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POLIVALENTE
Eletrnica
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Voc encontrar um material inovador que orientar o seu trabalho na realizao das atividades
propostas. Alm disso, percebera por meio de recursos diversos como fascinante o mundo da Educao
Profissional. Gradativamente, dominar competncias e habilidades para que seja um profissional de
sucesso.
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Esta disposto a aceitar o convite?
Contamos com a sua participao para tornar este objetivo em realidade.
Equipe Polivalente
Eletrnica
SUMRIO
pgina
Introduo ............................................................................................................................................
UNIDADE I - SEMICONDUTOR
A Estrutura da Matria ...........................................................................................................................
Condutores............................................................................................................................................
Isolantes...............................................................................................................................................
Semicondutores.....................................................................................................................................
Semicondutor Tipo N..............................................................................................................................
Semicondutor Tipo P..............................................................................................................................
Juno PN.............................................................................................................................................
Polarizao do Diodo...............................................................................................................................
Curva Caracterstica do Diodo..................................................................................................................
Fixao da Aprendizagem.......................................................................................................................
4
5
6
7
10
11
11
13
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17
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25
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28
30
Led.......................................................................................................................................................
Display de 7 Segmentos..........................................................................................................................
Fotodiodo..............................................................................................................................................
Optoacoplador........................................................................................................................................
Diodo de Comutao Rpida.....................................................................................................................
Diodo Schottky.......................................................................................................................................
Diodo Zener...........................................................................................................................................
Regulador CI 78XX/79XX.........................................................................................................................
Fixao da Aprendizagem........................................................................................................................
33
34
35
36
36
37
38
43
47
Introduo ...........................................................................................................................................
Polarizao...........................................................................................................................................
Amplificador Emissor Comum...................................................................................................................
Amplificador Base Comum.......................................................................................................................
Amplificador Coletor Comum...................................................................................................................
Parmetros alfa e beta............................................................................................................................
Multivibrador Astvel..............................................................................................................................
Fixao da Aprendizagem........................................................................................................................
50
53
54
55
56
57
58
60
JFET.....................................................................................................................................................
Curva de Transcondutncia.....................................................................................................................
Amplificadores........................................................................................................................................
Fixao da Aprendizagem........................................................................................................................
63
61
65
66
SCR......................................................................................................................................................
Curva Caracterstica do SCR.....................................................................................................................
DIAC.....................................................................................................................................................
TRIAC...................................................................................................................................................
Curva Caracterstica do TRIAC..................................................................................................................
Circuitos e Aplicaes..............................................................................................................................
Transistor Unijuno Programvel (PUT)....................................................................................................
Oscilador de Relaxao............................................................................................................................
MOSFET................................................................................................................................................
IGBT.....................................................................................................................................................
Fixao da Aprendizagem........................................................................................................................
REFERENCIAS BIBLIOGRFICAS..............................................................................................
70
71
72
73
73
74
75
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78
81
84
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88
UNIDADE VI TIRISTORES
89
90
Eletrnica
INTRODUO
Voc esta iniciando o estudo do Mdulo ELETRNICA. Voc ter contato com teorias importantes
que vo proporcionar um desempenho eficiente durante o seu Curso.
O mdulo esta dividido em seis unidades e no final de cada mdulo encontra-se uma lista de
exerccios:
UNIDADE I : Introduo Estrutura Atmica da Matria, Condutores e Isolantes.
UNIDADE II : Circuitos com Diodos.
UNIDADE III: Diodos Especiais.
UNIDADE IV: Transistor Bipolar.
UNIDADE V : Transistor de Efeito de Campo - FET.
UNIDADE VI: Tiristores.
Nossa linha de trabalho abre um caminho atraente e seguro pela seqncia das atividades leitura,
interpretao, reflexo, e pela variedade de propostas que mostram maneiras de pensar e agir, e que recriam
situaes de aprendizagem.
As aprendizagens tericas so acompanhadas de sua contrapartida prtica, pois se aprende melhor
fazendo. Tais praticas so momentos de aplicao privilegiados, oportunidades por excelncia, de demonstrar o
saber adquirido.
Nessa perspectiva, dois objetivos principais sero perseguidos neste material. De um lado, torn-lo
habilitado a aproveitar os frutos da aprendizagem, desses saberes que lhe so oferecidos de muitas maneiras,
em seu estudo, ou at pela mdia jornais, revistas, rdio, televiso e outros - pois sabendo como foram
construdos poder melhor julgar o seu valor. Por outro lado, capacitando-se para construir novos saberes. Da
a necessidade do seu estgio para aliar a teoria prtica.
A soma de esforos para que estes mdulos respondessem as suas necessidades, s foi possvel mediante a
ao conjunta da Equipe Polivalente.
Nossa inteno conduzir um dialogo para o ensino aprendizagem com vistas a conscientizao, participao
para ao do aluno sobre a realidade em que vive.
www.colegiopolivalente.com.br
Equipe Polivalente
3
Eletrnica
UNIDADE I - SEMICONDUTORES
ESTRUTURA ATMICA DA MATRIA
TOMOS
A Matria formada por tomos que so constitudos por partculas tais como neutrons, prtons
localizados no Ncleo e eltrons, localizados na Eletrosfera.
Para descrever a estrutura de um tomo pode-se recorrer a um modelo simplificado, conhecido como
tomo de Bohr: Ncleo formado por prtons e neutrons e eltrons circulando nas diversas rbitas ao redor do
ncleo. (Fora de atrao eltrica = fora centrpeta devido velocidade dos eltrons).
Para o estudo da eletrnica, ressalta-se que as propriedades eltricas e eletrnicas esto relacionadas
com eltrons.
Estes esto distribudos em camadas e sub-camadas. Cada camada corresponde a rbitas e energias
diferentes. Quanto mais afastados do ncleo mais energia tem o eltron.
Existe um nmero mximo de eltrons para cada camada, conforme se pode notar na tabela abaixo:
Camada
s
N Mx
de
18
32
32
18
NVEIS DE ENERGIA
comum representar o modelo do tomo atravs de diagrama de nveis ou bandas de energia.
Cada rbita do eltron corresponde a nveis de energia do eltron dentro do tomo.
Dizemos que em um material, as rbitas dos eltrons de uma determinada camada de cada tomo que
compe o material constitui o que chamamos de banda de energia daqueles eltrons.
tomo A menor frao de um elemento capaz de entrar em combinao, suposta outrora indivisvel; constitudo
essencialmente de um ncleo.
valncia capacidade de combinao que um tomo de substancia simples ou grupamento funcional tem em relao o nmero de
tomos de hidrognio
Eletrnica
A figura abaixo mostra um tomo relacionando as rbitas com um diagrama de nvel de energia.
CONDUTORES
temperatura de 0K os eltrons de qualquer material esto contidos na banda de valncia, ou seja,
esto fortemente presos ao tomo.
temperatura maior que zero absoluto, os eltrons so excitados, ganham energia e vo para a
banda de conduo.
Eltrons da banda de conduo movem-se livremente pela estrutura do material, ou seja, tornam-se
eltrons livres.
Eletrnica
Se uma diferena de potencial eltrico for aplicada entre dois pontos deste material haver circulao
de corrente eltrica, o que corresponde a movimento de eltrons em direo ao ponto de potencial mais
positivo.
Os materiais que possuem muitos eltrons livres, ou seja, que a banda de conduo se sobrepe
banda de valncia so chamados de condutores eltricos.
Os metais so os maiores representantes destes materiais.
ISOLANTES
Nos isolantes a concentrao de eltrons livres nos materiais muito baixa, implicando em correntes
desprezveis quando o material submetido a diferenas de potencial.
A banda de conduo nos materiais isolantes est a um nvel de energia muito maior que a banda de
valncia.
Isto significa que os eltrons da banda de valncia necessitam de uma energia muito alta para atingir a
banda de conduo e tornarem-se livres.
Portanto, nos isolantes no h a possibilidade de conduo de corrente devido falta de eltrons
livres suficientes.
A figura abaixo mostra o diagrama de banda de energia para um material isolante, onde a banda de
conduo est bastante afastada da banda de valncia, indicada atravs da diferena de energia de 10 eV.
isolante interceptao da corrente eltrica; corpo que interrompe ou dificulta a comunicao da eletricidade.
Eletrnica
Metal
Prata
Cobre
Ouro
Alumnio
Nquel
Ferro
Grafite
Condutores
Capacidade (.m)
1,6 x 10-8
1,72 x 10-8
2,4 x 10-8
2,8 x 10-8
8,5 x 10-8
10 x 10-8
1400 x 10-8
Material
Quartzo
Polietileno
PVC (Eltrico)
Borracha
Papel
H2O (destil)
H2O
Isolantes
Condutividade (.m)
1019
1017
1015
8 x 109
109 a 1015
106
128
SEMICONDUTORES
Como conceito podemos dizer que, os semicondutores so materiais que possuem caractersticas de
condutividade intermedirias entre isolantes e condutores.
Os principais semicondutores utilizados na eletrnica so o silcio (Si) e o germnio (Ge).
So tambm utilizados o Sulfeto de Cdmio (CdS), o Arsenieto de glio (GaAs) e o Fosfeto de ndio
(InP) entre outros.
Os tomos de silcio e de germnio possuem cada um 4 eltrons na ltima camada (camada de
valncia) e por isso so denominados tetravalentes.
A figura 7 mostra os tomos de silcio e de germnio respectivamente, onde pode ser observado a
camada de valncia com 4 eltrons.
Germnio
Nmero atmico = 32
4 eltrons na ultima
camada
Nos cristais de silcio e de germnio, os tomos esto ligados entre si atravs de ligaes covalentes.
Eletrnica
Portanto, cada tomo da estrutura cristalina compartilha com seus 4 vizinhos, um eltron, ficando
assim com um total de 8 eltrons na ltima camada.
EFEITO DA TEMPERATURA
temperatura absoluta (-273 C) teoricamente os eltrons no podem mover-se dentro do cristal,
sendo que todos os eltrons de valncia esto fortemente presos aos tomos de silcio, pois fazem parte das
ligaes covalentes entre os tomos.
Nesta temperatura, a banda de conduo est vazia, o que equivale dizer que no existem eltrons
livres e portanto o silcio no pode conduzir corrente.
temperatura ambiente (ou acima do zero absoluto) as coisas mudam.
A energia trmica recebida do meio ambiente quebra algumas ligaes covalentes e os eltrons
ganham energia para deslocarem-se para a banda de conduo.
Na banda de conduo os eltrons esto fracamente presos aos tomos e podem deslocar-se
facilmente pelo material, de um tomo a outro.
LACUNAS
Quando um eltron deixa a banda de valncia e vai para a banda de conduo, cria-se uma falta de
eltron na banda de valncia.
Este vazio criado pela falta do eltron denominado lacuna ou buraco.
A existncia de eltrons e lacunas nestes materiais uma das razes da possibilidade de construo
dos componentes semicondutores.
A figura abaixo mostra um cristal de silcio onde um eltron ganha energia trmica e deixa a ligao
covalente, o que resulta na gerao de um eltron livre e uma lacuna no lugar antes ocupado pelo eltron.
O diagrama de energia a seguir mostra o mesmo fenmeno representado em termos de bandas de
energia.
Eltron livre
Lacuna
Energia
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Banda de conduo
E~ 1eV
Banda de valncia
Eletrnica
CORRENTE DE LACUNAS
As lacunas nos semicondutores tambm produzem corrente eltrica, atravs do seu deslocamento
dentro da banda de valncia.
Observe a figura abaixo e veja como as lacunas movimentam-se: apenas com uma pequena variao
de energia o eltron de valncia em B movimenta-se para a lacuna em A; ento a lacuna inicial desaparece e
uma nova lacuna aparece em B; o eltron em C , da mesma forma, ocupa a lacuna em B e com sua sada,
deixa uma lacuna em C.
Dizemos ento que a lacuna em A se movimentou para B e logo depois para C.
Portanto os eltrons continuam a se movimentar de acordo com o indicado pelas setas e as lacunas no
sentido oposto.
Si
Si
Si
C
Si
Si
Si
E
Si
Si
A
D
Si
Si
Si
Si
Lacunas
Eletrnica
Para a maioria das aplicaes, os semicondutores intrnsecos no possuem eltrons livres suficientes
para produzir uma corrente eltrica utilizvel.
Para a utilizao prtica destes cristais como semicondutores, utiliza-se um processo industrial que
consiste em acrescentar certas impurezas ao material semicondutor de forma a aumentar o nmero de eltrons
livres ou de lacunas.
So denominadas impurezas tomos de outros materiais acrescentados estrutura do silcio.
Este processo chamado de dopagem.
SEMICONDUTORES EXTRNSECO
Quando um cristal foi dopado, ele passa a ser denominado de semicondutor extrnseco. O tomo de
silcio esta ligao a outro material
SEMICONDUTOR TIPO-N
Para se conseguir mais eltrons na banda de valncia de um semicondutor, por exemplo, de silcio
acrescentamos, pelo processo de dopagem, tomos pentavalentes (com 5 eltrons na camada de valncia) na
estrutura do cristal de silcio puro.
Cada um dos eltrons do tomo de silcio forma uma ligao covalente com cada um dos eltrons do
tomo de impureza pentavalente de modo que um eltron deste fica sem ligao.
Como a rbita de valncia no pode conter mais de oito eltrons, o eltron que sobra fica livre, ou seja,
vai para a banda de conduo.
