02 Fisica Dispositivi EL

Elementi di Fisica dei
Dispositivi
i
i i i Elettronici
l
i i
Si ringrazia il Prof. Giustolisi autore dei
seguenti lucidi e figure.
figure
Corso di Elettronica I
S. Pennisi
DIEEI - Universit di CATANIA
Forza elettrica
La forza F tra due cariche puntiformi q0 e q1 poste a distanza r nel
vuoto data dalla
F=
1 q0 q1
4 0 r 2
0 = 8.854 10-14 F/cm
Se r0,1 il vettore posizione che va da q1 a q0, la forza cui soggetta

q0 a causa della presenza di q1
1 q0 q1
F0,1 =
r0,1
2
4 0 r0,1
01
La forza, F, dovuta a n cariche statiche, q1, q2, ..., qn, poste nel
vuoto,
vuo
o, esercitata
ese c a a sulla
su a carica
ca ca q0
n
q0 n qi
F = F0,i =
r
2 0,i
4 0 i =1 r0,i
i =1
0,i
Campo elettrico
Il ccampo
po elettrico,
e e co, E,, ssi oottiene
e e dividendo
d v de do la forza
o F pe
per q0
q0 n qi
F = F0,i =
r
2 0,i
4 0 i =1 r0,,i
i =1
qi
E=
r
2 0,i
4 0 i =1 r0,,i
1
e rappresenta quella forza cui soggetta una carica positiva unitaria

in un punto dello spazio a causa della presenza di altre cariche.
Potenziale elettrico
La differenza di potenziale tra due punti A e B (VBA)
equivale al
lavoro cambiato di segno compiuto dalle forze del campo per
spostare lunit
l unit di carica positiva da A a B.
B
VBA = VB VA = Ex dx
Ex = componente
t del
d l campo E
lungo lasse x.
Il segno meno si pu interpretare
come il lavoro eseguito contro la
forza del campo.
verso del campo

elettrico
x
A
VA
B
VB
VB > VA
LAtomo
LAtomo
formato
f
t da
d un nucleo
l positivo
iti e da
d un guscio
i esterno
t
di elettroni
l tt i
(negativi). Latomo normalmente neutro e la carica del nucleo un
multiplo intero della carica dellelettrone
dell elettrone qq=1.60*10
1.60 10-19.
Gli elettroni di valenza sono quelli pi periferici e che si rendono
disponibili a formare legami per costituire aggregati di atomi.
Sotto particolari condizioni latomo pu perdere uno o pi elettroni
e diventare uno ione (positivo).
TAVOLA PERIODICA DEGLI ELEMENTI

IA
1
II A
III B
IV B
VB
VI B
VII B
VIII B
IB
II B
III A
IV A
VA
VI A
VII A
1.008
VIII A
2
He
idrogeno
34
567 10.81
Li
11
Be
12
Na
19
21
Ca
22
Sc
23
24
Ti
25
Cr
26
Mn
27
Fe
28
Co
29
Ni
63.55
30
Cu
rame
37
carbonio
azoto
ossigeno
38
Rb
39
Sr
40
41
Zr
42
Nb
43
Mo
44
Tc
45
R
Ru
46
Rh
47
Pd
26.98
48
56
Cs
57-71
Ba
72
(1)
73
Hf
74
Ta
75
76
Re
77
78
Os
Ir
79 196.97
Pt
Au
P
fosforo
69.72
Ga
88
Fr
89-103
Ra
(2)
57
(1)
La
Ce
107
108
109
110
60
61
62
63
64
Pr
91
Th
numero atomico
simbolo
i b l chimico
hi i
106
72.59
33
Ge
74.92
17
34
Ne
18
C
Cl
35
Se
Ar
36
Br
Kr
germanio arsenico
50 118.69
51 121.75
Sn
Sb
Hg
As
In
81
16
52
53
54
Te
Xe
stagno antimonio
82
Tl
207.2
83
Pb
84
Bi
85
Po
86
At
Rn
piombo
Ha
59
90
Ac
105
Rf
58
89
(2)
104
32
49 114.82
oro
87
30.97
S
Si
Cd
80
15
silicio
indio
55
28.09
Al
gallio
Ag
14
alluminio
31
Zn
891 15.999
B
13
20
14.006
boro
Mg
12.011
92
Pa
Nd
1.008
H
idrogeno
Pm
93
Sm
94
Np
Eu
95
Pu
peso atomico
nome
Am
65
Gd
96
66
Tb
97
Cm
67
Dy
98
Bk
68
Ho
99
Cf
metallo
ll
69
Er
100
Es
Fm
non metallo
ll
Tm
101
Md
70
71
Yb
102
No
Lu
103
Lr
gas nobile
bil
Classificazione elettrica dei materiali

