PSC 2013 2014 PDF

1
PHYSIQUE DES
SEMICONDUCTEURS
P. Lorenzini
PolytechNice Sophia
Dept. lectronique
Objectifs du cours
Comprendre lintrt des semi-conducteurs dans la
ralisation des composants lectroniques

Matriser des mcanismes de transports et des
phnomnes physiques rgissant le fonctionnement des
composants discrets de llectronique.
Maitriser le fonctionnement DC et AC de la jonction PN
Plan du cours (22,5 h 2/3 contrles)

1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
8.
Structure cristalline et cristallographie

mcanique quantique / ondulatoire : lquation de Schrdinger
Les lectrons quasi libres : le modle de Sommerfeld
Les lectrons dans une structure priodique : le modle de Bloch
Brillouin
Courant dans les solides : cas particulier des semi-conducteurs
mcanique statistique : la fonction de Fermi Dirac et la fonction de
Maxwell Boltzmann
Semi-conducteur lquilibre
Dopage des semi-conducteurs
Semi-conducteur hors quilibre: courant dans les semi-conducteurs
Jonction PN
Rfrences bibliographiques
C. Kittel, physique de ltat solide , dunod universit, 5 ed.,
1983
H. Mathieu, Physique des semiconducteurs et des composants
lectroniques , dunod, 5 ed., 2004
J. Singh, semiconductors devices: an introduction ,Mc.Graw Hill,
1994
D.A.Neamen, semiconductor physics and devices: basic
principles , Mc.Graw Hill, 2003
Cours de Physique des semiconducteurs, Pr. Rouzeyre, Universit
de Montpellier II, 1985
McMurry and Fay, Chemistry , Prentice Hall; 4th edition (April 7,
2003) ( les figures du chapitre 1 proviennent majoritairement de cet

ouvrage)
CHAPITRE 1
Liaison cristalline et cristallographie
structure cristalline et cristallographie

tats cristallin et amorphe
Liaisons cristallines
Gomtrie des cristaux
Diffraction cristalline - Rseau rciproque

amorphe verre
cristal quartz, SiO2
Distinction:
Au niveau macroscopique:
Si on lve la temprature du verre, on observe un passage progressif
de l'tat solide l'tat de liquide sans palier.
Pour un cristal, on observe un palier de temprature d une
coexistence (changement) de phase.
Au niveau microscopique:
Amorphe
: rpartition alatoire des atomes
Cristal
: rpartition priodique dans l'espace des atomes.

(Daprs Neamen)
Amorphe
(pas dordre)
Polycristallin
(ordre courte porte)
Cristallin
(ordre longue porte)
La liaison cristalline
Quelles sont les forces qui permettent aux atomes de se lier entre
eux et de former telles ou telles structures?
Le but :
U cristal U libre 0
Plusieurs paramtres/effets prendre en compte:

Garder les ions chargs positivement loigns les uns des autres
Garder les lectrons chargs ngativement loigns les uns des
autres
Garder les lectrons proches des ions
Minimiser lnergie cintique des lectrons
en les rpartissant
10
Electrongativit
Electronegativit:cest lacapacit dunatome attirer les
lectrons mis encommun dans une liaisonchimique.

Ladiffrence dlectrongativit
En entredeux atomes lis
peut tre nulle,faible ou grande.
EN~0:leslectrons sont
galements rpartis
EN~ 1:leselectronssont plus
proches delatome leplus
lectrongatif.
ENest lev,leslectrons sont
peu partags (pasmis encommun)
11
La liaison cristalline
4 principaux types diffrents:
Liaison mtallique
Liaison covalente
Liaison ionique
Liaison de Van der Waals (gaz
rares) ou liaison molculaire
Un point commun:
Les atomes essayent
davoir leur dernire

couche lectronique vide
ou complte !
12
La liaison mtallique
La majorit des lments chimiques ont un
comportement mtallique plus ou moins marqu.

Construits partir dlments ayant peu dlectrons
de valence / leur priode ou niveau dnergie
Exemple:
Sodium (Na) 1s22s22p63s1
Cuivre (Cu) 1s22s22p63s23p63d104s1
13
La liaison mtallique : le cuivre
Configuration du Cu
(1s22s22p63s23p63d104s1)
14
La liaison mtallique
Les lectrons priphriques sont trs peu lis latome
Ce dernier libre facilement ce(ces) lectron(s)
Les noyaux constituent alors un ensemble de charges positives ions
positifs couche externe sature

La cohsion est assure par le nuage lectronique charg ngativement
Force de cohsion attraction Coulombienne
Liaisons plutt faibles matriaux moins durs et fusion basse
Temprature
15
La liaison covalente
Les cristaux appartiennent la colonne IV
du tableau priodique
Liaison du mme type que la liaison
hydrogne
LHydrogne:
1 lectron priphrique
Pour complter sa couche, il accepterait bien
un deuxime lectron
Un deuxime atome dH va permettre de mettre
en commun leur lectron priphrique
On obtient la molcule H2
+
H
H2
16
Exemple :le Silicium
4 lectrons de valence
Si
Il manque 4 lectrons de valence pour complter sa
couche externe
Il suffit de rapprocher 4 autres Silicium
Si
Si
Si
Si
Si
la diffrence de H2, une fois les

liaisons satures, les 4 autres Si ont
encore des liaisons pendantes ce
processus peut continuer on forme
alors un cristal.
17
nergie plus faible si les lectrons
se baladent autour des 2 noyaux
On peut obtenir le mme type de
rsultats avec des composs II-VI

ou encore III-V.(voir la suite)
18
Liaison ionique
Association dun lment chimique fortement
lectrongatif ( 7e-) et dun lment fortement

lectropositif (1e-): ex NaCl
Llectrongatif accepte un e- et devient un ion ngatif
(Cl-) , llectropositif cde son e- et devient un ion
positif (Na+)
3s3p5
3s1
(Daprs McMurry and Fay)
19
Liaison ionique
La force de cohsion est due lattraction
Coulombienne des deux ions liaison ionique

En fait, liaison identique la liaison covalente
sauf que les atomes sont trs diffrents (pas la mme
colonne)
La frontire covalente/ionique nest pas brutale:
dpend de la nature lectronique des lments
associs
Col I VII essentiellement ionique

Col II-VI 80% ionique 20% covalente (CdTe)
Col III-V 60% ionique 40% covalente (GaAs, GaP, InP)
Col IV-IV essentiellement covalente (Si, Ge)
20
Liaison ionique
Llectron libr par le mtal Alcalin (Na) est pig par
lHalogne (Cl)
Aucun lectron libr dans le rseau
En gnral les cristaux ioniques sont isolants
Liaison entre atome trs forte cristaux trs durs
21
Liaison de type Van der Waals

Ceux sont les cristaux les plus simples
La distribution lectronique = atome libre
Couches lectroniques dj satures (col. VIII)
Les atomes sempilent de faon la plus dense
possible
nergie de liaison trs faible (qq % de lnergie
dionisation de latome) cristaux fondent basse
temprature
Responsable de la cohsion des molcules
22

Un cristal est constitu par la rptition priodique dun
motif cristallin: cest la base du rseau.

pour le Silicium,Ge
Pour le GaAs
Pour un crist. molculaire
base : 1 seul atome

base : 2 atomes
base : Protine 104-105 at.
On dcrit la structure priodique par un rseau: le
rseau cristallin
2 Dim: Rticule (net) rseau plan
3 Dim: Rseau (Lattice ) rseau 3D
23

directions
Postulat de Bravais: il existe
dans le cristal un ensemble de

points Pn qui ont exactement le
mme environnement
microscopique que P0 (le pt
origine) ie que le paysage
atomique vu de Pn est le mme
quen P0 en grandeur et en
direction. Cet ensemble de
points est un ensemble de
points congruents ou sommet du
rseau
Rseau de Bravais: cest un
chantillon de rseau qui montre
toutes les translations du
rseau. Il y en en 14 diffrents
P0
P1
P1
P2
Pn
24
Reprage des plans cristallins

Reprage des plans cristallins: les nuds du rseau peuvent tre
regroups sur des ensembles de plans // et quidistants: les plans

rticulaires ( dans notre cas, les plans qui contiennent les atomes du
rseau)
Mthode :
coordonnes des intersections des plans avec les directions cristallines
x1 (distance / origine = x1.a ) en unit de a
x2 (distance / origine = x2.b ) en unit de b
x3 (distance / origine = x3.c ) en unit de c
Prendre les inverses
Prendre les plus petits entiers dans le mme rapport
Exemple:
x1=4, x2=1, x3=2
, 1,
1,4,2
(h,k,l) =(1,4,2)
Nota : si un des indices est ngatif, on ajoute une barre sur le dessus
h,k,l constituent les indices de Miller
25
Plan cristallin dindices (h,k,l)

A1, A2, A3 : 3 nuds
3
Plan
A3
a3
plan rticulaire
OAi pi ai
2
A2
a2
Soit M (
)
un point de lespace direct;
il appartient ssi :
a1
A1
En utilisant les indices de Miller, on arrive : hx1 kx2

plan est le 2 plan dindices (h,k,l) aprs lorigine
OM x1 a1 x2 a2 x3 a3
x1 x2 x3
1
p1 p2 p3
lx3 N
. Si N=2, le
26
Directions cristallines
Toute droite passant par 2 nuds du rseau dfinit une direction
cristalline. On peut la reprer par trois indices h,k,l plus petits

entiers ayant mme rapport entre eux que les composantes dun
vecteur colinaire la droite.
Notation: [h,k,l]
Cas particulier: une direction [h,k,l] est orthogonale au plan de
mme indices (h,k,l) ou encore [h,k,l] est le vecteur axial du plan
(h,k,l) .
27
Indices de Miller (suite)

Permet de dfinir des directions cristallines et lorientation
de plans cristallins:
(a,0,0) ou (1,0,0)
28
Exemples de plans dans un cristal

cubique.
z
x
y
29
Les diffrentes structures cristallines
Triclinique
Monoclinique
Orthorhombique Orthorhombique
faces centres
base centre
Monoclinique
centr
Orthorhombique Orthorhombique
centr
Hexagonal
Rhombodrique
Ttragonal
Ttragonal
centr
30
Les diffrentes structures cristallines
Cubique simple
(cs)
Cubique centr
(cc)
Cubique faces centres

(cfc)
31
Les diffrentes structures cristallines: notion de

multiplicit de la maille
CS
CC
1 atome (nud)
par maille
2 atomes (nuds)
par maille
32

CFC
Les faces sont inclines de

54,7 par rapport aux 3
couches atomiques qui se
rptent
4 atomes (nuds)
par maille
33

Structure
Hexagonale
Structure
Cubique Faces Centres
34
Choix des vecteurs primitifs

Pas unique
Mthode:
a1 doit tre la priode
la plus courte du
rseau
la plus courte du
rseau non // a1
la plus courte du
rseau non coplanaire
avec a1 et a2
directions
P0
a1
a2
P1
P1
P2
On obtient alors une cellule primitive
Pn
35
Le Cubique centr (cc)
a1
a2
a3
a1
y
a2
a1 a x
a2 a y
a
a3 ( x y z )
2
a3
a
( x y z )
2
a
a2 ( x y z )
2
a
a3 ( x y z )
2
a1
Ou:
36
Daprs C. Kittel, Dunod, 5ed.
37
Densit surfacique datomes

Plan (110)
a 2
a
a
densit surfacique
1 4 1 / 4
2
14
2
5
.
66
10
at
.
cm
aa 2
(5 10 8 cm) 2 2
38
Le silicium et sa structure Diamant .

Structure cubique CFC
Deux atomes dans la
base
Identique 2 CFC
dcals de de
diagonale
Chaque atome a 4
atomes comme plus
proches voisins (liaison
ttragonale)
39
Le rseau rciproque
A priori:
tous les phnomnes physiques se droulent dans lespace rel
(3D) cest lespace de choix et dintrt.
Mais:
Pour plusieurs applications/tudes plus astucieux de travailler
dans un espace virtuel : lespace rciproque.
Raisons: pleinement comprises lors de ltude de la diffraction RX
et la structure en bandes dnergie des cristaux.
40
Rseau rciproque: dfinition

Une des raisons de lapparition du RR:
Structure du cristal priodique proprits galement (
densit lectronique, potentiel lectrostatique,)
Ces proprits peuvent tre dfinies par les fonctions ad hoc
qui sont donc elles mme priodiques (priodicit du cristal)
f (r l ) f (r )
41

une dimension:
Structure de priode a
f ( x l ) f ( x) avec l l1a l1 entier

Dcomposition en srie de Fourier
f ( x) An e
n
2inx / a
Ag e
g
igx
2
1
g m
avec g n n
a
42

On a donc bien
f ( x) Ag e
g
igx
1
igx
Ag
f ( x )e dx
a cellule
f ( x l ) Ag eig ( x l ) Ag eigx eigl f(x) Ag eigx

g
2
e 1 gl n
l1a nl1 2 entier 2
a
igl
43

On part des trois vecteurs primitifs du rseau direct RD
(lespace rel) a1, a2, a3.