Assim, a dopagem produz um grande nmero de eltrons na banda de conduo (livres) somados aos
eltrons produzidos pela gerao trmica, que gera tambm algumas lacunas na banda de valncia do material.
Como os eltrons gerados so em nmero bem maiores, eles so denominados de portadores
majoritrios e as lacunas de portadores minoritrios. O silcio dopado dessa forma conhecido como
semicondutor do tipo-N, onde N significa negativo, caracterizando maior nmero de portadores de cargas
negativas (eltron).
Eltrons livres
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
As
Arsnio
Sb
Antimnio
Fsforo
Todos com 5
eltrons na
camada de
valncia
10
Eletrnica
SEMICONDUTOR TIPO-P
A obteno de semicondutores com lacunas adicionais conseguido adicionando-se
impurezas
trivalentes ao cristal de silcio.
Como cada tomo trivalente tem somente 3 eltrons na rbita de valncia, com a ligao covalente
com os 4 tomos vizinhos de silcio, obtm-se apenas 7 eltrons na rbita de valncia.
Em outras palavras, aparece uma lacuna em cada tomo de impureza trivalente.
Controlando a dopagem (quantidade de impurezas adicionada ao silcio) pode-se controlar o nmero de
lacunas no cristal dopado.
Al
Si
Si
Si
Al
Si
Al
Si
Si
Si
Si
Si
Al
Lacunas
Al
Alumnio
Boro
Ga
Glio
Todos com 3
eltrons na
camada de
valncia
JUNO PN
possvel produzir um cristal de silcio com metade tipo-P e metade tipo-N.
Neste caso a juno onde as regies tipo-P e tipo-N encontram-se.
Um cristal PN como este obtido comumente conhecido como DIODO (DoIs eleODO). o primeiro
componente eletrnico estudado em Eletrnica.
JUNO PN NO INSTANTE DE SUA FORMAO
A representao abaixo de um Juno PN, onde no lado P temos varias lacunas (portadores
majoritrios) representadas por + e o lado N possui vrios eltrons livres (portadores majoritrios)
representados por .
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Eletrnica
Lacunas
Eltrons
P
N
Regio de depleo
BARREIRA DE POTENCIAL
medida que os eltrons da regio N atravessam para a regio P, a camada de depleo aumenta e
comea a agir como uma barreira impedindo a continuao da difuso de eltrons.
Este processo se d devido barreira negativa de ons formada na regio P, que repele os eltrons de
volta para a direita (regio N, figura 14).
Neste caso cessa o movimento de eltrons e estabelecido um equilbrio.
Como temos cargas negativas (ons) de um lado e positivas (ons) de outro estabelecida uma
diferena de potencial atravs da camada de depleo que chamada de barreira de potencial.
de
aproximadamente igual a
0,7 Volts para o silcio e de
0,3 Volts para o germnio
V
Figura 15 Barreira de potencial na juno PN.
Polarizar uma juno PN significa aplicar uma tenso contnua atravs de suas extremidades.
12
Eletrnica
POLARIZAO DIRETA
A polarizao direta acontece quando o terminal positivo da fonte est ligado ao lado do material tipoP, e o terminal negativo ao lado do material tipo-N.
POLARIZAO REVERSA
Na polarizao reversa de uma juno PN, o terminal positivo da fonte ligado ao lado N e o terminal
negativo ao lado P.
Regio de depleo
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Eletrnica
Se a tenso reversa aplicada juno PN (que j podemos chamar de diodo) for aumentada, atingir
um ponto de ruptura, chamado tenso de ruptura (Vr) do diodo.
Neste momento o diodo conduzir intensamente e ser danificado pela excessiva potncia
dissipada.
De onde provm os portadores de carga para a conduo do diodo polarizado
reversamente? Os eltrons livres produzidos termicamente dentro da camada de depleo so empurrados
para a direita (vide figura 17, acima) devido polarizao reversa.
Quanto maior a tenso de polarizao, maior a energia de cada eltron.
Um destes eltrons pode colidir com um eltron de valncia, e dependendo da energia, pode arranca-lo
do tomo (este recebe energia e vai para a banda de conduo), tornando-se livre.
O processo continua e agora so dois eltrons que podem ser acelerados (pela tenso da fonte) e
podem desalojar outros dois eltrons de valncia.
E o mecanismo se repete, at ocorrer uma avalanche total, ou seja so gerados grande quantidade de
eltrons livres acelerados em direo ao terminal positivo da fonte.
Desta forma chega-se ruptura do diodo devido corrente excessiva.
Para diodos de pequena potncia, a tenso reversa geralmente maior que 50 Volts.
Anodo
Catodo
reversamente que volta ou deve voltar ao primitivo estado; revirado; diz-se das reaes qumicas que tm limite alm do qual
no podem ir, porque se realiza ao mesmo tempo a reao em sentido contrrio que regenera os corpos primitivos.
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Eletrnica
R
V
Id
Vd
Id(ma
Vr
Idm
Ir
Vd(vol
V
Regio reversa
Regio direta
I(na)
Figura 20 Diodo polarizado diretamente e curva caracterstica do diodo (regio direta e reversa).
Observando a curva, nota-se que para uma tenso aplicada ao diodo menor que V a corrente no diodo
praticamente zero.
Assim o diodo inicia a conduo a partir de V, que para o diodo de silcio tem valor de
aproximadamente 0,7 Volts.
Esta regio da curva conhecida como joelho e a tenso no diodo (V) denominada tenso de joelho ou
barreira de potencial do diodo.
A partir do aumento da tenso aplicada ao diodo acima de 0,7 Volts, a corrente direta
aumenta rapidamente.
Pelas prprias caractersticas do componente, existe um valor que no pode ser ultrapassado sob pena
que danificar o diodo.
Esse valor denominado corrente de conduo direta mxima do diodo e especificada pelo
fabricante.
15
Eletrnica
curva.
bateria.
Nesta corrente o diodo tem mxima dissipao de potncia, o que aumenta sua temperatura.
O aumento de tenso sobre o diodo bem pequeno, como pode ser observado pela inclinao da
Para obter a curva da regio reversa, basta polarizar o diodo da figura 20 reversamente, invertendo a
Desta forma o diodo ficar polarizado reversamente e conduzir uma corrente muito pequena,
denominada corrente reversa e indicada por Ir, como pode ser observado na figura 20.
Observar que a escala para corrente reversa dada por nanoampre, pois seu valor situa-se nesta
faixa, chegando em alguns casos a microampres.
Como j foi visto, esta corrente aumenta com o aumento da temperatura sobre o componente.
Para a maioria das aplicaes do diodo pode-se desprezar esta corrente, considerando seu valor igual a
zero.
A
tenso aplicada ao diodo polarizado reversamente pode aumentar at a um valor mximo
denominado mxima tenso reversa (Vrmx), ou tenso de ruptura.
Tambm conhecida como Tenso Inversa de Pico, que em ingls denominada de PIV.
Este valor especificado pelo fabricante do diodo e no deve ser ultrapassado sob o risco de danificar o
componente, atravs do mecanismo explicado no item que descreve a juno PN polarizada reversamente.
2)
3)
CONCLUSO: com o aumento da temperatura, sua queda de tenso passou de 0,7V para 0,475V, portanto
diminui e aumentou o intensidade de corrente eltrica no circuito.
A tabela abaixo mostra alguns diodos, as aplicaes a que se destinam e suas caractersticas de
corrente e tenso reversa mxima.
Corrente
Tipo
Uso
75mA
75 volts
200mA
75 volts
BB119
XXXX
XXXX
BB809
XXXX
XXXX
1N4001
retificador
1A
50 volts
1N4002
retificador
1A
100 volts
1N4003
retificador
1A
200 volts
1N4004
retificador
1A
400 volts
1N4005
retificador
1A
600 volts
1N4006
retificador
1A
800 volts
1N4007
retificador
1A
1000 volt
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Eletrnica
FIXAO DA APRENDIZAGEM:
Aps estudar toda a UNIDADE I, responda as questes abaixo, caso tenha dvida, volte ao texto:
1. Toda a matria formada por:
a. ( ) tomos
b. ( ) gua
c. ( ) Ar
d. ( ) Temperatura
2. Nos tomos, como so distribuidos os eletrons:
a. ( ) por temperatura
b. ( ) camadas e subcamadas
c. ( ) energia
d. ( ) tamanho
3. Como se chama os elementos que so no ncleo do tomo:
a. ( ) neutrino
b. ( ) protons
c. ( ) eletrons
d. ( ) protons e neutrons
4. Como se chama a ltima camada do tomo:
a. (
b. (
c. (
d. (
) camada subatomica
) camada de valencia
) camada de energia
) camada de tratamento
5.
a. (
b. (
c. (
d. (
a. (
b. (
c. (
d. (
7. Quando um tomo possui muitos eltrons livres, ele pode ser considerado:
a. ( ) condutor
b. ( ) isolante
c. ( ) semicondutor
d. ( ) nda
8. Quando h falta de eletrons livres num tomo, ele considerado:
a. ( ) condutor
b. ( ) isolante
c. ( ) semicondutor
d. ( ) nda
9. Como conceito de semicondutor, podemos assinala que:
a. ( ) materiais que possuem caractersticas de condutividade intermedirias entre metal e gases
b. ( ) materiais que possuem caractersticas de condutncia intermedirias entre isolantes e condutores
c. ( ) materiais que possuem caractersticas de condutividade de isolantes e condutores
d. ( ) materiais que possuem caractersticas de eletronegatividade de isolantes
17
Eletrnica
13.
a. (
b. (
c. (
d. (
14.
a. (
b. (
c. (
d. (
15.
a. (
b. (
c. (
d. (
16.
a. (
b. (
c. (
d. (
17.
a. (
b. (
c. (
d. (
18.
a. (
b. (
c. (
d. (
19.
a. (
b. (
c. (
d. (
20.
a. (
b. (
c. (
d. (
18
Eletrnica
21.
a. (
b. (
c. (
d. (
22.
a. (
b. (
c. (
d. (
23.
a. (
b. (
c. (
d. (
24.
a. (
b. (
c. (
d. (
25.
a. (
b. (
c. (
d. (
26.
a. (
b. (
c. (
d. (
27.
a. (
b. (
c. (
d. (
28.
a. (
b. (
c. (
d. (
29.
a. (
b. (
c. (
d. (
30. H uma temperatura de 25C a queda de tenso num diodo devido a polarizao direta era de 0,6V, a uma
temperatura de 80C para quanto ir a sua queda de tenso, mantendo a corrente constante.
a. ( ) 462,5 mV
b. ( ) 300,15 mV
c. ( ) 256,8 mV
d. ( ) 400,0 mV
19
Eletrnica
d) TENSO DE PICO A PICO (VPP): a tenso de pico positivo menos a tenso de pico negativo.
e) TENSO EFICAZ OU RMS (Veficaz OU Vrms):
a tenso medida pelos VOLTMETROS, quando seletados em ACV, representa a energia que um aparelho iria
dissipar por efeito Joule em corrente continua sendo ligado em corrente alternada.
Multmetro
Analgico
RELAES:
TENSO DE PICO E TENSO EFICAZ
VP = Veficaz / 0,707
Componente eletrnicos como por exemplo os semicondutores (diodos, integrados, transistores, etc...),
necessitam de corrente contnua, e como fazer se a tenso da rede eltrica alternada?
20
Eletrnica
CIRCUITOS CARACTERSTICOS:
Diversos so os circuitos eletrnicos que utilizam diodos com finalidades especficas dentro do circuito.
Dentre estes circuitos podemos citar alguns, tais como:
Retificadores Este tipo de circuito transforma tenso alternada (aquela tenso que alterna de
polaridade entre, por exemplo, os terminais de uma carga ou entre dois pontos determinados de um circuito)
em tenso contnua (tenso em que sua polaridade permanece constante entre , por exemplo, os terminais de
uma carga ou entre dois pontos determinados de um circuito).
Uma tenso alternada pode ser um sinal de voz, numa linha telefnica; uma onda quadrada com
amplitude de tenso variando de 12V a +12V; a tenso da rede eltrica, que do tipo senoidal.
Basicamente, dois tipos de diodos, quanto a sua potncia, podem ser utilizados nestes circuitos.
Para retificao de tenso da rede eltrica, geralmente utilizamos diodos denominados retificadores,
que podem ser de baixa ou alta potncia eltrica, dependendo da corrente desejada para a fonte de tenso
(que o tipo de aplicao mais usual de um circuito retificador).
Para retificao de sinais eletrnicos, tais com sinais de rdio freqncia, em um receptor AM; sinal de
vdeo, em um aparelho de TV; etc, utilizamos o chamado diodo de sinal.
Estes componentes apresentam baixa potncia de dissipao (menor que 0,5 Watts).
Os diodos de sinal ainda podem ser classificados como diodos retificadores de baixo sinal, diodos de RF,
diodos de comutao rpida, etc.
Limitadores de tenso Estes circuitos so utilizados para impor um limite ao nvel de tenso de
um determinado sinal.
Tambm til para modificar a forma do sinal de tenso quando desejvel, limitando o nvel acima ou
abaixo de um determinado valor de tenso.
Multiplicadores de tenso So circuitos formados por um ou mais diodos retificadores que
produzem tenso contnua com valor mltiplo da tenso de pico do sinal de entrada.
Circuitos grampeadores um circuito que soma uma tenso contnua ao sinal de tenso alternado,
fazendo com que as oscilaes do sinal, anteriormente alternado, fiquem somente positivas ou somente
negativas, conforme o que se quer obter.