Conduttori
Semiconduttori
i d
i
Isolanti
Facilit con cui gli elettroni

sono liberi
lib i di muoversii all loro
l
interno
Metalli
Gli elettroni periferici non
partecipano alla formazione di
legami covalenti e rimangono
lib i di muoversii sotto
liberi
tt leffetto
l ff tt
di un campo elettrico
Isolanti
Tutti gli elettroni di valenza sono
coinvolti in legami covalenti.
Occorre molta energia per
staccarli
t
li e farli
f li partecipare
t i
alla
ll
conduzione
Moto degli
g elettroni in un conduttore
dovuto allagitazione termica
In un conduttore gli elettroni sono liberi.
liberi Se il campo elettrico
nullo, il moto di un elettrone dovuto allenergia termica e pu
essere visto come una rapida
p
successione di urti allinterno del
reticolo che compone la struttura del materiale conduttore.
Nell intervallo di tempo medio che intercorre tra due collisioni,
Nellintervallo
collisioni c,
gli elettroni acquisteranno una velocit media, vth, e percorreranno
una distanza media l (l = vthc).
l viene detta libero cammino medio e
rappresenta la distanza media che intercorre tra
due urti
c rappresenta lintervallo di tempo medio tra
due collisioni
Energia
g cinetica degli
g elettroni nei
conduttori per agitazione termica
In un tempo abbastanza lungo (parecchi c),

) non esistendo una
direzione preferenziale, la velocit media nulla (<vth> = 0), ma la
velocit qquadratica media diversa da zero ((<v2th> 0))
Un modello efficace rappresenta il moto degli elettroni come il
moto di particelle gassose prive di carica (nube di elettroni).
Lenergia cinetica degli elettroni sar pari a kT/2 per ogni grado di
libert (direzione in cui llelettrone
elettrone si muove)
1
mn vth2
2
1
2 kT
=
3 kT
2
moto unidimensionale
moto tridimensionale
vth la velocit della particella

mn, massa efficace
k la costante di Boltzmann
(1.381023 J/K).
Moto nei conduttori in presenza di un

campo elettrico
In presenza di un campo elettrico, E, ogni elettrone viene accelerato
da una forza qE. Questo causa un moto detto di deriva.
A vth si sovrappone quindi unulteriore componente, vn, il cui valor
medio
di nell tempo
t
diverso
di
da
d zero.
A causa degli urti si otterr una velocit media costante
La velocit media proporzionale al campo elettrico ed detta
velocit di deriva (drift) e indicata con vd
10
caso unidimensionale
caso tridimensionale
vdx = n E x
v d = nE
n = coefficiente di mobilit degli elettroni [cm2/V*s]

La mobilit costante solo per bassi campi elettrici.
L velocit
La
l it satura
t
( max) per alti
(v
lti campii
n
E <103 V/cm
n ( E ) = n ( E ) 1 E 103 V/cm < E <104 V/cm
(
E
)
1
E
E
>
10
V/cm
n
11
Corrente elettrica in un conduttore

La corrente I una grandezza scalare che rappresenta la variazione
di carica nellunit di tempo
dQ
I=
dt
Se N particelle di carica q sottoposte a un campo E attraversano un

conduttore di sezione A lungo la direzione dellasse x, la corrente
risultante la carica totale, Nq, che attraversa A nellunit di tempo
E
I=
v
Nq
= Nq d
t
L
A
x
vdx la velocit di deriva con cui le cariche coprono la lunghezza L

