Corto Canal Dispositivos

Un dispositivo MOSFET se considera que es corto cuando la longitud del canal es el

mismo orden de magnitud que los anchos de agotamiento de la capa (Xdd, Xds) de la
unin fuente y el drenaje. Como la longitud del canal L se reduce para aumentar tanto la
velocidad de operacin y el nmero de componentes por chip, surgen los llamados
efectos a corto de canal.
Corto Canal Efectos
Los efectos a corto canal se atribuyen a dos fenmenos fsicos:
1. la limitacin impuesta en las caractersticas de deriva de electrones en el canal,
2. La modificacin de la tensin de umbral debido a la longitud del canal de
acortamiento.
En particular, cinco efectos de corto canales diferentes puede distinguirse:
1. barrera inducida de drenaje para bajar y Irrupcin
dispersin de superficie
saturacin de la velocidad
ionizacin por impacto
electrones calientes
Drenaje-inducida barrera bajada y Irrupcin
Las expresiones para los anchos de drenaje y la fuente de unin son:

donde VSB y VDB son fuente-a-cuerpo y tensiones de drenaje para el cuerpo.

Cuando las regiones que rodean el agotamiento de drenaje se extiende a la fuente, de
modo que la combinacin de la capa dos de agotamiento (es decir, cuando XDS + xDD
= L), punchtrough se produce. Irrupcin se puede minimizar con xidos ms delgadas,
ms grande dopaje sustrato, uniones menos profundas, y, obviamente, con canales ms
largos.
El flujo de corriente en el canal depende de la creacin y el mantenimiento de una capa
de inversin en la superficie. Si el voltaje de polarizacin de compuerta no es suficiente
para invertir la superficie (VGS <VT0), los portadores (electrones) en el canal de
enfrentarse a una barrera de potencial que bloquea el flujo. El aumento de la tensin de
puerta reduce esta barrera de potencial y, eventualmente, permite el flujo de portadores
bajo la influencia del campo elctrico canal. En MOSFETs de pequea geometra, la
barrera de potencial est controlado por tanto el voltaje de puerta a fuente VGS y la
tensin de drenaje-fuente VDS. Si se aumenta la tensin de drenaje, la barrera de

potencial en los descensos de canal, que conduce a la barrera de drenaje inducida por la
reduccin de (DIBL). La reduccin de la barrera de potencial permite finalmente el flujo
de electrones entre la fuente y el drenaje,
incluso si la tensin de puerta a fuente es menor que la tensin umbral. El actual canal
que fluye bajo estas condiciones (VGS <VT0) se llama el actual sub-umbral.
dispersin de superficie
Como la longitud del canal se hace ms pequea debido a la extensin lateral de la capa
de agotamiento en el
regin de canal, el componente de campo elctrico longitudinal aumenta ey, y la
movilidad de superficie
se convierte en dependiente del campo. Dado que el transporte de portador en un
MOSFET est confinado dentro del estrecho
capa de inversin, y la dispersin de la superficie (es decir, las colisiones sufridas por
los electrones que son acelerados hacia la interfaz por ex) causa una reduccin de la
movilidad, los electrones se mueven con gran dificultad paralela a la interfaz, por lo que
la movilidad media de la superficie, incluso para valores pequeos de ey, es
aproximadamente la mitad que la de la movilidad a granel.

la saturacin de velocidad
Los dispositivos de corto canal de rendimiento tambin se ve afectada por la saturacin
de velocidad, lo que reduce la transconductancia en el modo de saturacin. A baja ey, la
velocidad de deriva de electrones VDE en el canal vara linealmente con la intensidad
del campo elctrico. Sin embargo, a medida que aumenta por encima de 104 ey V / cm,
la velocidad de deriva tiende a aumentar ms lentamente, y se aproxima a un valor de
saturacin de VDE (sat) = 107 cm / s alrededor ey = 105 V / cm a 300 K.
Tenga en cuenta que la corriente de drenaje est limitado por la saturacin de la
velocidad en lugar de pinchoff. Esto ocurre en los dispositivos de canal corto cuando las
dimensiones se escalan sin bajar las tensiones de polarizacin.
Usando VDE (sat), la ganancia mxima posible para un MOSFET se puede definir
como:

