UNIVERSIDADE FEDERAL DE SANTA MARIA

CENTRO DE TECNOLOGIA
CURSO DE ENGENHARIA DE CONTROLE E AUTOMAO

DETERMINAO DA CAPACITNCIA DE UM
CAPACITOR ESFRICO

RELATRIO DA DISCIPLINA DE ELETROMAGNETISMO

Prof. Rafael Concatto Beltrame

Jeferson Machado Calai

Joo Pedro Castro

Santa Maria, RS, Brasil

2015

SUMRIO
INTRODUO....................................................................................................................................2
CAPTULO 1 CAPACITOR E CAPACITNCIA...........................................................................3
1.1

Capacitncia..........................................................................................................................3

1.1.1

Capacitor de placas paralelas................................................................................................3

1.1.2

Capacitor genrico................................................................................................................4

1.1.3

Capacitor esfrico..................................................................................................................5

1.2

Valores tericos para um capacitor esfrico hipottico..........................................................6

CAPTULO 2 SIMULAO.............................................................................................................7
CAPTULO 3 RESULTADOS.........................................................................................................10
CONCLUSO .....................................................................................................................................12
REFERNCIAS.................................................................................................................................13

INTRODUO

Os programas que simulam a realidade so muito utilizados em engenharia. uma

forma prtica de ver se o projeto ir funcionar ou at realizar o projeto via software. Assim,
no h a necessidade de custos para fazer um prottipo no incio do projeto. Poupa-se tempo e
dinheiro.
Neste relatrio o programa FEMM foi utilizado para o clculo da capacitncia de um
capacitor esfrico. Mostra-se til tambm para outros capacitores cuja geometria seja de
difcil modelagem.

CAPTULO 1

CAPACITOR E CAPACITNCIA

A propriedade fundamental de qualquer capacitor a proporcionalidade entre a carga

eltrica armazenada Q e a tenso aplicada V:
Q=C V (1 .1)
Onde a constante de proporcionalidade C denominada de capacitncia. No Sistema
Internacional (SI) a unidade de carga o Coulomb (C) e a de tenso eltrica o volt (V).
Assim, a capacitncia dada por Coulomb por Volt (C/V), que denominado de Farad (F).

1.1

1.1.1

Capacitncia

Capacitor de placas paralelas

Abaixo na figura 1.1 mostrado um capacitor de placas paralelas infinitas ( dito

infinito para no ter que considerar os efeitos das pontas), onde temos uma distncia d, as
cargas positivas Q e as cargas negativas Q, alm das linhas do campo E.

Figura 1.1 - Capacitor de placas paralelas infinitas

A tenso entre as duas placas relaciona-se com o campo de acordo com a relao:
V =Ed (1.2)
Utilizando-se a lei de Gauss foi determinado que o campo de uma placa infinita dado
por:
E=

(1.3)
2 0

O campo entre um par de placas com cargas iguais e de sinais contrrios ento :
E=

(1. 4 )
0

4
A densidade de carga

dada por

Q/ A , onde A a rea da placa (no

considerando mais a mesma infinita). Assim:

E=

Q
Q=EA 0 (1.5)
A 0

Substituindo (1.5) e (1.2) na equao (1.1) obtm-se:

EA 0 =CEd C= 0

A
(1.6)
d

A equao (1.6) vlida apenas para o caso abaixo, onde h vcuo entre as placas:

Figura 1.2 - Capacitor de placas paralelas sem dieltrico

Para o caso em que h um material dieltrico necessrio multiplicar por uma

constante k que leva esse material em considerao. Portanto:
C=k 0

A
(1. 7)
d

E a equao (1.7) ento valida para qualquer capacitor de placas paralelas.

Figura 1.3 - Capacitor de placas paralelas com dieltrico

1.1.2

Capacitor genrico

Analisando-se a equao (1.7) possvel separar a equao em trs termos:

Um termo que uma constante do material (constante dieltrica);

Um termo que a permissividade do vcuo

( 0=8,8541878 1012 C2 N1 m2 )

;
Um termo que depende da geometria do capacitor.

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Portanto, de maneira genrica a capacitncia pode ser escrita da seguinte forma:
C=k 0 X (1.8)
Onde os valores da constante dieltrica esto na tabela (1.1) abaixo e os valores de X
dependem nica e exclusivamente da geometria do capacitor.
Material

Material

gua

78

Papel

3,5

mbar

2,7

Polietileno

2,3

Ar

1,00054

Poliestireno

2,6

Baquelita

4,8

Porcelana

6,5

Celulose

3,7

Quartzo

3,8

Dixido de titnio

100

Teflon

2,1

Mica

5,4

Vidro comum

7,75

Neoprene

6,9

Vidro pirex

4,5

Tabela 1.1 - Constante dieltrica dos materiais

1.1.3

Capacitor esfrico

Mesmo tendo-se conhecimento da equao (1.8) s vezes mais fcil utilizar a

equao de Gauss, dependendo da simetria da geometria do capacitor. Nesse caso simtrico
e fica fcil de resolver.
Ento, aplicando-se a lei de Gauss:
Q
Q
E=
Ed
A= EdA cos 0 EA= E=
(1.9)
0
4 0 r2
O prximo passo calcular a tenso entre as esferas (conforme visto na figura 1.4).

