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MORELIA
DEPARTAMENTO DE INGENIERIA ELECTRICA
NOTAS DE LA MATERIA
SISTEMAS ELECTRICOS DE POTENCIA I
______________________________________________________________
2006
Contenido
0. Calculo de parmetros de lneas areas de transmisin ............................................................ 6
INTRODUCCION........................................................................................................................... 6
PARAMETROS DE LINEAS AEREAS DE TRANSMISION ELECTRICA. .............................. 7
TIPOS DE CONDUCTORES Y MATERIALES CONDUCTORES. ....................................... 8
RESISTENCIA SERIE. .................................................................................................................... 10
CONDUCTANCIA EN DERIVACION. ......................................................................................... 12
INDUCTANCIA SERIE..................................................................................................................... 13
INDUCTANCIA DE UN CONDUCTOR SLIDO. ....................................................................... 13
INDUCTANCIA DEBIDA A ENLACES DE FLUJO EXTERNOS AL CONDUCTOR. ................. 16
INDUCTANCIA DE UNA LINEA MONOFASICA. ....................................................................... 18
ENLACES DE UN CONDUCTOR EN UN GRUPO. ................................................................... 20
INDUCTANCIA DE CONDUCTORES COMPUESTOS.............................................................. 22
INDUCTANCIA DE UNA LINEA TRIFASICA.............................................................................. 25
INDUCTANCIA DE UNA LINEA TRIFASICA CON ESPACIAMIENTO NO SIMETRICO. ......... 26
RADIO GEOMETRICO MEDIO DE UN HAZ DE CONDUCTORES. ..................................... 28
LINEAS DE TRANSMISION DE DOBLE CIRCUITO. ............................................................ 30
CAPACITANCIA............................................................................................................................... 32
CAMPO ELECTRICO Y VOLTAJE EN UN CONDUCTOR CILINDRICO SOLIDO. .................. 32
CAPACITANCIA DE UNA LINEA MONOFASICA. ..................................................................... 36
LINEA TRIFASICA....................................................................................................................... 38
CAPACITANCIA DE UNA LINEA TRIFASICA CON ESPACIAMIENTO ASIMETRICO........ 41
LINEA TRIFASICA CON HACES DE CONDUCTORES........................................................ 44
CORRIENTE CAPACITIVA Y POTENCIA REACTIVA. ......................................................... 46
EFECTO DE TIERRA.................................................................................................................. 46
EFECTO DE TIERRA: LINEA TRIFASICA............................................................................. 51
OPERACION DE LA LINEA DE TRANSMISION EN ESTADO ESTABLE..................................... 56
APROXIMACIONES DE LINEA CORTA Y MEDIA..................................................................... 56
Ecuaciones diferenciales de la lnea de transmisin. ................................................................. 61
INTERPRETACIONES DE LAS ECUACIONES DE LINEA LARGA...................................... 66
CIRCUITO EQUIVALENTE................................................................................................. 69
LINEA SIN PRDIDAS. .......................................................................................................... 71
Longitud de onda .................................................................................................................... 74
Carga Natural( SIL) ................................................................................................................. 75
Lmite de Estabilidad en Estado Estable. ............................................................................... 77
Cargabilidad. ........................................................................................................................... 79
Flujo de Potencia Mximo....................................................................................................... 80
1. MATRICES DE RED Y DISPERSIDAD ........................................................................................... 83
1.1. Formulacin y significado de las matrices YBUS y ZBUS. ........................................................... 83
1.1.1. MATRICES DE INCIDENCIA Y MATRICES PRIMITIVAS. .............................................. 85
Matrices de Incidencia. ........................................................................................................... 87
Matrices primitivas. ................................................................................................................. 89
Matrices primitivas de impedancia y admitancia. ................................................................... 91
1.1.2 OBTENCION DE YBUS POR TRANSFORMACIONES SINGULARES.............................. 92
1.1.3. OBTENCION DE YBUS POR INSPECCION. ..................................................................... 94
ITM-DIE
CALCULO DE PARAMETROS
Y
OPERACIN EN ESTADO
ESTACIONARIO
DE
LINEAS DE TRANSMISION
ITM-DIE
incrementaron rpidamente desde los 3300 V hasta los 11 kV, usados para transmitir 10
MW desde Niagara Falls a Buffalo, en los Estados Unidos, a 20 millas de distancia, en
el ao de 1896. En 1936 se terminaron dos circuitos de 287 kV para transmitir 240
MW a 266 millas a travs del desierto hasta Los Angeles. La primera lnea de 345 kV
se desarroll a partir de un programa de pruebas de la AEP (American Electric Power)
en 1946 y rpidamente se superpuso al sistema de 138 kV que se usaba extensivamente.
Al mismo tiempo en Suecia se estableci el sistema de 400 kV entre sus plantas
hidroelctricas del norte, hasta los centros de carga de la regin sur.
El sistema de 345 kV estableci la prctica de usar conductores en haz, la
configuracin en V de cadenas de aisladores (con el objeto de restringir oscilaciones), y
el uso de aluminio en estructuras de lneas.
La primeras lnea de 500 kV fue energizada en 1964 en el estado de West Virginia
en EU. Una razn para la preferencia de este nivel de voltaje sobre el nivel de 345 kV
fue que el cambio de 230 kV a 345 kV, representaba una ganancia de solamente 140%
comparada a una ganancia de 400%, cuando el cambio era a 500 kV. La compaa
canadiense Hydro Qubec inaugur su lnea de 375 millas a 735 kV en el mismo ao.
En el ao de 1969 la AEP puso en servicio un nivel de voltaje de 765 kV. Los aos 80
atestiguaron la introduccin de un nivel de voltaje an ms grande en la compaa
estadounidense BPA: el sistema de transmisin de 1100 kV.
La tendencia de introducir voltajes ms grandes est principalmente motivada por el
incremento resultante en la capacidad de la lnea, mientras se reducen las prdidas por
unidad de potencia transmitida. La reduccin de prdidas es significativa y es un
aspecto importante de la conservacin de la energa. Otro beneficio del incremento de
ITM-DIE
capacidad es el mejor uso de la tierra. Esto puede ilustrarse comparando el ancho del
derecho de va de 56 m requerido para el nivel de 1100 kV con una capacidad de 10,000
MW, con el de 76 m requerido para dos lneas de doble circuito en 500 kV para
transmitir la misma capacidad de 10,000 MW.
El propsito de esta unidad 0, es el de desarrollar una comprensin adecuada en la
modelacin de lneas de transmisin, as como analizar su comportamiento. Se iniciar
por discutir los parmetros que caracterizan a la lnea de transmisin area.
PARAMETROS DE LINEAS AEREAS DE TRANSMISION ELECTRICA.
Una lnea de transmisin elctrica es modelada usando cuatro parmetros, que
afectan sus caractersticas de comportamiento. Estos cuatro parmetros son: resistencia
serie, inductancia serie, capacitancia en derivacin y conductancia en derivacin. Los
dos primeros son de suma importancia en muchos estudios de inters. Sin embargo en
algunos estudios es posible omitir los parmetros en derivacin, simplificando con ello
el circuito equivalente considerablemente.
Empezaremos con una discusin breve de la naturaleza de los conductores e
introduciremos terminologa comnmente usada.
Un alambre combinacin de alambres no aislados uno del otro es llamado
conductor.
0.46
nA =
0.005
= 1.1229322 .
ITM-DIE
Observando que nA6 = 2.005 nos conduce a concluir que el dimetro se duplica por
una diferencia de seis calibres.
En conductores trenzados en forma concntrica, cada capa sucesiva contiene seis
alambres ms que en la anterior. Existen dos construcciones bsicas: ncleo de un solo
alambre y ncleo de tres alambres. El nmero total de alambres (N) en un conductor
con n capas sobre el ncleo, est dada por
N = 3n ( n + 1) + 1
N = 3n ( n + 2 ) + 3
A
conductor total de A circular mils y N alambres es d = mils .
N
compuestos:
esencialmente
ACSR
(Aluminium
Conductor
Steel
ITM-DIE
ITM-DIE
RESISTENCIA SERIE.
La resistencia de un conductor es la causa principal de la prdida de potencia en la
lnea de transmisin. La resistencia de corriente directa est dada por la conocida
frmula
RCD =
l
A
ohm
donde
es la resistividad del conductor
l es la longitud
A es el rea de seccin transversal.
Cualquier conjunto consistente de unidades puede ser utilizado en el clculo de la
resistencia. En el sistema Internacional de unidades (SI), se mide en
ohms-
ITM-DIE
Existen sin embargo ciertas limitantes en el uso de esta ecuacin para el clculo de
la resistencia de conductores de la lnea de transmisin:
1. Se introduce un pequeo error cuando el conductor es trenzado y no slido. Esto se
debe a que los filamentos individuales son un poco ms largos que el conductor
mismo.
2. Cuando fluye corriente alterna en un conductor, la densidad de corriente no se
distribuye uniformemente sobre el rea de seccin transversal. Esto se denomina
efecto pelicular y es el resultado de una distribucin de flujo no uniforme en el
conductor. Lo anterior incrementa la resistencia del conductor al reducir el rea
efectiva de seccin transversal a travs de la cual fluye la corriente. Las tablas
proporcionadas por los fabricantes dan la resistencia a frecuencias comerciales de
25, 50 y 60 Hz.
3. La resistencia en conductores magnticos vara de acuerdo a la magnitud de la
corriente. El flujo, y por lo tanto las prdidas magnticas dentro del conductor,
dependen de la magnitud de la corriente. Las tablas de conductores magnticos
tales como ACSR, incluyen los datos de las resistencias a dos diferentes nivels de
conduccin para mostrar el efecto.
4. En una lnea de transmisin no hay uniformidad en la distribucin de la corriente,
en adicin de la causada por el efecto pelicular. En una lnea de dos conductores,
menos lneas de flujo enlazan a los elementos ms cercanos entre si en los lados
opuestos, que las lneas de flujo que enlazan a los elementos ms alejados. De aqu
que los lados ms cercanos tendrn menor inductancia que los elementos en los
lados ms alejados.
ITM-DIE
CONDUCTANCIA EN DERIVACION.
Este parmetro modela bsicamente dos fenmenos que conducen a prdidas de
potencia real: corrientes de fuga en aisladores y efecto corona.
Generalmente las prdidas de potencia real debidas a dichos fenmenos son muy
pequeas comparadas con las prdidas I2 R en los conductores.
ITM-DIE
INDUCTANCIA SERIE.
INDUCTANCIA DE UN CONDUCTOR SLIDO.
La inductancia de un circuito magntico con permeabilidad constante se puede
obtener a travs de:
1. Intensidad de campo magntico H, a partir de la Ley de Ampre.
2. Densidad de campo magntico B (B = H).
3. Encadenamientos de flujo .
4. De la razn I = L .
Calcularemos las inductancias asociadas con el flujo interno, externo y finalmente la
total, que sera la suma de estas. Lo anterior para un conductor slido inicialmente.
Posteriormente calcularemos el flujo que enlaza un conductor en un arreglo de conductores
en los que fluye una corriente.
Supondremos, sin sacrificar precisin y validez de los resultados, las siguientes
simplificaciones:
1. La longitud del conductor es infinita, esto es, se desprecian los llamados efectos
finales.
2. El material del conductor es no-magntico, es decir = 0 = 4 10 7 H/m.
3. Densidad de corriente uniforme, o sea efecto pelicular despreciable.
Consideremos la figura 1, la cual muestra la seccin transversal de un conductor
cilndrico, slido y de una longitud unitaria. Observamos que por simetra las lneas de
flujo del campo magntico es concntrico, y por lo tanto no tienen componente radial sino
nicamente tangencial, aplicamos la Ley de Ampre:
v H dl = I
Lino Coria Cisneros
(0.1)
ITM-DIE
dl
dx
flujo
v H
dl = I x
(0.2)
2 xH x = I x
(0.3)
de donde resolviendo:
x2
IX = 2 I
r
(0.4)
x
I
2 r 2
A-vuelta/m
10
ITM-DIE
xI
2 r 2
Wb/m2
A = dx y d = Bx dx .
De aqu tendremos:
d =
xI
dx
2 r 2
(0.5)
Webers
x2
Ix3
d
=
dx
r2
2 r 4
Wb vuelta / m
De lo anterior tendremos:
Ix3
dx
4
2
r
0
r
int =
de donde finalmente
int =
I
8
Wb-vuelta/m .
r =
H / m y como adems
, entonces r = 1 y tendremos
0
I
2
int = 107
Wb vuelta / m
(0.6)
y de aqu
Lint = 1 2 10 7
H /m
(0.7).
11
ITM-DIE
P1
D1
dx
D2
FLUJO
P2
Bx =
I
2 x
I
2 x
Wb / m 2
12
ITM-DIE
d =
I
dx
2 x
donde Area = dx 1m y por otro lado d = d , ya que el flujo completo enlaza solo una
vez al conductor y entonces tendremos:
12 =
D2
D1
D
I
I
dx =
Ln 2
2 x
2
D1
Wb vuelta / m
para r = 1, tendremos
12 = 2 107 Ln
D2
D1
(0.8).
Wb vuelta / m
L12 = 2 107 Ln
D2
D1
(0.9).
H /m
1
r1
r2
13
ITM-DIE
Los
conductores son slidos y uno de ellos es el retorno del circuito. Sea I la corriente fluyendo
en un conductor y I fluir en el otro. Notamos que una lnea de flujo a una distancia
mayor igual a D + r2 enlaza una corriente neta de valor cero y por lo tanto no induce
voltaje. Por toro lado, el flujo entre r1 y D r2 enlaza una corriente de valor I, mientras que
entre D r2 y D + r2, lo cual constituye la superficie del conductor, la fraccin de corriente
enlazada por el flujo vara de 1 a 0, desde D r2 hasta D + r2, respectivamente.
Consideramos que D es mucho mayor que r1 y r2, y que adems la distribucin de
corriente es uniforme. Por otro lado suponemos que el flujo exterior producido en el
conductor 1 y que se extiende hasta el centro del conductor 2 enlaza una corriente neta
cero, podemos usar (0.9) para obtener para el caso presente:
L1,ext = 2 107 Ln
D
r1
(0.10).
H /m
1
107
2
H /m
Con lo anterior la inductancia total del circuito, debida a la corriente en el conductor 1 ser:
1
D
L1 = + 2 Ln 107
r1
2
(0.11)
H /m
1
D
D
7
L1 = 2 10 + Ln = 2 10 Ln e 4 + Ln
r1
r1
4
L1 = 2 107 Ln
D
r1e
1
4
1
4
= 0.7788r1 , tendremos:
L1 = 2 107 Ln
D
r1'
H /m
(0.12).
D
r2'
H /m.
14
ITM-DIE
Para = constante, las FMM de ambos conductores se suman, as como sus inductancias.
Pare el circuito completo tendremos:
L = L1 + L2 = 4 107 Ln
D
r1' r2'
H /m
(0.13)
D
r'
(0.14).
H /m
D1P
P
D2P
2
D23
3
D3P
DnP
. . .
n
15
ITM-DIE
Sean I1, I2,, In las corrientes que circulan en los respectivos conductores. Sea
adems 1P1, los encadenamientos de flujo del conductor 1 debidos a la corriente I1,
incluyendo el flujo interno, pero excluyendo todo el flujo exterior a P.