RETIFICADORES
Os retificadores, como j vimos, so utilizados para eliminar a alternncia de polaridade de uma
tenso alternada, transformando-a em tenso contnua (observe que contnua no significa constante, e sim
que sua polaridade no se alterna, ou seja, fixa), no caso chamada de continua pulsante.
Para deixar ainda mais claro, bom imaginar que para uma corrente alternada, a direo da corrente
muda a todo momento no circuito, e para uma corrente contnua, a corrente tem um nico sentido no circuito.
Carga
Tenso
Transformad
V
(volts)
311
Retificador
V(vol
ts)
Filtro
V
(volts)
V
(volts)
20
18
Regulador
d T
RL
V
(volts)
15
21
Eletrnica
Os retificadores quando utilizados para retificar tenso da rede, na maioria das vezes fazem parte de
um circuito conhecido por fonte de alimentao.
As fontes de alimentao utilizam a energia da rede eltrica para fornecer tenso contnua, equivalente
tenso fornecida por pilhas ou baterias.
bom lembrar que a grande maioria dos circuitos eletrnicos, ou equipamentos eletrnicos
(amplificadores, rdio, telefone celular, computadores) utilizam tenso contnua para que possam trabalhar
adequadamente.
FONTE DE ALIMENTAO
Existem diversos tipos de fontes de alimentao, quanto complexidade de seu projeto ou
especificaes tcnicas.
As mais complexas, denominadas fontes chaveadas, utilizam tcnicas que no sero abordadas no
momento.
Para uma fonte de alimentao comum, pode-se assim retratar sua composio em termos de
diagrama de blocos (os blocos so utilizados para representar circuitos ou mesmos componentes eltricos ou
eletrnicos, com a inteno de simplificar o que se pretende mostrar).
A figura 1 mostra este diagrama e as formas de onda na sada de cada bloco. Observar que a tenso
passa a ser continua a partir do bloco retificador.
BLOCO TRANSFORMADOR
O bloco transformador composto somente do componente eltrico transformador, de chave ligadesliga e de elemento de proteo, que na maioria das vezes um fusvel.
A finalidade do transformador reduzir ou aumentar o valor da tenso, de acordo com a tenso de
sada desejada.
BLOCO RETIFICADOR
O bloco retificador composto por um ou mais diodo, dependendo do tipo de retificador, como ser
visto nesta parte do curso.
BLOCO DO FILTRO
O bloco filtro necessrio para reduzir as variaes de tenso que ocorrem na sada do retificador,
entregando uma tenso contnua o mais constante possvel para a carga.
Na maioria das vezes utilizado um nico capacitor eletroltico como filtro, podendo-se tambm fazer
uso de filtros com capacitores e indutores combinados.
Mesmo aps o filtro, a tenso apresenta oscilaes que depende do valor do capacitor, da freqncia
da tenso de rede e da corrente que a carga exige da fonte.
bom ressaltar que, para obter-se uma tenso constante na sada do filtro, dependendo da corrente
na carga, o valor do capacitor torna-se impraticvel.
BLOCO REGULADOR
O bloco denominado regulador de tenso tem a funo, portanto, de eliminar as oscilaes resultantes
na sada do filtro, de forma a fornecer para a carga uma tenso constante, conforme mostrado na forma de
onda na sada da fonte.
Alm disso tambm permite manter a tenso de sada constante, mesmo com variaes da tenso da
rede, evidentemente dentro de limites definidos.
Alguns reguladores podem tambm incluir uma proteo contra curto-circuito na sada da fonte.
Os circuitos reguladores de tenso podem ser to simples quando aqueles que utilizam um regulador
Zener (para baixa corrente), circuitos que utilizam reguladores baseados em transistores e ainda reguladores
em forma de circuitos integrados, especficos para esta funo.
22
Eletrnica
Entrada
Saida
Denominao
DC
DC
AC
AC
DC
AC
DC
AC
Regulao
b)
c)
d)
e)
f)
g)
h)
i)
Limitao de Corrente
Ondulao e Ruido
Drift
Holdup Time
Crowbar
Eficincia
Warm-Up Time
Inrush Current
RETIFICADOR DE MEIA-ONDA
V2 (volts)
D1
+
V1 = 220Vrms
F = 60 Hz
V2 = 20Vrms
V2p
(valor de
pico)
28,2
Vrl
RL
- 28,2
Vrl (volts)
V2p - Vd
27,5
Figura 2 Fonte de tenso de meia-onda e respectivas formas de onda da tenso no secundrio (V2) e na carga (Vrl).
23
Eletrnica
Como no semiciclo negativo o diodo no conduz corrente (considerando a corrente reversa igual a zero)
a tenso resultante na carga RL ser zero Volts.
O resultado mostrado em forma de onda do grfico Vrl x t, da figura 3.
O importante observar que o retificador de meia-onda converteu a tenso alternada de entrada V2
em tenso contnua pulsante (denominada Vrl ou Vcc).
Em outras palavras a tenso na carga sempre positiva ou zero; isto faz com que a corrente de carga
esteja sempre no mesmo sentido, conforme indica a seta do diodo.
Ressalta-se que a tenso mxima na carga tem o valor da tenso de pico V2p menos a queda de
tenso no diodo (de acordo com a Lei de Kirchhoff).
Esta tenso no equivalente a uma tenso contnua de mesmo valor, pois somente em alguns
instantes que o valor mximo e metade do tempo o valor de zero Volts, ela chamada de TENSO
MDIA.
Para saber a que valor de tenso contnua equivale a tenso obtida na carga, deve-se calcular o valor
mdio da tenso na carga RL.
Este valor dado por:
Vcc = 0,318 x (V2p Vd), que tambm pode ser dado por: Vcc = (V2p Vd)/ , onde:
Vcc a tenso contnua na carga;
V2p a tenso de pico no secundrio do transformador;
Vd a queda de tenso no diodo Vd.
VD1
V2p
+
Vrl = 0
RL
bom lembrar que a tenso mdia chamada de tenso contnua Vcc (que o mesmo que Vrl) porque
este valor que indicaria um voltmetro de corrente contnua (cc) ligado atravs do resistor de carga.
Para exemplificar o funcionamento do circuito da figura 2 , pode-se atribuir os seguintes valores:
V2 = 220Vrms.
Supor um transformador rebaixador de tenso, com tenso de secundrio V2 = 20 Vrms.
RL = 10 Ohms.
Portanto o valor de pico de V2 :
V2p = 1,41 x 20. Portanto, obtem-se V2p = 28,2 V.
V2p =
2 x vrms
O valor da tenso contnua na carga ser: Vcc = 0,318 x (V2p Vd) , Vcc = 0,318 x (28,2 0,7)
Ento, tem-se: Vcc = 8,75 V.
O valor da corrente contnua na carga pode ser obtido por:
Icc = Vcc/RL Icc = 8,75/10 Icc = 0,875 A ou 875mA.
Esta tambm conhecida como corrente mdia na carga, s vezes sendo indicada por Im.
A freqncia na sada da fonte igual a 60 Hz, pois tem o mesmo perodo da tenso
alternada na entrada da fonte (tenso da rede).
24
Eletrnica
Neste momento, no h tenso na carga (Vrl =0), e de acordo com a Lei das Tenses de Kirchhoff,
toda a tenso do secundrio do transformador (V2p) deve aparecer atravs do diodo, como mostra a figura 3,
abaixo.
Portanto, o diodo a ser escolhido deve ter tenso reversa (Vr) , que o mesmo que tenso inversa de
pico (PIV), maior que a tenso mxima reversa que o diodo suporta no circuito, para se evitar o rompimento
deste componente.
Os valores para corrente direta mxima (IdMx ) e tenso reversa (Vr) dos diodos esto contidos nas
folhas de dados (data sheets) que so parte dos manuais (data books) emitidos pelos fabricantes de diodos.
Outro dado importante a potncia mxima dissipada pelo diodo, que pode ser utilizada quando no se
souber da corrente direta mxima do diodo ou esta no for fornecida pelo fabricante.
Assim PdMx = IdMx x Vd, onde Vd a tenso de conduo do diodo quando a corrente neste for IdMx
ou aproximar para 0,7 Volts , no caso do diodo de silcio, na falta do valor exato de Vd.
RETIFICADOR DE ONDA-COMPLETA
Os retificadores de onda completa so aqueles em que a tenso de sada apresenta tenso com nica
polaridade apresentando dois pulsos completos por ciclo, positivos ou negativos, conforme a fonte seja de
tenso positiva ou negativa.
Existem dois tipos de retificadores de onda completa: um que utiliza
obrigatoriamente um
transformador em que o enrolamento do secundrio tem uma derivao central e outro que utiliza diodos
ligados em ponte.
Neste ltimo h a possibilidade de se fazer ou no uso de um transformador.
RETIFICADOR DE ONDA-COMPLETA UTILIZANDO TRANSFORMADOR COM DERIVAO CENTRAL
A figura 4, a seguir, mostra um retificador de onda-completa com transformador que utiliza uma
derivao central, indicado pelo terminal b.
Este retificador, mostrado no figura 4B, composto pelos diodos D1 e D2 e tem como carga RL. A
tenso de entrada V1 mostrada na figura 4 A, onde V1p o seu valor de pico, sendo V2p/2 a metade do
valor de pico da tenso em cada um dos secundrios do transformador, como mostram as figuras 4C e 4D.
Considerando o primeiro ciclo da tenso de entrada V1, v-se que o diodo D1 conduz pois a tenso
Vab positiva e D2 corta (no conduz) pois Vbc negativa.
Portanto, a corrente que sai do secundrio do transformador, ponto a, passa por D1, entra pela carga
e retorna ao transformador atravs do terra, chegando ao ponto b, fechando assim o circuito.
Isso implica em um semiciclo de tenso positiva na carga, cujo valor de pico de V2p/2 menos a
queda no diodo D1.
Quando a tenso de entrada V1 estiver no semiciclo negativo, D2 conduzir pois a tenso Vbc ser
positiva e D1 ir cortar, pois Vab tomar valor negativo, conforme mostram as figuras 4C e 4D.
Assim a corrente que sair do ponto c passar por D2 entrar pela carga RL, atravs do terminal
positivo e retornar para o transformador passando pelo ponto b.
Desta forma, outro semiciclo de tenso positiva aparece sobre a carga, cujo valor de pico de V2p/2
menos a queda de tenso no diodo D2, de acordo com o mostrado na figura 4E.
A forma de onda na sada constituda, portanto, de semiciclos positivos de tenso e tem freqncia
de 120 Hz. O valor mdio da tenso de sada na carga, ou seja, a tenso contnua Vcc dada por:
Vcc = 2 x (V2p/2 Vd) /
ou seja:
Vcc = 0,636 x (V2p/2 Vd),
onde:
Vcc o valor de tenso contnua na carga;
25
Eletrnica
V
(volts)
D1
+
V1
V1p
Vo
t (ms)
c
D2
V
(volts)
V
(volts)
V
(volts)
V2p/2
0
V2p/2 - Vd
V2p/2
t (ms)
t (ms)
0
t (ms)
0
V2p/2 o valor da tenso de pico entre uma extremidade do transformador e o terminal de derivao
central;
Vd a tenso de conduo do diodo.
A corrente contnua que circula na carga calculada por: Icc = Vcc/RL
RETIFICADOR EM PONTE
maior.
carga.
26
Eletrnica
V2 (volts)
Vrl (volts)
D1
D2
V2p - 2Vd
V2p
V1
V2
0
- V2p
D3
t (ms)
D4
0
RL
t (ms)
Figura 5C tenso na
carga
Para a anlise do semiciclo negativo, o ponto b estar com potencial positivo em ralao ao ponto a
e neste caso D4 conduzir, de modo que a corrente passe por ele, a carga RL, chegando ao anodo de D1
atravs do terra, fazendo-o conduzir, e atingindo o terminal b do transformador.
Neste semiciclo, D2 e D3 estaro cortados.
Observar que a corrente na carga RL neste semiciclo tem o mesmo sentido que no ciclo anterior,
confirmando a retificao atravs da ponte de diodos, gerando na carga uma tenso positiva igual a V2 menos
a queda nos diodos D1 e D4, como pode ser observado na figura 5C, anteriormente mostrada.
O valor da tenso mdia na carga, que o mesmo que a tenso contnua Vcc dado por:
Vcc = 0,636 . (V2p 2 .Vd), onde:
Vcc o valor de tenso contnua na carga;
V2p a tenso de pico no secundrio do transformador;
e
Vd a queda de tenso nos diodos que esto conduzindo.
A corrente contnua que circula na carga calculada por: Icc = Vcc/RL.
27
Eletrnica
Um exemplo desta ponte retificadora (bridge rectifiers) a ponte da Semikron, denominada SKB2 que
podem ser do tipo /0x L5A onde x pode ser 02, 04, 08 ou 12, dependendo da tenso reversa Vrsm.
Todas apresentam corrente de trabalho de 2,5 A temperatura ambiente de 45 C.
+V2p
Vrl
Vond
V2p
C
RL
Vrl
t
FUNCIONAMENTO
Observando a figura acima, pode-se verificar que durante o tempo em que a tenso V2 atinge o valor
mximo (V2p), o diodo est polarizado diretamente, portanto conduz e carrega o capacitor atravs da corrente
que vem da fonte, com valor de tenso V2p.