12
Densit di Corrente
La densit di corrente J un vettore e indica la corrente per unit
di superficie
p
((A/m2)).
caso unidimensionale
N dx
I qNv
Jx = =
= qnvdx
A
LA
caso tridimensionale
J = qnv d
Dove n=N/LA la concentrazione (volumica) di portatori [cm-3].
13
Legge di Ohm
J = qnv d = qn n E = E
=qnn la conducibilit [cm]-1 ,

=1/ dove la resistivit
Da cui ricaviamo la legge di Ohm
I = AE =
A
L
R=
L
L
=
A
A
V = RI
14
Mobilit e temperatura
Al crescere ddella
ll temperatura,
t
t
il raggio
i di vibrazione
ib i
d li atomi
degli
t i
del materiale conduttore aumenta per agitazione termica
Incrementa la probabilit che un elettrone collida con un atomo
durante il suo libero cammino medio
Diminuisce il tempo medio tra due collisioni, c
Lincremento della temperatura ostacola il moto della carica
Ci in accordo con la legge di Ohm: la resistenza aumenta
allaumentare della temperatura
15
I semiconduttori
16
Semiconduttori
Sono microscopicamente simili agli isolanti (tutti gli elettroni di
valenza
l
sono coinvolti
i l i in
i legami
l
i covalenti).
l i)
La sola energia dovuta allagitazione termica (< 2 eV) sufficiente
a liberare
lib
un certo numero di elettroni
l
i e a renderli
d li disponibili
di
ibili alla
ll
conduzione
Atomi singola specie

Elementi della IV colonna
silicio
ili i (Si),
(Si) germanio
i (Ge).
(G )
Composti
Elementi della IV colonna
silicio carbonio (SiC)
Composti
C
ti
Elementi di III e V colonna
arsenurio di gallio (GaAs)
17
Silicio
Latomo
o o ddi S
Si ha 14 eelettroni
e o ed tetravalente
e v e e ((4 eelettroni
e o ddi
valenza)
Rappresenta il principale materiale per la realizzazione di
componenti a semiconduttore, soprattutto per la possibilit di
realizzare facilmente un materiale isolante di elevata qualit (il
biossido di silicio, SiO2)
Basso costo rispetto ad altri materiali (nella forma di silice o di
silicati, costituisce il 25% della crosta terrestre)
La tecnologia per la sua lavorazione di gran lunga la pi
avanzata rispetto a quella degli altri semiconduttori
18
Disposizione degli atomi di silicio

Il silicio ha una struttura cristallina. Gli atomi formano un
tetraedro
I quattro elettroni del guscio esterno legano gli atomi del cristallo
mediante legami covalenti
z
zona di
valenza
+4
+4
e2
+4
+4
+4
+4
e1
y
x
+4
+4
+4
zona di
conduzione
d i
19
Elettroni e lacune
Lagitazione termica pu liberare un elettrone e farlo saltare dalla
zona di valenza
l
alla
ll zona di conduzione
d i
Un elettrone libero lascia alle sue spalle una lacuna (hole)
Processo di generazione coppie
elettrone lacuna
elettrone-lacuna
Sotto lapplicazione di un campo
elettrico gli elettroni liberi partecipano
alla conduzione di corrente
Anche le lac
lacune
ne ttuttavia
tta ia danno il loro
contributo alla conduzione di corrente
+4
+4
e3
e2
e4
+4
+4
+4
+4
h1 elettrone
lac na
lacuna
+4
e1
+4
+4
20
Moto di elettroni e lacune