On fait une transformation simple pour obtenir trois
nouveaux vecteurs primitifs dans le rseau rciproque b1,
b2, b3:
a2 a3
b1 2
(a1 , a2 , a3 )
a3 a1
b2 2
(a1 , a2 , a3 )
a1 a2
b3 2
(a1 , a2 , a3 )
bi .a j 2 ij avec ij 0 si i j , ij 1 si i j
44
Construction du rseau rciproque

partir de la mme origine O
du RD, on construit le RR.

soit N sommet du RR
g ON hb
k b 2 l b3
Soit P sommet du RD
l OP n a1 p a 2 q a 3
Le RR na pas forcment les
mmes symtries que le RD
On a (produit scalaire):
ON .OP 2 hn kp lq
entier
2
hn kp lq
g ON
OP
Les dimensions dun
vecteur du RR:
1
b
longueur
45
Plan du Rseau direct

Vecteur du RR
Point de Rseau direct
l
l
l
46
Proprits du rseau rciproque

Chaque vecteur du RR est normal un ensemble de plans du RD
g g1 b1 g 2 b 2 g 3 b 3
l l1 a1 l2 a 2 l3 a 3
g . l 2 ( g1l1 g 2l2 g 3l3 ) 2N
Or
g. l
reprsente la projection du vecteur l sur la direction de g,

qui donc une longueur
.
Mais il y a une infinit de vecteurs qui ont la mme projection (l1 = l1mxg3, l2 = l2-mxg3, l1 = l1+mx(g2 +g1))
g . l ' 2 ( g1l1 g 2l2 g 3l3 ) 2N

On a construit un de ces plans
47

Si les composantes de g nont pas de facteurs communs, alors |g| est
inversement proportionnel lespacement (la distance) des plans du

rseau normal g
Si (g1,g2,g3) pas de facteurs communs, alors on peut tjs trouver
un vecteur du rseau direct l avec des composantes telles que
''
g. l 2 ( N 1)
Donc d scrit:
2 ( N 1) 2N 2
d''
d d hkl
g
g
g
d hkl
2
g
De ces deux rsultats gomtriques, on en dduit que la faon la plus
simple pour caractriser un plan cristallin du RD est de prendre sa

normale exprime comme un vecteur du RR.
48

Supposonsunplandurseauavecsanormaleg
g hb
k b 2 l b3
g . l 2 hn kp lq 2N
telqueestvrifiepourtousles
pointssurceplan.Sionchoisitunpointtelquep=q=0,ona
N
a1
d
n=N/h,doncleplanquelonadfinitcoupelaxea1 en.
1
h
Idempourd2 etd3.
N
N
N
d1 a1 , d 2 a2 , d 3 a3
l
k
h
2
2
2
Exemple : d '1 , d '2 , d '3
5
4
3
N
N
N
d '1 , d '2 , d '3
l
k
h
3 4 5
, ,
2 2 2
Enunitdes
vecteursde
base
3,4,5 h, k , l
Onalesmmesindicespourg(normalauplan)etpourleplan!
49
[3,1,0]
d2
[1,0,0]
d1
50
Rle physique des plans rticulaires

importance du RR
Soit le cristal parcouru par une onde de nature quelconque:
Onde EM (RX, R)
Onde sonore (phonons)
Onde particulaire (lectrons, neutrons)
Les lectrons (du nuage lectronique) rayonnent dans

tous les sens . Cest le phnomne de diffusion
51

importance du RR
Interfrences entre les ondes diffuses:
Destructives pas de propagation (b)
Constructives on les voit (a)
Condition de diffraction de Bragg
(a)
(b)
52

importance du RR
Dtermination de la loi de Bragg : mthode lmentaire.
On considre les plans cristallins comme des miroirs
On calcule la diffrence de marche (ddm) entre les deux rayons
Interfrence constructive ddm = n
vecteur du RR, par ex |ON|
k'
plan (h,k,l)
dhkl
ddm 2d hkl sin
2d hkl sin n
53

importance du RR
l l
loi de Bragg : influence sur les vecteurs du RR
2d hkl sin n
d hkl . ON 2
2.
2 sin
ON
k .1
avec ON vecteur du RR
ON Vecteur priode de la range [hkl]*
k ON
k ON
2.
2
2 n
ON ON
ON
ON ON
ON 2
or le vecteur d' onde k
,1
, k .1
sin
ON
d hkl
ON
2k n ON , soit encore k n
2
54
Cellule unit / cellule de Wigner-Seitz: Premire

zone de Brillouin
55
CHAPITRE 2
Diffraction dune onde par un cristal
Rseau Rciproque
Zone de Brillouin
56
Gnralits:
La diffraction d1 onde (k = 2 par un cristal intervient
dans deux domaines:

Cristallographie:
Diffraction des Rayons X:
E h
hc
Diffraction des Neutrons

Diffraction des lectrons
deBroglie
hc
12,4
A
E E (keV )
Dualit onde / corpuscule (de Broglie)
h
12
h
p2
h2
e (A)
2
E
2me E
E (eV )
2mn / e 2 mn / e
p
57
Gnralits:
Lobjectif de la cristallographie: tudier les directions dans
lesquelles lnergie diffracte est maximale et en dduire

la distance entre les plans rticulaires, le nb datomes de
chaque famille de plans rticulaires,tout cela par la
mesure de lintensit diffuse.
58
Gnralits:
Le deuxime domaine dintrt:
La physique du solide: on utilise la condition de Bragg (maximum
dintensit diffracte) pour dterminer les lectroniques qui ne
peuvent se propager dans le cristal (elles sont diffractes!). On
associe chacune des ces satisfaisant la loi de Bragg une
bande dnergie pour llectron quon appelle bande interdite
( gap ).
59
Loi de Bragg
Mthode lmentaire (voir chapitre prcdent)
2d hkl sin n
ON
2k n ON , soit encore k n
2
Exemple 1: rseau 1D
a
O
|ON|/2
k
O
RD
2a
RR
si a < k < /a, londe nest pas diffracte.

On est dans la premire zone de Brillouin
si k = /a, il y a diffraction, k est en bord
de zone de Brillouin
60
Loi de Bragg / zone de Brillouin

Exemple 2: rseau 2 dimensions
A2
a2
a1
1 ZB A1 (// a2)
A1
RR
RD
Toutes les ondes de

vecteurs donde
lintrieur de la ZB
peuvent se propager
1 ZB A2 (// a1)
61
zone de Brillouin dun CFC
http://fr.wikipedia.org/wiki/Zone_de_Brillouin
62
Loi de Bragg: conditions de Laue

Mthode directe: utilisation de la thorie de diffusion des
ondes optiques
k
D
r
Diffusion : cration dune
onde sphrique
k, k : vecteur donde incident/diffus

: position de latome diffusant
r : distance atome /dtecteur
R: position du dtecteur (loin du cristal)
R, k
63

On suppose une onde plane dans lespace libre, au
point
F ( ) F0 exp i ( k . t )
Onde de vecteur donde k , de frquence angulaire

et de longueur donde 2
k
On place maintenant le cristal dans le faisceau.
Lorigine O est choisie arbitrairement.
Hypothses
Le faisceau incident nest pas perturb par le cristal
Pas de perte dnergie
64

est donne par :
lamplitude du faisceau incident en
Au point
F ( ) F0e

ik . it
(3D)
, latome va diffuser : onde sphrique. Lintensit
diffuse par le point
Facteur de
diffusion
va avoir une amplitude en
ik i ( k r t )
e e
Fdiff ( r ) fF0
r donne par :
k
r
Diffusion : cration dune
onde sphrique
avec
On va ngliger par la suite la diffrence entre 1/r et 1/R
r R cos( , ) R
65

Donc londe diffuse scrit :
ik i ( k r t )
e e
Fdiff ( r ) fF0
r R cos( , ) R
fF0e
F (r )

it ik . ik R ik cos( , R )
F ( R)
66
On va crire ik . ik cos( , R ) diffremment :

ik cos( , R ) ik cos( , k ) ik ' cos( , k ) ik .
est un vecteur dans la direction de R de mme norme que k
(diffusion lastique)
Lquation de diffusion devient :
F ( R)
fF0e

it ik . ik R ik cos( , R )
fF0e it ei k R i k .
F ( R)
e
R
k k 'k
Si on somme le signal sur lensemble des atomes (des sites atomiques):
F0 ei k R e it i k . p
F ( R)
e
fp
R
p
F0ei k R e it
F ( R)
R
f
p
i k . p
67
Loi de Bragg: conditions de

Laue
Lamplitude peut elle tre gale zro ?
F0 ei k R e it
F ( R)
R
f
p
i k . p
Si le nombre de sites est lev (cest le cas!!), la
sommation est non nulle si: p .k 2n
Cest aussi la dfinition dun vecteur du rseau
rciproque. Donc k ( ou vecteur de diffusion) doit tre un

vecteur du rseau rciproque G, pour que lintensit
diffuse soit non nulle.
68
Conclusion: la condition dune forte intensit de diffraction
est satisfaite uniquement lorsque le vecteur donde est

diffus par un vecteur du rseau rciproque
69
Condition de diffraction de Laue

(construction dEwald)
Diffusion lastique des photons (nergie conserve) |k|
=|k| .
k
k: // au faisceau incident
k: // au faisceau diffract
G
RR
70
Nous avons suppos jusquici que le facteur fp tait le
mme pour tous les sites et quil y avait un seul atome

par base. Ce qui est loin dtre le cas ! Il faut donc
gnraliser la relation:
n atomes dans la base
p est la position de la cellule unit

j est la position de latome j dans la cellule unit
j
p
71

Facteur de diffusion
F0 ei k R e it
F ( R)
R
f
p
i k . p
F0 ei k R e it
R
f j exp i ( p j ).k
On dcrit la diffusion de chaque atome j de la base par fj (fonction du type
datome)
La sommation est donc faite sparment une sur les sites du rseau (4
dans un cfc !) et une sur les atomes de la base (2 dans le cas du diamant
!)
F0ei k R e it
F ( R)
R
exp i
p
.k f j exp i j .k
j
dcrit la structure
dcrit la base
72
F0ei k R e it
F ( R)
R
exp i
p
.k f j exp i j .k
j
dcrit la structure
dcrit la base
j .k j .G
j x j a y j b z j c et G h A k B l C
j .G ( x j a y j b z j c) .(h A k B l C )
j .G 2 ( x j h y j k z j l )
p .G 2 ( x p h y p k z p l )
73
Facteur de structure et facteur de forme

atomique
Facteur de forme atomique: reprsente la faon dont les
atomes diffusent les RX. Dpend essentiellement du nuage

lectronique donc de la nature de latome.
2 atomes diffrents
dans le motif
Chaque nud du rseau comporte 2 atomes

diffrents on doit modifier lcriture
p
j
: coordonnes du pime nud dans la maille

: coordonnes de latome j dans le motif
constitue ici de 2 atomes.
S hkl f j exp[i 2 ( x j h y j k z j l )] exp[i 2 ( x p h y p k z p l )]

j
On tient compte ici de la dgnrescence du motif
74
Facteur de structure et facteur de forme

atomique
S f exp[i 2 ( x h y k z l )] exp[i 2 ( x h y k z l )]
hkl
Mme si la condition de
Bragg (Laue) est vrifie, la
priodicit du cristal induit
des extinctions (Shkl = 0)
supplmentaires, plus ou
moins frquentes, en fonction
de la structure cristalline.
75
Les rayons X et les mthodes de

diffraction.
Rayons X:
Acclration des lectrons
Bombardement dune cible (Cu,
Mo, Al, )
2 effets:
Ralentissement spectre de
freinage continu.
Recyclage des photons de
freinage excitation des
lectrons de cur
thermalisation des lectrons des
couches suprieures.
76
Les rayons X et les mthodes de

diffraction.
Rayons X:
Spectre discret: signature de la cible
77
Les mthodes exprimentales de

diffraction
Mthode de Laue:
chantillon monocristallin
Rayons X polychromatique
Cristal fixe
Permet de visualiser les symtries du cristal.

Orientation du cristal
78

diffraction
Mthode des poudres:
Rayons X monochromatiques
1 monocristal 1 plan (hkl)

prsente le bon angle de Bragg
1 faisceau diffract
(hkl)1
(hkl)2
1 poudre monocristaux
dsorients alatoirement plans
(hkl) prsentant le bon angle de
Bragg sont ports par un cne
79

diffraction
Mthode des poudres:
R: rayon de la chambre de Debye Scherrer
W= R : demi primtre de la chambre
S1 2 R1
La mesure de S1 permet den dduire langle de Bragg
80

diffraction
Mthode des poudres:
Intensit (c/s)
Dtecteur RX
81

diffraction
Mthode des poudres:
En fonction de la structure, certaines raies (plans) sont
prsentes ou non permet de dterminer la symtrie de la

structure.
Lintensit des raies a galement son importance.