ionizacin por impacto

Otro efecto a corto canal indeseable, especialmente en NMOS, se produce debido a la
alta velocidad de los electrones en presencia de campos longitudinales altas que pueden
generar electrn-hueco (eh) por pares
ionizacin por impacto, es decir, al impactar en tomos de silicio y los ionizante.
Sucede como sigue: Normalmente, la mayor parte de los electrones son atrados por el
desage, mientras que los orificios entran en el sustrato para formar parte de la corriente
parsita sustrato. Adems, la regin entre la fuente y el drenaje puede actuar como la
base de un transistor npn, con la fuente de jugar el papel de el emisor y el drenaje que
del colector. Si los orificios antes mencionados se recogen por la fuente, y la corriente
correspondiente orificio crea una cada de tensin en el material de sustrato de la orden
de
.6V, La unin pn sustrato de cdigo normalmente sesgada invertido llevar a cabo de
forma apreciable. A continuacin, los electrones pueden ser inyectados desde la fuente
al sustrato, similar a la inyeccin de electrones desde el emisor a la base. Ellos pueden
obtener suficiente energa a medida que viajan hacia el drenaje para crear nuevos pares
eh. La situacin puede empeorar si algunos electrones generados debido a los altos
campos escapar del campo de drenaje para viajar en el sustrato, lo que afecta a otros
dispositivos en un chip.
electrones calientes
Otro problema, relacionado con campos elctricos elevados, es causada por los
llamados electrones calientes. Esta alta energa electrones pueden entrar en el xido,
donde pueden ser atrapados, dando lugar en xido de carga que puede acumularse con
el tiempo y degradar el rendimiento del dispositivo mediante el aumento de VT y
afectar adversamente el control de la puerta en la corriente de drenaje.

La modificacin de la tensin umbral debido al corto-Channel

Efectos (SCE) La ecuacin que da la tensin de umbral en cero de polarizacin

es precisa al describir grandes transistores MOS, pero se derrumba cuando se aplica a

los MOSFET de pequea geometra. De hecho que la ecuacin asume que el
agotamiento de la carga a granel es solamente debido al campo elctrico creado por la
tensin de puerta, mientras que la carga cerca de agotamiento n + fuente y el drenaje
regin es en realidad inducida por la banda de unin pn flexin. Por lo tanto, se
sobreestima la cantidad de carga a granel es compatible con la tensin de puerta, que
conduce a un VT ms grande que el valor real. Las lneas de flujo elctricas generadas
por la carga en el electrodo de puerta del condensador MOS terminan en el
inducida por los portadores mviles en la regin de agotamiento debajo de la puerta.
Para MOSFETs de canal corto, por otro lado, algunas de las lneas de campo
procedentes de la fuente y los electrodos de drenaje terminan en cargas en la regin de
canal. Por lo tanto, se requiere menos tensin de puerta para causar la inversin. Esto
implica que la fraccin de la carga a granel deplition procedente de la deplecin de
unin pn y por lo tanto no requiere de voltaje de la puerta, debe ser restado de la
expresin VT.

La figura muestra la geometra simplificada de la regin de agotamiento mayor inducida

puerta y las regiones de agotamiento de unin pn en un canal corto transistor MOS.
Tenga en cuenta que la regin deplition a granel se supone que tienen y la forma
trapezoidal asimtrica, en lugar de una forma rectangural, para representar
con precisin la carga inducida puerta. Se espera que la regin deplition de drenaje para
ser mayor que la regin de agotamiento fuente debido a la tensin positiva drenajefuente invertida sesgos la unin drainsubstrate. Reconocemos que una parte
significativa de la carga total regin deplition bajo la puerta es en realidad debido al
agotamiento de unin fuente y el drenaje, en lugar de la mayor agotamiento inducido
por la tensin de puerta. Dado que la carga deplition granel en el dispositivo de canal
corto es menor de lo esperado, la expresin tensin de umbral debe ser modificado para
tener en cuenta esta reduccin:
donde VT0 es el voltaje umbral cero-sesgo calculado mediante la frmula largo canal
convencional y DVT0 es el cambio de tensin de umbral (reduccin) debido al efecto a
corto canal. El trmino reduccin representa en realidad la cantidad de diferencia de

