Transistor

Par mtonymie, le terme transistor dsigne souvent les

Pour le jeu vido, voir Transistor.
Le transistor est un composant lectronique actif utili- rcepteurs radio quips de transistors (originellement appels poste transistors).

2 Historique

Quelques modles de transistors.

s :
comme interrupteur dans les circuits logiques ;
comme amplicateur de signal ;
pour stabiliser une tension, moduler un signal ainsi Une rplique du premier transistor.
que de nombreuses autres utilisations.
Suite aux travaux sur les semi-conducteurs, le transistor
Un transistor est un dispositif semi-conducteur trois a t invent le 23 dcembre 1947 par les Amricains
lectrodes actives, qui permet de contrler un courant (ou John Bardeen, William Shockley et Walter Brattain, cher[3]
une tension) sur une des lectrodes de sorties (le collecteur cheurs de la compagnie Bell Tlphone . Ces chercheurs
pour le transistor bipolaire et le drain sur un transistor ont reu pour cette invention le prix Nobel de physique
eet de champ) grce une lectrode d'entre (la base en 1956.
sur un transistor bipolaire et la grille pour un transistor Le transistor est considr comme un norme progrs
eet de champ).
face au tube lectronique : beaucoup plus petit, plus
lger et plus robuste, fonctionnant avec des tensions
faibles, autorisant une alimentation par piles, et il fonctionne presque instantanment une fois mis sous tension,
1 tymologie
contrairement aux tubes lectroniques qui demandaient
Le terme transistor provient de langlais transfer resistor une dizaine de secondes de chauage, gnraient une
(rsistance de transfert). Il a t slectionn par un comit consommation importante et ncessitaient une source de
directeur de vingt-six personnes des Bell Labs le 28 mai tension leve (plusieurs centaines de volts).
1948[1] , parmi les noms proposs suivants : semiconductor triode, surface states triode, crystal triode, solid triode,
iotatron, transistor. Pour des raisons commerciales, il fallait un nom court, sans quivoque avec la technologie des
tubes lectroniques, et le mot Transistor[rf. insusante] fut
retenu[2] .

L'industrialisation vient ds le dbut des annes 1950,

sous l'impulsion de Norman Krim, vice-prsident de
Raytheon. Il est rapidement assembl, avec d'autres composants, au sein de circuits intgrs, ce qui lui permit
de conqurir encore plus de terrain sur les autres formes
d'lectronique active.
1

5 DESCRIPTION SCHMATIQUE

Classication

3.1

Transistor bipolaire

Article dtaill : Transistor bipolaire.

Un transistor bipolaire est un dispositif lectronique
base de semi-conducteur dont le principe de fonctionnement est bas sur deux jonctions PN, l'une en direct et
l'autre en inverse.

3.2

Transistor eet de champ

Contrairement au transistor bipolaire la grille agit par effet de champ (d'o son nom) et non par passage d'un courant lectrique.
Article dtaill : Transistor eet de champ.

La technologie bipolaire est plutt utilise en analogique et en lectronique de puissance.

Les technologies FET et CMOS sont principalement utilises en lectronique numrique (ralisation d'oprations logiques). Ils peuvent tre utiliss
pour faire des blocs analogiques dans des circuits
numriques (rgulateur de tension par exemple). Ils
sont aussi utiliss pour faire des commandes de puissance (moteurs) et pour l'lectronique haute tension
(automobile). Leurs caractristiques sapparentent
plus celles des tubes lectroniques. Ils orent une
meilleure linarit dans le cadre d'amplicateurs HiFi, donc moins de distorsion.
Un mlange des deux technologies est utilis dans
les IGBT.

4 Constitution

Parmi les transistors eet de champ (ou FET, pour Les substrats utiliss vont du germanium (srie AC, auField Eect Transistor), on peut distinguer les familles jourdhui obsolte), en passant par le silicium, larsniure
suivantes :
de gallium, le silicium-germanium et plus rcemment le
carbure de silicium, le nitrure de gallium, l'antimoniure
Transistors MOSFET : ils utilisent les proprits des d'indium.
structures Mtal/Oxyde/Semi-conducteur ;

Pour la grande majorit des applications, on utilise le

silicium alors que les matriaux plus exotiques tels que
Transistors JFET : ils utilisent les proprits des l'arsniure de gallium et le nitrure de gallium sont plujonctions PN.
tt utiliss pour raliser les transistors hyperfrquence et
micro-onde.

3.3

Transistor unijonction

Article dtaill : Transistor unijonction.

Le transistor dit unijonction, nest quasiment plus

utilis, mais servait crer des oscillateurs
relaxation.

3.4

Technologie hybride

L'IGBT, est un hybride de bipolaire et de MOSFET,

principalement utilis en lectronique de puissance.

