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MEMORIAS ELECTRONICAS

DEFINICION DE MEMORIA
Las memorias son dispositivos electrnicos de almacenamiento de datos
binarios, retienen informacin a un largo o corto periodo de tiempo. Este tipo de
formato numrico es utilizado por los computadores y dems equipos del
presente para realizar distintos procesos
TIPOS DE MEMORIA

RAM (memoria de acceso aleatorio): ste es igual que memoria


principal. Cuando es utilizada por s misma, el trmino RAM se refiere a
memoria de lectura y escritura; es decir, usted puede tanto escribir datos
en RAM como leerlos de RAM. Esto est en contraste a la ROM, que le
permite solo hacer lectura de los datos ledos. La mayora de la RAM es
voltil, que significa que requiere un flujo constante de la electricidad
para mantener su contenido. Tan pronto como el suministro de
poder sea interrumpido, todos los datos que estaban en RAM se
pierden.

ROM (memoria inalterable): Los ordenadores contienen casi siempre


una cantidad pequea de memoria de solo lectura que guarde las
instrucciones para iniciar el ordenador. En la memoria ROM no se puede
escribir.

PROM (memoria inalterable programable): Un PROM es un chip de


memoria en la cual usted puede salvar un programa. Pero una vez que
se haya utilizado el PROM, usted no puede reusarlo para salvar algo
ms. Como las ROM, los PROMS son permanentes.

EPROM (memoria inalterable programable borrable): Un EPROM es un


tipo especial de PROM que puede ser borrado exponindolo a la luz
ultravioleta.

EEPROM (elctricamente memoria inalterable programable borrable):


Un EEPROM es un tipo especial de PROM que puede ser borrado
exponindolo a una carga elctrica.

FLASH

MEMORIA RAM
RAM son las siglas de random access memory, un tipo de memoria de
ordenador a la que se puede acceder aleatoriamente; es decir, se puede
acceder a cualquier byte de memoria sin acceder a los bytes precedentes. La

memoria RAM es el tipo de memoria ms comn en ordenadores y otros


dispositivos como impresoras.
Hay dos tipos bsicos de memoria RAM
RAM dinmica (DRAM)
RAM esttica (SRAM)
Los dos tipos de memoria RAM se diferencian en la tecnologa que utilizan para
guardar los datos, la memoria RAM dinmica es la ms comn.
RAM DINMICA
Un tipo de memoria fsica usado en la mayora de los ordenadores personales.
El trmino dinmico indica que la memoria debe ser restaurada
constantemente (reenergizada) o perder su contenido.
La RAM (memoria de acceso aleatorio) se refiere a veces como DRAM para
distinguirla de la RAM esttica (SRAM). La RAM esttica es ms rpida y
menos voltil que la RAM dinmica, pero requiere ms potencia y es ms
costosa.
RAM ESTTICA
Abreviatura para la memoria de acceso al azar esttica. SRAM es un tipo de
memoria que es ms rpida y ms confiable que la DRAM ms comn (RAM
dinmica). El trmino se deriva del hecho de que no necesitan ser restaurados
como RAM dinmica.
Mientras que DRAM utiliza tiempos de acceso de cerca de 60 nanosegundos,
SRAM puede dar los tiempos de acceso de hasta slo 10 nanosegundos.
Adems, su duracin de ciclo es mucho ms corta que la de la DRAM porque
no necesita detenerse brevemente entre los accesos.
La memoria RAM dinmica necesita actualizarse miles de veces por segundo,
mientras que la memoria RAM esttica no necesita actualizarse, por lo que es
ms rpida, aunque tambin ms cara. Ambos tipos de memoria RAM son
voltiles, es decir, que pierden su contenido cuando se apaga el equipo