Gli elettroni liberi vengono detti elettroni di conduzione.
Quelli
lli nella
ll zona di valenza
l
sono gli
li elettroni di valenza.
Sottoposto al campo E, lelettrone di
E
conduzione e1 si sposta verso destra
Gli elettroni di valenza e2, e3 ed e4 si
spostano verso destra (la
(l posizione
i i
occupata
t
+4
+4
+4
+4
+4
da e2 era inizialmente dalla lacuna h1 )
Nulla ci vieta di dire che,

che sotto llazione
azione
del campo elettrico, la lacuna si sia
p
verso sinistra
spostata
La lacuna una pseudo-carica positiva
Elettportatori roni e lacune sono detti
anche (di carica)
+4
h1
+4
e4
e3
e2
+4
e1
+4
21
Semiconduttori intrinseci
Il semiconduttore puro viene detto intrinseco
Nel semiconduttore intrinseco ogni elettrone che si liberer dal
legame covalente creer una lacuna
Il numero delle lacune sar uguale
g
a qquello degli
g elettroni liberi
Definendo rispettivamente con p ed n il numero di lacune e di
elettroni
l
i per unit
i di volume
l
presentii in
i un semiconduttore,
i d
sii avr
n = p = ni
ni prende il nome di concentrazione intrinseca dei portatori o,

semplicemente concentrazione intrinseca
semplicemente,
22
Concentrazione intrinseca
ni dipende dalle caratteristiche del semiconduttore ed funzione
d ll temperatura
della
Il valore di ni dovuto ad un bilanciamento tra il tasso di
generazione ed il tasso di ricombinazione
EG (T )
ni = CT exp
2
kT
3
2
ni (cm
m-3)
Silicio
ni = 1.4510
1 45 1010 cm33 @ 300 K
C una costante
k la costante di Boltzmann
EG(T) llenergia
energia di bandgap
Temperatura (C)
23
Corrente di deriva nel Si intrinseco

La corrente di deriva sar causata dal moto degli elettroni e delle
lacune.
La relazione che esprime la densit di corrente tiene conto di questo
doppio contributo
j = q ( n n + p p ) E = qni ( n + p )E
n e p rappresentano
pp
la mobilit
degli elettroni e delle lacune
Le due
L
d mobilit
bilit hanno
h
valori
l i
differenti e la mobilit delle lacune
inferiore a q
quella degli
g elettroni.
Semiconduttore
Silicio
A
Arsenurio
i di gallio
lli
Germanio
mobilit (cm2/Vs)
elettroni lacune
1450
505
9200
320
3900
1900
24
Osservazione
Un cristallo di Si ppossiede 5 1022 atomi/cm3
Siccome a temperatura ambiente ni=1.45 1010 cm-3, ci significa che
meno di 1 atomo su 1012 contribuisce a generare una coppia
elettrone-lacuna.
Per questo motivo la conducibilit del silicio (semiconduttore
intrinseco) molto bassa e non particolarmente idonea per
realizzare dispositivi
p
elettronici.
25
Semiconduttori estrinseci
possibile inserire in un semiconduttore intrinseco altri elementi
chimici
hi i i per variarne
i
la
l conducibilit
d ibili
Tali elementi vengono detti droganti o anche impurit
Il semiconduttore cos trattato viene detto drogato,
g , impuro
p
o
estrinseco
Vincoli
C
Concentrazione
i
di drogante
d
<< 5.0210
5 02 1022 cm-33 (atomi
(
i del
d l silicio)
ili i )
Concentrazione di drogante >> 1.45
1 45 1010 cm-3 (= ni)
1014 atomi/cm3 < concentrazione drogante
g
< 1020 atomi/cm3
26
Tipi di drogante
Gli elementi droganti che sono in grado di alterare le propriet
elettriche
l i h di un semiconduttore,
i d
appartengono alla
ll V o alla
ll III
colonna della tabella periodica degli elementi
Tali elementi sono pentavalenti o trivalenti in quanto possiedono
rispettivamente
p
cinque
q o tre elettroni che ppossono formare legami
g
covalenti con gli atomi adiacenti.
Droganti Trivalenti
Boro
Gallio
Indio
Droganti Pentavalenti
Antimonio
Fosforo
Arsenico
27
Drogaggio con elementi pentavalenti

