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FUNDAMENTOS DE
ELECTRNICA
Problemas de Examen
NDICE:
TRANSISTORES BIPOLARES
AMPLIFICADORES OPERACIONALES
11
12
16
SOLUCIONES:
TRANSISTORES BIPOLARES
18
23
AMPLIFICADORES OPERACIONALES
AMPLIFICADORES OPERACIONALES Y DIODOS
TRANSISTORES FET, BJT, DIODOS Y AO
25
AUTORES:
Copyright 2012
Problemas de Examen
TRANSISTORES BIPOLARES:
1. En funcin del valor de la resistencia R el transistor de la figura puede encontrarse en corte,
activa o saturacin. Da justificadamente un valor de R para cada caso. Datos: VBE=0.7V y b=450.
1 2V
1K
10 W
1K
2. Determina de cuantas maneras se puede llevar este transistor a saturacin, modificando una
de las resistencias. Condiciones iniciales: Vcc=15V, Vbb=5V, Vee=0V, Rc=7K, Rb=100K,
Re=1K, b=50, VBE=0.7V.
Vcc
Rc
Rb
Vbb
Re
Vee
3. Determinar la ganancia en tensin vo/vi para seales alternas del amplificador de la figura,
con y sin condensador CE conectado como se indica. Suponer que C1 y C2 se comportan como
cortocircuitos a las frecuencias de trabajo y que el BJT est en activa.
Vcc
R1
Rc
C2
C1
Ce
vi
R2
Re
RL v o
Problemas de Examen
R1
Rc
C2
C1
Rg
R2
vg
vo
RL
+Vcc
R1
Q1
Rg
C1
Q2
C2
vo
R2
vg
Re
RL
Problemas de Examen
R3
R1
Q2
Rg
C1
Vb1
Q1
Vo
RL
vg
R2
R4
C2
R21
RC1
R11
C2
Rg
C1
Vb1
Vb2
Q2
Q1
C4
vo
vg
R12
RE1
C3
R22
RE2
RL
Problemas de Examen
R21
RC1
R11
C2
Rg
C1
Vb1
Vb2
Q2
Q1
C4
vo
R12
vg
R22
C3
RE1
RC2
RL
R3
C2
R1
Rg
C1
Vb1
Q1
Q2
vo
vg
R2
R4
R5
Problemas de Examen
10. Para el circuito de la figura 1=2=125, Vcc=10V, Rg=0K6, R11=10K, R12=2K2, RC1=3K6,
RE11=220W, RE12=680W, R21=30K, R22=30K, RE2=1K2, RL=270W.
a)
b)
c)
d)
e)
R21
RC1
R11
C2
Rg
C1
Vb1
Vb2
Q2
Q1
C4
vo
RE11
R12
vg
R22
C3
RE2
RL
RE12
11. Para el circuito de la figura, la de ambos transistores es 100, Vcc=12V, Rg=50W, R11=56K,
R12=39K, RC1=RE1=1K, R21=39K, R22=56K, RC2=RE2=1K, RL=16W.
a) Calcular el punto de trabajo de los transistores Q1 y Q2.
b) Dibujar el modelo para seal del circuito completo.
c) Dibujar la recta esttica de carga del transistor Q1, indicando los valores
numricos de corte con los ejes, as como el punto Q1.
d) Calcular la ganancia de cada una de las etapas asociadas a Q1 y Q2 y la ganancia
total del circuito: Av1 = vb2/vb1 , Av2 = vo/vb2 , Av = vo/vb1.
e) Calcular la frecuencia inferior de corte (fic) (C1=30mF, C2=50mF, C3=5mF,
C4=30mF, C5=5mF).
Vcc
C5
R21
RC1
R11
RE2
C2
Rg
C1
Vb1
Vb2
Q2
Q1
C4
vo
vg
R12
RE1
C3
R22
RC2
RL
Problemas de Examen
12. Para el circuito de la figura: Vcc=12V, R1=20K6, R2=3K4, R3=3K29, R4=961W, R5=32W,
Rg=500W, VBE1=VBE2=0.7V, b1=100, b2 =200.
a) Calcular el punto de trabajo de los transistores Q1 y Q2.
b) Dibujar el modelo para seal del circuito completo.
c) Dibujar las rectas esttica y dinmica de carga del transistor Q2, indicando los
valores numricos de corte con los ejes, as como el punto Q2.
d) Calcular la ganancia del circuito: Av = vo/vb1.
e) Calcular la frecuencia inferior de corte (fic) (C1=20mF, C2=1mF).