MEMORIA ROM
Las memorias de slo lectura (ROM, read-only memory) son, al igual que
las RAM, memorias de acceso aleatorio, pero, en principio, no pueden cambiar
su contenido. Tampoco se borra la informacin de ellas si es interrumpida la
corriente, por lo tanto es una memoria no voltil.
La ROM forma parte del grupo de componentes llamados dispositivos lgicos
programables (PLD, programmable logic devices), que emplean la informacin
almacenada para definir circuitos lgicos.
Este tipo de memorias suele almacenar datos bsicos y la configuracin del
ordenador para ser usado, principalmente, en el arranque del mismo. Por
ejemplo, la BIOS y su configuracin suele almacenarse en este tipo de
memorias.
Las caractersticas fundamentales de las memorias ROM son:
1. Alta densidad: la estructura de la celda bsica es muy sencilla y permite altas
integraciones.
2. No voltiles: el contenido de la memoria permanece si se quita la
alimentacin.
3. Costo: dado que la programacin se realiza a nivel de mscaras durante el
proceso de fabricacin, resultan baratas en grandes tiradas, de modo que el
costo de fabricacin se reparte en muchas unidades y el coste unitario baja.
4. Slo lectura: nicamente son programables a nivel de mscara durante su
fabricacin. Su contenido, una vez fabricada, no se puede modificar.

Las memorias ROM pueden ser clasificadas, segn su capacidad de variar su


contenido,
en:
Memoria
PROM, Memoria
EPROM, Memoria
EEPROM, Memoria flash .

MEMORIA PROM
Las PROM (Programmable ROM) son memorias ROM vrgenes que se hallan
dispuestas para ser programadas por el adquiridor para su aplicacin
especfica.
Este tipo de memoria que puede ser programada una sola vez a travs de un
programador PROM. Estn compuestas de fusibles (o antifusibles) que slo
pueden ser quemados una vez. Una memoria PROM sin programar se
encuentra con todos los fusibles sin ser quemados, o sea, valor 1. Cada fusible
quemado corresponde a un 0 produciendo una discontinuidad en el circuito.
Estas memorias se van programando aplicando pulsos elctricos.
Fue creada en 1956 por Wen Tsing Chow en Nueva York a pedido de la Fuerza
Area estadounidense para conseguir una forma segura de almacenar las
constantes de los objetivos en la computadora del misil MBI Atlas E/F.
Actualmente siguen siendo utilizadas en misiles, satlites, etc.
Las Aplicaciones ms importantes:
Microprogramacin. Librera de subrutinas. Programas de sistema. Tablas de
funcin.

MEMORIA EPROM
Las EPROM, o Memorias slo de Lectura Reprogramables, se programan
mediante impulsos elctricos y su contenido se borra exponindolas a la luz
ultravioleta (de ah la ventanita que suelen incorporar este tipo de circuitos), de
manera tal que estos rayos atraen los elementos fotosensibles, modificando su
estado.
Al ser programadas, puede borrarse su contenido mantenindolas expuestas a
una luz ultravioleta fuerte. Esto sucede porque los fotones de luz ultravioleta
excitan los electrones de las celdas, lo que produce que se descarguen. Los
tiempos medios de borrado de una EPROM, por exposicin a la luz ultravioleta,
oscilan entre 10 y 30 minutos. Las EPROM pueden retener los datos entre diez
y veinte aos, y pueden ser ledas ilimitadas veces.

MEMORIA EEPROM
La memoria EEPROM es programable y borrable elctricamente y su nombre
proviene de la sigla en ingls Electrical Erasable Programmable Read Only
Memory.
Las celdas de memoria de una EEPROM estn constituidas por un transistor,
que tiene una compuerta flotante, su estado normal est cortado y la salida
proporciona un 1 lgico.

Aunque una EEPROM puede ser leda un nmero ilimitado de veces, slo
puede ser borrada y reprogramada entre 100.000 y un milln de veces
Ventajas de la EEPROM:
Las palabras almacenadas en memoria se pueden borrar de forma individual.
Para borra la informacin no se requiere luz ultravioleta.
Las memorias EEPROM no requieren programador.
De manera individual puedes borrar y reprogramar elctricamente grupos de
caracteres o palabras en el arreglo de la memoria.
Para reescribir no se necesita hacer un borrado previo.
Se pueden conectar fcilmente con microprocesadores o microcontroladores,
algunas de estas memorias tienen pines para realizar esta labor.
Transferencia de datos de manera serial, lo que permite ahorro del micro para
dedicarlo a otras funciones.
El consumo de corriente es mucho menor que en las memorias que trabajan en
paralelo.