De las ecuaciones (0.6) y (0.8):
I1
D
D
+ 2 I1 Ln 1P 107 = 2 107 I1 Ln 1'P
r1
r1
2
1P1 =
Wb vuelta / m
Por otro lado, 1P2 es el flujo que enlaza al conductor 1 y debido a la corriente I2,
pero excluyendo el flujo despus del punto P y est dado por:
D2 P
D12
Finalmente 1Pnes el flujo que enlaza al conductor 1 debido a In, la corriente
1P 2 = 2 107 I 2 Ln
fluyendo por el conductor n, y acotado por la distancia al punto P, el cual estar dado por:
DnP
D1n
al flujo que enlaza al conductor 1 y debido a la corriente
1Pn = 2 107 I n Ln
Si denotamos como 1P
fluyendo en todos los conductores, pero excluyendo el flujo despus del punto P, este ser
igual a la suma de los flujos antes mencionados, es decir
1P = 2 107 I1 Ln
D
D
D1P
D
+ I 2 Ln 2 P + I 3 Ln 3 P + ...... + I n Ln nP
'
r1
D12
D13
D1n
(0.15)
1P = 2 107 I1 Ln
1
1
1
+ I 2 Ln
+ ...... + I n Ln
+ I1 Ln D1P + I 2 Ln D2 P + ... + I n Ln DnP
'
D12
D1n
r1
1P = 2 107 I1 Ln
D( n 1) P
D
D
1
1
1
+ I 2 Ln
+ ...... + I n Ln
+ I1 Ln 1P + I 2 Ln 2 P + ... + I ( n 1) Ln
'
r1
D12
D1n
DnP
DnP
DnP
16
ITM-DIE
DiP
1 , con lo
DnP
DiP
0.
DnP
Tomando en cuenta lo arriba expuesto en la ltima ecuacin obtenemos finalmente
1 = 2 107 I1 Ln
1
1
1
+ I 2 Ln
+ ...... + I n Ln
'
D12
D1n
r1
Wb vuelta / m
(0.16).
I
K =1
= 0.
..
.
..
.
m
n
a
CONDUCTOR X
CONDUCTOR Y
17
ITM-DIE
idnticos. Suponemos que la corriente se reparte de manera uniforme, de tal manera que
sta se reparte igualmente en todos los filamentos o torzales, es decir, una corriente I/n en
cada filamento del conductor X, mientras que I/m fluye en cada filamento del conductor Y.
Si hacemos uso de la ecuacin (0.16) en el filamento a del conductor X obtenemos
I
n
a = 2 107 Ln
1
1
1
+ Ln
+ ...... + Ln
'
Dab
Dan
ra
1
1
1
7 I
+ Ln
+ ... + Ln
2 10
Ln
m Daa '
Dab '
Dam
por lo que
1 m)
a = 2 10
(
Daa ' Dab ' Dac ' ...Dan ' )
(
I Ln
(r D
'
a
ab
Dac ...Dan )
Wb vuelta / m
(1 n )
(0.17)
La =
( I n)
( D D D ...D )
Ln aa ' ab ' ac ' am
1m
= 2 n 10
(r D
'
a
ab
H /m
Dac ...Dan )
1n
(0.18)
Lb =
( I n)
= 2 n 10 Ln
(D
'
ba rb Dac ...Dbn )
1n
H /m
(0.19)
LX =
Lprom
n
L + Lb + Lc + ... + Ln
La + Lb + Lc + ... + Ln
Lprom = a
2
n
n
(0.20)
18
ITM-DIE
LX =
Lprom
n
La + Lb + Lc + ... + Ln
n2
(0.21).
+ Ln
+ ... + Ln
LX = (1 n ) 2 n 10 Ln
1n
1n
1n
'
'
r
D
D
...
D
D
r
D
...
D
(
)
(
)
( Dna Dnc ...rn' )
a ab ac
an
ba b bc
bn
Sustituyendo ra' , rb' ,... por Daa , Dbb ,... respectivamente, obtenemos finalmente
( Daa ' Dab ' ...Dam )( Dba ' Dbb ' ...Dbm ) ... ( Dna ' Dnb ' ...Dnm ) mn
LX = 2 107 Ln
1 n2
( Daa Dab Dac ...Dan )( Dba Dbb Dbc ...Dbn ) ... ( Dna Dnc ...Dnn )
H / m (0.22)
LX = 2 107 Ln
Dm
Ds
H /m
(0.23).
19
ITM-DIE
a = 2 107 I a Ln
1
1
1
+ I b Ln + I c Ln
'
D
D
r
a = 2 107 I a Ln
1
1
+ ( I b + I c ) Ln
'
D
r
Wb vuelta / m
a = 2 107 I a Ln
1
1
D
I a Ln = 2 107 I a Ln '
'
D
r
r
Wb vuelta / m
20
ITM-DIE
de donde finalmente
La = 2 107 Ln
D
r
(0.24).
H /m
Las ecuaciones para las fases b y c son iguales por simetra y la ecuacin (0.24) nos define
la inductancia de la lnea por fase, para la lnea trifsica con arreglo equidistante. La
ecuacin (0.24) es vlida para el caso general si consideramos DS en lugar de r para el caso
de conductores trenzados.
1
D12
D31
D23
Cond a
Cond c
Cond b
Cond b
Cond a
Cond c
Cond c
Cond b
Cond a
Pos 1
Pos 2
Pos 3
l/3
l/3
l/3
21
ITM-DIE
a1 = 2 107 I a Ln
1
1
1
+ I b Ln
+ I c Ln
r
D12
D13
Wb vuelta / m
a 2 = 2 107 I a Ln
1
1
1
+ I b Ln
+ I c Ln
r
D23
D12
Wb vuelta / m
a 3 = 2 107 I a Ln
1
1
1
+ I b Ln
+ I c Ln
r
D31
D23
Wb vuelta / m
a =
a1 + a 2 + a 3
3
2 107
1
1
1
=
+ I c Ln
3 I a Ln + I b Ln
.
3
r
D12 D23 D31
D12 D23 D31
a =
2 107
3
1
1
3 I a Ln I a Ln
.
r
D12 D23 D31
13
a = 2 10 I a Ln
7
Wb vuelta / m
(0.25)
22
ITM-DIE
Finalmente obtenemos
La =
Deq
a
= 2 107 Ln
Ia
r
(0.26)
H /m
Deq
DS
. Aqu
DS = GMR del conductor, mientras que Deq = Media Geomtrica de las distancias.
2
N
2
B
4
N
3
N 1
23
ITM-DIE
de donde obtenemos:
R=
2 sen ( N )
2 R sen 2 R sen
2 R sen .... 2 R sen
N
N
N
N
N
N
N
de donde obtenemos:
2
N 1
N 1
GMR = DS = r ( 2 R )
sen sen
....sen
N
N
N
1N
12
3
3
= ( 3rR 2 )
13
2
3
= ( 4rR 3 )
14
24
ITM-DIE
2
5
6
6
6
= ( 6rR 5 )
16
En general tenemos:
GMR = ( NrR N 1 )
1N
Por esto tratamos aqu explcitamente dicho caso, aunque con las bases proporcionadas
hasta ahora, su anlisis no resulta difcil, ni mucho menos novedoso.
D3
D3
g
f
p
B
D2
p
D2
1a seccin
D2
D1
D1
D3
D1
B
2a seccin
B
3a seccin
a1 = 2 107 I a Ln
1
1
1
1
1
1
+ Ln + I b Ln
+ Ln + I c Ln
+ Ln .
r
f
D3
g
D2
h
25
ITM-DIE
a 2 = 2 107 I a Ln
1
1
1
1
1
1
+ Ln + I b Ln
+ Ln + I c Ln
+ Ln .
r
p
D1
g
D3
g
a 3 = 2 107 I a Ln
1
1
1
1
1
1
+ Ln + I b Ln
+ Ln + I c Ln
+ Ln .
r
f
D2
h
g
D1
1
( a1 + a 2 + a 3 ) , por lo que
3
2 107
1
1
1
1
1
1
+ Ln 2 + I c Ln
+ Ln 2
a =
I a 3 Ln + Ln 2 + I b Ln
3
r
f p
g h
g h
D1 D2 D3
D1 D2 D3
a =
2 107
1
1
1
1
+ Ln 2 .
I a 3 Ln + Ln 2 + ( I b + I c ) Ln
3
r
f p
g h
D1 D2 D3
a =
2 107
3
a = 2 10
1
1
2
I a 3 Ln + Ln 2 + I a Ln ( D1 D2 D3 g h )
r
f p
13
1
1
2
I a Ln + Ln
+ Ln ( D1 D2 D3 g h )
13
2
r
( f p)
factorizando obtenemos:
( D D D )1 3
a = 2 10 I a Ln 1 2 3
r
g 2 3 h 1 3
f p
Wb-vuelta/m
26
ITM-DIE
Y de aqu finalmente
La =
a
Ia
= 2 10
( D D D )1 3
1 2 3
Ln
r
g 2 3 h 1 3
f p
H /m.
CAPACITANCIA.
CAMPO ELECTRICO Y VOLTAJE EN UN CONDUCTOR CILINDRICO
SOLIDO.
Otro parmetro en la lnea de transmisin es la capacitancia. Este parmetro modela
el campo elctrico que se establece entre los conductores de la lnea de transmisin, y entre
los conductores y tierra, y que es debido a la presencia de carga en dichos conductores.
La capacitancia entre conductores en un medio de permitividad constante se puede
obtener como sigue:
1. A partir de la ley de Gauss obtenemos la intensidad de campo elctrico E.
2. En funcin de la intensidad de campo elctrico, obtenemos el voltaje entre
conductores, y finalmente
3. Conocido el voltaje podemos obtener la capacitancia por unidad de voltaje
( C = q/V ).
Antes de seguir con el procedimiento indicado arriba, es importante mencionar que
el mtodo descrito no es el nico, pero uno de los ms usados. Para estudiar
procedimientos alternativos, se sugiere al lector consultar los libros listados en la
bibliografa.
La ley de Gauss establece que
D ds = E ds = Q
encerrada
(27)
donde:
D: Densidad de flujo elctrico
E: Intensidad de campo elctrico
27
ITM-DIE
P2
V12
P1
+
+
1m
+
+
EX
Ex ( 2 x )(1) = Q
28
ITM-DIE
(0.28)
V /m
2 x
V12 =
dx
(0.29)
D1
D2
D2
2 x dx = 2 Ln D
volts
(0.30).
D1
...
.
rm
m
Dmk
+
Dmi
V ki
_
2
1
29
ITM-DIE
Sea Vkim el voltaje entre los conductores k e i debido a la carga qm actuando sola.
Entonces el valor de este voltaje estar dado por la ecuacin
Vkim =
qm Ln
Dmi
Dmk
(0.31)
volts
Vki =
1
2
q
m =1
Ln
Dmi
Dmk
voltios
(0.32).
I
-I
rX
rY
30
ITM-DIE
Vxy =
Dyx
Dyy
Dyx Dxy
1
q
q Ln
Ln
q Ln
=
2
Dxx
Dxy 2
Dxx Dyy
(0.33)
Vxy =
Ln
D
rx ry
voltios
(0.34).
=
Vxy Ln D
rx ry
F / m linea linea
(0.35).
C xy =
Ln
D
r
F / m linea linea
(0.36).
31
ITM-DIE
LINEA TRIFASICA.
Consideremos la lnea trifsica mostrada en la figura 13.
Vab =
Dab
D
D
1
+ qb Ln bb + qc Ln bc
qa Ln
Daa
Dab
2
Dac
Vab =
1
D
r
D
qa Ln + qb Ln + qc Ln
2
r
D
D
(0.37)
Vab =
1
D
r
+
q
Ln
q
Ln
a
b
2
r
D
(0.37).
32
El tercer trmino qc Ln
ITM-DIE
D
= 0 debido a que los conductores a y b son equidistantes del
D
Vac =
Dca
D
D
1
+ qb Ln cb + qc Ln cc
qa Ln
Daa
Dab
Dac
2
Vac =
1
D
r
+
q
Ln
q
Ln
a
c
2
r
D
D
= 0 , obtenemos:
D
(0.38)
voltios
3
1
Vac = Vca = 3 Van 300 = 3 Van
j
2
2
(0.39)
D
D
2qa Ln + ( qb + qc ) Ln
r
D
33
ITM-DIE
Van =
1
2
qa Ln
D
r
(0.40)
voltios
Can =
qa
=
Van
2
D
Ln
r
F / m linea neutro
(0.41).
Adems debido a la simetra del caso, se obtienen los mismos resultados para las otras
fases:
Cbn =
qb
Vbn
Ccn =
qc
.
Vcn
34
ITM-DIE
Cualquier otra
(b,a,c)
2
D12
D23
1
(a,c,b)
3
D31
(c,b,a)
35
ITM-DIE
Vab1 =
D
1
D12
r
+ qb1 Ln
+ qc1 Ln 23
qa1 Ln
r
D12
D13
2
(0.42)
Vab 2 =
D23
D
1
r
+ qb 2 Ln
+ qc 2 Ln 31
qa 2 Ln
r
D23
D12
2
(0.43)
Vab 3 =
D31
1
r
D
+ qb 3 Ln
+ qc 3 Ln 12
qa 3 Ln
r
D31
D23
2
(0.44).
Si despreciamos la cada de voltaje en cada seccin, Vab ser igual en todo el ciclo
de transposicin.
ecuaciones ms que igualen a cero la suma de las cargas en cada seccin del ciclo de
transposicin.
conduce a la obtencin de las 9 cargas qai , qbi , qci para i = 1, 2,3 . Lo anterior, aunque
posible, es muy complicado y optamos por una alternativa diferente para obtener la
solucin.
Supondremos, sin menoscabo de la validez de este anlisis, que :
qa1 = qa 2 = qa 3
qb1 = qb 2 = qb 3
qc1 = qc 2 = qc 3
(0.45).
Vab( promedio ) =
1
(Vab1 + Vab 2 + Vab3 )
3
36
ITM-DIE
Vab =
+ qc Ln
.
b
3
6
r
Notar que el argumento del ltimo trmino logartmico de esta ecuacin es igual a
uno, por lo que esta expresin se reduce a:
Vab =
Deq
1
r
+ qb Ln
qa Ln
2
r
Deq
(0.46)
Vac =
Deq
1
r
+ qc Ln
qa Ln
2
r
Deq
(0.47)
Deq
Deq
1
1
r
qa Ln
2 qa Ln
=
3 qa Ln
r
2
r
Deq 2
de donde obtenemos
Van =
Deq
qa
Ln
r
2
(0.48)
Can =
qa
2
=
Deq
Van
Ln
r
F / m a neutro
(0.49).
37
ITM-DIE
En esta seccin, analizaremos una lnea de transmisin trifsica con haces de dos
conductores por fase. Suponemos que las cargas qa, qb, y qc son las cargas de las fases y
que cumplen la condicin: qa + qb + qc = 0 . Adems suponemos que cada conductor de
fase ( a y a por ejemplo) tiene una carga igual a la mitad de la carga por fase (qa/2 en fase
a). Por otro lado haremos la suposicin de que los espaciamientos entre fases son mucho
mayores que los espaciamientos entre los conductores del haz, por ejemplo,
( Dab d ) o ( Dab + d ) = D .
d
Dab
Dbc
Dac
m=
a ,a,b, b, c, c tenemos:
Vab =
Dab qa
D
q
D
q
D
q
D
q
D
1 qa
+ Ln ab ' + b Ln bb + b Ln bb ' + c Ln bc + c Ln bc '
Ln
Daa 2
Daa ' 2
Dab 2
Dab ' 2
Dac 2
Dac '
2 2
=
r
Dbc Dbc
d qc
1 qa
Dab Dab qb
+
Ln
Ln
+
+
+
+
Ln
d 2
2 2
r
Dab Dab 2
Dac Dac
=
Dab
D
rd
1
+ qb Ln
+ qc Ln bc
qa Ln
Dab
Dac
2
rd
(0.50)
rd en (0.33), obtenemos la
ecuacin (0.50).