Permet de dterminer le(s) paramtre(s) de rseau de la
(des) structure(s).
a marche aussi pour des structures mixes (cristaux
mlangs , voir TD!)
82
CHAPITRE 3
Mcanique ondulatoire :
lquation de Schrdinger
83
La fin de la mcanique classique?

La matire:
Position
Vitesse (quantit de
mouvement)
La lumire:
Composante champ
lectrique
Composante champ
magntique
Loi de Newton
quations de Maxwell
Six variables permettent de
dfinir parfaitement ltat de
chaque corpuscule
On ne peut sparer la radiation en

corpuscules maintenus localiss
dans lespace processus
dinterfrence et diffraction
84

Au dbut du 20 sicle:
Thorie corpusculaire de la matire:
marche mme lchelle microscopique
Complexit du pb cette chelle mcanique statistique
Thorie ondulatoire de la lumire:
Accepte depuis Fresnel
Tous les phnomnes connus de la lumire interprts
quations de Maxwell + ondes radio (Hertz) synthse optique et lectricit
85

De nouvelles expriences / dcouvertes posent des problmes
dinterprtation:
Rayonnement du corps noir
fracture ultraviolette
E=h
Corps noir: objet qui absorbe toute

radiation quil reoit
86

dinterprtation:
Rayonnement du corps noir
M. Planck : Il postule que les changes dnergie

entre la matire et les radiations ne se font pas de
manire continue mais par des quantits indivisibles
et discrte: quanta dnergie. Il montre que la
relation entre Energie et Frquence est donne par:
E=h
M. Planck : lie lnergie et la frquence modes
autoriss de plus en plus difficile peupler.
87

dinterprtation:
Effet photo lectrique
The remarkable aspects of the

photoelectric effect when it was first
observed were:
1. The electrons were emitted immediately - no time
lag!
2. Increasing the intensity of the light increased the
number of photoelectrons, but not their
maximum kinetic energy!
3. Red light will not cause the ejection of electrons,
no matter what the intensity!
4. A weak violet light will eject only a few electrons,
but their maximum kinetic energies are greater
than those for intense light of longer
wavelengths!
A. Einstein : quantification de lnergie de la lumire (photon) nh, la

lumire comme grain de lumire aspect corpusculaire !!
88
89

dinterprtation:
Dualit onde particule: la nature corpusculaire ( effet photolectrique) de la
lumire est acquise , mais la nature ondulatoire est galement admise (fentes
de Young) !
La lumire est compose dun quantum, une particule quantique qui ne peut
tre dcrite que par les lois dune mcanique nouvelle: la mcanique
ondulatoire est ne.
Suivant lexprience considre, la nature ondulatoire de la lumire doit tre
retenue (propagation de la lumire), dans dautres cest laspect corpusculaire
(interaction lumire matire).
90

dinterprtation:
Louis de Broglie: introduction des ondes de matires. (1924)
Hypothse: la dualit onde corpuscule est une proprit gnrale dobjets
microscopiques et la matire, comme la lumire, prsente la fois un aspect
ondulatoire et un aspect corpusculaire.
Hypothse confirme par la diffraction des lectrons quelques annes plus tard
(1927).
ondes de matires longueur donde de de Broglie :
h
h
mv p
91
La mcanique ondulatoire
Lquation de Erwin Schrdinger:
92
Lquation de Schrdinger:
Le mouvement dune particule est dcrit par une fonction donde

(r,t) dont le carr reprsente la probabilit de prsence (Born) en
un point r. Les fonctions (r,t) obissent lquation de
Schrdinger:
(r , t )
2
(r , t ) V (r , t ) (r , t ) i
2m
t
(r,t) est la fonction donde (peut tre une quantit complexe)
V(r) est lnergie potentielle (le potentiel par abus de langage)
auquel est soumis la particule
m est la masse de la particule
tient compte la fois de la notion de quanta (Planck) et de la dualit

onde matire (de Broglie)
93
Un cas particulier qui nous intresse dans ce cours concerne les rgimes
stationnaires o le potentiel V=V(r) auquel est soumis la particule est

indpendant du temps. La mthode de rsolution de cette quation consiste
chercher des solutions en sparant les variables temps et espace. On
suppose que la fonction donde (r,t) peut scrire:
(r , t ) (r ) (t )
r) est une fonction de la position uniquement
t) est une fonction du temps uniquement
En injectant cette forme de solution dans lquation de Schrdinger, on
obtient (on passe une dimension):
2 1 2 ( x)
1 (t )
V ( x ) i
2
(t ) t
2m ( x) x
94
2 1 2 ( x)
1 (t )
V ( x ) i
2
(t ) t
2m ( x) x
g(x)
f(t)
La relation ci dessus o une fonction du temps est gale une fonction de
lespace, entrane que ces deux fonctions sont des constantes. On voit
dautre part que lquation aux dimensions de la fonction dpendante du
temps est [f(t)] = [nergie]. Il vient alors:
1 (t )
i
E
(t ) t
Avec E, lnergie de la particule, qui scrit :
(t ) Ae
E
E
i t
95
Lquation de Schrdinger indpendante du temps scrit:
2 2 ( x)
V ( x) ( x) E ( x)
2
2m x
avec :
iE
( x, t ) ( x) exp(
t)
Conditions aux limites:
( x) dx 1
2
Continuit de la fonction donde

Continuit de la drive premire
96
A ce stade, il est important de distinguer la notion
dtat ondulatoire (onde plane) et combinaison

dtats ondulatoires (paquet dondes).
97
Onde plane / paquet dondes

Onde plane:
ikx it
Ae e
Paquet dondes:
( x, t )
k 0 k / 2
ikx it
Ae
e dk
k 0 k / 2
Nous allons montrer que seul un paquet donde peut tre une
reprsentation correcte dune particule.
98

Supposons quune particule se dplace dans un potentiel
constant V(x) =V0 = cte. La force laquelle elle est

soumise est donne par F = - grad V0 = 0, cest dire que
son mouvement est uniforme et donc son nergie E
constante. On va maintenant :
Chercher des solutions simples de lE.S
Regarder si ces solutions simples correspondent aux domaines physiques
Si tel nest pas le cas, on essaiera une combinaison linaire des solutions
simples car lE.S est linaire en .
99

2 2 ( x)
V0 ( x) E ( x)
2
2m x
2 ( x) 2m( E V0 )
( x) 0 , E V0 0
2
2
x
Une solution simple de (x) peut tre : ( x )

2m( E V0 )
avec k
2
soit encore
Ae
V0
ikx
2k 2
E
V0
2m
La question est Peut on se reprsenter une particule par cette

fonction ?. Il suffit de calculer la probabilit de prsence dans
lespace (ou ici 1 Dim) de cette particule pour rpondre cette
question.
100

Onde plane:
( x, t ) Aeikx e it
( x, t ) ( x, t ) ( x, t ) A cste
2
Proba
prsence
|A|
Rsultat attendu ( x = vp.t )
t0
t1
temps
cette probabilit de prsence est indpendante de x et du temps, ce qui est loin
dtre raisonnable dun point de vue physique
101

On va donc essayer une C.L dondes planes centre sur k1
cest dire un paquet dondes depuis k1 k/2 et k1 + k/2 .

La fonction donde scrit alors:
( x, t )
k1 k / 2
Ae
ikx it
dk
E
E1
V0
k1 k / 2
Prenons A=cste (hyp)

t=0:
( x,0)
k1 k/2
k1 k / 2
k / 2
k1 k / 2
k / 2
ik1 x i ( k k1 ) x
ik1 x
Ae
e
dk
Ae
1
( x,0) Aeik1x . e i ( k k1 ) x
ix
k / 2
k / 2
i ( k k1 ) x
e
d (k k1 )
kx )
sin(
2
Aeik1x k
k
x
2
k1
102

On calcule nouveau la probabilit de prsence en 1 point
x:
2
sin
z
k x
2
2
avec z
( x,0) A k
2
2
z
2
2
4
x1
x 2 x1
k
k
1.0
[sin(z)/z]
0.8
x k 4
0.6
0.4
En amliorant la loi dAmplitude on aurait

pu obtenir la relation dHeisenberg:
0.2
0.0
-3
-2
-1
z ( en unit de )
x k 2
103

On se place maintenant t=t1:
( x, t1 )
k1 k / 2
k / 2
k1 k / 2
k / 2
i k t1 ikx
ik1 x i1t1
Ae
e
dk
Ae
e
i ( k k1 ) x i ( k 1 ) t1
e
e
d (k k1 )
d
DL : k 1 k (k k1 ) ...
dk k1
( x, t1 ) Aeik1x e i1t1
k / 2
d
i ( k k1 ) k t1
dk k1
i ( k k1 ) x
d (k k1 )
k / 2
k / 2
'
d
posons x' x k t1 ( x, t1 ) Aeik1x e i1t1 ei ( k k1 ) x d (k k1 )
dk k1
k / 2
ik1 x i1t1
( x, t1 ) Ae e
k '
x
2
e
ix '
k '
x
2
Bk
k '
x
k ' k
2
x
x
t1
avec
k '
2
2
2
x
2
sin
104

On obtient alors le mme rsultat qu t=0 mais pour x=0, ie
d
x
t1
dk
k1
dP
x1 (t=t1)
x0 (t=0)
La vitesse de la particule = vg = vitesse de groupe qui est calcule au

centre du paquet donde:
d
vg
dk k1
105
Vitesse de phase/ vitesse de groupe

Dans le cas dune onde plane, la
vitesse considre est la vitesse

de propagation de plans en
phase ou vitesse de phase:
(k
)
v T v
h
Raisonnons sur le paquet

dondes:
2k 2
E
V0
2m
2 k1
p1
d
dE
g
dk
dk
m
m
k1
k1
hk
k )
d' aprs de Broglie ( p
2
p
on obtient bien v
E
k
E E
m
v

V0
or E
p
k
p k
2m
Intervient alors que V0=cste!

1 k V0 1 p V0 aucune
intervention sur le mvt de la
v
2 m k 2 m p particule; absurde car v=p/m
106
Mcanique ondulatoire: exemples

dapplications
Le puits de largeur a et de potentiel infini:
reprsente lexemple classique dune particule lie.
Particule
dnergie E
2 ( x) 2m
2mE
(
E
V
(
x
))
(
x
)
0
on
pose
k
x 2
2
2
Rgion II: (x)=Acos(kx)+Bsin(kx)

Rgion I et III: (x)=0
Continuit en x=0 et x=a
A=0
Bsin(ka)=0 k=n/a
proba entre 0 et a:
B=
2
2
ou i
a
a
107

dapplications
Le puits de largeur a et de potentiel infini:
2 n 2 2
2 nx
sin
( x)
avec n 1, 2, 3, ... E En
2ma 2
a a
Particule
dnergie E
avec n 1, 2, 3, ...
108

dapplications
La marche de potentiel:
Rgion I:
V(x)
21 ( x) 2m
2 E1 ( x) 0
2
x
1 ( x) A1e B1e
Rgion IIikx(0<E<V0)ikx
Particules
incidentes
2mE
avec k
2
2 2 ( x) 2m
2 (V0 E ) 2 ( x) 0
2
x
x
2 ( x) A2 e B2 e
V0
Rgion I
2m(V0 E )
avec
2
x=0
Rgion II
109

dapplications
La marche de potentiel:
A2 =0 (divergence)
V(x)
Calcul du coefficient de rflexion:

Flux de particules
rflchies (cm-2 s-1)
vr B B
vr B1
R
vi A A
vi A1
*
1 1
*
1 1
Particules
incidentes
V0
Rgion I
Rgion II
dans la rgion I, V=0 lnergie est
lnergie cintique
2m 1
mv
k
mv
2
2