MEMORIAS FLASH
Es un tipo de memoria no voltil que pueden borrarse y reescribirse fcilmente.
Suele ser usadas en celulares, cmaras digitales, PDAs, reproductores
porttiles, discos rgidos, etc. El trmino Memoria Flash fue acuado por
Toshiba, por su capacidad para borrarse en un flash (instante).
Son una evolucin de las memorias EEPROM que permiten que mltiples
posiciones de memoria sean escritas o borradas en una misma operacin
mediante impulsos elctricos. Por esta razn, este tipo de memorias funcionan
a velocidades muy superiores cuando los sistemas emplean lectura y escritura

al mismo tiempo. Inicialmente almacenaban 8 MB, pero


almacenan ms de 64 GB, con una velocidad de hasta 20 MB/s.

actualmente

Son muy resistentes a golpes, pequeas, livianas y sumamente silenciosas.


Permiten un nmero limitado de veces que se escriben/borran, generalmente
de 100 mil a un milln de veces.
Actualmente se comercializaron equipos digitales que no utilizan discos
rgidos para el almacenamiento masivo, sino que slo tienen memorias flash.

TABLA COMPARATIVA ENTRE MEMORIAS

Una parte importantsima en la mayora de los sistemas digitales es la dedicada


a contener la informacin que est tratando dicho sistema.

Los datos e instrucciones del programa de un sistema microcomputador son


almacenados en la memoria. Cada "celda" de la memoria puede almacenar un
bit, estando las memorias constituidas por varios miles de estas celdas. El
conjunto de celdas en las que se almacena una palabra se llama "Posicin de
memoria"
Se han desarrollado numerosos sistemas capaces de almacenar o memorizar
una informacin digital. Todos ellos, persiguen como objetivo conseguir:
- Alta velocidad
- Bajo precio
- Gran capacidad de almacenamiento
- Bajo consumo
Cada uno de estos objetivos se conseguir en mayor o menor medida
dependiendo del medio fsico empleado, su organizacin, tecnologa, tc.
Por ejemplo, desde la dcada de los aos 1950, las memorias de ncleos de
ferrita han predominado como memorias principales en los ordenadores. Sin
embargo gracias al desarrollo tecnolgico de los semiconductores en forma
integrada y ms concretamente LSI, ha permitido a partir de 1975 se
sustituyeran las memorias de ferritas por memorias de tipo semiconductor, por
sus ventajas tanto en rapidez como en precio y espacio.
Hoy en da las memorias de tipo semiconductor, constituyen el sector ms
expansivo dentro de la tecnologa de los semiconductores.
Antes de proceder al estudio de las memorias de tipo semiconductor,
expondremos ls caractersticas ms importantes de las memorias y una
clasificacin general, que dar a su vez paso a una segunda clasificacin de
las de tipo semiconductor en forma integrada.
CARACTERISTICAS MAS IMPORTANTES DE LAS MEMORIAS
Al estudiar los flip-flops o biestables ya se definieron los trminos de lectura y
escritura por tratarse de elementos de memoria.
Las caractersticas ms importantes de las memorias son:
Tiempo de escritura
Es el tiempo que transcurre entre el momento en que se presenta la
informacin a almacenar en la memoria y el momento en que la informacin
queda realmente registrada.
Tiempo de lectura
Es el que transcurre entre la aplicacin de la orden de lectura, y el momento en
que la informacin est disponible en la salida.
Tiempo de acceso
Es a menudo, la media de los dos tiempos de lectura y escritura definidos
anteriormente.
Es la medida del tiempo transcurrido desde que se solicita un dato a la unidad
de memoria hasta que esta lo entrega.
Tiempo de ciclo
Despus de una operacin de lectura o escritura, es posible que la memoria
necesite un tiempo de reinscripcin (memorias de ncleos de ferrita, por
ejemplo), o de recuperacin. El tiempo de ciclo es entonces la suma de este
tiempo y del tiempo de acceso.
Tambin denominado ciclo de memoria, es el tiempo transcurrido desde que se
solicita un dato a la memoria hasta que sta se halla en disposicin de efectuar
una nueva operacin de lectura o escritura.