38
ITM-DIE
C1 = C2 =
2
Deq
Ln
Dsc
(0.51)
F /m
14
13
Amp
(0.52)
= YxyVxy2 = C xyVxy2
(0.54).
y la potencia reactiva:
QC =
Vxy2
XC
Para una lnea trifsica transpuesta con voltajes Van = Van 00 en fase a:
I c = YVan = j C1VLN
Amp
(0.55)
2
Qc1 = YVan2 = C1VLN
var s
(0.56)
2
Qc 3 = 3 Qc1 = 3C1VLN
= C1VLL2
var s
(0.57)
39
ITM-DIE
EFECTO DE TIERRA.
Si observamos la ecuacin (0.30), vemos que si el argumento del logaritmo permanece
constante, el potencial entre dos puntos en el espacio tambin ser constante, es decir, todos
los puntos del espacio donde la razn ( D2 D1 ) , ( r2 r1 ) en la grfica, permanece constante.
El lugar geomtrico descrito por la condicin mencionada lo constituyen las curvas
mostradas, las cuales se denominadas crculos armnicos. Estas representan las superficies
equipotenciales alrededor de la lnea. En este caso no hay ningn otro conductor en la
vecindad, lo cual incluye por supuesto a tierra.
40
ITM-DIE
41
ITM-DIE
Reemplazamos ahora la tierra por un conductor del mismo radio que el original y
situado directamente debajo de este y con signo contrario al original, tal como se muestra
en la figura 17.
Se puede observar de la figura 17, que podemos quitar el plano de tierra sin que el
patrn de lneas de campo elctrico se altere; por tanto el efecto de tierra se puede simular a
travs de la carga de signo contraria agregada, la cual se denomina carga imagen.
Aplicamos este mtodo al caso de una lnea monofsica, lo cual se muestra en la
figura 18.
42
+Q
ITM-DIE
-Q
H
HXY
HXX
-Q
+Q
Vxy =
Dyy
H yx
H yy
q Dxy
Ln
Ln
+ Ln
Ln
2 Dxx
Dxy
H xx
H xy
=
H yx H xy
q Dyx Dxy
Ln
Ln
2 Dxx Dyy
H xx H yy
H xy
q D
Ln Ln
.
H xx
r
C xy =
q
=
Vxy
H xy
D
Ln Ln
r
H xx
F /m
(0.58)
43
ITM-DIE
Consideremos una lnea trifsica con N conductores neutros (hilos de guarda), como
se muestra en la figura 19.
n1
n2
nN
. .. .
b
Dan1
PLANO DE TIERRA
Haa
Hab
a
c
. .. .
n1
n2
nN
Los
conductores
a, b, c, n1 , n2 ,..., nnN
conducen
cargas
Vkk =
=
H km nN
D
1 nN
q
Ln
qm Ln km
m
2 m = a
Dkm m = a
H km
2
nN
q
2
m=a
Ln
H km
Dkm
(0.59).
44
ITM-DIE
1
1
Vkn = Vkk =
2
2
nN
m=a
Ln
H km
Dkm
(0.60)
donde:
k = a, b, c, n1 , n2 ,..., nN
m = a, b, c, n1 , n2 ,..., nN
Por otro lado, todos los conductores est aterrizados y por lo tanto:
Vkn = 0
para k = n1 , n2 ,...., nN
(0.61).
Pab
Pac
Pan1
. . .
Pbb
Pcb
Pbc
Pcc
Pbn1
Pcn1
. . .
. . .
.
.
.
.
.
.
. . .
. . .
. . .
PnNb
PnNc
PnNn1
. . .
. . .
PanN qa
PbnN qb
PcnN qc
. qn1
. .
. .
. .
PnNnN qnN
(0.62)
Pkm =
1
2
Ln
H km
Dkm
m/ F
(0.63)
donde:
k = a, b, c, n1 , n2 ,..., nN
m = a, b, c, n1 , n2 ,..., nN
La ecuacin (0.62) se puede escribir en forma particionada:
VP PA
0 = P
C
PB qP
PD qn
(0.64)
45
ITM-DIE
VP = PA qP + PB qn
(0.65)
0 = PC qP + PD qn
(0.66).
qn = PD1 PC qP
(0.67)
VP = ( PA PB PD1 PC ) q p
(0.68)
qP = CPVP
(0.69)
donde:
CP = ( PA PB PD1 PC )
F/m
(0.69)
Caa
CP = Cba
Cca
Cab
Cbb
Ccb
Cac
Cbc F / m
Ccc
(0.70)
46
ITM-DIE
CP es una matriz cuyos elementos diagonales son positivos y los de fuera de la diagonal son
negativos. Lo anterior est de acuerdo con el hecho de que cuando se aplica un voltaje de
fase a neutro positivo en una de las fases, se induce carga positiva en esa fase y por otro
lado se inducen cargas negativas en las otras fases.
En general CP no satisface las condiciones para una matriz de capacitancias
simtrica. Sin embargo, si la lnea es transpuesta, los elementos diagonales y fuera de la
diagonal de CP se promedian y obtendremos:
C aa
C P = C ab
Cab
C ab
C
aa
C ab
C ab
C ab F / m
C aa
(0.71)
donde:
1
C aa = ( Caa + Cbb + Ccc )
3
1
C ab = ( Cab + Cbc + Cac )
3
F /m
F /m
YP = j CP = j ( 2 f ) CP
S /m
(0.72)
YP = jC P = j ( 2 f ) C P
S /m
(0.73)
47
ITM-DIE
-ab
-ab
-ab
c
aa+2ab
aa+2ab
aa+2ab
48
ITM-DIE
Esto
49
ITM-DIE
IR
IS
+
RED DE DOS
PUERTOS
VS
_
VR
_
voltios
I S = CVR + D I R
amp
(1)
en forma matricial:
VS A B VR
I = C D I
R
S
(2)
AD BC = 1
(3).
50
IS
ITM-DIE
IR
Z=zl=(R+jL)l
VS
VR
_
y = G + j C
Z = zl
Y = yl
% RV =
VR 0 VR
VR
100
l = longitud de la lnea m.
Para obtener los parmetros ABCD para este modelo de lnea corta aplicamos LVK (Ley de
Voltajes de Kirchhoff) y LCK (Ley de Corrientes de Kirchhoff) al circuito de la figura 2:
VS = VR + Z I R
(4)
IS = IR
(5)
VS 1 Z VR
I = 0 1 I
R
S
(6)
p.u.
B=Z
C=0
S.
Si la longitud de la lnea supera los 80 Km., pero no rebasa los 250 Km., es decir,
80 l 250 Km., la admitancia capacitiva en derivacin no puede despreciarse, aunque
an la consideracin de parmetros concentrados no hace diferencia importante an en los
51
ITM-DIE
IS
IR
Z=zl=(R+jL)l
VS
Y/2=yl/2
Y/2=yl/2
VR
VS = VR + Z I R + R = 1 +
VR + ZI R
2
2
(7)
IS = IR + R + S
2
2
(8)
VR Y YZ
Y
+ 1 +
VR + ZI R
2
2
lo cual conduce a:
YZ
YZ
I S = Y 1 +
VR + 1 +
IR
4
2
(9).
52
ITM-DIE
Z
1+
V
2
VS
R
=
I
S Y 1 + YZ 1 + YZ I R
4
2
(10).
A = D = 1+
YZ
2
B=Z
p.u.
YZ
C = Y 1 +
S.
% RV =
VR 0 VR
VR
100
donde:
53
ITM-DIE
54
ITM-DIE
I(x+x)
I(x)
zx
V(x)
yx
V(x+x)
(x+x)
V ( x + x ) = V ( x ) + ( z x ) I ( x )
voltios
(13)
de aqu:
zI ( x ) =
V ( x + x ) V ( x )
x
= zI ( x )
(14).
I ( x + x ) = I ( x ) + ( yx ) V ( x + x )
(15)
= yV ( x + x ) .
55
ITM-DIE
= yV ( x )
(16).
=z
dI ( x )
dx
= zyV ( x )
de donde
d 2V ( x )
dx 2
zyV ( x ) = 0
(17)
V ( x ) = A1e x + A2 e x voltios
(18)
donde:
A1 y A2 son constantes de integracin
= zy
m1
(19)
A1e x A2 e x dV x
( )
= A1e x A2 e x = zI ( x )
ZC
dx
56
ITM-DIE
A1e x A2 e x
.
z
De la ecuacin (19):
z y=
z
zy
z
.
y
Definimos entonces:
ZC =
z
y
(20),
(21).
A1 A2
ZC
(22)
de donde obtenemos:
VR + Z C I R
2
V ZC I R
A2 = R
2
A1 =
(23).
V + Z C I R x VR Z C I R x
V ( x) = R
e
e +
2
2
(24)
V + Z C I R x VR Z C I R x
I ( x) = R
e
e +
2ZC
2ZC
(25).
57
ITM-DIE
Factorizando estas dos ltimas ecuaciones obtenemos, una forma matemtica ms adecuada
de expresar los voltajes y corrientes anteriores:
e l = e (
l + j l )
I ( x) =
x
x
= e l e j l = e l l V x = e + e
( )
2
1
ZC
e x e x
e x + e x
V
+
R
2
e x e x
V
Z
+
R
C
2
IR
IR
(26)
(27).
V ( x ) = cosh ( x ) VR + ZC senh ( x ) I R
(28)
1
senh ( x ) VR + cosh ( x ) I R
ZC
(29).
I ( x) =
=
I
x
(
)
C ( x ) D ( x ) I R
(30)
donde:
A ( x ) = D ( x ) = cosh ( x )
B ( x ) = ZC sen h ( x )
1
sen h ( x )
ZC
C ( x) =
p.u.
(30)
VS A B VR
I = C D I
R
S
(31)
donde:
A ( l ) = D ( l ) = cosh ( l )
B ( l ) = ZC sen h ( l )
1
sen h ( l )
ZC
C (l ) =
p.u.
(31)
58
ITM-DIE
= + j
m 1
(32).
= e l e j l = e l l
(33).
e l = e(
l + j l )
Los resultados obtenidos hasta este punto, no dan una idea clara del fenmeno
fsico, y resulta imprescindible para un ingeniero comprender el fenmeno desde un punto
de vista ms real. Lo anterior se debe a que las ecuaciones en trmino fasoriales son
prcticas en cuanto al clculo se refiere, pero la mencionada visin fsica se dar
nicamente si tenemos la informacin en el dominio del tiempo.
Para esto debemos escribir las ecuaciones obtenidas arriba en funcin del tiempo,
siguiendo los conceptos de la definicin de fasor. Para esto empezamos recordando la
definicin de = + j , la constante de propagacin. Las componentes de esta constante
son, : constante de atenuacin, y : constante de fase.
Empezamos escribiendo la ecuacin (24) como
V ( x) =
VR + Z C I R x j ( x +1 ) VR Z C I R x j ( x 2 )
e e
+
e e
2
2
(34)
donde
1 (VR + I R ZC )
2 (VR I R ZC )
V + Z C I R x j (t + x +1 )
V Z C I R x j (t x 2 )
+ 2 R
v x ( t ) = e 2 R
e e
e e
2
2
(35).
Vemos que el voltaje instantneo consiste de dos trminos, cada uno de los cuales es una
funcin de dos variables, distancia y tiempo. Entonces representan ondas viajeras. Si
consideramos que el voltaje instantneo se compone de:
59
ITM-DIE
vx = vx1 + vx 2
(36),
podemos analizar cada componente por separado y ver como se comportan. Empezamos
analizando vx1 , donde
vx1 = 2
VR + Z C I R x
e cos (t + x + 1 )
2
(37).
t
. A esta onda
t
t+t
x
t
, por lo que la onda se mueve en
el sentido contrario a la onda incidente, es decir del punto de recepcin al punto de envo,
por lo que se denomina a esta onda reflejada. Esta onda senoidalmente distribuida, por
60
ITM-DIE
t+t
t
x
CIRCUITO EQUIVALENTE.
Adems de los parmetros ABCD para el modelo de lnea larga, es conveniente
IR
VS
Y/2
Y/2
VR
61
ITM-DIE
Con referencia al circuito de la figura 27, vemos que las ecuaciones obtenidas en el modelo
de lnea media, usando el circuito nominal, son vlidas en el caso del circuito de dicha
figura, nada ms tomando en cuenta que los parmetros en el presente caso son diferentes,
distinguidos a travs de la comilla superior.
Y Z
2
p.u.
(38)
Y Z
C = Y 1 +
z
senh ( l )
y
(39).
l zy
(40)
donde:
F1 =
senh ( l )
p.u.
(40).
Y Z
= cosh ( l )
2
de donde:
Y cosh ( l ) 1
=
.
2
Z
Adems
tanh ( l 2 ) =
cosh ( l ) 1
senh ( l )
62
ITM-DIE
Y yl tanh ( l 2 ) yl tanh ( l 2 )
=
=
2
2
z yl 2
zy l 2
y 2
Y Y
= F2
2 2
(41)
donde:
F2 =
tanh ( l 2 )
l 2
p.u.
(41).
Las ecuaciones (40) y (41) nos dan los factores de correccin F1 y F2 para
convertir Z y Y del circuito nominal a Z y Y del circuito equivalente.
z = jL
/m
y = jC
S/m.
63
ITM-DIE
ZC =
jL
=
jC
z
=
y
( jL)( jC ) =
= zy =
donde = LC
L
C
j LC = j
m-1
m-1
ZC es real para el caso de lnea sin prdidas. ZC se denomina, para el caso sin prdidas,
impedancia natural (surge impedance en ingls). es imaginaria pura.
Parmetros ABCD.
Los parmetros ABCD, para lnea sin prdidas son, de (31')
e jx + e jx
= cos( x )
2
(42)
pu
pu
senh(x ) j sen( x )
=
ZC
L
C
L
sen( x )
C
(43)
(44)
64
ITM-DIE
(45).
jl
j l
tanh
senh
2
2 Y
Y' Y
=
=
jl
jl
2 2
2 jl
cosh
2
2
2
jCl
=
2
Y ' jC' l
=
2 2
l
l
j sen
tan
2
jCl 2
=
jl l 2 l
cos
2
2 2
(46).
Observamos lo siguiente: Z' y Y' son imaginarios puros. Para l < radianes, Z' es
inductiva pura y Y' es capacitiva pura. El circuito equivalente para lnea sin prdidas ser
como se muestra en la figura 28.
IS
IR
VSj
_
Y/2
Y/2
VRj0
_
65
ITM-DIE
donde:
sen( l )
Z ' = ( jLl )
= jx '
l
Y'
=
2
l
tan
jCl 2 jC ' l
=
2 l
2
2
S.
Longitud de onda.
La longitud de onda es la distancia requerida para cambiar la fase del voltaje corriente por
2 rads 3600.
Para la lnea sin prdidas:
I ( x ) = C( x )VR + D( x ) I R = j
sen( x )
VR + cos( x ) I R
ZC
2
1
=
LC f LC
(47)
(48)
(49).
1
LC
(50)
LC 3 10
Para lneas de
3 108
m/s y a 60 Hz
= 5 10 6 m = 5,000 km.
60
66
ITM-DIE
Es la potencia enviada por una lnea sin prdidas a una carga resistiva igual a la impedancia
caracterstica Z C =
L
.