3.5

Applications

Les deux principaux types de transistors permettent de

rpondre aux besoins de l'lectronique :
analogique,

Un transistor bipolaire se compose de deux parties

de substrat semiconducteur dopes identiquement
(P ou N) spares par une mince tranche de semiconducteur dope inversement ; on a ainsi deux
types : N-P-N et P-N-P.
Le transistor eet de champ classiquement se compose dun barreau de semiconducteur dop N(ou P),
et entour en son milieu dun anneau de semiconducteur dop inversement P(ou N). On parle de FET
canal N ou P suivant le dopage du barreau.
Le transistor MOS se compose dun barreau de semiconducteur P ou N sur lequel on fait crotre
par pitaxie une mince couche disolant (silice par
exemple), laquelle est surmonte dune lectrode
mtallique.

5 Description schmatique
Les trois connexions sont appeles :

Dans les deux types de transistors bipolaires, l'lectrode

traverse par l'ensemble du courant sappelle l'metteur.
Le courant dans l'metteur est gal la somme des couEt ceux de l'lectronique de puissance et haute tension. rants du collecteur et de la base.
numrique,

Pour le transistor MOS, la grille se dtache des autres

lectrodes, pour indiquer lisolation due la prsence de
loxyde.
En ralit, il existe une quatrime connexion pour les
transistors eet de champ, le substrat (parfois appel bulk), qui est habituellement reli la source (cest la
connexion entre S et les deux traits verticaux sur le schma).

6 volution

E
NPN

Les premiers transistors avaient comme base le

germanium. Ce matriau, de nouveau utilis pour
certaines applications, a vite t remplac par le silicium
plus rsistant, plus souple demploi, moins sensible la
temprature. Il existe aussi des transistors larsniure
de gallium utiliss en particulier dans le domaine des
hyperfrquences.
Les transistors eet de champ sont principalement utiliss en amplication grand gain de signal de faible amplitude, trs basse tension. Ils sont trs sensibles aux dcharges lectrostatiques.
Les volutions technologiques ont donn les transistors ou
commutateurs MOS de puissance, ils sont de plus en plus
utiliss dans toutes les applications de commutation de
forte puissance (classe D), basse tension, vu quils nont
presque plus de rsistance de drain contrairement aux
transistors, ils ne schauent pas et n'ont donc pas besoin de refroidissement (radiateurs).

Le graphne, nouveau matriau trs prometteur et performant, pourrait remplacer le silicium dans les transistors
de future gnration.

7 Principe de fonctionnement
Les transistors MOS et bipolaires fonctionnent de faons
trs direntes :

S
MOSFET

La che identie lmetteur et suit le sens du courant ;

elle pointe vers l'extrieur dans le cas dun NPN, vers
l'intrieur dans le cas d'un PNP. Llectrode relie au milieu de la barre centrale gure la base et la troisime lectrode gure le collecteur.
Dans le cas de leet de champ, la che disparat, car
le dispositif est symtrique (drain et source sont changeables). Les traits obliques sont habituellement remplacs par des traits droits.

Le transistor bipolaire est un amplicateur de

courant, on injecte un courant dans lespace
base/metteur an de crer un courant multipli par
le gain du transistor entre lmetteur et le collecteur.
Les transistors bipolaires NPN (ngatifpositif-ngatif) qui laissent circuler un
courant de la base (+) vers lmetteur (),
sont plus rapides et ont une meilleure tenue
en tension que les transistors PNP base ()
metteur (+), mais peuvent tre produits avec
des caractristiques complmentaires par les
fabricants pour les applications le ncessitant.
Le transistor eet de champ. Son organe de
commande est la grille (gate en anglais). Celle-ci na

7 PRINCIPE DE FONCTIONNEMENT
transistors eet de champ dpend troitement de la technologie, et peut varier notablement mme au sein dun mme lot. Le transistor eet de champ dpltion canal N est
le semi-conducteur dont les caractristiques se
rapprochent le plus des anciens tubes vide
(triodes). puissance gale, les transistors N
sont plus petits que les P. gomtrie gale,
les transistors N sont galement plus rapides
que les P. En eet, les porteurs majoritaires
dans un canal N sont les lectrons, qui se dplacent mieux que les trous, majoritaires dans
un canal P. La conductivit d'un canal N est
ainsi suprieure celle d'un canal P de mme
dimension.

Analyseur de transistors.

besoin que dune tension (ou un potentiel) entre la

grille et la source pour contrler le courant entre la
source et le drain. Le courant de grille est nul (ou
ngligeable) en rgime statique, puisque la grille se
comporte vis--vis du circuit de commande comme
un condensateur de faible capacit.
Il existe plusieurs types de transistors eet de
champ : transistors dpltion, enrichissement (de loin les plus nombreux) et jonction
(JFET). Dans chaque famille, on peut utiliser
soit un canal de type N soit de type P, ce qui
fait donc en tout six types dirents.
Pour les transistors dpltion ainsi que les
JFET, le canal drainsource est conducteur si
le potentiel de grille est nul. Pour le bloquer,
il faut rendre ce potentiel ngatif (pour les canaux N) ou positif (pour les canaux P).
Inversement, les transistors enrichissement
sont bloqus lorsque la grille a un potentiel nul.
Si on polarise la grille dun transistor N par une
tension positive ou celle dun transistor P par
une tension ngative, lespace sourcedrain du
transistor devient passant.
Chacun de ces transistors est caractris par
une tension de seuil, correspondant la tension
de grille qui fait la transition entre le comportement bloqu du transistor et son comportement conducteur. Contrairement aux transistors bipolaires, dont la tension de seuil ne dpend que du semi-conducteur utilis (silicium,
germanium ou As-Ga), la tension de seuil des

