-DEMARRANTS ....................................................................... 51
5
LA RPONSE EN FRQUENCE ........................................................................................ 54
5.1
INTRODUCTION................................................................................................ 54
5.2
CIRCUITS EQUIVALENTS HF DES ELEMENTS ACTIFS ....................................................... 58
5.2.1
CIRCUIT EQUIVALENT HF DU TRANSISTOR BIPOLAIRE ............................................ 58
5.2.2
RPONSE EN FRQUENCE DU GAIN EN COURANT DU TRANSISTOR .............................. 61
5.2.3
CIRCUIT EQUIVALENT HF DU TRANSISTOR MOS .................................................. 64
5.3
LE FACTEUR DE MERITE OU PRODUIT GAIN X BANDE PASSANTE ........................................ 65
5.3.1
INTRODUCTION ......................................................................................... 65
5.3.2
COMPARAISON DU TRANSISTOR MOS ET BIPOLAIRE SUR BASE DU FACTEUR DE MERITE ..... 66
5.4
CAPACITE MILLER ............................................................................................. 67
6
LES ETAGES DE SORTIE .............................................................................................. 71
6.1
INTRODUCTION................................................................................................ 71
6.2
LE MONTAGE COLLECTEUR COMMUN, FONCTIONNEMENT EN CLASSE A ............................. 71
6.3
FONCTIONNEMENT EN CLASSE B ............................................................................ 73
6.4
FONCTIONNEMENT EN CLASSE AB. ......................................................................... 76
6.5
ETAGE DE SORTIE NPN ....................................................................................... 77
6.6
PROTECTION DE COURT-CIRCUIT........................................................................... 79
6.7
ETAGES DE SORTIE CMOS EN CLASSE AB .................................................................. 79
6.8
SOURCES COMMUNS EN SORTIE, AVEC RACTION ........................................................ 80
7
LES AMPLIFICATEURS OPRATIONNELS ............................................................................ 82
7.1
INTRODUCTION................................................................................................ 82
7.2
PROPRITS GNRALES DE LA RACTION ................................................................. 83
7.2.1
INTRODUCTION ......................................................................................... 83
7.2.2
STABILISATION DU GAIN ............................................................................... 84
7.2.3
AU NIVEAU DE LA DISTORSION : ...................................................................... 85
7.2.4
STABILISATION DU DISPOSITIF EN FONCTION DE LA TEMPERATURE ET DES TENSIONS
DALIMENTATION :................................................................................................... 85
7.2.5
DERIVE DU POINT DE FONCTIONNEMENT, BRUIT EN ENTREE DE LAMPLIFICATEUR : ........ 85
7.2.6
ELARGISSEMENT DE LA BANDE PASSANTE ............................................................ 87
7.3
MONTAGES DE BASE PARTIR DAMPLIFICATEURS IDAUX .............................................. 88
7.3.1
MONTAGES INVERSEUR ................................................................................ 88
7.3.2
EXEMPLES DAPPLICATION DU MONTAGE INVERSEUR ............................................. 89
7.3.3
AMPLIFICATEUR LOGARITHMIQUE ................................................................... 91
7.3.4
MONTAGE NON-INVERSEUR .......................................................................... 91
7.3.5
MONTAGES A AMPLIFICATEURS INTEGRES : NOTIONS SUR LES CAPACITES COMMUTEES ..... 92
7.4
IMPERFECTIONS DES AMPLIFICATEURS OPRATIONNELS ................................................. 95
7.4.1
TENSION DE DCALAGE (OFFSET VOLTAGE) ........................................................ 95
7.4.2
COURANT DENTRE ................................................................................... 96
7.4.3
DCALAGE DES COURANTS DENTRE ............................................................... 96
7.4.4
TAUX DE RJECTION DU MODE COMMUN (CMRR) ............................................... 96
7.4.5
DYNAMIQUE DE SORTIE ................................................................................ 96
7.4.6
DYNAMIQUE DENTRE ................................................................................ 96
7.4.7
RPONSE EN FRQUENCE .............................................................................. 97
7.4.8
SLEW RATE............................................................................................... 99
7.5
AMPLIFICATEUR ELEMENTAIRE A DEUX ETAGES TECHNOLOGIE MOS, OU AMPLIFICATEUR MILLER
100
7.5.1
GAIN EN TENSION ...................................................................................... 100
7.5.2
DYNAMIQUE DE SORTIE ............................................................................... 101
7.5.3
TENSION DE DECALAGE ............................................................................... 101
7.5.4
REJECTION DE MODE COMMUN ..................................................................... 104
7.5.5
DYNAMIQUE DENTREE ............................................................................... 105
7.6
AMPLIFICATEUR CASCODE REPLIE .......................................................................... 105
8
LES ALIMENTATIONS STABILISEES .................................................................................. 107
8.1
REDRESSEMENT ............................................................................................... 107
8.2
FILTRAGE ...................................................................................................... 110
8.3
LE STABILISATEUR ............................................................................................ 111
8.4
CALCUL DE LIMPEDANCE DE SORTIE DE LALIMENTATION STABILISEE ............................... 113
9
STABILITE DES AMPLIFICATEURS ................................................................................... 118
9.1
CRITERE DE NYQUIST ........................................................................................ 118
9.1.1
COMPENSATION DES AMPLIFICATEURS ............................................................. 121
9.1.2
IMPACT DE LA CAPACITE DE COMPENSATION SUR LE SLEW-RATE DE LAMPLIFICATEUR..... 126
1. Organisation
Titre du cours : lectronique Analogique
Numro du cours : 1009-04
Priode : premier quadrimestre
Structure :
Cours thorique : 4 UEC (units de cours) : 4*7 = 28h
Sances d'exercices : 1 UEX (units dexercices) : 1*7 = 7h
Sances de laboratoire : 2 UTR (units de travaux pratiques) : 2*24,5 = 49h (ddoubles = 98h)
Objectifs :
Suite logique du cours d'lectronique Physique, ce cours propose une tude systmatique des blocs
analogiques de base : amplificateurs diffrentiels, miroirs de courant, tages de sortie, en technologie CMOS
et bipolaire. Les blocs de base sont ensuite assembls pour la conception de divers types d'amplificateurs un
ou deux tages. Des notions importantes telles que la stabilit et la rponse en frquence sont introduites.
Finalement, des structures plus complexes sont tudies, en particulier les alimentations stabilises
Enseignants :
Carlos VALDERRAMA, Professeur
Frdrique GOBERT, FNRS
Laurent JOJCZYK, Assistant
Papy NDUNGIDI, Assistant
Anne acadmique : 4eme lectricit
Pr requis :
lectronique Physique [1009-02].
Contenu :
1. Introduction. 2. Modlisation des dispositifs semi-conducteurs. 3. Montages de base des transistors MOS
et bipolaire. 4. tude de quelques circuits typiques. 5. La rponse en frquence. 6. Les tages de sortie. 7.
Les amplificateurs oprationnels. 8. Les alimentations stabilises. 9. Stabilit des amplificateurs.
Supports :
Diverses informations sont disponibles sur le site d'enseignement assist par ordinateur: notes de cours
(syllabus), diapositives, preuves des annes prcdentes avec rponse finale (parfois avec rsolution), tests
en ligne (QCM) permettant aux tudiants de s'valuer. Cours et transparents bass notamment sur le cours
de circuits lectroniques des Professeurs Jespers et Trullemans donn lUCL en 1987. Sites Web et
rfrences transmises durant lanne.
Mthodes d'apprentissage :
Sances de cours. Le cours pose les bases thoriques, de faon rigoureuse, des outils qui seront ncessaires
la rsolution des exercices. Sances de laboratoire. Elles sont ddoubles. Les sances de laboratoires
sont illustres sur des exemples, notamment le montage et la mesure des circuits plusieurs transistors avec
des composants discrets et intgrs ainsi que la modlisation et la simulation Spice dans un environnement de
CAO (conception assiste par ordinateur) Cadence. Ces sances sont primordiales plus dun titre. Elles
permettent une comprhension par la pratique des concepts ncessaires la manipulation des composants et
des appareils de mesure. Elles donnent aussi ltudiant loccasion de sinitier la modlisation de circuits
laide des outils de CAO en Microlectronique (Cadence et Spice). Au cours de ces sances, ltudiant rdige
un rapport sur les mesures effectues et lanalyse des rsultats obtenus. Un tudiant est systmatiquement
envoy au tableau. Il sera un interlocuteur privilgi avec l'enseignant, lui permettant ainsi d'avancer une
vitesse adapte l'auditoire.
valuation et pondration 1ere session :
Poids total du cours: 95 points. valuation des laboratoires : pondration 15 points. Examen crit de janvier
(50% laboratoire et 50% exercices) : pondration 45 points. Examen oral thorique de janvier: pondration
35 points.
valuation et pondration 2eme session :
Poids total du cours: sur 80 points. : Examen crit de septembre (exercices) : pondration 45 points.
Examen oral thorique de septembre: pondration 35 points.
2. Introduction
Lhistoire des techniques qui nous intressent est contenue entirement dans le 20me sicle, si lon en fixe
lorigine linvention du tube triode par Lee de Forest en 1906. En peu de temps, elle a connu deux
bouleversements majeurs : le premier est larrive du transistor en 1947, le second est la mise au point des
technologies dintgration de circuits en 1958.
Un circuit lectronique est un assemblage de composants destins raliser une fonction particulire, analogique
ou numrique, sur des signaux lectriques. Un amplificateur haute fidlit, un rgulateur de tension, les lments
de base dun tlphone mobile ou un microprocesseur sont des circuits lectroniques. La notion de composant
est lie la technique dassemblage utilise : nous lutiliserons ici comme synonyme de botier, la technique
dassemblage tant la soudure sur une carte de circuits imprims.
Un circuit est ralis par lassemblage dlments passifs (rsistances, capacits, inductances, transformateurs) ou
actifs (transistors). Si le contenu des composants est lmentaire, on parle de composants discrets. La
technologie actuelle permet cependant dintgrer en un mme botier un assemblage de transistors et dlments
passifs, les dimensions du botier tant indpendantes de la complexit du systme. Il na fallu que quelques
annes pour passer du transistor isol (en 1947, par Shokley, Bardeen et Brattain. Premier transistor commercial
au germanium en 1951, premier transistor au silicium en 1954) au premier circuit intgr (Kilby en 1958). En
peu de temps, des structures de complexit moyenne ont vu le jour : le composant est alors un circuit discret,
Ce cours a pour objet ltude des techniques de ralisation de circuits intgrs linaires actifs. Pourquoi
sintresser de lintrieur au contenu de ces circuits intgrs ? Quest-ce quun circuit intgr ? Quest-ce quun
circuit linaire ? Quest-ce quun circuit actif ? Lintroduction rpond ces questions, en introduisant au passage
la notion damplificateur.
comme par exemple lamplificateur oprationnel ou la boucle verrouillage de phase, contenant quelques
dizaines de transistors dans un botier de taille et de prix comparable celui du transistor unique.
En augmentant la complexit du composant, on avance dans la complexit de lassemblage. Des systmes
complexes sont conus partir de circuits intgrs, et le recours aux composants discrets est rserv des cas
particuliers (composants de prcision, haute frquence ou forte puissance). De plus, aujourdhui, des systmes
entiers sont raliss sous la forme dun seul circuit intgr grande chelle, comprenant plusieurs dizaines de
millions de transistors sur une pastille de silicium dont la taille varie de quelques dizaines quelques centaines de
millimtres carrs. De nombreux exemples peuvent tre emprunts au domaine de llectronique grand public
pour illustrer ce degr dintgration, comme par exemple le tlphone mobile. Seuls deux circuits intgrent
lentiret des fonctions du tlphone, un circuit numrique ralise lensemble des fonctions relatives au
traitement du signal et au contrle du tlphone, un circuit analogique ralise les fonctions ncessaires au
traitement du signal analogique radio ou en bande vocale. Ce degr dintgration extrmement lev permet
datteindre la structure de cots ncessaires au dploiement de ces systmes sur le march grand public.
La ralisation dun systme suppose donc ltude des caractristiques externes de composants complexes.
Cependant cette tude ne permet ni lexpos ni lapprentissage des techniques fondamentales pour deux raisons :
La fonction de ces composants est complexe et donc difficile dcrire sans la connaissance pralable de leur
domaine dapplication.
Linterface que prsentent ces composants au monde extrieur est conue de telle sorte quils obissent un
modle abstrait, aussi peu dpendant que possible des dtails du fonctionnement au niveau lectrique.
Lapprentissage devrait donc passer par la voie traditionnelle, qui est de parcourir un fragment de lhistoire en se
faisant la main sur des circuits composants discrets. Quand cette technique dassemblage tait la rgle gnrale,
il y avait peu de questions se poser. Lintrt pratique immdiat associ cette dmarche en faisait un choix
vident. Mais ce nest plus le cas aujourdhui, o un autre choix est propos : tudier les structures de base
utilises dans la ralisation des systmes intgrs. Cette approche permet daborder demble une plus grande
richesse de concepts, grce la maturation des techniques qui a videmment prsid la conception des circuits
les plus rcents. Il est cependant vident que les principes exposs en tudiant ces exemples sappliquent
galement dans tous les cas lassemblage de composants discrets.
Dautre part, une dmarche systmatique est indispensable pour prvoir par le calcul le comportement dun
circuit intgr, lequel est impossible dterminer par essais et erreurs sur une maquette. De plus, ce
comportement doit tre largement indpendant des valeurs des paramtres des lments, qui ne peuvent tre
tris avant le montage. Enfin, le droit lerreur nest pas tolr, sachant que la fabrication dun circuit et sa
validation peuvent coter en temps de trois cinq mois sur le temps total de dveloppement du systme, mais
galement en capital prs de un million de dollars pour la fabrication des masques dun seul circuit dans les
technologies sous le dixime de micron. La conception mais galement la simulation des circuits intgrs est
donc une cole, beaucoup plus exigeante et gnrale que la conception de circuits composants discrets.
1.1 Circuits analogiques et numriques

Les circuits intgrs peuvent tre spars en deux classes selon le type de fonction quils ralisent :
Dans les circuits analogiques (analog circuits), on porte lattention sur des signaux lectriques (tension, courant)
dont la valeur varie de faon continue. Linformation du signal est transmise par son amplitude ou sa frquence,
ou une combinaison des deux, et des transformations le plus souvent linaires lui sont appliques (ce nest pas
toujours le cas, par exemple un mlangeur est un systme dont le fonctionnement repose sur des effets non
linaires). Le monde qui nous entoure est bien entendu analogique et les circuits analogiques sont utiliss pour
transformer (amplificateur, filtre) puis convertir le signal lectrique analogique gnr aux bornes dune antenne
ou par la bobine dun micro en un signal numrique.
Dans les circuits numriques (digital circuits), les valeurs intressantes du signal sont des valeurs discrtes. En
gnral les signaux ne peuvent prendre que deux niveaux distincts, reprsentant les valeurs 0 et 1 dun lment
dinformation (bit). Une information est reprsente sous forme code par un ensemble de bits (mots). Les
circuits ne sont plus linaires mais fonctionnent entre deux tats extrmes. Une tude dtaille du
fonctionnement dun tel circuit doit tre mene au niveau analogique, mais la description de son comportement
externe peut tre faite de manire plus abstraite, en termes doprateurs logiques ou de fonctions logiques crites
en langage de haut niveau (VHDL ou Verilog).
Certains systmes combinent les circuits analogiques et numriques. Cest en particulier le cas des convertisseurs
analogiques numriques (Analog to Digital Converters ou ADC) et des convertisseurs numriques analogiques
(Digital to Analog Converter, DAC), qui assurent linterface entre les deux mondes numrique et analogique.
Nous tudierons plus en dtail les circuits analogiques dans le cadre de ce cours.
1.2 Concept damplification

Ltude des circuits lectroniques telle quelle est prsente ici suppose que le lecteur matrise les techniques
danalyse des circuits linaires. Il suppose de mme acquise la connaissance de la physique des dispositifs semiconducteurs.
Nous allons dans un premier temps prciser le concept damplification. Il faut comprendre par dfinition
amplification de puissance . Afin de prciser cette notion, analysons quelques exemples :
i2
v1
v2
Imaginons que lon applique une source de test lentre du quadriple Q, soit v1=vtest et que lamplitude de la
tension de sortie v2 soit suprieure la tension dentre v1. Cette condition ne suffit pas pour que Q soit un
dispositif amplificateur. La condition remplir est en effet plus exigeante, savoir :
v2 i2 > v1 i1
Par consquent un transformateur nest pas un amplificateur, quel que soit le rapport de transformation. Une
analogie mcanique au transformateur est le levier : il accrot la force avec laquelle nous pouvons soulever une
masse, mais ne fournit pas de gain en puissance.
i1
Envisageons prsent un exemple typique damplificateur, une chane haute fidlit. Elle comprend un lecteur
laser dcodant les valeurs binaires graves sur un CD ROM. Le signal issu du lecteur de CD est en gnral
converti en un signal analogique de lordre du mV lentre de lamplificateur, sur une impdance de 68 k. La
puissance moyenne lentre de lamplificateur est donc de lordre de 10 pW. Supposons la puissance de sortie
de lordre de 10W, il y a donc un gain en puissance de lordre de 1012, ce qui vrifie bien entendu la condition
damplification.
La thermodynamique spcifie bien entendu que ce supplment de puissance soit emprunt une source, qui nest
pas toujours reprsente explicitement dans les schmas.
Lamplificateur se comporte comme une vanne, capable de moduler le dbit de puissance de la source vers la
charge connecte en sortie. Lentre commande la vanne, opration qui requiert galement de la puissance, mais
en moindre quantit.
1.3 Le concept dactivit

Le concept damplification est li celui, plus gnral dactivit. Un 2n-ples est considr comme un circuit
actif si la somme de toutes les puissances moyennes entrantes est ngative (ce qui revient dire que le circuit
fournit de la puissance vers lextrieur, aux dpens dune source dalimentation non reprsente). Dans tous les
autres cas, le 2n-ples est dit passif, soit quil dissipe de la puissance si la somme de toutes les puissances entrantes
est positives (lments rsistifs), soit quil ne dissipe ni ne fournit de la puissance, ce qui est le cas par exemple des
filtres sans pertes (circuits capacits ou inductances).
Les transistors sont des lments actifs, car ils permettent de raliser lopration de modulation de puissance.
Considrons le circuit suivant :
R = 1k
= 300
VOUT
VIN
Au repos, la tension variationnelle1 vin est nulle. La tension Vin doit alors tre environ 0.7V pour que le transistor
soit polaris en rgime actif. Admettons que le courant de collecteur soit de 2 mA. Le courant de base vaut, en
considrant un transistor non satur :
IB = IC/
1
= 2 mA / 300 = 6.7 A
Les tensions et courants variationnels sont reprsents par des lettres minuscules, par contre les tensions et
courants grands signaux sont reprsents par des lettres majuscules.
Supposons que lon impose un signal dentre vin sinusodal dune amplitude de 1 mV. Limpdance
variationnelle de la jonction passante base-metteur2, telle quelle est vue par la base, est fournie par
lexpression :
rB = VT/IB= kT/q/IB = 3.9 k
Le courant variationnel du collecteur vaut donc :
iC =
i =
F B
vin/rB = 77 A
Et la puissance petits signaux en entre :

vin2 / rB = 256 pW
La puissance petits signaux en sortie vaut alors :
R ic2 = 5.93 W
Le gain en puissance se rvle suprieur 20.000 !
La puissance variationnelle dissipe dans R est prleve sur lalimentation, tandis que le transistor joue le rle de
vanne qui module le courant dbit par la source. La commande du transistor-vanne est assure par le signal
alternatif dentre.
Ce circuit prsente simultanment un gain en tension et un gain en courant. Le gain en courant est connu, il vaut
300. Le gain en tension est facile calculer :
Av = vout/vin = R iC / vin = 77
Bien entendu le produit des gains en tension et en courant vaut le gain en puissance.
En gnral, on accorde peu dattention au gain en puissance. On caractrise lamplificateur par son gain en
tension et/ou son gain en courant. La raison en est simple : il est plus facile de mesurer des tensions et des
courants que des puissances, sauf en trs hautes frquences. Dans ce cours, nous nous limiterons aux calculs des
gains en tension et en courant, tout en noubliant pas que les montages tudis ont gnralement un gain en
puissance trs lev.
1.4.1 Reprsentations
Un circuit est dfini de faon formelle par un graphe dont les branches sont des lments parcourus par un
courant et dont les nuds sont ports un potentiel mesur par rapport un point de rfrence arbitraire, en
gnral un des nuds du circuit appel masse (ground). Par tension en un nud , on dsigne implicitement la
diffrence de potentiel entre ce nud et la masse. La tension aux bornes dune branche est la diffrence de
potentiel entre les nuds extrmits de cette branche. La somme des tensions le long de tout parcours ferm
dans le graphe est nulle (premire loi de Kirchoff).
Cf. modle petits signaux dun transistor bipolaire, dans le cours dlectronique physique.
1.4 Notions fondamentales
10
Chaque lment est dfini par une relation entre la tension ses bornes et le courant qui le traverse, relation qui
fait intervenir les tensions en dautres nuds ou le courant dans dautres branches si llment est une source
dpendante. Pour une rsistance, cette relation est la loi dohm :
V2
I = (V2 V1) / R
V1
Les lments utiliss sont les lments classiques de la thorie des circuits. Diodes et transistors peuvent tre
reprsents sous certaines conditions ( petits signaux ) par un schma quivalent qui ne fait intervenir que de
tels lments.
En crivant une relation par branche, et en appliquant chaque nud la seconde loi de Kirchoff selon laquelle la
somme des courants en chaque nud est nulle, on obtient un systme dquations dont la rsolution donne les
valeurs de tous les courants et tensions du circuit. Il y a B courants et N-1 tensions sil y a N nuds et B
branches. Le calcul revient alors rsoudre un systme de B-N+1 quations liant des courants de branche
indpendants.
Bien que formellement complte, cette mthode est en gnral inadquate parce que lanalyse complte ne
devient applicable que sur de trs petits circuits. Pour un circuit complexe, il faut recourir au calcul numrique,
lequel offre la rponse des questions du type : quel est le gain de cet amplificateur ? mais pas des questions
comme : pourquoi le gain est-il petit ? ou : comment laugmenter ?
11
Rpondre ces questions suppose une approche plus globale, de nature stratgique ( faire les bons choix aux
moments opportuns ) et non algorithmique ( application dune suite de rgles dans un ordre non ambigu
conduisant au rsultat ). Mme si dans un certain nombre de cas, lanalyse dtaille est applicable, elle conduit
plus lentement au rsultat quune mthode synthtique, qui cherche discerner au plus tt les variables
essentielles et les privilgier. La qualit dune mthode se mesurera la pertinence des rsultats quelle fournit
(ils doivent tre corrects, sans tre noys dans des dtails sans importance) mais galement fonction du temps
ncessaire pour les obtenir, quil sagisse du temps de calcul sur une machine ou du temps de rflexion. La
rapidit marque la frontire entre les problmes solubles ou non dans des circonstances concrtes, parmi tous les
problmes thoriquement solubles.
Faire des choix judicieux suppose que lon dispose dune formulation du problme facile apprhender, ou en
dautres termes dune reprsentation simple. Des expressions algbriques peuvent tre simplifies en appliquant
des rgles de rcriture, comme la mise en vidence, ou en choisissant bien les variables indpendantes. Une
dmarche similaire peut tre effectue directement au niveau du schma lectrique, en redessinant un schma
pour obtenir un schma quivalent plus simple. Deux schmas sont quivalents sils sont indiscernables partir
des mesures de tensions et de courant effectues de lextrieur. Cest le cas pour les diples A2A1 et B2B1 de la
figure suivante :
R2
RT
A2
V0
B2
VT
R1
A1
B1
VT = V0 R1 / (R1 + R2)
RT = R1 R2 / (R1 + R2)
De mme, les schmas de Thvenin et Norton de la figure suivante sont quivalents :

