Introduccion A La Electronica y Procesos de Fabricacion

UNIVERSIDAD NACIONAL ABIERTA Y A DISTANCIA UNAD
ESCUELA DE CIENCIAS BSICAS, TECNOLOGA E INGENIERA

CONTENIDO DIDCTICO DEL CUSO: 299008 MICROELECTRNICA
INTRODUCCIN A LA MICROELECTRNICA Y PROCESOS DE

FABRICACIN
BREVE HISTRICA SOBRE LA MICROELECTRNICA EL PASADO DE LA

ELECTRNICA
Las primeras observaciones relacionados con los fenmenos elctricos son

del tiempo de la Grecia Antigua (Tales de Mileto, Demcrito, etc...). Sin
embargo, no es hasta el siglo XIX cuando se desarrollan algunas teoras que
explican satisfactoriamente parte de dichos fenmenos. En 1893, Maxwell
reuni las investigaciones en el campo de la electricidad y magnetismo de
grandes cientficos tales como Coulomb, Ampere, Ohm, Gauss, Farad ay, y
public las reglas matemticas que rigen las interacciones electromagnticas.
Aunque Maxwell no reconoce la naturaleza
corpuscular de la corriente
elctrica, sus
ecuaciones son
aplicables incluso despus del
establecimiento de la naturaleza discreta de la carga. La prediccin de la
existencia de ondas electromagnticas y su posibilidad de propagacin en el
espacio constituye muy probablemente la base del posterior desarrollo de las
comunicaciones, y en definitiva, de la Electrnica.
La Electrnica probablemente no se inicia hasta que Lorentz postul en 1895 la
existencia de cargas discretas denominadas electrones. Thompson hall
experimentalmente su existencia dos aos ms tarde y Millikan midi con
precisin la carga del electrn ya entrado el siglo XX. Hasta principios de este
siglo, la Electrnica no empez a tomar cariz tecnolgico. En 1904, Fleming
invent el diodo que denomin vlvula el cual consista en un filamento
caliente, emisor de electrones, situado en el vaco a una corta distancia de una
placa. En funcin de la tensin positiva o negativa de la placa, se produca
paso de corriente en una direccin. Esta vlvula se emple como detector de
seales inalmbricas y vino a sustituir a los detectores de galena utilizados hasta
ese momento, que eran de difcil construccin y precisaban de continuos ajustes
manuales.
Quiz el acontecimiento ms importante en la historia primitiva de la electrnica
tuvo lugar en 1906 cuando De Forest interpuso un tercer electrodo (rejilla) en
una vlvula de Fleming creando el tubo trodo denominado audin. En este
dispositivo, la aplicacin de una pequea tensin a la rejilla produce una alta
variacin de la tensin de la placa; por consiguiente, el audin fue el
primer amplificador de la historia. No obstante, se necesitaron varios aos

para avanzar en el problema de emisin termoinica con objeto de conseguir un

elemento electrnico seguro.
El desarrollo de la electrnica en sta poca est ligado al desarrollo de la radio.
Basados en tubos de vaco se construyen diferentes tipos de circuitos con
aplicacin en las comunicaciones por radio. Con diodos y trodos fueron
diseados los amplificadores en
cascada, amplificadores regenerativos,
osciladores, el receptor heterodino, entre otros. Este desarrollo de la
electrnica permiti fundar la primera emisora de radiodifusin, KDKA,
construida en 1920 por la W estinghouse Electric Corporation; en 1924, ya
haba 500 estaciones de radio en Estados Unidos. La evolucin del trodo
dio lugar a tcnicas de calentamiento indirecto del ctodo y a la
introduccin de los tetrodos, pentodos y las ampollas de vidrio en miniatura. En
1938 se encuentra disponible del primer receptor en FM despus que
Armstrong en 1933 desarroll la modulacin en frecuencia. La televisin en
blanco y negro surgi en 1930 y la de color alrededor de la mitad de este siglo.
LA ELECTRNICA Y LOS SEMICONDUCTORES
La verdadera revolucin tecnolgica de la Electrnica surge con la invencin de
los dispositivos basados en semiconductores, y ms en concreto, con la
invencin del transistor. Los primeros trabajos sobre semiconductores fueron
comenzados por Hall en 1879 sobre el efecto que lleva su nombre. Los
primeros rectificadores de unin metal-semiconductor se estudian entre 1920 y
1930, y es en 1938 cuando Shottky y Mott realizan separadamente un estudio
sistemtico sobre las propiedades de estos dispositivos, proponiendo la primera
teora del espacio de carga. En esta poca, se realizan muchos estudios
sobre semiconductores y se perfeccionan las tcnicas de crecimiento de
cristales. En 1943, se obtiene la primera unin P-N sobre cristal nico de silicio.
En 1947, se presionaron dos sondas de hilo de oro prximas entre s sobre
una superficie de un cristal de germanio. Brattain y Bardeen se dieron cuenta
que era un dispositivo amplificador naciendo as el primer amplificador de
estado slido (en forma de transistor de contacto). Sin embargo, era un
transistor deficiente, de poca amplitud de banda y mucho ruido, donde
adems los parmetros diferan ampliamente de uno a otro dispositivo.
Shockley propuso el transistor de unin para mejorar las caractersticas del
transistor de punta de contacto, y complet su teora de funcionamiento. El
nuevo dispositivo tena portadores de ambas polaridades operando
simultneamente: eran dispositivos bipolares. En 1956, Bardeen, Brattain y
Shockley recibieron el premio Nobel de fsica por sus investigaciones.
El transistor no poda ser eficiente hasta que no se dispusiese de cristales
simples extraordinariamente puros. Bell Laboratories lograron formar cristales
simples de germanio y silicio con impurezas muy por debajo de una parte en
mil millones, y a partir de aqu, fue posible controlar el proceso de dopado de

