1.1.

2 Diodos
Un diodo es un componente electrnico de dos terminales que permite la
circulacin de la corriente elctrica a travs de l en un sentido. Este trmino
generalmente se usa para referirse al diodo semiconductor, el ms comn en
la actualidad; consta de una pieza de cristal semiconductor conectada a dos
terminales elctricos.

Un diodo semiconductor moderno est hecho de cristal semiconductor como el

silicio con impurezas en l para crear una regin que contiene portadores de
carga negativos (electrones), llamado semiconductor de tipo n, y una regin en
el otro lado que contiene portadores de carga positiva (huecos), llamado
semiconductor tipo p. Las terminales del diodo se unen a cada regin. El lmite
dentro del cristal de estas dos regiones, llamado una unin PN, es donde la
importancia del diodo toma su lugar. El cristal conduce una corriente de
electrones del lado n (llamado ctodo), pero no en la direccin opuesta; es
decir, cuando una corriente convencional fluye del nodo al ctodo (opuesto al
flujo de los electrones).

Polarizacin directa del diodo pn.

En este caso, la batera disminuye la barrera de potencial de la zona de carga
espacial, permitiendo el paso de la corriente de electrones a travs de la unin;
es decir, el diodo polarizado directamente conduce la electricidad.

Polarizacin inversa del diodo pn.

En este caso, el polo negativo de la batera se conecta a la zona p y el polo
positivo a la zona n, lo que hace aumentar la zona de carga espacial, y la
tensin en dicha zona hasta que se alcanza el valor de la tensin de la batera.

BJT
El transistor de unin bipolar (del ingls Bipolar Junction Transistor, o sus siglas
BJT) es un dispositivo electrnico de estado slido consistente en dos uniones
PN muy cercanas entre s, que permite controlar el paso de la corriente a
travs de sus terminales. La denominacin de bipolar se debe a que la
conduccin tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos
polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en
gran nmero de aplicaciones; pero tienen ciertos inconvenientes, entre ellos su
impedancia de entrada bastante baja.
Un transistor de unin bipolar est formado por dos Uniones PN en un solo
cristal semiconductor, separados por una regin muy estrecha. De esta manera
quedan formadas tres regiones:
Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada,
comportndose como un metal. Su nombre se debe a que esta terminal
funciona como emisor de portadores de carga.
Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector.

 Colector, de extensin mucho mayor.

Un transistor de unin bipolar consiste en tres regiones semiconductoras
dopadas: la regin del emisor, la regin de la base y la regin del colector.
Estas regiones son, respectivamente, tipo P, tipo N y tipo P en un PNP, y tipo N,
tipo P, y tipo N en un transistor NPN. Cada regin del semiconductor est
conectada a un terminal, denominado emisor (E), base (B) o colector (C), segn
corresponda.

FET
El transistor de efecto campo (Field-Effect Transistor o FET, en ingls) es en
realidad una familia de transistores que se basan en el campo elctrico para
controlar la conductividad de un "canal" en un material semiconductor. Los FET
pueden plantearse como resistencias controladas por diferencia de potencial.
Los transistores de efecto de campo o FET ms conocidos son los JFET (Junction
Field Effect Transistor), MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor FET) y MISFET
(Metal-Insulator-Semiconductor FET).

Tienen tres terminales, denominadas puerta (gate), drenador (drain) y fuente

(source). La puerta es la terminal equivalente a la base del BJT. El transistor de
efecto de campo se comporta como un interruptor controlado por tensin,
donde el voltaje aplicado a la puerta permite hacer que fluya o no corriente
entre drenador y fuente.
El funcionamiento del transistor de efecto de campo es distinto al del BJT. En
los MOSFET, la puerta no absorbe corriente en absoluto, frente a los BJT, donde
la corriente que atraviesa la base, pese a ser pequea en comparacin con la
que circula por las otras terminales, no siempre puede ser despreciada. Los
MOSFET, adems, presentan un comportamiento capacitivo muy acusado que
hay que tener en cuenta para el anlisis y diseo de circuitos.
As como los transistores bipolares se dividen en NPN y PNP, los de efecto de
campo o FET son tambin de dos tipos: canal n y canal p, dependiendo de si la
aplicacin de una tensin positiva en la puerta pone al transistor en estado de
conduccin o no conduccin, respectivamente. Los transistores de efecto de
campo MOS son usados extenssimamente en electrnica digital, y son el
componente fundamental de los circuitos integrados o chips digitales.