carga entre una regin de agotamiento rectangular

y una regin deplition trapezoidal. Deje DLS y DLD representan la extensin lateral de
las regiones de agotamiento asociadas con la unin de origen y la unin de drenaje,
respectivamente. Entonces, la carga regin de agotamiento a granel contenido dentro de
la regin es trapezoidal:

Para calcular DLS y sistema antibloqueo de frenos, vamos a utilizar la geometra

simplificada se muestra en la figura. Aqu,

Aqu, XDS y XDD representan la profundidad de las regiones de agotamiento con

unin pn asociados con la fuente y el drenaje, respectivamente. Los bordes de las
regiones de difusin fuente y el drenaje estn representados por arcos trimestre circular,
cada uno con un radio igual a la profundidad de la unin, xj. La extensin vertical de la
regin de agotamiento mayor en el sustrato est representado por xdm. Las
profundidades de la regin de agotamiento de conexiones se pueden aproximar por

con el voltaje integrado de conexiones

De la figura, nos encontramos con la siguiente relacin entre el DLD y de las

profundidades de la regin de agotamiento.

Despejando DLD obtenemos:

Del mismo modo, el DLS longitud tambin se puede encontrar como sigue:

Ahora, el importe de la DVT0 reduccin de tensin de umbral debido a los efectos de

canal corto se puede encontrar como:

El trmino umbral de cambio de voltaje es proporcional a xj / L. Como resultado, este

trmino se hace ms prominente para transistores MOS de canal con longitudes ms
cortas, y se aproxima a cero para MOSFETs longchannel donde L >> xj.
Escalado contina para el beneficio de digital.
Para analgico esto no es necesariamente siempre beneficioso,
pero deseable tener todo en un dado
(SoC).
Diseo de circuitos ananlog y de seal mixta,
tenemos que ser conscientes de las implicaciones de modo que
podemos disear circuitos que realizan bien a pesar de
efectos a corto canal.
La reduccin de tamao de la caracterstica es muy atractivo para
circuitos digitales
Una mayor densidad (menor costo)
Reduccin del consumo de energa
Ms rpido (menos capacitancia)
Por CMOS escala?
Puede ser beneficioso para analgico, dependiendo de la
solicitud
Reduccin Vdd, el aumento actual
La ganancia es baja debido a causa de salida
la resistencia se disminuye
Mayor velocidad (ft) abre de nuevo
aplicaciones en CMOS (por ejemplo de onda mm)