Acceso aleatorio
Una memoria es de acceso aleatorio cuando el tiempo de acceso a cualquier
posicin de memoria es siempre el mismo.
Cadencia de transferencia
Es la velocidad a la cual la memoria acepta informaciones de lectura o escritura
(Bits por segundo)
Capacidad
Es el nmero de palabras o de bits que la memoria puede almacenar. Se
denomina tambin volumen.
Densidad de informacin
Es el nmero de informaciones por unidad de volumen fsico.
Volatilidad
Es el defecto de una memoria que pierde la informacin almacenada, si se
produce un corte de alimentacin
MEMORIAS. CLASIFICACION GENERAL
Las memorias pueden clasificarse atendiendo a diversos parmetros:
Por el modo de acceso:
Acceso Aleatorio (RAM)
Acceso Secuencial
Asociativas
Por el modo de almacenamiento:
Voltiles
No voltiles
Por el tipo de soporte
Semiconductoras
Magnticas
De papel
Por su funcin o jerarqua
Tampn o borrador: (LIFO,FIFO)
Central o Principal
De masas
POR LA FORMA DE ACCESO
Memorias de Acceso Aleatorio. Denominadas usualmente RAM (Ramdon
Access Memory), son memorias en las que cualquier informacin puede leerse
o escribirse con el mismo tiempo de acceso, cualquiera que sea la clula de
memoria
elegida.
Memoria de acceso secuencial o serie.- Para la lectura o escritura de una
determinada clula, espreciso leer todas las clulas que le preceden
fsicamente
Memoria asociativa.- Es una memoria direccionable por su contenido, no por
una direccin.
POR EL MODO DE ALMACENAMIENTO
Memoria voltil.- Es aquel tipo de memoria que pierde la informacin en ella
almacenada,
al
cortar
la
alimentacin.
Memoria no voltil.- Retienen la informacin en modo permanente an despus
de eliminar o cortar la alimentacin
POR EL TIPO DE SOPORTE

Memorias semiconductoras.- Son aquellas que utilizan dispositivos


semiconductores
para
registrar
la
informacin
Memorias magnticas.- El registro de la informacin se realiza por
magnetizacin
de
un
soporte
de
este
tipo.
Memorias de papel.- No son propiamente memorias. Sin embargo, el papel
(cinta perforada o tarjeta) permite almacenar una informacin en forma de
marca o perforaciones.
POR SU FUNCION O JERARQUIA
Memorias tampn.- Son generalmente de tipo semiconductor y se
caracterizan porque la informacin en ellas se almacena durante un
corto periodo de tiempo. Puede decirse que son memorias borrador, de
paso o adaptadoras.
Son memorias de baja capacidad y acceso rpido, puesto que
normalmente se refieren a los registros generales incluidos dentro del
propio sistema microcomputador. Su funcin ser, pues, actuar como
memorias de trabajo auxiliares en las transferencias de informacin
entre el sistema y las unidades exteriores.
Las memorias LIFO y FIFO son memorias especiales del tipo tampn
cuyo nombre proviene de la forma de almacenar y extraer la informacin
de su interior.
FIFO (First in-firts out), primero en entrar - primero en salir, es decir, es
lo
que
se
llama
una
fila
de
espera
LIFO (Last in-first out), la ltima informacin introducida en la memoria
es la primera en extraerse, es lo que se llama una pila o apilamiento.
Memoria Central.- Es la que est incorporada en la Unidad Central de
Proceso de un ordenador. Su misin consiste en almacenar los
programas y los datos implicados en la ejecucin de las sucesivas
instrucciones.
Hasta hace algunos aos, las memorias centrales estaban formadas a
partir de ncleos de ferrita o por hilos plateados. Actualmente, este tipo
de memorias ha sido desplazado definitivamente por las memorias
integradas a semiconductores. Y la memoria central del sistema est
formada por la asociacin de un nmero de chips de memoria RAM y
ROM a semiconductores, mayor o menor, segn la capacidad de
almacenamiento requerida por el sistema.
Clasificacin:
o

Segn el modo de lectura

1. Lectura destructiva: al leer el contenido de una posicin de memoria,


la informacin almacenada desaparece. Este tipo de memoria precisa de
una regeneracin del contenido, despus de efectuada una operacin de
lectura.
2. Lectura no destructiva: donde la operacin de lectura no provoca la
prdida de la informacin almacenada. Hay que hacer constar que la
casi totalidad de las memorias centrales modernas pertenecen a este
grupo.