C
VR
V ( x ) = cos( x )V R + j sen( x ) I R = cos( x )VR + jZ C sen( x )
ZC
= ( cos( x ) + j sen( x ))V R = e jxV R
(51)
volts
de donde vemos que: |V(x)| = |VR|. Lo anterior implica que al SIL el perfil de voltaje de la
lnea es plano, sea que la magnitud de voltaje es constante a lo largo de toda la lnea.
I ( x) =
V
j sen( x )
VR + cos( x ) R
ZC
ZC
I ( x ) = ( cos( x ) + j sen( x ))
VR
VR
= ( e jx )
ZC
ZC
Amp (52).
e jxVR
VR
= ( e V R )
=
ZC
ZC
jx
(53).
67
ITM-DIE
Por lo tanto, el flujo de potencia real a lo largo de la lnea al SIL permanece constante. El
flujo de potencia reactiva es cero, lo que indica, que la potencia reactiva producida por
efecto capacitivo es consumida en la inductancia serie de la propia lnea.
A voltaje nominal, la potencia real suministrada SIL ser:
2
Vnom
SIL =
ZC
(54)
Perfiles de voltaje. La figura que se muestra abajo proporciona los perfiles de voltaje,
para el caso de un voltaje de envo fijo de magnitud VS desde x = 0y x = l = /4. Se
muestran cuatro condiciones:
1. En vaco, IRNL = 0 y de (51): V NL ( x ) = cos( x )VRNL . Vemos que el voltaje se incrementa
en el lado de envo de VS = cos( l )VRNL , en el lado de envo, a VRNL en el lado de recepcin.
2. De (51) al SIL vemos que el perfil de voltaje es plano.
3. Para carga en corto circuito (ZL = 0), VRSC = 0 y la ecuacin (47) nos conduce a:
VSC ( x ) = ( Z C sen( x )) I RSC
(55)
Vemos que el voltaje decrece de VS = (sen l)(ZCIRSC) ,en el lado de envo, a un valor de
VRSC=0, en el lado de recepcin.
4. El perfil de voltaje a plena carga depende de la corriente a plena carga IFL, y est
entre el perfil al SIL y a corto circuito.
68
ITM-DIE
entre VS y VR.
IS
IR
VRj0
Y/2
Y/2
VSj
_
Aplicando LVK
IR =
=
VS VR Y'
VR
Z'
2
VS e j VR jC' l
VR
jx'
2
(56)
VS e j VR
jC' l 2
S R = V I = VR
VR
+
2
jx'
R R
VS e j VR jC' l 2
= VR
VR
+
jx'
2
(57)
P = PS = PR = Re{S R } =
Pmax =
Lino Coria Cisneros
VS VR
x'
VRVS
sen
x'
(58)
(59)
69
ITM-DIE
/2
P=
VS VR sen VS VR
=
Z C sen l Z C
sen
2 l
sen
(60)
VS VR Vnom
P=
Vnom Vnom Z C
sen
2 l
sen
sen
2l
sen
(61)
Pmax =
sen
(62)
70
ITM-DIE
La ecuacin (59) revela dos aspectos acerca del lmite de estabilidad en estado estable:
10 Se incrementa con el cuadrado del voltaje de lnea.
20 Decrece con la longitud de la lnea (debido a que aumenta x').
Cargabilidad.
El nivel de carga de la lnea de transmisin, (expresado en % del SIL) como funcin de la
longitud de la lnea, que es permisible considerando los lmites: trmico, de cada de voltaje
, y de estabilidad de estado estable, se denomina cargabilidad. En la figura se muestran las
curvas de cargabilidad de lneas de transmisin no compensadas, para VSpu = Vrpu = 1.0 pu.
A = cosh( l) = AA
B = Z' = Z' Z
71
VS = VS
ITM-DIE
VR = VR 0
VS e j ( Z ) AVR e j ( A Z )
S R = PR + jQR = V I = VR
Z'
R R
VR VS j( Z ) AVR2 j( Z A )
e
e
=
Z'
Z'
(63).
De aqu:
VR VS
AVR2
PR = Re{S R } =
cos( Z )
cos( Z A )
Z'
Z'
Q R = Im{S R } =
VR VS
AVR2
sen( Z )
sen( Z A )
Z'
Z'
(64)
(65)
Para la lnea sin prdidas: A = 00, B = Z' = jx', Z' = x' , Z = 900 y podemos simplificar la
expresin para PR :
PR =
VR VS
AVR2
cos( 90 )
cos( 90 0 )
x'
x'
72
PR =
VR VS
sen
x'
ITM-DIE
(66).
PR max
VR VS AVR2
=
cos( Z A )
Z'
Z'
(67)
73
ITM-DIE
MATRICES
DE
RED
74
ITM-DIE
J1
J4
3
4
y34
y13
y12
y24
2
y20
75
ITM-DIE
J1 ( y12 + y13 )
0 = y12
0 y13
0
J 4
y12
( y12 + y20 + y24 )
0
y24
y13
0
( y13 + y34 )
y34
V1
V2 .
y34 V3
( y34 + y24 ) V4
0
y24
Esta ltima ecuacin es caracterstica del mtodo nodal que se aprendi en las
materias de circuitos elctricos. La matriz de coeficientes es la denominada matriz de
admitancias nodal, en el argot tcnico de los sistemas de potencia, se denomina
simplemente YBUS. Hemos preferido hasta este punto usar J para identificar a las fuentes
independientes de corriente conectadas a los nodos; dichas fuentes inyectan corriente al
nodo al que estn conectadas y por esta razn a dichas corrientes se les denomina,
corrientes nodales, como mencionaremos ms adelante.
En forma ms compacta la
I1 Y11
I 2 = Y21
I 3 Y31
I 4 Y41
Y12
Y22
Y32
Y42
Y13 Y14 V1
Y23 Y24 V2
Y33 Y34 V3
Y43 Y44 V4
76
ITM-DIE
I1 = J1 ; I 2 = 0; I 3 = 0; I 4 = J 4
Y11 = ( y12 + y13 ) ; Y22 = ( y12 + y20 + y24 ) ; Y33 = ( y13 + y34 ) ; Y44 = ( y34 + y24 )
Y12 = y12 = Y21 ; Y13 = y13 = Y31 ; Y14 = 0 = Y41
Y23 = 0 = Y32 ; Y24 = y24 = Y42 ; Y34 = y34 = Y43
De manera ms compacta
(1.1)
[ Z BUS ] = [YBUS ]
(1.2)
(1.3)
77
ITM-DIE
un ejemplo de red de elementos de dos terminales, constituida por cuatro nodos buses y
cinco elementos. Al voltaje a travs del elemento se le llamar voltaje del elemento,
mientras que a la corriente a travs de ste, se le denomina corriente del elemento.
En el anlisis de estas redes se requieren dos componentes fundamentales de
informacin: la informacin de conectividad de la red, por un lado, y la informacin de los
parmetros de los elementos que conforman la red, por el otro.
Con respecto al primer componente de informacin requerido, la conectividad de la
red,
interesados en concentrarnos y enfatizar en las propiedades que tiene que ver de manera
exclusiva, con estas propiedades, por lo que es comn representar la red con la informacin
ms elemental posible, asociada con la conectividad.
representar la red elctrica a travs de segmentos que representen los elementos de dicha
red, constituyendo lo anterior una figura geomtrica que se denomina grfico lineal, y que
cuando se le asignan orientaciones se convierte en un grfico lineal orientado. En la figura
I.2 se muestra el grfico lineal orientado correspondiente a la red de la figura I.1, el cual se
muestra a continuacin.
(2)
(3)
(1)
(4)
(5)
78
ITM-DIE
Note que se han utilizado segmentos irregulares para representar los elementos de la
red elctrica, lo cual enfatiza las propiedades topolgicas de esta figura, es decir, enfatiza la
importancia de la conectividad en este elemento. Adems es importante indicar que los
nmeros escritos entre parntesis, indican el nmero de elemento. Se agrega el nmero 0
(en un crculo), usado para designar el nodo de referencia.
Matrices de Incidencia.
La conectividad se expresa de manera precisa a travs de matrices, dado que adems
estos elementos matemticos representan la base del manejo de la informacin matemtico
que requerimos, as como la forma ms apropiada para desarrollo de los algoritmos.
Existen varios tipos de matrices de incidencia, que es como se denomina a las matrices que
contienen la informacin de conectividad (un elemento se dice incidente a un nodo, por
ejemplo, si aquel est conectado a este); dependiendo del elemento topolgico que ser la
base de la formulacin, estas pueden ser matriz de incidencia nodo-elemento, matriz de
incidencia elemento-rama, y matriz de incidencia elemento-lazo. Dado que el material de
topologa de redes que se cubre en este curso, se limita estrictamente a lo que requerimos
para el desarrollo de los temas que se cubren en el programa, nicamente nos ocuparemos
del primer tipo de matriz de incidencia, esto es, de la matriz de incidencia elemento-nodo.
La matriz de incidencia elemento-nodo, es una matriz que contiene nicamente
ceros y unos signados; los unos indican incidencia del elemento al nodo correspondiente,
mientras los ceros indican la falta de esta.
79
ITM-DIE
De acuerdo con la definicin anterior, tomando como ejemplo el grfico lineal orientado
mostrado en la figura I.2, podemos obtener su matriz de incidencia aumentada,
denominada as porque contiene explcitamente el nodo de referencia (nodo 0). La matriz
de este ejemplo es
(1)
( 2)
Aa( en ) =
( 3)
( 4)
( 5)
1 2 3 4 0
+1 1 0 0 0
+1 0 1 0 0
0 0 1 +1 0
0 +1 0 1 0
0 1 0 0 +1
Debemos notar que cada rengln contiene exactamente dos unos con signos
contrarios, por lo que su suma resulta cero. Lo anterior indica que existe redundancia de
informacin, por lo que debemos eliminar una columna para eliminar a su vez este
problema. Por esta razn la matriz que resulta de dicha eliminacin, es la matriz de
incidencia que ser usada en el desarrollo de las matrices de red. La columna que se
elimina, tiene el mismo efecto que la eleccin de un nodo como referencia, lo cual se
defini por vez primera en el curso de circuitos, durante al formulacin del mtodo nodal.
Aqu eliminaremos precisamente la informacin concerniente al nodo 0, que es como
vemos en la grfica, el nodo de referencia. A la nueva matriz simplemente se le denomina
matriz de incidencia y es
(1)
( 2)
A( en 1) =
( 3)
( 4)
( 5)
1 2 3 4
+1 1 0 0
+1 0 1 0
0 0 1 +1
0 +1 0 1
0 1 0 0
Matrices primitivas.
En lo que concierne a la informacin de la naturaleza de los elementos de la red, es decir,
los valores de sus parmetros, en el caso de elementos pasivos, y los valores de las
80
ITM-DIE
Jpq
ipq
Zpq
epq
ypq
Vpq
Por supuesto que cada uno de estos elementos primitivos tiene su grfico orientado, y en el
caso del mostrado en la figura 1.3, le corresponder el suyo, que se muestra en la figura 1.4.
Ipq o Vpa
Forma de impedancia:
v pq e pq = z pq ( i pq + J pq )
(1.4)
Forma de admitancia:
i pq + J pq = y pq ( v pq e pq )
(1.5).
81
ITM-DIE
conveniente en trminos del grfico orientado que se muestra en la figura 1.4. Dicho
grfico junto con las relaciones terminales (1.4) y (1.5), describen completamente al
elemento de dos terminales. Este elemento constituye una generalizacin, que se puede
adaptar para representar de manera adecuada cualquier caso. Mostramos algunos casos
especiales que se pueden presentar:
Elemento pasivo:
J pq = 0; e pq = 0
v pq = z pq i pq o i pq = y pq v pq
Fuente de voltaje
en serie con
impedancia
J pq = 0
v pq = z pq i pq + e pq
(1.6)
i pq = y pq v pq J pq
(1.7)
Fuente de corriente
en paralelo con
admitancia
e pq = 0
Fuente de voltaje
J pq = 0; z pq = 0
v pq = e pq
especificado
Fuente de corriente
e pq = 0; y pq = 0
i pq = J pq
especificado .
red, podemos tener elementos de los tres primeros tipos mostrados arriba. As como
buscamos expresar en forma matricial la informacin de conectividad, buscamos
representar a travs de matrices tambin la informacin concerniente a la red primitiva.
82
ITM-DIE
Las ecuaciones que escribimos anteriormente para un elemento primitivo, (1.4) y (1.5), se
generalizan para el caso red primitiva como sigue,
donde
v = [ z] i + [ z] J + e
(Forma de impedancia)
(1.8)
i = [ y] v [ y] e J
(Forma de admitancia)
(1.9)
[ z]
[ y]
y
=
[ ] 0
0
0
0
2
0
0
0
0
0
2
0
0
0
0
0
1
0
0
0
0 ,
0
2
[ z ] = 0 0 0.5 0 0 .
0
0 1 0
0
0
0
0 0 0.5
Observe que el orden de los valores en la matriz, es el asociado con el cdigo elegido para
numerar los elementos, el cual se muestra en el grfico lineal, que para nuestro ejemplo es
83
la figura 1.2.
ITM-DIE
i = 0
A i=
3
0
1
1
0
0
i4
0 0 +1 1 0 i
5
84
ITM-DIE
AVBUS
V1 V2 v1
+1 1 0 0
+1 0 1 0 V1 V V v
V 1 3 2
= 0 0 1 +1 2 = V4 V3 = v3 = v .
V3
0 +1 0 1 V V2 V4 v4
0 1 0 0 4 V2 v5
i + J = [ y ] v = [ y ] AYBUS
que premultiplicada por AT , nos conduce a
AT i + AT J = [ y ] v = AT [ y ] AYBUS .
85
ITM-DIE
YBUS = AT [ y ] A
(1.10).
Esta transformacin lineal que implica el miembro derecho de la ecuacin, est en funcin
de la matriz de incidencia elemento-nodo, A, la cual como se mencion anteriormente es
singular, de ah el nombre que se da comnmente al mtodo.
Las reglas
mencionadas arriba consisten en calcular los elementos diagonales de YBUS , sumando las
admitancias de los elementos incidentes al nodo correspondiente. Mientras que para los
elementos fuera de la diagonal, su valor es simplemente igual al negativo de la admitancia
que conecta a los nodos asociados con la posicin del elemento en la mencionada matriz de
red. As por ejemplo, para el elemento (i,j), su valor ser igual al negativo de la admitancia
que conecta a los nodos i y j. Tomando en cuenta que hemos venido usando letras
minsculas para denotar tanto los parmetros, como las matrices de la red primitiva y letras
86
ITM-DIE
maysculas para los elementos y matrices de la matriz de red, podemos expresar la regla
mencionada arriba como,
Yii = yk , donde k i significa elemento k incidente con el nodo i;
k i
Yij = yk
k i, j .
Es obvio que el primer caso representa los elementos de la diagonal, mientras el segundo
caso representa los elementos fuera de la diagonal. A este mtodo comnmente se le
conoce como formacin de YBUS por inspeccin.
Hacemos nfasis en que esta regla es vlida nicamente en el caso de que no existan
acoplamientos magnticos.
Ejemplificamos el procedimiento discutido en esta seccin, usando el ejemplo que venimos
del sistema de cuatro nodos y cinco elementos.