!
x=0
vi vr
k
m
R 1
x)0 la particule ( la diffrence de la mca classique) peut sy trouver
110

dapplications
La barrire de potentiel (E<V0):
1 ( x) A1e B1e
ikx
ikx
2mE
avec k
2
2 ( x) A2 e x B2e x avec
3 ( x) A3eikx X
B3e ikx
2m
(V0 E )
2
Facteur de transmission:
vt A3 A3* A3 A3*
4 E (V0 E )
T
0
*
*
2
2
vi A1 A1
A1 A1 4 E (V0 E ) V0 sh 2m(V0 E ) a /
Cest leffet tunnel (T~78% avec 1 lectron, E=V0/2=1ev et a=1)
111
CHAPITRE 4
Les lectrons libres :
le modle de Sommerfeld
112
lectron libre
lectron libre potentiel (nergie) est nul partout V(x)=0:
2 ( x) 2m
2 E ( x) 0
2
x
Solution de cette quation diffrentielle peut se mettre sous la forme:
i 2mE
( x) A exp

i 2mE
x B exp
Soit:
( x, t ) ( x) exp(i
E
i
t ) A exp ( x 2mE Et ) B exp ( x 2mE Et )
113
lectron libre
( x, t ) ( x) exp(i
E
i
t ) A exp ( x 2mE Et ) B exp ( x 2mE Et )
-x
+x
Onde propagative une particule dans le vide peut tre reprsente par
une onde : cest normal, on est parti de lq. de Schrdinger !
Supposons (simplicit!) que B=0 onde se propageant uniquement vers
les x>0:
Vecteur donde:
Longueur donde:
nergie:
k 2
E k 2m
2mE
E(k) cest une parabole
Probabilit de prsence: cste =AA* en accord avec Heisenberg (k dfini=> x

indfini) ralit physique :Paquet dondes
114
Potentiel de Sommerfeld
A. Sommerfeld considre 1 cristal unidirectionnel (1D) de longueur L
Les lectrons sont lis au cristal par les forces dattraction
Coulombiennes.
Les lectrons sont pigs ils ne peuvent sortir
cristal
V0
2
-L/2
+L/2
115
Simplification: on se rapproche de la ralit en considrant que la
fonction donde associe llectron sannule aux limites (L/2)

les lectrons ne peuvent schapper du cristal
Dmarche:
On cherche des solutions de lE.S
On ne garde que celles qui satisfont les conditions de continuits
On forme un paquet dondes avec les conditions aux limites pour
reprsenter llectron.
116
Solution en rgion 2 (idem lectron libre):
2 ( x) 2m
2 E ( x) 0
2
x
( x) Aeikx
Conditions aux limites:

Relles: sannulent en L/2
Aeikx cc
2
Aeikx cc
2
A cos(kx)
A sin( kx)
2mE
k
2
2k 2
E
2m
E
V0
cosinus
sinus
Solutions en cosinus
cos k
2
0 k (2 p 1) k
L
L
2
Solutions en sinus
sin k
L
2
2
0k p
k
L
L
2
k
Le vecteur donde est quantifi
lnergie lest galement
117
Conditions cycliques de Born von Karmann:
Lide est de considrer qu lchelle de la longueur donde
lectronique, la dimension du cristal est infinie on assimile le cristal

unidimentionnel de longueur L un cercle de primtre L : on oublie
les conditions aux limites?
La situation en x et en x+L est identique:
eikx eik ( x L )
eikL 1 kL p 2
k p
2
L
Mme rsultat: il y a encore

quantification de k donc de E
118
Modle de Sommerfeld
Llectron de Sommerfeld:
Soit llectron en k0: L est de lordre
de 108 (1 cm) on admet que le

paquet donde de largeur k,
constitue un pseudo continuum car:
2 2
7
k
8 10 /A
L 10
k0
Vitesse de llectron:
2k 2
d
vg
or E
2m
dk k0
k0 p0
vg
m
m
k0 k/2
k0 +k/2
119
Modle de Sommerfeld
Acclration de llectron:
dE
+
Velec
k0
V(x) = -qVe
k0 k/2
k0 +k/2
Ltat (lectron) acquiert de lnergie

Entre t et t+dt =>dE=F.vg.dt
1 dE
dE
dE F v g dt
dk
F
dt
dk k0
dk k0
Si E change, k change la valeur

centrale de k0 a chang (-).
dk0 dp0
dt
dt
120
Modle de Sommerfeld
Acclration de llectron:
F dv g
m dt
ici F gradV0 Fext

(=0, V0=cste)
-qEelec
1 dE
d
qEelec et v g
dk
dk
dt
k0
k0
Si on appelle:
2k 2
1
1 d 2E
2 2
V0
car E
m dk k
2m
0
dv g
dv g
dv g dE dv g dE dk
dt
dE dt
dE dk dt
F
1 d 2 E dk 1 d 2 E
2 2 F
2
m
dk k dt dk k
0
0
F
dk0
dt
F
1
1 d 2E

avec
dt
m
m 2 dk 2 k
0
dv g
121
Modle de Sommerfeld
F
1
1 d 2E

2 2
avec
dt
m
m dk k
0
dvg
Nota: la relation F=m est toujours vraie. La masse calcule ainsi nest
la masse de la particule que si V=V0=cste, ie que les forces rsultantes

sont gales aux forces extrieures. Pour un potentiel V(x) non constant,
la relation est identique condition de remplacer la masse par une
masse efficace ( ou effective m*) qui traduira une rponse (inertie)
diffrente de la particule (voir plus loin!).
122
Thorie ondulatoire applique aux atomes: latome de

Bohr Sommerfeld
Atome un lectron (Hydrogne):
Noyau lourd , charg positivement (proton)
Il est ~ fixe
lectron lger , charg ngativement

Attraction coulombienne entre proton et lectron:
e : charge de llectron
e2
permittivit du vide
4 0 r
V (r )
quation de Schrdinger 3 dimensions
123
Latome de Bohr - Sommerfeld

quation de Schrdinger 3 dimensions (C. sphriques)
2 (r , , )
2m0
( E V (r )) (r , , ) 0
2
Soit:
1
1
2
2
r r r r sin r
1

2m0
sin
2 ( E V (r )) 0
r sin

124

On applique la technique de sparation des variables:
(r , , ) R(r ).( ). ( )
On obtient:
Fonction de
uniquement

sin 2 R 1 sin
sin
2
R r r

2m0
r sin 2 ( E V ) 0
On pose
1 2
m
2

1 im
e
avec m 0,1,2,...
2
125

Si on poursuit la rsolution (hors de propos pour ce cours) pour les 2
autres fonctions, on introduit en plus de m deux autres constantes l

et n: on appelle ces entiers les nombres quantiques:
n= 1, 2, 3,
nb quantique principal
l= n-1, n-2,, 0
nb quantique azimutal
|m|=l, l-1, , 0
nb quantique magntique
Rsultat majeur:
On retrouve les nergies quantifies de latome dhydrogne
Ry
m0 e 4
13,6
2 2 eV
En
2 2
2
(4 0 ) 2n
n
n
http://scienceworld.wolfram.com/physics/HydrogenAtom.html
126

Lnergie est quantifie et la distance proton lectron est donne
par le rayon de Bohr a0
0
4 0 2
a0
0,529 A pour l' Hydrogne
2
m0 e
Terminologie courante:
tat s
l=0
tat p
l=1
tat d
l=2
tats lectroniques:
1s 2s 2p 3s 3p 3d
127
Le modle de Sommerfeld
Bilan:
Comprhension de la chaleur spcifique
Loi dOhm (on verra plus loin)

Ne permet pas dexpliquer la diffrence entre un conducteur
(mtal) un semiconducteur et un isolant
mtal
1052 !!!
isolant
Il doit y avoir quelque part dans le modle une
approximation grossire !
128
CHAPITRE 6
Les lectrons dans une structure priodique :
le modle de Bloch - Brillouin
129
plan
Formation des bandes dnergie
Introduction de la priodicit du cristal
Le pseudo vecteur donde
Ondes de Bloch
Modle de Kronig-Penney
Diagramme dnergie dans lespace des k
130

Modle qualitatif:
1 atome isol
dhydrogne
2 atomes
dhydrogne
adjacents
131

Modle qualitatif pour le Silicium:
Structure lectronique (14 lectrons)
1s2 2s2 2p6 3s2 3p2
3p2
3s2
132

3s2 3p2
Bande
dnergie
tats anti-liants (4N)
N atomes
3p2
3s2
tats liants (4N)
Bande
de
conduction
Bande interdite
Bande
de valence
133

La largeur de la bande interdite dpend (entre autre) de la distance
inter atomique a0
134

Modle thorique faisant appel la mcanique quantique et
lq. de Schrdinger.
Que doit on rajouter par rapport au modle de Sommerfeld pour arriver
comprendre la notion de bandes dnergie permises et interdites?
Le potentiel cristallin dans lequel se balade llectron

nest pas constant !
135

a
Le potentiel cristallin est priodique, de

priode a (celle du rseau!).
V ( x) V ( x a)
(daprs Neaman)
136
Modle de Bloch Brillouin

Conditions cycliques de BVK: (permet dignorer ce qui se passe en
bout de lchantillon de longueur L)

Nb datomes ?
1D:
1
10 7 cm 1
a
13
N 3 10 21 cm 23
a
N
3 D:
a
L=N x a
V ( x L) V ( x)
( x L) ( x)
Le cristal tant priodique de priode a, les proprits du cristal sont les mmes
en x et x+a. Il en est de mme pour la fonction donde, donc pour la probabilit de
prsence de llectron.
137

dP ( x) ( x)
dP ( x a ) ( x a )
(1) (2)
(1)
2
(2)
( x) * ( x) ( x a ) * ( x a )
Les deux fonctions donde ne peuvent tre spares que
par un facteur de phase:
( x a ) ei ( x) , ( x 2a) ei 2 ( x), ...

( x Na ) e iN ( x) ( x)
e
iN
2
2a
2
1 p
p
p
a
N
Na
L
138

Modification dcriture: introduction du pseudo vecteur donde K.
Si on pose K p 2
, alors on peut crire:
L
( x a) eiKa ( x)
K nest pas un vecteur donde; il ne traduit que le dphasage entre 2 ondes.

K est quantifi. Il prend N valeurs conscutives distante de
mmes valeurs 2 prs.

a
2
L
et prend les
139

Onde de Bloch:
( x a) eiKa ( x) eiK ( a x ) e iKx ( x)

posons u ( x) e iKx ( x) ( x) u ( x)eiKx
et
u ( x) e iKx ( x) e iK ( x a ) eiKa ( x) e iK ( x a ) ( x a )
u ( x) u ( x a )
Les fonctions donde stationnaire dun lectron dans un potentiel
priodique sont des fonctions de Bloch de la forme ( 1D):
( x ) u ( x )e
iKx
x avec u ( x) u ( x a )
140

Diffrence onde plane / onde de Bloch:
Onde plane:
( x) Ae
ikx
et
Onde de Bloch:
( x ) u ( x )e
iKx
2
Kp
et Kx arg(u ( x))
L
inconnu
141

La fonction donde de Bloch doit tre injecte dans lquation de
Schrdinger la rsolution impose de connatre u(x) !
2 2
ikx
ikx
ikx
(
u
(
x
)
e
)
u
(
x
)
e
u
(
x
)
e
0
2m x 2
Pour rsoudre le problme il faut connatre parfaitement la forme du
potentiel cristallin (pas trivial!). Un modle simplifi devrait nous

permettre davoir une ide de la structure de bandes dnergie
142
Modle de Kronig et Penney
143

On approxime le potentiel priodique cristallin par un potentiel
priodique en crneaux.
III
Zone I :
Zone II:
0<x<a V(x)=0
-b<x<0
V(x)=V0
144

Potentiel priodique Ondes de Bloch
Les fonctions ( et leurs drives) ne diffrent que dun facteur de
phase dans la rgion II et III :
III ( x) II ( x a)e
ika
lectrons lis au cristal E<V0

Potentiel V(x) fini partout la fonction donde et sa drive
premire doivent tre continue partout.
145

Rsolution de lquation de Schrdinger:
Rgion I (dans le puits):
I ( x) Ae
i x
Be
Rgion II (dans la barrire):
II ( x) Ce De
i x
2mE
avec
2
2m(V0 E )
avec
2
Continuit de la fonction donde et sa drive premire en a et en -b:
attention au dphasage en b !
146

On obtient un systme de 4 quations ( 2 par la continuit de la
fonction donde et 2 par la drive premire) 4 inconnues (A,B, C

et D)
Solutions non triviales ( A=B=C=D=0) ssi le dterminant du
systme est nul.

On obtient (laborieux mais faisable!!)
2 2
cos k (a b)
sin( a ) sinh(b) cos( a ) cosh(b)
2
Rappel !! : k est le pseudo vecteur donde !!
147

Que fait on de cette quation?
2 2
cos k (a b)
sin( a ) sinh(b) cos( a ) cosh(b)
2
Rsolution numrique ou graphique de faon obtenir une relation
entre E, V0 et k le pseudo vecteur donde.