Logo depois de passar pelo pico positivo, o diodo para de conduzir, pois a tenso do capacitor se torna
maior que a tenso da fonte que est diminuindo do valor de pico em direo a zero Volts.
Com o diodo cortado, o capacitor descarrega-se atravs da resistncia de carga.
O descrito acima s vai acontecer se a Constante de tempo de descarga for muito maior que o
perodo T da tenso de entrada (Constante de tempo o produto do valor de RL por C, que dado em
Segundos se RL for dado em Ohms e C for dado em Faraday).
Devido a este fato, o capacitor perde somente uma pequena parte da sua carga durante o tempo em
que o diodo est cortado, como mostra a figura 7B.
Quando a tenso da fonte atinge novamente o seu valor de pico, o diodo conduz durante um curto
intervalo de tempo (com inicio de conduo um pouco antes da tenso chegar ao pico) e recarrega o capacitor
novamente at a tenso de pico.
Pode-se notar, pela figura 7B, que a tenso na carga (que a mesma do capacitor) apresenta
ondulaes causadas pela carga e descarga do capacitor.
Quanto menor a ondulao, melhor a filtragem. Uma forma de diminuir essa ondulao aumentar a
constante de tempo da descarga (RL x C).
Como geralmente no se pode controlar RL (seu valor inerente ao equipamento ou componente que
est sendo alimentando), resta aumentar o valor de C para diminuir esta ondulao.
Para o retificador de onda completa, a anlise a mesma, exceto que o perodo da onda de tenso a
metade (pois a freqncia de 120 Hz, o dobro da rede eltrica), o que implica em menor tempo para o
28
Eletrnica
eletroltico fenmeno pelo qual os ons se orientam e se descarregam sob ao de um campo eltrico.
29
Eletrnica
FIXAO DA APRENDIZAGEM:
Aps estudar toda a UNIDADE II, responda as questes abaixo, caso tenha dvida, volte ao texto:
1. A
a. (
b. (
c. (
d. (
2.
a. (
b. (
c. (
d. (
3.
a. (
b. (
c. (
d. (
medida em Hertz:
) tenso
) corrente
) frequencia
) potencia
) tenso rms
) tenso de pico
) tenso media
) nda
5.
a. (
b. (
c. (
d. (
a. (
b. (
c. (
d. (
) osciloscpio
) voltimetro
) ampermetro
) ohmmetro
30
Eletrnica
14.
a. (
b. (
c. (
d. (
15.
a. (
b. (
c. (
d. (
Na saida de um retificador de meia onda, qual a frequencia dos pulso para uma rede eltrica de 60HZ:
) 100 HZ
) 80 HZ
) 60 HZ
) 50 HZ
16.
a. (
b. (
c. (
d. (
No retificador em ponte, para efeito de calculo, quanto a vale a quede tenso nos diodos:
) 1,4 V
) 0,7 V
) 2,1 V
) 1,0 V
17.
a. (
b. (
c. (
d. (
18.
a. (
b. (
c. (
d. (
19.
a. (
b. (
c. (
d. (
20.
a. (
b. (
c. (
d. (
31
Eletrnica
21.
a. (
b. (
c. (
d. (
22.
a. (
b. (
c. (
d. (
23.
a. (
b. (
c. (
d. (
24.
a. (
b. (
c. (
d. (
25.
a. (
b. (
c. (
d. (
26. Se na sada do transformador temos uma tenso de 9Vrms, quanto teremos na sada de um retificador de
meia onda (2 casas depois da virgula):
a. ( ) 4,55 V
b. ( ) 4,00 V
c. ( ) 3,50 V
d. ( ) 3,82 V
27.
a. (
b. (
c. (
d. (
28.
a. (
b. (
c. (
d. (
29. Na sada de um filto capacitivo, est ligado uma carga de resistncia igual a 500, se no secundrio do
transformador de uma tenso de 12Vrms, calcule a corrente eltrica na carga:
a. ( ) 34 mA
b. ( ) 40 mA
c. ( ) 30 mA
d. ( ) 44 mA
30. Um retificador em ponte fornece para a carga uma tenso de 15 V e uma corrente de 500mA, possuindo
como filtro um capacitor eletroltico de 680uF. Qual o valor da tenso de ondulao na carga?(Somente o
nmero inteiro).
a. ( ) 5,0 V
b. ( ) 3,0 V
c. ( ) 8,0 V
d. ( ) 6,0 V
32
Eletrnica
COMPONENTES OPTOELETRNICOS
Estes componentes so resultantes da associao de tecnologia eletrnica com a ptica. So diversos
os componentes optoeletrnicos existentes, tais como os LEDs, os Displays de 7-segmentos, os
fotodiodos, os optoacopladores, entre outros.
Enquanto os diodos comuns so fabricados com silcio ou germnio, os LEDs utilizam elementos
qumicos como Glio, Arsnio, Fsforo.
Existem LEDs de cores variadas, bem como o tamanho, formato e aplicao.
A tabela abaixo mostra algumas caractersticas dos LEDs.
Simbologia
Formato
Identificao
Cores
Infravermelho
Vermelho
Amarelo
Laranja
Verde
As cores so
resultante
do
comprimento de
onda da radiao
do material do
qual constitudo
o diodo
33
Eletrnica
Geralmente os fabricante de LEDs especificam o valor da tenso de conduo, da corrente nominal (ou
mxima) do LED e outras caractersticas tais como tenso de ruptura, cor, dimenses, ngulo de abertura da
emisso de luz e comprimento de onda da luz emitida.
Tipicamente a corrente direta do LED situa-se entre 10 e 20mA.
Portanto, para efeitos prticos pode-se utilizar o valor de 10mA para um brilho mdio ou 20 mA para
um brilho maior, observando sempre para no ultrapassar o valor mximo especificado, em torno de 30 a
50mA.
Portanto, na utilizao de um LED, deve ser calculado o valor do resistor em srie a ser utilizado com
o LED, de modo a limitar a corrente no mesmo.
R
Vcc
VL
I =( Vcc - VL )/ R
Exemplo:
Calcular o valor do resistor no circuito acima para que o LED acenda com brilho normal. Considere Vcc
= 5Volts.
I = ( Vcc - VL )/ R R = ( Vcc - VL ) / I . Ento, podemos considerar I= 10mA e VL = 2Volts. Isso
resulta em um resistor de:
R = (5-2)/0,01 R= 300 .
Existem tambm os LEDs denominados Bicolores.
Emitem , por exemplo, luz verde quando esto polarizados em um sentido e luz vermelha quando em
outro (como exemplo, o L24R3000).
Podem ainda emitir luz laranja (vermelho + verde) quando submetidos uma tenso alternada.
tambm possvel encontrar o resistor limitador de corrente j integrado ao LED.
DISPLAY DE 7-SEGMENTOS
Estes mostradores so utilizados para indicar nmeros atravs da composio de segmentos, que
acesos indicam o nmero desejado.
Cada um dos segmentos um LED como pode ser observado no desenho do display e seu circuito
equivalente, mostrado a seguir.
+
a
34
Eletrnica
O display mostrado acima do tipo anodo comum e ainda possui o indicador de ponto decimal.
FOTODIODO
um diodo que conduz corrente reversa quando sofre incidncia de luz visvel ou no.
A corrente reversa nos diodos comuns, como j foi visto, resultante do efeito da temperatura
ambiente que gera os pares eltrons-lacunas (portadores minoritrios) na juno PN.
Nos fotodiodos a gerao de pares eltrons-lacunas resultante de luz incidente na juno PN.
Por meio de uma janela transparente destes componentes possvel a passagem de luz atravs do
invlucro, atingindo a juno.
Quanto mais luz , mais portadores minoritrios so produzidos e maior a corrente reversa resultante.
Fig 3 Led
Alta intensidade
catodo comum
LONGA DISTNCIA
35
Eletrnica
OPTOACOPLADOR
O optoacoplador tambm conhecido como optoisolador.
constitudo por um LED e um fotodiodo numa nica embalagem.
Existem diversos outros tipos de optoacopladores que utilizam, ao invs do fotodiodo, outros
componentes optoeletrnicos tal como:
a) fototransistor,
b) o fototransistor Darlington,
c) o fotoSCR, etc.
A figura abaixo mostra a simbologia para o optoacoplador com optodiodo.
Uma grande vantagem na utilizao deste componente a sua alta isolao entre o circuito de
entrada e o circuito de sada.
Desta forma pode ser utilizado para interligar circuitos de tenso elevada circuitos de baixa tenso,
com total isolao entre eles, existindo somente um feixe de luz que liga ambos os circuitos.
um diodo que apresenta como caracterstica principal um valor de capacitncia entre seus
terminais, sendo que este valor pode ser controlado pela tenso reversa a ele aplicada.
Este diodo muito utilizado em receptores de televiso, rdios AM e FM e osciladores.
Quando um diodo polarizado reversamente, sua regio de depleo aumenta.
a)
b)
Regio de depleo
Rr
CT
Circuito equivalente
do varactor
Simbologia do
varactor
A figura acima mostra uma juno PN reversamente polarizada, onde pode-se observar que a juno
PN assemelha-se a um capacitor, sendo as regies P e N as placas e a regio de depleo o dieltrico.
O varactor um diodo construdo com essa finalidade e a capacitncia entre os seus terminais
chamada de capacitncia de transio (CT), tambm conhecida como:
a)
36
Eletrnica
A figura tambm mostra o circuito equivalente para um diodo com polarizao reversa.
Uma resistncia reversa Rr est em paralelo com a capacitncia de transio CT .
O funcionamento deste diodo simples:
Como a camada de depleo fica mais larga quanto maior a tenso reversa, a capacitncia de transio
torna-se menor.
como afastar as placas de um capacitor.
Nos rdios receptores, a sintonia de uma emissora realizada atravs do ajuste de um capacitor
varivel (que fica em paralelo com um indutor, configurando o que denominamos de circuito de sintonia ou
filtro LC), ajuste este realizado mecanicamente.
Quando utilizamos um varactor, este ajuste pode ser feito automaticamente, controlado atravs da
tenso reversa aplicada ao componente.
Nas especificaes dos varactors, o fabricante d um valor de referncia da capacitncia media a uma
dada tenso reversa, tipicamente, -4V.
Por exemplo, a folha de dados de um 1N5142 menciona uma capacitncia de 15pF em 4V.
Faixa de sintonia de 3:1 para uma faixa de tenso de 4 a 60V.
60V.
Isto significa que a capacitncia diminui de 15pF para 5pF quando a tenso reversa varia de 4V para
A figura abaixo mostra um grfico da tenso reversa versus capacitncia de transio.
CT
Vr
Fabricante
Philips
Philips
Vr max
28 V
30 V
Ir mx
10 nA
10 nA
Ct mx @Vr = 1V
39-46 pF
18 pF
Ct mx @ Vr = 28V
4-5 pF
1,8-2,2 pF
Razo de Ct mn
8-10
7,6
DIODOS SCHOTTKY
Os diodos comuns quando trabalham em freqncias baixas podem facilmente desligar-se quando a
polarizao passa de direta para reversa.
No entanto, em freqncias altas quando o diodo comuta de polarizao direta para reversa, devido
a grande velocidade de inverso da polaridade, as cargas armazenadas na juno (eltrons no lado P e lacunas
no lado N) quando o diodo estava diretamente polarizado, podem fluir no sentido reverso durante um curto
perodo de tempo (devido a nova polarizao), dando origem uma corrente reversa.
O tempo para que um diodo se desligue (passar do estado de conduo para o estado de corte)
denominado tempo de recuperao reversa (trr).
Para fazer este tempo bem pequeno foram construdos os DIODOS SCHOTTKY, que possuem um
tempo de recuperao reversa bastante pequeno (da ordem de pico-segundos), fazendo com que estes
componentes sejam utilizados em circuitos com altas freqncias (aplicaes de UHF, VHF, deteco,
comutao).
A tenso de conduo destes diodos tambm menor (0,25V em vez de 0,7V dos diodos comuns).
Por este fato, estes diodos so tambm utilizados como retificadores em fontes de baixa tenso e
largamente utilizados em eletrnica digital, na famlia de circuitos TTL Schottky (S, LS e ALS).
37
Eletrnica
REGULADORES DE TENSO
DIODO ZENER
O diodo Zener um componente que mantm a tenso constante entre seus terminais quando a
corrente que circula sobre ele varia.
a pea mais importante dos reguladores de tenso , que so os circuitos que mantm a tenso da
carga praticamente constante apesar de variaes na tenso de alimentao e/ou da resistncia de carga.
tambm chamado de diodos de ruptura, pois otimizado para trabalhar na regio de ruptura do
diodo, diferentemente dos diodos comuns, que so utilizados na regio de conduo e longe da tenso de
ruptura.( POLARIZADO REVERSAMENTE)
A figura abaixo mostra o smbolo esquemtico do diodo Zener. Variando o nvel de dopagem dos diodos
de silcio , o fabricante pode produzir diodos Zener com tenses de ruptura (ou tenso reversa mxima) de 2 a
200 Volts.
Abaixo est tambm a curva caracterstica de um diodo Zener.