Corto vs largo del canal

Una definicin floja: Por lo general, un canal largo
dispositivo se comportar de acuerdo a la ley cuadrtica
modelo
El comportamiento de un dispositivo a corto canal
no pueden predecir con precisin por el cuadrado-ley
modelo
Transistor de canal a largo
Puerta tiene un buen control sobre el canal
Ecuaciones de la ley Square estn suficientemente preciso
para predecir la corriente de drenaje.
Transistor de canal corto
Regin de drenaje tiene ms influencia en el canal
comportamiento
Los efectos a corto canal se vuelven significativas.
DIBL
Drenaje barrera inducida bajar
Tensin de drenaje (Vd) contribuye a invertir la
canal, effecively reducir V. Aumentar
actual con el aumento de Vd
portadores calientes
Rebasamiento de velocidad debido al alto campo elctrico
desde la fuente al drenaje.
Ionizacin de impacto cerca del desage, el par electrn-hueco.
Los transportistas pueden quedar atrapadas en el xido de puerta.
SCBE
Actual Sustrato efecto corporal inducida
Electron par de orificios de ionizacin por impacto
genera una corriente sustrato de drenaje. voluntad actual
aumentar exponencialmente con la tensin de drenaje
Resistencia Substrato cada IR.
Escurrir Barrera Descenso inducido
La anchura de la unin de drenaje y la fuente se expresa en trminos del cuerpo de la
fuente y tensiones de drenaje-a-cuerpo. Una barrera se produce cuando la tensin de
polarizacin de puerta es insuficiente para invertir la superficie de la superficie de la
canal y el flujo de electrones se bloquea. Sin embargo, esta barrera de potencial se
reduce al aumentar la tensin de la puerta, lo que rebaja la barrera de drenaje inducida
(DIBL). DIBL fuerte es el mal comportamiento de canal corto.
Dispersin superficial
En un MOSFET, el transporte de electrones se produce dentro de la capa de inversin de
cerca. Dispersin superficial se describe como colisiones experimentadas por electrones

acelerados a medida que avanzan hacia este capa de inversin. Dispersin superficial
limita la movilidad de los electrones y depende de la aceleracin causada por el
componente de campo elctrico longitudinal, que aumenta a medida que se acorta el
canal.
La velocidad de saturacin
La velocidad de saturacin afecta al rendimiento del MOSFET y otros dispositivos de
corto canal reduccin de transconductancia en modo de saturacin. Tambin reduce el
consumo de energa cuando las dimensiones se escalan sin guientes tensin de
polarizacin de drenaje. La velocidad de saturacin aumenta con un aumento de la
componente longitudinal del campo elctrico.
Ionizacin por impacto y electrones calientes
La velocidad de saturacin puede crear pares electrn-hueco por tomos de silicio
ionizantes dentro del canal. Esto se indica como ionizacin. Esto ocurre como los
electrones ganan energa mientras viaja hacia el desage. Electrones calientes son
electrones de alta energa que se encuentran atrapados y, finalmente, se acumulan dentro
del canal. Esto conduce a un rendimiento deficiente del dispositivo de medida que se
pierde el control de la corriente de drenaje.

objetivos
En este curso usted aprender lo siguiente
motivacin
Degradacin de Movilidad
La corriente subumbral
variacin de la tensin de umbral
Drenaje barrera inducida descenso (DIBL)
punzn de drenaje a travs
Efecto portador caliente
Los estados de superficie y carga interfaz atrapad
8.1 Motivacin
Como se ve en la ltima conferencia como la longitud del canal se reduce, se pueden
producir desviaciones del comportamiento del canal de largo. Estas salidas, que se
llaman cortas Efectos del Canal, surgen como resultados de una distribucin de
potencial de dos dimensiones y los altos campos elctricos en la regin de canal.
Para una concentracin de dopaje canal dado, como la longitud del canal se reduce, las
anchuras capa de agotamiento de las uniones de fuente y drenaje se convierten
comparable a la longitud del canal. La distribucin de potencial en el canal depende
ahora tanto en el campo transversal que Ex (controlado por la tensin de puerta y el
sesgo de superficie trasera) y el campo longitudinal Ey (controlado por el sesgo de
drenaje). En otras palabras, la distribucin de potencial se convierte en dos dimensiones,
y la aproximacin gradual canal (es decir Ex >> Ey) ya no es vlido. Estos dos
resultados posibles dimensionales en la degradacin del comportamiento de umbral, la
dependencia de voltaje de umbral en la longitud del canal y voltajes de polarizacin y el

fracaso de la saturacin actual debido a perforar a travs del efecto.