Segn el modo de retener la informacin

1. Voltiles: para que el contenido permanezca memorizado, es


necesario una fuente de alimentacin. Al desconectarla, se pierde la
informacin almacenada. Las memorias RAM pertenecen a esta
categora.
2. No voltiles: la informacin persiste an desconectando la fuente de
alimentacin de la unidad de memoria, esto es, el contenido es
memorizado sin consumo energtico. Las memorias centrales ROM son
ejemplo de lo dicho.
Memoria de masas.- Es la memoria auxiliar de tipo externo de un
ordenador.
Son memorias de acceso aleatorio o directo y de elevada capacidad. No
son estrictamente imprescindibles dentro del sistema microcomputador,
como ocurre en las centrales. Se emplean como bloques de
almacenamiento auxiliar, con una velocidad de transferencia de
informacin elevada. Habitualmente este tipo de memorias contiene el
archivo de informacin que manipula el sistema dentro del conjunto de
aplicaciones al que se halla orientado. Para que el mricroprocesador
pueda procesar la informacin almacenada en una memoria de tipo de
masas, sta debe pasar primeramente al interior de la memoria central
del
sistema.
En virtud del tipo de transferencia empleado, por bloques, la
caracterstica bsica de las memorias de masa es el caudal de
transferencia o nmero de palabras de informacin que puede
transferirse por unidad de tiempo. El caudal se expresa en Kbytes o
Mbytes
por
segundo.
Las memorias de masa que alcanzan mayor difusin en el campo de los
microordenadores son los discos magnticos, ms concretamente los
discos magnticos flexibles o "Floppy disk".
Memorias
de
fichero
Al igual que las anteriores, este tipo de memorias son auxiliares de la
meoria central de microcomputador. La diferencia radica en que las
memorias de fichero estn caracterizadas por una velocidad de
transferencia sustancialmente inferior a las de masa.
El acceso a la informacin almacenada se efecta de forma
secuencial. Por lo tanto, el tiempo de acceso a determinada
informacin depende de su emplazamiento sobre el soporte
fsico. En definitiva, el acceso a las memorias de fichero no es
aleatorio, de ahi que su velocidad de transferencia sea variable y
en general reducida.
Como contrapartida a su baja velocidad de trabajo, las memorias de
fichero suelen ser relativamente econmicas (Cintas magnticas o
cassettes)

Por ltimo, cabe precisar que dada su caracterstica de acceso no


aleatorio, la velocidad de una memoria de fichero se define a partir del
"Tiempo medio de acceso" respecto a las posiciones extremas de
almacenamiento.
MEMORIAS SEMICONDUCTORAS. CLASIFICACION
Existen una gran variedad de memorias de tipo semiconductor, tanto en
tecnologa
bipolar
como
MOS
Las clasificaremos atendiendo al modo de acceso como caracterstica principal,
subdividindolas en la forma de almacenamiento y por ltimo en la tecnologa
empleada.
MEMORIAS SEMICONDUCTORAS DE ACCESO ALEATORIO (RAM)
Usualmente se reserva el trmino RAM para aquellas memorias que permiten
leer y escribir en ellas. Para aquellas que siendo del siendo del tipo RAM
(Acceso aleatorio), solo permiten la lectura se reserva el trmino ROM o
RPROM tc. En consecuencia, una "memoria RAM semiconductora", es una
memoria de acceso aleatorio y que permite leer o escribir indistintamente, una
informacin sobre ella.

32-Word x 8-Bit Static RAM


ESQUEMA
DE
UNA
MEMORIA
RAM
Las entradas de control C y R/W permiten inhibir la memoria y leer o escribir
(Read-Write)
respectivamente.

Fig. 1
Su funcionamiento es el siguiente:

Situar en los terminales de DIRECCION la combinacin adecuada a la


clula de memoria a operar.

En el caso de lectura, poner el terminal R/W a "0", y por ltimo permitir


el funcionamiento de la memoria, es decir, validar el proceso con C="1".
En la salida de datos obtendremos la informacin almacenada en la
direccin de memoria correspondiente.

En el caso de escritura, adems de la direccin adecuada es preciso


situar en los terminales de "entrada de datos", el dato a almacenar o
escribir. Ahora el terminal R/W deber ponerse a "1". Por ltimo, validar
la operacin con C="1", la informacin a la entrada de datos quedar
registrada en la direccin de memoria indicada.