I
Iz
(Min)
38
Eletrnica
ZENER
SIMILAR
TENSO (VZ)
POTNCIA (WATTS)
1N746A
1N747A
1N748A
1N750A
1N751A
1N752A
1N753A
1N754A
1N755A
1N756A
1N757A
1N758A
1N962B
1N759A
1N964B
1N965B
1N966B
1N967B
1N968B
1N969B
1N970B
1N971B
1N972B
1N973B
BZX79C3V3
BZX79C3V6
BZX79C3V9
BZX79C4V7
BZX79C5V1
BZX79C5V6
BZX79C6V2
BZX79C6V8
BZX79C7V5
BZX79C8V2
BZXT9C9V1
BZX79C10
BZX79C11
BZXT9C12
BZX79C13
BZX79C15
BZX79C16
BZX79C18
BZX79C20
BZX79C22
BZX79C24
BZX79C27
BZX79C30
BZX79C33
3,3
3,6
3,9
4,7
5,1
5,6
6,2
6,8
7,5
8,2
9,1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
0,5
0,5
0,5
0,5
0,5
0,5
0,5
0,5
0,5
0,5
0,5
0,5
0,5
0,5
0,5
0,5
0,5
0,5
0,5
0,5
0,5
0,5
0,5
0,5
ZENER
SIMILAR
TENSO (VZ)
POTNCIA (WATTS)
1N4728A
1N4729A
1N4730A
1N4731A
1N4732A
1N4733A
1N4734A
1N4735A
1N4736A
1N4737A
1N4738A
1N4739A
1N4740A
1N4741A
1N4742A
1N4743A
1N4744A
1N4745A
1N4746A
1N4747A
1N4748A
1N4749A
1N4750A
1N4751A
1N4752A
BZX81C3V3
BZX81C3V6
BZX81C3V9
BZX81C4V3
BZX81C4V7
BZX81C5V1
BZX81C5V6
BZX81C6V2
BZX81C6V8
BZX81C7V5
BZX81C8V2
BZX81C9V1
BZX81C10
BZX81C11
BZX81C12
BZX81C13
BZX81C15
BZX81C16
BZX81C18
BZX81C20
BZX81C22
BZX81C24
BZX81C27
BZX81C30
BZX81C33
3,3
3,6
3,9
4,3
4,7
5,1
5,6
6,2
6,8
7,5
8,2
9,1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
39
Eletrnica
Os fabricantes tambm podem especificar a corrente mxima que o Zener pode suportar .
Esta corrente mxima est relacionada com a potncia mxima atravs de: Izm = Pzm/Vz, onde a letra
m significa o mximo daquelas grandezas.
A caracterstica fundamental do diodo Zener sua capacidade de regular a tenso entre seus
terminais, mantendo-a constante, mesmo que a corrente que passa sobre ele varie.
A figura abaixo ilustra um exemplo desta aplicao:
Rs = 100
VZ = 12V
Vcc = 20V
O diodo do circuito ao lado um Zener de 12V, ligado uma fonte de 20V, atravs de um resistor
limitador de corrente, Rs = 100 Ohms.
A corrente no diodo nestas condies :
Iz = (Vcc Vz) / Rs.
Portanto, Iz = (20 12) / 100 .
Finalmente, Iz = 80mA.
Se a tenso da fonte, por qualquer motivo, cair para 15V, a tenso de sada Vz permanecer em 12 V
e a corrente no Zener mudar para:
Iz = (15 12) / 100 , ou seja Iz= 30mA.
Portanto, variaes na tenso de entrada do circuito, mantm Vz constante.
Na verdade a tenso Vz pode variar alguns dcimos de Volts quando h grandes variaes de corrente
sobre o diodo Zener.
Observando a curva caracterstica de um Zener (regio de ruptura) pode-se notar que existe uma leve
inclinao para a esquerda quando a corrente Iz aumenta.
Isto significa que o diodo Zener real tem uma pequena resistncia Rz .
Assim uma boa aproximao para o Zener seria uma bateria com valor Vz e uma resistncia Rz em
srie. O valor desta resistncia pode ser calculado como:
Rz = Vz / Iz, onde Rz a resistncia Zener , Vz a variao na tenso Zener e Iz a variao da
corrente Zener.
Exemplo:
Ao verificar a curva caracterstica de um diodo Zener de 15V, observa-se que quando a corrente Iz=
10mA a tenso Vz = 15V e quando a corrente Iz = 80 mA a tenso Vz = 15,12V. Qual o valor da resistncia
Zener ?
Rz = Vz / Iz, Rz = (15,12 15) / ( 0,08 0,01) Rz = 0,12 / 0,07 Rz = 1,71
Para manter uma carga com tenso constante VL, independente das variaes que possa existir da
fonte de tenso ou da prpria carga, utiliza-se o diodo Zener na forma indicada na figura abaixo.
40
Eletrnica
Diz-se que no circuito mostrado, o diodo regula o valor da tenso atravs de RL (carga).
Is
Rs
Iz
VF
I
a
VZ
RL
No circuito temos:
VF: representa uma fonte de tenso varivel, ou seja, simula variaes de tenso da fonte (variaes
de rede, ondulao, etc);
RL: representa uma resistncia varivel para simular variaes da carga (variao com temperatura,
cargas com caractersticas diferentes, etc);
Rs: Resistor limitador de corrente no Zener;
Vz: diodo com tenso Zener que se deseja para a carga.
Inicialmente, para que tal regulao seja possvel necessrio verificar algumas condies:
1- Qual o valor da tenso da fonte para que o Zener funcione?
Em primeiro lugar tem que ser maior que a tenso desejada na carga.
Para saber o quanto, deve-se observar que RL est em srie com Rs, formando um divisor de tenso.
O valor desta tenso pode ser obtido pelo Teorema de Thevenin.
Para o funcionamento do Zener na regio de ruptura (portanto, onde ele atua como regulador)
Vth deve ser maior que Vz.
2- Quais as relaes entre as correntes do circuito? (Is, Iz e IL)
a) O valor da corrente no resistor limitador de corrente Rs, dado pela Lei de Ohm :
b)
c)
3-
A corrente na carga IL pode ser obtida tambm pela Lei de Ohm. IL = VL/RL. Como VL = Vz, ento IL =
Vz/ RL.
A corrente no diodo Zener obtida aplicando-se a Lei de Kirchhoff para a corrente no n a : Is = Iz
+ IL. Ento Iz = Is - IL .
Quanto aos valores obtidos para a corrente Iz, deve ser observado:
a)
Se a corrente Iz obtida no menor que Izmn para manter o diodo Zener funcionando.
O valor de Izmin pode ser obtido da folha de dados do fabricante ou uma boa aproximao seria considerlo 10% de Izmx quando no se dispe do dado;
b)
Se a corrente Iz obtida no maior que Izmx, que a mxima corrente reversa que o diodo Zener
suporta, pois se for ultrapassada, o Zener ser danificado.
Exemplo:
Considere o seguinte regulador dado abaixo.
Verificar se possvel seu funcionamento e calcular as correntes Is, Iz e IL.
Is
VF=12V
Rs=100
VZ
RL= 200
41
Eletrnica
Vth =
RL
Vf
Rs + RL
Vth = 200x12/(100+200)
Vth = 8V que maior que Vz = 5V.
Portanto o regulador funciona normalmente, com relao condio de tenso da fonte.
Is = Vs/Rs;
Vs = Vf Vz.
Ento:
Is = (12-5)/100
Is=70mA.
IL = VL/RL
IL = 5/200
IL = 25mA..
Ento:
Iz = Is- IL
Iz = 70 25
Iz = 45mA.
Observa-se que Iz < Iz(Mx)
VARIAES DA TENSO DA FONTE E DO VALOR DA CARGA
Com relao a estas variaes, pode-se considerar quatro casos possveis:
1)
Se RL aumentar (o que o mesmo que IL diminuir), mantendo a tenso da fonte constante, teremos:
Se RL diminuir ( o que o mesmo que IL aumentar), mantendo a tenso da fonte constante, teremos:
(Equao 1)
42
Eletrnica
(Equao 2)
Isso significa que deve ser escolhido um valor para Rs que no ultrapasse o valor obtido de Rs(mx).
Os valores Vs(mn), Vz e IL(mx) so os dados do regulador que se quer projetar ou analisar.
CONDIO DE CORRENTE MXIMA NO ZENER
Para evitar que o diodo Zener ultrapasse o valor da corrente mxima especificada pelo fabricante,
deve-se analisar o pior caso.
Assim, tem-se:
Iz(mx) = Is(mx) IL(mn)
(Equao 3)
(Equao 4)
Portanto deve-se sempre escolher Rs de forma que Rs > Rs(mn), para que a condio
mxima, especificada cima, seja satisfeita.
Para resumir, pode-se extrair das equaes 2 e 4 uma condio para o resistor Rs:
a)
b)
de corrente
43
Eletrnica
Veja a tabela:
Regulador +
7805
7806
7808
7809
7812
7815
7818
7824
VSADA
+5V
+6V
+8V
+9V
+12V
+15V
+18V
+24V
Regulador 7905
7906
7907
7909
7912
7915
7918
7924
VSADA-5V
-6V
-8V
-9V
-12V
-15V
-18V
-24V
Como so fontes de alimentao com corrente mxima de 1A, podemos utilizar diodos 1N4007 para
retificao (agentam at 1000V de tenso reversa) e como elemento de filtragem, o capacitor eletroltico de 1000 F,
a priori, deve ser suficiente (a tenso de isolao depende da tenso do secundrio do trafo).
Um detalhe importante a colocao de um fusvel de proteo logo na entrada do transformador para
proteo de todo o prottipo.
Quando o trafo tem 3 fios no secundrio dizemos que um deles a tomada central (TC).
Fig. Fonte de alimentao com retificador em onda completa com TC usando regulador fixo positivo
Fig. Fonte de alimentao com retificador em onda completa com TC usando regulador fixo negativo
Fig. Fonte de alimentao com retificador em onda completa em ponte usando regulador fixo positivo
Vamos supor que queiramos optar por retificador em onda completa com TC.
Basta seguirmos esta tabela para que possamos construir nossa fonte estabilizada com regulador integrado.
44
Eletrnica
VSADA
+5V
+6V
+8V
+9V
+12V
+15V
+18V
+24V
Regulador
7805
7806
7808
7809
7812
7815
7818
7824
Transformador
Cap. Eletroltico
Fusvel
1000F /16V
1000F /16V
1000F /16V
1000F /25V
1000F /25V
1000F /40V
1000F /50V
1000F /63V
200 mA
250 mA
250 mA
300 mA
300 mA
400 mA
400 mA
500 mA
Fig. Fonte de alimentao com retificador em onda completa em ponte simtrica (reguladores + e -)
45
Eletrnica
VSADA
Reguladores
+5V e 5V
+6V e 6V
+8V e 8V
+9V e 9V
+12V e 12V
+15V e 15V
+18V e 18V
+24V e 24V
7805 e 7905
7806 e 7906
7808 e 7908
7809 e 7909
7812 e 7912
7815 e 7915
7818 e 7918
7824 e 7924
Transformador
Sada 5+5V 3A
Sada 7,5+7,5V 3A
Sada 7,5+7,5V 3A
Sada 9+9V 3A
Sada 12+12V 3A
Sada 15+15V 3A
Sada 18+18V 3A
Sada 24+24V 3A
Caps. Eletrolticos
Fusvel
1000F /16V
1000F /16V
1000F /16V
1000F /25V
1000F /25V
1000F /40V
1000F /50V
1000F /63V
400 mA
500 mA
500 mA
600 mA
600 mA
800 mA
800 mA
1000 mA
Outra forma de alterar levemente a tenso de sada de um regulador fixo utilizar um divisor de tenso com
trimpot na sada como mostra a figura seguinte.
46
Eletrnica
FIXAO DA APRENDIZAGEM:
Aps estudar
texto:
1.
a. (
b. (
c. (
d. (
toda a UNIDADE III, responda as questes abaixo, caso tenha dvida, volte ao
a. (
b. (
c. (
d. (
) 0,5 a 1,0V
) 1,5 a 2,5V
) 1,0 a 8,0V
) nda
7. Em srie com o led devemos colocar que evitar que ele se danifique:
a. ( ) resistor
b. ( ) capacitor
c. ( ) diodo
d. ( ) transistor
8. Cada segmento luminoso do Display de 7 segmentos um:
a. ( ) diodo
b. ( ) fotodiodo
c. ( ) led
d. ( ) fototransistor
9.
a. (
b. (
c. (
d. (
47
Eletrnica
13.
a. (
b. (
c. (
d. (
14.
a. (
b. (
c. (
d. (
15.
a. (
b. (
c. (
d. (
16.
a. (
b. (
c. (
d. (
17.
a. (
b. (
c. (
d. (
18.
a. (
b. (
c. (
d. (
19.
a. (
b. (
c. (
d. (
20.
a. (
b. (
c. (
d. (
48
Eletrnica
21.
a. (
b. (
c. (
d. (
22. Para manter as suas especificaes de tenso e corrente num circuito, o diodo zener precisa ser associado
a:
a. ( ) capacitor
b. ( ) resistor
c. ( ) potenciometro
d. ( ) diodo
23.
a. (
b. (
c. (
d. (
Para funcionar como regulador de tenso o diodo zener deve ser polarizado:
) reversamente
) diretamente
) com alta tenso
) com baixa tenso
24.
a. (
b. (
c. (
d. (
25.
a. (
b. (
c. (
d. (
Se polarizarmos o diodo Zener 1N965B como uma tenso de 9V, a tenso de sada ser:
) 9,0 V
) 15 V
) 6,0 V
) 24 V
26.
a. (
b. (
c. (
d. (
Quando polarizarmos diretamente o diodo zener, ele oferecer uma queda de tenso de:
) 0,5 V
) 1,1 V
) 1,4 V
) 0,7 V
27.
a. (
b. (
c. (
d. (
Os diodos comuns quando trabalham em freqncias baixas podem facilmente desligar-se quando:
) a polarizao passa de reversa para direta
) a polarizao passa de direta para reversa
) a polarizao passa de anodo para catodo
) a tenso passa de direta para reversa
28.
a. (
b. (
c. (
d. (
29.
a. (
b. (
c. (
d. (
30.
a. (
b. (
c. (
d. (
49
Eletrnica
50
Eletrnica
Assim, todo transistor bipolar, seja ele "N-P-N" ou "P-N-P", possui trs terminais: EMISSOR, BASE e COLETOR
(figura 3), e cada um deles tem um significado especial, de acordo com a funo desempenhada pelo correspondente
terminal.