Vcc
R3
R1
Q2
Rg
C1
Vb1
Q1
Vo
RL
vg
R2
R4
C2
Vcc
Se pide:
a)
b)
RB
RZ
Q2
Q1
RL
Vz
RE
Problemas de Examen
RZ
R1
Q2
Q1
Vz
R3
R2
3. Obtener los puntos de operacin de los transistores. Datos: b=500; |VBE| = 0v7; |VCEsat|=0v2;
K= 0.5mA/v2 , VT = 4.5V
+15V
1K5
7K
T2
T1
1uF
68K
26K5
10K
-15V
4. Deducir los valores de R1, R2, R3, R4 y la K del MOS para que los transistores trabajen en
los puntos de operacin: Q1 = (3.2V, 1.5mA) en Activa y Q2 = (4V, 5mA) en Saturacin.
Sabiendo que el zner tiene Vz = 6V, Izmin = 1mA, Izmax = 100mA, que el BJT tiene b=200 y
VEB = 0.7V y que la tensin umbral del MOS es -2V. La alimentacin Vcc = 9V.
Vcc
R3
R1
T2
T1
Vz
R2
R4
Problemas de Examen
10
5. Deducir los valores de R1, R2, R3, R4 y la K del MOS para que los transistores trabajen en
los puntos de operacin: Q1 = (4.5V, 1.5mA) en Activa y Q2 = (4V, 5mA) en Saturacin.
Sabiendo que el zner tiene Vz = 3v7, Izmin = 1mA, Izmax = 100mA, que el BJT tiene b=200 y
VBE = 0.7V y que la tensin umbral del MOS es 1V. La alimentacin Vcc = 9V.
Vcc
R4
R2
Vz
T1
T2
R3
R1
6. Dado el siguiente circuito, con los datos que se indican determinar los valores de las
resistencias R1, R2, R3, R4 y R5. Suponer b=400 en el transistor bipolar y VT=2V y
K=1mA/V2 en el MOSFET de acumulacin.
+15V
R1
R3
1mA
R5
1mA
+
4V
3V
R2
R4
2K
7. En el circuito, justifica el modo de operacin de cada uno de los transistores. Datos: en los
bipolares |VBE|=0.7V en activo o saturacin y b=200, en el MOS: VT=4V y K=1mA/V2.
+5V
1K8
1nF
0.47K
1K
T2
T1
1K5
1K
T3
1k 2
-5V
Problemas de Examen
11
AMPLIFICADORES OPERACIONALES:
1. Qu limitacin afectar antes a la salida del amplificador operacional conforme vi aumenta
de 0 a 6V?. IOmax=(20mA,-40mA).
R2 =300K
1 2V
R1 =100K
vo
vi
R3 =0K6
Ro=0K5
-1 2V
+ 5V
2.
Io2
AO_1
R
Io1
R
AO_2
R
R
+Vcc
R
vi
-Vcc
Problemas de Examen
12
R
+Vcc
R
v in
-Vcc
R
RL
i out
vi
2R
+Vcc
vo
AO_2
AO_1
Vcc
2.
Vcc
+Vcc
-5V
AO_2
AO_1
R1
D1
R1
Vcc
(+)
Vcc
Ro
R2
R2
vo
D2
Problemas de Examen
13
3. En el circuito de la figura la seal vi est generada por una fuente de seal que tiene una
impedancia de 0K6. Considerar diodos ideales.
a) Identifica tres bloques funcionales que componen el circuito de la figura.
b) Deduce la funcin de transferencia vo/vi.
b) Dibuja la seal que se observara en la salida vo, si la seal medida en el
generador es: vi = 1 + 3 sen(wt) (V).
Datos: |VCC|=9V, Vz=3V, Vg=0V, R1=1K2, R2=1K.
+Vcc
R2
vo
vi
Vz
-Vcc
R1
4. En el circuito de la figura, cada cierto tiempo de medida, los interruptores se cierran para
descargar los condensadores. Datos: |Vcc|=10V.
a) Identifica al menos 5 bloques funcionales en el circuito.
b) Deduce la funcin de salida vo, considerando los diodos y AO ideales.