los semiconductores. Los primeros

transistores
de
crecimiento fueron
construidos en
1950, y un
ao despus, ya se
fabricaban
comercialmente por RCA, W estinghouse, General Electric y W estern Electric. En
esta poca, los componentes de estado slido desplazaron virtualmente a las
vlvulas en casi todas las aplicaciones, tanto militares como comerciales.
La idea inicial de construir un circuito completo de estado slido en un bloque
semiconductor fue propuesta por Dummer en 1952. No obstante, en 1958 Kilby,
poco despus de incorporarse a la Texas Instrument, concibi la idea de un
monoltico, es decir, construir un circuito completo en germanio o silicio. El primer
circuito integrado fue un oscilador por rotacin de fase que se construy
empleando como material base el germanio, y sobre l, se formaban
resistencias, condensadores y transistores, utilizando cables de oro para unir
estos componentes. Simultneamente, Noyce, de Fairchild Semiconductor, tuvo
tambin la idea de un circuito monoltico en el que aisl mediante diodos p-n
los
distintos dispositivos, desarroll la fabricacin de
resistencias e
interconect los diferentes dispositivos mediante metal vaporizado. No
obstante, el primer transistor de difusin moderno fue creado por Hoerni de
Fairchild en 1958 empleando tcnicas fotolitogrficas y utilizando los procesos de
difusin antes desarrollados por Noyce y Moore. La clave de la fabricacin de
circuitos integrados reside en el transistor planar y
la posibilidad de
fabricacin en masa. En 1961, Fairchild y Texas Instrument introdujeron
comercialmente los circuitos integrados.
Otro dispositivo que intervino en el avance espectacular de la Electrnica, aunque
su desarrollo fue posterior al del transistor debido a problemas tecnolgicos, es
el transistor de efecto de campo. Antes de la invencin de este transistor,
numerosos investigadores ya haban estudiado la variacin de conductividad de
un slido debido a la aplicacin de un campo elctrico. El transistor de unin
de efecto de campo fue propuesto por Shockley en 1951, aunque problemas
tecnolgicos para lograr una superficie estable retrasaron su realizacin fsica.
Estos problemas fueron solucionados al desarrollarse el proceso planar y la
pasivacin de la superficie con xido de silicio (SiO 2). En 1960, Kahng y Atalla,
de Bell Laboratories, anunciaron el primer transistor de efecto de campo de
puerta aislada. En 1962, Hofstein y Heiman emplearon la nueva tecnologa
MOS para fabricar un circuito integrado con ms de mil elementos activos. El
nuevo dispositivo MOS
presentaba diversas ventajas sobre transistores
bipolares y sentaba la base para el desarrollo de la alta escala de integracin.
LA MICROELECTRNICA Y EL SIGLO XX
Las tcnicas de integracin de circuitos se beneficiaron de los avances
tecnolgicos. Los procesos de implantacin inica y litografa permitieron
realizar lneas de conexin en la oblea de silicio con anchuras del orden de
micras. Adems, el avance en las tecnologas de integracin introdujeron los

circuitos PMOS y CMOS, con

unas caractersticas de
tiempos de
propagacin y potencia consumida cada vez mejores. La eficiencia, velocidad
y produccin han mejorado continuamente en los transistores de unin y efecto
de campo, a la vez que el tamao y el costo se ha reducido considerablemente.
En poco tiempo, se pas de construir elementos discretos a sistemas integrados
con ms de un milln de transistores en una sola pastilla. La evolucin ha sido
espectacular: as, en 1951 se fabricaron los primeros transistores discretos, en
1960 se construyeron los primeros circuitos monolticos con 100 componentes,
en 1966 estos circuitos alcanzaron 1000 componentes, en 1969 se lleg a
10000, y actualmente se estn fabricando circuitos integrados con varios millones
de transistores.
Figura 1.1 Microfotografa de un circuito integrado

En un principio, los circuitos desarrollados para aplicaciones de comunicacin
utilizando tubos de vaco, fueron construidos con transistores discretos. Sin
embargo, los investigadores de los aos 60 se dieron cuenta que estos
mismos circuitos no eran transplantables directamente a circuitos integrados y
que era preciso disear estructuras nuevas. Esto potenci el desarrollo de
nuevas estructuras tales como las fuentes de polarizacin desarrolladas por
Widlar y a la introduccin del primer amplificador operacional comercial (A702).
En 1968, los laboratorios de Fairchild presentan el popular amplificador
operacional compensado internamente A741. Otros circuitos analgicos de
esta poca son los comparadores, reguladores de tensin, los PLL
monolticos, convertidores analgica-digital, etc...
La revolucin microelectrnica introdujo una nueva industria: la computacin.
Esta industria surgi por la gran expansin que se produce en el campo de la
electrnica digital. En 1960, Noyce y Norman introdujeron la primera familia