51
Eletrnica
52
Eletrnica
53
Eletrnica
2) A juno base-coletor polarizada no sentido inverso e, neste caso, como ela apresenta uma resistncia hmica
muito elevada, tambm podemos dizer que ela polarizada no sentido de alta resistncia. (esta da ordem de 1
M ).
Tendo em vista estes dois fatos, podemos dizer que o transistor "transfere" a corrente de uma regio de baixa
resistncia (juno base-emissor) para uma regio de alta resistncia (juno base-coletor), recebendo, ento,
denominado de RESISTNCIA DE TRANSFERNCIA.
Na figura 10 temos um resumo das polarizaes de um transistor bipolar.
No tipo "P-N -P", o coletor (cristal P) ligado ao plo negativo (N) da bateria.
AMPLIFICADORES:
54
Eletrnica
Figura 11:
a) IMPEDNCIA DE ENTRADA (Ze): por definio, ela igual ao quociente entre a tenso de entrada (Ee =
tenso CA do sinal de entrada) e a corrente de entrada (Ie = corrente CA do sinal de entrada):
Ze=Ee / Ie
Para o amplificador em emissor comum, a impedncia de entrada est compreendida entre 10 e 10K.
b) IMPEDNCIA DE SADA (Zs): por definio, ela igual ao quociente entre a tenso CA do sinal de sada
(Es), quando a sada esta em vazio (isto , Is = 0) e a corrente CA do sinal de sada (Is), quando a sada est
em curto-circuito (Es =0):
Zs= Es (sada em vazio) / Is (sada em curto)
Para o amplificador em emissor comum, a impedncia de sada esta situada entre 10K e 100K .
c) AMPLIFICAO DE CORRENTE (Ai): o quociente entre a corrente CA do sinal de sada e a corrente CA do
sinal de entrada:
Ai = Is / Ie
Para o amplificador em emissor comum, a amplificao de corrente est compreendida entre 10 e 100 vezes.
d) AMPLIFICAO DE TENSO (Av): o quociente entre a tenso CA do sinal de sada e a tenso CA do sinal
de entrada:
Av = Es / Ee
Para o amplificador em emissor comum, a amp1ificao de tenso est situada entre 100 e 1000 vezes.
e) AMPLIFICAO DE POTNCIA (Ap): igual ao produto entre a amplificao de corrente e a amplificao de
tenso:
Ap = Ai x Av
Para o amplificador em emissor comum, a amplificao de potncia est compreendida entre 1.000 e 100.000
vezes.
f) RELAO DE FASE: Num circuito amplificador em emissor comum, ocorre uma defasagem de 180 entre a
tenso do sinal de sada e a tenso do sinal de entrada (180 = 180 graus).
CARACTERSTICAS DO AMPLIFICADOR EM BASE COMUM
No circuito tpico de um amplificador em base comum (figura 12), Vee a bateria que alimenta o emissor e,
juntamente com R1, polariza a juno base-emissor no sentido direto enquanto que R2 e Vcc polarizam a juno basecoletor no sentido inverso.
O sinal de entrada aplicado entre o emissor e a base do transistor, por intermdio do condensador C1.
O sinal de sada obtido entre o coletor e a base do transistor atravs do condensador de acoplamento C2.
55
Eletrnica
(entre
0,95
0,99).
Figura 13: Amplificador em coletor comum (seguidor de emissor) caractersticas de um circuito amplificador em
coletor comum:
56
Eletrnica
Emissor Comum
Base Comum
Baixa (2k)
Coletor Comum
Muito Alta (300K)
Mdia (30K)
Alta (100)
Alta (1000)
Alta (100)
Muito Baixa (1)
Mdia (1000)
Baixa (100)
Relao de Fase
180
No H
No H
57
Eletrnica
Condies do projeto :
1
2
3
4
5
- VCC = 5 Volts ;
- IC = ILED ;
- Transistor para aplicao geral, trabalhando na regio de saturao e da famlia BC5XX ;
- LED de uso geral ( verde, vermelho ou amarelo ) de 5 mm de dimetro ;
Capacitor a ser calculado para uso final do circuito como multivibrador ;
Inicialmente , buscar atravs de manuais dos fabricantes, especificaes para o diodo LED e para o transistor
a ser utilizado; o que devemos procurar :
Para o diodo LED : corrente ILED e tenso VLED no sentido direto;
Para o transistor : VCE(sat) e VBE(sat) ;
58
Eletrnica
Calcular o capacitor pela frmula T = 0,7 RB.C ( expresso do semi-perodo de oscilao do multivibrador
astvel ) ; como queremos enxergar o diodo LED piscando , escolher uma freqncia f compatvel , por ex. entre
Obrigatoriamente o capacitor deve ser eletroltico e, portanto, polarizado ; para compra , especificar um valor
comercial existente com tenso de trabalho superior a VCC .
59
Eletrnica
FIXAO DA APRENDIZAGEM:
Aps estudar toda a UNIDADE IV, responda as questes abaixo, caso tenha dvida, volte ao texto:
1. Os Transistores Bipolares so divididos em:
a. ( ) npn e pnp
b. ( ) npn e bec
c. ( ) bec e pnp
d. ( ) nda
2. Num transistor, cuja base seja formada por um elemento tipo p, ele do tipo:
a. ( ) npn
b. ( ) pnp
c. ( ) ppn
d. ( ) nnp
3. O nome bipolar, referente:
a. ( ) a quantidade de terminais
b. ( ) a dois elementos N
c. ( ) a dois elementos P
d. ( ) ao elementos P e N.
4. Os terminais de um transistor bipolar so:
a. (
b. (
c. (
d. (
5. Se num o elemento que forma o emissor for do tipo N, o elemento do coletor ser:
a. ( ) N
b. ( ) P
c. ( ) PN
d. ( ) tanto faz
6. Para o funcionamento adequado do transistor, sempre base e emissor devem ter:
a. (
b. (
c. (
d. (
) a mesma tenso
) a mesma polaridade
) a mesma corrente eltrica
) nda
7. Quando polarizamos num transistor da base positivamente e temos corrente no emissor, temos:
a. ( ) um transistor pnp
b. ( ) um transistor npn
c. ( ) o transistor sempre queimar
d. ( ) nunca ir conduzir
8. Para que o transistor npn conduza necessrio sempre:
a. ( ) polarizarmos o emissor reversamente
b. ( ) polarizarmos a base reversamente
c. ( ) polarizarmos o coletor diretamente
d. ( ) polarizarmos o emissor diretamente
9. A
a. (
b. (
c. (
d. (
60
Eletrnica
Se a corrente eltrica que estiver passando pelo coletor for da ordem de mA, a corrente no emissor ser:
) micro Amperes
) mili Amperes
) Amperes
) nda
13.
a. (
b. (
c. (
d. (
14.
a. (
b. (
c. (
d. (
15.
a. (
b. (
c. (
d. (
16.
a. (
b. (
c. (
d. (
17.
a. (
b. (
c. (
d. (
18.
a. (
b. (
c. (
d. (
19.
a. (
b. (
c. (
d. (
No amplificador de emissor comum, a relao de fase entre o sinal que sai e o que entra de:
) 180
) 90
) 45
) 210
20.
a. (
b. (
c. (
d. (
21.
a. (
b. (
c. (
d. (
61
Eletrnica
22.
a. (
b. (
c. (
d. (
23.
a. (
b. (
c. (
d. (
24.
a. (
b. (
c. (
d. (
25.
a. (
b. (
c. (
d. (
26.
a. (
b. (
c. (
d. (
27.
a. (
b. (
c. (
d. (
28.
a. (
b. (
c. (
d. (
29.
a. (
b. (
c. (
d. (
30.
a. (
b. (
c. (
d. (
62
Eletrnica
JFET
O primeiro FET desenvolvido foi o de juno, FET (Junction Field Efect Transistor).
H dois tipos: Canal N e Canal P.
Sua estrutura consiste numa barra de material semicondutor N (ou P), envolvida no centro com material P
(ou N), a regio N (ou P) esta parte, estreita, chamado canal, por influir a corrente controlada.
Note que em torno de um canal forma-se uma regio de potencial na juno PN.
Esta barreira restringe a rea de conduo de canal ao outro.
FUNCIONAMENTO
Na figura acima temos o circuito de teste JFET com uma fonte varivel VES, que controla a corrente do canal
ID. Note que VES, na polarizao reversa (- no gate P).
63
Eletrnica
Inicialmente fazemos VES = 0. O canal N est normalmente aberto, pois a barreira de potncia mnima,
assim, circula uma corrente mxima chamado IDSS, caracterstica do JFET para VDS.
Agora vamos aumentar VDS, fazendo que a largura da barreira de potencial aumente.
Ento a rea de conduo diminui, que diminui a corrente de dreno.
O campo eltrico entre a porta e a fonte repele eltrons ao canal, nas proximidades da juno e a corrente
fica confinada ao centro, diminuindo.
Este o efeito de campo, que d nome ao transistor.
Quando maior a tenso reversa VES, menor a corrente de dreno, com VDS fixa.
Se aumentarmos gradualmente, chegar num ponto em que a corrente se anular.
A tenso VGS nesse ponto chamado VGSoff ou VGScorte, a tenso de estrangulamento do canal, ou de
corte.
CURVAS CARACTERSTICAS
H dois tipos::
Transcondutncia;
Dreno.
CURVA DE TRANSCONDUTNCIA
Esta curva, vlida para VDS > VGS de corte, descreve o controle de corrente de dreno pela tenso porta /
fonte.
a curva da regio ativa do JFET.
REGIO DE OPERAO
Na regio ativa, a corrente de dreno controlada pela tenso VGS, e quase no varia com tenso VDS
(compartimento de fonte de corrente controlada).
Nesta o JFET pode funcionar como multiplicador de fonte-de-corrente.
64
Eletrnica
O JFET est nesta regio quando VDS > VEScorte nas curvas caractersticas a parte horizontal da curva
para uma certa VGS (toda a rea fora de saturao, hachurada, e entre as curvas Vgs1 e Vgs6).
A saturao ocorre quando VDS < VGScorte.
Aqui a corrente ID depende tanto de VGS como VDS (comportamento de resistor controlado).
Nas curvas caractersticas de dreno, a linha inclinada que une cada curva a origem do grfico.
Repare que as inclinao, relacionada resistncia do canal, diferente em cada uma das curvas (valores de
VGS).
Nesta regio, o JFET atua como resistor controlado por tenso, ou chave, conforme a aplicao.
Quando VGS VGScorte, o JFET est na regio de corte, e a corrente de dreno nula.
Usada na operao como chave (alternando com a saturao - chave fechada).
APLICAES
1) Fonte de Corrente:
Os valores de IDSS e VGScorte variam conforme o tipo e o exemplar, dentro de limites amplos.
Uma polarizao somente pode ser feita atravs de ajuste de trimpot, ou atravs de uma fonte de corrente
com bipolar.
O tipo mais comum a autopolarizao.
65
Eletrnica
Obs.:
Nos amplificadores dreno comum RD no usado.
Ele no altera a corrente de dreno.
A corrente circula em RS, surgindo uma queda de tenso nele.
A porta est aterrada atravs de RG, e ento a tenso em RS aparece entre S e G, polarizando o JFET com
uma tenso reversa, que se ope corrente de dreno (SOURCE), regulando-a atravs de realimentao negativa.
A corrente ento fica dada pelas caractersticas do FET e o valor de RS.
Tambm se usa polarizao por diviso de tenso, semelhante usada com transistor bipolar, mas menos
exata (pouco melhor que a autopolarizao).
b) Fonte Comum:
a mais usada, pois oferece ganho de tenso.
O sinal de entrada aplicado entre a porta e a Fonte, e a sada colhida no dreno.
A fase invertida.
A impedncia de entrada muito grande, j que a juno porta-fonte est polarizada reversamente,
circulando apenas uma desprezvel corrente de fuga.
Na prtica, a impedncia dada pelo resistor RE de polarizao. J a de sada um pouco menor que RD.
O ganho de tenso dado por:
Seu valor na prtica fica entre 3 e 30 vezes, em geral (bem menor que no bipolar).
comum na entrada de instrumentos de medio, e dentro de C.I. analgicos, pela alta impedncia.
Obs:
Cent. pode ser omitido, em algumas aplicaes.
Nos amplificadores com acoplamento direto, todos os capacitores so dispensados, mas o ganho diminui.