Latomo drogante usa quattro dei cinque elettroni del suo guscio
esterno per formare
f
un llegame covalente
l
L elettrone in pi non legato al reticolo e pu facilmente
Lelettrone
diventare un elettrone libero
Gli atomii droganti
d
i vengono chiamati
hi
i
atomi donori o di tipo n
+4
Il semiconduttore viene detto drogato

p n
di tipo
+4
+5
+4
La concentrazione di drogante di tipo

n viene
i
indicata
i di t con ND
+4
+4
+4
+4
+4
elettrone
28
Drogaggio con elementi pentavalenti

Una volta che lelettrone si allontana, il drogaggio di tipo n crea uno
ione positivo
Differentemente da una lacuna,
lacuna lo ione una carica positiva fissa
Rispetto al semiconduttore intrinseco:
+4
+4
+4
elettrone
Il tasso di generazione rimane

immutato
Il tasso di ricombinazione aumenta a
causa dellaumento
d ll
t degli
d li elettroni
l tt i liberi
lib i
La concentrazione di lacune
minore
+4
+5
+4
+4
+4
+4
29
Drogaggio con elementi trivalenti

Latomo drogante usa tutti i suoi tre elettroni del suo guscio esterno
per formare
f
un llegame covalente
l
Il legame non formato crea una lacuna in grado di partecipare alla
conduzione di corrente
Gli atomii droganti
d
i vengono chiamati
hi
i
atomi accettori o di tipo p
+4
+4
+4
Il semiconduttore viene detto drogato

p p
di tipo
+4
+3
+4
+4
+4
lacuna
La concentrazione di drogante di tipo

p viene
i
indicata
i di t con NA
+4
30
Drogaggio con elementi trivalenti

Una volta che la lacuna si allontana, il drogaggio di tipo p crea uno
ione negativo
Differentemente da un elettrone,
elettrone lo ione una carica negativa fissa
Rispetto al semiconduttore intrinseco:
Il tasso di generazione rimane
immutato
Il tasso di ricombinazione aumenta a
causa dellaumento delle lacune
La concentrazione di elettroni
minore
+4
+4
+4
+4
+3
+4
+4
+4
lacuna
+4
31
Riepilogo degli effetti del drogaggio
Drogaggio di tipo n
Aumenta la
concentrazione
t i
degli
d li
elettroni
Genera cariche
positive fisse (ioni)
Diminuisce la
concentrazione di
lacune
Drogaggio di tipo p
Aumenta la
concentrazione
t i
delle
d ll
lacune
Genera cariche
negative fisse (ioni)
Diminuisce la
concentrazione degli
g
elettroni
32
Mobilit nei semiconduttori estrinseci

Quando una carica passa accanto ad uno ione essa subisce una forza
Coulombiana ed
d costretta a cambiare
bi la
l sua traiettoria
i
i
Maggiore la concentrazione di drogante,
drogante minore sar la mobilit
delle cariche
Nel silicio la mobilit
diminuisce di circa un
ordine di grandezza
passando da drogaggi
di 1014 a 1020 cm3
33
Equilibrio termico
In un semiconduttore la condizione di equilibrio termico implica un
perfetto
f
bilanciamento tra i processii (o
( meglio
li i tassi)) di
generazione e ricombinazione
Processi Generazione-Ricombinazione
1. Elettrone si svincola da un atomo Si creazione coppia
pp
elettrone-lacuna
2. Elettrone verso lacuna annichilimento coppia elettronelacuna
3. Elettrone da atomo donore elettrone + ione positivo
4 Elettrone verso atomo accettore lacuna + ione negativo
4.
34
Legge dellazione
dell azione di massa
np = ni2
Nell caso di un semiconduttore

N
i d tt
intrinseco
i ti
la
l legge
l
banalmente
b l
t
verificata.
In un semiconduttore drogato (ad esempio di tipo n) vi sar un
portatore di carica prevalente (in questo caso lelettrone) detto
maggioritario. Laltro viene detto minoritario.
35
Bilancio di carica in un semiconduttore