RT
B2
C2
VT
IT
B1
YT
C1
IT = V T / R T
YT = 1 / R T
a) Obtenir facilement une transformation du circuit dans lequel le diple est insr. La figure suivante
reprsente un cas o lemploi de la reprsentation srie (de Thvenin) est le meilleur choix.
Quel critre appliquer pour choisir la reprsentation ?
12
RT
VT
IT
YT
b) Reprsenter au mieux le diple par un idal, le diple de Thvenin reprsente une source de tension (la
tension aux bornes est peu prs constante quel que soit le circuit dans lequel on insre le diple, lidal
est quelle soit effectivement constante, soit RT = 0), le diple de Norton reprsente une source de
courant (idale si YT = 0). Dans les deux cas, la rsistance srie ou ladmittance parallle fixent les
limites ralistes de lidalisation : la valeur de la tension ne restera constante que si la rsistance
(admittance) du circuit connect est grande (petite) vis--vis de RT (YT). Ces lments sont perus
comme des perturbations. Les omettre dans le schma ne fausse pas, en gnral, les raisonnements
qualitatifs.
Les diples A2A1, B2B1, C2C1 de la figure suivante sont quivalents, ils sont obtenus par application de
transformations successives :
C2
R2
V0
A2
R11
13
RT
R2
R12
V0
B2
VT
R1
A1
B1
C1
R1 = R11 R12 / (R11 + R12)

VT = V0 R1 / (R1 + R2)
RT = R1 R2 / (R1 + R2)
Les lments du diple de Thvenin peuvent tre mesurs directement sur le circuit de dpart en appliquant les
conditions de mesure adquates, c'est--dire en mettant le circuit dans des conditions telles que les valeurs
dterminer soient donnes par des quations simples. Dans le cas prcdent, la tension VT est mesure entre C2
et C1 si lon ne connecte aucun lment extrieur, ou si le courant sortant du circuit Iext est nul. Cette tension est
appele tension circuit ouvert. On vrifie que lon mesure VT entre A2 et A1 circuit ouvert.
Deux remarques :
On pourrait suggrer de mettre le diple en court-circuit pour mesurer RT, mais il ne faut pas oublier les
spcifications limites dutilisation des composants rels : la mesure est impossible si le courant maximum
admissible est infrieur au courant de court-circuit. Dautre part, il nest pas toujours facile dappliquer
les conditions aux limites. En hautes frquences, par exemple, les capacits parasites empchent la
ralisation dun circuit ouvert, et les inductances parasites empchent la ralisation de courts-circuits.
Ces notions de circuits ouverts et courts-circuits sont donc relatives. En prsence de signaux
sinusodaux, une capacit pourra tre considre comme un court-circuit si limpdance quelle prsente
est ngligeable devant les autres impdances mises en parallle. De mme, un circuit contenant une
inductance srie sera considr comme ouvert si son impdance est grande par rapport limpdance
srie. Il est donc ais douvrir un circuit dont limpdance est faible ou de court-circuiter une
impdance leve la frquence de travail. Cette remarque est galement valable lorsque limpdance
en question est limpdance interne dun diple quivalent de Thvenin ou de Norton.
Le style des dessins de schmas nest pas sans importance. La situation est la mme quen algbre, o
lon peut rendre lcriture dune expression plus ou moins claire par mise en vidence, emploi de
parenthses, etc Il est utile de redessiner un schma au fur et mesure que lanalyse progresse. Le but
est en gnral de faire apparatre des motifs connus, comme on le ferait pour un carr parfait dans une
expression algbrique ou pour le diviseur potentiomtrique dans le schma suivant :
X
RB
RB
RC
RD
VI
RD
RA
VI
Y
RC
Y
Les deux diples XY y sont identiques, seul le dessin diffre. Mais le dessin adopt droite permet de constater
au premier coup dil que les prmisses des deux rgles suivantes sont vrifies, et donc dappliquer demble les
transformations correspondantes :
Rgle 1 :
Une rsistance apparat en parallle sur une source de tension.
Elle peut tre supprime du schma.
Rgle 2 :
Un diviseur potentiomtrique apparat entre deux nuds.
RA
14
Il peut tre remplac par un quivalent Thvenin.
1.4.2 Approximation
La prcision souhaitable lors dun calcul numrique est limite par les proprits relles des lments. Il ne faut
oublier ni la prcision possible pour des mesures, ni les dispersions des caractristiques des lments. Exprimer la
valeur dune rsistance avec 7 chiffres significatifs na aucun sens si lon est pas prt payer le prix dune telle
mesure (problme analogue a celui de dterminer la distance entre deux objets situs Bruxelles et Mons 10
cm prs). Les rsistances sont disponibles dans une gamme discrte de valeurs distribues selon une chelle
logarithmique (voir annexe 1, srie de Renard). Elles sont fabriques avec une dispersion sur les valeurs plus
grande que celle qui affecte le poids du pain. Qui exige un pain de 725.8 grammes ?
Dans une arithmtique exprime avec deux chiffres significatifs, laddition des nombres 1200 et 4 donne 1200.
Nous mettrons cette remarque profit mme lorsque ces valeurs sont reprsentes par des symboles, ou encore
lors des transformations de schmas, en appliquant des rgles comme
Rgle :
Les rsistances R et r sont en srie et R reprsente toujours une valeur beaucoup plus grande que r.
r peut tre supprim du schma.
En dautres termes, nous appliquerons dans les schmas et dans les expressions algbriques des simplifications
bases sur la connaissance a priori des valeurs typiques de certains lments. Ces transformations seront
appliques au fur et mesure de lanalyse, et pas uniquement dans le rsultat final. Les rsultats obtenus ne
seront donc pas rigoureux au sens strict de lalgbre, mais nanmoins parfaitement adquats dans le contexte qui
nous occupe. De plus, cette faon de faire favorise videmment les termes dominants des quations, qui sont
fondamentaux pour la comprhension qualitative du fonctionnement des circuits.
15
1.4.3 Modles
Le but de lanalyse nest pas de donner une information complte sur toutes les variables du circuit. De manire
analogue, la connaissance dtaille des contraintes dans chaque poutre dun pont nest pas ncessaire pour calculer
la charge sur les piliers. A chaque point de vue correspond un modle adapt, c'est--dire une reprsentation
idalise de la ralit qui laisse dlibrment dans lombre certains aspects jugs sans importance dans un contexte
donn. Le mme objet sera donc reprsent par plusieurs modles diffrents suivant les circonstances.
Un modle doit tre cohrent, c'est--dire quil ne peut y avoir de contradictions lintrieur dun mme
modle, mme si elles peuvent exister entre diffrents modles du mme objet. Il doit tre vrifiable, c'est--dire
ne pas comporter de variables internes inaccessibles une mesure depuis lextrieur. Il doit enfin tre aimable,
c'est--dire formalis en termes simples. Sa raison dtre est en effet de garder lattention sur lessentiel. Les
paragraphes suivants rsument les modles que nous utiliserons pour la diode, le transistor bipolaire et le
transistor MOS
16
2 Modlisation des dispositifs semi -conducteurs

2.1 La diode
La relation statique entre le courant ID et la tension ses bornes VD est donne par :
ID = IS [exp(VD/nVT) 1]
Avec les symboles suivants :
VT = kT/q = 26 mV temprature ambiante (25C)

IS, courant de saturation de la jonction, 0.1 fA < IS < 1 nA
n est compris entre 1 et 2, gal 1 si on nglige la recombinaison dans la zone de transition
2.1.1 Modle grands signaux :

Diode bloque : ID = 0, VD dtermine par le circuit o est insre la diode.
Diode passante : VD = 0.7V, ID dtermin par le circuit o est insre la diode.
2.1.2 Dpendance en temprature :
Implicite dans lexpression de IS et explicite dans le terme VT. Modle quivalent pour illustrer la dpendance en
temprature :
17
2 mV/C
T0
Temprature T
2.1.3 Diode en petits signaux :
Temprature T
Llaboration du modle petits signaux peut sinterprter comme un dveloppement en srie de Taylor, limit au
terme linaire, autour dune valeur de rgime :
iD = ID0 (VD0) + yD vD + distorsion (termes dordre > 1)
o yD = ID / VD calcul en VD = VD0
Dans lexpression prcdente, yD a la dimension dune admittance, est appele ladmittance variationnelle de la
diode. iD et vD sont des petits signaux, c'est--dire des signaux tels que le terme de distorsion rsultant du
dveloppement plus complet en srie de Taylor soit ngligeable.
Les lettres minuscules reprsentent des petits signaux

ou signaux variationnels (AC currents).
Il est important de bien faire la diffrence entre le rapport iD/vD (pente de la tangente au point ID0, VD0) et le
rapport ID0 / VD0, pente de la droite joignant le point lorigine, ce dernier rapport ne reprsentant aucune
grandeur intressante en gnral.
I
iD/vD
ID0
ID0 / VD0
V
La valeur obtenue pour yD est gale :
yD = ID / VT
2.1.4 Modle dynamique

Les modles prcdents ne possdent aucune dpendance temporelle. Il est ncessaire de les complter dans le
cas danalyses transitoires faisant intervenir des variations brusques de tensions ou courants de polarisation. On
associe la diode deux capacits, lune appele capacit de diffusion CD, correspondant au transfert des porteurs
minoritaires dans les zones quasi-neutres de la diode, lautre dite capacit de transition CT, correspondant aux
dplacements des charges dans les zones de dpltion.
VD0
18
Le transistor bipolaire
Modle grands signaux
Le comportement du transistor bipolaire est dcrit par les quations dEbers et Moll de transport, qui permettent
de calculer les courants dmetteur et de collecteur (IE et IC, positifs lorsquils entrent dans le transistor), en
fonction des tensions aux bornes des jonctions dmetteur (VBE) et de collecteur (VBC). VBE est positive si la
jonction est passante pour un transistor npn.
IE
IC
IF - IR
IF / F
IR/ R
VBE
B
VBC
IB
Avec les dfinitions suivantes pour IF et IR :
19
IF IS [exp(qVBE/kT)-1] et IR IS [exp(qVBC/kT)-1]
Le transistor fonctionne en rgime actif lorsque la jonction metteur base est passante et la jonction collecteur
base est bloque. Le schma se rduit alors :
IF / F
IF =IS[exp(qV BE /kT)-1]
E
Lexamen de ce schma permet dexprimer de faon trs simple le comportement du transistor en mode actif :
VBE = 0.7 Volts

IC =
F B
2.1.5 Ecarts par rapport au modle idal

Le schma quivalent du modle dEbers et Moll ne tient pas en compte les variations du courant de collecteur en
fonction de VCE ou VCB lorsque le transistor est en rgime actif. Cette variation du courant, appele effet Early
provient de la variation de la zone de dpltion entre le collecteur et la base, modifiant le profil des porteurs
minoritaires dans la base. On le modlise avec une impdance de valeur VA/IC place en parallle avec la source
de courant commande IF (o VA3 est appele la tension dEarly).
Le paramtre
nest pas constant sur toute la gamme de courant. Pour les courants IC faibles, les phnomnes
de recombinaison dans la jonction base/metteur entrent en jeu et rduisent la valeur de F. De mme, pour des
courants IC importants, la forte injection et la rsistance parasite de base rduisent sa valeur. On introduit h FE une
IC =
(I ) IB et hFE = (IC / IB) en IC
F C
2.1.6 Effets de la temprature

Comme pour la diode, la temprature intervient dans lexpression du courant sur la valeur de V T et du courant de
fuite IS, mais galement sur le terme de gain en courant F. Ces effets sont pris en compte par lajout de deux
sources de courants externes, ajoutes autour dun modle indpendant de la temprature :
Certaines rfrences nomment la tension dEarly V EA la place de VA.
expression linarise de F autour dun point de fonctionnement, pour tenir compte de cette variation dans un
schma quivalent petits signaux :
20
2 mV/C
+
IC
IF =IS[exp(qV BE /kT)-1]
IF / F
E
2.1.7 Modle petits signaux

La linarisation du transistor bipolaire se dduit directement partir du schma quivalent grands signaux, en
linarisant les diodes autour de leur point de fonctionnement. En mode actif, on obtient alors le schma
quivalent suivant :
B iB
vBE
iC C
VT/IB
FB
VA/IC
vCE
21

Un autre modle commande par la charge doit tre utilis lorsque le transistor est soumis des variations
brusques de son point de fonctionnement. Ce modle tient compte des phnomnes capacitifs lis aux stockages
de charges dans la base, lmetteur et le collecteur (capacits de diffusion) et dans les zones de dpltion
(capacits de transitions), et sera analys plus en dtail dans la suite de ce cours.
2.2 Le transistor MOS
Le transistor MOS est un dispositif quatre entres (Source, Grille, Drain et Substrat), dont deux sont assimiles
des circuits ouverts (Grille et Substrat). Dans beaucoup dapplications, le substrat est connect la source, et le
dispositif peut tre lors assimil une rsistance entre la source et le drain, dont la valeur dpend de manire non
linaire de la tension applique sa grille VG.
2.2.1 Modle grands signaux

Lexpression du courant de drain ID circulant entre la source et le drain peut se dduire partir du diagramme de
Jespers pour lensemble des modes de fonctionnement du transistor :
PMOS
(Canal P)
VG
VD
VS
VG
VD
V*T0
Rgime non-satur (ou

VB
linaire) :
VS VB
V*T0
Rgime satur :
ID
VG
VD
NMOS
(Canal N)
VS VB
VD
ID
VB
VG
VG
VG
Rgime non-satur (ou
linaire) :
Rgime satur :
V*T0
VS
VB
V*T0
VS
VD
VB VS
VD
ID = Cox W
x (Aire reprsentant la charge de canal)
2.2.2 Ecarts par rapport au modle idal

Comme dans le cas du transistor bipolaire, le modle prcdent ne reprsente pas la variation observe pour le
courant de drain lorsque la tension entre la source et le drain varie. Cette variation est due la modulation de la
A partir du diagramme prcdent, le courant de drain sobtient en multipliant la surface reprsente sur le
diagramme de Jespers :
22
longueur de canal prs de la zone de pincement, et peut tre modlise comme dans le cas du transistor bipolaire
par une rsistance r0 dont la valeur vaut r0 = VA/ID (o VA est appele la tension dEarly4).
2.2.3 Modle petits signaux

Le schma quivalent petits signaux du transistor stablit comme suit :
iD
gm vgb
gmb vsb
r0
vgb
vdb
S
vsb
B
Le mme diagramme peut tre utilis pour calculer lensemble des paramtres petits signaux du transistor MOS.
Par exemple le paramtre gm se calcule comme suit en mode satur :
23

Comme on la fait dans le cas du transistor bipolaire, les modles prcdents doivent tre complts pour tenir
compte des phnomnes de stockage de charge lorsque le transistor est soumis des variations brusques des
tensions et courants ses bornes. On introduit des capacits entre la grille, la source (C GS) et le drain (CGD) dont
la variation en fonction du point de fonctionnement (en fonction de VD, VG et VS) peut tre visualise
graphiquement :
Certaines rfrences nomment la tension dEarly V EA la place de VA.
CGS
CGD
VG0
V*T0
Crec + 2/3CG
1/2CG
Crec
VD
24
3 Montages de base des transistors MOS et Bipolaire

Pour rappel, nous reprendrons simplement sous forme tabulaire ci-dessous les principaux rsultats du calcul des
caractristiques petits signaux des montages de base des transistors bipolaire et MOS (avec approximations). Ce
format met en vidence les similitudes de fonctionnement de ces deux types de transistor.
Pour le transistor bipolaire
Pour le transistor MOS :
25
Dans le tableau ci-dessus, r0 reprsente limpdance de sortie du transistor, les autres rsistances sont celles
places aux diffrents accs du transistor (RC, RB, RE : rsistances places respectivement au collecteur, la base
et lmetteur, RS et RD tant les rsistances places la source et au drain du transistor MOS). reprsente le
paramtre deffet de substrat du transistor MOS, les autres termes ont t introduits prcdemment. Les calculs
des impdances de sortie ne tiennent pas compte de limpdance de charge du circuit. Les calculs des impdances
dentre ne tiennent pas compte de limpdance de source du circuit.
26
4 Etude de quelques circuits typiques

4.1 Exemple de mthode de calcul
La figure suivante reprsente un montage plus gnral que ceux que nous avons vu jusquici. La base du transistor
est attaque par une source petits signaux damplitude v1. Le collecteur et lmetteur sont tous deux connects
des rsistances :
RC
ZC
vi
VB0
ZE
RE
vC
vE
Ce circuit a deux sorties, selon que le signal variationnel de sortie est mesur au collecteur ou lmetteur du
transistor. Ltude de ce montage illustrera comment tendre les rsultats vus dans le cas des montages
lmentaires base commune, collecteur commun ou metteur commun.
Le raisonnement se base sur la comparaison des impdances RE et RC avec respectivement ZE et ZC vues

lmetteur et au collecteur en regardant chaque fois vers le transistor. A lmetteur, ZE est gal VT/IC tant
que la charge au collecteur RC est petite devant VA/IC (voir tableau au paragraphe prcdent, impdance dentre
en base commune). Cette condition est souvent remplie dans le cas dune rsistance pure, comme nous le
verrons dans ce qui suit. Au collecteur, ZC vaut au minimum VA/IC, lorsque RE est infrieure VT/IC, et tend
vers FVA/IC, lorsque RE est suprieure VT/IB.
27
Supposons les valeurs suivantes :

IC = 1 mA
VA = 30 V
F
= hFE = 100
RC = 1 k
RE = 1 k
On obtient pour limpdance due leffet Early :

VA/IC = 30 k
Limpdance vue lmetteur en regardant vers le transistor vaut :

ZE = VT/IC = 26
Car RC est petite devant VA/IC. Quant limpdance vue au collecteur, elle est telle que :
30 k < ZC < 3 M
car :
26 < RE < 2.6 k
On constate ds lors que la rsistance RE est nettement plus grande que ZE, et que par contre RC est beaucoup
plus petit que ZC. En dautres mots, lmetteur du transistor est quasi ouvert et le collecteur est en quasi
court-circuit . Cette constatation nous amne la conclusion que le montage ressemble bien davantage un
collecteur commun qu un metteur commun. On peut ds lors lui appliquer les proprits fondamentales du
montage collecteur commun, ou metteur suiveur , c'est--dire que lmetteur du transistor est assujetti
suivre le signal variationnel appliqu sa base :
AE = Av|metteur commun = vE/vB = 1
Le gain en tension AC au collecteur est obtenu prsent sans difficults, puisque lon peut admettre que le courant
iC du transistor est pratiquement gal iE, 1/
prs. Ds lors :
vC/vE = - RCiC/REiE = -RC/RE
Et par consquent:
Dans le cas considr, AC vaut -1. Ce gain est nettement infrieur au gain que lon aurait obtenu si RE avait t
nulle (cas de lmetteur commun) :
AC = - RCIC/VT = -38.
Cette importante rduction du gain est entirement imputer la prsence de R E qui introduit une boucle de
raction ngative autour de RE (toute modification de la tension vE par rapport la tension vi est contrebalance
par un courant important gnr dans le transistor, gal F x iB = F x ((vi-vE)/(VT/IB)) = gmtransistor x (vi vE)).
Cet exemple illustre linfluence considrable de la rsistance dans lmetteur sur le gain au collecteur. Il ne faut
pas cependant en conclure que ce montage est dnu dintrt. Au contraire, ce montage se prsente
frquemment et est justifi par des considrations lies la stabilit de son point de fonctionnement, que nous
aborderons plus en dtail au chapitre suivant. La rsistance RE est donc bnfique et la solution la plus simple
pour conserver malgr tout un gain suffisant pour ce montage consiste annuler son effet pour les petits signaux,
c'est--dire lui connecter en parallle une grosse capacit, qui apparatra comme un court-circuit pour les petits
signaux. Nous aurons loccasion de revenir sur ces considrations au chapitre suivant.
AC = vC/vB = -RC/RE
28
4.2 Amplificateur lmentaire

La figure suivante reprsente un metteur commun alimentant une charge utile RL travers un montage metteur
suiveur :
ECC= 15V
R1
IC1
vi
VB0
47 k
IB2
T1
T2
RL
1 k
vO
On suppose que le courant continu circulant dans R1, somme du courant collecteur IC1 et du courant de base IB2
est tel que la chute de tension VCE aux bornes de T1 vaut 8V (nous analyserons comment raliser ceci au chapitre
suivant). Dterminons dabord les courants des transistors T1 et T2 :
La connaissance de la chute de tension VCE aux bornes du transistor T1 permet de dterminer la tension
dmetteur de T2, soit peu prs 7,3V, en assimilant la chute de tension aux bornes de la jonction
dmetteur de T2 0,7V. Le courant dmetteur, et donc aussi le courant de collecteur de T2 est alors
gal 7,3 mA.
Le courant dans la rsistance R1 se divise en deux, respectivement IB2 dans T2 (

dans T1. On en dduit la valeur de IC1 :
29
F1
F2
= 100) et IC1
Ce qui permet de dterminer le courant de base de T1 :