Veamos un diagrama de los tiempos de las seales que intervienen en la


operacin

Ciclo de lectura

Ciclo de escritura

CS

AUTORIZACION DE FUNCIONAMIENTO

Una vez expuesto el principio de una memoria RAM en general, vamos a ver
cmo
estn
realizadas
las
de
tipo
semiconductor.
Se pueden clasificar en dos grupos:
Las RAM estticas estn basadas en estructuras biestable con un tipo de
transistor
u
otro.
Las RAM dinmicas estn formadas por clulas dinmicas, (registros de
desplazamiento dinmicos), las cuales estn basadas en el aprovechamiento
de las capacidades estructurales de los transistores MOS, para almacenar una
carga determinada.
Como sabemos, cada clula de memoria es capaz de almacenar 1 bit. Sin
embargo, la forma de trabajo habitual de los sistemas digitales, obliga a
almacenar grandes cantidades de informacin, bien en forma de bits aislados,
o
bien
en
forma
de
palabras.
Ello da lugar a dos tipos diferentes de organizacin de las memorias RAM
En la organizacin por palabras, al direccionar una posicin de memoria, se
tiene a la salida una palabra que puede estar constituida por 6, 8, 12, 16, 32, 64

incluso
ms
bits.
Sin embargo, al direccionar una posicin de memoria organizada en bits, slo
se obtiene un bit de salida.
Para poder introducir datos en la memoria, y para poder sacarlos de ella, cada
posicin de memoria viene dada por su correspondiente "direccin". La
direccin es, pues, una palabra binaria que define la posicin. Es importante
distinguir entre lo que es una direccin de una posicin de memoria, y el dato
que
puede
ser
almacenado
en
esa
direccin.
En general a nivel de pastillas de memoria en C.I. los fabricantes, ponen a
disposicin del usuario organizaciones de un bit (por ejemplo: 256 X 1 bits,
4096 x 1 bits, tc.) que asociadas en paralelo permiten obtener palabras de la
longitud requerida.
Memoria
RAM
esttica.Las memorias estticas tiene clulas de memoria en forma de flip-flops o
biestables. Por tanto, como los flip-flops pueden ser unos ms rpidos que
otros, as ocurrir con las memorias. Si se desea una memoria rpida puede
elegirse una RAM a base de flip-flops en TTL Schottky o ECL. Si se desea una
memoria barata aunque lenta, puede realizarse a partir de flip-flops con MOS.

Si el consumo ha de ser extremadamente bajo, deber elegirse una RAM


CMOS.
RAM
esttica
bipolar
Una clula de memoria en una memoria bipolar est constituida por un flip-flop
sencillo a base de transistores bipolares.
RAM ORGANIZADA EN PALABRAS (Ver Fig. 1)
L
i
n
e
a
s
A0
d
e
A1
P
a

ENTRADAS/SALIDAS

l
a
b
r
a

RAM ORGANIZADA EN BITS

Estos biestables constan de dos transistores multiemisores en acoplamiento


cruzado

LINEA DE SELECCION DE PALABRA


En condiciones normales, un transistor se encontrar siempre saturado y el
otro en estado de bloqueo.
? Para leer el estado del biestable, se eleva la tensin de la lnea de palabra y
el transistor saturado dejar pasar corriente a travs de la lnea de bit, lo que a
su vez es detectado para determinar el estado del biestable..
? Para escribir datos, la tensin de la lnea de palabra se eleva nuevamente y
la tensin de una de las lneas de bit se baja, provocando que el transistor
asociado a esta lnea de bit se sature.
En la matriz de memoria, todas las celdas de una columna comparten la misma
lnea de bit, y todas las celdas en una fila tienen la misma lnea de palabra.

En cuanto al biestable de una memoria MOS esttica, su celda corresponde a


la estructura siguiente, formada utilizando transistores unipolares MOS de
acumulacin.