lgica semiconductora, lgica resistencia-transistor (RTL), que sirvi de base para

la construccin de los primeros circuitos integrados digitales. Seguidamente,
en 1961, apareci la familia de acoplo directo (DCTL), y un ao ms tarde la
lgica diodo transistor (DTL). En 1964, Texas Instrument presenta la lgica
transistor-transistor (TTL), y la serie de circuitos integrados digitales 54/74 que
han permanecido activos hasta hace poco. Motorola, en 1962 introduce la
lgica de emisores acoplados (ECL) de alta velocidad y en 1968 con sta
misma lgica logra tiempos de retraso del orden del nanosegundo. En
contrapartida, en 1970 se lanza la serie TTL en tecnologa Shottky y en 1975
aparece la serie TTL Shottky de baja potencia con tiempos de retraso muy
prximos a la ECL. En 1972, apareci la familia lgica de inyeccin integrada
(IIL) cuya principal caracterstica es su alta densidad de empaquetamiento.
La electrnica digital tiene su mxima expansin con las familias lgicas
basadas en el transistor MOS, debido a que su proceso de fabricacin es ms
sencillo, permite mayor escala de integracin y los consumos de potencia son
ms reducidos. Estas caractersticas ha dado lugar que la tecnologa MOS
desplace a la bipolar en la mayor parte de las aplicaciones. El proceso de
miniaturizacin en tecnologa MOS se encuentra por debajo de 1 micra
aproximndose rpidamente a su lmite fsico. Esto ha permitido que se puedan
realizar circuitos integrados que incorporan millones de dispositivos.
En la dcada de los ochenta se introducen los circuitos digitales BiCMOS que
ofrecen conjuntamente el bajo consumo de la tecnologa CMOS y la velocidad
de las familias bipolares a costa de una mayor complejidad y coste del
proceso de fabricacin. Tambin se desarrollan circuitos de alta velocidad
basados en el GaAs con retrasos del orden de decenas de picosegundos.
Existen muchas expectativas en el desarrollo de esta tecnologa aunque
problemas de fabricacin no permiten actualmente alcanzar la escala de
integracin que se logra con el silicio.
Paralelamente, se desarrollan teoras matemticas para anlisis y diseo
de sistemas electrnicos. Particularmente, el espectacular desarrollo de las
computadoras digitales se debe en gran parte a los avances conseguidos en
la Teora de Conmutacin, que establece modelos matemticos para los
circuitos digitales, transformando los problemas de diseo y verificacin
en tcnicas matemticas muy algoritmizadas e independientes en gran
medida de los dispositivos fsicos. El desarrollo de la Teora de Conmutacin
puede decirse que empieza con los trabajos de Shannon en 1938, en los que
aplica el lgebra de Boole al anlisis de circuitos relevadores. El lgebra de
Boole fue desarrollado en 1854 como una concreccin matemtica de las leyes
de la lgica de predicados estudiada por los filsofos de la poca. La
Teora de Conmutacin se extiende principalmente a circuitos combinacionales
hasta que, a mediados de la dcada de los cincuenta, los trabajos de Huffman
y de Moore desarrollan la teora de los circuitos secuenciales. El carcter

CONTENIDO DIDCTICO DEL CUSO: 299008
MICROELECTRNICA
algortmico de las tcnicas de diseo las hace especialmente aptas para

su resolucin mediante computador, con lo que ste se convierte as
en herramienta bsica para el desarrollo de sistemas digitales en general
y de nuevos computadores ms potentes y sofisticados en particular.
El ms significativo avance de la electrnica digital es la introduccin en 1971
del microprocesador, debido a la necesidad de producir un circuito
estndar de propsito general y gran flexibilidad que sirviera para las
calculadoras y fuera apto a otras muchas aplicaciones. En 1971, Intel
introdujo en el mercado el microprocesador de cuatro bits conocido como
el modelo 4004. Era una CPU completa monoltica con 45 instrucciones
en tecnologa PMOS con 2300 transistores. El xito del procesador fue
inmediato y su amplia difusin supuso el comienzo de una autntica
revolucin industrial. Dos aos posteriores a la presentacin del primer
procesador, Intel desarrolla el microprocesador de 8 bits 8008 con una
velocidad de 50000 instrucciones por segundo. Este continuo desarrollo
de los microprocesadores ha permitido en la actualidad construir
procesadores de 32 bits con altas velocidades de procesado. La
evolucin de los microprocesadores es actualmente muy rpida, con
creciente implantacin en los procesos de automatizacin industrial,
robtica, instrumentacin inteligente, y en los elementos de sociedad de
consumo, automviles, electrodomsticos, etc. La introduccin de
microprocesadores ms potentes ha marcado un rpido desarrollo de
los microcomputadores y computadores personales, y su implantacin es
cada vez ms importante en el mbito de automatizacin de oficinas e
industria, comunicaciones y redes informticas.

TENDENCIAS FUTURAS
INTRODUCCIN7
La informtica se desarroll bajo una divisa implcita: ms pequeo, ms
rpido, ms barato (smaller, faster, cheaper 8). Estas tres palabras al mismo
tiempo describan el acontecer y expresaban el deseo de la industria. Eran
similares a la divisa que el barn Pierre de Coubertin haba elegido para los
juegos olmpicos modernos, una terna de palabras latinas que describan la
misma idea para caracterizarlos: altius, citius, fortius (ms alto, ms rpido,
ms fuerte).
Hoy sabemos que la finalidad ltima de la revolucin informtica es la
construccin de lo que se ha llamado la Sociedad de la Informacin, una nueva
manera de relacionarnos entre nosotros y con la naturaleza, asistidos a cada
paso por las mquinas informticas para reducir al mnimo los procesamientos
algortmicos de la informacin y liberar as la mxima capacidad creadora de la
actividad humana.
Es, por lo tanto, una pregunta central de nuestro tiempo intentar responder
cundo ocurrir esta Sociedad de la Informacin.
SMALLER
En el comienzo de la electrnica lo primero que se advirti fue que cada vez
los circuitos eran ms pequeos. La trada comenz en smaller.
La microelectrnica comenz en 1961 con los circuitos integrados. En 1965
Gordon Moore adverta el crecimiento exponencial de la cantidad de
transistores de los circuitos. En un artculo en la revista Electronics publicaba
la idea primera de lo que hoy conocemos la ley de Gordon Moore. En este
entonces era director de Fairchild Semiconductor Corporation, una empresa
que forjara los primeros comienzos de la microelectrnica 9.
http://www.itapebi.com.uy/pdfs/1cni.PDF
Este artculo fue preparado para el Primer Congreso Nacional de Informtica,
Montevideo, 1997. Fue publicado en 1999 por la Oficina de Apuntes del CECEA como
Perspectivas y tendencias de la Informtica en el Uruguay.
8
una
Moore relat muchas veces esta historia. Una las ltimas versiones se encuentra en
entrevista
en
Business
W eek,
23jun97,
p.
66.