De faon se rapprocher de la ralit et rendre plus visible la
rsolution graphique, on fait tendre la barrire de potentiel vers des
Dirac ( b=>0 et V0 =>), mais avec bV0=cste finie:
mV0ba
sin a
P
cos a cos ka avec P
a
2
148

Diagramme E(k)
sin a
P
cos a f ( a ) cos (ka)
a
f(a)
2n
149
Diagramme E(k)
2mE
2 2
E
2
2m
ka=0
1 P
sin a
cos a
a
On en dduit une valeur de donc de

lnergie E1.
ka= a=
On en dduit une valeur de a donc

de lnergie E2.
2mE2
2
a
150
Bandes dnergie
Le fait que la particule se dplace dans un potentiel priodique induit
lapparition de bandes dnergie spares les unes des autres par des bandes
dnergie interdite ( ).
Les lectrons se placent

sur les bandes dnergies
permises
Il nest pas ncessaire de
tracer le diagramme sur tout
le domaine de variation de k:
Priodicit en 2n
cos ka cos(ka 2n ) cos(ka 2n )
151
Schma de zone rduite
(daprs Neaman)
Notion de Gap (bande interdite) direct : ils se produisent alternativement en milieu

de zone en k=0 et en bord de zone en k=/a .Chacun de ces gaps est dit direct en
k car la discontinuit dnergie se fait sans changer la valeur de k.
152
Limites dnergie permise

cos(ka)=1 ka=n
on pose P=a tan(
sin a
P
cos a 1
a
cos( a ) cos
cos( a ) cos
a = 2n :
a = 2n+2
h2n2
E1n
2ma 2
2
h2
E2 n
(n )
2
2ma
Limite suprieure
Limite infrieure
cos( a ) cos
a = (2n+1)
h2
1 2
E3n
(n )
2
2ma
2
h2
1 2
(
n
)
a = (2n+1)+2 E4 n
2
2ma
2
153
E(k) au voisinage dun extremum

tude de la fonction:
dE
dk
?
0,
On na pas de relation directe entre E et k!
dE dE d
dk d dk
sin a
P
cos a cos ka
a
OK !
sin a
d[P
cos a ]
d [cos ka] d [cos ka] dk
a
d
dk
d
d
???
mais
dE
On montre (voir TD!) quen centre de zone et en bord de zone,
dk
0,
154
Masse effective de densit dtats

Au voisinage dun extremum: (DL lordre 2)
dE
E k E ( 0)
dk
1 d 2E
( k 0)
2
2
!
dk
k 0
( k 0) 2
k 0
=0
1 d 2E
E k E( 0 )
2 dk 2
2 2
2
k
1
1
d
E
2
avec
k 2 E( 0 )
2
2
m
*
m
*
dk
k 0
Dans un certain intervalle autour des extrema

de bandes, on a le droit de confondre la vraie
courbe par une parabole: cest
lapproximation de la masse effective
(0)
155
Masse effective de densit dtats

La masse effective est un paramtre qui relie les rsultats de la
mcanique quantique aux quations de la mcanique classique

(Newton).
Le fait que la particule se dplace dans un potentiel priodique
modifie son inertie masse effective:
1
1 d 2E
F

2 2
avec
dt
m*
m * dk k
dvg
156
Signe de la masse effective

Bas de bande:
2k 2
E k E( 0 )
*
m
2
Ek >E(0)=Eminimum 1
1 Rgle: la masse efficace en bas de bande est un coefficient positif
Sommet de bande:
2k 2
Ek EMax
2m2*
2 Rgle: la masse efficace en sommet

de bande est un coefficient ngatif
157
Densit dtats (approx. m*)

le courant dplacement de charges
Ncessit de dnombrer le nombre de charge dans les
bandes (conduction ou valence)

Ce nombre est fonction du nombre dtats nergtiques
ou tats quantiques disponibles
Attention: le principe dexclusion de Pauli
158

Avant de poursuivre:
Introduction de la notion de spin de llectron:
(r , , ) R(r ).( ). ( )
En plus des trois nombres quantiques (principal,
azimutal et magntique), llectron possde une
proprit supplmentaire qui se traduit par un
moment angulaire intrinsque quantifi ( )
auquel on attribue un quatrime nb quantique de
spin, s , indpendant des 3 autres.
Principe dexclusion de Pauli (dans les solides):
on ne peut trouver deux lectrons dans le solide
ayant le mme tat dnergie ( mmes nombres
quantiques).
159

Cristal unidimensionnel de longueur L:
Les tats permis pour les lectrons sont

2
discrets spars de k
L
Autour du minimum ici, on approxime
E(k) par:
2k 2
E Emin
2m *
La densit dtats est le nombre de
modes (tats, places) par unit dnergie
et de longueur (L=1!):
1
dN
2m *
g1D ( E )
( E Emin ) 2
dE
J -1m 1
lectrons
lectrons
160

Cristal 2D de longueur Lx et Ly:

toujours quantifis.
Lnergie en bord de bande est toujours
approxime par:
Ek Emin
2
Surface dun (2 )
tat lmentaire Lx Ly
k
(k x2 k y2 ) Emin
2m *
2m *
2
La densit est alors donne par:
dN
m * -1
m * -1 2
g2D (E)
Lx Ly 2 J ou 2 J m
dE
Indpendant de
lnergie !
161

Cristal 3D de longueur Lx Ly et Lz:

toujours quantifis.
Lnergie en bord de bande est toujours
approxime par:
2
2
2
k
(k x2 k y2 k z2 ) Emin
Ek Emin
2m *
2m *
La densit est alors donne ( LxLyLz=1 ie
par unit de volume):
3/ 2
2
dN
m*
4 2 (E Emin )1 / 2 J -1m -3
g 3 D(E)
dE
h
(Emax E)1 / 2
=
kz
(2 ) 3
Lx Ly Lz
ky
kx
bas de bande
sommet de bande
162
Densit dtats 3D
E
Emax
??
Emin
a
Les masses effectives ne sont pas les mmes et
lapproximation de la m* nest valable quen bord de bande !
g(E)
163
Structure de bande relle!

Si
Eg
(0 0 0.85)
(111)
(000)
(001)
164
Structure de bande relle!

Ge
Eg
GaAs
165
synthse
Cristal potentiel priodique
Apparition de structure en bande dnergie
Notion de bande interdite
Cela suffit il expliquer la diffrence entre mtal et

isolant (ou semiconducteur) ?
Suite au prochain chapitre
166
CHAPITRE 7
Courant dans les solides :
cas particulier des semiconducteurs
167
Courant de conduction dans le cristal

de Bloch - Brillouin
Vecteur densit de courant:
Cest quoi la densit de courant: cest un dplacement de charges
lectriques par unit de temps et de surface
j q ni vi q vi
1 dim:
avec ni le nombre (densit volumique) d' lectrons de vitesse vi
j q vi
i
168

Contribution des diverses bandes au courant lectrique
Bande pleine
E0
Sur chacune des valeurs permises de k0 on

peut former un paquet dondes
La bande est dite pleine si toute les valeurs
de k0 sont utilises (niveau dnergie
occup).
E(k) est paire en k E(-k0)= E(+k0) la
probabilit de trouver un lectron en k0 ou en
k0 est identique (dmontr chapitre suivant)
Vitesse de la particule vg 1 dE impaire en
dk k
k vg(k)=-vg(-k)
0
-k0
k0
j q vi 0 (la bande est pleine)

i
169

Rgle 1: la contribution au courant lectrique dune bande pleine
est toujours gale zro.

Rgle 2: la contribution au courant lectrique dune bande vide est
gale zro.
Corollaire: le courant lectrique est d aux bandes incompltement
remplies
170
Contribution J dune bande

incompltement remplie
Cristal parfait,
elec = 0 et T uniforme.
On est lquilibre thermodynamique

Les probabilits doccupation des tats dnergie k et k sont identiques
j q vi 0
[v g (k) vg ( k)]
Rsultat non surprenant: pas de champ lectrique pas de courant de
conduction!
171

Cristal parfait,
elec 0 et T uniforme.
t=0, on applique
elec.
Un paquet donde qui avait auparavant k0 subit une acclration
dk0
q elec
dt
t>0,
k (t ) k0 q t
Tous les lectrons subissent la mme variation k

'
0
acclration
k 0 q t k 0
172

Cristal parfait,
k
t=0
k
t=t1>0
k0
Toutes les vitesses ne sont
plus compenses !
k0
q
t1
J (t1 ) 0 0
173

Cristal parfait,
t2>t1
t3>t2
J (t 2 ) 0 0
J (t3 ) 0 0 !!!
Bizarre ! Champ lectrique constant et courant qui change

alternativement de signe en fonction du temps !!
174

Dans le cristal de Bloch-Brillouin, on prvoit que lapplication dun
champ lectrique continu elec doit engendrer un courant lectrique

alternatif.
La priode de ce courant serait:
dk
q
dt
2 1
q
a T
Ce rsultat nest pas en cohrence avec les rsultats
exprimentaux !!!!
Le cristal nest pas aussi parfait que cela!!
2
q
175
Le cristal rel de Bloch-Brillouin

Cristal rel, elec 0 et T uniforme.
Le cristal prsente un certain nombre dimperfections
grandes catgories:
Impurets chimiques
Dfauts ponctuels intrinsques:
Lacunes
Interstitiels
Anti-sites
Dfauts tendus
Macles
Dislocations
Clusters (groupe dimpurets)
Vibration de la chane atomique autour de lquilibre (phonons)
176

Cristal rel: consquence sur les porteurs de charge:
Le potentiel de B-B nest plus exactement priodique:
B-B
Rel
v1(x)=v1(x+a)
v(x)=v1(x) + v(x)
Alatoire!
Llectron dans ce potentiel soumis une force (-grad de v(x))
dk0
q grad (V ( x)) q Force alatoire

dt
Cette force imprime des impulsions alatoires ( = des forces lors des chocs avec les
impurets )
En moyenne, tout les ( temps moyen entre deux chocs), llectron change de
direction et surtout perd son nergie cintique il acquiert donc en moyenne un
excdent de vecteur donde:
k k0 q
'
0
177

Cristal rel,
elec
0 et T uniforme.
k
t=0,
elec=0
k0
k k0 q
'
0
t0 ,
elec0
k0
178

Bande presque vide:
nergie et vitesse de groupe:
:
:
2 k02
E k 0 Ec
2m1*
j q v gi -q
i
m1*
j q v gi -q *
m1
i
j q n n elec
j n elec
avec n q
*
1
Mobilit (cm/Vs)
1 dE
* 0
dk k0 m1
vg
k0' k0 q
i k i -q m*
1
'
elec
i ki q m* n
1
2
Cest la loi dOhm
179

Bande presque pleine:
Astuce: pour calculer la contribution au courant dune bande presque pleine, on
ajoute les lectrons manquant puis on les enlve , ce qui va nous

permettre dintroduire la notion de trous.
E
N : nb de places (~nb datomes)
N-p: nb dlectrons dans la bande
p: nb de places vides ( de trous )
k
Np
i 1
i 1
i 1
j q vgi q vgi (q vgi )
bande pleine
q vgi
i 1
Charge
positive!
180

k
Bande presque pleine:
Rgle: la contribution au courant dune bande presque pleine est obtenue en
supposant que les tats vides sont effectivement occups par des porteurs de
charges positives +q: des trous. Il suffit de sommer sur le nombre total de trous
Trous: paquet dondes de charges positives
181
Notion de trous
(b)
(a)
Expression de J:
Nota: pour arracher 1 e- en (a) il

faut plus dnergie quen (b) un
trou en (a) est plus nergtique quen
Etrous
(b).
2 2
k 0
k
trous
+
E(e ) = -E(h ) Etrous EV
vg
2m *

elec=0 J q k0 0
m*
p
elec
J
q
k
q
elec0
* 0
m2 i 1
J q p p elec
m*
2
q elec
p
*
m2
avec p
q
m2*
182
Notion de trous: conduction
183
Conduction par lectrons et trous

Cas frquent dans les semiconducteurs:
En pratique, dans les semiconducteurs, il existe une bande presque
vide que lon appelle bande de conduction (BC) au dessus dune bande
presque pleine que lon appelle bande de valence (BV). Elles sont
spares par une bande interdite ( bandgap ou gap ).
J qnn qp p
BC
BV
184
Semiconducteur ou isolant ?
Comment les diffrentie on?
Isolant , semiconducteur
T= 0 K
semiconducteur
T0K
185
Mtal ?
T=0K ou T 0K
Il existe dj 0K et a fortiori T>0K une bande partiellement

remplie dlectrons, donc qui conduit : cest un mtal.
186
Rsum:
Mtal:
Trs faible rsistivit
Conduit mieux le courant basse temprature
Isolant:
Ne conduit pas le courant mme haute temprature
gap suprieur 3,5 eV (valeur gnralement admise)
Semiconducteur:
gap infrieur 3 eV ( la tendance est laugmentation de ce
critre!)
Sa conductivit est une fonction non monotone de la temprature
187
CHAPITRE 8
Mcanique statistique : la fonction de
Fermi Dirac et la fonction de
Maxwell Boltzmann
188
Les diffrentes statistiques

Statistique de Maxwell Boltzmann
Particule discernable
Molcules de gaz dans une enceinte basse pression
Statistique de Bose Einstein
Particule indiscernable
Plusieurs particules sur un mme tat quantique
Photons, Phonons
Statistique de Fermi Dirac

Particule indiscernable
1 seule particule sur un mme tat quantique (principe
dexclusion de Pauli)
lectrons dans les solides
Les particules ninteragissent pas entre elles
189
Les diffrentes statistiques

tats quantiques
Mthodes de rsolution:
n particules
ni
n2
n1
Conditions :
Nb de particules est constant
nergie interne constante
Discernables ou indiscernables?
1 ou plusieurs par tat quantique ?
discernables
: indiscernables
:
n E
i
190
Maxwell Boltzmann
Discernables
Chaque tat peut contenir grand nombre de particules
Ltat dquilibre est celui le plus probable
Soit un tat dquilibre avec n1 particules dans c1, n2 dans c2,

. , ni dans ci.
Quelle est la probabilit dobtenir cette configuration?
n!
n!
n1!n2 !...ni !... ni !

i
Cette configuration est celle dquilibre si P ou ln(P) est

maximum d(lnP)=0
On obtient (voir par ex. Mathieu)
ni
f ( Ei )
e ( Ei EF ) / kT
gi
ni: nb de particules sur Ei

gi : nb de places (tats) sur Ei
191
Diffrence discernable ou non

(1 bille par case Pauli)
Indiscernable
Discernable
gi !
( g i N i )!
gi !
N i !( g i N i )!
Ni: nb de particules sur Ei
192
indiscernables
Pauli
Bose
( N i g i 1)!
( g i 1)! N i !
gi !
N i !( g i N i )!
Ni: nb de particules sur Ei
193

Mme dmarche que prcdemment
gi!
Ei
( g i Ntat
Niveau dnergie Ei, gi fois dgnr (gi boites N
ou
i !cellules
i )!
quantiques de mme nergie Ei) et Ni particules distribuer.