LINEA DE SELECCION
DE PALABRA
Los transistores T1 y T2 trabajan en conmutacin y son los encargados de
almacenar el bit de informacin. Por su parte T3 y T4 actan como puerta de
intercambio con el exterior. Cada uno de ellos canaliza una informacin binaria
(0 1) desde la lnea de bit correspondiente hasta el transistor de
almacenamiento
Cuando T3 y T4 se hallen en reposo, el biestable permanece aislado del
exterior,
preservando
la
informacin
memorizada.
La escritura de un bit "0" "1" se produce al excitar, a travs de T3 o T4 , al par
T1-T2; uno de los dos transistores pasar a saturacin, mientras que el otro
evolucionar hacia el estado de bloqueo (OFF) Dependiendo de la transicin
de estados del par T1-T2 , el punto de memoria almacenar un estado lgico u
otro.
Para leer la informacin almacenada, se introduce un impulso de tensin a
travs de la lnea de seleccin, lo que provocar una corriente a travs de la
rama T1-T3 o T2-T4, segn sea "0" o "1" el bit almacenado.
En definitiva, la lectura se efecta detectando la presencia de corriente en una
u
otra
lnea
de
bit.
Para terminar, diremos que el mayor inconveniente de las RAM estticas lo
constituyen su elevado consumo energtico, comparativamente con las
dinmicas. Ello se debe, como hemos visto, a que las resistencias R1 y R2
consumen permanentemente, al mantener el estado lgico en el que se halla
posicionado
el
biestable.
El hecho de que cada celda de memoria incorpore un notable nmero de
componentes, tambin limita las posibilidades de integracin de este tipo de
memorias.

Algunos ejemplos comerciales de RAM estticas


Nos referiremos a continuacin a modelos reales de memoria de
lectura/escritura. Para cada uno de estos integrados se dan sus caractersticas
bsicas ms importantes, asi como su esquema de bloques y relacin de
patillas.
La primera caracterstica de cada una de ellas es su organizacin de
almacenamiento o nmero de palabras de "n" bits que memoriza, extremo
importante puesto que especificando su capacidad podemos deducir el nmero
de lneas de direcciones y datos que acceden a la memoria en cuestin.
Por ejemplo, una memoria de 128 palabras de 8 bits cada una (128x8), estar
dotada de 7 entradas de direccionamiento y poseer 8 lneas de datos. Esto es
lgico ya que para seleccionar los 128 bytes son necesarias 128
configuraciones de direccionamiento, ( 128=27 ), lo que significa que existirn 7
lneas
de
direcciones.
Al mismo tiempo, puesto que cada palabra es de 8 bits, se requerirn 8 lneas
para
canalizar
la
entrada
y
salida
de
datos.
As pues, observaremos los siguientes tipos de lneas:
A0-An: entradas de direcionamiento.
D0-Dn: entrada/salida de datos
R/W : contro lectura/escritura.
CS0-CSn: seleccin de chip
Las entradas CS pueden ser una o varias y a su vez pueden activarse por
niveles "0" "1" lgicos.
En el caso de existir varias CS, stas suelen estar cableadas internamente en
forma de puerta "Y". En consecuencia, la seleccin de chip se conseguir
cuando todas las entradas reciban simultneamente sus posicionamientos
activos.
RAM esttica 6810
Est organizada en 128 palabras de 8 bits y se emplea mucho en los sistemas
basados en el microprocesador 6800 de Motorola, debido a la facilidad de
adaptacin. Dispone de 6 entradas CS: dos con activacin alta y cuatro con
nivel bajo.
Sus caractersticas ms sobresalientes son:
Organizacin 128 X 8 bits
Tecnologa NMOS
Alimentacin 5 V
Disipacin tpica 130 mW
E/S datos Bidireccional y tri-estado
Encapsulado DIL 24 patillas
GND Vcc
D0 A0
D1 A1
D2 A2

D3 A3
D4 A4
D5 A5
D6 A6
D7 R/W
CS0 CS5
CS1 CS4
CS2 CS3
RAM esttica 2114
Tiene una estructura de 1024 palabras de 4 bits
Cada uno de los cuatro bits dato es bidirecional, con lgica tri-estado para
permitir su desconexin virtual del bus de datos.
Las lneas de control son dos:
CS y WE
Esta segunda lnea es equivalente a R/W; si WE = 0 la operacin efectuada
ser de escritura; y si WE = 1 ser de lectura.
Sus caractersticas ms sobresalientes son:
Organizacin 1024 X 4 bits
Tecnologa NMOS
Alimentacin 5 V
Disipacin tpica 300 mW
E/S datos Bidireccional y tri-estado
Encapsulado DIL 18 patillas
Vemos que para direccionar 1024 posiciones necesitamos 10 patillas puesto
que 210=1.024
Para los datos, como son palabras de 4 bits necesitaremos 4 patillas
Para indicar Lectura o Escritura (R/W) necesitamos 1 patilla
Para selecccionar el integrado CS (Chip Select) 1 patilla
Para alimentacin 2 patillas
El nmero de patillas del integrado es pues de 18.
A6 Vcc
A5 A7
A4 A8
A3 A9
A0 I/O1
A1 I/O2
A2 I/O3
CS I/O4
GND WE