Moore tena tres datos: saba la fecha del primer transistor plano sobre silicio;
los primeros circuitos integrados, en 1961, tenan solamente 4 transistores y
observaba que en el presente es decir
1965 haban alcanzado la enorme suma de 200 transistores. De all peg un
salto al vaco y adelant que la densidad de transistores pareca duplicarse
cada ao. Gordon Moore sera consecuente con esta idea y se convertira en
uno de los pioneros del smaller, faster, cheaper: pocos aos despus fundara
Intel Corporation y liderara la revolucin de los microprocesadores y las
memorias electrnicas. En 1975, con la experiencia acumulada por Intel,
analiz la tendencia de nuevo y se declar que el nmero de transistores se
duplicaba cada dos aos. La cifra generalmente aceptada actualmente es
intermedia: cada 18 meses se duplica el nmero de transistores de los chips.
La Ley de Gordon Moore y algunas otras leyes relacionadas establecen que
los diferentes parmetros fsicos de los circuitos electrnicos integrados crecen
en forma exponencial en el tiempo. Estas leyes son tpicas leyes empricas
acerca de las cuales no existe mayor fundamentacin terica. Desde el
momento de su formulacin hasta el presente han sufridos algunas
modificaciones no substanciales en los valores de sus parmetros, pero su
validez ha permanecido esencialmente no cuestionada.
El nmero de transistores de un chip depende en forma crtica de las
dimensiones del transistor y de los dems elementos geomtricos empleados.
El tamao del chip no incide demasiado porque no se puede aumentar en
forma importante el tamao del trozo de silicio empleado. En la jerga tcnica
este problema se conoce como las reglas de diseo. El mosaico que forma el
chip emplea elementos que tienen un cierto tamao tpico. Este mdulo es
conocido como la regla de diseo empleada. El Cuadro 1 se presenta
algunas cifras.
Cuadro 1: Evolucin de las reglas de diseo de los circuitos integrados.
fecha reglas de diseo
1970
20 micras
1975
10 micras
1978
4,5 micras
1980
2 a 3 micras
1996
0,35 micras
1997
0,25 micras
1999
0,18 micras
ref.
[1]
[1]
[1]
[1]
[5]
[5]
[5]
Vale la pena sealar al pasar, como dato curioso porque no tiene importancia
de ningn tipo, que las dimensiones de las clulas son del orden de la micra.

Esto quiere decir que los transistores de las computadoras personales de la

dcada del 80 ya haban alcanzado dimensiones biolgicas.
FASTER, CHEAPER
Una consecuencia no detectada desde el principio, pero relacionada
ntimamente con los procesos fsicos que ocurran en el transistor, fue que la
miniaturizacin implicaba un aumento de velocidad del procesamiento. En la
medida que las distancias a recorrer dentro del silicio por los lentos portadores
de carga eran cada vez menores, los transistores podan trabajar cada vez a
mayor velocidad. En el Cuadro 2 se presenta la historia de los procesadores de
Intel y alguna especulacin acerca del futuro.
Cuadro 2: Evolucin de los chips de Intel en sus diversas caractersticas.[5]
chip
lanzamiento precio transistores MIPS
4004
11/71
200
2,3 K
0.06
8008
4/72
300
3,5 K
0.06
8080
4/74
300
6K
0.6
8086
6/78
360
29 K
0.3
8088
6/79
360
29 K
0.3
286
2/82
360
134 K
0.9
386
10/85
299
275 K
5
486
4/89
950
1,2 M
20
Pentium
3/93
878
3,1 M
100
Pentium pro
5/95
974
5,5 M
300
786 ?
1997
1000
8M
500
886 ?
2000
1000
15 M
1.000
1286 ?
2011
?
1G
100.000
Se puede comprobar claramente que faster es una consecuencia de smaller.

Ms adelante regresaremos sobre este punto. En cambio cheaper no es
verdadero en forma literal.
Los precios de los procesadores hasta el 486 se mantuvieron esencialmente
constantes. En el momento de su lanzamiento costaron siempre alrededor de
300 dlares. Esta situacin se modific en forma notable con la llegada del
486. Se lanza un nuevo chip a la venta cuando es econmicamente viable, por
esta razn su precio es esencialmente constante. Esta situacin parece
cambiar a partir de la enorme difusin de la computadora W intel con el
procesador 486. Sin duda existieron cambios en la estrategia comercial y es
posible que la situacin de virtual monopolio de Intel sea la responsable del
aumento de precios. Es claro que los analistas de mercado no prevn una

disminucin de precios para el futuro.

Intel sostiene que es cada vez ms costoso montar una fbrica de
semiconductores, cada nueva generacin duplica su costo [4], y es probable
que tenga razn, no obstante lo cual es opinin personal de este autor que la
verdadera razn del aumento de precios y de las enormes ganancias de Intel
en los ltimos aos se debe a la situacin de monopolio10.
Es claro, sin embargo, que existe una disminucin de precio en el sentido de
que lo mismo cuesta exponencialmente cada vez menos. Nuevamente aqu
la tercera palabra es consecuencia de las otras dos. Ms pequeo significa
ms rpido, ms rpido (a precios esencialmente constantes) significa ms
barato.
EL LMITE FSICO
Todo lo presentado nos lleva de la mano a que la revolucin electrnica
depende crucialmente de la capacidad para fabricar transistores cada vez ms
pequeos. Pero este proceso tiene un lmite: la estructura atmica del silicio.
De seguir las tendencias actuales, tarde o temprano se tropezar con lmites
fsicos que de tendrn el proceso u obligarn a una nueva y revolucionaria
tecnologa. Es interesante analizar cundo ocurrirn estos fenmenos.
Lewis [3] presenta cifras ajustadas de las diferentes exponenciales
relacionadas con la Ley de Gordon Moore. Tal como fuera originalmente
formulada, la ecuacin de la forma:
kB
donde k y B son constantes empricas y t es el tiempo en aos. En el Cuadro 3

se presentan algunas constantes empricas para diversos sectores industriales
de avanzada.
Cuadro 3: Algunas reas tecnolgicas en crecimiento exponencial. [3]
rea de actividad
B
Manufactura de aviones 1,1
Ley de Gordon Moore 1,48
Ley de Gordon Moore 1,56
10
comentarios
mejora de caractersticas
versin original
mejor ajuste actual
A pesar de la reconocida lnea econmica liberal de Business Week, nunca ha

sugerido esta interpretacin al fenmeno.