YBUS
2
+1 +1 0 0 0
1 0 0 +1 1 0
T
0
= A [ y] A =
0 1 1 0 0
0
0 0 +1 1 0
0
0 0 0 0 +1 1 0 0
2 0 0 0 +1 0 1 0
0 2 0 0 0 0 1 +1 =
0 0 1 0 0 +1 0 1
0 0 0 2 0 1 0 0
+1 1 0 0
2 2 0 0 0
4 2 2 0
2 0 0 1 2 +1 0 1 0 2 5 0 1
0 0 1 +1 =
=
0 2 2 0 0
2 0 4 2
0 +1 0 1
0 0 2 1 0
0 1 2 3
0 1 0 0
El resultado anterior corrobora la regla que permite implementar la obtencin de YBUS por
inspeccin. De nuevo enfatizamos que la condicin para aplicar dicha regla, consiste en
que no haya acoplamientos magnticos en la red. Que alternativa tenemos en el caso de
que dichos acoplamientos existan?. Las alternativas consisten en hacer uso de la
transformacin singular discutida en esta misma seccin.
87
ITM-DIE
Iij
yij
ym
Ikl
ykl
88
ITM-DIE
En forma matricial,
I i yij
I y
j = ij
I k ym
I l ym
yij
yij
ym
ym
ym
ym
ykl
ykl
ym Vi
ym V j
ykl Vk .
ykl Vl
yij
ym
ym
-ym
-ym
ykl
El uso de dicho circuito permite responder la pregunta que se hizo al final de la seccin
anterior. Lo que procede hacer en este caso es sustituir los elementos acoplados
magnticamente, por el circuito mostrado en la figura 1.5, y con ello aplicar la sencilla
regla que hemos mencionado anteriormente al circuito resultante, y con ello obtener la YBUS
por inspeccin, que era nuestro objetivo.
Ejemplifiquemos esta nueva herramienta. Para esto usamos el ejemplo que hemos venido
manejando, para lo cual agregamos acoplamiento magntico entre los elementos (2) y (4),
con un valor ym = 0.5 1 , como se muestra en la figura 1.6.
89
ITM-DIE
4
y34
y13
ym
y12
y24
2
y20
Si aplicamos el equivalente de celosa a esta red, entonces agregamos los elementos que se
mostraron en el equivalente de celosa de la figura 1.5. Esto nos conduce a la red que se
muestra en al figura 1.7, donde los elementos punteados son los elementos agregados de
acuerdo al equivalente de celosa.
ym
4
y34
y13
-ym
-ym
y12
ym
y24
2
y20
90
YBUS
ITM-DIE
A [ y] =
0
2 2 0.5 0
1
0
0 0.5 2
y por tanto YBUS = AT [ y ] A , resulta en
+1 1 0 0
2
0 0.5 0
2
4.0 1.5 2.0 0.5
1
0
1
0
+
2 0.5 0
A [ y] A =
0 0 1 +1 =
0
2 2 0.5 0
2.0 0.5 4.0 1.5
0 +1 0 1
0
1
0.5 1.0 1.5 3.0
0 0.5 2
0 1 0 0
Por lo que finalmente obtenemos
YBUS
91
ITM-DIE
Y1 j
. Y2 j
.
.
.
.
.
Y jj
.
.
Ynj
.
.
Y1n V1
Y2 n V2
. .
. .
. .
Y jn V j
. .
. .
. .
Ynn Vn
(1.11).
Si en el vector de voltajes hacemos cero todos los elementos, menos uno, digamos el
j-simo, entonces lo que tenemos es el siguiente conjunto de ecuaciones,
I1 Y11 Y12
I Y
Y
2 21 22
.
. .
. .
. .
=
I j Y j1 Y j 2
. .
. .
. .
I n Yn1 Yn 2
Y1 j
. Y2 j
.
.
.
.
.
Y jj
.
.
Ynj
.
.
Y1n 0
Y2 n 0
. .
. .
. .
Y jn V j
. .
. .
. .
Ynn 0
92
ITM-DIE
y si desarrollamos dicha ecuacin matricial nos conduce a las siguientes ecuaciones que
caracterizan a la red
Y1 jV j = I1 Y1 j = I1 V j
Y2 jV j = I 2 Y2 j = I 2 V j
.
.
.
Y jjV j = I j Y jj = I j V j
(1.12)
.
.
YnjV j = I n Ynj = I n V j .
Lo anterior implica que si aplicamos una fuente de voltaje a un nodo, en este caso al nodo j,
y ponemos los dems nodos en corto circuito, lo cual se indica por los valores de voltaje
igual a cero, entonces el cociente de la corriente de dicho nodo al voltaje aplicado al nodo
seleccionado, nos proporciona los elementos que corresponden a la columna de la matriz
YBUS asociada con el nodo al que se aplic la fuente de voltaje, nodo j en este caso. Lo
anterior se muestra en la figura I.8 a continuacin.
I1
1
I2
..
.
..
.
2
Ij
Vj=1.0 pu
+
_
In
RED
LINEAL
BILATERAL
PASIVA
n
0
93
ITM-DIE
Por lo discutido anteriormente vemos que si queremos obtener una columna de la matriz
YBUS , entonces conectamos una fuente de voltaje al nodo correspondiente a la columna de
inters y con ello calculamos las corrientes en cada uno de los nodos, como se indica en la
figura 1.8, y los cocientes de dichas corrientes al voltaje aplicado en el nodo de inters, nos
dar los valores de la YBUS correspondientes al nodo excitado, como lo indican las
ecuaciones (1.12). Es obvio que siendo la red lineal, el valor de la fuente de excitacin es
irrelevante, pues el cociente siempre ser igual, por lo que se propone el valor ms fcil de
manejar, 1.0 pu. Adems con esto, los valores de los elementos matriciales de inters sern
simplemente igual a las corrientes inyectadas a los nodos.
Es muy importante observar que el elemento diagonal, es la admitancia equivalente de la
red vista entre el nodo excitado y referencia. A esta funcin de red se le denomina
admitancia de punto impulsor en corto circuito, que es la traduccin del trmino en ingls
short circuit driving-point admittance. Es interesante notar que aunque en ingls se le
llame punto impulsor, en realidad se trata de un puerto impulsor, pues est compuesto
por un par de terminales. El trmino impulsor indica que es el puerto donde se conecta la
excitacin. As pues, aunque no del todo correcto, la costumbre ha hecho que se usen
ampliamente estos trminos. Por otro lado, a las admitancias de red fuera de la diagonal se
les conoce como admitancias de transferencia en corto circuito, traduccin del trmino en
ingls short circuit transfer admittance.
Para ejemplificar lo anterior, usaremos de nuevo la red del ejemplo, con la intencin de
obtener la columna 1 de la matriz YBUS, de dicha red. La figura 1.9 nos muestra el circuito
asociado en este caso,
_
V1=1.0 pu
I1
I4
I3
4
y34
y13
IX
IY
y12
y24
y20
I2
94
ITM-DIE
Podemos ver de la grfica anterior que I x = I 3 y adems I y = I 2 . Por otro lado vemos
que
I1 =
V1
1.0
1.0
=
=
= 4.0
zeq 1 2 1 2 0.25
1 2 +1 2
Evidentemente I x =
Y11 = I1 V1 =
I1
= 2.0 = I y , por lo que obtenemos
2
4.0
=4
1.0
Y21 = I 2 V1 =
2.0
= 2
1.0
Y31 = I 3 V1 =
2.0
= 2
1.0
Y41 = I 4 V1 =
0
= 0.
1.0
V1 Z11
V Z
2 21
. .
. .
. .
=
V j Z j1
. .
. .
. .
Vn Z n1
Z12
Z 22
.
.
.
.
.
.
.
Z1 j
Z2 j
.
.
.
.
.
.
Z jj
.
.
.
.
Z j2
.
.
Zn2
Z nj
Z1n I1
Z 2 n I 2
. .
. .
. .
Z jn I j
. .
. .
. .
Z nn I n
Si hacemos cero todas las corrientes nodales, menos una de ellas, digamos la j-sima
corriente, obtenemos
95
V1 Z11
V Z
2 21
. .
. .
. .
=
V j Z j1
. .
. .
. .
Vn Z n1
Z12
Z 22
.
ITM-DIE
.
.
.
.
.
.
Z2 j
.
.
Z jj
Z1 j
.
.
.
.
.
.
.
.
.
Z j2
.
Zn2
Z nj
.
.
Z1n 0
Z 2 n 0
. .
. .
. .
Z jn I j .
. .
. .
. .
Z nn 0
Llevando a cabo las operaciones matriciales, nos resultan las siguientes ecuaciones
Z1 j I j = V1 Z1 j = V1 I j
Z 2 j I j = V2 Z 2 j = V2 I j
.
.
Z jj I j = V j Z jj = V j I j
(1.13)
.
.
Z nj I j = Vn Z nj = Vn I j
Lo anterior nos indica que para obtener una columna de la matriz ZBUS , inyectamos una
corriente en el nodo asociado con la columna que queremos obtener, dejando en circuito
abierto los dems nodos, y calculamos los voltajes en los dems nodos. Los cocientes de
los voltajes en nodales en circuito abierto a la corriente de la fuente de excitacin, nos
producen el resultado deseado, los elementos de la columna correspondiente al nodo
excitado de la matriz ZBUS.
La figura 1.10 muestra esquemticamente esta interpretacin.
96
ITM-DIE
..
.
...
V1
V2
Ij
+
Vj
_
RED
LINEAL
BILATERAL
PASIVA
Vn
0
Figura 1.10. Red lineal pasiva usada para calcular la matriz ZBUS.
Debido a la
97
ITM-DIE
I1=1.0 pu
3
1
+ V13
Iy
+
V12
_
V34 _
y13
y34
IX
IX
y12
_ V42 +
y24
IX
2
+
V2
_
y20
Iy
Ix
+
V12
_
zeq
y12
2
+
V2
_
y20
98
ITM-DIE
Con estos resultados y con referencia a la figura I.11, obtenemos los voltajes de los
elementos
1
1
V13 = I x = (1 2 )(1 5 ) =
= 0.1
2
10
1
= 0.1
V34 = (1 2 )(1 5 ) =
10
V42 = (1 2 )(1.0 ) = 0.5
V42 = (1 2 ) I y = ( 4 10 ) = 0.4 ,
con lo cual podemos calcular los voltajes nodales, obteniendo
V1 = V12 + V2 = 0.4 + 0.5 = 0.9
V3 = V1 V13 = 0.9 0.1 = 0.8
V4 = V3 V34 = 0.8 0.1 = 0.7 ,
de donde finalmente obtenemos
0.9
Z11 = V1 I1 =
= 0.9
1.0
Z12 = V2 I1 = 0.5
Z13 = V3 I1 = 0.8
Z14 = V4 I1 = 0.7 .
Con lo cual se completa este ejemplo.
99
ITM-DIE
INTRODUCCION.
La mayora de los sistemas fsicos se caracterizan por el hecho de que sus no son
cd =
n 2 ( n + 2 b)
n2
= 1
n + 2 b
.
n2
1000 + ( 2 1500 )
(1000 )
= 0.996 cd = 1
1000 + ( 2 1500 )
(1000 )
= 0.996 .
Es importante notar que una propiedad de la matriz YBUS consiste en que , para una red
dada, cd depende solamente del grfico de la red, esto es, del nmero de ramas y del
nmero de nodos, y por tanto en constante.
100
ITM-DIE
elementos distintos de cero (los de valor cero ya se conoce cuanto valen!), sino evitando las
operaciones por cero. Esto nos conduce a un gran ahorro de tiempo de mquina empleado
en la solucin del sistema de ecuaciones, debido a que por la forma en que la computadora
digital realiza las operaciones, esta toma el mismo tiempo en un producto por cero, que en
un producto por un factor distinto de cero.
A la segunda tarea arriba mencionada se le conoce como ordenamiento, y consiste en
determinar el orden de la eliminacin y/ factorizacin que nos conduzca a la minimizacin
de la creacin de elementos diferentes de cero, en lugar de un elemento cero, como
habamos mencionado. En efecto, se puede probar que si ordenamos las ecuaciones de un
sistema lineal de las todas las formas diferentes posibles, el nmero de llenados , que es el
trmino que se emplea para designar a la creacin de un elemento no-cero en lugar de un
cero, creados por el efecto de los productos cruzados de la eliminacin y/ factorizacin,
ser menor en unos casos que en otros. El trmino productos cruzados, empleado arriba se
refiere a la expresin base en el proceso de eliminacin y/ factorizacin y que tiene la
forma aij = aij +
aik akj
akk
, que tan familiar es para los que han llevado un curso de lgebra
elemento no se ver modificado en el proceso, cuando alguno de los factores del numerador
del segundo trmino a la derecha de la expresin anterior, es igual a cero. Con esto en
mente concluiremos fcilmente que habr algn orden asociado con el menor llenado
101
ITM-DIE
posible, esto es, un orden ptimo. Por supuesto que aunque dicho orden ptimo sea factible
de obtener, su costo computacional hace que los beneficios de ahorro de memoria y tiempo
de cmputo, se vea opacado por el excesivo trabajo requerido en la determinacin de dicho
orden ptimo.
ESQUEMAS DE ORDENAMIENTO.
En este caso, la transmisin de informacin se lleva a cabo a travs del nodo j, de tal
manera que si eliminamos el nodo j, se crear una nueva conexin entre los nodos i y k,
para restablecer la comunicacin entre dichos nodos.
102
ITM-DIE
x 0 x 0 0
x x 0 x x
0 0 0 x x
103
ITM-DIE
nodo 1
1
x
x
2
3
4
5
2
x
x
3
x
4
x
x
5
0
0
x x 0
x x x x
0 0 0 x x
nodo 1 2 3 4 5
1
2
x
x
x x x 0
x 0 x 0
x 0 x 0 0
4
5
x x 0 x
0 0 0 x
x
x
104
ITM-DIE
105
ITM-DIE
secuencia estar en el orden dado por el nmero de ramas conectadas a cada nodo en forma
ascendente. Si ms de un nodo tiene el mismo nmero de ramas, se toma cualquiera de
estos al azar.
Para el grfico que utilizando en el ejemplo anterior, el primer esquema conduce al orden:
3,5,2,1,4. Lo anterior dado que el nmero de ramas conectadas de acuerdo a la siguiente
tabla, as lo determina.
NODO
No. DE RAMAS
Este esquema es idntico al anterior, excepto que se aplica no solo al inicio, sino que revisa
el criterio en cada etapa de eliminacin. Recordemos que la eliminacin de un nodo
equivale a la eliminacin del rengln y columna asociado con dicho nodo en la matriz de
incidencia del grfico.
rama.
Enseguida eliminamos el nodo 5, dado que es el que tiene un menor nmero de ramas
conectadas a el. De igual forma, la eliminacin de dicho nodo no genera ningn llenado.
En este punto, restan por eliminar los nodos 1, 2, y 4, todos ellos con 2 ramas, por lo que se
elimina el nodo cuyo cdigo sea menor, es decir, 1. Finalmente nos restan los nodos 2 y 4,
ambos con 1 rama conectada, por lo que eliminamos el 2, primeramente, y finalmente el 4.
De donde el orden de eliminacin de acuerdo con este esquema de ordenamiento es: 3, 5, 1,
2, 4. Grficamente la secuencia anterior se muestra en al figura 1.17.
106
ITM-DIE
En este esquema, el nodo que al eliminarse genera el menor nmero de ramas (llenado) se
selecciona como el ms adecuado para eliminar. Para ejemplificar este esquema, tomamos
la red de los ejemplos anteriores y desarrollamos la eliminacin, mostrando en cada fase el
llenado producido si se efectuara la eliminacin de cada uno de los nodos.