En otras secciones, estudiaremos diversos efectos debidos a la longitud del canal corto
MOSFET

degradacin de la Movilidad
La movilidad es importante porque la corriente en el MOSFET depende de la movilidad
de los portadores de carga (agujeros y electrones).
Podemos describir esta degradacin movilidad por dos efectos:
Efecto Campo lateral: En el caso de canales cortos, a medida que aumenta el campo
lateral, la movilidad de canal se convierte en dependiente del campo y, finalmente, la
saturacin de velocidad se produce (que se hace referencia en la conferencia anterior).
Esto da como resultado la saturacin actual.
ii. Efecto De Campo Vertical: Como el campo elctrico vertical tambin aumenta en la
reduccin de las longitudes de canal, da lugar a dispersin de portadores cerca de la
superficie. Por lo tanto la movilidad superficial reduce (Tambin explica por la ecuacin
de la dependencia de la movilidad dada a continuacin).

As, por canales cortos, podemos ver (en la figura 8.2) la degradacin de la movilidad
que se produce debido a la saturacin de la velocidad y la dispersin de los
transportistas.

8.3 subumbral actual

Un efecto que se ve exacerbada por los diseos de canal corto es la corriente subumbral
que surge del hecho de que algunos electrones son inducidos en el canal incluso antes
de que se establezca la inversin fuerte. Por la baja concentracin de electrones (por lo
general de rgimen subliminal), esperamos corriente de difusin (propotional a

gradientes de transporte) para dominar sobre las corrientes de deriva (propotional a

concentraciones de portadores).
Para longitudes de canal muy cortas, como la difusin portadora desde la fuente al
drenaje puede hacer que sea imposible para apagar el dispositivo por debajo del umbral.
La corriente subumbral se agrava por el efecto DIBL (se explicar en secciones
posteriores), que aumenta la inyeccin de electrones de la fuente.
Variacin de voltaje de umbral con Canal Longitud

En el caso de los MOSFET de canal largo, puerta tiene el control sobre el canal y es
compatible con la mayor parte de la carga. Como vamos a longitudes de canal corto
como se ve en el grfico anterior, la tensin umbral comienza a disminuir a medida que
la carga en la regin de agotamiento es ahora compatible con el drenaje y la fuente
tambin. As, la puerta debe ser compatible con menos carga en esta regin y, como
resultado, VT cae. Este fenmeno se conoce como compartiendo efecto.
Ahora bien, como IDS es propotional a (VGS - VT), por lo tanto, como VT empieza a
caer en el caso de canales cortos, IDS comienza en aumento resultante en las corrientes
de drenaje de mayor tamao. Tambin cuando VGS es cero y el MOSFET est en el
modo de corte, ya que VT es pequeo, (VGS - VT) ser un valor negativo pequeo y
resultar en la corriente de fuga que multiplica an ms por la tensin de drenaje dar
lugar a fugas de energa. En caso de MOSFETs de canal largo, VT es lo suficientemente

grande y (VGS - VT) es un valor negativo comparativamente mayor, en Cut Off de

energa en modo de fuga es muy pequea.
Tiempo de trnsito: Como se ve en la conferencia anterior, los resultados de los canales
cortos en la saturacin de la velocidad ms de parte del canal. As que el argumento
utilizado para obtener el tiempo de trnsito para los MOSFET de canal largo ya no es
vlida para los MOSFET de canal corto. Tomamos nota de que el tiempo de trnsito
ser mayor si los electrones se mueven a la velocidad mxima en todo el canal. Por lo
tanto,

Figura 8.42 muestra que el tiempo de trnsito de un dispositivo que funciona en la parte
"plana" de IDS-VGS caractersticas curva que se concluye que el tiempo de trnsito no
se puede disminuir aumentando an ms VGS.
Cuantica mecanica aumentar el efecto: Otro efecto de la mecnica cuntica que
tambin aumenta con la escala, es un cambio en el potencial de la superficie requerida
para la inversin fuerte. Este efecto se debe a la llamada "cuantizacin de la energa" de
las partculas confinadas que preludios electrones y los huecos del existente a cero de
energa en las bandas de conduccin o de valencia. Es una consecuencia directa de la
solucin de la ecuacin de Poisson-Schrodinger acoplada. Este potencial de superficie
de desplazamiento se manifiesta como un aumento en | VT | que para los dispositivos
largos se da por