Comunicaciones
1,78
Megabits por segundo por

Km.
Resulta claro de estas cifras que la electrnica es una de las ramas que ms
ha crecido en la historia de la humanidad si la comparamos, por ejemplo, con
otra rea de crecimiento vertiginoso como es la aviacin. Sin embargo, las
cifras empricas muestran lo que es conocido por dems que las
comunicaciones crecen todava ms que la electrnica.
En el Cuadro 4 se presentan los coeficientes empricos actuales para el
crecimiento de la velocidad de procesamiento y del nmero de transistores de
los chips. Es interesante observar que la velocidad crece ms que la cantidad
de transistores, lo cual evidencia las mejoras de las tcnicas de diseo de los
procesadores por mayor empleo del paralelismo interno.
Cuadro 4: Mejor ajuste actual al crecimiento de la microelectrnica. [3]
rea de actividad
crecimiento de los MIPS
crecimiento del nmero de
transistores
B
k
1,56 0,002374
1,37
1,492
Si aceptamos que estas ecuaciones empricas representan la tendencia

histrica de la microelectrnica, ahora ser sencillo investigar cuando
plausiblemente se llegar a los lmites fsicos de fabricacin de nuevos chips.
Aplicando la Ley de Gordon Moore con las cifras del Cuadro 4 en el 2006 se
llegar a un transistor por tomo de silicio. Es claro que las tendencias
actuales predicen entonces una corta vida a la actual frentica revolucin de la
microlectrnica. Este resultado sorprendente contrasto con otra prediccin
alentadora. Si suponemos que el chip ltimo que se puede fabricar en silicio es
capaz de realizar una operacin, a la velocidad de la luz (el lmite fsico) entre
dos tomos del cristal, esto conduce a 3x1011 MIPS y este lmite se
alcanzara, segn la ecuacin emprica, ms all del 2020. Esto significa que el
chip ltimo se encuentra, posiblemente, a menos de una dcada del presente.
Es interesante observar que el problema no se soluciona cambiando el silicio
por otro material: las propiedades de los cristales son muy parecidas entre s,
otro semiconductor no cambiar nada esencial en estos lmites fsicos.
Muchos autores ya han advertido de este problema de los lmites fsicos de los
transistores. Keys [2] sostiene que al acercarse las reglas de diseo a 100
ngstroms (0,01 micras) empiezan los efectos cunticos. El lmite de
laboratorio posiblemente est en 30 ngstroms (0,003 micras) y se llegar a

estos lmites hacia el 2003. Otros autores sostienen que el proceso ser ms
lento y que recin en el 2010 se llegar a 0,1 micras 11. Su propuesta de nueva
tecnologa consiste en reemplazar los transistores por islotes atmicos de 20
nanometros de largo (0,02 micras) que contienen unos 60 tomos de silicio de
largo, porque todava no se manifiestan en forma molesta las propiedades
cunticas. Algunos van ms lejos, en la Universidad de Minnesota anunciaron
recientemente la posibilidad de almacenar un nico electrn por vez [7] y esto
permitira llevar muy lejos el lmite fsico de aplicacin de la ley de Gordon
Moore.
Cualquiera sea la posicin adoptada, parece existir acuerdo en los comienzos
del siglo XXI algo muy trascendente ocurrir con la microelectrnica y no es
claro que se puede continuar al ritmo en que se vena. Al detenerse el smaller
es de esperar consecuencias importantes para el cheaper y el faster.
La respuesta clsica al agotarse las posibilidades de chips ms densos es
emplear, en forma masiva, el paralelismo. Este problema fue estudiado desde
varias dcadas atrs, en particular por Gene Amdahl, el diseado de la IBM
/360. Por acumulacin de procesadores pueden crearse mquinas ms
potentes a partir un chip dado, pero este mecanismo tiene algunas sorpresas:
El lmite del paralelismo de mquinas se encuentra en la velocidad de
comunicacin de los buses internos de los chips. Los MIPS se
encuentran limitados por los lmites fsicos de la comunicacin y stos,
por la velocidad de la luz.
A los chips les est ocurriendo otro fenmeno: la complejidad de la
interconexin. Cada vez ms la superficie del chip est destinada a
interconectar transistores [6]. Este fenmeno que se manifiesta a nivel
de chips tambin ser notorio en las placas y por este lado tambin hay
una limitacin importante.
El paralelismo cambia la ecuacin de cheaper. Hasta hoy, lo mismo
costaba menos en forma exponencial. Al depender del paralelismo,
desaparece este efecto. Se llega al lmite de costo y, en adelante, ms
capacidad de procesamiento significar un costo proporcional.
Estas consideraciones muestran que parece estarse llegando al borde del
smaller, faster, cheaper.
11
Gary A. Franzier, de Texas Instruments, advierte que posiblemente se trabaje en esta

fecha con reglas menores y se estar al borde cuntico. Indica que ser necesaria una nueva
tecnologa.
Business
W
eek,
1jul96,
p.
53.

Cundo ocurrir el futuro?