Primera Fase
NODO
LLENADOS PRODUCIDOS
2 (2-3 y 3-4)
2 (2-5 y 3-5)
LLENADOS PRODUCIDOS
1 (3-4)
1 (1-5)
107
ITM-DIE
Se elimina el nodo 3
Tercera Fase
NODO
LLENADOS PRODUCIDOS
1 (1-5)
Se proceder por tanto a eliminar el nodo 1. Finalmente, nos quedan los nodos 4 y 5 que se
pueden eliminar en cualquier orden. Eliminamos de acuerdo ala convencin estipulada
anteriormente, es decir, en el orden 4,5. El orden ser entonces: 2,3,1,4,5.
Existen ms esquemas de ordenamiento adems de los mencionados. Sin embargo en la
mayora de los casos encontrados en la Ingeniera Elctrica, el segundo esquema dinmico
cumple con el compromiso de dar buenos resultados, desde el punto de vista de
minimizacin de llenados, y a su vez el esfuerzo computacional asociado en su ejecucin es
razonable.
EMPAQUETADO DE MATRICES.
El objetivo del empaquetado de matrices, como se mencion antes, consiste en optimizar el
108
ITM-DIE
loc
1
2
3
4
valor 20.5 31.2 42.3 57.0
Podemos almacenar esta misma lista en orden ascendente como se muestra:
loc
1
2
3
4
valor 20.5 31.2 42.3 57.0
Supongamos ahora que queremos agregar un nmero a la lista, conservando el orden del
almacenamiento. Pueden ocurrir dos casos. Primero, que el nmero que se va a agregar
corresponda al final de la lista, en cuyo caso el problema es trivial, pues simplemente se
agrega y el problema se termin. El segundo caso ocurre cuando el nmero a agregar tiene
un valor numrico que le determina un lugar en la lista, que no corresponde al final, en
cuyo caso hay que insertarlo. Mediante tcnicas convencionales, por llamarlo de alguna
manera, lo anterior requerira el corrimiento de los elementos ubicados entre el valor
inmediato superior al valor del elemento que se va a insertar, y el final de la lista. Por
ejemplo, supongamos que queremos agregar el valor 33.0 a la lista que estamos usando. En
este caso, el valor que se va a agregar tomara la posicin 3, debiendo entonces correr los
nmeros en las posiciones 3 y 4, a las posiciones 4 y 5 , respectivamente. Ilustramos lo
anterior a continuacin:
loc
1
2
3
4
5
valor 20.5 31.2 33.0 42.3 57.0
Es importante hacer notar que la operacin de corrimiento implica un gran esfuerzo en el
caso de listas grandes, lo cual es el caso de los grandes sistemas en Ingeniera, por lo que
dicho mtodo no es el ms apropiado en dichos casos.
109
ITM-DIE
arreglo, llamado prox, apunta a la posicin del siguiente elemento en la lista. Y el valor de
dicho arreglo, en una posicin dada, es cero para indicar el final de la lista, y ser diferente
de cero cuando no es el final de la lista, y en este caso apunta a la posicin donde est
contenido, en el arreglo valor por supuesto, el siguiente elemento en la lista. Por otro lado,
observamos que agregamos un asterisco, al primer elemento en este caso, con el fin de
sealar el inicio de la lista. Con lo anterior vemos que para ordenar la lista, el arreglo valor
no se altera sino nicamente el arreglo prox.
Con el fin de ejemplificar las ventajas del mtodo de listas enlazadas, supongamos que
queremos agregar un elemento a la lista, y que ste tiene un valor de 42.0. En lugar de
correr los elementos correspondientes, insertamos el elemento al final de la lista, y
modificamos el arreglo prox como se muestra a continuacin.
loc
valor
prox
1
2
3
4
5
6
20.5 31.2 33.0 42.3 57.0 42.0
2
3
6
5
0
4
Supongamos ahora que queremos agregar el nmero 12.3 a la lista. Las modificaciones
requeridas se muestran a continuacin:
loc
1
2
3
4
5
6
7
valor 20.5 31.2 33.0 42.3 57.0 42.0 12.3
prox
2
3
6
5
0
4
1
110
ITM-DIE
Este ejemplo es ilustrativo del caso en que el nmero a agregar, sea de menor valor que los
ya existentes, en cuyo caso habr que modificar no solamente el arreglo prox, sino la marca
de inicio de la lista, como se muestra en el ejemplo anterior.
Hasta aqu hemos visto la forma eficiente de almacenar la informacin de una lista de
nmeros, lo cual constituye el manejo de un vector. Sin embargo, nuestro principal inters
est en el manejo de la informacin contenida en las matrices. A continuacin veremos el
uso de la tcnica de listas enlazadas aplicada al manejo de la informacin matricial. Como
podemos anticipar, la estructura de los arreglos que debemos usar en este caso, ser un
poco ms compleja que la del caso de la lista numrica que hemos venido utilizando hasta
ahora.
Se han propuesto varios esquemas de almacenamiento propuestos.
describiremos el ms ventajoso para nuestras aplicaciones.
Sin embargo,
El lector interesado en
111
ITM-DIE
.
1.0
0
2.0 1.0
1.0 1.0
0
0
En forma empaquetada, la matriz anterior queda como sigue:
loc
1
2
3
4
5
6
7
VALOR 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0
RENG
PROX
2
2
3
0
1
0
1
5
4
0
3
0
9 10
1
2
3
4
DIAG 3.0 2.0 2.0 1.0
3
4
6
ICAP 1
1
2
1
NOZE 2
loc
En este caso es importante notar que el asterisco, en la primera tabla, nos marca la
posicin del inicio de posiciones disponibles, es decir, a partir de la posicin 7 est
disponible para almacenamiento. En esta posicin se almacenara por ejemplo los
llenados que se generaran durante el proceso de eliminacin factorizacin.
Como ejemplo de la forma en que se modificaran los arreglos con la insercin de
nuevos elementos, supongamos que queremos agregar el elemento a14 = 2.0 y su
correspondiente elemento simtrico, con el mismo valor numrico. Para efectuar la
insercin, localizamos el ltimo elemento diferente de cero correspondiente ala
columna 1, usando el arreglo ICAP(1). Este se encuentra en loc(2) en la primera tabla.
Cambiamos el valor de loc(2) = 0, lo cual nos indicaba que era el ltimo valor
almacenado para la columna1, por el valor de la primera posicin disponible la cual es
7;esto es, cambiamos loc(2) al valor de 7 y entonces a41 se almacena en el primer lugar
disponible, es decir, loc(7). Adems se deben modificar NEXT(2) y NOZE(1), y las
modificaciones en los arreglos quedan como sigue: a41
112
ITM-DIE
NEXT(2) = 7
VALOR(7) = -2.0
RENG(7) = 4
PROX(7) = 0
NOZE(1) = 3.
RENG
PROX
3
7
1
0
1
5
4
0
3
8
4
0
9 10
1
2
3
4
DIAG 3.0 2.0 2.0 1.0
3
4
6
ICAP 1
1
2
1
NOZE 3
loc
2
2
3
7
1
0
1
5
4
0
3
8
4
0
1
0
10
1
2
3
4
DIAG 3.0 2.0 2.0 1.0
3
4
6
ICAP 1
1
2
2
NOZE 3
loc
113
ITM-DIE
Todo lo presentado aqu se est asociado con esquema s que implcitamente usan variables
estticas, no dinmicas en su programacin, lo que se explica por la era FORTRAN, que
por otro lado sigue siendo un lenguaje de programacin muy defendido por la gente que
hace simulacin numrica, lo cual es el caso de las aplicaciones discutidas aqu. El lector
es referido a la bibliografa de final de captulo para ver un ejemplo, en el que se us un
esquema muy simple haciendo uso de punteros (variables dinmicas) [10].
BIBLIOGRAFIA.
[1]. N. Balabanian, T. A. Bickart, S. Seshu. Eectrical Network Theory. John Wiley & Sons.
(1969).
[2]. G. W. Stagg, A. H. El-Abiad. Computer methods in power system anlisis. McGraw
Hill. (1968).
[3]. Brameller, et al. Sparsity. Pitman Ltd. (1976).
[4]. S. Pisanetsky. Sparse Matrix Technology. Academic Press.
[5] George, Liu. Computer solution of large sparse positive definite systems. Prentice Hall.
[6]. Zollenkopf. Bi-factirization computational algorithm and programming techniques.
Captulo del libro Large sparse sets of linear equatons edited by Reid. Academic Press.
[7]. Tinney, W. F. , Walker, J. W. Direct solution of sparse networks equations by optimal
ordered triangular factorization. Prodeedings of the IEEE 55, pp. 1801-1809.
[8].Sato, N., Tinney, W. F. Techniques exploiting the sparsity of network admittance
matrix. IEEE Trans. PA&S, Dec. 1963.
[9]. Duff, I. S. A survey of sparse matrix research. Proceedings of the IEEE 65, pp. 500535.
[10].Madrigal, M. Coria, L. Uso de asignacin dinmica de memoria para el manejo y
solucin de sistemas de ecuaciones lineales dispersos. Novena reunin de verano de
potencia RVP96 del IEEE. 21 al 26 de julio de 1996. Tomo II, Pgs. 40-45.
114
ITM-DIE
ANALISIS
DE
FLUJOS DE CARGA
117
ITM-DIE
elctricas reales, por llamarlas de algn modo, es decir, voltios, amperes, ohms, etctera,
resulta muy complicado e inconveniente. Por esto la necesidad de normalizar cualquier
sistema es importante. Esto conduce al desarrollo de un mtodo de normalizacin conocido
como sistema por unidad. Lo anterior ser discutido poco ms adelante.
Es fundamental recordar de los cursos de circuitos, que en un sistema elctrico
trifsico, se puede analizar nicamente una fase, pues la historia de lo que ocurre en las
otras, es la misma, nicamente desfasada 2400 1200, segn se trate de fase b c, tomando
en cuenta que la fase retenida para anlisis es la fase a, y refirindonos a secuencia positiva,
cuyos conceptos se tratarn captulos adelante.
118
ITM-DIE
T1
YY
T2
G2
G3
Y
Y
119
ITM-DIE
G1
CARGA
A
TRANSFORMADOR
T1
LINEA DE
TRANSMISION
TRANSFROMADOR
T2
CARGA
B
G2
G3
En este diagrama
120
ITM-DIE
121
ITM-DIE
122
ITM-DIE
I=
donde V = V , y = tan 1
P jQ
= I ( )
V
Q
es el ngulo del factor de potencia. La magnitud de I se
P
mantiene constante.
3. Modelo de Impedancia Constante. Aunque este modelo no es utilizado en flujos, por lo
menos no en forma frecuente, es sin embargo muy comn en estudios de estabilidad
transitoria. Es un modelo de utilidad en cargas agregadas en redes de distribucin de medio
y bajo voltaje. Si suponemos que P y Q de la carga permanece constante, la impedancia de
calcula como sigue
2
V
V
Z= =
I P jQ
I P jQ
=
.
2
V
V
Los modelos anteriores forman parte de los llamados modelos estacionarios genricos y
respaldan el carcter agregado de la carga. Antiguamente las cargas domsticas e
industriales compuestas por calefaccin y alumbrado, se modelaban como impedancia
constante, mientras las mquinas rotatorias se modelaban como una forma simple de
mquina sncrona. Las cargas compuestas se modelan por una mezcla de estos tipos de
carga. Existen varias formas de representacin de dichos modelos, pero uno de los ms
aceptados se describe a continuacin.
123
ITM-DIE
Si se considera una carga cuya potencia es funcin del voltaje y la frecuencia en el bus
donde est conectada, obtenemos una modelo de carga general, dado por
P = K p * (V ) * ( f )
pv
Q = K q * (V ) * ( f )
qv
pf
qf
Donde Kp y Kq son constantes que dependen de los valores nominales de las variables P y
Q.
P = K p *V
Q = K q *V
O bien
P V = Kp = I
Q V = Kq = I ,
Q = K q *V 2
de donde
124
ITM-DIE
P V 2 = Kp = Y
Q V 2 = Kq = Y
La tabla que se muestra enseguida nos proporciona valores tpicos de parmetros de carga
caractersticos
CARGA
Lmpara de filamento
Lmpara fluorescente
Calefactor
Motor de induccin media carga
Motor de induccin plena carga
Horno de reduccin
Planta de aluminio
pv
1.6
1.2
2.0
0.2
0.1
1.9
1.8
qv
0
3.0
0
1.6
0.6
2.1
2.2
pf
0
-1.0
0
1.5
2.8
-0.5
-0.3
qf
0
2.8
0
-0.3
1.8
0
0.6
( pv )
j global
( pv
j =1
* Pj )
(P )
j =1
125
ITM-DIE
Lo anterior nos conduce a considerar que las caractersticas de carga son vlidas solamente
para pequeas desviaciones de voltaje, con respecto al valor nominal.
Adems tambin podemos ver que pequeos errores en magnitud y fase de un voltaje
pequeo, producen grandes errores en magnitud y fase de corriente, lo cual resulta en
prdida de exactitud, adems de convergencia pobre o divergencia en mtodos iterativos.
Estos problemas se pueden superar usando una caracterstica de carga de impedancia
constante para representar las cargas cuando el voltaje cae por debajo de un valor
predeterminado.
126
ITM-DIE
(V)
2. Corriente, A( I )
3. Volt-Amperes, VA
4. Impedancia, V/A
( Z ).
127
ITM-DIE
travs de toda la red, mientras que los niveles de voltaje cambian como resultado de la
presencia de los transformadores.
Si seleccionamos Vbase y VAbase, podemos calcular Ibase = VAbase / Vbase y adems
Zbase = ( Vbase)2 / VAbase, en ambos casos para sistemas monofsicos. Con lo anterior en
mente, podemos calcular las cantidades en p.u. (por unidad) como sigue:
Vpu = Vact / Vbase , Ipu = Iact / Ibase , Zpu = Zact / Zbase , Ppu = Pact / VAbase ,
Qpu = Qact / Qbase.
Como las unidades de VA y V son muy pequeas en la prctica, son ms comunes
en su lugar MVA y kV , respectivamente. En forma monofsica podemos entonces definir:
I base
MVAbase 103
=
kVbase
Z base =
( kVbase )
MVAbase
Hasta aqu se ha hecho mencin de que estas relaciones son vlidas en base monofsica, sin
embargo en forma trifsica estas cantidades se pueden usar como sigue:
CONEXIN ESTRELLA
CONEXIN DELTA
kVbase( 3 ) = 3 kVbase(1 )
kVbase( 3 ) = kVbase(1 )
I base(3 ) = I base(1 )
I base(3 ) = 3 I base(1 )
MVAbase(3 ) = 3 MVAbase(1 )
MVAbase(3 ) = 3 MVAbase(1 )
Z base( 3 )
( kV
=
base( 3 )
) = ( kV
2
MVAbase(3 )
base (1 )
MVAbase(1 )
Z base( 3 )
( kV
=
base( 3 )
) = ( kV
2
MVAbase(3 )
base (1 )
MVAbase(1 )
De lo anterior podemos concluir que Z base( 3 ) = Z base(1 ) . Es importante mencionar que las
cantidades ms comnmente usadas son trifsicas, pues el equipo es usualmente trifsico y
los datos de placa estn dados en esa misma base. La excepcin a esto lo constituyen los
bancos de transformadores compuestos por tres unidades monofsicas, cada una de las
cuales con sus propios datos nominales.
128
ITM-DIE
TRANSFORMADORES.