Si maintenant , on a plusieurs (n) niveau dnergie, le rsultat est le
produit de toutes les distributions
Nb de niveau dnergie
n
P
i 1
gi!
N i !( g i N i )!
194

Mme dmarche que prcdemment
E4
gi!
N i !( g i N i )!
E3
E2
E1
Nb de niveau dnergie
n
gi!
P
i 1 N i !( g i N i )!
Niveau de Fermi
n( E )
f (E)
g (E)
Densit dlectrons
sur le niveau E
1
E EF
1 exp
kT
Densit de places
sur le niveau E
195
Fonction de Fermi Dirac

T= 0K:
E EF f ( E ) 1
E EF f ( E ) 0
BC
EF
BV
f (E)
1
E EF
1 exp
kT
196
Fonction de Fermi Dirac

T = 0K
EF
T> 0K
197
Influence de la temprature
E1
E2
Ex: T=300K, si E EF = 3kT, f(E) ?
E3
E4
E5
198
Passage FD MB ?
Lutilisation de FD pour
les calculs nest pas tjs

aise
Dans quelle mesure MB
est suffisant ?
Condition:
Si E - EF > 3 kT, erreur est de 5%
Rgle: on confondra la statistique de Fermi Dirac et

la statistique de Maxwell Boltzmann pour tous les
niveaux dnergie tels que | E - EF |> 3kT. T ambiante,
kT=25 meV | E - EF |> 75 meV.
199
Passage FD MB
E
EF -E
EF +E
Pour E < EF, il est facile de montrer que la probabilit de non occupation
1-f(E) est la mme EF - E que la probabilit doccupation f(E) EF +
E. Le point f(E) = 0,5 est le centre de symtrie pour la courbe.
200
E
EF
g(E)
f(E)
dn(E)/dE
E
EF
g(E)
f(E)
dn(E)/dE
201
CHAPITRE 10
Le semiconducteur lquilibre
thermodynamique
202
Le semiconducteur lquilibre
Cest quoi lquilibre?
Pas de forces extrieures:
Pas de tension applique
Pas de champ magntique
Pas de gradient de temprature
203
Densit de porteurs de charges dans les

SC.
Question: combien y a t il dlectrons dans la BC et de trous dans
la BV dans un semiconducteur une temprature T?

Rponse : (voir chap 9!)
une nergie E:
n( E ) g c ( E ) f ( E )
p ( E ) g v ( E )(1 f ( E ))
Dans la bande de largeur E
n0
Ec max
Ec min
p0
Ev max
Ev min
g c ( E ) f ( E )dE
g v ( E )(1 f ( E ))dE
204
Densit de porteurs de charges dans les

SC.
205
Calcul de n0 et p0
hypothse: EF est plus de 3kT sous la BC et plus de 3
kT au dessus de BV on peut utiliser lapproximation de

MB.
Expression de n0:
n0
Ec max
Ec min
4 (2m )
g c ( E ) f ( E )dE
Ec min
h3
* 3/ 2
n
E EC e
2m kT
( Ec E F )
avec N C 2
n0 N C exp
kT
*
n
2
3/ 2
E EF
kT
dE
206
Calcul de n0 et p0
2m kT
( Ec E F )
avec N C 2
n0 N C exp
kT
*
n
2
3/ 2
2m kT
( E F Ev )
avec NV 2
p0 NV exp
h
kT
*
p
2
3/ 2
Nc et Nv sont les densit dtats effectives (~ le nombre de places)

dans la bande de conduction et la bande de valence
respectivement. Lordre de grandeur est Nc ~ Nv ~ 2.5 x 1019 cm-3.
207
La loi daction de masse

Rgle pratique: le produit du nombre dlectrons dans la BC
par le nombre de trous dans la BV est donn par:
Eg
Ec E v
n p N c N v exp(
) N c N v exp( ) ni2
kT
kT
Remarque importante: les expressions que nous venons
dtablir pour n et p lont t en supposant que EF distant

dau moins 3kT dune ou lautre bande. Ce calcul ne suppose
pas que n = p la rgle n x p = ni2 restera vraie lorsque lon
dopera le SC, condition de respecter la condition sur EF.
Cest le cas usuel. Dans le cas contraire (exception) on dit
que le SC est dgnr.
208
Niveau de Fermi dans un semiconducteur

intrinsque
Semiconducteur intrinsque : semiconducteur sans impurets , ie que
les niveaux dnergie permis sont seulement ceux des bandes.

Les lectrons n dans la BC proviennent de la BV; ils laissent des trous
p dans la BV
n p ni
209
Conduction bipolaire
La prsence dlectrons et
trous entrane une

conduction bipolaire dans
les SC
On peut privilgier une

conduction par le dopage
du semi-conducteur, ie
lintroduction dimpurets
E externe
210
lectrons dans une structure Diamant (ex: Si)
211
lectrons dans une structure Diamant (ex: Si)
212

intrinsque
Postulat: n = p
( EFi Ev )
( Ec EFi )
n0 N C exp
p0 NV exp
kT
kT
2 EFi N C
( Ec Ev )
exp
exp
kT
kT
NV
E Fi
Ec Ev 1
N V Ec E v 3
mv* Ec Ev
kT ln
kT ln *
E Fi
2
2
NC
2
4
mc
2
~10 meV
213

intrinsque
Quelques valeurs numriques
mc*
m0
mv*
m0
NC
(1019 cm-3)
NV
(1019 cm-3)
Eg
(eV)
ni
(cm-3)
Si
1,06
0,59
2,7
1,1
1,12 1,5x1010
Ge
0,55
0,36
0,5
0,66 2,4x1013
0,04
1,3
1,43
0,223
4,6
3,39
1,69
2,49
2,86
0,05
1,27
GaAs
GaN
0,067 0,64
0,2
1,4
4H-SiC
InP
0,073 0,87
2x106
214
Variation ni(T)
ni N c N v exp(
Eg
2kT
Dans un SC intrinsque:
ni nest pas constant

ni est dautant plus grand
que:
Eg est petit
Temprature leve
ni N c N v exp(
Eg
2kT
215
Dopage du semiconducteur
Va permettre de changer et surtout contrler les proprits
lectriques du SC
Introduction dimpurets (dopants) qui vont modifier la relation n =
p:
Impurets de type donneur
Impurets de type accepteur
n > p type n
p > n type p
La position des espces chimiques dopantes dans le tableau

de Mendeleev et la position des atomes constituants le rseau
cristallin hte dfinissent le rle des impurets
216
Semi-conducteur intrinsque
Variation exponentielle
de la densit de
porteurs
Si ni>1015cm-3, le
matriau inadapt pour
des dispositifs
lectroniques.
SC grands gap
Type SiC, GaN, Diamant
Remarque:
Le produit np est
indpendant du
niveau de Fermi
Expression valable mme
si semi-conducteur dop
Introduction du dopage
217
Considrons le cas du SC Silicium ( col IV)
Introduisons des atomes dopants de la colonne V:
Par ex N, As ou P 5 lectrons priphriques ie un de trop / au Si.
e-
neutre
e-
Ionis +
Cela ressemble
latome dhydrogne
218
Atome colonne V : analogie avec latome dhydrogne
Le cinquime lectron nappartient pas la BV !
Le cinquime lectron nappartient pas la BC !
O est il nergtiquement ?
Modle de lhydrogne modifi :

Llectron ne se dplace pas dans le vide
Llectron est affect dune masse effective
219
Niveau dnergie dus aux impurets.

Force
1
4 0 vide
q2
r2
On doit remplacer:
vide par sc
Potentiel
V
nergie
Rydberg
En
1
4 0 vide
q2
r
mq 4
2n 2 (4 0 vide ) 2
mq 4
2(4 0 vide )
13,6eV
m par m*.
1 m*
R Ry 2
sc m0
*
y
220
Niveau donneur dans la Bande

Interdite.
Application pour le Silicium (
Si=12)
Dans notre cas E est lnergie quil faut apporter llectron pour
lamener dans la bande de conduction

E = EC ED=Ry*/n=Ry*
1 0,5 m0
R 13,6
40meV
2
(12)
m0
*
y
Exprimentalement on trouve:
P
=>
44 meV
As
=>
49 meV
Sb
=>
39 meV
Bi
=>
67 meV
221

Interdite.
Rsum:
Tant que le 5me lectron li P (basse temprature)
tat dnergie ED et son orbite est localise prs de

latome
Lorsque on lamne sur EC changement de son tat
quantique ( li => tat quantique dcrit par londe de Bloch)
il peut se propager dans tout le cristal il participe la
conduction
SC composs ( compounds SC)

GaAs ou InP (III-V)
VI la place de As => Se, Te

IV la place de Ga => Si, C, Sn
m*=0,05 m0 EC ED = 5 meV !!
222

Interdite.
On remarque que lon a cr des lectrons dans la bande

de conduction sans la prsence de trous dans la bande de
valence n >> p.
La BV est pleine ne conduit pas!
223
Niveau accepteur dans la Bande

Interdite.
Considrons le cas du SC Silicium ( col IV)
Introduisons des atomes dopants de la colonne III:
Par ex B, Al ou Ga 3 lectrons priphriques ie un de moins / au
Si.
B
+e
neutre
e+
P
Ionis -
Cela ressemble
latome dhydrogne
224

Interdite.
tat quantique libre : le niveau de cet tat quantique est trs proche de la
bande de valence. Mme calcul que pour le donneur
225
Calcul de la position du niveau nergtique

Ed ou Ea
Le problme ressemble
au modle de latome
dhydrogne:
m0e 4
13.6
En
2 eV
2 2
n
2(4 0 )
Introduction du Rydberg
modifi :
m* 0
Ed EC 13.6
m0
Exemple de dopants et leurs nergies
226

Interdite.
p >> n
13,6 mv*
Ea EV 2
sc m0
Exprimentalement on trouve:
B
=>
45 meV
Al
=>
57 meV
Ga =>
65 meV
In
=>
160 meV
227
Statistique des donneurs et des

accepteurs
tats donneurs:
Prob. doccupation un peu diffrente:
f D (E)
Le facteur ?
1
1
E EF
1 exp(
)
2
kT
P : 3s3p3 2 lectrons s et 2 lectrons p participent la
liaison => 1lectron p sur le niveau Ed (le 5!). Cet lectron

possde 1 spin particulier (up ou down).
Une fois cet lectron parti , la case ( le niveau) vide peut
capturer un spin up ou down le mcanisme de capture est
augment / lmission
f D (E) f (E)
228

accepteurs
tats donneurs:
Densit dlectrons sur ED ?
ND
nD N D f D ( E D )
ED EF
1
1 exp(
)
Soit encore:
kT
2
nd N d N d
229

accepteurs
tats accepteurs:
On ne peut capturer que llectron qui a le bon spin mais on
peut librer nimporte lequel
f A (E)
f (E)
1
E EF
1 2 exp(
)
kT
1
E EF
1 g exp(
)
kT
g : facteur de dgnrescence
1:
intrinsque
2 ou 4: accepteur
:
donneur
230

accepteurs
tats accepteurs:
Densit dlectrons sur EA ?
NA
nA N A f A ( E A )
E A EF
1 4 exp(
)
Soit encore:
kT
NA
p A N A nA N A N
1
EF E A
1 exp(
)
4
kT
231
Ionisation complte et gel des porteurs

quation de neutralit:
Charges positives = charges ngatives
e p ND e n N A
Simplifions le problme: NA = 0 ( type n)
n p N
ND
( Ec E F )
( E F Ev )
N C exp
- NV exp
kT
kT
1 2 exp( ED EF )
kT
232
Niveau de Fermi EF(T)

dcoupage du pb en domaine de temprature:
TBT: on nglige la densit de trous , oui mais jusqu quelle temprature ?
ni N D
kT
Eg
2 ln[ NcNv
1/ 2
/ ND ]
Ordre de grandeur : kT autour de Eg/10
ND
( Ec E F )
0
N C exp
E
E
kT
F
1 2 exp( D
)
kT
233
Niveau de Fermi EF(T)