Cuadro 5: Ventas y computadoras personales estimadas en el mundo.
ao
1995
1996
1997
1998
1999
2000
2001
2002
2003
2004
2005
2006
2007
2008
2009
2010
parque
14
18
24
31
41
53
69
90
1173
1525
1983
2578
3351
4357
5664
7363
ventas en
45
59
77
100
130
169
219
285
371
482
626
814
1058
1376
1789
2325
El punto ms interesante en el Cuadro 5 es la observacin que hacia mediados

de la dcada siguiente, de mantenerse las tendencias actuales, existir una
computadora personal cada dos habitantes del planeta. Este es un hecho
sumamente significativo que merece ser analizado con cuidado.
Las cifras del Cuadro 5 suponen que las tendencias actuales, es decir las que
se han mantenido a lo largo de toda la revolucin de la microelectrnica, las
que predice la ley de Gordon Moore, se conservarn en los prximos diez
aos. Todo el mundo parece estar de acuerdo con esta hiptesis, ningn
analista espera un cambio importante en el futuro prximo. No obstante esto,
en general no se realiza una proyeccin de este tipo. Examinemos entonces la
proyeccin en sus diferentes hiptesis de futuro.
La primera hiptesis consiste en suponer que las tendencias histricas se
mantienen. En este caso, la Sociedad de la Informacin habr llegado hacia
el 2005. El nmero de computadoras personales ser comparable al de
televisores o telfonos. Todos los habitantes del planeta tendr acceso a un
medio informtico y todo ocurre tal cual lo predicen los augures de la
modernidad. La propuesta reciente de las Network Computers apunta, sin
duda, en esta direccin. Sin embargo hay algunas dificultades, entre ellas:

Esta situacin no parece econmicamente viable. Una computadora cada

dos habitantes supone que este nivel de informatizacin ha llegado a la
India, a China y tambin a los pases pauprrimos del Tercer Mundo.
No parece posible educar a la poblacin planetaria para el uso cotidiano
de las computadoras personales. En la mayora de los pases del planeta
la informtica no ha llegado a los niveles escolares pero los habitantes
del 2005 ya estn llegando a la escuela.
No parece posible que la economa asimile este volumen de
computadoras. Si bien los procesos de automatizacin avanzan a toda
velocidad, provocan un desempleo creciente. El convertir a la
computadora personal en el reemplazo universal del papel, de los
medios de trabajo, de los medios de entretenimiento y de los medios de
comunicacin (condicin que parece indispensable para llegar a los
volmenes considerados) parece estar lejos de lo que sucede hoy en
da. No parece posible que suceda en una dcada.
Las consideraciones anteriores sugieren que la tendencia histrica de

evolucin de las computadoras no se podr mantener en el futuro prximo. En
el presente las 200 millones de computadoras personales significan solamente
del orden del 4% de la poblacin mundial. Por cierto que estn muy
desigualmente repartidas:
Usualmente se acepta que Estados Unidos tiene el 40% de las
computadoras del mundo. Esto supone al da de hoy unas 80 millones de
computadoras personales lo cual es una computadora cada 3 habitantes
aproximadamente. Esto significa que ya se ha llegado all casi a los
niveles de saturacin.
Japn posee un 10% de las computadoras del mundo y estas 20
millones de computadoras con una cada 6 habitantes.
Tambin se acepta que Europa tiene el 30% de las computadoras del
Mundo. Esto supone hoy en da unas 60 millones de computadoras, tal
vez una cada 10 habitantes. Como se ve, el 20% restante, unas 40
millones de computadoras, estn en el resto del planeta y es este sector
el que difcilmente pueda seguir el ritmo de crecimiento del pasado.
Este anlisis significa que hay grandes cambios en el futuro inmediato de la
computacin. Lo ms importante tiene que ver con el cambio de velocidad del
mercado. Si no se puede continuar vendiendo a la enorme velocidad que se
venda en el pasado, entonces el ritmo de la ley de Gordon Moore debe
cambiar, no ya por acercarse a posibles lmites fsicos sino por razones
econmicas. Est implcito en esta ley que se contina invirtiendo al ritmo que
corresponde. Pero todo parece indicar que en algn momento se invertir en el
desarrollo de un chip que no se vender al ritmo esperado. Este es el momento

en que el cheaper condiciona al smaller.

Tal como se mencion antes, cada nuevo chip exige una inversin doble del
anterior. Esta inversin debe ser amortizada con la venta de los chips. Si el
ritmo de venta decrece, el tiempo de amortizacin aumentar y por lo tanto, la
velocidad de cambio disminuir. Con las cifras que hemos manejado, en unos
pocos aos la industria de las computadoras deber frenarse en su ritmo de
crecimiento y, por lo tanto, cambiar mucho el estilo smaller, faster, cheaper.
Ocurrir entonces el cierre de la trada, al fracasar el cheaper, se frenar el
smaller y todo cambiar. Tal vez el aumento de precios de los ltimos chips
son una seal de que este proceso ya ha comenzado.
CONCLUSIONES
Si las hiptesis del presente artculo son correctas, asistiremos en la prxima
dcada a profundos cambios en el mercado de la computacin. Posiblemente
algunos gigantes de hoy desaparezcan maana. Posiblemente el
ritmo
vertiginoso de crecimiento que ha ocurrido en el pasado se detenga y la
industria de la computacin adquiera el mismo ritmo de innovacin que
cualquiera de las industrias de electrodomsticos. Esto har que cambie todo:
la necesidad de profesionales, la educacin y hasta la manera de disear los
productos.
La Sociedad de la Informacin deber esperar por la economa por la
imposibilidad de penetrar los mercados de los pases pobres al ritmo del
presente. Tal vez esta sea la ms importante y feliz de las consecuencias
dentro de este panorama poco alentador que parece avizorase.