Supongamos, con el fin de obtener relaciones generales, que existen taps o derivaciones en
ambos devanados del transformador monofsico mostrado en la figura 2.1.3.
vP1
Vs1
SECUNDARIO
PRIMARIO
vPn
VSm
Suponga que se selecciona una base en kV para el devanado primario, entonces los kVbase
para el devanado secundario sern
VS ( no min al )
VP( no min al )
VS ( no min al ) y VP( no min al ) son las posiciones del tap expresadas en kV para los lados secundario
Z base(sec ) =
Z base( pri ) =
kVbase(sec )
MVAbase
kVbase( pri )
MVAbase
129
ITM-DIE
Z pu (sec ) =
Z pu ( pri ) =
Z act (sec )
Z base(sec )
Z act ( pri )
Z base( pri )
Z pu ( pri ) =
Z act ( pri )
Z base( pri )
, entonces
y por lo tanto
Z act ( pri ) =
Z act ( pri )
Z base( pri )
a 2 Z act ( sec )
kVbase( pri )
MVAbase
a 2 Z act (sec)
a 2 kVbase(sec)
Z act ( sec )
Z base(sec)
MVAbase
= Z pu (sec )
Z pu ( pri ) = Z pu (sec ) .
CAMBIO DE BASE.
Debido a que los datos de placa de los equipos estn normalizados, tomando como base los
datos nominales del propio equipo, es decir kVnominal y MVAnominal, es preciso hacer un
cambio de base, pues en general las bases del equipo no coinciden con las del sistema.
Suponga adems que se usarn nuevas bases denominadas kVbase2 y MVAbase2, entonces
tenemos Z pu 2 =
Z act
.
Z base 2
130
ITM-DIE
( kVbase1 ) MVAbase1
Z
= Z pu1 base1 = Z pu1
2
Zbase 2
( kVbase 2 ) MVAbase 2
2
Z pu 2
de donde obtenemos
Z pu 2
kV
MVAbase1
= Z pu1 base1
kVbase 2 MVAbase 2
Esta ltima expresin es til cuando los datos nominales del equipo son diferentes a las
bases de sistema seleccionadas.
kVbase1
Ibase1
kVbase2
Ibase2
(1)
Xm(pu)
(2)
X m 2( pu ) =
X m( act )
X base 2
X m( act )
kVbase 2 I base1
131
ITM-DIE
X m( act )
kVbase 2
I base1
kVbase1
kVbase1
X m( act ) MVAbase
,
kVbase 2 kVbase1
X m( pu ) = X m( act )
Z m(base ) =
MVAbase
kVbase1 kVbase 2
kVbase 2 kVbase1
MVAbase
X m( pu ) =
X m( act )
Z m(base )
Para ejemplificar el uso del mtodo de normalizacin en por unidad (p.u.), usaremos
el sistema mostrada en la figura 2.1.1 al inicio de esta unidad.
Primeramente dividimos el sistema que se va a normalizar en zonas caracterizadas por el
mismo voltaje. Esto se muestra en la figura 2.1.5.
132
ITM-DIE
ZONA 3
ZONA 1
G1
T1
T2
G2
G3
ZONA 2
Y
Y
Y
YY
Y
Empezamos definiendo las bases de voltajes en todo el sistema. Supongamos que se decide
usar como bases de sistema: MVAbase = 30 MVA, y kVbase = 33 kV en la zona de
transmisin. De acuerdo a lo anterior tenemos que kVbase1 = 33 kV, dado que el voltaje
base coincide con el voltaje nominal. Las dems bases de voltaje son calculadas tomando
en cuenta la relacin de transformacin de los transformadores y sus conexiones.
Para las dems bases
11
kVbase1 = 33 = 11 kV
33
referida a travs de T1 y
6.8
kVbase3 = 33
= 6.48 kV , referida a travs de T2.
20 3
Esta ltima base merece un comentario: los valores de voltaje indicados en la razn de
transformacin se deben a que T2 es un banco de unidades monofsicas, conectado en
estrella-delta y en los datos que se dieron anteriormente, la relacin de transformacin se
refiere a la relacin de transformacin de cada unidad, as como la potencia, es la potencia
de cada unidad, o sea monofsica. Adems, tomando en cuenta la conexin de las unidades
del banco, tenemos que para el lado de alto voltaje se requiere el factor de
3 , debido a la
133
ITM-DIE
En los datos
10.5 30
X = ( 0.44 )
= 0.40
11 30
Mientras que para la reactancia de aterrizado
X n1 =
1.5
= 0.37 pu
112
30
Para el generador G2
2
6.6 30
X = ( 0.41)
= 0.85
6.48 15
y la reactancia de neutro
X n2 =
2.5
6.482
30
= 1.79 pu
Para el generador G3
2
6.6 30
X = ( 0.32 )
= 0.40
6.48 25
con reactancia de aterrizado
X n3 =
2.5
6.482
30
= 1.79 pu .
11 30
X T 1 = ( 0.21) = 0.42
11 15
134
ITM-DIE
XT 2
20 3 30
= ( 0.24 )
= 0.53 .
33
15
20 3 6.8
.
=
33
6.48
En el caso de la lnea de transmisin, el valor del parmetro est en ohmios, por lo que en
lugar de cambio de base, efectuamos su normalizacin directamente
X LT =
20.5 20.5
=
= 0.56 pu
Z base 2
332
30
Carga A:
PA = 15 MW , por lo que S A =
(16.67
QA =
15
= 16.67 MVA , y con esto obtenemos
0.9
SA =
15 + j 7.27
= 0.5 puMW + j 0.24 puMVAr .
30
Carga
B:
QB =
( 47.06
PA
2
40
MW,
entonces
SB =
40
= 47.06MVA ,
0.85
de
donde
normalizado resulta
SB =
40 + j 24.8
= 1.33 puMW + j 0.83 puMVAr .
30
135
ITM-DIE
INTRODUCCION.
El estudio de flujos de carga o flujos de potencia, como se le llama tambin a
menudo, est ligado tanto a la evolucin de los sistemas elctricos, como a la evolucin de
las computadoras digitales. Antes de los aos 40s, la cantidad de interconexiones en los
sistemas elctricos era muy pequea, por lo cual los sistemas elctricos eran
predominantemente radiales. Los estudios de dichos sistemas eran sencillos relativamente,
al menos se podan realizar sin recurrir a grandes recursos de clculo, que a la postre no
existan. Sin embargo una vez que se hicieron patentes las ventajas de la interconexin, la
complejidad de los sistemas elctricos fue creciendo, y los estudios requeridos ms
demandantes. Afortunadamente esta evolucin de los sistemas elctricos coincidi con el
advenimiento de la computadora digital. La primera mencin de la computadora en el
estudio de flujos de potencia se remonta al ao de 1947 y se relaciona con el artculo
titulado Machine computations of power network performance, AIEE Transactions, vol.
66, escrito por L.A. Dunstan. Sin embargo, el crdito por la formulacin del problema con
una orientacin adecuada para su programacin en computadora
digital, se concede,
136
ITM-DIE
Por ltimo es importante mencionar que las aplicaciones del estudio de flujos de potencia
son tan vastas como importantes. Constituyen la herramienta esencial para el anlisis, la
planeacin y el diseo de tanto de los sistemas elctricos, como de la operacin y control de
los mismos.
V1 = V1 1
V2 = V2 2
V V1V2
V 2 VV
V V
S12 = V I = V1 1 2 = 1
= j 1 1 2
jx
x
jx
x
1 12
V1 2 V1 V2 j ( )
= j
e 1 2 =
x
V1 V2
x
V1 2 V1 V2
cos (1 2 ) + jsen (1 2 )
x
x
V1 2 V1 V2
+
sen (1 2 ) + j
cos (1 2 ) .
x
x
137
ITM-DIE
P12 = e {S12 } =
V1 V2
Q12 = m {S12 } =
V1
x
x
sen (1 2 )
V1 V2
x
cos (1 2 )
V1
x
(V
V2
138
ITM-DIE
potencia reactiva.
4. Si el sistema elctrico que es el objeto del estudio forma parte de un sistema ms
grande (power pool), deber cumplir con ciertos compromisos contractuales de
potencia en puntos de enlace con los otros sistemas vecinos.
5. Los disturbios ocurridos despus de grandes fallas en el sistema, pueden causar
salidas de servicio; los efectos de dichos eventos pueden minimizarse mediante
estrategias de pre-falla apropiadas desarrolladas a travs de mltiples estudios de
flujos de potencia.
6. Para llevar a cabo de manera apropiada y eficiente la tarea de planeacin, es
imprescindible el uso extensivo de estudios de flujos de potencia.
El problema se puede dividir a su vez, en los siguientes problemas [1]:
1. Formulacin de un modelo matemtico adecuado para la red.
Debe describir
139
ITM-DIE
por otro lado, del tamao. Lo anterior significa que el problema que se va a analizar
contiene los elementos suficientes para llevar a cabo dicho planteamiento.
El sistema elctrico mencionado, y que se muestra en la figura 1, contiene un
generador y una carga, en cada bus, y los buses se unen con una lnea de transmisin, la
cual se modelar a travs un circuito nominal.
SG1
SG2
1
Lnea de Transmisin
SD2
SD1
Figura 1. Sistema de dos buses.
En este sistema, cada bus es alimentado por un generador que inyecta una potencia
SG1 y SG2, respectivamente. A su vez existen cargas en cada uno, que consumen potencias
SD1 y SD2, o tambin podramos decir que inyectan potencias -SD1 y -SD2,
respectivamente. Aqu es importante mencionar que la convencin ms comn consiste en
considerar positiva la potencia inyectada en un bus, y por tanto, una potencia extrada en un
bus, se puede considerar que es una potencia inyectada negativa. Por otro lado, el voltaje
de cada bus es V1 y V2, respectivamente. Dichos voltajes son, por supuesto, fasores, cuya
definicin completa se dar ms adelante. La lnea de transmisin que une los buses se
representa por medio de un circuito nominal. Como se puede observar en la figura 2,
esta lnea est caracterizada por las admitancias en derivacin a cada lado de los buses, as
como la impedancia serie, cuya metodologa de clculo se vio en las unidades
introductorias del curso de Sistemas Elctricos de Potencia I.
140
ITM-DIE
SG1
SG2
1
zser
ysh
SD1
ysh
SD2
zser
ysh
) (
ysh
) (
Tal como se muestra en la figura, la potencia neta inyectada en cada bus est dada
por :
) (
(2.2.1)
141
ITM-DIE
) (
(2.2.2)
Es importante notar que en la figura 3, las flechas de trazo grueso representan las
fuentes de inyeccin de potencia en ambos buses.
Tambin se debe hacer hincapi en que la potencia neta inyectada al bus, dada por las
ecuaciones anteriores, para los buses 1 y 2 respectivamente, se refiere a la denominada
potencia de bus y se define, como puede observarse, como la diferencia entre la potencia de
generacin y la potencia de carga en dicho bus.
Recordemos que la parte real de la primera (potencia activa del generador), se
obtiene por manipulacin automtica del par de entrada, proporcionado por la mquina
prima y su valor en todo momento debe cumplir con el balance de potencia, que implica
que su valor debe ser igual a la suma de la demanda ms las prdidas. El criterio de
En cuanto a la componente
I1 =
S1
= V1Ysh + (V1 V2 ) Yser
V1
(2.2.3)
142
ITM-DIE
I2 =
S 2
= V2Ysh + (V2 V1 ) Yser
V2
(2.2.4)
S1
I1 = = Y11V1 + Y12V2
V1
S2
I 2 = = Y21V1 + Y22V2
V2
(2.2.5)
donde definimos
V
VBUS = 1
V2
Y Y
YBUS = 11 12
Y21 Y22
Con las definiciones anteriores podemos escribir las ecuaciones (3.5) en forma
compacta como sigue
(2.2.6)
143
ITM-DIE
(2.2.7)
Z
1
Z BUS (YBUS ) = 11
Z 21
Z12
Z 22
(2.2.8).
P1 jQ1 = V
P2 jQ2 = V
k =1
1k
Vk
(2.2.9)
Y
k =1
2k
Vk
Pi jQi = Vi
Y V
k =1
ik
(2.2.10).
144
ITM-DIE
Pi jQi = Vi Yik Vk e
j ( k i + ik )
k =1
(2.2.11)
Pi = Vi Yik Vk cos ( k i + ik ) f pi
k =1
n
Qi = Vi Yik Vk sen ( k i + ik ) f qi
(2.2.12)
k =1
Ahora referiremos nuestro anlisis al caso del sistema de dos buses, con el objeto de
simplificar la discusin de la formulacin del modelo de flujos de potencia, y evitar hacer
oscurecer el anlisis con las complicaciones de las ecuaciones generales de orden n, a las
cuales regresaremos ms adelante, ya con el concepto entendido.
Desarrollando para el caso n = 2 las ecuaciones (2.2.12) obtendremos
P1 = PG1 PD1 =
= Y11 V1 cos 11 + V1 Y12 V2 cos ( 2 1 + 12 ) f p1
2
P2 = PG 2 PD 2 =
= Y22 V2 cos 22 + V2 Y21 V1 cos (1 2 + 21 ) f p 2
2
(2.2.13)
145
ITM-DIE
Q1 = QG1 QD1 =
= Y11 V1 sen 11 V1 Y12 V2 sen ( 2 1 + 12 ) f q1
2
Q2 = QG 2 QD 2 =
= Y22 V2 sen 22 V2 Y21 V1 sen (1 2 + 21 ) f q 2
2
(2.2.14)
Pperdidas = Pperdidas ( V1 , V2 , 1 , 2 )
Q perdidas = Q perdidas ( V1 , V2 , 1 , 2 )
Si revisamos cuidadosamente las ecuaciones de flujos para, este sistema de ejemplo de dos
buses, vemos que tenemos 12 incgnitas: PG1 , PG 2 , QG1 , QG 2 , PD1 , PD 2 , QD1 , QD 2 , V1 , V2 , 1 , 2 ,
146
ITM-DIE
incgnitas, los ngulos de los voltajes, siempre aparecen en los argumentos de las funciones
trigonomtricas en forma de diferencias. Esto nos indica que debemos reducir, de alguna
manera, el nmero de incgnitas con el fin de que igual al nmero de ecuaciones, es decir, a
cuatro incgnitas.
En este punto, es importante clasificar las variables involucradas en el modelo. Esta
clasificacin es muy importante, la cual tiene un enfoque sistmico, y ser muy til para
quin estudie, en cursos ms avanzados, el problema de flujos de potencia ptimos, y es la
que vamos a utilizar.
Mientras que el
segundo grupo, variables de estado, estn representados los voltajes, tanto en magnitud
como en ngulo: V1 , V2 , 1 , 2 . En el tercer grupo, variables de control, obviamente
incluimos las generaciones: PG1 , PG 2 , QG1 , QG 2 .
Evidentemente debemos conocer las demandas, lo cual elimina cuatro variables del
grupo de incgnitas, dejndonos an con ocho. Una primera opcin, que probablemente se
nos antoje como buena, consiste en que a partir de que se conocen las demandas, lo cual es
por supuesto correcto, suponer las cuatro variables de control, es decir las generaciones y
entonces terminar con un modelo matemtico consistente, que incluye los voltajes y sus
ngulos como incgnitas.
La propuesta anterior, aunque parece buena y hasta cierto punto natural, resulta que
no es conveniente por varias razones. Por principio, si observamos las ecuaciones de flujos
de potencia, nos damos cuenta que los ngulos de los voltajes aparecen como argumento de
funciones trigonomtricas en forma de diferencias, 1 2 , nunca en forma individual y por
lo tanto no podemos resolver estos valores en forma individual. Otra enorme limitante a
nuestra propuesta es que no podemos especificar las cuatro potencias generadas, por la
sencilla razn de que no conocemos las prdidas por anticipado, pues estas son funcin,
como se discuti antes, de los voltajes, es decir de las incgnitas. Lo anterior implica que
podemos especificar dos de estas potencias generadas, pero dejar libres las otras dos para
que adopten el valor correspondiente en el transcurso del proceso iterativo.
