Documente Academic
Documente Profesional
Documente Cultură
BJT
Jaime Salazar
Resumen
A
continuacin
se
presentara
procedimientos, clculos y desarrollo
detallado el cual se ha utilizado para el
diseo de un amplificador multietapa,
igualmente se conocer las caractersticas
de los transistores teniendo un
conocimiento bsico y detallado acerca de
los transistores.
Abstract
The following procedures, detailed
calculations and development which has
been used for designing a multi-stage
amplifier
is
present,
also
the
characteristics of the transistors is known
having a core and detailed knowledge of
the transistors.
Palabras claves (Keywords)
Transistores,
Multietapas,
Amplificadores,
Voltaje,
Corriente,
Discreto, Ganancia, impedancia.
El amplificador multietapa
procesa
seales de acuerdo a su modo de accin
(implementacin de transistores BJT),
tienen la capacidad de obtener
informacin as lo cual permitir mejores
caractersticas, igualmente tendr la
capacidad de amplificar una seal.
Disear, simular e implementar un
amplificador con su respectiva ganancia y
amplificadores.
Por medio de cuatro etapas, las cuales las
que iremos a utilizar son 2 seguidores y 2
inversores, igualmente se mostrar cada
procedimiento y calculo en la ejecucin y
elaboracin del multi-etapa
II. OBJETIVOS
1. Disear, implementar y evaluar un
amplificador multietapa.
2. Disear, simular e implementar un
amplificador discreto con las siguientes
3. Utilizar ORCAD para la simulacin
de cada uno de los parmetros ms
importantes de los amplificadores
multietapa.
INTRODUCCIN
1. Disear e implementar un
amplificador
con
las
siguientes
caractersticas
condiciones
IV DESARROLLO Y CALCULOS
=256
Realizamos un voltaje thevenin (Vth) y una
Resistencia Thevenin (Rth)
Vth=
30470k
470k+200k
Vth=6v
Rth=
470k200k
470k+200k
Rth=140 K
I B=
15v+6 v0.7 v
Rth+
I B=28,8 A
i o=
I c=7,39mA
Vce=13,742v
1
1
Z =( +
)
Rp r +Re
r 1=868
VS' VS'
+
Rp r + Re
Z =112,16K
Vo=
Vi
r +Re
a=
r +Re
a=0,998
Vt
V t Vo
Z = V o = a=
Io
Io Vi
'
io=i+ib
=256
Realizamos un voltaje thevenin (Vth) y una
Resistencia Thevenin (Rth)
Vth=
V R2
R2 +R2
Vt
V t Vo
Z = V o = a=
Io
Io Vi
Vth=12,8v
Rth =
R1R2
R 1+R 2
Vs E=( r 1ib1 )
Rth=1,8 K
I B=
i o+ Ib+Ib=x=
15 v+12,8 v0.7v
Rth+
i o=
Ibr 1
I B=45A
io=Ib(x=
I c=11,5mA
vtest
r 1
++1)
Vce=15,05v
r 1=555
r 1
Rout =
(
Rout=
r 1
r 1
+ +1
Rout=3.39
r 1
+ +1)
r 1
1
1
Z = +
Rp r +Re
=256
Z =6 K
Vth=
Vth=12,52v
Vi
Vo=
r +Re
a=
V R2
R2 +R2
Rth=
r +Re
R1R2
R 1+R 2
Rth=16,5 K
a=11,7
I B=
15v+12,52 v0.7v
Rth+
I B=6,5 A
I c =6,8mA
Vce=13,68v
r 1=943,3
Vth=6,04v
Rth=
Rth=140 K
Vt
V t Vo
Z = V o = a=
Io
Io Vi
1
1
Z = +
Rp r +Re
R1R2
R 1+R 2
I B=
15v+12,52 v0.7v
Rth+
I B=28,8 A
Z =2,2k
I c =7,35mA
a=
Vce=13,74v
r +Re
r 1=868
a=10,8
Rout=Rc=2,2k
=256
Realizamos un voltaje thevenin (Vth) y una
Resistencia Thevenin (Rth)
V R2
Vth=
R2 +R2
Vt
Vo
Z = V o =i b1 a=
Io
Vi
Vo=
Q2N2222
Vs
( r 1 + )
Vs
r +Re
1
1
Z = +
Rp r +Re
Z =112,12k
tip41
a=
r +Re
a=0,998
ANEXOS
CONCLUSIONES
Un amplificador multietapas son circuitos
que se disean a partir de mltiples
transistores entre los cuales estn el
transistor de unin bipolar (BJT),
Transistor de efecto de campo (JFET), y
transistores de electrnica de potencia;
estos transistores, pueden estar acoplados
entre si ya sea en forma de capacitor o
entre si mismo.
Con la elaboracin de este trabajo nos
conlleva a un desarrollo apropiado, y la
realizacin de un amplificador
multietapas.
AGRADECIMIENTOS
Durante este semestre son muchos los
conceptos e indicaciones que han
permitido el desarrollo de este trabajo.
En primer lugar quiero agradecer a la
Ingeniera Yesenia Restrepo Chaustre que
a lo largo de este semestre nos ha
enseado y a su vez en el desarrollo de la
labor del diseo Multietapas.
BIBLIOGRAFIA
ALLAN R. HAMBLEY electrnica, Ed.
Prentice Hall, 2da Edicin, 2005 [1]
SMITH, sedra,
Microelectronic and
Circuits, Oxford University, 5th Edition,
2004. [2]