LECCIN 3: PROCESO DE FABRICACIN

El objetivo de la presente leccin es presentar el proceso de fabricacin de
circuitos integrados CMOS de forma que se comprenda la finalidad de cada
una de las etapas del proceso y, a la vez, se profundice en la comprensin
de la estructura de los transistores MOS y en la manera de conectarlos para
formar circuitos digitales.
La integracin CMOS consiste en formar zonas semiconductoras N y P y
la zona de xido de puerta con polisilicio encima de ella e interconectar los
diversos transistores entre s y con la fuente de alimentacin, todas estas
conexiones mediante lneas de metal (aluminio).
Las regiones citadas no se encuentran en el mismo plano sino en pisos
sucesivos: las difusiones penetran en la oblea semiconductora, el xido de
puerta y el polisilicio se elevan sobre ella y el metal circula por encima de todo
el conjunto. Sendas capas de xido separan los transistores entre s y al metal
de todo lo que tiene debajo, salvo en los puntos en que debe establecer
conexin.
Pero, adems, las difusiones N requieren un substrato P que es el dopado
propio de la oblea, mientras que las difusiones P precisan de substrato N
que habr que formarlo previamente sobre la oblea P: los pozos. El substrato
P debe estar polarizado a la tensin ms negativa y los pozos N a la ms
positiva, en ambos casos con la finalidad de que las uniones difusin-substrato
queden aisladas, en polarizacin inversa.
Por ello, en la superficie de la oblea, separados por xido denominado
de campo, tendremos los transistores y los contactos de polarizacin de los
substratos; al conjunto de todos ellos (transistores y polarizaciones) les
denominamos zonas activas.
FABRICACIN DE NMOS Y PMOS
El transistor MOSFET es la estructura actualmente ms utilizada en la tecnologa
microelectrnica VLSI. Varias razones explican esta preeminencia. Primero es una
estructura autoaislada elctricamente no siendo necesario fabricar islas de
material aisladas por uniones. Este hecho permite colocar transistores MOS juntos
en el chip con el consiguiente ahorro de espacio y de pasos de proceso. Segundo,
puede ser fabricado en el substrato sin la necesidad de crecer costosas capas
epitaxiales. Sin embargo cada vez se usan ms las epitaxias para mejorar las
caractersticas de funcionamiento de los dispositivos MOS. Finalmente es un
dispositivo de alta impedancia por lo que su consumo de potencia es bajo. A
continuacin describiremos el proceso de fabricacin de una estructura MOS
bsica: el transistor NMOS. Mencionar que continuamente aparecen

modificaciones de esta estructura para diversas aplicaciones o mejora de

caractersticas.
El NMOS (Negative-channel Metal-Oxide Semiconductor) es un tipo de
semiconductor que se carga negativamente de modo que los transistores se
enciendan o apaguen con el movimiento de los electrones. En contraste, los
PMOS (Positive-channel MOS) funcionan moviendo las valencias de electrones. El
NMOS es ms veloz que el PMOS, pero tambin es ms costosa su fabricacin.
Actualmente es el tipo de tecnologa que ms se usa en la fabricacin de circuitos
integrados.
La figura 1.2 muestra el corte transversal de un MOSFET con canal n. Se observa
la estructura n (fuente/zona roja) p (puerta/zona azul)) n (drenado/zona roja) tpica
de un transistor. La aplicacin de tensin al electrodo puerta (zona amarilla)
provocar una inversin superficial bajo el xido de puerta (zona azul bajo puerta)
creando un canal n que pondr en contacto fuente y drenado (zonas rojas). (Field
Effect Transistor FET).
Figura 1.2. Seccin transversal de un transistor MOSFET con canal n

El proceso de fabricacin de este dispositivo sera el siguiente.
1) Se parte de un substrato de silicio monocristalino tipo p de una resistividad 5
W .cm y orientado segn una direccin <100>
2) Se crece mediante oxidacin trmica una capa de SiO2 de 500 A de espesor
seguido de una deposicin de nitruro de silicio de 1000 A
3) El rea activa del dispositivo es definida mediante fotolitografa crendose un
canal de parada por implantacin de boro a travs del xido/nitruro
4) Se elimina el nitruro no protegido por la fotoresina y el wafer es introducido en
un horno de oxidacin con el objetivo de crecer el xido de campo (Field Oxide,
FOX,
0.5-1
m
m)
y
realizar
la
distribucin
del
boro.

5) La capa xido/nitruro es eliminada de la zona activa y a continuacin se crece el

xido de puerta de algunos centenares de ngstrom de espesor. En la tecnologa
punta actual el espesor de este xido de silicio es de solo decenas de angstroms.
Para ajustar la tensin umbral, tensin puerta-fuente por encima de la cual se
produce el canal n y el dispositivo conduce, se implanta la dosis de iones
adecuada en el canal
6) Se crece el polisilicio del electrodo puerta, zona amarilla en la figura, el cual es
fuertemente dopado mediante difusin o implantacin de fsforo hasta conseguir
una resistencia de hoja de 20-30 W /. Con el objetivo de reducir la resistencia
del electrodo de puerta hasta 1 W / se utilizan los siliciuros ya explicados
anteriormente.
7) Una vez definida mediante fotolitografa el electrodo puerta se crean la fuente y
el drenado, zonas n+ rojas en la figura, mediante implantacin de arsnico, 30
keV 1016 cm-2, utilizando como mscara el electrodo puerta
8) Deposicin de una capa de PSG mediante CVD y posterior tratamiento trmico
para conseguir una topografa suave
9) Proceso fotolitogrfico
interconexiones.
de
apertura
de
ventanas
para
contactos
10) Deposicin de capa de aluminio mediante sputtering y proceso fotolitogrfico