Figura 1.4 - Viso do capacitor esfrico

6
b

Q
1
Q 1 1
Q ba
V =
dr =
=
(1.10)

2
4 0 a r
4 0 a b 4 0 ab

( )

Conforme a relao (1.1) pode-se escrever a capacitncia da seguinte forma:

Q
ab
C= =4 0
(1.11)
V
ba

( )

Caso ainda haja um dieltrico necessrio multiplicar pela constante dieltrica, a

equao final fica:
C=k 0 4

1.2

ab
( ba
)(1. 12)

Valores tericos para um capacitor esfrico hipottico

Para a comparao do resultado terico e do simulado, ser utilizado um capacitor

com as seguintes caractersticas:

a = Raio interno (m) = 2

b = Raio externo (m) = 4
Dieltrico = Mica

Utilizando-se da equao (1.12) e da tabela 1.1, tem-se:

C=5,4 8,85 1012 4

CAPTULO 2

24
( 42
)=2,4 10

=2,4 nF (1.13)

SIMULAO

Para a simulao foi utilizado o software FEMM (Finite Elements Method Magnetics).
Seguem-se os passos para a realizao da simulao:
1. Abrir um novo arquivo e escolher Electrostatics Problem;
2. Escolher a ferramenta de ns. Inserir os ns da figura 2.1 abaixo.

Figura 2.5 - Ns utilizados (fora de escala)

3. Com a ferramenta arco criar os arcos que ligam os pontos (0,59) e (0,51) e
tambm os pontos (0,57) e (0,53);
4. Ir a Properties > Materials Library e adicionar os materiais aire mica;
5. Com a ferramenta block labels clicar em trs pontos:
a. Dentro do raio interno da menor esfera;
b. Entre as esferas;
c. E fora das esferas.

8
6. Escolher os materiais devidos para cada ponto, como pode ser visto abaixo
(aqui tambm j pode ser definido o tamanho da malha, caso necessrio):

Figura 2.6 - Materiais e suas localizaes

7. Ir a Properties > Conductor > Add. Definir as tenses de cada condutor, nesse
caso foi utilizado um com 0V e outro com 100V. Conforme visto na figura 1.4,
o raio externo seria o negativo e o raio interno positivo.
8. Prximo passo configurar a preciso da simulao. S apertar em Problem e
configurar conforme abaixo:
a. Problem Type: Axisymmetric;
b. Length Units: Meters;
c. Solver Precision: 1e-015
9. Para criar a malha s escolher Mesh > Create Mesh;

Figura 2.7 - Malha

10. Como ltimo passo na simulao s ir a Analysis > Analyze. Para ver o
resultado clicar em Analysis > View Results.

10

CAPTULO 3

RESULTADOS

Na figura 3.1 est a plotagem de densidade de tenso, estando a legenda evidenciando

os valores.

Figura 3.8 - Plotagem da densidade de tenso

O objetivo o clculo da capacitncia do capacitor esfrico, para tal, conforme a

relao (1.1), necessrio saber a tenso e a carga. Na janela de resultados tem que ir em
View > Conductor Props. Escolhe-se o condutor positivo (+). Conforme visto na figura 3.2.

11

Figura 3.9 - Tenso e carga no condutor

Da relao (1.1), tm-se:

C=

Q
(3.1)
V
Assim:

C=

2,67858 107
=2,67858 109 =2,68 nF(3.1)
100
Comparando os resultados em (1.13) e (3.1) possvel notar que o erro considervel.

C=

2,6 82,4
=0,1045 100 =10,45 (3.2)
2,68

12

CONCLUSO

Com os resultados obtidos ficou evidente uma diferena entre o valor terico e o
simulado. Sabendo-se que na teoria so assumidas diversas simplificaes e que algumas
influenciam no resultado obtido e sendo os programas atuais bem sofisticados e precisos
bem provvel que o valor mais correto seja o simulado.
Essa diferena de 10% dependendo da aplicao desse capacitor pode ser significativa
ou no. Simular de grande valia, pois poupado um tempo precioso antes de o projeto ser
realmente implementado.

13

REFERNCIAS

http://www.mspc.eng.br/eletrn/cap110.shtml - Acessado em 02/05/2015

http://www.if.ufrgs.br/tex/fis142/mod05/m_s03.html - Acessado em 02/05/2015
http://hyperphysics.phy-astr.gsu.edu/hbase/electric/capsph.html - Acessado
02/05/2015

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