In un semiconduttore drogato (ND o NA) a temperatura ambiente (T
= 300 K) tutti gli atomi di drogante sono ionizzati
Vale quindi la seguente equazione di neutralit di carica
N D+ + p = N A + n
Nel semiconduttore di tipo

p n ((con ND >> ni e NA = 0)) si ha
nn N D
ni2
pn
ND
Nel semiconduttore di tipo p (NA >> ni e ND = 0) si ha

pp N A
ni2
np
NA
36
Diffusione di portatori
37
Concentrazioni non uniformi e moto

dei portatori
Differentemente dai conduttori, nei semiconduttori esiste un altro
fenomeno di trasporto di carica oltre alla deriva: la corrente di
diffusione
Dato il movimento casuale
n(l)
n
delle cariche dovuto
n(0)
n(-l)
( l)
allagitazione termica, si
osserva un movimento netto
d ll regioni
dalle
i i a maggior
i
1
2
concentrazione verso quelle a
minore concentrazione
corrente
Nel caso degli elettroni, la corrente
elettrica opposta al moto delle cariche
x
-ll
l
38
Corrente di diffusione
Dopo un tempo c met degli
elettroni che si trovavano tra il
punto l e 0 attraverseranno
llorigine
origine
Il flusso di particelle sar met
area 1 diviso il tempo di
percorrenza, c
Velocit media degli elettroni vth

Libero cammino medio l
Tempo di percorrenza c (= l/vth)
n(l)
n
n(0)
n(-l)
( l)
Analogamente faranno gli

eelettroni
e o dellarea
de
e 2
2
x
Il flusso netto la differenza

-ll
dei due flussi
l
39
Corrente di diffusione
dn
jnx = qDn
dx
Dn = vth l
chiamata costante di diffusione o diffusivit [m2/s]
Moltiplicando il flusso per la carica dellelettrone, q, otteniamo la

densit di corrente di diffusione per gli elettroni
40
Corrente nei semiconduttori

Contributi di diffusione dovuti a un gradiente di concentrazione
dp
j px = q
qDp
dx
dn
jnx = qqDn
dx
Contributi di deriva dovuti allapplicazione di un campo

j px = qp p Ex
jnx = qn n Ex
dp
dp
j px = qp p Ex qDp
dx
dn
jnx = qn n Ex + qDn
dx
Correnti totali
41
Relazione di Einstein
kT
Dn =
n = VT n
q
Dp =
Dp
Dn
kT
p = VT p
q
= VT
VT = kT/q denominata tensione termica

T
VT =
11600
Pari a circa 26 mV a
temperatura ambiente (300 K)
42
Potenziale allinterno di
un materiale con
concentrazione non
uniforme di portatori
43
Correnti in un semiconduttore a
concentrazione non uniforme
In un semiconduttore con concentrazione non uniforme di
portatori (es. lacune p1 e p2) si crea una corrente di diffusione
Poich il circuito aperto, la corrente totale che si osserva nulla
Deve esistere una corrente di deriva (e quindi un potenziale
elettrico) allinterno del materiale
dp
=0
j px = qp p Ex qD p
dx
D p 1 dp
1 dp
Ex =
= VT
p p dx
p dx
x=0
p1
p2
2
x
44
Potenziale in un semiconduttore a
concentrazione non uniforme
Cio si instaura un campo elettrico che si oppone alla diffusione.
Il campo elettrico consente di determinare il potenziale
da cui
p2
1 dp
Ex = VT
p dx
dp
V21 = E x dx = VT
p
1
p1
p1
V21 = VT ln
p2
n2
V21 = VT ln
n1
La differenza di potenziale V21 nota

come potenziale di contatto
indipendente dal livello intermedio
di drogaggio tra il punto 1 e il punto 2
x=0
p1
p2
2
45
Equazioni di Boltzmann
Si ottengono invertendo le formule dei potenziali di contatto
n1 = n2 eV21 VT
p1 = p2 eV21 VT
Consentono di ricavare le concentrazioni noto il potenziale