para la definicin de contactos e interconexiones en la capa metlica. El contacto
al electrodo puerta se realiza fuera de la zona activa del dispositivo para evitar
posibles daos a la capa delgada de xido de puerta.
En este proceso NMOS hay seis operaciones de crecimiento de pelcula, cuatro
pasos de fotolitografa, tres implantaciones inicas y cuatro operaciones de ataque
ahorrndose dos operaciones de fotolitografa y un proceso de implantacin en
comparacin con el proceso bipolar bsico.
FABRICACIN DE BJT Y FET
El transistor de efecto campo (Field-Effect Transistor o FET, en ingls) es en
realidad una familia de transistores que se basan en el campo elctrico para
controlar la conductividad de un "canal" en un material semiconductor. Los FET,
como todos los transistores, pueden plantearse como resistencias controladas por
voltaje.
La mayora de los FET estn hechos usando las tcnicas de procesado de
semiconductores habituales, empleando la oblea monocristalina semiconductora
como la regin activa o canal. La regin activa de los TFTs (thin-film transistores, o

transistores de pelcula fina), por otra parte, es una pelcula que se deposita sobre
un sustrato (usualmente vidrio, puesto que la principal aplicacin de los TFTs es
como pantallas de cristal lquido o LCDs).
Los transistores de efecto de campo o FET ms conocidos son los JFET (Junction
Field Effect Transistor), MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor FET) y MISFET
(Metal-Insulator-Semiconductor FET).
Tienen tres terminales, denominadas puerta (gate), drenador (drain) y fuente
(source). La puerta es el terminal equivalente a la base del BJT. El transistor de
efecto de campo se comporta como un interruptor controlado por tensin, donde el
voltaje aplicado a la puerta permite hacer que fluya o no corriente entre drenador y
fuente.
El funcionamiento del transistor de efecto de campo es distinto al del BJT. En los
MOSFET, la puerta no absorbe corriente en absoluto, frente a los BJT, donde la
corriente que atraviesa la base, pese a ser pequea en comparacin con la que
circula por las otras terminales, no siempre puede ser despreciada. Los MOSFET,
adems, presentan un comportamiento capacitivo muy acusado que hay que tener
en cuenta para el anlisis y diseo de circuitos.
As como los transistores bipolares se dividen en NPN y PNP, los de efecto de
campo o FET son tambin de dos tipos: canal n y canal p, dependiendo de si la
aplicacin de una tensin positiva en la puerta pone al transistor en estado de
conduccin o no conduccin, respectivamente. Los transistores de efecto de
campo MOS son usados extenssimamente en electrnica digital, y son el
componente fundamental de los circuitos integrados o chips digitales.
En esta seccin, se considera el FET de metal xido semiconductor (MOSFET).
Este FET se construye con la terminal de compuerta aislada del canal con el
dielctrico dixido de silicio (SiO2), y ya sea en modo de empobrecimiento o bien
de enriquecimiento. Estos dos tipos se definen y consideran en las siguientes
secciones.
MOSFET de empobrecimiento
El MOSFET de empobrecimiento se construye con un canal fsico construido entre
el drenaje y la fuente. Como resultado de ello, existe una iD entre drenaje y fuente
cuando se aplica una tensin, v DS.
El MOSFET de empobrecimiento de canal n se establece en un sustrato p, que es
silicio contaminado de tipo p. Las regiones contaminadas de tipo n de la fuente y el
drenaje forman conexiones de baja resistencia entre los extremos del canal n y los
contactos de aluminio de la fuente (S) y el drenaje (D). Se hace crecer una capa

de SiO2, que es un aislante, en la parte superior del canal n. Se deposita una capa
de aluminio sobre el aislante de SiO 2 para formar el material de compuerta (G). El
desempeo del MOSFET de empobrecimiento, es similar al del JFET. El JFET se
controla por la unin pn entre la compuerta y el extremo de drenaje del canal. No
existe dicha unin en el MOSFET enriquecimiento, y la capa de SiO 2 acta como
aislante. Para el MOSFET de canal n, una v GS negativa saca los electrones de la
regin del canal, empobrecindolo. Cuando vGS alcanza VP, el canal se estrangula.
Los valores positivos de vGS aumentan el tamao del canal, dando por resultado
un aumento en la corriente de drenaje. MOSFET de enriquecimiento
El MOSFET de enriquecimiento difiere del MOSFET de empobrecimiento en que

no tiene la capa delgada de material n sino que requiere de una tensin positiva
entre la compuerta y la fuente para establecer un canal. Este canal se forma por la
accin de una tensin positiva compuerta a fuente, v GS, que atrae electrones de la
regin de sustrato ubicada entre el drenaje y la compuerta contaminados de tipo n.
Una vGS positiva provoca que los electrones se acumulen en la superficie inferior
de la capa de oxido. Cuando la tensin alcanza el valor de umbral, V T, han sido
atrados a esta regin los electrones suficientes para que se comporte como canal
n conductor. No habr una corriente apreciable iD hasta que vGS excede VT.
La corriente de drenaje en saturacin se puede calcular de la ecuacin:
El transistor de unin bipolar (del ingls Bipolar Junction Transistor, o sus siglas
BJT) es un dispositivo electrnico de estado slido consistente en dos uniones
PN muy cercanas entre s, que permite controlar el paso de la corriente a travs
de sus terminales. Los transistores bipolares se usan generalmente en electrnica
analgica. Tambin en algunas aplicaciones de electrnica digital como la
tecnologa TTL o BICMOS. Un transistor de unin bipolar est formado por dos
Uniones PN en un solo cristal semiconductor, separados por una regin muy
estrecha. De esta manera quedan formadas tres regiones:
Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada,
comportndose como un metal.
Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector.
Colector, de extensin mucho mayor.
La tcnica de fabricacin ms comn es la deposicin epitaxial. En su
funcionamiento normal, la unin base-emisor est polarizada en directa, mientras
que la base-colector en inversa. Los portadores de carga emitidos por el emisor
atraviesan la base, que por ser muy angosta, hay poca recombinacin de

Introduccion A La Electronica y Procesos de Fabricacion

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