Memorias Comerciales
Las memorias son circuitos integrados cuyos pines se hayan en ambos lados de la
cpsula, formando dos lneas o hileras de pines (DIP) y generalmente se fabrican con
capacidades de orden de Kilobytes o Megabytes mltiplos de 8, por ejemplo 8k, 16k,
32k, 64k, 128k, o 8M, 16M, 32M, etc

En la figura se observa un esquema descriptivo de los pines que generalmente se


encuentran en una memoria. A continuacin se da una explicacin de cada uno de estos
pines:
A0...An (Bus de direcciones): Estos pines son las entradas para seleccionar la posicin
de memoria a escribir o leer y su cantidad define la capacidad de palabras que puede
almacenar, dada por la expresin 2n, donde n es el nmero de pines.
D0...Di (Bus de Datos): Corresponde a los pines de entrada y salida de datos. En el
mercado se consiguen generalmente buses de 1, 4, 8 y 16 bits y lo ms usual es
encontrar
chips
tengan
8
entradas
de
datos.
CS (Chip Select): Este pin se utiliza para seleccionar el chip de memoria que se desea
acceder. Esto en el caso del usar dos o ms memorias similares.
OE (Output Enable): Utilizado para habilitar la salida de datos. Cuando se encuentra en
estado activo las salidas tiene alta impedancia o actan como entradas.
R/W" (Read/Write"): Entrada utilizada en las memorias RAM para seleccionar la
operacin
de
lectura
o
escritura
VCC y GND (Alimentacin): Corresponden a los pines de alimentacin del circuito
integrado. Algunas tienen disponible tres pines para este propsito, pero por lo general
son dos y el valor de la tensin de alimentacin depende de la tecnologa de fabricacin
del circuito.
En las siguientes secciones se indicaran algunos ejemplos de circuitos integrados de
uso general disponibles en el mercado, dando un ejemplo de cada uno de los tipos de

memorias vistas.
MEMORIA SRAM - MCM6264C
Esta memoria fabricada por Motorola y desarrollada con tecnologa CMOS tiene una
capacidad de 8K x 8. Los tiempos de lectura y escritura del integrado son de
aproximadamente 12 ns y tiene un consumo de potencia aproximado de 100 mW
MEMORIA DRAM 4116
El CI 4116 es una memoria DRAM de 16K x 1. La estructura interna de este integrado se
encuentra constituida por un arreglo de 128 filas y 128 columnas donde cada uno de los
bits se ubican con una direccin de 14 bits. En la figura 10.5.3 se muestra la disposicin
de los pines del circuito integrado. Observe que la entrada de direcciones es de 7
(A0...A6). La razn de poseer 7 pines y no 14, se debe a que estos tienen funcin doble,
por ejemplo la entrada A0 se utiliza para establecer los valores de los bits A0/A7
direccin de memoria que se quiere acceder.
MEMORIAS PROM - 74S473
Esta memoria tiene una capacidad de 512 palabras de 8 bits.
MEMORIA EPROM - 27C16B
Esta memoria de 24 pines tiene una capacidad de 2048 palabras de 8 bits, es decir
2KB. Las salidas de esta memoria son triestado, lo que permite escribir o leer los datos
con el mismo bus de datos.
MEMORIA EEPROM - 28C64A
Esta memoria tiene una capacidad de 8K X 8 y tiene caractersticas diferentes a las
dems. La informacin almacenada puede perdurar aproximadamente 100 aos y
puede soportar hasta 100.000 ciclos de grabado y borrado.
MEMORIA FLASH - 27F256
La capacidad de esta memoria es de 32K X 8 y como memoria Flash tiene la
caracterstica particular de ser borrada en un tiempo muy corto (1 seg.). El tiempo de
programacin por byte es de 100 ms y el tiempo de retencin de la informacin es de
aproximadamente 10 aos