possibile
ibil ricavare
i
la
l legge
l
dellazione
d ll i
di massa considerando
id
d add
es. il materiale 2 come intrinseco con p2 = n2 = ni
n1 = ni eV21 VT
p1 = ni eV21 VT
e moltiplicando
lti li d tra
t di loro
l
p1n1 = ni2
46
Potenziale di Fermi
Il potenziale di Fermi di un semiconduttore, F, altro non che il
potenziale
i l di contatto tra il semiconduttore
i d
intrinseco
i i
e il
semiconduttore considerato
V21 = VT ln
p1
p2
n2
V21 = VT ln
n1
F = VT ln
p
ni
n
F = VT ln
ni
Si trova facilmente che il potenziale di contatto tra due

semiconduttori differentemente drogati pu esprimersi tramite il
potenziale di Fermi
V21 = ( F 2 F 1 )
Elettronica 1
47

02 Fisica Dispositivi EL

Încărcat de

Informații document

Drepturi de autor

Formate disponibile

Partajați acest document

Partajați sau inserați document

Opțiuni de partajare

Vi se pare util acest document?

Este necorespunzător acest conținut?

Drepturi de autor:

Formate disponibile

02 Fisica Dispositivi EL

Încărcat de

Drepturi de autor:

Formate disponibile

Elementi di Fisica dei

DIEEI - Universit di CATANIA

0 = 8.854 10-14 F/cm

Se r0,1 il vettore posizione che va da q1 a q0, la forza cui soggetta

e rappresenta quella forza cui soggetta una carica positiva unitaria

DIEEI - Universit di CATANIA

verso del campo

DIEEI - Universit di CATANIA

DIEEI - Universit di CATANIA

TAVOLA PERIODICA DEGLI ELEMENTI

DIEEI - Universit di CATANIA

Classificazione elettrica dei materiali

Facilit con cui gli elettroni

DIEEI - Universit di CATANIA

In un tempo abbastanza lungo (parecchi c),

vth la velocit della particella

DIEEI - Universit di CATANIA

Moto nei conduttori in presenza di un

DIEEI - Universit di CATANIA

n = coefficiente di mobilit degli elettroni [cm2/V*s]

n ( E ) = n ( E ) 1 E 103 V/cm < E <104 V/cm

DIEEI - Universit di CATANIA

Corrente elettrica in un conduttore

Se N particelle di carica q sottoposte a un campo E attraversano un

vdx la velocit di deriva con cui le cariche coprono la lunghezza L

Dove n=N/LA la concentrazione (volumica) di portatori [cm-3].

DIEEI - Universit di CATANIA

=qnn la conducibilit [cm]-1 ,

DIEEI - Universit di CATANIA

Atomi singola specie

DIEEI - Universit di CATANIA

Disposizione degli atomi di silicio

Moto di elettroni e lacune

da e2 era inizialmente dalla lacuna h1 )

Nulla ci vieta di dire che,

ni prende il nome di concentrazione intrinseca dei portatori o,

Corrente di deriva nel Si intrinseco

DIEEI - Universit di CATANIA

DIEEI - Universit di CATANIA

DIEEI - Universit di CATANIA

Drogaggio con elementi pentavalenti

Il semiconduttore viene detto drogato

La concentrazione di drogante di tipo

DIEEI - Universit di CATANIA

Drogaggio con elementi pentavalenti

Il tasso di generazione rimane

Drogaggio con elementi trivalenti

Il semiconduttore viene detto drogato

La concentrazione di drogante di tipo

DIEEI - Universit di CATANIA

Drogaggio con elementi trivalenti

Riepilogo degli effetti del drogaggio

DIEEI - Universit di CATANIA

Mobilit nei semiconduttori estrinseci

DIEEI - Universit di CATANIA

DIEEI - Universit di CATANIA

Nell caso di un semiconduttore

DIEEI - Universit di CATANIA

Bilancio di carica in un semiconduttore

Nel semiconduttore di tipo

Nel semiconduttore di tipo p (NA >> ni e ND = 0) si ha

DIEEI - Universit di CATANIA

DIEEI - Universit di CATANIA

Concentrazioni non uniformi e moto