La plupart des circuits intgrs numriques

(en particulier les microprocesseurs) utilisent
la technologie CMOS qui permet d'intgrer
grande chelle (plusieurs millions) des transistors eet de champ ( enrichissement) complmentaires (cest--dire quon retrouve des
N et des P). Pour une mme fonction, lintgration de transistors bipolaires consommerait
beaucoup plus de courant. En eet, un circuit
CMOS ne consomme du courant que lors des
basculements. La consommation d'une porte
CMOS correspond uniquement la charge
lectrique ncessaire pour charger sa capacit
de sortie. Leur dissipation est donc quasiment
nulle si la frquence dhorloge est modre ;
cela permet le dveloppement de circuits
piles ou batteries (tlphones ou ordinateurs
portables, appareils photo...).
Autres transistors :
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) : hybride qui a les caractristiques dun transistor
eet de champ en entre et les caractristiques
dun transistor bipolaire en sortie. Uniquement
utilis dans llectronique de puissance.
Transistor unijonction : ce transistor est utilis pour ses caractristiques de rsistance dynamique ngative, ce qui permet de raliser simplement un oscillateur. Nest plus utilis de nos
jours.
Phototransistor : cest un transistor bipolaire,
dont la jonction basecollecteur est sensible
la lumire. Par rapport une photodiode, il est
plus sensible, car il bncie de leet amplicateur propre au transistor.
Lopto-isolateur : le phototransistor est mont dans le mme botier quune diode lectroluminescente. Cest la lumire qui assure la
transmission des signaux entre le phototransistor et la diode lectroluminescente. Le pouvoir
disolation trs lev (de lordre de 5 kV) en

10.2

Liens externes

fait le composant idal pour isoler galvanique- 10.2 Liens externes

ment un circuit de commande, dun circuit de
Transistor bipolaire
puissance.
Il existe aussi des opto-isolateurs utilisant dautres composants en sortie tels le
thyristor, le triac.

Sauf dans le domaine des fortes puissances, il est devenu rare de navoir quun seul transistor dans un botier
(pour les fortes puissances, on optera pour un montage
Darlington, permettant dobtenir un gain en courant plus
important).
Les circuits intgrs ont permis den interconnecter
dabord des milliers, puis des millions. L'intgration de
plus d'un milliard de transistors sur un seul composant a
t atteinte en juin 2008 par Nvidia avec la GT200. La
puce, utilise comme processeur graphique (GPU) atteint
1,4 milliard de composants lectriques gravs en 65 nanomtres, sur une surface d'environ 600 mm2 .

des

Notes et rfrences

[1] mmo 48-130-10

[2] voir Prononc. et Orth. :", sur le site cnrtl.fr, consult le 9
juin 2015
[3] Comme souvent en histoire des sciences, la paternit de
cette dcouverte est parfois remise en cause, pour tre attribue Julius Edgar Lilienfeld qui, en 1925, avait dj
dcouvert le principe du transistor eet de champ. Cependant, Bardeen, Shockley et Brattain restent universellement reconnus comme les pres de cette invention.

10
10.1

Annexes
Articles connexes

Transistor Darlington
IGBT
Transistor JFET
Transistor bipolaire
MOSFET
EOSFET
Loi de Moore
TRADIC, premier ordinateur transistors

Transitor eet de champ grille isole -Transistor

M.O.S.
[PDF] Transistor unijonction

Emploi

Ces circuits intgrs servent raliser

microprocesseurs, des mmoires, par exemple.

Transistor eet de champ (FET)

(de) (en) (fr) [PDF] (en) Armand Van Dormael.

The French Transistor Proceedings of the 2004
IEEE Conference on the History of Electronics, Bletchley Park, June 2004.
(en) Michael Riordan, How Europe Missed the
Transistor , IEEE Spectrum, vol. 42, no 11, novembre 2005, p. 5257 (ISSN 0018-9235)
(en) [PDF] ON Semiconductor Application Notes
1628 : Understanding Power Transistors Breakdown
Parameters

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Portail des micro et nanotechnologies

Portail des technologies

11

11
11.1

SOURCES, CONTRIBUTEURS ET LICENCES DU TEXTE ET DE LIMAGE

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Texte

Transistor Source : https://fr.wikipedia.org/wiki/Transistor?oldid=115926207 Contributeurs : Shaihulud, Hashar, Med, COLETTE, Panoramix, Fab97, Hemmer, Orthogae, Crales Killer, Kelson, SimonP, Alno, Howard Drake, Greudin, HasharBot, Rege, Raph, Jarillon,
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11.2

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