1/ 2
1
Nd ( Ec Ed ) / kT
E F E D kT ln 1 1 8
e

Nc
kT<<Ec-Ed
EF
Ec Ed 1
N
kT ln d
2
2NC
E2c-Ed <kT<Eg
( DL de la racine)
, E F (T 0)
EF
Ec Ed
E Fmax N C N D /2
2
NC
E c kT ln
ND
234
EF fonction de la Temprature
EC
ED
Conduction Band
Fermi Level
EC EV
2
Temperature
235
Et la densit de porteurs ?
BT
- -
- -
Freeze out ( gel des porteurs )
T intermdiaire
- -
- -
puisement des donneurs
Haute Temprature
intrinsque
+++++++++++++++++
236
Variation de la conduction dun semi-conducteur dop en fonction

de la temprature
Tous les donneurs

sont ioniss
3 rgimes:
Extrinsque
puisement des donneurs
Intrinsque
237
Distribution lquilibre des porteurs

( Ec E f )
( Ec E fi ) ( E f E fi )
n0 N c exp
N c exp
kT
kT
( Ec E fi )
( E fi E f )
n 0 N c exp
exp
kT
kT
( E fi E f )
n0 ni exp
kT
( E f E fi )
p0 ni exp
kT
238
Niveau de Fermi dans un SC extrinsque
239
Niveau de Fermi dans un SC extrinsque
240
Dopage dun SC: type n
241
Dopage dun SC: type p
242
Concentration de h+ et de- lquilibre
243
Concentration de h+ et de- lquilibre

Neutralit lectrique:
n0 N A p0 N D
Ionisation totale:
n0 N A p0 N D avec p0
2
i
Soit:
n 0 ( N D N A )n0 n 0
2
2
i
On obtient:
(ND N A )
( N D N A )2
n0
ni2
2
4
n0
244
Diffrence Ef - Efi
Au lieu dexprimer Ef en fonction de Nc et Nv, on peut
crire:
Nd
E f Ei kT ln
ni
Na
Ei E f kT ln
ni
type n
type p
eFi
245
Diffrence Ef - Efi
On peut alors exprimer les densit dlectrons et de trous
lquilibre par:
n ni e
( E F E Fi ) / kT
p ni e
avec:
ni e
( E F E Fi ) / kT
e Fi / kT
ni e
e Fi / kT
eFi EF EFi 0
type n
eFi EF EFi 0
type p
quations de
Boltzmann
246
CHAPITRE 11
Le semiconducteur hors quilibre
247
Plan:
Recombinaison et gnration
Courants dans les SC
quation de densit de courants
quations de continuit
Longueur de Debye
quation de Poisson
Temps de relaxation dilectrique
248
Phnomnes de Gnration - Recombinaison

Loi daction de masse:
2
lquilibre thermodynamique:
i
Hors quilibre: apparition de phnomnes de Gnration Recombinaison en excs
np n
cration ou recombinaison de porteurs :

Unit [g]=[r]=s-1cm-3
Taux net de recombinaison:
g ' r ' g g th r ' g r

externe
avec
interne
r r ' g th
249
Phnomnes de Gnration - Recombinaison
lquilibre le taux de gnration g

est gal au taux de recombinaison r
Si T=0K, g = r = 0.
250
Recombinaison: 2 chemins possibles
(1)
Recombinaison directe lectron-trou

Processus fonction du nombre dlectron et de trous
rp
rn
Exemple: type n +excitation lumineuse en faible injection (

ie n p n0
)
p p0 p
n n0 n n0
En rgime de faible injection le nombre de porteurs
majoritaires nest pas affect.
251
(2)
Recombinaison par centres de recombinaison:

En gnral ces centres se trouvent en milieu de bande interdite
Le taux de recombinaison scrit:
np ni2
r
m 2ni p n
quationde
ShockleyRead
m est caractristique du centre recombinant
Si les 2 processus sappliquent:
n( p)
252
(3)
Si semi-conducteur peu dop: on applique SR

Si semi-conducteur dop n:
rp
Avec
Si rgion vide de porteurs (ex: ZCE)

2
np
n
x i
r
m 2ni x
p x
n
ni
r
0
2 m
Tauxnetdegnration.
Crationdeporteurs
253
Type P
Excitation lumineuse
254
Recombinaison radiative et non

radiative
255
Recombinaisons de surface
256

Courant de conduction: prsence de champ lectrique
Si E=0, vitesse des lectrons=vitesse thermique (107 cm/s) mais
=> vitesse moyenne nulle car chocs ( scattering ) avec le rseau
+ impurets.
Libre parcours moyen ( mean free path ):
l vth. 100 A
0.1 ps
257
Vitesse de drive ( drift velocity )
258

Courant de conduction: prsence de champ lectrique
Entre deux chocs, les lectrons sont acclrs uniformment
suivant
Acclration:
qE / m*
Vitesse:
Mobilit:
v qE / m* E
q / m
Si:1500cm2/Vs
GaAs:8500cm2/Vs
In0.53Ga0.47As:11000cm2/Vs
259

La densit de courant de conduction scrit:
Pour les lectrons:
Pour les trous:
Pour lensemble:
J c n nev n nen E
J c p pev p pep E
J c total J n J p (nen pep ) E
260

Importance de la mobilit sur les composants
Mobilit la plus leve possible
=> vitesse plus grande pour un mme E
Facteurs limitants:
Dopage
Dfauts (cristallins, structuraux, )
Temprature
Champ lectrique de saturation + gomtrie
261
Variation mobilit en fonction de la temprature
262
Variation de la mobilit
en fonction de la
concentration en dopants
263

Vitesse de saturation des lectrons
La relation linaire vitesse champ valide uniquement
pour:
Champ lectrique pas trop lev
Porteurs en quilibre thermique avec le rseau
Sinon:
Au-del dun champ critique, saturation de la vitesse
Apparition dun autre phnomne: velocity overshoot
pour des semiconducteurs multivalle.
Rgime balistique:pour des dispositifs de dimensions
infrieures au libre parcours moyen (0.1m)
264
Vitesse de saturation
Diffrents
comportement en
fonction du SC
Survitesse
( overshoot )
265
Survitesse dans le cas de SC

multi valles
266

Courant de diffusion:
Origine: gradient de concentration
Diffusion depuis la rgion de forte concentration vers la rgion de
moindre [].
1 loi de Fick:
dn
n Dn
dx
dp
x
pD D p
dx
x
D
nbde quidiffusentparunitde
tempsetdevolume(flux)
nbdeh+ quidiffusentparunitde
tempsetdevolume(flux)
267

Courant de diffusion: somme des deux contributions
(lectrons et trous):
dn
dp
J diff e(n p ) eDn
eDp
dx
dx
Constante ou coefficient de diffusion
x
D
]=cm2/s.
Dn , p
x
D
268

Courant total: somme des deux contributions (si elles existent)
de conduction et diffusion:
J T J cond J diff J n J p
dp
dn
J T (nen pep ) E e( Dn
Dp )
dx
dx
D et expriment la facult des porteurs se dplacer. Il existe
une relation entre eux: relation dEinstein:
D kT
269
quations de continuit longueur de diffusion
G et R altrent la distribution des
porteurs donc du courant
dn( x, t )
J n ( x x) J n ( x)
Ax
A
RG
dt
e
e
dn( x, t )
dJ n ( x) x
Ax
A
RG
dt
dx e
On obtient alors les quations de continuit

pour les lectrons et les trous:
dn( x, t ) 1 dJ n
rn g n
dt
e dx
dp ( x, t )
1 dJ p
rp g p
dt
e dx
270

Exemple: cas o le courant est exclusivement du
de la diffusion:
dn
d n n n0
Dn 2
dt
dx
n
2
dn
J n (diff ) eDn
dx
dp
J p (diff ) eD p
dx
dp
d2 p p p0
Dp 2
dx
dt
p
271

En rgime stationnaire, les
drives par rapport au temps

sannulent:
d 2 (n n0 ) n n0
n n0
D n n
dx 2
L2n
d 2 ( p p0 ) p p0 p p0
2
D p p
dx
L2p
Ln Dn n
Lp D p p
Solutions:
n( x) (n( x) n0 ) n(0)e
x / Ln
Longueur de diffusion: reprsente la

distance moyenne parcourue avant
que llectron ne se recombine avec
un trou (qq microns voire qq mm)
Ln ou Lp >> aux dispos VLSI
R et G jouent un petit rle sauf
dans qq cas prcis (Taur et al)
272
quation de Poisson
Elle est drive de la premire quation de Maxwell. Elle relie le
potentiel lectrique et la densit de charge:
d 2V
dE
( x)
dx 2
dx
sc
Dans les SC, deux types de charges (fixes et mobiles):
d 2V
e
p
(
x
)
n
(
x
)
N
(
x
)
N
D
A ( x)
2
dx
sc
Charge mobiles
(lectrons et trous)
Charges fixes
(dopants ioniss)
273
Longueur de Debye
Si on crit lquation de Poisson dans un type n en exprimant n en
fonction de
Fi
d 2 Fi
e
e Fi / kT
N
(
x
)
n
e
d
i
dx 2
sc
V(x)=
Fi
Si Nd(x)en
=>remarquant
Nd+Nd(x) ,que:
alors
Fi est
cte
modifi
de Fi
d 2 Fi e 2 N d
e
N d ( x)
Fi
2
sc kT
sc
dx
274
Longueur de Debye
Signification physique?
Solution de lquation diffrentielle du 2 degr:
x
Fi A exp
LD
avec
LD
sc kT
e2 N D
La rponse des bandes nest pas abrupte mais prend
quelques LD ( si Nd=1016 cm-3, LD=0.04m). Dans cette

rgion, prsence dun champ lectrique (neutralit lectrique
non ralise)
275
Temps de relaxation dilectrique

Comment volue dans le temps la densit de
porteurs majoritaires ?
quation de continuit (R et G ngligs):
n 1 J n
t e x
or
J n E E / n et
E
en / sc
x
do
n
n
n sc
t
n sc
Solution:
n(t ) exp(t / n sc )
Temps de relaxation dilectrique ( 10-12 s)
276
CHAP 12
Homo-jonction semi-conducteur
277
Homojonction PN
Composant rponse non linaire
Dispositifs redresseur ou rectifier devices
2 types pour arriver au mme rsultat:
Jonction PN (notre propos)
Jonction contact Schottky (chapitre suivant)
278
Mcanisme de formation de la jonction PN
279
Mcanisme de formation de la jonction PN
Processus de mise lquilibre

1 phase : processus de diffusion
2 phase : Apparition dun E interne:
quilibre la diffusion
Recombinaison de
paires e-h
Niveau de Fermi align:

quilibre thermodynamique
E int
280
Tension de diffusion VD ou
built in potential VB i
Dfinition : diffrence de potentiel entre la rgion N et la rgion P
VD VBI VN VP
Equation du courant de trous:
Soit encore
p
Dp
E ( x)
dp ( x)
J P ( x) e P p ( x) E ( x) D p
0
dx
1 dp ( x)
p ( x ) dx
ou
En intgrant de la rgion P la rgion N:

Soit finalement:
VD Vbi
1 dp( x)
e dV ( x)
kT dx
p( x) dx
pp
kT
VD
ln( )
e
pn
kT
N N
ln ( A 2 D )
e
ni
281
Champ, potentiel et largeur de zone despace (1)

Equation de Poisson:
( x)
d 2V ( x)
sc
dx 2
Dans la rgion N et P:
d 2V (x)
e
ND
2
sc
dx
0 x WN
d 2V (x)
e
NA
2
sc
dx
WP x 0
-WP
-WN
282
Champ lectrique E(x)
En ( x )
eN D
sc
( x W N)
EP ( x)
eN A
sc
( x W P)
Continuit du champ en x=0:
N DW N N AWP
EM
eN DW N
sc
eN AW P
sc
-WP
-WN
283
Potentiel lectrique E(x)

Vn ( x )
eN D
( x W N ) 2 Vn
sc
eN A
V p ( x)
( x W P) 2 V p
sc
Zone de charge despace (ZCE)
2
eN DWn2 eN AW p
V (Wn ) V (W p ) Vbi
2 sc
2 sc
2 sc
ND
W p (Vbi )
Wn (Vbi )
e N A (N A ND )
Vbi
2 sc
NA
Vbi
e ND (N A ND )
2 sc N D N A
W (Vbi )
Vbi
e N AND
-WP
-WN
284
Attention: tout ce que lon vient de voir tait

pour V=0. Lorsque la diode est alimente par
une tension V sur P, Vd doit tre remplace
par Vbi - V
285
Jonction PN sous polarisation

Cette polarisation va rompre lquilibre entre les
forces de diffusion et de conduction: => apparition

dun courant ?
Hypothses simplificatrices:
ZCE vide de porteurs

Faible injection
Approximation de Boltzmann
Toute la tension VA applique sur la jonction
Pas de phnomnes de Gnration Recombinaison
286
Polarisation directe
Tension positive sur P
Diminution de la tension de
diffusion
Processus de diffusion
prdomine
Fort courant
287