IB1 = 0,076/100 mA = 0.76 A
Pour le calcul du gain en tension de ce montage, plusieurs voies sont possibles. On peut dterminer par exemple
la rsistance vue partir du collecteur de T1, en considrant la mise en parallle de R1 et de limpdance dentre
du collecteur commun. Pour ce dernier, on a :
La charge au collecteur de T1, RL, vaut alors :

RL = R1 // Zin,cc = (47 // 100) k = 32 k
Nous pouvons maintenant dterminer le gain entre le collecteur et la base de T1 :

AV1 = - RL IC1/VT = - 32 x 0,076/0.026 = -94
Le gain AV2 de lmetteur suiveur tant gal 1, nous obtenons le gain global AV soit -94.
Cet exemple illustre clairement lapport de lmetteur suiveur au gain global. Si en effet le transistor T 1
alimentait directement RL, via une capacit par exemple, de manire ne pas changer le point de fonctionnement
de T1, le gain AV aurait t nettement plus faible puisque la charge vue par le collecteur de T1 serait gale 47 k
(R1) en parallle avec 1 k (RL), soit environ 980 , le gain aurait t alors :
AV = - (R1 // RL) IC1/VT = - 0,98 x 0,076/0,026 = -2,86
En fait le collecteur de T1 serait littralement court-circuit la masse par RL et le gain ngligeable. Le mrite
de lmetteur suiveur, dont le gain en tension vaut un, est de permettre datteindre une valeur dimpdance trs
leve, et ce faisant, dobtenir une valeur de gain AV1 leve. On peut donc considrer juste titre que ltage
metteur suiveur contribue largement au gain en tension global du montage.
La figure suivante reprsente un montage metteur commun dont la charge est une source de courant :
4.3 Montage gain trs lev
30
15V
R1
T2
5V
v2
v1
T1
0V
La source de courant est ralise laide dun montage base commune (le collecteur de T1 voit limpdance de
sortie dune base commune). Le transistor de charge est un PNP de faon assurer la compatibilit entre les deux
transistors (courant circulant depuis lalimentation 15V vers la masse en suivant les flches ).
Pour simplifier, nous allons poser les deux tensions de Early gales 30V, et le courant IC gal 100 A. Nous
poserons les gains en courant
FPNP
=50 et
=100.
FNPN
Il convient de calculer dabord les impdances vues par les collecteurs.
Pour T1, montage en metteur commun, elle vaut :

ZO = VA/IC = 300 k
Pour T2, montage en base commune, nous allons dabord calculer la valeur de R1, connaissant la tension ses
bornes (9.3V) et le courant qui la traverse. On obtient 93 k, qui est bien suprieur F VT/IC (13 k). Il en
rsulte une approximation satisfaisante de limpdance de sortie donne par :
31
ZO =
VA/IC = 15 M
Le collecteur de ltage metteur commun voit donc une source de courant quasi idale et son gain est dtermin
uniquement par limpdance interne du NPN. Nous trouvons donc :
AV = - VA/VT = -1150
Ce rsultat est indpendant au premier ordre du courant IC. Tout accroissement ou rduction de IC modifie en
effet les deux impdances calcules plus haut, sans toutefois en modifier leur rapport, et les conclusions
prcdentes restent valables.
4.4 Montage Cascode

Le montage de la figure suivante est dsign sous le nom de cascode, cause de la mise en cascade de deux
transistors :
15V
R1
v2
T2
v1
5V
T1
0V
On peut considrer ce montage comme un metteur commun (T1) dont le collecteur voit lentre dun transistor
base commune (T2). La charge que voit le collecteur T1 est ds lors trs petite, pratiquement gale VT/IC. En
dautres termes, T1 travaille presque sortie court-circuite. Il est intressant de noter que son gain en tension,
entre la base et le collecteur, vaut -1 Le courant collecteur de T1 est gal :
v1 IC/VT
Notons que limpdance du montage, vue en regardant dans le collecteur de T2 est trs leve, de lordre de :
F
VA/IC
Cette proprit, combine avec laccroissement de gain que procurerait une source de courant PNP comme celle
vue prcdemment, est susceptible de confrer lensemble un gain en tension norme.
4.5 Amplificateur Trois Etages
Ce courant pntre dans lmetteur de T2 et se retrouve intgralement en sortie de T2 pour crer la chute de
tension v2 sur R1. Le gain de ce montage ne diffre gure de celui que lon obtiendrait si T 1 alimentait
directement R1. On peut videmment se demander dans ce cas o se trouve lintrt de ce circuit. La rponse
correcte sera fournie plus loin dans le cadre de ltude de leffet Miller. Elle nous apprendra que ce circuit assure
un excellent dcouplage entre la sortie et lentre, ce qui est favorable du point de vue de la rponse en
frquence.
32
Le schma de principe de lamplificateur trois tages metteur commun est reprsent la figure suivante :
6V
RC
v2
v1
T1
T2
T3
On peut effectuer le calcul du gain de la manire suivante :

Courant variationnel dans T1 :
iC1 =
i =
F B1
(v1 IB1/VT) = v1 IC1/VT
Courant variationnel dans T2 (tout le courant variationnel de T1 rentre dans la base de T2) :
iC2 =
i =-
F B2
F C1
Courant variationnel dans T3 (tout le courant variationnel de T2 rentre dans la base de T3) :
iC3 =
i =-
F B3
i =
F C2
iC1
Tension de collecteur du transistor T3 :
v2 = - RC iC3
33
On en dduit le gain en tension entre-sortie :

Av = -
RC IC1/VT
On obtient trs rapidement un gain trs lev. A titre dexemple, si IC1 vaut 1.6 mA, F vaut 100 et RC vaut 1
k, on calcule un gain de -615000, soit environ 116 dB ! Il nest cependant pas intressant de gonfler
indfiniment le gain, car au-del dune certaine valeur, les effets de bruits induits par lagitation thermique par
exemple ne sont plus ngligeables. Lorsque le signal lentre est de lordre de grandeur du bruit gnr par
lamplificateur ramen lentre, il nest plus intressant daugmenter le gain.
Dans la pratique, les sources de courant reprsentes dans la figure prcdentes peuvent tre ralises laide de
rsistances. Le calcul du gain se modifie alors quelque peu, le courant de collecteur des transistors T 1 et T2 se
partage alors entre la base du transistor suivant et la rsistance de collecteur, qui nest plus infinie.
Nous terminerons ce paragraphe avec quelques considrations sur les points de fonctionnement des transistors.
Commenons par T3 dont la tension VCE est gale 3V, c'est--dire la moiti de ECC. Ce choix est justifi par le
fait que la tension de sortie suppose sinusodale peut atteindre 6 Volts de crte crte (Vpp), en ngligeant
VCEsat. Cest ce que lon appelle la dynamique de sortie. Le choix de IC3 et de RC a t dict par les deux
considrations suivantes :
1) Rendre la dynamique de sortie maximum

2) Abaisser limpdance de sortie sous 1 k
Considrons prsent les transistors T1 et T2 dont les tensions VCE sont gales VBE passant, soit environ 0.7V.
Ceci est suffisant pour assurer un fonctionnement en zone active, mais limite automatiquement la dynamique de
sortie de T1 et T2. Ceci nest en ralit pas un handicap, car le collecteur le plus expos , soit celui de T2, ne
voit jamais un signal suprieur au signal de sortie maximal divis par le gain du dernier tage, soit :
Vpp, divis par RcIC3/VT = 1000 x 3 x 10-3/(26 x 10-3) = 52 mVpp
Une conclusion intressante se dgage de cette tude : on constate quil ny a aucune difficult obtenir un gain
trs lev avec peu dtages. De fait, la quasi-totalit des amplificateurs comporte en gnral moins de trois
tages, mais le nombre de transistors quils contiennent est sensiblement plus lev, un amplificateur
conventionnel contiendra 50 voire 100 transistors. La raison de cette complexit apparatra dans les chapitres
suivants. Lamplificateur lmentaire analys ici se rvle tre en effet un trs mauvais amplificateur du point de
vue de la drive thermique ainsi que du point de vue de la rponse en frquence. Le gain en tension ne reprsente
en fait quune seule des nombreuses spcifications poses par le concepteur de circuit, nous aurons loccasion dy
revenir dans les chapitres suivants.
La figure suivante illustre un montage utilis frquemment en technologie bipolaire ou BiCMOS pour obtenir des
transistors gain en courant et impdance dentre levs (super-transistors). Notons que ce montage ne
prsente pas dintrt en MOS, puisque le gain en courant et limpdance dentre sont tous deux infinis :
4.6 Le Darlington
34
T1
T2
I0
E
Globalement, il est possible de considrer ce montage comme un super transistor , dont les performances sont
suprieures celle dun simple transistor. Calculons limpdance dentre et le gain en courant de ce montage :
Gain en courant :
iC1 =
i , iC1 = iB2, iC2 =
F B1
iC2 =
F B2
iB1
Impdance dentre (en ngligeant limpdance de sortie VA/IC1) :

Zin = VT/IB1 + (
Zin 2
35
+ 1) VT/IB2
Zin simple transistor T2
On retrouve bien les proprits de super-transistor, tant au niveau de limpdance dentre que du gain en
courant du montage. La source de courant I0 est souvent rajoute, sous la forme dune rsistance, afin dviter
que le transistor T1 ne soit polaris par de trop faibles courants, ce qui rduirait la valeur du
physique, faible injection et recombinaison dans la jonction BE).
4.7 Amplificateur diffrentiel

Le circuit suivant est connu sous le nom damplificateur diffrentiel :
(voir lectronique
RC
RC
vo
VI1 = V0 + vi/2
T1
T2
VI2 = V0 - vi/2
2IC
La paire diffrentielle est probablement lassemblage de deux transistors le plus utilis dans les circuits
analogiques intgrs. Son but le plus classique est damplifier la diffrence de tension entre deux signaux. Elle
peut tre ralise laide de transistors bipolaires ou de transistors MOS. Elle prsente deux proprits
particulirement intressantes :
Il est possible de cascader des tages diffrentiels, sans capacits de couplage.
Ce montage est sensible uniquement, au premier ordre, la diffrence des tensions dentre. Il possde
des proprits intressantes de rjection de mode commun sur ses entres.
Outre son utilisation dans les tages damplification, ce mme montage peut tre galement utilis dans des
circuits non-linaires, en tant que multiplieur dans un circuit mlangeur (modulation et dmodulation de signaux
RF).
-
4.7.1 Caractristique DC
VI1 VBE1 + VBE2 VI2 = 0
Si les transistors travaillent en mode actif, on peut crire :
En supposant que les transistors sont identiques, les courants de saturation sont identiques galement. On obtient
alors :
Le calcul en grands signaux de ce montage est intressant, car il permet de comprendre les limites de
fonctionnement du montage. On peut crire la relation suivante :
36
Si VID est la diffrence des tensions dentre.

Sachant que :
On obtient les expressions suivantes pour les courants de collecteur :
La tension de sortie qui vaut RC IC1 RC IC2 vaut alors :
La figure suivante montre les courants dans chaque branche et la tension diffrentielle grand signaux en sortie.
On observe les zones de comportement suivantes en fonction de VID :
-
37
Pour |VID| > 3 VT, un des transistors est coup, le courant 2IC circule alors entirement dans une des
branches de lamplificateur diffrentiel.
Pour |VID| < VT, le montage se comporte de manire linaire.
IC2
Zone
linraire
IC1
VID
VODC
Zone
linraire
Il est possible dtendre la zone linaire de lamplificateur en ajoutant deux rsistances de dgnration
dmetteur (voir figure suivante), places entre chaque metteur et la source de courant 2IC, dont le rle est de
reprendre une partie de la tension diffrentielle applique lentre de ltage. Ltage diffrentiel est alors dit
dgnr . Le prix payer est une rduction de la transconductance ( IOUT/ VIN= iOUT/vIN) et du gain en
tension petits signaux ( VOUT/ VIN = vOUT/vIN) dans la zone linaire, donne par la pente des droites sur les
figures suivantes (RE=50 Ohms, 2IC=2mA).
VID
38
IC1
IC2
RE = 0
RE = 50
VID
VODC
RE = 50
VID
RE = 0
Le comportement de ltage diffrentiel MOS est similaire celui de ltage bipolaire que nous venons danalyser.
La figure suivante reprsente un tage diffrentiel MOS :
39
RC
RC
vo
VI1 = V0 + vi/2
T1
T2
a
2IC
VI2 = V0 - vi/2
Il est galement possible de dduire analytiquement le comportement de la tension diffrentielle de sortie en

fonction de la tension diffrentielle dentre, de manire similaire lanalyse de la paire diffrentielle bipolaire,
en crivant et dveloppant lexpression :
VI1 VGS1 + VGS2 VI2 = 0
Contrairement ce que nous avons observ dans le cas du bipolaire, il est possible dans le cas du MOS dlargir la
plage de fonctionnement linaire sans ajouter de rsistances dmetteur, simplement en augmentant la valeur de
la tension VGS, ou plus exactement la valeur de la surtension de grille ( overvoltage ) VOV dfinie par la
diffrence VGS-VT des transistors (dans le cas bipolaire, la tension quivalente VBE est systmatiquement de lordre
de 0.7 Volts). Llargissement de cette plage linaire se fait, comme dans le cas du montage bipolaire
dgnr , au prix dune rduction des transconductances et gains en tension petits signaux.
On retrouve ici une proprit trs importante des tages diffrentiels MOS : lusage de surtensions VOV trs
faibles pour lobtention de gains importants justifie la polarisation frquente de ltage diffrentiel dans des modes
proches de la faible inversion.
4.7.2 Gain petits signaux

On peut rapidement calculer les caractristiques de ce montage en observant la symtrie quil prsente. Parce que
le circuit est parfaitement symtrique et que les entres sont alimentes par des tensions gales et opposes, la
tension au point a ne bouge pas5. Le potentiel du point a nest donc pas affect par lapplication de tensions
diffrentielles sur les bases des transistors T1 et T2.
Sur le demi-schma prcdent, le point a est maintenu un potentiel constant, il est donc correct de considrer
que la tension petits signaux vi/2 est applique sur la jonction base-metteur du transistor T1. Cette tension
cre un courant variationnel gal :
ic = vi/2 x IC/VT
Une autre manire de voir est de considrer T 1 et T2 comme des suiveurs de tension, entre leur base et leur
metteur. Lorsque dun ct la diffrence de tension augmente, de lautre, elle diminue. Par superposition, les
deux variations sannulent et la tension au point a ne bouge pas.
On peut ds lors analyser le demi-montage suivant :
40
Ce courant variationnel cre une chute de tension en passant dans RC :

vO/2 = - RC iC
Et donc :
AV = - RCIC/VT
Le gain ainsi trouv correspond au gain dun metteur commun. En effet, le schma petits signaux trouv
prcdemment correspond au montage classique dun metteur commun.
Le raisonnement prcdent suppose que la tension dentre du montage est purement diffrentielle. Une attaque
en tension non diffrentielle impliquerait une variation de la tension au nud a. Cette variation de tension peut
modifier le comportement de lamplificateur diffrentiel si la source de courant 2 IC nest pas idale.
4.8 Miroirs de courant
Le miroir de courant est un autre montage simple couramment utilis dans les circuits intgrs, soit en tant que
charge pour les tages damplification, o il gnre des impdances de sorties plus leves que les charges passives
ralises laide de rsistances, soit en tant qulment de polarisation, o il procure une meilleure rjection aux
tensions dalimentation et aux variations de temprature.
41
Le miroir de courant idal est capable de recopier un courant entrant sur sa borne dentre et de le reproduire avec un gain ou
une attnuation donne, sur ses bornes de sortie. En entre, il doit prsenter une impdance trs faible devant la source
de courant copier . En outre la tension minimale VINMIN applicable sur la borne dentre doit tre aussi faible
que possible, ceci est particulirement important pour les applications faible tension dalimentation. Ses bornes
de sortie doivent au contraire se comporter comme des sources de courant et prsenter une impdance trs
leve aux circuits auxquels elles sont connectes, quelle que soit la valeur DC de la tension de sortie. Nous
verrons dans ce qui suit des exemples de ralisation de miroirs de courant MOS.
4.8.1 Simple Miroir de courant MOS

La figure suivante reprsente un miroir de courant MOS :
IIN
VIN
IOUT
T1
T2
VOUT
La tension drain-grille du transistor T1 est nulle. Le transistor opre ds lors en rgion sature quel que soit le
courant positif IIN. Le transistor T2 possde la mme tension VGS que le transistor T1. Son courant de drain sera
ds lors directement proportionnel au courant de T1, pour autant que sa tension de drain VOUT reste suprieure
VDSAT comme lillustre le diagramme suivant :
Transistor T2 :
Transistor T1 :
VG1 = VD1 = VIN
V*T0
VB=VS
V*T0
VDSAT VIN
VB=VS
VDSAT VOUT
Pour toute tension de drain suprieure VDSAT, on observe immdiatement la proportionnalit des deux courants
de drain. Il est possible de modifier le rapport entre ces deux courants en jouant sur les dimensions W/L de
chacun des transistors. En pratique, pour des raisons dappariement, on connecte des transistors quivalents en
parallle pour raliser les transistors T1 et T2. Par exemple, un rapport de N/M entre les sources ID2 et ID1 est
ralis en connectant M transistors identiques en parallle pour former T1 et N transistors identiques en parallle
pour former T2.
Au second ordre, il faut cependant tenir compte galement de la conductance finie du transistor T2 (effet Early) :
le courant ID2 ne sera gal K ID1 que lorsque les tensions VIN et VOUT seront identiques, comme illustr sur la
figure ci-dessous :
ID2 = K ID1 avec K (W/L)T2/(W/L)T1
42
IOUT
K ID1
VDSAT
VIN=VDS1
VOUT=VDS2
Dautres structures de miroir de courant offrent de meilleures performances du point de vue de limpdance de
sortie.
4.8.2 Miroir de courant cascode

La figure suivante reprsente un miroir de courant cascode6 (on fait lhypothse que T1 et T2 ont la mme taille,
de mme que T3 et T4) :
IOUT
IIN
VIN
43
T4
T2
T3
T1
VOUT
On dmontre comme dans le cas du miroir de courant prcdent la proportionnalit des courants I IN et IOUT.
Limpdance dentre de ce montage (vue depuis IIN) est petite et vaut 2 x 1/gm. En effet, limpdance
quivalente de T3, dit connect en diode 7, se calcule directement sur le schma quivalent petits signaux suivant :
6
7
Les substrats de NMOS sont raccords la tension la plus faible du circuit, cest--dire la source de T1 et T3.
Par analogie au cas bipolaire.
D3=G3
vgb3
gmb3 vsb3
=0
gm3vgb3
S3=B3
Z3
1/gm3
r03
Z3
On trouve directement pour le calcul de Z3 :
Limpdance quivalente de T4 se calcule de la mme manire (gm4
gmb4 !!).
Pour le calcul de limpdance de sortie, on passe par les schmas quivalents petits signaux de T2 qui voit en sa
source limpdance de sortie dun transistor en source commune (T1) soit rO1 = VA/IOUT :
ZOUT
iout
i = 0 vgb2 = 0
gm2 vgb2
gmb2 vsb2
v*
vout
2/gm
vs2
vsb2
r01
On peut crire les relations suivantes:

iOUT = vSB/r01
iOUT = -gmb vSB + v*/r02
vOUT = v* + vSB
Do lon dduit :
ZOUT = vOUT/iOUT = r02 + r01 (gmb r02 + 1) r01 gmb r02 = r01 AMAXT2
vgb2
r02
44
De lquation prcdente, on observe que limpdance de sortie est effectivement trs leve (AmaxT2 (gain
maximal dune grille commune) fois plus leve que limpdance du simple miroir de courant vue
prcdemment). On observe en outre que des impdances plus leves peuvent tre obtenues en empilant les
tages cascodes, au prix dune dynamique en tension rduite en sortie (limite par la valeur de VOUTMIN, partir de
laquelle les transistors T3 puis T2 et enfin T1 commencent dsaturer), comme le montre la figure suivante :
IIN
VIN
IOUT
T6
T3
T5
T2
T4
T1
VOUT
Dans la pratique, on diminue VOUTMIN en utilisant des schmas de polarisation diffrents de ceux des figures
prcdentes, de manire polariser les grilles des transistors cascodes des tensions minimales, aux limites de la
dsaturation du transistor T1.
4.8.3 Source de courant Wilson
45
La source de courant de Wilson fonctionne de manire sensiblement diffrente par rapport aux montages vus
prcdemment. Dusage plus frquent dans les circuits bipolaires, on la rencontre galement en technologie
MOS comme illustre la figure suivante :
IIN
VIN
IOUT
T4
T2
T3
T1
VOUT
On peut interprter son fonctionnement de la manire suivante, en oubliant pour un instant le transistor T 4 : la
tension de grille du transistor cascode T2 est obtenue par la comparaison du courant issu de T3 et de celui issu de
la source IIN. Toute variation de la tension de grille de T2 produit une variation quivalente sa source (T2 se
comporte au premier ordre comme un source suiveur , pour autant que limpdance place son drain soit
faible par rapport limpdance vue en regardant vers ce drain, ce qui sera souvent le cas). Les variations de la
tension de source de T2 modifient la valeur du courant de T1 et de ce fait le courant de T3, qui sajustera jusqu
lobtention de lgalit IDT3 = IIN. On observe bien une boucle raction ngative autour de T2, supposons en
effet que IIN > IT3, la tension de grille de T2 va augmenter, ce qui augmentera sa tension de source, qui est
galement la tension VGS du transistor T1. Cette augmentation produit une augmentation du courant de T1 qui est
recopi par T3, et qui tend rquilibrer les courants IT3 et IIN. Le schma quivalent petits signaux se
prsente comme suit :
ZOUT
iout
ZOUT
Iin
iout
gm2 v2
gmb2 v1
T2
r02
v*
vout
vout
T3
T1
v2
r03
gm3 v1
v1
1/gm1
Source de courant Wilson dsquilibr (sans transistor T4) et son schma quivalent pour le calcul de limpdance de sortie
Un calcul similaire celui dj effectu pour la source de courant cascode fournit lexpression suivante pour
limpdance de sortie :
1/gm1 x (gm2 r02 gm3r03)
1/gm1 x AMAXT2 x AMAXT3
On obtient donc une impdance du mme ordre de grandeur que celle obtenue pour le montage cascode, en
tenant compte du fait que gm1 et gm3 sont identiques. Le transistor T4 est ajout au montage de manire assurer
que les tensions drain-source des transistors T1 et T3 soient les mmes, ce qui assure des courants de drain gaux.
4.9 Application des miroirs de courant

Nous avons vu prcdemment les expressions similaires des gains en tension obtenus dans le cas de montages
diffrentiels et dans le cas du montage metteur (cas du bipolaire) ou source (cas du MOS) commun :
ZOUT
46
AV = - transconductance x charge en sortie
Un gain trs lev coupl avec lutilisation des boucles raction ngative permet de produire des
circuits dont les caractristiques intrinsques dpendent trs peu des caractristiques des transistors qui
les composent. Nous le verrons dans le chapitre consacr la raction.
Nous verrons dans le chapitre consacr la rponse en frquence quil est galement important de
limiter le nombre dtages dun amplificateur, afin de prserver une bande passante suffisamment large.
On cherchera ds lors souvent obtenir le gain le plus lev possible avec le moins dtages possibles. Ceci exige
la synthse dimpdances trs leves, obtenue le plus souvent avec des charges actives (sources de courant,
miroirs de courants). Nous en illustrons quelques exemples ici.
4.9.1 Amplificateur diffrentiel charg par des sources de courant

Nous avions calcul prcdemment le gain de lamplificateur bipolaire charg par des rsistances RL. Lexpression
du gain en petits signaux a t calcule en tenant compte de la symtrie du montage, en considrant que chaque
branche de ltage diffrentiel est parcourue par un courant IC :
AV = - RL IC/VT
Un calcul similaire du gain en petits signaux dans le cas du transistor MOS donnerait :
AV = - Transconductance x Charge
O VOV est la surtension de drain dfinie prcdemment.