Por encima de la ecuacin dice que | VT | aumenta a medida que los dispositivos se
redujo.
8.5 Drenaje Barrera inducido Descenso (DIBL)

Las regiones de agotamiento de fuente y drenaje pueden inmiscuirse en el canal incluso

sin sesgo, ya que estas uniones se acercan juntos en dispositivos de canal corto. Este
efecto se llama intercambio de carga (como se mencion anteriormente) ya que la
fuente y el drenaje, en efecto, tomar parte de la carga de canal, que de otro modo sera
controlado por la puerta. A medida que la regin de agotamiento de drenaje contina

aumentando con el sesgo, sino que puede interactuar con la fuente para canalizar unin
y por lo tanto disminuye la barrera de potencial. Este problema se conoce como drenaje
inducida Barrera Descenso (DIBL). Cuando se reduce la barrera de unin fuente, los
electrones son fcilmente inyectado en el canal y la tensin de puerta ya no tiene ningn
control sobre la corriente de drenaje.

Para la figura 8.5, se puede observar que, en condiciones extremas de invadir las
regiones de origen y de agotamiento de drenaje, las dos curvas se pueden cumplir.
8.6 Drenaje Ponche travs
Cuando el drenaje est en alto voltaje suficiente con respecto a la fuente, la regin de
agotamiento alrededor del drenaje puede extenderse a la fuente, provocando que la
corriente fluya independientemente del voltaje de la puerta (es decir, incluso si el voltaje
de puerta es cero). Esto se conoce como el puo de drenaje a travs condicin y el
punzn a travs de VPT tensin dada por:
As que cuando disminuye L longitud del canal (es decir, casos longitud del canal
corto), ponche a travs de tensin disminuye rpidamente.

8.7 Efecto caliente del portador

Los campos elctricos tienden a ser aumentado a geometras ms pequeos, ya que los
voltajes de dispositivos son difciles de escalar a los valores arbitrariamente pequeas.
Como resultado, varios efectos de portadores calientes aparecen en dispositivos de canal
corto. El campo en el cruce de drenaje sesgada invertido puede conducir a la ionizacin
por impacto y la multiplicacin portadora. Los agujeros resultantes contribuyen al
sustrato actual y algunos pueden mover a la fuente, donde bajan barrera fuente y
resultan en electrones inyectados desde el cdigo fuente en p-regin. De hecho
transistor npn puede dar como resultado dentro de la configuracin de drenaje de canal
de origen y prevenir la puerta de control de la corriente.
Otro efecto de electrones caliente es el transporte de los electrones energticos ms (o
un tnel a travs) de la barrera en el xido. Tales electrones quedan atrapados en el
xido, donde cambian la tensin de umbral y IV caractersticas del dispositivo. Efectos
de electrones calientes pueden ser reducidos mediante la reduccin del dopaje en las
regiones de fuente y drenaje, de modo que los campos de unin son ms pequeas.
Regiones de fuente y drenaje Sin embargo ligeramente dopadas son incompatibles con
los pequeos dispositivos de geometra debido a resistencias de contacto y otros
problemas similares. Un diseo de compromiso del MOSFET, llamado drenaje
ligeramente dopado (LDD), utilizando dos niveles de dopaje con pesada dopaje sobre la
mayor parte de las zonas de origen y de drenaje con el dopaje luz en una regin
adyacente al canal. La estructura LDD disminuye el campo entre las regiones de drenaje
y de canal, por lo tanto reduce la inyeccin en el xido, la ionizacin de impacto y otros
efectos de electrones calientes.
8.9 Conclusin
Debido a los efectos de canal corto complican el funcionamiento del dispositivo y
degradan el rendimiento del dispositivo, estos efectos deben eliminarse o reducirse al

mnimo, por lo que un dispositivo de canal corto fsica puede preservar el

comportamiento elctrico de canal largo.