Fdiff e Polarisation directe
Diminution du champ interne
par E externe oppos

Injection dlectrons de N vers
P et Injection de trous de P
vers N, donc des minoritaires
Fort courant car rservoir
plein
Fdiff h+
288
Jonction PN sous polarisation directe
Eext
289
Jonction PN sous polarisation inverse

Fconde Polarisation Inverse
Augmentation du champ
interne par E externe dans le

mme sens
Injection dlectrons de P vers
N et Injection de trous de N
vers P , donc des majoritaires
Faible courant car
rservoir presque vide
Fcond h+
290

lquilibre, courant nul deux composantes (diff et cond)
sopposent. Pris part , lordre de grandeur de ces composantes
104 A/cm2 (soit 1A pour diode typique) or en faible injection I
est de lordre de qq mA qq 10 mA
Approximation de Boltzmann: Lapproximation de
Boltzmann consiste dire que la rsultante des courants
tant faible devant les composantes de ce courant, on
considre que lon est encore en quasi-quilibre et donc que
lquation du courant est encore valide en remplaant Vd par
Vd -Va:
1 dp ( x)
e dV ( x)
kT dx
p( x) dx
291
Densit de porteurs injects la frontire de la ZCE
p(W N )
eV
exp( d )
pp
kT
Si Va=0
Si Va
p ' (W N )
e(Vd Va )
exp(
)
pp
kT
ni2
eV A
eV A
)
exp(
)
p ' n p n exp(
kT
ND
kT
ni2
eV A
eV A
n' p n p exp(
)
exp(
)
kT
NA
kT
eVa
n * p p p * nn n exp(
)
kT
'
p
'
n
2
i
292
Variation de la densit de trous injects en fonction de

Va
1017
1016
Na= 1E17 cm-3

Vd=0.7 V
1015
1014
1013
P'(Wn) (cm-3)
1012
1011
1010
109
108
107
106
105
104
0,0
0,1
0,2
0,3
Va (V)
0,4
0,5
0,6
0,7
293
Injection de porteurs
En polarisation directe,
phnomnes de diffusion
Une fois injects, les

porteurs diffusent
294
Distribution des porteurs dans les rgions neutres

Une fois les porteurs injects,
ils vont diffuser dans la rgion

neutre et se recombiner avec
les porteurs majoritaires
Distribution des porteurs minoritaires injects
p
p
2 p p pn
J p ( x) eD p
Dp
x
t
x
p
La distribution va tre fonction
de la gomtrie de la rgion
x / Lp
pn Ae
Les p
paramtres
Be
x / Lp
discriminatoires : la longueur
de diffusion LDn,p des lectrons
et des trous et la largeur des
rgions neutres dn,p
dp
dn
-WP 0 WN
a: rgion qcq, b: longue, c:courte,
295
Distribution des porteurs dans les rgions neutres
d n , p L p ,n)
Rgions longues (
p ' ( x ) p n p n (e
n' ( x ) n p n p (e
Rgions qcq
eVa
kT
eVa
kT
Rgions courtes ( d n , p L p ,n )
eV
1)e
1)e
(W N x ) / L p
( x Wp ) / Ln
p n kTa
p' ( x) p n
(e 1)( x c x)
dn
n p eVkT
n' ( x) n p
( e 1)( x 'c x )
dp
a
eVa
xc x
pn
kT
p' ( x) p n
(e 1) sh
dn
L
p
sh( )
Lp
eVa
x xc'
np
(e kT 1) sh
n' ( x ) n p
dp
Ln
sh( )
Ln
296
Courant de porteurs minoritaires dans les rgions neutres

La distribution connue, on peut facilement calculer le courant qui
est un courant de diffusion:
dp ( x)
J p ( x) eD p
dx
J n ( x) eDn
dn( x)
dx
Hypothse : pas de Phnomnes de G-R dans la ZCE

J (V ) J p ( W p ) J n (W p ) J p (Wn ) J n (W p )
On obtient la formule classique:
J (V ) J S (e eV / kT 1)
JS est le courant de saturation de la diode,
ou courant inverse thorique
297
Courant de porteurs minoritaires dans les rgions

neutres
Rgions courtes
a: rgion qcq, b: longue, c:courte,
eni2 D P eni2 Dn
JS
NDdn
N Ad p
Rgions longues
eni2 DP eni2 Dn
JS
N D LP
N A Ln
Rgions qcq
eni2 DP
eni2 Dn
JS
dn
dp
N D LP th( ) N A Ln th( )
LP
Ln
-WP 0 WN
Courant de porteurs minoritaires
298
Gnration recombinaison dans la ZCE
Gnration en inverse
Recombinaison en direct
299
La diode relle : Phnomnes de gnrationrecombinaison dans la ZCE

On affine le modle on tient compte de la G-R dans la ZCE
Mcanisme connu (Shockley-Read)
pn ni2
r
2ni p n
1
eVa
)
On sait galement que p (W N )n(W N ) p (WP )n(WP ) ni2 exp(
kT
2
Si on suppose np constant dans la ZCE et >> ni (en
polarisation directe) , le taux r est max pour n=p, soit
encore
ni
eVa
rmax
exp
2
2kT
300
La diode relle : Phnomnes de

gnration-recombinaison dans la ZCE
Le courant de gnration recombinaison dans la
ZCE scrit alors:
1 dJ n
0
r dJ n erdx
e dx
WN
J GR e
WP
rdx
En polarisation inverse ( pn ni2 ), le taux est

ni
ngatif ( r 0 ) et devient un taux net de
gnration 2
En polarisation directe , le taux est rmax=cte et le

courant est un courant de recombinaisons.
301
La diode relle : Phnomnes de gnrationrecombinaison dans la ZCE

Le courant de gnration recombinaison dans la
ZCE scrit alors:
eni
J GR J
J GR
WT
2
Le courant global en intgrant cet effet scrit:
0
GR
eVa
) 1
exp(
2kT
eVa
eVa
0
) 1 J GR exp(
) 1
J (Va ) J S exp(
2kT
kT
Facteur didalit:
eVa
J (V ) J 0 exp(
) 1
nkT
302
Effet thermique
Effet Zener:
Diode en polarisation inverse:

claquage de la jonction
Passage direct de la BV la BC
par effet tunnel (0) si champ

lectrique suprieur Ecritique
Effet Avalanche:
Avant le tunneling ,
acclration des lectrons qui

excitent par impact des
lectrons de BV vers BC (1,2,3)
etc.
Perage ou punchtrough
VBD
.EC2
2eN B
303
Jonction en rgime dynamique: capacits de la

jonction
Capacit associe charges

2 types de charges dans la jonction
Fixes (les dopants ioniss) dans la ZCE
Mobiles (les e- et h+) injects en direct
2 types de capacits
Capacit de transition ou de la jonction
Capacit de diffusion ou stockage
304
Capacit de transition ou de jonction
Elle est simplement associe la charge Q contenue dans la ZCE
dQ
CT
dV
Q eAN AWP eAN DWN

W p (Vd VA )
2 sc
ND
(Vd VA )
e N A (N A ND )
Soit:
NAND
A
A
2e
CT
2 (VD V A ) ( N A N D ) WT
305
Capacit de diffusion ou de stockage
Traduit le retard entre la
tension et le courant
Associe aux charges
injectes dans les
rgions neutres:
QSp p J p
QSn n J n
QSp
XC
QSp A e( p ' ( x) p n ) dx
WN
Densit de trous excdentaires

dans la rgion neutre N
dn
1
e( p ' (0) p n ) LP coth( )

dn
LP
sh( )
LP
306

Lexpression prcdente peut se mettre sous la
forme:
QSp ( p ) J P (WN )
( p) P 1
avec
dn
ch( L )
P
Lexpression du temps peut tre simplifie en fonction de

la gomtrie de la diode:
d n2
temps de transit
t
2 DP
Diode courte: ( p )
Diode longue : ( p )
dure de vie
307
Cette tude dans la rgion N est valable dans la
rgion P, et en final on obtient:
QS Q Sn QSp ( n ) J n ( W P ) ( p ) J p (W N )
dQS
CS
Soit partir de :
dV
e
C S C Sn C Sp
K ( ( n ) I n ( p ) I p )
kT
Facteur qui dpend de la gomtrie
(2/3 courte)
(1/2 longue)
308
309
Jonction PN en commutation
310
Wn
Tant que lexcdent de trous en Wn est

positif
Diode polarise en direct
p 'n pn pn (e
eVa
kT
1)
sd Temps de stockage ie
p ' (WN ) pn
311
Problme majeur dans les composants porteurs
minoritaires:
Expression du temps de stockage:
sd
If
If
p ln(1 ) ln(1
)
Im
I f I m
Expression du temps de descente
If
F RC j
f 2.3
avec
I f Im
1
312
Schma quivalent jonction pn
dV kT 1
rsistance dynamique
dI
e I
e
K ( ( n ) I n ( p ) I p ) capa de diffusion
Cd CS CSn CSp
kT
A
2e
N AND
A
capa de jonction
CT C J
2 (VD VA ) ( N A N D ) WT
rd
rS rsistance srie
313
Diode Tunnel diode Backward
(a)
(b)
Va
I t I pe
V
pe
exp1 Va
V
pe
4a 2m * e
b
Tt exp
(c)
(d)
(e)
314
Diodes PIN
Dispos VLSI modernes trs fort champ lectrique
Pb davalanche et effet de porteurs chauds
Solutions:
Rduction du champ par augmentation de la ZCE
Incorporation dune couche non dope dite intrinsque do le
nom !
315
Diodes PIN
Dpltion rgion
Rgion p
Rgion n
(x)
+ + + +
-Wp
---
d
couche
intrins.
+Wn
316
Diodes PIN
champ max ( dans la zone intrinsque)
eN A x p
eN D ( xn d )
Em
Si
Si
Tension de diffusion (" built in potentiel" )

Vbi
Em
( x p xn d )
2
largeur de la ZCE
Em
2
(Wd d )
2 Si ( N A N D )
Wd
Vbi d W d20 d
e
N AND
capacit
CT Wd 0
CT 0 Wd
champ lectrique
1
1
d
W d20
Em
Wd
d
d
1 2
Em 0 Wd Wd 0
W d 0 Wd 0

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1

ralisation des composants lectroniques

Plan du cours (22,5 h 2/3 contrles)

Structure cristalline et cristallographie

H. Mathieu, Physique des semiconducteurs et des composants

lectroniques , dunod, 5 ed., 2004

J. Singh, semiconductors devices: an introduction ,Mc.Graw Hill,

D.A.Neamen, semiconductor physics and devices: basic

principles , Mc.Graw Hill, 2003

Cours de Physique des semiconducteurs, Pr. Rouzeyre, Universit

de Montpellier II, 1985

McMurry and Fay, Chemistry , Prentice Hall; 4th edition (April 7,

2003) ( les figures du chapitre 1 proviennent majoritairement de cet

structure cristalline et cristallographie

tats cristallin et amorphe

tats cristallin et amorphe

eux et de former telles ou telles structures?

Plusieurs paramtres/effets prendre en compte:

lectrons mis encommun dans une liaisonchimique.

rares) ou liaison molculaire

davoir leur dernire

comportement mtallique plus ou moins marqu.

La liaison mtallique : le cuivre

positifs couche externe sature

Il manque 4 lectrons de valence pour complter sa

la diffrence de H2, une fois les

se baladent autour des 2 noyaux

On peut obtenir le mme type de

rsultats avec des composs II-VI

lectrongatif ( 7e-) et dun lment fortement

(Daprs McMurry and Fay)

Coulombienne des deux ions liaison ionique

Col I VII essentiellement ionique

Liaison de type Van der Waals

Gomtrie des cristaux

motif cristallin: cest la base du rseau.

base : 1 seul atome

On dcrit la structure priodique par un rseau: le

Gomtrie des cristaux

Postulat de Bravais: il existe

dans le cristal un ensemble de

Reprage des plans cristallins

regroups sur des ensembles de plans // et quidistants: les plans

Plan cristallin dindices (h,k,l)

En utilisant les indices de Miller, on arrive : hx1 kx2

cristalline. On peut la reprer par trois indices h,k,l plus petits

Indices de Miller (suite)

(Daprs McMurry and Fay)

Exemples de plans dans un cristal

Les diffrentes structures cristallines

Les diffrentes structures cristallines

Cubique faces centres

Les diffrentes structures cristallines: notion de

(Daprs McMurry and Fay)

Les diffrentes structures cristallines: notion de

Les faces sont inclines de

(Daprs McMurry and Fay)

Les diffrentes structures cristallines: notion de

(Daprs McMurry and Fay)

Choix des vecteurs primitifs

On obtient alors une cellule primitive

Le Cubique centr (cc)

Daprs C. Kittel, Dunod, 5ed.