La comparaison des rsultats pour le MOS et le bipolaire permet de tirer les conclusions suivantes :
47
Il est ncessaire dans les deux cas de travailler tension dalimentation leve pour obtenir un gain lev,
ce qui permet daugmenter la chute de tension sur RL (RL ID).
Des rsistances trs leves doivent tre ralises afin de rduire la consommation : RL ID constant,
rduire la consommation, c'est--dire ID revient augmenter RL.
Le gain du montage MOS est en gnral plus faible que celui du bipolaire, V OV tant en gnral plus
grand que VT. Dune manire plus gnrale, la transconductance obtenue pour un courant donn est
plus grande dans le cas du bipolaire que le cas du MOS. La paire diffrentielle MOS travaillera le plus
souvent dans des rgimes proches de la faible inversion.
Le remplacement de rsistances par des sources de courant est reprsent la figure suivante (version MOS) :
En premire approximation, on pourra analyser ce montage en petits signaux de manire identique la paire
diffrentielle, mais ici la source de courant idale place la source de T1 et T2 est remplace par le miroir de
courant form de T6, T7 et T8. La charge de la paire diffrentielle T1 et T2 est forme par les sorties du miroir de
courant T3, T4 et T5. Un inconvnient de ce montage est la difficult de contrler la tension de mode commun,
donne par (Vo+ + Vo-)/2. En effet, tout dsappariement des sources ID et IS va tirer cette tension de mode
commun vers le haut (ID > IS) ou vers le bas (ID < IS), provoquant la dsaturation des transistors T3T4 ou T1T2.
Nous verrons plus loin comment lutilisation des boucles rgulation de la tension de mode commun, rgulant les
valeurs des sources de courant en fonction de la tension de mode commun permet dviter ce problme.
Dans ce montage, le miroir force les courants circulant dans T5 et T4 tre gaux IS, et seule une source de
courant de polarisation est ncessaire, ce qui limine le problme de la tension de mode commun voqu plus
haut.
Lanalyse petits signaux peut tre aborde en utilisant les simplifications suivantes :
iT4 = iT5 (miroir de courant idal)
Une autre solution consiste remplacer les transistors T3 et T4 par un miroir de courant, et obtenir ainsi une
sortie single-ended :
48
Au point X, T5 est connect en diode8 et T1 peut tre vu comme une source commune (le point a
est un point fixe en petits signaux) :
Zvue vers T5 << Zvue vers T1
En v0 , T4 et T2 peuvent tre considrs comme des sources communes :
Zvue vers T4 = rOT4 = Zvue vers T2 = rOT2
On obtient alors, aprs dveloppement, une expression du gain en tension quivalente celle calcule
prcdemment :
AV = - transconductance x charge = - 2 gmT1 (ouT2) x (rOT4 (ou T2)/2).
Limpdance de sortie est divise par deux mais la transconductance quivalente est multiplie par deux.
4.9.2 Gnration de sources de courant trs faibles : source Widlar

Dans le cas damplificateurs bipolaires, on souhaite souvent limiter le courant entrant dans lamplificateur
quelques fractions de micro-ampres. Pour y arriver, le courant de polarisation de ltage diffrentiel dentre
devrait tre de lordre de quelques micro-ampres. La ralisation de telles sources de courant pourrait tre
envisage partir des montages suivants :
Vcc
Vcc
IO
IO
R1
T2
49
T1
T2
T1
R2
Dans le cas du montage de gauche, le courant I0 est obtenu simplement par :

IO = K x (VCC 0.7)/R
O K est le rapport des surfaces des transistors bipolaires T2 et T1. Il est difficile dans la pratique dobtenir des
rapports K infrieurs 0,1. La rsistance ncessaire pour lobtention de courants de lordre de quelques microampres est de plusieurs dizaines de k, ce qui ncessitera une surface de silicium non ngligeable.
8
Cf. 4.8.2
Le circuit sur la droite de la figure prcdente est appel source de Widlar, il permet de raliser de faibles
courants par lajout de la rsistance R2 dans lmetteur de T2. On peut en effet crire, pour de grandes valeurs de
F (c'est--dire en ngligeant les courants de base) :
VBE1 VBE2 R2 IO = 0
O IST1 et IST2 sont respectivement les courants de saturation des transistors T1 et T2. Si on considre le cas de
transistors identiques :
,
qui peut tre rsolue numriquement pour trouver la valeur de IO en fonction de R1, R2 et VCC.
A titre dexemple, considrons le cas dun circuit intgr dans lequel on doit construire une source de courant I O
de 100A et un courant maximal pour le transistor T1 valant 700A (impos par des contraintes de
consommation). On constate que la valeur R2IO vaut alors 50.6mV, et que la valeur de R2 est 506, ce qui est
aisment ralisable en circuits intgrs. Supposons en outre une tension dalimentation VCC valant 30 Volts, la
valeur de R1 est alors gale 41k, valeur relativement leve mais malgr tout plus facile raliser que la
rsistance de 300k qui aurait t ncessaire pour un miroir de courant classique , sans R2.
Un autre avantage de ce circuit rsulte de limpdance de sortie, sensiblement plus leve que dans le cas du
miroir de courant classique. Le transistor T2 sapparente en effet un montage en base commune, qui prsente
comme on le sait une impdance de sortie trs leve, suprieure au montage metteur commun prsent dans le
cas du montage classique.
VG
R 2 IO
VBET1
VBET2
TO
Le comportement thermique de la source Widlar est intressant analyser. Le montage nest clairement pas
symtrique du point de vue de la polarisation des transistors bipolaires. La figure suivante prsente lvolution du
produit R2 IO en fonction de la temprature :
50
Les tensions aux bornes des jonctions base-metteur de T1 et de T2, respectivement VBET1 et VBET2 sont
reprsentes la temprature de rfrence T0. On peut tracer des droites reprsentant leffet de la temprature
sur les VBE. Comme nous lavons vu au dbut, dans le chapitre premier, la variation de VBE en fonction de la
temprature est linaire, VBE dcrot denviron 2mV/C. La distance entre les droites reprsente R2IO (la chute
de tension aux bornes de R2). On constate que, contrairement VBET1 et VBET2, la diffrence entre ces tensions
crot avec la temprature. Cette dpendance, de lordre de 0.3% par degr centigrade, est exploite dans
certains thermomtres lectroniques et dans des sources de rfrence indpendantes de la temprature appeles
band gap references .
4.9.3 Circuits auto -dmarrants

Il est souvent intressant dliminer au premier ordre la dpendance des sources de rfrence avec les tensions
dalimentation, comme ctait le cas pour la source analyse prcdemment, o le courant est directement gnr
par la tension dalimentation ( VBE prs) sur une rsistance.
Le concept de base consiste rendre le courant dentre de la source de courant directement dpendant de son
courant de sortie comme on lillustre sur la figure ci-dessous :
Miroir de
courant
out
IO
in
Miroir de courant :
II=IO
Source de courant
A
IO
II
in
51
Source de
courant
Point de
fonctionnement dsir
out
B
II
Lide consiste gnrer une source de courant dont le courant de sortie dpend trs peu du courant dentre sur
une large bande de courants dentre (caractristique aussi plate que possible pour IO comme le montre la
caractristique en trait plein sur la figure). On connecte alors les courants dentre et de sortie un miroir de
courant, de manire les rendre gaux. Ce montage possde alors deux points dquilibre (A et B sur la figure),
lun (B) indsir est obtenu courant nul, et lautre (A) est obtenu par la seconde intersection des caractristiques
de la figure.
On montre que le circuit est instable au point B. En effet, imaginons une augmentation du courant I O sous
laction dun effet externe, cette augmentation va crer son tour une augmentation de II sous laction du miroir
de courant, qui tendra amplifier la perturbation originale sur IO suivant la caractristique de la source de courant
dont le gain est lev en B. Au point dsir (A) par contre, bien que le gain de boucle soit toujours positif, le gain
est trs faible, infrieur lunit, et le circuit est stable, comme nous le verrons dans les chapitres suivants.
Dans les cas pratiques, il sera souvent ncessaire denclencher ce type de source de courant afin daider le
circuit quitter le point B, pour lequel les courants sont trop faibles (les courants de fuite diminuent le gain en
courant des transistors, le point B devient donc un point de fonctionnement stable, difficile quitter pour le
circuit seul), ce qui entrane parfois des temps denclenchement excessifs ou trop sensibles dautres
perturbations (courants de fuite, ).
La figure suivante montre un exemple dapplication dans le cas de sources bipolaire et MOS :
T6
IBIAS2
IIN
IOUT
IIN
T2
IBIAS1
T1
T3
R
T5
T4
T6
IBIAS2
IOUT
IBIAS1
T2
T1
T3
R
Dans le cas bipolaire, la source de courant forme par T1 et T2 possde les caractristiques recherches : en effet
le courant circulant dans la base de T1 impose une chute de tension VBET1 reprise aux bornes de la rsistance R
pour fournir le courant dans le transistor T2. En approximant la diode passante du modle dEbers et Moll de T1
par une source de tension de valeur 0.7V, le courant circulant dans T2 est simplement calcul par le rapport
0.7/R. Le transistor T2 joue le mme rle que dans la source de Wilson, il introduit un mcanisme de
rtroaction, qui lit sa base la diffrence entre les courants issus de T1 et T4 et adapte la tension son
metteur en consquence, de manire rendre les courants issus de T1 et T4 gaux. Le calcul exact de la relation
entre-sortie de la source forme par T1, T2 et R donne (en ngligeant les courants de base) :
VBET1 = R IT2 = R IOUT
Dans le cas MOS, lensemble T1, T2 et R impose que le courant dpende faiblement de IIN et le miroir de courant
T4/T5 impose que IIN soit gal IOUT. Le calcul exact de la relation entre-sortie de la source forme par T1, T2 et
R donne :
T5
T4
52
VGST1 = R IOUT
I IN
R IOUT
C ox
2
W
L (V
GST 1
I IN
VT
n
C ox
2
VT )
W
L
On retrouve ds lors une caractristique similaire celle recherch au dpart. La figure suivante donne la
caractristique DC simule dans Spice (avec une rsistance R gale 10k) :
IOUT [A]
IIN [A]
53
Le courant obtenu en rgime est bien gal environ 0,6 0,7V/R soit 60 70 A, quelque soit le courant
dentre.
5 La rponse en frquence
5.1 Introduction
La prsence de capacits parasites dans les circuits amplificateurs rend le gain de ceux-ci dpendant de la
frquence. Nous avons dj vu prcdemment comment certaines capacits utiles peuvent jouer le rle de
chemins de transmission du signal alternatif amplifier (capacits de couplage entre un gnrateur et lentre dun
ampli, ou entre amplis et charge de sortie). Dautres jouent un rle de courts-circuits permettant dassurer le
type de fonctionnement souhait (exemple : la capacit de dcouplage que nous pouvons placer la sortie de
lmetteur dun transistor pour court-circuiter la rsistance dmetteur). Certaines capacits sont invisibles .
Ce sont les capacits parasites, les unes inhrentes aux transistors, les autres rsultant du montage des lments du
circuit (capacits entre connections, capacits vers le substrat, ). Les capacits utiles sont en gnral
grandes, leur valeur (de quelques pF dans le cas de circuits intgrs plusieurs F dans le cas de circuits
discrets ) est choisie de manire ce que la bande passante des amplificateurs stende sur une gamme de
frquences la plus basse possible, elles se comportent comme des courts-circuits sur la bande utile de
lamplificateur. Les capacits parasites au contraire vont limiter la bande passante de lamplificateur vers les
hautes frquences, elles seront de lordre de quelques centaines de fF et se comporteront comme des courtscircuits en haute frquences.
La prsence de ces capacits, voulues ou non, a pour effet dintroduire deux bornes de frquence entre lesquelles
le gain de lamplificateur rpond aux spcifications (gain, impdances dentre et de sortie) du concepteur de
circuits. La borne infrieure tant fixe par les capacits visibles ou utiles , la borne suprieure tant fixe par
les capacits parasites. En dehors de ces bornes, le gain aura tendance diminuer :
Borne infrieure
Borne suprieure
La borne infrieure peut tre zro dans le cas damplificateurs construits sans couplage capacitif.
En dehors de la zone utile, lallure de la rponse en frquence dpend du circuit considr et la seule chose que
lon puisse affirmer est quelle tend toujours vers zro. Mais pour la plupart des circuits, on constate en gnral
que lallure de la rponse en frquence se prsente comme une succession de droites dans un diagramme en dB et
en logarithmique, sur laxe des , dont les pentes voluent de 0 vers -6 dB/octave (ou 20 dB/dcade) puis -12
dB/octave (40 dB/dcade), au-del de la borne suprieure, et de 0 +6 dB/octave puis +12 dB/octave,
en de de la borne infrieure. Ceci nest bien entendu pas toujours le cas, il se peut que la rponse en frquence
Gain nominal
54
dans des cas particuliers chute directement -12 dB/octave, ou que des phnomnes de rsonance se produisent.
Dans le cas plus gnral, la rponse en frquence se prsente nanmoins comme ci-dessous :
-6 dB/octave
Gain nominal
inf
sup
Il est en rgle gnrale inutile de sintresser lvolution du gain de la rponse en frquence en dehors de la
rgion o le gain est gal la valeur nominale (sauf dans le cas important vu plus loin de lanalyse de la stabilit).
Il importe par contre de dterminer des valeurs approches pour inf et sup. Si lon ne considre que la zone
voisine des deux pulsations de coupure, on peut presque toujours assimiler la rponse en frquence de
lamplificateur celle des systmes du premier ordre. En termes de ples et de zros, cela revient dire quil
existe dans la plupart des cas un ple dominant qui dtermine sup et un autre dterminant inf.
La thorie du ple dominant, dont la justification mathmatique nest pas dveloppe dans le dtail ici, consiste
analyser le circuit en considrant que chacune de ses capacits cre un ple, calcul indpendamment des autres
(lapproximation et donc lanalyse sont linaires), et ensuite combiner ces diffrents ples dans le calcul du ple
dominant.
55
Dans le cas de
-
, on va :
extraire du circuit lensemble des capacits parasites .

Ces capacits ont chacune un ple associ i, obtenu en multipliant la valeur de la capacit par
limpdance vue depuis la capacit, les autres capacits parasites tant ouvertes.
Combiner ces ples suivant lquation suivante (le ple dominant est celui dont la constante de temps est
la plus grande) :
Dans le cas de
-
sup
inf
, on va :
extraire du circuit lensemble des capacits utiles .
Ces capacits ont chacune un ple associ i, obtenu en multipliant la valeur de la capacit par
limpdance vue depuis la capacit, les autres capacits utiles tant court-circuites.
Combiner ces ples suivant lquation (le ple dominant est cette fois celui dont la constante de temps
est la plus faible) :
Exemples :
Exemple #1 : Dtermination de la pulsation
inf
du circuit suivant :
ECC = 12V
ECC
C1
RE = 1 k
C3
Circuit
ouvert
T
RE
RC = 4.7 k
C1 = 1 F
vo
R1
vi
R2 = 68 k
RC
R2
R1 = 12 k
C2
C2 = 64 F
C3 = 0.1 F
F
= 100
IT = 1 mA
T
Zi
R1
R2
RC
Calcul de la capacit associe C1 : limpdance vue par C1, tous les autres accs tant des courts-circuits, se
calcule sur le schma suivant :
56
On trouve ds lors :
Pour le calcul de
(la capacit associe C2), on part du schma suivant :
Zi
RE
On obtient (en utilisant lexpression
Le cas de
Le calcul de
inf
57
VT
IC
de limpdance dentre du transistor en base commune) :
est simple puisque la charge en sortie est infinie, le ple est galement infini.
inf
donne :
= 1/
+ 1/
En introduisant les valeurs numriques vues plus haut, on trouve :

inf
RC
= 483 + 617 = 1099 Rad/sec
soit :
finf = 175 Hz
Exemple #2 : Dtermination de
sup
du circuit de la figure suivante :
EDD
C1 = 1.5 pF
RD
vout
C2
T
vin
RD = 47 k
C1
C2 = 0.1 pF
C3
C3 = 1 pF
rO = VA/ID = 100 k
La capacit C1 est en parallle avec le gnrateur de tension, elle est court-circuite et ninfluence donc pas la
rponse en frquence. On obtient pour C2 et C3 :
et donc :
soit environ 4,53 MHz.
Les capacits parasites qui dterminent sup se composent des capacits dues au montage (connections entre les
lments du circuit, pistes daluminium, capacits vers la masse, capacits des connexions vers le silicium, ) et
des capacits inhrentes aux lments actifs. Ces dernires capacits font partie intgrante des transistors et ont
t abordes durant le cours dElectronique Physique ; nous revenons ici sur les principaux rsultats de cette tude.
5.2.1 Circuit quivalent HF du transistor bipolaire

Le modle HF du transistor bipolaire le plus commun est le modle pi-hybride, dduit du modle Ebers et Moll.
Nous nous limitons ici au fonctionnement du transistor en zone active.
Le modle statique du transistor en zone active a t vu prcdemment et est repris ci-dessous :
5.2 Circuits quivalents HF des lments actifs
58
IB
IC
C
kV BE
IF / F
IF
I S (e
kT
1)
E
Le modle dynamique sappuie sur la notion de dispositif command par la charge . Le courant de collecteur IC
est command par le courant de base IB. On pourrait cependant aussi considrer que ce courant est command
par la tension VBE ou par la charge totale QF stocke dans la base. Il nest pas trs intressant de lier IC VBE
cause de la non-linarit de la relation liant ces grandeurs. Par contre, la charge stocke dans la base et I C sont
proportionnels. En rgime dynamique, cette proprit se vrifie galement pour autant que le profil de charges
dans la base soit toujours le mme quen tat de rgime. Pratiquement, cette hypothse est toujours vrifie car
lpaisseur de la base dun transistor bipolaire est extrmement fine.
Pour modifier IC , il faut modifier la charge stocke dans la base QF et cette opration requiert videmment un
courant dQF/dt qui doit tre fourni par le circuit de base. On a donc :
IBdynamique = dQF/dt
La proportionnalit entre IC et QF permet dcrire :

IC = QF/
tant appel le temps de transit dans la base, et son inverse F tant appel la pulsation de coupure intrinsque
du transistor. Les deux relations ci-dessus, combines avec la dfinition de IF permettent dcrire :
F
IBdynamique =
59
dIC/dt =
I C dV BE
F
VT
dt
ou encore :
IBdynamique = CDE dVBE/dt avec CDE =
IC
F
VT
1 IC
F
VT
Le courant de base du transistor est maintenant constitu de deux composantes : IBstatique gal IC/
Le circuit quivalent HF du transistor en zone active est alors fourni par :
et IBdynamique.
B
CDE =
1 IC
F
kV BE
IF / F
VT
IF
I S (e
kT
1)
E
Ce circuit reprsente correctement le fonctionnement du transistor intrinsque en rgime de grands signaux.