Vcc
Vcc
R
R
D1
AO_2
C1
S1
V AO1
DAO1
-Vcc
vo
vi
Vcc
D2
C2
S2
AO_2
Ro
V AO2
DAO2
-Vcc
R
R
-Vcc
Problemas de Examen
14
R2
R3
R4
vi
+Vcc
+Vcc
AO_1
AO_2
AO_2
vo
-Vcc
-Vcc
R2
Vcc
+Vcc
v1
vo
AO_1
AO_2
D1
V ref
-Vcc
+Vcc
D2
AO_2
v2
-Vcc
+
AO_1
D1
v AO1
v1
D2
C1
v2
AO_3
D3
+
+
AO_2
v AO2
D4
C2
vo
Problemas de Examen
15
2K2
AO_1
4K7
4K7
+ 1 5V
-1 5V
AO_3
vo
+ 1 5V
R1
-1 5V
R(T)
AO_2
-1 5V
9 9K
+ 1 5V
+ 1 5V
AO_1
D1
v1
+ 1 5V
D2
-1 5V
4K7
AO_3
v3
4K7
-1 5V
+ 1 5V
1 0 0K
1 0 0K
AO_2
v2
-1 5V
1K
9 9K
Problemas de Examen
16
vi
R3
R1
T1
AO1
Vz
T2
AO2
RL
R2
iL
2. En la entrada a una cabina de seguridad con dos puertas, cada puerta tiene asociado un
detector de paso como los de la figura (Puerta entrada con LED1-Fototransistor1 y puerta de
salida con LED2-Fototransistor2), de manera que cuando la puerta est cerrada, bloquea la luz del
LED correspondiente que va a su fototransistor.
a) Seala y nombra la operacin de 3 bloques electrnicos del circuito.
b) Deducir el comportamiento del LED3 en funcin del estado de las puertas.
c) Indica qu hay que cambiar en el circuito para que el LED3 se encienda cuando cualquier
puerta est abierta.
d) Calcula la potencia que consume el LED1.
Datos: Considera el AO ideal. Los LED necesitan VON=1.2V y al menos 10mA para lucir
correctamente. Los fototransistores en conduccin (con luz del LED) presentan una tensin
colector-emisor de 0.2V; sin luz estn en corte.
+5V
0k27
10K
0k27
100K
Va
400K
C1
741
0k27
C2
-5V
LED1
LED2
LED3
Problemas de Examen
3.
17
vi
1 5V
AO
R1
-15V
R2
Problemas de Examen
18
SOLUCIONES
TRANSISTORES BIPOLARES:
1. El transistor est en corte desde R=0W; hasta R=0.62W; para mayores valores de R, el
transistor est en activa hasta R=11.24W; para valores superiores de R, el transistor est en
saturacin.
2. El transistor est en Activa: Q=( 3.58V, 1.42mA ); El transistor entra en saturacin (lmite
Vce=0.7V) cuando:
- Aumentamos Rc hasta 9K02
- Disminuimos Rb hasta 69K58
- Disminuimos Re hasta 147W
3.
Sin Ce, la Zce=inf, con Ce, la Zce=0, para seales.
Av =
- b ( RC || RL )
vo
;
=
vi r + (b + 1) R || Z
p
e ce
v
Rg
R1||R2
ib
rp
ie
+
vp
-
E
+
RL
vo
-
b ib
C
c)
i
( R1|| R2) (b + 1)
;
A = e=
i i
r + ( R1|| R 2) + (b + 1) R
g p
L
5. a) Los transistores estn en Activa: Q1=( 5.7V, 1.42mA ); Q2=( 6.4V, 143mA );
Problemas de Examen
19
b)
| IC2 |
Recta esttica
de carga
250mA
Q2
ICq2=143mA
VCEq2=6.4V
15V
| VCE2|
c)
ig
Rg
ib1
v1
vi
rp1
R1||R2
+
vp1
-
ie1= ib2
v1
ie2
2
+
vp2
-
rp2
c1
e1
b ib1
e2
b ib2
RL
Re
vo
-
c2
d) Av = 0.9;
6. a) Los transistores estn en Activa: Q1=( 1.03V, 1.5mA ); Q2=( 8.16V, 12.15mA );
b)
| IC1 |
| IC2 |
Recta es t tica
de carga
1.8 mA
Recta es t tica
de carga
6 6.6mA
Q1
ICq1 =1.6 mA
Q2
ICq2 =16 mA
VCEq1 =1.54V
1 0V
| VCE1|
| VCE2|
VCEq2 =7.6V 1 0V
c)
ig
+
vi
ib1
v1
Rg
R1||R2
rp1
ib2
c1
+
vp1
-
b ib1
e1
rp2
R3
ie2
2
+
vp2
-