66
Eletrnica
FIXAO DA APRENDIZAGEM:
Aps estudar toda a UNIDADE V, responda as questes abaixo, caso tenha dvida, volte ao texto:
1. Como transistores de efeito de campo temos:
a. ( ) fet e mosfet
b. ( ) fet e bipolar
c. ( ) somente os mosfet
d. ( ) mosfet e bipolar
2. No fet, o terminais Source tambm chamado de:
a. ( ) drain
b. ( ) fonte
c. ( ) base
d. ( ) emissor
3. Que tipo valvula o fet similar:
a. ( ) diodo
b. ( ) triodo
c. ( ) pentodo
d. ( ) alta tenso.
4. Quais so os tipos de transistor fet:
a. (
b. (
c. (
d. (
) terminal pnpn
) canal pnp
) canal npn
) canal n e canal p
d. ( ) tanto faz
6. Chamasse de canal num fet, a parte:
a. (
b. (
c. (
d. (
) mais estreita
) mais larga
) mais densa
) nda
9. Quando fixamos a tenso VDS e variamos a tenso VES, quanto maior ela for:
a. ( ) as correntes no se alteram
b. ( ) menor a corrente de source
c. ( ) maior a corrente de gate
d. ( ) menor a corrente de dreno
10. A tenso VGS a tenso entre:
a. ( ) source de dreno
b. ( ) gate e source
c. ( ) entre gate e dreno
d. ( ) nda
67
Eletrnica
13.
a. (
b. (
c. (
d. (
14.
a. (
b. (
c. (
d. (
15.
a. (
b. (
c. (
d. (
16.
a. (
b. (
c. (
d. (
17.
a. (
b. (
c. (
d. (
18.
a. (
b. (
c. (
d. (
19.
a. (
b. (
c. (
d. (
O simbolo da transcondutncia :
) am
) gt
) tm
) gm
20.
a. (
b. (
c. (
d. (
21.
a. (
b. (
c. (
d. (
68
Eletrnica
22.
a. (
b. (
c. (
d. (
23.
a. (
b. (
c. (
d. (
24.
a. (
b. (
c. (
d. (
25.
a. (
b. (
c. (
d. (
26.
a. (
b. (
c. (
d. (
27.
a. (
b. (
c. (
d. (
28.
a. (
b. (
c. (
d. (
29.
a. (
b. (
c. (
d. (
30.
a. (
b. (
c. (
d. (
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Eletrnica
SCR
SCR ou RCS. (Retificador Controlado de Silcio) - Tiristor que atua com um nico sentido de conduo da
corrente eltrica (unidirecional).
Caracteriza-se pela comutao entre dois estados o estado de conduo ou o estado de corte ou bloqueio.
A corrente aplicada nos seus terminais pode se proveniente de uma fonte CC ou CA.
A sua estrutura bsica parte de quatro camadas semicondutores, sendo duas de material semicondutor tipo
"P" e duas de semicondutor tipo "N", conforme mostra a estrutura abaixo.
70
Eletrnica
A nica forma de abrir um SCR por meio de um destravamento por baixa corrente.
Na prtica feito desligando-se a alimentao entre o anodo ou fazendo-se com que esta tenso resulte a um
valor menor que o necessrio para proporcionar a existncia da corrente mnima de manuteno.
Por exemplo o um SCR TIC 106D tem uma corrente de manuteno (IH) de 8 mA, abaixo desse valor ele
subitamente deixar de conduzir e ir tornar-se um circuito aberto, mesmo que a tenso entre o anodo e catado seja
restabelecida.
S ir conduzir novamente se houver um novo disparo.
Observando-se os circuitos equivalentes, fazendo-se uma anlise da polarizao dos transistores, chega-se a
concluso que aps um pulso no gate (porta), o transistor que satura condiciona o outro a permanecer saturado
mesmo que o pulso que provocou o disparo seja retirado.
Ia = corrente de anodo
Il = (latching Courent) corrente de engate
"disparo"
Ih
=
(Holding
manuteno
Courrent)
corrente
de
Mtodos para evitar disparos indesejados Dois mtodos se destacam para evitar disparos indesejados no SCR, so eles o resistor de gate, conectado
entre o gate e o ctodo para desviar parte da corrente capacitiva e o snubber que amortece as variaes bruscas de
tenso entre nodo e ctodo.
71
Eletrnica
DIAC
DIAC ( "Diode Alternating Courrent" ou Diode de Corrente Alternada)
um dispositivo semicondutor constitudo de dois terminais, funcionando como um diodo bidirecional, passa
do bloqueio conduo com qualquer polaridade de tenso aplicada aos seus terminais.
72
Eletrnica
TRIAC
TRIAC ("Triode Alternating Courrent" ou Triodo de Corrente Alternada)
um dispositivo que atua nos dois sentidos de conduo da corrente eltrica (bidirecional), o pulso de disparo
pode ser positivo ou negativo.
O TRIAC tem as mesmas caractersticas bsicas de comutao que o SCR, porm, exibe estas caractersticas
em ambas as direes.
Isto proporciona aos TRIACs maior simplicidade mantendo eficincia, na elaborao de circuitos controladores
de potncia em onda completa.
Funcionamento
Os TRIACs assim como os SCRs, no so construdos para operar com tenso de avalanche direta, so
projetados para fechar por meio de disparo e abrir por meio de baixa corrente.
Porm, exibe as mesmas caractersticas de corrente e tenso nas duas direes.
O dispositivo ativado quando submetido a uma corrente de gate suficientemente alta e desativado pela
simples reduo de sua corrente andica abaixo do valor de manuteno (IH).
73
Eletrnica
Circuitos e Aplicaes
Circuitos com Tiristores - A seguir apresentamos circuitos prticos com tiristores.
74
Eletrnica
Fig2: Transistor Unijuno Programvel Circuito copm resistores de polarizao ( b ) Circuito equivalente de gate
75
Eletrnica
Na Fig02 temos:
UJT :
PUT:
Comparando as duas expresses conclumos que a relao intrnseca de disparo do PUT vale podendo ser ajustada
externamente atravs de RB1 e RB2.
76
Eletrnica
Quando a tenso de nodo cair abaixo da tenso de vale, o PUT voltar a cortar e C volta a se carregar
novamente atravs de R.
Na Fig04 temos:
Onde:
77
Eletrnica
MOSFET
Princpio de funcionamento (canal N)
O terminal de gate isolado do semicondutor por SiO2.
A juno PN- define um diodo entre Source (Fonte) e Drain (Dreno), o qual conduz quando Vds<0.
A operao como transistor ocorre quando Vds>0.
A figura 4.11 mostra a estrutura bsica do transistor.
Quando uma tenso Vgs>0 aplicada, o potencial positivo no gate (porta) repele as lacunas na regio P,
deixando uma carga negativa, mas sem portadores livres.
Quando esta tenso atinge um certo limiar (Vth), eltrons livres (gerados por efeito trmico) presentes na
regio P, so atrados e formam um canal N dentro da regio P, pelo qual torna-se possvel a passagem de corrente
entre D e S.
Elevando Vgs, mais portadores so atrados, ampliando o canal, reduzindo sua resistncia, permitindo o
aumento de da corrente de dreno, Id.
Este comportamento caracteriza a chamada "regio resistiva".
A passagem de Id pelo canal produz uma queda de tenso que leva ao seu afunilamento, ou seja, o canal
mais largo na fronteira com a regio N+ do que quando se liga regio N-.
Um aumento de Id leva a uma maior queda de tenso no canal e a um maior afunilamento, o que conduziria
ao seu colapso e extino da corrente! Obviamente o fenmeno tende a um ponto de equilbrio, no qual a corrente
Id se mantm constante para qualquer Vds, caracterizando a regio ativa do MOSFET.
A figura 4.12 mostra a caracterstica esttica do MOSFET, uma pequena corrente de gate necessria apenas
para carregar e descarregar as capacitncias de entrada do transistor.
A resistncia de entrada da ordem de 1012 ohms.
Estes transistores, em geral, so de canal N por apresentarem menores perdas e maior velocidade de
comutao, devido maior mobilidade dos eltrons em relao s lacunas.
A mxima tenso Vds determinada pela ruptura do diodo reverso.
Os MOSFETs no apresentam segunda ruptura uma vez que a resistncia do canal aumenta com o
crescimento de Id.
Este fato facilita a associao em paralelo destes componentes.
A tenso Vgs limitada a algumas dezenas de Volts, por causa da capacidade de isolao da camada de SiO2.
78
Eletrnica
Ao ser aplicada a tenso de acionamento (Vgg), a capacitncia de entrada comea a se carregar, com a corrente
limitada por Rg.
Quando se atinge a tenso limiar de conduo (Vth), aps td, comea a crescer a corrente de dreno.
Enquanto Id<Io, Df se mantm em conduo e Vds=Vdd. Quando Id=Io, Df desliga e Vds cai.
Durante a reduo de Vds ocorre um aparente aumento da capacitncia de entrada (Ciss) do transistor, fazendo
com que a variao de Vgs se torne muito mais lenta (em virtude do "aumento" da capacitncia).
Isto se mantm at que Vds caia, quando, ento, a tenso Vgs volta a aumentar, at atingir Vgg.
Na verdade, o que ocorre que, enquanto Vds se mantm elevado, a capacitncia que drena corrente do
circuito de acionamento apenas Cgs.
Quando Vds diminui, a capacitncia dentre dreno e source se descarrega, o mesmo ocorrendo com a
capacitncia entre gate e dreno.
A descarga desta ltima capacitncia se d desviando a corrente do circuito de acionamento, reduzindo a
velocidade do processo de carga de Cgs, o que ocorre at que Cgd esteja descarregado.
b) Desligamento
O processo de desligamento semelhante ao apresentado, mas na ordem inversa.
O uso de uma tenso Vgg negativa apressa o desligamento, pois acelera a descarga da capacitncia de
entrada.
Como os MOSFETs no apresentam portadores minoritrios estocados, ou seja, num MOSFET canal N todos
os portadores em trnsito so eltrons, no existe o tempo de armazenamento, por isso so muito mais rpidos que
os TBP.
79
Eletrnica
80
Eletrnica
O valor de Rs deve ser tal que permita toda a descarga de Cs durante o mnimo tempo ligado do Transistor e, por
outro lado, limite o pico de corrente em um valor inferior mxima corrente de pico repetitiva do componente.
Deve-se usar o maior Rs possvel.
b)
No circuito sem amaciador, aps o disparo do transistor, Id cresce, mas Vds s se reduz quando Df deixar de
conduzir.
A colocao de Ls provoca uma reduo de Vds, alm de reduzir a taxa de crescimento de Id.
Normalmente no se utiliza este tipo de circuito, considerando que Ls possui baixo valor e pode ser substitudo
pela prpria indutncia parasita do circuito.
81
Eletrnica
O controle de componente anlogo ao do MOSFET, ou seja, pela aplicao de uma polarizao entre gate e
emissor. Tambm para o IGBT o acionamento feito por tenso.
A mxima tenso suportvel determinada pela juno J2 (polarizao direta) e por J1 (polarizao reversa).
Como J1 divide 2 regies muito dopadas, conclui-se que um IGBT no suporta tenses elevadas quando
polarizado reversamente.
Os IGBTs apresentam um tiristor parasita.
A construo do dispositivo deve ser tal que evite o acionamento deste tiristor, especialmente devido s
capacitncias associadas regio P, a qual relaciona-se regio do gate do tiristor parasita.
Os modernos componentes no apresentam problemas relativos a este elemento indesejado.
Caractersticas de chaveamento
A entrada em conduo similar ao MOSFET, sendo um pouco mais lenta a queda da tenso Vce, uma vez
que isto depende da chegada dos portadores vindos da regio P+.
Para o desligamento, no entanto, tais portadores devem ser retirados.
Nos TBPs isto se d pela drenagem dos portadores via base, o que no possvel nos IGBTs, devido ao
acionamento isolado.
A soluo encontrada foi a incluso de uma camada N+, na qual a taxa de recombinao bastante mais
elevada do que na regio N-.
Desta forma, as lacunas presentes em N+ recombinam se com muita rapidez, fazendo com que, por difuso,
as lacunas existentes na regio N- refluam, apressando a extino da carga acumulada na regio N-, possibilitando o
restabelecimento da barreira de potencial e o bloqueio do componente.
IGBT rpido x IGBT de baixas perdas
Existem atualmente no mercado 2 tipos de IGBTs: os rpidos e os de baixas perdas.
Este fato j indica que no existem IGBTs rpidos e com baixas perdas.
A diferena est relacionada exatamente ao comportamento no desligamento descrito anteriormente.
Os IGBTs de baixas perdas utilizam dopagem e materiais que reduzem as perdas em conduo, no entanto,
implicam num maior tempo de desligamento.
Para os dispositivos rpidos, no se consegue reduzir significativamente a queda de tenso sobre o
componente quando em conduo.
82
Eletrnica
Assim, em aplicaes em alta freqncia (acima de 50kHz) devem ser utilizados MOSFETs.
Em freqncias mais baixas, qualquer dos 3 componentes pode responder satisfatoriamente.
No entanto, as perdas em conduo dos TBPs e dos IGBTs so sensivelmente menores que as dos MOSFET.
Como regra bsica:
em alta freqncia: MOSFET
em mdia/baixa freqncia: IGBT
83
Eletrnica
FIXAO DA APRENDIZAGEM:
Aps estudar toda a UNIDADE IV, responda as questes abaixo, caso tenha dvida, volte ao texto:
1. Os tiristores produzem operao de:
a. ( ) chaveamento
b. ( ) amplificao
c. ( ) retificao
d. ( ) filtragem
2. Os tiristores so dispositivos:
a. ( ) capacitivos
b. ( ) astaveis
c. ( ) monoestveis
d. ( ) biestveis
3. Na corrente alternada wt significa:
a. ( ) frequencia angular
b. ( ) velocidade angular
c. ( ) corrente de frequencia
d. ( ) tenso angular.