Dans le fonctionnement petits signaux, on linarisera la diode autour de son point de fonctionnement DC.
vBE
iC = vBE
IC
VT
E
CDE =
1 IC
F
VT
rBE =
VT
F
IC
a)
les capacits de jonction, capacits non linaires, variant avec les tensions appliques leurs bornes
suivant la relation :
CJ = CO (1 V/ )-n
avec : C0 valeur de CJ pour V=0,

suivant le type de jonction
le potentiel de contact de la jonction et n compris entre 2 et 3
b) La rsistance extrinsque de base

Dans la fine zone comprise entre lmetteur et le collecteur se trouve la base active du transistor. Pour y
accder, le courant doit traverser une zone rsistive forme par la base inactive du transistor. Il y a donc
Il est ncessaire de complter ce modle en ajoutant quelques lments dits extrinsques:
60
une certaine rsistance RB entre le contact de base et la zone o se produit leffet transistor. Cette
rsistance est non linaire et vaut jusqu quelques dizaines dOhms.
En ajoutant les lments prcdents au schma intrinsque du transistor, on obtient le modle suivant :
RBB
CJC
v*
C
iC = V
vBE
IC
VT
E
C = CDE + CJE
rBE =
VT
F
IC
5.2.2 Rponse en frquence du gain en courant du transistor

Dans le cas du calcul du gain en courant, on injecte un courant iIN dans le transistor, ce qui permet dliminer la
rsistance de base RBB du schma, car sa prsence ne modifie pas le courant inject dans la base :
RBB
CJC
v*
iOUT
C
iIN
61
VT
F
IC
IC
VT
Une simplification supplmentaire du circuit peut tre obtenue en raccordant CJC entre la base intrinsque du
transistor et lmetteur. Cette approximation ne change rien du point de vue de limpdance dentre, mais
affecte iOUT en soustrayant le courant traversant CJC de la mesure du courant de sortie, qui est ngligeable. Nous
pouvons en effet calculer le rapport entre ce courant et celui du collecteur. On trouve :
C JC
v*
IC v *
VT
La valeur
C JC
IC
VT
est une constante de temps trs petite, qui vaut environ 15ps sous 1 mA de courant de collecteur. Le rapport
entre les courants vaut lunit pour f = 10 GHz. En dautres termes, pour les frquences infrieures 10 GHz,
lerreur commise sur le courant en plaant CJC comme suggr est ngligeable.
Le schma se rduit alors :

iOUT
v*
iIN
C
VT
C + CJC
v*
IC
IC
VT
Le gain en courant est fourni par :

IC
VT
1 IC
F
+ j
(C
1
F
1+ j
+ C JC )
VT
(C
+ C JC )
ou :
Ai =
et
= (C
1+ j
B
Ce qui peut tre reprsent sur la figure suivante :
+ C JC )
VT
IC
VT
IC
Ai =
62
Ai
-6 dB/Octave
Lintersection avec laxe horizontal se produit une pulsation T gale F B, pour laquelle le gain est gal
lunit. Cette pulsation est appele pulsation de transition. Elle est souvent utilise pour caractriser les
performances en HF des transistors bipolaires, et est fournie par :
1
= (C
+ C JC )
VT
IC
Ou, en remplaant CDE par sa valeur :

1
+ (C JE + C JC )
VT
IC
Exemple : en utilisant des valeurs typiques pour les paramtres du circuit quivalent HF dcrit ci-dessus :
F
= 100
= 0,1 ns
CJE = 10 pF
63
CTC = 0,6 pF
RBB = 10
Nous pouvons calculer les valeurs suivantes :
IC
[m A ]
0,1
0,2
0,5
1
2
5
10
fT
[M H z]
55,7
107,7
244,4
423,7
669,3
1026,0
1247,7
fB
[M H z]
0,56
1,08
2,44
4,24
6,69
10,26
12,48
CDE
[pF ]
0,38
0,77
1,92
3,85
7,69
19,23
38,46
Ce qui fournit le graphique suivant :
1600,0
1400,0
fT [MHz]
1200,0
1000,0
800,0
600,0
400,0
200,0
0,0
0
10
15
IC [mA]
5.2.3 Circuit quivalent HF du transistor MOS

Le modle dynamique du transistor MOS a t revu au chapitre 1. Dans ce cas, les capacits parasites jouent un
rle dterminant sur la rponse en frquence. Nous rappelons comment les capacits non linaires CGD et CGS
variaient en fonction du point de polarisation du transistor :
On observe la forte dpendance de fT par rapport IC, cause de la valeur leve de CJE. La seule manire de
minimiser cet effet est de travailler courant lev. On constate que CDE est ngligeable par rapport CJE pour
les faibles valeurs de IC, tandis qu partir de 3 mA, cest linverse qui se produit.
64
VG0
CGD
G
V*T0
CGS
Crec + 2/3CG
CGS
1/2CG
CGD
Crec
VD
5.3 Le facteur de mrite ou produit gain x bande passante

5.3.1 Introduction
Considrons le circuit suivant, reprsentant un amplificateur idal ; soit une transconductance de valeur S
charge par une impdance de sortie RL et alimente par une source de tension. On ajoute en outre les trois
capacits parasites entre les bornes de llment actif :
65
C2
vIN
C1
SvIN
C3
RL
Le gain en tension du circuit, en tenant compte des capacits ses bornes, est gal :
AV = -
S - pC
1
R
+ p (C 2 + C 3 )
vOUT
On peut en gnral ngliger, comme nous lavons fait prcdemment, le terme pC2 du numrateur, car il rend
compte du couplage direct entre sortie via C2, ngligeable par rapport la contribution de la transconductance
SvIN. Il vient alors :
AV = SR
1
L
1 + p R L (C
+ C3)
La rponse en frquence sapparente celle dun passe-bas de gain SRL et de pulsation de coupure 1/RL(C2 +
C3).
Dfinissons prsent le produit gain x bande passante, qui est gal :

SR
1
L
R L (C 2 + C 3 )
S
C2 + C3
On constate que ce produit ne dpend pas de la valeur de limpdance de sortie RL, mais uniquement de la
transconductance de llment actif et des capacits parasites qui lui sont associes. On ne peut ds lors pas
dterminer indpendamment le gain et la bande passante de lamplificateur, mais en ralit, tout accroissement
ou diminution du gain par modification de RL se paie par une diminution ou une augmentation correspondante de
la bande passante, conformment la figure suivante :
(log)
En dautres termes, le choix de RL en tant que moyen de fixer le gain en tension AV fixe en mme temps la borne
suprieure de la rponse en frquence de lamplificateur. La seule manire dchapper cette rgle consisterait
changer dlment actif. Cest ce qui justifie lappellation de facteur de mrite donn lexpression S/(C2 +
C3). Il sagit vraiment dune quantit caractrisant les qualits intrinsques de llment actif, indpendamment
du circuit dans lequel il est utilis. Plus la transconductance de llment actif est leve, et plus les capacits
intrinsques parasites sont petites, meilleur sera lamplificateur quil permet de raliser.
5.3.2 Comparaison du transistor MOS et bipolaire sur base du facteur de

mrite
AV
66
Les transistors MOS et bipolaires prsentent bien des similitudes, ils peuvent tous deux tre reprsents par des
schmas petits signaux similaires, avec une source de courant commande par une tension en entre. La
diffrence majeure est due la rsistance de base RBB dans le cas du bipolaire, alors que le transistor MOS prsente
une rsistance dentre infinie. On peut ds lors tenter de dterminer et comparer les facteurs de mrite de ces
deux transistors.
La transconductance (on dit parfois pente ) du transistor bipolaire vaut IC/VT, soit 38.5 mA/V pour un courant
IC de 1 mA. Les capacits parasites sont de lordre du pF, voire 10 pF pour CD et CJE. Le facteur de mrite est
donc de lordre de 3.109 pour 500 MHz.
La transconductance du transistor MOS vaut 2ID/VOV. O VOV vaut VGS-VT, qui ira de quelques dizaines de
millivolt plusieurs volts, en fonction du point de polarisation retenu par le concepteur. Les capacits parasites
sont en gnral dun ordre de grandeur plus faible que dans le cas du bipolaire.
5.4 Capacit Miller

Dans les circuits quivalents HF des transistors MOS et bipolaire, on retrouve une capacit qui lie lentre et la
sortie. Il sagit de CJC dans le cas du montage metteur commun bipolaire et CGD dans le cas du montage source
commune MOS. Tous ces circuits peuvent se ramener au schma suivant :
iC
iIN
vIN
67
C
iOUT
vOUT
Appelons AV le gain en tension du quadriple :

AV = vOUT/vIN
La diffrence de potentiel aux bornes de C vaut :

vIN vOUT = vIN (1 AV)
Le courant traversant C vaut par consquent :

iC = pC (1 AV) vIN
Il en rsulte, du point de vue de limpdance dentre, le circuit quivalent suivant :
C (1-AV)
iIN
iOUT
vIN
vOUT
La prsence dune capacit C(1-AV) lentre va modifier considrablement la rponse en frquence du

quadriple, car si AV est lev, le courant driv par cette capacit risque dtre relativement important et son
impdance peut tre finalement du mme ordre de grandeur que limpdance dentre du quadriple, voire
infrieure.
Cet effet porte le nom effet Miller , il fut mis en vidence dabord dans les amplificateurs slectifs.
A titre dexemple, considrons lamplificateur suivant et attardons-nous sur lexpression de sa transconductance

vOUT/iIN :
CJC
v*
iIN
C
VT
F
IC
v*
IC
VT
RL
vOUT
La capacit CJC drive un courant dautant plus important que le gain en tension du montage est lev, ou que la
rsistance de sortie RL est grande. En consquence, leffet Miller tend accrotre CJC dune quantit CJCAV qui
accentue le caractre passe-bas de la maille dentre du montage, avec AV gal au rapport des tensions vOUT/v*. Il
en rsulte que la frquence de coupure de cette maille diminue, ce qui revient dire que la frquence de coupure
de la source de courant la sortie diminue galement. La borne de frquence sup calcule prcdemment glisse
vers des frquences plus basses. Le gain AV, en ngligeant CJC (on a dj vu prcdemment que le courant driv
par la capacit CJC tait en gnral ngligeable par rapport celui circulant dans limpdance RL), est fourni par
lexpression :
AV = - RLIC/VT
On a donc :
C + CJC (1-AV) = CDE + CJE + CJC + RL CJC IC/VT
RBB
68
Comme :
IC
CD =
VT
On peut rcrire lexpression des capacits comme :

(
+ RL CJC)
IC
VT
+ CJC + CJE
Tous les rsultats vus prcdemment dans le cas du transistor bipolaire avec charge de sortie nulle restent valables
condition de remplacer lexpression 1/
transition
par (1/
+ RL CJC). En particulier, lexpression de la pulsation de
devient :
=(
+ R L C JC ) + (C JE + C JC )
VT
IC
Exemple : en reprenant les valeurs numriques utilises prcdemment avec RL = 1 k, on trouve :

RL CJC = 6. 10-10 s
tandis que 1/
1
*
F
69
valait 10-10 s. Tout se passe comme si
=(
+ R L C JC ) = 7/
devait tre remplac par
, tel que :
La rponse en frquence pour le gain en courant cette fois, pour IC = 1 mA et RL gal 0 et 1 k est
reprsente ci-dessous :
Ai [dB]
20
RL=0
RL=1k
fB
1
10
100
1000
fT (log)
Cet exemple illustre bien limportance de leffet Miller sur la bande passante. Il suffit dun petit C JC (0.6 pF) pour
que cette influence se traduise de manire tangible.
70
6 Les Etages de sortie

6.1 Introduction
Le rle principal de ltage de sortie dun amplificateur est de fournir suffisamment de puissance la
charge connecte sa sortie, tout en conservant des niveaux de distorsion acceptables. Ltage de sortie
prsentera galement une impdance suffisamment faible par rapport la charge connecte en
sortie, de manire rendre le gain de lamplificateur indpendant de la valeur de cette charge ; il prsentera une
impdance dentre la plus leve possible, de manire prserver un gain important pour les tages
intermdiaires. Enfin, on prtera une attention particulire la consommation de ltage de sortie et sa rponse
en frquence.
6.2 Le montage collecteur commun, fonctionnement en classe A

Nous avons vu prcdemment comment dans le cas du bipolaire lmetteur suiveur, ou collecteur commun
remplissait cette fonction (dtage de sortie). Le montage suivant reprsente un tage de sortie construit laide
dun metteur suiveur, charg par une rsistance de valeur RL :
VCC
R3
Vi
T1
T3
T2
R1
71
R2
RL
Vo
IQ
-VCC
Pour caractriser la distorsion, dfinie comme le rapport entre la composante principale et les harmoniques pour
une frquence donne, et la dynamique en tension de cet tage, dfinie comme tant le signal maximal disponible
en VO, tout en conservant un niveau de distorsion acceptable , il est ncessaire de calculer la relation tension de
sortie/tension dentre en grands signaux. On peut crire la relation suivante :
Vi = VBE1 + VO
On peut ensuite dcrire VBE1 en fonction de son courant de collecteur :
VBE1 =
kT
q
ln
I C1
I S1
Si le transistor T1 est actif. Le courant de collecteur (gal au courant dmetteur en supposant

alors :
grand scrit
IC1 = IQ + VO/RL
On obtient alors lexpression non-linaire de la relation liant les deux tensions (on suppose que le transistor T3 est
actif et que les impdances de sortie de T1 et T3 sont grandes devant RL) :
Vi =
kT
q
IQ +
ln (
VO
R
I S1
) + VO
La fonction de transfert VO/Vi est reprise ci-dessous (simulation Spice DC, avec VCC gal 5V et VCC gal -5V,
les tensions VI et VO tant rfrences par rapport 0V) :
VO
VCC
T1 satur
T3 satur
VBE1
VCC-VCE1SAT+VBE1
VI
Sur ce graphique, on observe directement la zone linaire et les zones non-linaires dues la saturation de la
source T3 entranant le blocage de T1 (pour les valeurs faibles de VI, lorsque la tension dentre passe sous la
valeur -Vcc + R2IQ + VCE3SAT + VBE1) et de saturation de T1 lorsque la tension dentre dpasse VCC - VCE1SAT + VBE1.
En gnral, la tension de base de T1 ne dpassera pas VCC, et on peut ds lors considrer que la tension de sortie
reste linaire par rapport la tension dentre pour les tensions positives jusqu VCC.
On doit sintresser au rendement de cet tage de sortie, c'est--dire au rapport entre la puissance utile dlivre la
rsistance RL et la puissance totale consomme par ltage de sortie. On va sintresser au cas le plus favorable, c'est--dire
lorsque la rsistance R2 est nulle et que la tension de sortie peut descendre pratiquement jusqu VCC.
La puissance utile dlivre RL, pour un signal sinusodal, scrit :
-VCC+IQR2+VCE3SAT
72
PL = Vp Ip
Avec Vp et Ip dsignant les amplitudes des signaux gnrs en sortie. Le maximum de cette puissance est obtenu
lorsque la tension Vp monte jusqu VCC ( VCESAT prs) et lorsque le courant Ip vaut IQ. Ce maximum se produit
pour une charge RL gale VCC/IQ.
La puissance dissipe par ltage de sortie est la somme de la puissance moyenne dissipe dans le transistor T 1 (VCC
fois le courant moyen dissip dans T1, qui vaut IQ), et celle dissipe dans le transistor T3 (-VCC fois le courant
constant IQ). La puissance totale dissipe vaut alors :
PT = 2 VCC IQ
Le rendement maximal de cet tage de sortie vaut alors :

= PLMAX/PT = 25%
Notons que cet tage de sortie dissipera toujours de la puissance, mme signal dentre nul. Cette
caractristique rend ce montage peu intressant dans beaucoup dapplications pratiques, lorsque le systme doit
tre capable de fonctionner en standby , avec des signaux trs faibles ou nuls, pour des priodes importantes.
Ce type de fonctionnement est appel fonctionnement en Classe A
Le montage qui suit permet dviter cette consommation excessive en labsence de signaux dentre.
6.3 Fonctionnement en classe B
73
Ltage en classe B ne dissipe pas de puissance lorsque le signal dentre est nul. Son principe est repris la figure
ci-dessous, il consiste placer en cascade une paire dmetteur suiveurs de types opposs :
VCC
T1
Vi
T2
RL
Vo
IQ
-VCC
Le transistor NPN est seulement actif pour les alternances positives, le PNP est actif seulement pour les
alternances ngatives. La puissance dissipe dans chacun des transistors en fonction de la tension de sortie est
fournie par :
P = (VCC - VO) VO/RL
On constate quil existe une zone pour Vi entre 0,7V et +0,7V telle que les deux transistors sont bloqus. On
peut refaire le calcul du rendement de cet tage de sortie. La puissance dissipe dans la charge vaut toujours :
PL = Vp Ip
que lon peut rcrire :
La caractristique entre-sortie de ce montage est reprise sur la figure suivante :
74
PL = Vp2/RL
La puissance dissipe dans chaque transistor est obtenue par le produit de la tension V CC par le courant moyen
Isupply, calcul par lexpression suivante : (le courant dans chaque transistor, en ngligeant leffet des VBE et des
VCEsat, est reprsent par une demi-sinusode damplitude VL et de priode 2/T)
I supply =
1
T
T
0
I C1 (t) dt
1
T
T /2
0
Vp
RL
sin(
t
T
)dt
1 Vp
RL
On obtient donc, en additionnant les puissances dissipes dans chacun des transistors :
P supply =
2 Vp
RL
V CC
On constate que, contrairement au montage en classe A, lexpression de la puissance moyenne dissipe dans
ltage de sortie varie avec la valeur de Vp, ce qui est un rsultat satisfaisant (si le signal utile Vp est nul, la
puissance dissipe est galement nulle!). Lexpression du rendement devient alors :
=
PL
Psuuply
VP
4 V CC
Le rendement maximal, obtenu lorsque Vp est gal VCC ( VCE prs), soit prs de 78.6%, est comparer avec les
25% obtenus dans le cas du circuit classe A !
Le problme du montage en classe B rsulte de la zone proche de V i = 0V. Dans cette zone, appele en anglais
cross-over , les deux transistors sont en mode bloqu. Si on applique un signal sinusodal faible en entre (par
exemple 1V), on obtient une distorsion intolrable du signal en sortie, comme le montre la simulation suivante :
75
Il est indispensable de modifier ce circuit, et darriver un troisime mode de fonctionnement.
6.4 Fonctionnement en classe AB.

Le montage classe B est modifi comme lillustre la figure suivante pour attnuer la distorsion de cross-over :
VCC
2VBE
Vi
T2
RL
Vo
IQ
-VCC
Dans ce cas, les deux transistors de ltage de sortie seront toujours passants, la difficult de cette implmentation
proviendra de la conception de la source de tension 2VBE, qui devrait tre dimensionne de manire contrler le
courant dans les transistors de sortie. Cette source devra avoir les mmes caractristiques de drive que les V BE
des transistors T1 et T2 (variations en temprature, ). Si cela ntait pas le cas, le comportement de ltage de
sortie deviendrait imprvisible : en effet, une lgre augmentation de cette tension de polarisation entranerait
une augmentation sensible du courant de sortie, ce qui augmenterait la puissance dissipe dans ces transistors, et
T1
76
par laugmentation de la temprature qui en rsulterait une diminution du VBE, ce qui conduirait lemballement
thermique de la structure (raction positive). Diverses solutions peuvent tre envisages, comme le montre la
figure suivante :
VCC
R1
R2
Vi
T1
T3
T2
RL
Vo
IQ
-VCC
Dans le circuit prcdent, la chute de tension aux bornes de R2 est pratiquement constante, partir du moment
o un courant circule dans le transistor T3. En plaant R1 en srie avec R2, et pour autant que lon nglige le
courant de base de T3, on fixe pratiquement la chute de tension entre les bases de T1 et T2 en jouant sur le rapport
des rsistances, qui est en gnral trs bien contrl dans les circuits intgrs.
6.5 Etage de sortie NPN
77
Dans de nombreux cas, la technologie bipolaire propose est asymtrique, cest--dire que les caractristiques des
transistors PNP sont moins bonnes que celles des NPN (PNP latraux, ou dopages optimiss pour les
performances des transistors NPN).
Il est parfois intressant de recourir des tages de sortie entirement raliss laide de transistors NPN. La
figure suivante est reprise dun tage de sortie dun amplificateur de puissance. Le concepteur na, dans ce cas,
pas voulu utiliser des transistors PNP cause de leur pitre comportement pour des courants levs :
VCC
D3
T3
T1
D1
D2
Vi
RL
Vo
T2
-VCC
Pour des tensions Vi faibles, le transistor T2 drive un faible courant ICT2 infrieur au courant de la source
ICT3. Le courant excdentaire de ICT3 entre alors dans la base de T1 et gnre un courant ICT1, envoy dans
la rsistance RL. En fonction de la chute de tension provoque par le courant ICT1 dans RL, le transistor T1
sera satur (VCET1~0.1V) ou actif (ICT1= FIBT1). Le courant ICT3 sera dimensionn de manire pouvoir
saturer le transistor T1, ce qui assurera une tension de sortie maximale V0 gale VCC-VCESAT. La diode D1
est enclenche, la diode D2 est bloque.
Lorsque la tension Vi est leve, le transistor T2 drive un courant important ICT2 vers lalimentation
ngative, ce courant est gal la somme des courants ICT3 et ID2. Le courant ID2 gnre une chute de
tension V0 ngative sur la rsistance de sortie RL. Les diodes D1 et D2 sont alors passantes. Le transistor
T1 est coup.
Lorsque les courants ICT2 et ICT3 sont gaux, seule la diode D1 est passante, le transistor T1 et la diode D2
sont bloqus, et la tension de sortie est nulle.
VCC
T1
2VBE
Vi
T3
T2
RL
-VCC
Vo
Une autre solution vitant lutilisation de transistors PNP sous des courants levs consiste combiner un
transistor PNP et un transistor NPN en sortie du montage, comme le montre la figure suivante :
78
Les transistors T2 et T3 se comportent comme un transistor PNP, bien que le courant de sortie soit fourni
essentiellement par un NPN.
Une variante du montage prcdent est couramment utilise dans le cas des technologies BiCMOS, pour
lesquelles on ne dispose en gnral que de transistors PNP latraux de pitre qualit. Le transistor T 3 de la figure
prcdente y est alors remplac par un transistor PMOS.
6.6 Protection de court -circuit

Les tages de sortie analyss sont capables de gnrer des courants de sortie importants. Il est souvent ncessaire
de protger les transistors de sortie contre des courants excessifs, qui rsulteraient par exemple de la connexion
intempestive de la sortie vers une alimentation ou tout autre nud du circuit faible impdance. La solution
suivante consiste couper le transistor de sortie au-del dun certain seuil, et limiter le courant maximal que
ltage de sortie sera capable de dbiter :
VCC
VBIAS
T5
T1
T4
Rprot
Vi
79
T3
RL
T2
Vo
-VCC
Lorsque le courant de sortie dpasse la valeur 0.7/Rprot, le transistor T4 senclenche, ce qui aura pour effet de
limiter le courant de sortie ICT5. Une protection peut-tre ajoute galement pour les alternances ngatives et
protger ainsi T2.
6.7 Etages de sortie CMOS en classe AB

Il est possible de raliser des structures quivalentes celles vues prcdemment partir de transistors MOS.
Lexemple suivant illustre le cas dun tage de sortie fonctionnant en classe AB, pour lequel les transistors M 3 et
M4 sont connects en diode (grille et drain court-circuits) , ce qui permet de polariser ltage de sortie avec
un courant proportionnel au courant IDM5. En particulier, si respectivement M3, M1 et M4, M2 sont gaux, on
retrouve en sortie le courant IDM5.
VDD
VBIAS
M5
M3
M1
VOUT
M4
VIN
M2
M6
VSS
Linconvnient majeur de la version MOS de ce circuit est la limitation de la dynamique en sortie. En effet, on
retrouve cette fois une tension maximale en sortie gale :
VOMAX = VDD VSDM5 VGSM1
De par leffet du substrat, la tension VGSM1 est courant donn dpendante de la tension de source de M1
qui est aussi la tension de sortie V0.
La relation tension-courant est exponentielle dans le cas du bipolaire et simplement quadratique dans le
cas du MOS, ce qui entrane que le transistor M1 doit tre gros (rapport W/L important) afin de
permettre la gnration dun courant de sortie important pour un VGSM1 donn, ce qui dtriore les
performances de ltage de sortie en frquence (de gros transistors impliquent la prsence de capacits
parasites CGS et CGD importantes).
6.8 Sources commun es en sortie, avec raction