+
e2
b ib2
RL
c2
d) Av = -209.8;
vo
-
Problemas de Examen
20
Rg
vi
ib1
v1
1
rp1
R11||R12
c1
+
vp1
-
+
vp2
-
rp2
RC1
e2
b ib1
e1
ie2
ib2
v2
R21||R22
RL
vo
-
RE2
b ib2
c2
vi
ib1
v1
Rg
R11||R12
rp1
c1
+
vp1
-
v2
ib2
ic2
2
c2
b ib1
RL
e1
RC1
R21||R22
RC2
e2
vo
-
Problemas de Examen
21
c)
| IC1 |
| IC2 |
Recta dinmica
de carga
Recta dinmica
de carga
ICq1 =1.95mA
ICq2 =3.44mA
Q1
1 5V
VCEq1 =7.2V
| VCE1|
Q2
VCEq2 =0.2V
| VCE2|
1 5V
ib1
v1
1
Rg
rp1
R1||R2
ib2
c1
+
vp1
-
b ib1
rp2
R4
e1
e2
+
vp2
-
ie2
R5
vo
-
b ib2
c2
c) Av = -646;
d) Req1 = 1K916, C1 = 4.14mF; Req2 = 37W, C2 = 215mF: usamos C1 = 41mF; C2 = 215mF;
10. a) Q1=( 4.5V, 1.2mA ) en Activa; Q2=( 5.7V, 3.58mA ) en Activa;
b)
| IC2 |
8.33mA
ICq2 =3.58mA
Recta es t tica
de carga
Q2
VCEq2 =5.7V
1 0V
| VCE2|
Problemas de Examen
22
c)
ig
Rg
+
vi
-
ib1
v1
c1
+
vp1
-
rp1
R11||R12
v2
b ib1
e1
ie1
RE11
ib2
rp2
R21||R22
RC1
ie2
e2
+
vp2
-
RL
RE2
b ib2
vo
c2
d) Rdin = 220W;
e) Av = -1400;
11. a) Q1=(5.2V, 3.4mA ) en Activa; Q2=( 5.2V, 3.4mA ) en Activa;
b)
ig
+
vi
-
ib1
v1
1
Rg
c1
+
rp1
R11||R12
vp1
-
b ib1
v2
ib2
rp2
c2
2
vp2
b ib2
RL
e1
RC1
R21||R22
e2
RC2
vo
-
c)
| IC1 |
6 mA
ICq1 =3.4 mA
Recta es t tica
de carga
Q1
VCEq1 =5.2V
1 2V
| VCE1|
Problemas de Examen
23
ib1
v1
Rg
R1||R2
rp1
v2
c1
+
vp1
-
b ib1
e1
ib2
rp2
e2
ie2
vp2
R5
R3
vo
-
b ib2
c2
c) Rdin = R5;
d) Av = -86.8;
e) Req1=1K84, fic1= 4.3Hz; Req2=28.13W, fic2=5657Hz; estimamos: fic=5661Hz;
Problemas de Examen
24
AMPLIFICADORES OPERACIONALES:
1. Limitacin por corriente de salida positiva cuando vi > 2.5V;
2. Io1 = 10mA; Io2 = -10mA;
3. Suponemos que predomina la realimentacin negativa: i = -vi/R;
4. Suponemos que predomina la realimentacin negativa: Iout = - vin/R;
AMPLIFICADORES OPERACIONALES Y DIODOS:
1. Para vi > 0 vo = -vi;
Para vi > 15V vo = -Vcc = -15V;
Para vi < 0 vo = Vcc = 15V;
2.
a) Etapa comparadora no-inversora con AO1, etapa comparadora inversora con AO2; Diodos
D1 y D2 con Ro en configuracin de selector de tensin mxima.
b) Si Vi < -Vref Vo = 15V - Vg;
Si Vref > Vi > -Vref Vo = 0V;
Si Vi > Vref Vo = 15V - Vg;
c) R1 = 24R2;
3. a) Rectificador de media onda (diodo y R1), seguidor de tensin (AO), recortador con zner.
b) Si Vi < 0V Vo = 0V;
Si 4.5V > Vi > 0V Vo = 2Vi/3;
Si Vi > 4.5V Vo = 3V;
c)
vi
vo
4V
2.6 6V
1V
0.6 6V
-2V
4. a) D1 y C1 en captura de mxima Vi, D2 y C2 en captura de mnima Vi, AO1 comparador noinversor, AO2 comparador inversor, DAO1 y DAO2 en detector de mxima tensin.
b) Si Vimax > Vcc/2 Vo = Vcc;
Si Vcc/2 > Vimax y Vimin > -Vcc/2 Vo = 0V;
Si Vcc/2 > Vimin Vo = Vcc;
5. Si Vi < 0V Vo = - (R2Vi) / (2R1);
Si Vi > 0V Vo = (ViR4R2) / (R1R3);
6. Si v1>4V v2<4V vo = -10V;
Si v1<4V y v2>4V vo = +10V;
Fundamentos de Electrnica - 1 Ingeniera de Tecnologas y Servicios de Telecomunicacin
Problemas de Examen
25
v1, v2
6V
4V
0V
-6V
vo
1 0V
-1 0V