4. Os SCR so construidos para operar com tenso:
a. ( ) continua
b. ( ) de avalanche
c. ( ) de corte
d. ( ) nda
5. No SCR na corrente IH, a corrente de:
a. ( ) manuteno
b. ( ) avalanche
c. ( ) trabalho
d. ( ) alta potencia
6. Geralmente, quando utilizamos um resistor entre o gate e o catodo, queremos evitar:
a. (
b. (
c. (
d. (
) queima do scr
) disparos indesejados
) alta potencia
) nda
84
Eletrnica
13.
a. (
b. (
c. (
d. (
14.
a. (
b. (
c. (
d. (
15.
a. (
b. (
c. (
d. (
16.
a. (
b. (
c. (
d. (
Em circuitos controlador de potencia que utilizamos o triac, devemos colocar no seu gate:
) um diac
) um scr
) transistor
) resistor
17.
a. (
b. (
c. (
d. (
18.
a. (
b. (
c. (
d. (
19.
a. (
b. (
c. (
d. (
20.
a. (
b. (
c. (
d. (
21.
a. (
b. (
c. (
d. (
85
Eletrnica
22.
a. (
b. (
c. (
d. (
23.
a. (
b. (
c. (
d. (
No oscilador de relaxao com o put, se inicialmente o capacitor tiver descarregado, o put estar:
) oscilar
) conduzindo
) saturado
) cortado
24.
a. (
b. (
c. (
d. (
25.
a. (
b. (
c. (
d. (
26.
a. (
b. (
c. (
d. (
27.
a. (
b. (
c. (
d. (
28.
a. (
b. (
c. (
d. (
29.
a. (
b. (
c. (
d. (
30.
a. (
b. (
c. (
d. (
86
Eletrnica
REFERNCIAS BIBLIOGRFICAS
ANDRADE, Edna Alves de; Eletrnica Industrial: Anlise de dispositivos e suas aplicaes; 1a ed. Salvador - Brasil,
Novotipo, 1996.
CIPELLI, Antonio Marco Vicari; SANDRINI, Waldir Joo; Teoria e desenvolvimento de Projetos de Circuitos Eletrnicos;
So Paulo - Brasil, rica, 1979.
LOWENBERG, Edwin C.; Circuitos Eletrnicos; (Traduo: Ostend. A. Cardim). So Paulo - Brasil, McGraw-Hill do
Brasil, 1974.
MALVINO, Albert Paul; Eletrnica:volume 1; (Traduo: Jos Lucimar do Nascimento; revisor tcnico: Antonio
Pertence Junior.- 4a ed. So Paulo - Brasil, Makron Books, 1995.
KAUFMAN, Milton; Eletrnica Bsica;(Traduo: Fausto Martins Pires Jnior) So Paulo - Brasil, McGraw-Hill do Brasil,
1984.
BARBI, Eletrnica de Potncia. Edio do Autor, Florianpolis, 4 Edio, 2002.
BARBI & D. C. Martins, Eletrnica de Potncia: Conversores CC-CC Bsicos No Isolados. Edio dos Autores,
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D. C. MARTINS & I. BARBI, Eletrnica de Potncia: Introduo ao Estudo dos Conversores CC-CA. Edio dos
Autores, Florianpolis-SC, maio/2005.
BARBI, Projetos de Fontes Chaveadas. Edio do Autor, Florianpolis-SC, 2001.
C.W. LANDER, Eletrnica Industrial Teoria e Aplicaes. McGraw-Hill, Rio de Janeiro, 1988.
R.P.T. BASCOP & A.J. PERIN, O transistor IBGT Aplicado em Eletrnica de Potncia. Sagra Luzzato Editores, Porto
Alegre, 1997.
ALMEIDA, Jos Luiz Antunes de; Dispositivos Semicondutores Tiristores. rica, So Paulo. 9 Edio.
MARQUES, Angelo Eduardo B.; CRUZ , Eduardo Cesar A.; JNIOR, Salomo Choueri . Dispositivos Semicondutores:
Diodos e Transistores - Estude e Use . rica, So Paulo. 9 Edio.
MARKUS, Otvio. Ensino Modular - Sistemas Analgicos Circuitos com Diodos e Transistores. rica, So Paulo. 5
Edio.
CIPELLI Antnio Marco Vicari; SANDRINI, Waldir Joo e MARKUS, Otvio. Teoria e Desenvolvimento de Projetos de
Circuitos Eletrnicos. rica, So Paulo. 21 Edio.
CAPUANO, Francisco G. e MARINO, Maria Aparecida M.. Laboratrio de Eletricidade e Eletrnica. rica, So Paulo.
21 Edio.
ANEXO I
87
Eletrnica
Para cada curva de IB (corrente de Base) temos uma IC (corrente de coletor) correspondente, desta forma
podemos calcular o ganho de corrente , onde:
= IC / IB
ANEXO II
88
Eletrnica
ANEXO III
SEMICONDUTORES - TESTANDO
89
Eletrnica
O objetivo desta pgina dar aos iniciantes da Eletrnica alguns mtodos simples de teste de semicondutores
comuns com uso do instrumento mais simples, isto , o multmetro analgico.
Podem ser teis para servios comuns de reparo, mas no se pode esperar os mesmos resultados que seriam
obtidos com instrumentos mais sofisticados e especficos.
Observao:
A maioria dos multmetros analgicos comuns tem, para a medio de resistncias, tenso negativa da
bateria interna na sada + ou W (ponta vermelha) e positiva na sada - ou COM (ponta preta).
Multmetros digitais podem ter o contrrio e, portanto, as indicaes sero inversas das indicadas nesta
pgina.
TESTANDO DIODOS
Fig 1.1
O teste de diodos com um multmetro na escala de resistncia um dos mais conhecidos.
Em geral, usamos a escala Rx10 ou Rx1 e, conforme Figura 1.1 (a), a resistncia baixa na polarizao
direta e alta na polarizao inversa.
Assim, possvel verificar se o diodo no est aberto ou se no est em curto.
O mesmo procedimento pode ser usados para transistores bipolares comuns.
Para efeito de nosso teste simples, um transistor bipolar pode ser considerado equivalente a dois diodos
ligados em oposio.
Na Figura 1.1, em (b) temos a equivalncia para o tipo NPN e em (c) para o tipo PNP.
Notar que a equivalncia apenas para efeito do teste simples.
Um par de diodos no substitui, em hiptese alguma, um transistor nas suas funes de comutao ou
amplificao.
Para informaes tericas, ver pgina Semicondutores I deste site.
90
Eletrnica
Fig 2.1
Considerando a equivalncia para o tipo NPN dada no tpico anterior, temos na Figura 2.1 as junes
emissor/base e coletor/base diretamente polarizadas e, portanto, com resistncia baixa.
Fig 2.2
Na Figura 2.2, as junes emissor/base e coletor base esto inversamente polarizadas.
A resistncia deve ser alta para ambas.
Na medio entre coletor e emissor, a resistncia deve ser alta nos dois sentidos.
Fig 2.3
O transistor PNP opera de modo inverso.
91
Eletrnica
Fig 2.4
No transistor PNP da Figura 2.4 as junes coletor/base e emissor/base esto diretamente polarizadas,
resultando em resistncia baixa.
A resistncia entre coletor e emissor alta nos dois sentidos, da mesma forma do tipo NPN.
Um defeito comum em transistores de potncia curto entre coletor e emissor, que pode ser detectado por
esses testes.
Lembrar que certos tipos, como os de sada horizontal de televisores e monitores, podem ter diodo interno
entre emissor e coletor e tambm resistncia interna entre base e emissor.
Mas o curto citado observado pela baixa resistncia em ambos os sentidos.
Fig 3.1
O melhor para isso um multmetro, possivelmente digital, que tenha funo de teste de diodo.
Essa funo, na polarizao direta, indica, no lugar da resistncia, a queda de tenso direta da juno (seria
nula num diodo ideal).
Num transistor bipolar comum, a juno emissor/base tem uma queda de tenso direta ligeiramente superior
da juno coletor/base.
Portanto, uma vez identificada a base, os demais so rapidamente obtidos.
Se dispomos apenas de um multmetro comum, h necessidade de um arranjo conforme Figura 3.1.
Supomos a base j conhecida e o transistor identificado como NPN.
Mantemos as pontas do multmetro (com uso de garras ou outros meios) fixas nos outros dois terminais ainda
desconhecidos.
92
Eletrnica
Fig 4.1
Seria muito cmodo se, apenas com medies de tenses no circuito, pudssemos dizer se um transistor est
defeituoso. Muitas vezes isso no ocorre.
A Figura 4.1 d apenas uma orientao grosseira dos valores relativos de tenses em um transistor PNP de
um circuito CC tpico.
Para um transistor NPN, a polaridade do multmetro (agora na escala de tenso) deve ser invertida.
A tenso entre emissor e base em geral bastante pequena, menos de 1 V.
Repetindo, essas informaes so imprecisas, dependem muito do circuito, servem apenas como uma forma
de "suspeita" do componente antes de retir-lo do circuito.
Outro aspecto importante: estamos considerandos apenas circuitos CC de baixa tenso e potncia.
Cuidado com circuitos de alta tenso, alta freqncia ou alta potncia.
O instrumento pode ser danificado e h risco de acidente.
Em geral, h necessidade de pontas de prova e de instrumentos especiais.
93
Eletrnica
Com uma tenso adequada na porta, ele disparado e passa a conduzir em uma direo como um diodo
comum.
O TRIAC opera de forma similar, mas a conduo bidirecional (para ambos os tipos, uma vez disparado, a
conduo se mantm enquanto houver corrente circulando, independente do sinal na porta.
Se a corrente cai a zero, o estado de conduo desaparece e necessrio um novo disparo para reativ-lo).
Fig 5.1
O teste deve comear pela medio da resistncia, que, ao contrrio do diodo, deve ser alta nos dois
sentidos.
Para verificar o disparo, proceder conforme Figura 5.1: mantendo as pontas conectadas ao dispositivo,
provocar um breve curto entre o lado de tenso positiva e a porta.
Isso provoca o disparo do SCR ou TRIAC e ele passa a conduzir, o que observado pela baixa resistncia
indicada no instrumento.
Estando o componente em boas condies e continuando as pontas conectadas, o estado de conduo deve
permanecer mesmo aps a remoo do curto.
Com um pouco de prtica, esse curto pode ser dado com a prpria ponta de prova do multmetro.
Aqui vo algumas consideraes que valem tambm para os demais tpicos desta pgina: quanto mais alta a
escala de resistncia, menor a corrente que circula pelo componente testado.
Componentes pequenos ou sensveis podem mesmo ser danificados pelas correntes de escalas mais baixas do
instrumento.
Assim, recomendvel comear com escalas altas nesses casos.
Por outro lado, o instrumento pode no fornecer tenso e/ou corrente necessrias para um teste verdadeiro
em alguns componentes.
Mas, para a maioria dos casos prticos, os procedimentos funcionam.
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Eletrnica
Fig 6.1
A medio entre base 1 e base 2 deve apresentar a mesma resistncia alta, independente da polaridade.
Na polarizao direta, a resistncia entre emissor e base 1 deve ser menor e aproximadamente igual
resistncia entre emissor e base 2.
Na polarizao inversa, os valores devem ser altos e, de forma similar, aproximadamente iguais.
Teste de JFET
Fig 7.1
JFET significa transistor de juno de efeito de campo (do ings "junction field-effect transistor").
um semicondutor que apresenta algumas caractersticas (alta impedncia de entrada, curva de tenso) que
se aproximam das vlvulas terminicas.
Existem dois tipos, canal N e canal P, cujos smbolos e circuitos equivalentes para medio simples so dados
na Figura 7.1.
Para ambos os tipos, a resistncia entre dreno e fonte deve ser aproximadamente a mesma nos dois sentidos.
Valores prticos costumam ser na faixa de 100 a 10000 ohms.
Pela figura podemos concluir que as resistncias entre porta e dreno e entre porta e fonte iro depender da
polaridade das pontas do instrumento e do tipo (N ou P).
Para um mesmo tipo, cada resultado deve ser alto em um sentido e baixo em outro, similar ao de um diodo.
CONSIDERAES FINAIS
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Eletrnica
Neste mdulo, voc encontrou contedo, textos e interpretaes para apoi-lo no seu Curso. Aqui, a
teoria acompanhada da sua contrapartida estgio que ser de grande valor para o seu enriquecimento
profissional.
No pretendemos de forma alguma ditar receitas infalveis. Nossa inteno conduzir um dilogo
direcionado a voc e dessa forma, ajud-lo a desenvolver habilidades de estudo consultas a dicionrio,
enciclopdia e leitura de textos tornando-o apto a superar os limites que esse material encerra.
Agora, vamos ao seu desempenho. Se voc acertou tudo, passar para o prximo mdulo. Caso
contrrio, esclarea suas dvidas com o seu professor/tutor, de acordo com a sua disponibilidade de tempo e
esteja voc onde estiver, seja por telefone, fax ou internet
(www.colegiopolivalente.com.br.)
O desafio de toda Equipe Polivalente saber articular um ensino profissionalizante de modo a ser
compreendido pela comunidade. O nico modo para articul-lo e viv-lo, dando testemunho de vida.
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