Une solution au problme de rduction de dynamique en tension consiste utiliser des transistors source
commune, avec une raction limitant limpdance de sortie de ltage, comme le montre la figure suivante :
Mme si lexpression de la tension de sortie maximale ressemble celle obtenue dans le cas du bipolaire, les
valeurs numriques sont en pratique sensiblement diffrentes.
80
VDD
A
M1
VOUT
+
A
VIN
M2
VSS
Les amplificateurs auxiliaires ont pour fonction de comparer le signal dentre VIN au signal de sortie VOUT, et le
cas chant de corriger tout dsquilibre entre ces tensions via les transistors MOS M 1 et M2. On observe bien
que la raction est ngative (par exemple, si on introduit sur VOUT une perturbation ngative par rapport VIN,
lamplificateur connect M1 amplifiera cette perturbation ngative avec un gain A, ce qui rduira
considrablement la tension de grille de M1, et crera en sortie de M1 un courant supplmentaire qui
contrebalancera la perturbation initiale).
On peut calculer limpdance de sortie de ce montage sur le schma quivalent petits signaux suivant (on
connecte VIN la masse pour le calcul de limpdance) :
vgb1
gm1 vgb1
81
r01
VOUT
+
A
-
vgb2
gm2 vgb2
r02
Le calcul de limpdance de sortie donne lexpression suivante :

ROUT =
1
g m1
g m2 A
rO 1 rO 2
On obtient bien une impdance de sortie trs faible. La dynamique en sortie du montage est cette fois proche des
alimentations VDD et VSS. Ce montage prsente cependant deux inconvnients majeurs :
-
Les amplificateurs auxiliaires ont une bande passante limite, ce qui cre des distorsions sensibles la
distorsion de cross-over des transistors bipolaires. Il est en outre dlicat de stabiliser ce genre de
dispositif (la stabilit des amplificateurs sera vue dans un chapitre ultrieur).
Le courant DC de sortie, ncessaire pour obtenir un fonctionnement en classe AB est difficile stabiliser.
7 Les amplificateurs oprationnels

7.1 Introduction
Nous avons jusquici analys plusieurs montages de base : tages diffrentiels, miroirs de courant, tages de gain,
tages de sortie,... Ces montages de base sont combins pour la ralisation de diverses fonctions, ncessaires au
traitement du signal analogique, par exemple un filtre, un amplificateur, un convertisseur analogique/numrique
ou numrique/analogique, une source de tension, Certaines de ces fonctions seront analyses dans les
chapitres ultrieurs, nous nous attarderons plus spcialement dans ce chapitre ltude de lamplificateur
oprationnel.
Un amplificateur oprationnel idal est un dispositif qui possde une impdance dentre et un gain infinis, son
impdance de sortie est nulle, il est inconditionnellement stable dans une boucle raction ngative, et sa rponse
en frquence est galement infinie.
Vi
Vo
A=
Ce dispositif idal permet la ralisation de plusieurs fonctions de base par combinaison avec des lments passifs
(rsistances et capacits) et une boucle raction ngative.
Historiquement les amplificateurs construits laide de transistors bipolaires ont dabord t prfrs, de par les
meilleures performances quils offraient par rapport aux amplificateurs correspondants MOS ou CMOS. En effet,
le transistor bipolaire prsente globalement de meilleures performances que le transistor MOS: transconductance
et gain plus levs courant donn, meilleures performances en frquence, bruit plus faible... Cependant, les
contraintes de cot et les progrs de la technologie ont pouss les concepteurs utiliser de plus en plus
frquemment la technologie CMOS pour raliser des fonctions rserves alors aux technologies plus performantes
AVi
82
bipolaires (voire plus exotiques encore, telles que lAsGa, SiGe, ). En effet, lutilisation du CMOS permet
denvisager lintgration de parties numriques et analogiques, parfois mme des parties radiofrquence, sur un
mme morceau de silicium, offrant des solutions bon march, trs compactes et faciles mettre en uvre.
Bien entendu lamplificateur idal nexiste pas. Les limitations et les non- linarits dues aux transistors ou autres
lments utiliss pour les assembler, changements de gain en fonction de la temprature, de la tension
dalimentation, drives des points de fonctionnement, etc sont le lot de tous les amplificateurs.
On rduit les effets de ces imperfections en recourant la raction.
7.2 Proprits gnrales de la raction

7.2.1 Introduction
La figure suivante pourrait reprsenter un amplificateur de gain A connect avec un rseau passif de raction de
gain , la raction est ngative
vi
vo
La fonction de transfert du graphe reprsent la figure prcdente est fournie par :
83
AR
A
1
O :
AR reprsente le gain avec raction (vo/vi), galement appel le gain en boucle ferme du systme
A reprsente le gain de lamplificateur
reprsente la fonction de transfert du rseau de raction
A est appel le gain en boucle ouverte du systme
Si :
|AR| < |A|, la raction est ngative
|AR| > |A|, la raction est positive
Le facteur 1 + A porte le nom de taux de raction du systme.
7.2.2 Stabilisation du gain

Si A >> 1, le gain du systme tend vers 1/ . Le gain AR ne dpend alors plus du gain de lamplificateur A, mais
uniquement du rseau de raction. Le rseau de raction est en gnral ralis laide dlments passifs, et la
valeur 1/ dpendra souvent du rapport entre deux lments passifs, dont la stabilit en fonction du temps, de la
temprature ou des tensions dalimentations est bien meilleure que celle des lments actifs.
On peut calculer les erreurs relatives sur les gains en boucle ferme :
dA R
1
1
dA
Ce qui permet de calculer:

dA R
AR
1
1
dA
A
Exemple : Le gain A dun amplificateur intgr vaut -100.000 (ou 20 log 100.000 = 100dB). Plac dans une
boucle de raction, le gain AR est ramen -100. Le taux de raction vaut alors 1.000, et est donc gal
1/100. Si le gain varie de +/- 50 %, la variation sur le gain en boucle ferme AR est rduite +/- 0,05%. Le
prix payer pour obtenir ce rsultat est le sacrifice consenti sur le gain trs lev A. Lobtention dun gain lev
pour un amplificateur oprationnel est possible avec des structures deux ou trois tages. Il est videmment plus
intressant de rduire le gain damplificateur par lutilisation dune raction ngative construite autour dlments
discrets (rsistances, capacits), plutt que de construire un amplificateur sans raction de gain donn.
Outre la stabilisation du gain, lutilisation de la raction apporte les avantages suivants :
On voit que lerreur relative sur AR et lerreur relative sur le gain de lamplificateur A sont lies par le taux de
raction.
84
7.2.3 Au niveau de la distorsion :

La distorsion damplitude peut tre reprsente par une variation du gain petits signaux en fonction du point
de fonctionnement de lamplificateur. Cette variation provoque une distorsion du signal en sortie de
lamplificateur, dautant plus importante que le signal dentre est grand.
Vo [V]
Gain rel
Gain idal , linaire
a
Vi [mV]
La courbe du gain de lamplificateur de la figure prcdente montre un profil non linaire. Le gain petits
signaux calcul aux points a et b diffre significativement. Lintroduction dune boucle de raction autour de
cet amplificateur va rduire le niveau de cette distorsion un niveau plus acceptable, suivant la formule calcule
plus haut. La rduction de la distorsion est dautant plus grande que le gain de boucle est lev.
7.2.4 Stabilisation du dispositif en fonction de la temprature et des

tensions dalimentation :
A fortiori, les mmes conclusions sont valables lorsque les modifications de gain rsultent dun glissement de la
temprature ambiante ou de la variation de la tension dalimentation. Limpact de ces facteurs sur le gain A est
rduit par le gain de boucle et sera ds lors pratiquement sans effet sur AR, pour autant que le gain de boucle soit
lev.
7.2.5 Drive du point de fonctionnement, bruit en entre de

lamplificateur :
85
Bien que rsultant de phnomnes fortement diffrents, limpact de la raction ngative sur loffset de
lamplificateur et le bruit ramen en entre peuvent tre analyss de la mme manire. Nous supposons que la
drive ou le bruit de lamplificateur A peuvent se ramener une source de tension perturbatrice e, place
lentre dun amplificateur idal, sans bruit ni drive du point DC :
e
+
vo
vi
Rien ne permet lamplificateur de distinguer le bruit e du signal utile vi. Autrement dit, la drive de lampli
avec raction est divise par le mme facteur que le gain A. Rapporte la dynamique de sortie, la drive est
beaucoup plus faible quauparavant, mais au niveau du rapport signal bruit, la raction ngative na rien chang.
On retrouve bien les fonctions de transfert suivantes :
7.2.5.1
vO
vO
vi
A
1
Exemple : amplificateur audio
La figure suivante reprsente les deux derniers tages dun amplificateur audio. Lamplificateur est scind en
deux tages : un premier tage gain relativement lev (103) mais de faible puissance, et un tage de sortie de
gain modeste (10) mais capable de sortir plusieurs watts dans un haut parleur.
vi +
prampli
Ecc
R
A1
A2
vo
t
HP
Une boucle de raction ramne une fraction du signal de sortie lentre, le premier amplificateur reoit donc
son entre un signal gal (vi- vo). On a galement reprsent le circuit dalimentation sur le schma. Entre les
alimentations de A1 et A2 est interpos un circuit de dcouplage form par la rsistance R et la capacit C, dont le
but est dviter quune fraction mal dfinie du signal de sortie de A2 ne soit rinjecte via les alimentations au
niveau de lamplificateur A1. Lamplificateur est parcouru en effet par des courants importants, de plusieurs
ampres (comme le souligne lpaisseur des traits sur la figure). Sans ce circuit de dcouplage RC, la chute de
tension produite par le passage du courant absorb par A2 dans limpdance de source de lalimentation risque
dinfluencer le comportement de lampli A1. Une seconde raison de dcoupler A1 et A2 est dempcher que
londulation de la source dalimentation (que nous analyserons dans un chapitre ultrieur) ne ragisse sur A1. La
perturbation ainsi produite risquerait dtre amplifie et de produire un ronflement inacceptable la sortie.
Lampli de puissance, quant lui, ne peut tre dcoupl de la mme manire, car le courant important quil
absorbe interdit toute rsistance srie. Le bruit inject par le dernier tage est donc invitable et relativement
important. Cest ici que la boucle de raction et le premier tage de gain A1 jouent un rle important. Le bruit
du second tage, que nous supposerons gal titre dexemple 0,1V en entre de A2, peut tre ramen lentre
86
de lamplificateur A1, o il vaut 0,1mV. Pour dterminer le bruit en sortie, il faut alors calculer gain avec
raction AR. En gnral, on donne lensemble de la figure prcdente un gain relativement faible, de lordre de
10 par exemple, parce que cet amplificateur est en gnral prcd dun tage pramplificateur haut gain et
faible bruit dont les spcifications sont fonction du type de signal appliquer en entre (CD, K7, micro, ). A R
tant gal 10, le bruit provenant de lalimentation via A2 est ds lors gal 10 x 0,1mV, c'est--dire un niveau
trs faible par rapport aux quelques volts disponibles en sortie (par exemple pour 10V en sortie, on trouve un
rapport signal sur bruit de 20 x log(10)/log(0,001), soit 80 dB).
7.2.6 Elargissement de la bande passante

La figure suivante reprsente la rponse en frquence dun amplificateur A dont le gain a t ramen une valeur
AR plus faible grce une boucle de raction.
vo/vi
A0
A
AR
AR0
f0
fC
Comme le rapport A/AR diminue au fur et mesure que la frquence tend vers fC, la rserve de gain
disponible spuise aussi. Elle sannule finalement lorsque f est gal fC. Au-del il ny a plus de boucle de
raction possible car A est trop faible et A est plus petit que 1.
On constate effectivement que la bande passante fC est plus large que celle de lampli isol. On peut crire le gain
sans boucle :
87
A0
A=
1
j
0
Plac dans une boucle, le gain AR est donn par :
AR =
A0
1
A0
1
1
j
C
Avec :
C
A0
On constate que le bnfice de la raction sur la bande passante est proportionnel au taux de raction.
7.3 Montages de base partir damplificateurs idaux

Les exemples suivants vont illustrer comment la raction ngative autour damplificateurs idaux permet de
raliser un ensemble de fonctions utiles dans le traitement analogique des signaux.
7.3.1 Montages inverseur

Z1
Z2
Vi
Vo
Dans des conditions normales dutilisation, et cause de la valeur trs leve du gain en tension de
lamplificateur, la tension lentre de lamplificateur est ncessairement trs faible. Elle est gale la tension de
sortie de lamplificateur, limite par la dynamique de ltage de sortie, divise par le gain en tension de
lamplificateur. Lentre de lamplificateur ressemble une masse artificielle qui est toujours maintenue au
voisinage du potentiel 0V bien quaucun courant ne soit dvi vers la masse (limpdance dentre de
lamplificateur est infinie). On en dduit le courant dans Z1 :
Et puisque IR1 est gal IR2, le gain en tension de lensemble scrit :

Vo = -Z2 IR1 = -Z2/Z1 Vi
Do :
AV = -Z2/Z1
Soulignons lindpendance de la fonction de transfert vis--vis des caractristiques de lamplificateur. Cette

proprit est due au taux de raction extrmement lev de ce circuit, comme on le montrera plus loin.
IR1 = Vi/Z1
88
Parmi les proprits intressantes de ce montage, signalons en deux :

a) limpdance Z2 voit pratiquement une source de courant. Pour le montrer, valuons limpdance
interne du diple auquel Z2 est raccord. Pour ce faire, remplaons Z2 par une source de test v Z2 et
mesurons le courant qui en rsulte iZ2. On trouve immdiatement que :
i Z2 =
Z1
v Z2 =
do :
ZZ2 = A Z1
Lamplificateur oprationnel se comporte donc comme un amplificateur dimpdance vis--vis de Z1. Si

par exemple Z1 est rsistif et vaut 10kOhms et A=80dB, on trouve ZZ2 = 100MOhms !
b) De mme, limpdance entre la borne ngative de lamplificateur et la masse ( lendroit de Z1) est
affecte par la prsence de la boucle de raction. On a en effet :
i Z2 =
A
Z2
v Z1 =
do :
ZZ1 = Z2/A
89
Lamplificateur avec sa raction ngative se comporte cette fois comme un diviseur dimpdance.
7.3.2 Exemples dapplication du montage inverseur

Dans le cas ou les impdances Z1 et Z2 sont gales, le gain en tension du montage vaut -1, la caractristique est
celle dun simple inverseur.
Si le circuit comporte plusieurs gnrateurs lentre, comme le montre la figure suivante, on obtient les
caractristiques dun sommateur :
Z1
V1
Zn
Vn
ZF
Vo
En effet, la borne ngative de lamplificateur se comporte comme la masse artificielle, le courant traversant
limpdance ZF vaut alors :
n
IF
Vj
Ij
j 1
j 1
Zj
La tension de sortie vaut alors :

n
Vj
V O = - RF x
j 1
Zj
On ralise ainsi un sommateur pondr.

Les circuits suivants ralisent les fonctions dintgrateur et de diffrentiateur :
Vo
1
RC
V i t dt
A
+
Dans le cas de lintgrateur (circuit de gauche), on peut crire :

V o (t) = -
Vi
Vo 0
Et dans le cas du circuit diffrentiateur :
Vo
Vi
90
V o t = - RC
dV i
dt
7.3.3 Amplificateur logarithmique

Le montage suivant est quelquefois utilis pour amplifier des signaux sur des larges plages de tension dentre.
Vi
Vo
La tension de sortie se calcule aisment, comme pour le cas du montage inverseur. On obtient :
Vo = -VT ln(Vi/RIS)
Ce circuit nest quun exemple de montage non-linaire ralis partir damplificateurs oprationnels et de
raction par des lments non-linaires. Il est possible dtendre ce concept la ralisation de multiplieurs [logV1
+ logV2 = log(V1V2)], de calculs de carrs ou racines carres entirement analogiques.
7.3.4 Montage non-inverseur
Vi
Z1
91
+
A
Z2
Vx
Vo
Le montage prcdent peut tre analys de manire similaire au montage inverseur. La tension Vi est reproduite
sur la borne ngative de lamplificateur, prs. On peut alors crire :
Vx = Vo Z1/(Z1+Z2)
Vi = Vx + = Vx + Vo/A
Soit :
Vo/Vi ~ (Z1+Z2)/Z1, valable si A >> (Z1+Z2)/Z1
Un cas particulier de ce montage se prsente lorsque Z1 est infinie et Z2 nulle. A ce moment le gain en tension
vaut 1, le montage est appel suiveur de tension. Par rapport au montage inverseur, on notera les diffrences
suivantes :
-
le gain est toujours suprieur ou gal lunit

La tension dentre de linverseur suit la tension dentre, ce qui signifie que lon retrouve lentre
de lamplificateur une tension de mode commun, alors que dans le cas inverseur, la tension dentre de
lamplificateur tait la masse virtuelle.
Limpdance dentre est trs grande (idalement infinie).
7.3.5 Montages amplificateurs intgrs : notions sur les capacits

commutes
Les montages capacits commutes prsentent un intrt particulier dans le cas dapplications intgres en
technologie MOS, qui permet la ralisation de capacits linaires et dinterrupteurs de bonne qualit. Le montage
suivant reprsente un amplificateur capacits commutes :
1
1
C1
C2
Vi
2
2
Vo
Les signaux attaquant chaque interrupteur sont galement reprsents sur la figure (linterrupteur est ferm
lorsque le signal qui lui est appliqu est haut). On peut analyser ce circuit durant les deux phases distinctes 1 et
2.
Durant la premire phase 1, chaque interrupteur command par le signal 1 est ferm et les autres interrupteurs
sont ouverts. La capacit C1 est charge par la source Vi, alors que la capacit C2 est dcharge la masse. La
charge totale sur C1 est alors gale :
Q1 = C1 Vi
Durant la seconde phase 2, la charge prsente sur C1 est transfre sur la capacit C2. Labsence de courants de
fuite sur la borne ngative de lamplificateur permet dcrire que toute la charge qui tait prsente sur C1 se
retrouve sur C2, soit :
92
Q2 = C2 Vo = Q1
Ce qui permet finalement dcrire :

Vo/Vi = C1/C2
Il est important de bien comprendre les valeurs utilises dans lexpression prcdente : Vi est la tension la fin de
1 et la tension Vo est la tension prsente en sortie la fin de 2. Ces deux valeurs ne sont donc pas mesures
au mme moment. La figure suivante montre un exemple dvolution de la tension de sortie, rsultant dune
simulation SPICE du circuit prcdent, la tension dentre tant sinusodale. On observe bien les instants
dchantillonnage, correspondant 1 haut, suivies du transfert des charges avec la valeur apparaissant en sortie
lorsque 2 est haut. Les valeurs prises par le signal out lorsque 2 nest pas actif (lorsquil est bas ) sont
irrelevantes, lamplificateur est alors en boucle ouverte
93
Dans les circuits MOS, les interrupteurs repris sur le schma prcdent seront raliss simplement laide de
transistors MOS, dont le comportement se rapproche trs bien de linterrupteur idal.
La figure suivante reprsente un intgrateur, un autre exemple de montage utilis frquemment dans les systmes
capacits commutes. Cet intgrateur est la brique de base de plusieurs dispositifs analogiques CMOS, tels que
les filtres analogiques ou les convertisseurs analogique/numrique et numrique/analogique. On retrouve dans
ce montage un amplificateur oprationnel avec une capacit dintgration Ci connecte entre lentre et la sortie,
et une capacit dchantillonnage Cs, qui, combine avec quatre interrupteurs, se comporte comme une
rsistance dont la valeur est directement proportionnelle la frquence de commande des interrupteurs.
1
1
(n+1)T
(n+1/2)T
Ci
2
Cs
Vi
nT
A
Vo
Le calcul de la tension de sortie se fait en considrant lvolution des charges stockes sur les diffrentes capacits.
A la fin de la phase 1, on peut calculer la charge totale sur Cs et Ci :
Q(n) = [0 Vi(n)]Cs + [0 Vo(n)]Ci
Cette charge est transfre totalement sur la capacit Ci la fin de la seconde phase 2. On obtient alors :
Q(n + ) = 0Cs + [0 - Vo(n + )]Ci
Sachant que la charge sest conserve dans ce transfert, on peut crire Q(n) = Q(n + ). Egalement, la charge
sur Ci reste constante durant 1, on peut donc crire que Vo(n + ) = Vo(n + 1). On obtient alors :
Vo(n+1) = Vo(n) + Cs/Ci Vi(n)
Q(n) = - Cs Vi(n)
Un courant est gnr par ce transfert de charge durant la priode T, il vaut :
Ii(n) = Q(n)/T = f Cs Vi(n)
O f est la frquence dchantillonnage du systme. On en dduit la rsistance quivalente :

R eq =
Vi
Ii
1
fC S
La frquence de coupure de ce montage se calcule comme dans le cas de lintgrateur continu :
On retrouve la fonction dintgration de la tension dentre, qui multiplie par le rapport des capacits Cs/Ci est
ajoute Vo(n) pour former Vo(n+1). On peut estimer la rsistance quivalente forme par la capacit Cs.
Durant une priode complte T, la charge transfre sur Ci vaut :
94
Fc =
fC S
2 RC
2 Ci
Les structures capacits commutes en CMOS prsentent lavantage de ne dpendre que de grandeurs trs bien
contrles, savoir le rapport entre deux capacits (prcis au pour mille) et la frquence de lhorloge du circuit.
A titre de comparaison, la frquence de coupure dun circuit intgrateur en temps continu dpend du produit
RC, or la valeur absolue des composants rsistance et capacit nest pas contrlable moins de 10-20%, en outre
la valeur des composants volue de manire diffrente avec la temprature.
La figure suivante montre bien la fonction intgration du montage, qui intgre le signal carr prsent lentre
pour gnrer un signal chantillonn triangulaire en sortie.
95
7.4 Imperfections des amplificateurs oprationnels

Les amplificateurs oprationnels prsentent un certain nombre de caractristiques dont nous navons pas tenu
compte jusqu prsent. On peut considrer celles-ci comme des imperfections dont linfluence peut tre
minimise condition de prendre quelques prcautions.
7.4.1 Tension de dcalage (offset voltage)

La plupart des amplis oprationnels comportent un tage diffrentiel dentre. Ils sont donc compenss dans une
certaine mesure vis--vis des carts de tensions VBE (ou VGS dans le cas MOS) des transistors dentre. Mais le
gain des amplificateurs est tellement lev que pratiquement jamais la tension de sortie VOUT nest gale 0V
lorsque la tension diffrentielle dentre VIN est 0V. La tension de dcalage est par dfinition la tension quil
faut appliquer lentre de lamplificateur pour obtenir 0V en sortie. En gnral, les tensions de dcalage
damplificateurs MOS ou bipolaires sont de lordre de quelques millivolts. La tension de dcalage peut poser des
problmes dans les tages de rception ou de transmissions de systmes en tlcom, pour lesquels des gains
globaux de 40 voire 60 dB ne sont pas rares. Sans prcautions particulires, les tensions de dcalage des diffrents
amplificateurs prsents par exemple sur la chane de rception peuvent saturer le rcepteur.
Des dispositifs permettent de compenser cette tension de dcalage, par mesure de la tension de sortie et
compensation sur la balance de ltage diffrentiel dentre de lamplificateur.
7.4.2 Courant dentre

Lamplificateur oprationnel bipolaire absorbe un courant continu dentre appel IB. Ce courant est de lordre
de quelques fractions de micro-ampres dans le cas damplificateurs bipolaires, il est par contre pratiquement nul
dans le cas damplificateurs tage diffrentiel MOS (mme si lon peut considrer que le courant de grille de
ltage diffrentiel MOS est nul, un courant de fuite reste en gnral prsent sur les entres de lamplificateur,
associ aux diodes de protection de ltage dentre). Ce courant dentre passe travers les rsistances du
rseau de raction, provoquant une tension de dcalage supplmentaire. On compense ce dcalage en plaant une
rsistance quivalente sur les bornes plus et moins de lamplificateur diffrentiel. On cre ainsi des chutes de
tension gales aux deux bornes de lamplificateur, sans impact car lamplificateur nagit que sur les signaux
diffrentiels.
7.4.3 Dcalage des courants dentre

Il sagit de la diffrence entre les courants cits prcdemment, en gnral trs faible, qui crera une composante
supplmentaire de la tension de dcalage en passant travers les rsistances dentre
Le taux de rjection du mode commun est dfini par le rapport entre le gain en mode diffrentiel sur le gain en
mode commun. Le gain en mode diffrentiel est trs grand, le gain en mode commun est en gnral indsirable,
et le constructeur sarrangera pour obtenir un taux de rjection de mode commun le plus lev possible.
7.4.5 Dynamique de sortie

Nous avons abord les notions de dynamique de sortie lorsque nous avons parl des tages de sortie. Elle est
dfinie comme la tension maximale tolre en sortie de lamplificateur, au-del de laquelle on commence
perturber les caractristiques de lamplificateur (principalement la distorsion).
7.4.6 Dynamique dentre
7.4.4 Taux de rjection du mode commun (CMRR)
96
La dynamique dentre du signal diffrentiel est trs faible, puisquelle vaut la dynamique en sortie divise par le
gain de lamplificateur. La dynamique dentre en mode commun est par contre plus importante caractriser.
Elle est dfinie comme la plage de tensions dans laquelle peuvent varier simultanment les tensions dentre plus
et moins de lamplificateur, sans en perturber les caractristiques principales.
7.4.7 Rponse en frquence

Les amplificateurs oprationnels ayant un gain trs lev, des problmes de stabilit peuvent se poser lorsquils
sont insrs dans des boucles raction ngative. La rponse en frquence dun amplificateur multi-tages est
reprsente la figure suivante.
A (dB)
-20 dB/dcade
97
-20 dB/dcade
log
Le point -3dB, dfini comme tant la bande passante de lamplificateur, est 1. Par exemple, on prendra
A=100000 et f1=10kHz. Il en rsulte que sil ny avait pas dautres ples considrer, la frquence pour laquelle
le gain vaudrait lunit serait de 1 GHz. En ralit, il existe dans lamplificateur beaucoup de petites constantes
de temps dues des ples parasites (capacits de jonction, etc) qui influencent la rponse en frquence bien en
dessous de 1GHz. On constate donc en pratique que la rponse en frquence, aprs avoir diminu de 20dB/dcade, chute -40, -60 ou -80dB/dcade avant que le gain ne soit gal lunit. Un tel ampli plac dans
une boucle raction ne peut videmment tre stable !
Pour palier cet inconvnient, on place souvent dlibrment un ple unique dominant O, tel que lampli
devienne pratiquement un systme du premier ordre. Evidemment, cela impose de choisir la valeur telle que :
<
Cette condition est particulirement contraignante, puisquelle impose des frquences de coupure de lordre de
quelques dizaines de Hz ! Noublions pas cependant que la raction ngative largira la bande passante dans la
mme mesure quelle rduira le gain.
Comment raliser un filtre intgrable dont la frquence de coupure soit aussi basse ? (Par exemple il faudrait des
valeurs de lordre de 160kOhms et 100nF pour obtenir une telle frquence. Ces lments ne sont
malheureusement pas intgrables !). Lide consiste exploiter leffet Miller, en plaant une grosse capacit
entre lentre et la sortie de ltage de gain, comme le montre la figure suivante, schmatisant un amplificateur
trois tages (transconductance lentre, tage de gain, tage de sortie).
C
vi
vo
Av
Transconductance
Gain
vo
1
Etage de sortie
On obtient alors :
vo = -
j C
j C
vi
Et donc :
A = v o /v i = -
Avec :
= S/C
Remarquons que fC, la frquence pour laquelle le gain vaut 1, ne dpend que de la transconductance du premier
tage (tage diffrentiel MOS ou bipolaire) et de la capacit C. Cette grandeur est relativement bien
reproductible.
Par contre, la frquence de coupure f0 est plus difficile dterminer, puisquelle dpendra de la valeur du gain en
tension de lamplificateur, qui dpend de paramtres moins facilement contrlable durant le design, savoir les
gains en courant dans le cas du bipolaire, et les impdances de sortie des transistors. Ce fait est sans relle
importance, car lorsque lampli est utilis dans une raction ngative, sa borne de frquence suprieure est
dtermine par la partie de la rponse en frquence qui tombe -20dB/dcade, et non par f0 ou A0 :
98
A0
f0
fC
7.4.8 Slew rate

Le slew rate est la pente maximale que le transistor est capable de gnrer en sortie.
Signal original
Distorsion du slew-rate
99
Ce phnomne est li aux mcanismes qui limitent la rponse en frquence de lamplificateur, mais il se manifeste
diffremment. En fonction de lamplitude du signal en sortie, il limitera la frquence maximale que
lamplificateur peut gnrer, sans produire de distorsion en sortie. Ce phnomne introduit de srieuses
limitations aux performances des amplificateurs oprationnels, qui se manifesteront pour des signaux damplitude
importante en entre du dispositif. On peut reprendre sur un mme graphique liant la frquence et la dynamique
en sortie les limites de lutilisation de lamplificateur :
Dynamique maximale
Vo
Slew Rate
Rponse en frquence
7.5 Amplificateur lmentaire deux tages technologie MOS, ou

Amplificateur Miller
Un amplificateur MOS deux tages est repris la figure suivante. Une entre diffrentielle (M 1 et M2, avec la
source de courant M5) est connecte une charge active (dans ce cas le miroir de courant M3 et M4), ralisant ainsi
un premier tage de gain, la sortie de cet tage est son tour connecte lentre dun transistor source
commune (M6), charg par une source de courant (M7), ralisant ainsi un second tage de gain. Le transistor M8
et la source IBIAS dfinissent les courants de polarisation dans les branches du diffrentiel (via M6) et dans la branche
de sortie (via M7).
VDD
M5
VIN-
M1
M7
M2
VIN+
IBIAS
VOUT
Cc
M3
M4
- VSS
On peut calculer pour cet amplificateur les grandeurs suivantes :
7.5.1 Gain en tension
M6
M8
100
Le gain en tension est le produit des gains des deux tages en cascade. Le gain de ltage diffrentiel se calcule,
comme nous lavons vu prcdemment, par le produit de la transconductance (qui lie la tension dentre
diffrentielle [vin+ - vin-] au courant variationnel circulant dans ltage) et de limpdance de sortie du premier
tage (impdance de sortie de M4, source commune, en parallle avec celle de M2, assimilable dans le cas dun
signal diffrentiel un source commune). On obtient donc :
AV1 = - gm1 (rO2 // rO4)
Le gain du second tage est celui dun transistor source commune (M6), charg par une impdance de sortie gale
la mise en parallle de limpdance de sortie de M6 et de M7, soit :
AV2 = - gm6 (rO6 // rO7)
Le gain total sexprime alors comme le produit des deux gains calculs prcdemment :
AVtot = AV1 AV2 = gm1 gm6 (rO2 // rO4) (rO6 // rO7)
On obtient donc un gain de lordre de (gm rO)2, qui sexprime galement sous la forme dun rapport entre une
tension dEarly et une tension doverdrive VOV. En effet :
rO = VA/ID
Et :
gm =
2I D
2I D
VG - VT
V OV
Et donc le gain est directement li aux tensions dEarly (dpendantes des longueurs de canal L des transistors) et
aux valeurs des tensions doverdrive des transistors M1, M2 et M6, directement lies aux conditions de
polarisation.
101
7.5.2 Dynamique de sortie

La tension de sortie de lamplificateur est limite par les tensions de saturation des transistors M6 et M7. On
obtient alors (en ngligeant leffet de substrat, ou en posant = 1) :
VOMAX = VDD VDSAT7 = VDD (VG7 VT07) = VDD Vov7
VOmin = - VSS + Vov6
7.5.3 Tension de dcalage
La tension de dcalage est la tension quil faut appliquer lentre de lamplificateur en boucle ouverte (c'est-dire sans rseau de raction) pour obtenir une tension de sortie nulle. La tension de dcalage est souvent la
combinaison de deux termes, la tension de dcalage systmatique (due lasymtrie de lamplificateur, qui peut
tre annul dans certains amplificateurs symtriques par construction, par exemple les amplificateurs entre et
sortie diffrentiels), et la tension de dcalage alatoire, due au dsappariement des transistors.
7.5.3.1
Tension de dcalage systmatique
On peut calculer la tension de dcalage de lamplificateur de la figure prcdente en analysant lasymtrie du

premier tage uniquement. Lasymtrie du second tage apporte galement une composante la tension de
dcalage, mais qui est divise par le gain du second tage. On analyse lasymtrie du premier tage, en
dcouplant les deux tages, en plaant une tension diffrentielle nulle lentre de ltage diffrentiel, et en
analysant la diffrence entre la tension produite par le premier tage (V O1) et celle ncessaire au second tage (VI2)
pour obtenir une tension de sortie nulle (ou gale (VDD-VSS)/2 si VDD et VSS sont diffrents).
VDD
M8
M5
VIN-
M1
M7
VIN+
M2
IBIAS
VOUT
Cc
M3
M4
VO1
VI2
M6
Au niveau du premier tage, on peut observer que la tension VO1 est gale la tension de grille de M3, si les
transistors M1 et M2 dune part et les transistors M3 et M4 dautre part sont apparis. Au niveau du transistor M6,
la tension de sortie sera nulle uniquement si les courants gnrs par les transistors M7 et M6 sont gaux. Lorsque
la connexion entre les deux tages est effectue, on obtient :
VG3 = VG4 = VDS4 = VG6
Si lon considre que les transistors M3, M4 et M6 ont le mme VT0 et Cox la relation prcdente peut se
rcrire :
Vov3 = Vov4 = Vov6
Soit, si lon exprime cette galit laide des courants de drain :
- VSS
102
I D3
W L
I D6
I D4
W L
W L
Ce qui revient exprimer que les densits de courant soient gales dans les trois transistors prcdents.
Lannulation de la tension de sortie exige que les courants ID6 et ID7 soient gaux, en outre, les courants ID3 et ID4
sont gaux ID5/2. On obtient alors :
I D5
I D5
2W L
2W L
I D7
W L
Or M5 et M7 ont les mmes tensions VG, donc, en ngligeant leffet Early.

I D5
W L
I D7
W L
Ce qui permet dcrire la condition suivante sur les tailles des transistors :
W L
W L
W L
W L
W L
W L
Il faut encore tenir compte des tensions drain-source qui modifieront les courants calculs cause de leffet Early.
Si on suppose que limpdance dEarly des transistors M5 et M7 est trs grande par rapport celle des transistors
M3, M4 et M6, lgalit des densits de courants dans ces derniers va imposer lgalit des tensions de drain de ces
transistors. La tension de sortie stablit alors :
VO = VDS6 VSS = VDS3 VSS = VGS3 VSS
103
Et la tension de dcalage nest autre que le dcalage entre cette tension de sortie et la tension milieu VDD-VSS
divis par le gain en tension de lampli, soit :
V offset
7.5.3.2
V GS 3
V SS
V DD
V SS
AV
Tension de dcalage alatoire
La tension de dcalage alatoire, due au dsappariement des transistors de lamplificateur, est un peu plus dlicate
calculer. Elle fait intervenir les diffrences alatoires sur les tailles des transistors (W/L) et celles sur les
tensions de seuil (VT). Une analyse fine de cette composante est effectue dans la rfrence [1].
7.5.4 Rjection de mode commun

La rjection de mode commun est dfinie comme le rapport entre le gain en mode diffrentiel et le gain de mode
commun :
CMRR = AVDM/AVCM
On sattache uniquement au premier tage pour le calcul, puisque le second tage a ses entre et sortie en single
ended . Le gain de mode commun se calcule sur le schma suivant :
VDD
M8
M5
iCM
a
vINCM
M1
vINCM
M2
IBIAS
M3
M4
VO1
- VSS
Au repos, on peut faire la mme approximation faite dans le cas du calcul de la tension de dcalage, savoir que la
tension source drain du transistor M4 est gale celle du transistor M3, soit :
Cette galit reste valable tant que la structure diffrentielle est attaque de manire symtrique, en particulier
lorsquune tension de mode commun est applique sur ses entres. Si une tension vINCM est applique aux deux
bornes dentre de lamplificateur, les transistors M1 et M2, chargs dans leurs sources et drains par des
impdances se comporteront, en premire approximation, comme des sources suiveurs , et le point a , qui
tait considr comme une masse dans le cas dun signal diffrentiel, suivra cette fois-ci la tension vINCM. Cette
variation de tension au drain du transistor M5 cre une variation de son courant de drain gale :
iCM = vINCM/rO5
Ce courant variationnel est envoy dans les deux branches de ltage diffrentiel, chaque branche recevant un
courant iCM/2. Larrive de ce courant variationnel modifie lgrement la tension VGM3, et par symtrie la tension
VDSM4 gale la tension de sortie :
VGS3 = VDS4 = VO1
104
vG3 = vDS4 = vO1 = iCM/2 x 1/gm3
Le gain de mode commun peut ds lors tre approch par :

A CM = v 01 /v INCM =
1
2g
m3 O 5
Le gain en mode diffrentiel a dj t calcul prcdemment. Il vaut :

ADM = gm1 (rO4 // rO2)
Et la rjection de mode commun vaut alors :

CMRR = 2 gm3 rO5 gm1 (rO4 // rO2)
7.5.5 Dynamique dentre

La dynamique dentre sera limite :
- pour des tensions dentres basses lorsque le miroir de courant form par les transistors M3 et M4
nest pas satur, c'est--dire lorsque la tension moyenne dentre VINCM = (VIN++VIN-)/2 est telle
que :
VINCM < -VSS + VG3 + |VDSAT1| |VGS1|
- pour des tensions dentre hautes lorsque la source de courant forme par le transistor M5 nest pas
sature, soit lorsque :
VINCM > VDD |VDSAT5| - |VGS1|
105
7.6 Amplificateur cascode repli

Une seconde classe damplificateurs MOS utilise le principe du cascode repli. Lide de base consiste
construire des amplificateurs un seul tage. Ces amplificateurs auront en gnral de meilleures performances en
frquence (moins dtages de gain signifient galement moins de ples dans la rponse en frquence en boucle
ouverte de lamplificateur). Le dsavantage majeur de ces amplificateurs est la forte dpendance du gain en
tension avec la charge connecte en sortie de lamplificateur. Le principe du cascode repli est illustr la figure
suivante.
VDD
VIN
M1
VDD
iCM
VIN
M1
iCM
R
VOUT
VBIAS
VBIAS
M1A
M1A
VOUT
R
- VSS
IBIAS
- VSS
Dans les deux cas prcdents, le transistor M1, en source commune attaque lentre dun transistor en grille
commune (M1A). La figure de droite est le montage cascode traditionnel, la figure da gauche est un cascode
repli , avec la mme expression du gain en tension. Lavantage direct du cascode repli rside dans la
possibilit de travailler sous des tensions dalimentations plus faibles que dans le cas du montage cascode
traditionnel.
Un amplificateur cascode est repris sur la figure suivante :
106
VDD
M5
iCM
Miroir de
a
VIN+
M1
M2
courant
VIN-
VOUT
VBIAS
M1A
IBIAS
VBIAS
M2A
IBIAS
- VSS
- VSS
Chaque branche de lamplificateur se comporte comme un tage cascode, le miroir de courant assure la
conversion du mode diffrentiel vers le mode single ended . Le gain en tension de ce montage est, comme
dans le cas du montage diffrentiel, gal la transconductance de ltage diffrentiel, multipli par limpdance
vue la sortie du montage (la mise en parallle de limpdance de la sortie du miroir de courant et de la sortie du
transistor en base commune M2A.
8 Les alimentations stabilises
107
Ce chapitre est divis en trois parties consacres respectivement au redressement, au filtrage et ltude du
stabilisateur proprement dit. Ce dernier sera tudi du point de vue boucle de raction .
8.1 Redressement
Bien que lusage de batteries soit fort rpandu dans beaucoup dapplications utilisant les circuits intgrs,
beaucoup de dispositifs sont encore directement aliments partir du rseau monophas 220Volts. La plupart des
appareils lectriques sont munis dune alimentation comprenant un transformateur abaisseur de tension, suivi
dun circuit de redressement pour fabriquer la tension continue. Seuls quelques dispositifs (par exemple certains
rcepteurs de TV) sont encore raccords directement au rseau.
Le circuit redresseur le plus simple comporte une source alternative et une diode. La charge peut tre
reprsente par une rsistance :
VR
Vp
D
VIN
220V
VR
VIN
Aux bornes de la rsistance, on recueille un signal redress dont la valeur moyenne VDC est fournie par :
V DC =
VP
2 T
sin
t dt
VP
Le courant moyen est alors donn par :

I DC =
VP
R
Diverses remarques doivent tre faites :

Le contenu harmonique du signal redress est trs lev. Cest pourquoi il faut ajouter un filtre au
circuit prcdent.
b) La prsence dune rsistance interne RINT propre au transformateur se traduit par un affaiblissement du
signal redress, dans le rapport R/(R+RINT).
c) Lorsque Vp est petit, de lordre de quelques volts, il y a lieu de tenir compte des imperfections de la
diode, notamment du coude 0,7V. Lallure de la tension est alors proche de celle reprsente la
figure suivante :
VR
Vp
VIN
a)
108
La tension moyenne VDC et le courant moyen IDC sont alors infrieurs aux expressions calcules
prcdemment.
Pour rduire le contenu harmonique, on peut effectuer un redressement deux alternances, en utilisant un pont
redresseur diodes :
D2
D1
Vp
VR
VIN
220V
VR
D3
D4
R
VIN
On peut alors recalculer les valeurs moyennes de la tension et du courant :

V DC = 2
I DC = 2
VP
VP
R
Le courant emprunte le chemin D2-R-D3 pour les alternances positives et le chemin D4-R-D1 pour les
alternances ngatives. Tout se passe comme si le secondaire tait raccord la rsistance via un inverseur
synchrone qui permuterait les bornes du secondaire toutes les demi-priodes. Le redresseur existe sous la forme
dun composant intgr unique.
109
Terminons par une remarque relative aux applications ncessitant une double alimentation symtrique par rapport
la masse (par exemple une alimentation +/- 15Volts). Cette alimentation peut tre ralise laide dun
transformateur possdant un secondaire point mdian et un pont redresseur :
D1
+ VDC
D2
VIN
220V
D3
D4
- VDC
8.2 Filtrage
Ce bref paragraphe est destin donner une ide assez gnrale des proprits des filtres usuels en sappuyant sur
un certain nombre dhypothses simplificatrices.
VR
Vp
D
VIN
220V
R
V
T
VIN
La faon la plus simple de filtrer le signal redress consiste placer une capacit C de trs grande valeur en
parallle sur la charge. La capacit se charge lors des crtes positives de la tension redresse et se dcharge entre
celles-ci. On peut comparer ce circuit au dtecteur AM dun rcepteur radiolectrique classique. La seule
diffrence est la frquence du signal : 445 kHz dans le cas du rcepteur, 50 Hz pour lalimentation !
Il est utile de pouvoir prdterminer C en fonction du taux dondulation rsiduelle tolr (V/Vp). On peut
calculer aisment cette dernire quantit en considrant uniquement la phase de dcharge de C pendant laquelle la
tension aux bornes de R est fournie par :
V(t) = Vp e-t/RC
Si nous ngligeons t par rapport T (voit figure), il vient :
C'est--dire :
V = Vp
T
RC
Un autre paramtre important est la valeur maximale du courant I traversant la diode chaque crte positive. Il
va de soi que si la capacit de filtrage est trs grande, la dure pendant laquelle la diode conduit devient trs
petite. Or le courant moyen doit tre le mme tant en amont quen aval de C, la valeur maximale de I peut ds
lors tre trs leve, et il y a lieu de choisir la diode ou le pont de diodes en consquence.
Partant de lgalit des charges vhicules pendant une priode, nous obtenons en considrant I comme constant
pendant la priode de conduction des diodes (approximation) :
I t = IDC T
V = Vp (1 e-T/RC)
110
Et donc :
I = IDC T/t
t/T peut tre li V/Vp. En effet :
V = Vp (1 cos
t)
Cest--dire, en dveloppant le cosinus en srie:

t
V = Vp
Do :
2 V
VP
Ce qui peut se rcrire en :

t
V
2V P
On trouve donc que :

I = I DC
2V P
V
Par exemple, si IDC vaut 100 mA, et londulation doit tre infrieure 10%, on trouve I = 100 mA x 13 soit prs
de 1,3 Ampres !
8.3 Le stabilisateur
Les exigences imposer ce circuit peuvent tre rsumes comme suit : la tension aux bornes de la charge R doit
tre constante, quel que soit la valeur de R, et malgr les variations du rseau et du circuit de charges.
Lalimentation stabilise suivante permet datteindre ce but :
111
R3
T1
C2
R4
VIN
R2
VOUT
(nonrgule)
T2
(rgule)
R1
VREF
Le rle de ce stabilisateur est de compenser les variations de tension de lalimentation redresse (non rgule) de
manire maintenir VOUT aussi constant que possible. Le stabilisateur peut tre compar une rsistance srie
rglable, qui serait modifie sans cesse de manire toujours rattraper lcart de tension entre la source redresse
VIN et VOUT. En particulier, le stabilisateur compense londulation V dont il a t question plus haut. Son
principe de fonctionnement est le suivant : le transistor T2 voit la diffrence de potentiel entre une tension de
rfrence VREF fournie par la diode Zner et une fraction de la tension de sortie VOUT, vue travers le diviseur
rsistif R1 et R2. Cette diffrence de potentiel dtermine le courant de base de T2 et donc aussi son courant de
collecteur. Si R3 est une rsistance de valeur suffisante, le courant de T2 pntre inchang dans la base de T1 (on
considre la mise en cascade des deux transistors, montage de type Darlington, comme un seul super
transistor T1), et conditionne le courant dmetteur de T1, c'est--dire le courant de la charge R. On vrifie
bien quil sagit dune boucle de raction ngative. Il suffit en effet de considrer par exemple un accroissement
de VOUT, qui entrane une augmentation de IB2 et donc aussi de IC2, ce qui entranera une dcroissance de IB1. Le
transistor T1 conduit donc moins et VOUT diminue.
Comparateur
T2
T1
VOUT
Rgulateur Darlington
VREF
R 1, R2
Diviseur Rsistif
La plus simple alimentation stabilise qui exploite le principe de la figure prcdente est reprise ci-dessous :
La boucle de raction du stabilisateur, telle quelle vient dtre dcrite, est schmatise ci-dessous :
112
Rint
R4
T1
VIN
VOUT
ZOUT
(nonrgule)
VREF
On reconnat le schma de lmetteur suiveur. Limpdance de sortie, en assimilant la diode Zner une source
de tension, est donne par lexpression :
ZOUT =
VT
2I
(ou
VT
I
dans le cas du montage un seul transistor T1)
8.4 Calcul de limpdance de sortie de lalimentation stabilise

Le stabilisateur est redessin de manire faire ressortir la similitude avec le montage amplificateur oprationnel
non inverseur :
Out
Rint
R3
T1
R4
VIN
113
C2
VREF
R2
V-
T2
R
R1
R1
V+
VREF
La tension aux bornes de la charge est environ gale :

VOUT = VREF (1 +
R2
R1
+
A
R2
Limpdance de sortie du stabilisateur est fixe par les caractristiques de la boucle de raction, de sorte que lon
peut ramener ltude du montage prcdent celle, plus simple, de la figure suivante :
ZOUT
R2
i1
R1
Rin
F 1
On suppose que la tension VREF est constante, ce qui permet de raccorder la borne + de lampli la masse. On
admet en outre que limpdance de sortie de lamplificateur proprement dite est infinie (source de courant),
hypothse dfavorable sur laquelle nous reviendrons plus loin. Pour calculer limpdance de sortie, nous
considrons une variation v impose de lextrieur et nous calculons le courant i qui en rsulte.
Le courant i1 est donn par :
1
R2
Ce courant produit
alors :
R in 1
R2
R1
i en sortie, que nous assimilons i, tant donn la valeur trs leve de
F 1
Z OUT = v/i ~
1
F
R2
R in 1
R2
R1
Il convient prsent de dterminer les valeurs de Rin et

a)
b)
. On obtient
utilises dans le modle prcdent.
Rin : limpdance dentre nest autre que limpdance dentre du transistor T2, en configuration
metteur commun. On en dduit :
Rin = F2 VT/IC2
F
: le gain en courant peut tre dtermin partir de la figure suivante :
i1 =
114
Rint
VIN
R3
F2 i1
T1A
T1B
En labsence de R3 (ou dans une moindre mesure de Rint), le gain en courant global F est gal au produit des
gains en courant de T1A, T1B (formant le Darlington T1), et T2. Malheureusement, le gain en tension du
montage Darlington ragit sur le courant de base de T1A par lintermdiaire de la rsistance R3 (effet Miller),
ce qui aura pour effet de rduire le gain en courant global.
Calculons dabord le gain en tension du Darlington T1A T1B :
A VD = -
R int
VT
O I est le courant dans la rsistance de charge R.

Leffet de R3 est de diviser le courant disponible F2 i1 entre la base de T1A et une rsistance quivalente R3*, en
parallle sur la source de courant dentre, telle que :
R3
R3 =
R3
1- A
R int
VT
115
Seule une fraction i1* du courant pntre dans la base et sera amplifi, donc :
i=
i*
F1A
F1B 1
Avec:
*
R3
i1 =
R3
Z INDarlingt
onT 1
On obtient finalement, aprs limination de i1* et R3*,

1
F
1A
1B
F2
VT
R3 I
1A
1B
R int I
2V T
La chute de tension RintI dans limpdance interne du circuit de redressement et de filtrage est gnralement de
lordre du volt ou mme davantage. Nous pouvons donc simplifier lexpression prcdente de faon obtenir :
1
F
1A
1B
F2
R int
1A
1B
R3
Expression indpendante du courant dbit.

En combinant lensemble des rsultats obtenus prcdemment, on obtient finalement lexpression complte de
limpdance de sortie :
R int
Z OUT ~
1A
1B
F2
R3
F2
R2
VT
IC2
F2
R2
R1
Exemple :
On dsire raliser un stabilisateur du type tudi ci-dessus, tel que la tension stabilise soit 10V pour une charge
de 10 Ohms et la tension de rfrence soit 5,8V (sous 5mA). Dterminons dabord les valeurs des lments du
circuit vu prcdemment.
1) Chute de tension aux bornes de R1 : 5,8 + 0,7 = 6,5V
2) Chute de tension aux borner de R2 : 10 6,5 = 3,5V
3) Le rapport R1/R2 = 6,5/3,5 = 1,857
On choisit par exemple R1=1,8K et R2=1K.
On suppose implicitement que IB2 est ngligeable par rapport au courant du diviseur rsistif R1 R2. Nous
vrifierons cette hypothse posteriori.
4) IZener = 5 mA. En ngligeant le courant IC2, la valeur de R4 est fournie par :
R4 = (10 5,8)/5 = 0,82K
6) Le transistor T1A est parcouru par 50 mA. Son gain est suppos gal 100. On trouve alors :
IB1A = 0,5 mA
7) La chute de tension aux bornes de R3 est fournie par :
(VIN Rint I) (10 + 2 VBE) = (VIN Rint I) 11,4V
Limpdance interne du circuit redresseur et filtrage est suppose gale 5 Ohms, de sorte que:
VIN 16,4 = chute de tension aux bornes de R3
Choisissons par exemple VIN = 20Volts, ce qui entrane :
R3 (IC2 + IB1A) = 3,6 Volts
8) Il reste choisir IC2. Supposons que ce courant soit gal 0,1 mA. Dans ce cas, R3 vaut 3,6/0,6 = 6 K
Nous pouvons maintenant calculer la valeur numrique de limpdance de sortie. On obtient :
5) IOUT = 1A. On nglige le courant traversant le diviseur R1 R2 par rapport au courant de sortie. Le
transistor T1B est un transistor de puissance dont le gain en courant nest en gnral pas trs lev.
Supposons que ce gain F1B soit gal 20. On trouve alors :
IB1B = 50 mA = IC1A
116
ZOUT = (1/2.105 + 1/1,2.105) 4,14.104 = 0,553 Ohms

Si R3 tait remplac par une source de courant dbitant le mme courant, on aurait obtenu :
ZOUT = 1/2.105. 4,14.104 = 0,207 Ohms.
Remarquons enfin que nous navons pas exploit un degr de libert dont nous disposions lors du choix de I C2.
Diminuer IC2, en effet, revient augmenter R3. Toutefois, le bnfice de lopration est influenc en sens inverse
par le fait que IC2 apparat au dnominateur. La chose la plus simple est de procder par essais et erreurs sur les
diffrents choix de IC2 et R3 afin de trouver une valeur minimale pour ZOUT. On trouve par exemple que pour un
courant IC2 de 2 mA, on obtient un ZOUT optimal de 0,120 Ohms avec R3, et si R3 est remplac par une source de
courant, on trouve un ZOUT gal 0,015 Ohms seulement.
On vrifie rapidement lhypothse que nous avions fait sur le courant de base IB2, qui vaut alors 20A, ce qui est
bien infrieur au courant du diviseur rsistif R1 R2.
117
9 Stabilit des amplificateurs

9.1 Critre de Nyquist
Nous avons abord les proprits de la raction dans un chapitre prcdent, et les nombreux avantages de
lutilisation dune rtroaction ngative autour dun amplificateur gain trs lev. Le problme de la stabilit du
systme avec raction est lobjet de ce chapitre.
Le critre de Nyquist tablit la condition remplir pour quun amplificateur soit inconditionnellement stable
lorsquil est plac dans une boucle raction ngative. Ce critre garantit que lamplificateur ne possde pas de
ples partie relle positive. On peut comprendre leffet nuisible dun tel ple : un ple complexe conjugu, qui
scrit sous la forme 1 j 1, est associ avec une rponse dans le temps de la forme K exp( 1t) sin( 1t). La
rponse du systme crotra de manire exponentielle si 1 est positif, et le systme sera instable. Une version
simplifie du critre de Nyquist peut-tre labore partir du diagramme de Bode, reprsentant la rponse en
frquence de lamplificateur en boucle ouverte. Il snonce de la manire suivante :
Si |A(j )| > 1 la frquence pour laquelle la phase Arg(A(j ))=-180, alors lamplificateur est
potentiellement instable
Ce critre peut tre interprt sur la figure suivante :
|A(j )|
1
A1 > 1
Vin
log
Vout
A(j
log
Arg(A(j ))
-90
-180
La rponse en frquence est telle que lamplificateur prsente en 1 un gain suprieur lunit pour une marge de
phase de 180. Cela signifie que la composante frquentielle cette frquence de nimporte quel signal externe
au systme (par exemple un bruit blanc superpos sur Vin) sera amplifie (gain suprieur 1) avec un gain positif
(dphasage de -180, et signe dans la boucle de rtroaction entranent un signe global positif cette frquence),
ce qui entranera linstabilit du dispositif.
Dans le cas dun systme avec une boucle raction ngative de gain , on tend le critre prcdent en analysant
la rponse en frquence du systme en boucle ouverte A . On dfinit les notions suivantes pour caractriser les
performances frquentielles dun amplificateur et de son rseau de raction :
-270
118
Gain boucle ouverte

Gain de boucle
|A |
log
Marge de gain
log
Arg(A )
Marge de phase
-90
-180
-270
La marge de phase et la marge de gain caractrisent la stabilit du montage.

Le design damplificateurs inconditionnellement stable impose une condition sur la position du second ple de
lamplificateur, en supposant un cas suffisamment gnral ou lamplificateur se ramne un systme deux ples.
La position des ples est dtermine par le paramtre ( damping en anglais) dans lquation suivante :
AV =
2
n
A0
2
n
Pour >1, les deux ples sont rels, pour < 1, ils sont complexes conjugus, et un phnomne de dpassement
( peaking en anglais) apparat dans la rponse indicielle de lamplificateur. La table suivante lie le paramtre ,
la position du second ple, la marge de phase et le dpassement de lamplificateur :
119
P2/(Gain x BP)
Marge de Phase
Peaking [dB]
0,4
45
2,4
0,5
1,5
52
1,3
0,7
65
0,5
0,9
72
0,2
1,0
76
On admet en gnral quun

autour de 0,7 fournit une rponse transitoire optimale (monte rapide,
dpassement rduit). En termes de design, on doit cependant tenir compte des autres ples de la rponse en
frquence qui modifieront les valeurs calcules prcdemment, et des marges de variation sur les diffrents
composants (valeurs des capacits, transconductances, ), mais galement des conditions dutilisation de
lamplificateur (configuration avec peu ou beaucoup de gain, niveau de dpassement tolr, etc), et on peut
choisir une marge de phase entre 45 et 75. La figure suivante montre la rponse transitoire obtenue dans le cas
dun gain unitaire, pour diffrentes valeurs de marge de phase ( Phase Margin ou PM).
On notera galement que le phnomne de dpassement sera le plus critique lorsque lamplificateur est plac dans
une configuration de gain unitaire (soit lorsque = 1). Des valeurs infrieures de (soit un gain en raction 1/
suprieur), entraneront une meilleure rponse transitoire, notamment, il est possible dutiliser des amplificateurs
dont la marge de phase nest pas optimale dans des configurations gain suprieur lunit. La figure suivante
illustre ce propos, les parties de gauche et de droite montrent les marges de phase obtenues dans le cas de gains de
boucle faibles et levs partir du mme amplificateur :
120
|A|
|A|
log
log
log
|A/ (1+A )|
|A/ (1+A )|
Peaking
|A |
|A |
Marge de Gain
Marge de Gain
Arg(A )
-90
121
log
Marge de Phase
Arg(A )
-90
-180
-180
-270
-270
Marge de Phase
Nous avons dj tudi comment il tait possible de raliser un ple dominant dans le cas dun amplificateur
deux ou trois tages. Revenons au cas de lamplificateur deux tages MOS.
9.1.1 Compensation des amplificateurs

La figure suivante reprsente lamplificateur conventionnel que nous avons dj analys, pour lequel on reconnat
lamplificateur diffrentiel dentre (transistors M1 et M2), suivi dun tage source commune (M6), et termin sur
une charge (M7).
VDD
M8
M5
VIN-
M7
M1
VIN+
M2
IBIAS
M3
VOUT
Cc
A
M4
M6
- VSS
Larchitecture de ce circuit met en vidence lexistence de deux nuds A et B haute impdance. Ils
reprsentent le prix payer pour obtenir un gain satisfaisant. Le revers de la mdaille est lexistence de deux
ples associs ces nuds, qui rduisent sensiblement la marge de phase et risquent de rendre le montage instable
en boucle ferme. La capacit CC permet, nous lavons vu galement, lintroduction dun ple dominant, nous
allons galement voir que lintroduction de cette capacit repousse le ple secondaire vers des frquences
beaucoup plus leves, ce qui favorise davantage la stabilit du systme. Cet effet est appel lclatement des
ples ( pole splitting ). Un schma quivalent petits signaux simplifi nous permet danalyser lvolution de
ces deux ples dominants, et leffet nfaste dun zro introduit dans la bande passante, en fonction de la valeur de
CC :
CC
S1-2vIN
RA
CA
S6vA
CB
RB
vOUT
Le premier tage est reprsent par la source de courant S1-2 vIN (transconductance de ltage diffrentiel). Sa
charge est forme par la mise en parallle de limpdance de sortie (R A qui vaut rO2 // rO4) et de la capacit
parasite au nud A (principalement due la capacit de grille du transistor M6). Le second tage est
reprsent par la transconductance S6 connecte la charge prsente au nud de sortie (nud B sur la figure).
Au centre, on reconnat la capacit Miller CC qui cre le ple dominant.
Le calcul des ples se fait en deux temps :
vA
122
La capacit CC impose le ple dominant. Comme nous lavons dj analys, elle est quivalente vis--vis de
limpdance place en A une capacit dont la valeur est (1-AV6)CC. Le premier ple stablit donc en :
Ple #1
RA CA
CC 1
S6RB
R AC C S 6 R B
Car CA est petit devant le second terme prcdent, et S6RB est grand devant lunit. Or le gain total AV0 de
lamplificateur en DC vaut : S1_2RAS6RB. On obtient alors :
Ple #1
S1
AV 0 C C
Pour simplifier le calcul du second ple, on pourra supposer que lensemble des capacits CA, CC et CB dominent
la rponse en frquence lendroit du second ple (ce ple intervient lorsque limpdance de ces capacits
devient faible, et on peut donc raisonnablement ngliger leffet des rsistances en parallle avec celles-ci). Le
schma quivalent pour le calcul de limpdance vue depuis CB se rduit :
CC
vA
CA
RB
S6vA
On calcule cette impdance sans ngliger la combinaison de la capacit Miller et de la capacit du nud
intermdiaire A, qui gnrent la tension vA commandant la source de courant de sortie. On trouve pour la
conductance vue au nud B :
123
YEQB ~
S 6C C
CA
CC
Alors que la capacit totale en ce nud est la mise en parallle de C B avec la mise en srie de CC et CA, soit :
CEQB ~ CB +
C AC C
CA
CC
Et ds lors lexpression du ple secondaire devient :

Ple #2 =
Qui peut se rcrire :
Y EQB
C EQB
S 6C C
C AC B
CC C A
CB
Ple #2 ~
S6
CC
C C C AC B
CC C A
CB
En comparant les expressions des deux ples, on constate que la capacit de compensation apparat au
dnominateur de lexpression du ple dominant et au numrateur du ple secondaire. Augmenter la capacit
Miller revient donc loigner les deux ples, ce qui, comme nous lavons dj soulign, est bnfique du point de
vue de la stabilit de lamplificateur. Notons que sans la capacit CC, lexpression des ples serait plus
simplement :
Ple #1 =
Ple #2 =
1
R AC A
1
RBC B
Lhistoire ne sarrte malheureusement pas l. Lanalyse complte de la fonction de transfert du schma petits
signaux de lamplificateur rvle la prsence dun zro rel positif dans la fonction de transfert. Linfluence de ce
zro est nfaste car il dgrade la marge de phase de lamplificateur, et sa prsence ne peut en gnral pas tre
nglige dans les amplificateurs CMOS. On peut comprendre la prsence de ce zro en analysant la mme figure:
Composante du courant
vA
S1-2vIN
RA
crant le zro
CC
CA
S6vA
CB
RB
vOUT
Composante normale du courant,
Pour des frquences suprieures au ple dominant, la capacit CC cre un chemin qui court-circuite le dernier
tage et inverse le signe du gain en tension de cet tage, modifiant ainsi le signe de la fonction de transfert entresortie de 90, ce qui tend crer une raction positive, donc instable. On peut crire lexpression du courant du
CC (en pointills sur la figure), qui vaut :
iC = j CC (vOUT vA)
Ce courant contient deux composantes de signes opposs, lune due vOUT et lautre due la tension dentre vA.
Le zro se produit lorsque la composante due vA dpasse celle due la transconductance S6vA, soit lorsque :
id VA = (S6 - j CC) vA = 0
Soit en :
Z
S6
CC
seule prsente sans CC
124
Lexemple de diagramme de Bode de la figure suivante montre leffet nfaste du zro sur la rponse en
frquence :
Il est heureusement relativement simple dliminer ce zro gnant, la technique la plus simple utilise une
rsistance place en srie avec la capacit de compensation, comme sur la figure suivante :
VDD
M8
125
M5
VIN-
M1
M7
M2
IBIAS
VIN+
RZ
B
Cc
VOUT
A
M3
M4
- VSS
M6
9.1.2 Impact de la capacit de compensation sur le slew -rate de

lamplificateur.
La prsence de la capacit de compensation CC combine avec la polarisation de ltage dentre va limiter les
performances en slew-rate de lamplificateur. En effet, suivant une analyse en grand signaux sur le schma
quivalent suivant, pour lequel le second tage est reprsent par un amplificateur de gain A :
VDD
M8
M5
VIN-
M1
2I1
VIN+
M2
IBIAS
IC
Cc
A
M3
M4
VO
- VSS
On dduit rapidement que la capacit CC ne peut tre charge ou dcharge que par un courant maximal gal au
courant de polarisation de la paire diffrentielle (2I1), disponible lorsque le signal dentre bloquera M1 (IC =
+2I1) ou M2 (IC = -2I1). Ceci limitera les variations maximales de la tension de sortie, qui obit la relation :
CC
2 I 1 dt
0
Et donc :
dV o
dt
2 I1
MAX
CC
On retrouve donc bien un lien entre la rponse en frquence et le slew-rate de lamplificateur Miller.
VO =
126

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Facult Polytechnique de Mons

1009-04 Electronique Analogique

1009-04lectroniquee Analogique [21 oct. 07]

1009-04 lectronique Analogique [21 oct. 07]

1009-04lectroniquee Analogique [21 oct. 07]

1009-04 lectronique Analogique [21 oct. 07]

lectronique Physique [1009-02].

1009-04 lectronique Analogique [21 oct. 07]

1009-04lectroniquee Analogique [21 oct. 07]

1.1 Circuits analogiques et numriques

1.2 Concept damplification

1009-04 lectronique Analogique [21 oct. 07]

1.3 Le concept dactivit

1009-04lectroniquee Analogique [21 oct. 07]

Et la puissance petits signaux en entre :

1009-04 lectronique Analogique [21 oct. 07]

1.4 Notions fondamentales

1009-04lectroniquee Analogique [21 oct. 07]

De mme, les schmas de Thvenin et Norton de la figure suivante sont quivalents :

1009-04 lectronique Analogique [21 oct. 07]

Quel critre appliquer pour choisir la reprsentation ?

1009-04lectroniquee Analogique [21 oct. 07]

R1 = R11 R12 / (R11 + R12)

Elle peut tre supprime du schma.

1009-04 lectronique Analogique [21 oct. 07]

Il peut tre remplac par un quivalent Thvenin.

r peut tre supprim du schma.

1009-04lectroniquee Analogique [21 oct. 07]

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2 Modlisation des dispositifs semi -conducteurs

Avec les symboles suivants :

VT = kT/q = 26 mV temprature ambiante (25C)

2.1.1 Modle grands signaux :

2.1.2 Dpendance en temprature :

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2.1.3 Diode en petits signaux :

iD = ID0 (VD0) + yD vD + distorsion (termes dordre > 1)

Les lettres minuscules reprsentent des petits signaux

La valeur obtenue pour yD est gale :

2.1.4 Modle dynamique

1009-04 lectronique Analogique [21 oct. 07]

1009-04lectroniquee Analogique [21 oct. 07]

Avec les dfinitions suivantes pour IF et IR :

VBE = 0.7 Volts

2.1.5 Ecarts par rapport au modle idal

(I ) IB et hFE = (IC / IB) en IC

2.1.6 Effets de la temprature

Certaines rfrences nomment la tension dEarly V EA la place de VA.

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2.1.7 Modle petits signaux

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2.1.8 Modle dynamique

2.2 Le transistor MOS

2.2.1 Modle grands signaux

Rgime non-satur (ou

x (Aire reprsentant la charge de canal)

2.2.2 Ecarts par rapport au modle idal

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2.2.3 Modle petits signaux

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2.2.4 Modle dynamique

Certaines rfrences nomment la tension dEarly V EA la place de VA.

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