Las dificultades expuestas arriba se pueden solventar como indicamos a
continuacin. Primeramente, el problema de la diferencia angular se puede resolver si
147
ITM-DIE
fijamos uno de los ngulos, dejando el otro como incgnita; en efecto, esto es conveniente
porque adems nos permite disponer de una referencia fasorial, lo cual es necesario para
darle sentido al ngulo de un voltaje fasorial. De esta forma si fijamos el valor de 1 = 0,
entonces quedar como referencia el fasor del voltaje del bus 1. Con esto, hemos reducido
el nmero de incgnitas a cinco: V1 , PG1 , QG1 , V2 , 2 . De este grupo restante, debemos fijar
otra variable ms para poder intentar la solucin del problema de flujos. Matemticamente
cualquiera podra ser, pero desde el punto de vista fsico existen limitantes. La eleccin
estara entre V1 y QG1 , pues una de estas eliminara a la otra, debido al fuerte acoplamiento
que existe entre estas; recordemos este hecho discutido pginas atrs. Hasta este punto, no
hemos fijado ninguna magnitud de voltaje y es necesario mantener los voltajes dentro de
ciertos lmites, por lo que sera conveniente fijar V1 , aprovechando la presencia de un
generador en ese bus, el cual puede , dentro de sus lmites de operacin, mantener un
voltaje de operacin constante; adems, como no conocemos las prdidas de potencia, tanto
activa como reactiva, se requiere dejar sin especificar en un bus ambas variables, con el fin
de que al final de la solucin, exista esta holgura y poder cumplir con el balance de
potencia. Por lo tanto al dejar libres las variables PG1 y QG1 , debern quedar definidos V1
y 1 , lo cual lo convierte en una referencia fasorial, como discutimos previamente.
Lo anterior nos deja con un grupo de cuatro incgnitas, PG1 , QG1 , V2 , 2 , que
constituyen un sistema de ecuaciones consistente, cuatro ecuaciones en cuatro incgnitas,
que por su naturaleza no lineal, debern resolverse en forma numrica.
Los pioneros de la formulacin de flujos, quizs Ward y Hale, establecieron la manera
sistemtica que nos conduce a la obtencin del modelo de flujos de potencia para cualquier
sistema. Lo anterior implica la clasificacin de los buses del sistema en tres clases, que se
describen a continuacin.
1. Bus de referencia o compensador (en ingls swing o slack), por su naturaleza de
que las potencias tomarn los valores requeridos para que se cumpla el balance de
potencias en el sistema, aparte de que al fijar el ngulo de voltaje, estamos
definiendo una referencia fasorial.
2. Bus PQ, a veces llamado tambin bus de carga, aunque esta designacin es menos
usada en la actualidad.
148
ITM-DIE
Variables conocidas
Incgnitas obtenidas
o especificadas
en el proceso de solucin.
PD QD PG QG V
PG
QG
Tipo de Bus
Referencia
Bus PQ
Bus PV
149
ITM-DIE
(2.3.1)
(2.3.2)
150
ITM-DIE
mediante mtodos directos, y que el uso de mtodos iterativos requiere del conocimiento
de material que nos se cubre en un curso introductorio de sistemas elctricos de potencia,
nos limitaremos a exponer un repaso del material correspondiente a mtodos iterativos para
resolver sistemas de ecuaciones no lineales. Se expondrn dos mtodos: el Gauss-Seidel y
el Newton-Raphson.
METODO DE GAUSS-SEIDEL.
Expresamos (2.3.1) en la forma
x1 = 1 ( x1 , x2 ,..., xn )
x2 = 2 ( x1 , x2 ,..., xn )
x3 = 3 ( x1 , x2 ,..., xn )
(2.3.3).
xn = n ( x1 , x2 ,..., xn )
De manera compacta
xi = i ( x )
i = 1, 2,..., n
k +1)
k
k
k
= x1( ) , x2( ) ,..., xn( ) , pueden ser obtenidas mediante: el mtodo de Jacobi (llamado
k +1)
Mtodo de Gauss-Seidel.
k)
i = 1, 2,..., n .
151
xi(
k +1)
= i x1(
k +1)
, x2(
k +1)
)
,..., xi(1 ) , xi(+1,...,
xn(
k +1
k)
ITM-DIE
i = 1, 2,..., n
Las iteraciones se continan hasta que la mxima diferencia entre valores consecutivos de
xi ( i = 1, 2,..., n ) , es menor que un valor predeterminado , esto es,
Max xi(
k +1)
xi(
k)
METODO DE NEWTON-RAPHSON.
El mtodo de Newton-Raphson es aplicado directamente al sistema de ecuaciones (2.3.1).
Constituye una extensin del caso de 1er orden , por lo cual es conveniente recordarlo
brevemente .
Consideremos la ecuacin no lineal
f x(
1
2!
( ) ) + ( x x( ) ) f ( x( ) ) = 0 .
f x(
(1)
=x
( 0)
)
(
)
f ( x( ) )
f x(
'
( k +1)
=x
(k )
)
(
).
f ' ( x( ) )
f x(
152
ITM-DIE
f1 ( x1 , x2 ,..., xn ) = y1
f 2 ( x1 , x2 ,..., xn ) = y2
f n ( x1 , x2 ,..., xn ) = yn
En este sistema mostrado hay una diferencia con respecto al descrito en (2.3.1) sin
embargo, y es que en lugar de estar igualadas a cero las ecuaciones, estas estn igualadas a
un valor constante, y1, y2,,yn. Lo anterior no debe representar ningn problema, puesto
que es obvio que se trata del mismo sistema de ecuaciones, solamente que la forma del
expuesto arriba es ms apropiada para la formulacin del problema de flujos, como se ver
ms adelante.
Siguiendo el esquema del caso de 1er orden, efectuamos la expansin en serie de
Taylor para cada una de las funciones que constituyen el sistema de ecuaciones no lineales.
( 0)
( 0) ( 0)
( 0) T
Si denominamos al vector x = x1 , x2 ,..., xn , vector de arranque, y suponemos
que x1 , x2 ,..., xn , son las correcciones requeridas para que el vector x ( ) sea la solucin,
tendremos que al sustituir en la ecuacin anterior
0
153
(
)
f ( x( ) + x x( ) + x ..., x ( ) + x ) = y
ITM-DIE
0
1, 2
0
n
2,
(2.3.4)
Aplicamos el teorema de Taylor a cada una de las ecuaciones del conjunto (2.3.4). Para la
primera ecuacin obtenemos
f1 x1( ) + x1, x2( ) + x2, ..., xn( ) + xn = f1 x1( ), x2( ), ..., xn( ) + x1
0
f1
f
+ x2 1
x1 0
x2
+ ... +xn
0
f1
xn
de grado mayor a 1, as
como de derivadas de alto orden de f1. Si los estimados iniciales (vector de arranque) estn
cerca de la solucin, los valores de x1 , x2 ,..., xn sern muy pequeos y por tanto se
podrn despreciar los trminos con potencias de grado superior.
De acuerdo a lo anterior, el sistema de ecuaciones tendr la forma
f1
f
+ x2 1
x1 0
x2
f1
f
+ x2 1
x1 0
x2
+ ... +xn
0
+ ... +xn
0
f1
xn
= y1
0
f1
xn
f1
xn
= y2
f1
f
+ x2 1
x1 0
x2
+ ... +xn
0
= yn
154
+ 1
0
(
(
y f x ( 0) x( 0) ..., x ( 0)
n
1 1 1 , 2 ,
( 0) ( 0)
( 0)
y2 f 2 x1 , x2 , ..., xn
.....
y f x ( 0) x( 0) ..., x ( 0)
n
n
1 , 2 ,
n
)
)
)
ITM-DIE
f1
x1
f 2
= x
1
.
f n
x1
f1
x2
f 2
x2
f1
xn 0
x1
f 2
...
x2
xn 0
...
.
.
xn
f n
...
xn 0
...
f n
x2
(2.3.5)
El proceso se trabaja en forma iterativa, en cuyo caso el sistema general sera como
(
(
y f x( k ) x( k ) ..., x( k )
n
1 1 1 , 2 ,
(k ) (k )
(k )
y2 f 2 x1 , x2 , ..., xn
.....
y f x ( k ) x( k ) ..., x( k )
n
n
1 , 2 ,
n
)
)
)
f1
x1
f 2
= x
1
.
f n
x1
f1
x2
f 2
x2
f n
x2
f1
xn k
k
x
f 2 1k
...
x
xn k 2
...
.
. k
xn
f n
...
xn k
...
(2.3.6)
En forma compacta
[ J ] C = D
(2.3.7)
Lo denominamos vector de
155
ITM-DIE
x
1
f1
x2
f 2
x2
donde las derivadas parciales estarn dadas por las siguientes expresiones
f1
= 2 x1 + 3 x2
x1
f1
= 3 x1
x2
f 2
= x2
x1
f 2
= x1 4 x2
x2
47
( ) ) = 5 ( 6) = 1 .
[J ]
( ) ) , resulta en
por lo que x( ) = x ( ) + [ J ] f x(
1
0.1129 0.04839
=
0.03226 0.12903
156
ITM-DIE
1.75831
( )
[J ]
0.13929 0.044220
=
0.03851 0.14500
de donde obtenemos
( ) ) = 1.75820 .
x( ) = x( ) + [ J ] f x(
3
( ) ) .
0.67259
3)
es la
solucin.
157
ITM-DIE
Si = Pi jQi = Vi I i
(2.4.1)
(2.4.2)
k =1
158
ITM-DIE
Pi jQi
Vi
(2.4.3)
De esta ultima ecuacin, despejamos el voltaje del bus, o sea Vi, con lo que
Vi =
1
Yii
Pi jQi
....
...
Y
V
Y
V
Y
V
Y
V
Y
V
+
+
+
+
+
+
(
)
i = 2,..., n
i
i
i
i
i
i
i
i
in
n
1
1
2
2
,
1
,
+
1
+
1
Vi
(2.4.4)
Vi =
1 Pi jQi
Yik Vk i = 2,..., n k i k i
Yii Vi
k =1
(2.4.5)
159
ITM-DIE
de cada una de estas, el valor ms reciente de las dems variables (voltajes), en funcin de
las cuales est expresada cada una.
Con lo anterior, si usamos un superndice para expresar la iteracin asociada al valor de
cada variable, tendremos a partir de (2.3.4) y (2.3.5)
Vi
( l +1)
1 Pi jQi
l +1
l +1
l
l
=
Yi1V1 + Yi 2V2( ) + .... + Yi ,i 1Vi ( 1 ) + Yi ,i +1Vi +( 1) + ... + YinVn( )
Yii V (l )
i
( )
(2.4.6)
i = 2,..., n
En forma compacta
Vi
( l +1)
n
1 Pi jQi i 1
( l +1)
(l )
i = 2,..., n k i k i (2.4.7)
=
YikVk YikVk
Yii V (l ) k =1
k =i +1
i
( )
Es importante observar que en (2.4.6), el voltaje del bus 1 no tiene superndice debido a que
este voltaje corresponde al bus compensador y como tal no cambia su valor porque en ese
bus, el voltaje, tanto en magnitud como en ngulo, se especifica.
Con el antecedente anterior podemos describir el algoritmo basado en el mtodo de GaussSeidel.
ellos, deberemos especificar sus potencias generadas PGi y QGi. Con lo anterior, se conocen
las inyecciones de potencias en todos los buses (PQ), menos en el compensador.
Paso 2. Ensamblar la matriz YBUS. En el anlisis de flujos de potencia se usa solamente la
red de secuencia positiva (cuya definicin se ver en unidades posteriores), por lo que no
existen elementos acoplados magnticamente en dicha red. El procedimiento empleado
160
ITM-DIE
para formar la matriz YBUS, es el de inspeccin. Dicho procedimiento es muy simple, como
se recordar de la unidad I.
Paso 3. Clculo iterativo de los voltajes de bus ( Vi
Es prctica comn en
Si
Ai =
Pi jQi
Yii
i = 2,3,..., n
Yik
Yii
Bik =
i = 2,3,..., n
k = 1, 2,..., n; k i .
l +1)
i 1
Ai
(V )
(l )
Bik Vk(
k =1
l +1)
B V( )
k = i +1
ik
i = 2,3,..., n
(2.4.8).
El proceso iterativo contina hasta que el cambio en magnitud del voltaje de bus
Vi (
l +1)
entre dos iteraciones consecutivas, es menor que una cierta tolerancia, para todos
l +1)
= Vi (
l +1)
Vi ( ) ; i = 2,3,..., n
l
(2.4.9).
161
ITM-DIE
Paso 4. Clculo de la potencia del bus compensador. Con los voltajes obtenidos en el paso
P1 jQ1 = V
Y
k =1
1k
Vk .
Paso 5. Clculo de flujos en las lneas. Este es el ltimo y muy importante paso de la
solucin de flujos de potencia, pues adems de proporcionar los flujos en todos los
elementos de transmisin, nos permite calcular las prdidas, tanto en dichos elementos,
como las prdidas totales de la red. Para mostrar lo anterior, consideremos el diagrama
mostrado en la figura 2.4.1, en donde vemos un circuito , que puede representar un enlace
de transmisin o algn otro elemento de transmisin, como un transformador.
Vi
Bus k
Bus i
Iik
Sik
Iikser
Iki
yser
Iiksh
Ikish
ysh
ysh
Vk
Ski
En la figura se muestra el elemento conectado entre los buses i-k, y las potencias y
corrientes a considerar en el clculo. Primeramente vemos que la corriente que sale de cada
bus, se divide en una porcin que fluye a travs de la rama serie y otra porcin que fluye a
travs de la rama en derivacin.
La corriente alimentada por el bus i a la lnea est dada por
(2.4.10)
162
ITM-DIE
S ki = Vk I ki = Vk (Vk Vi ) yser
+ ViVi ysh
(2.4.11).
(S
ik
+ Ski ) i, k .
Es conveniente notar que la potencia del bus compensador se puede calcular
sumando los flujos de potencia de las lneas que terminan en dicho bus; lo anterior
constituye otra forma alternativa a la que se mencion anteriormente en el paso 4.
El algoritmo anterior es til parcialmente, pues permite exponer la forma
ms fcil del mtodo de Gauss-Seidel. Sin embargo pocos sistemas (si acaso existe
alguno), son tan simples como el actual. En realidad existen mltiples plantas de
generacin, no nicamente la del bus compensador, como en el caso
actual.
Adems para que la solucin de flujos de potencia sea prctica, se requiere tomar en
cuenta el hecho de que las variables de control y de estado del sistema, debe estar
contenidas dentro de ciertos lmites, los cuales estn dictados por las
especificaciones del equipo y por restricciones operativas. Dichos lmites son:
a.
min
Vi Vi
max
. El equipo del
i k i k
max
163
c.
ITM-DIE
Con respecto a estos ltimos lmites, hay que recordar que el voltaje en un
bus PV puede ser mantenido constante, solamente si est disponible una de
fuentes controlable de Q en dicho bus y la generacin reactiva requerida
est dentro de los lmites establecidos.
Qi = m Vi Yik Vk la cual
k =1
( l +1)
Qi
( ) Y V
l
= m Vi ( )
i 1
k =1
ik
( l +1)
( ) Y V ( )
+ Vi
(l )
k =i
ik
(2.4.12).
i( l +1) = Vi (l +1)
(l +1)
i 1
n
Ai
( l +1)
(l )
= Angulo de
Bik Vk Bik Vk
(l )
k =1
k = i +1
Vi
( )
(2.4.13)
donde
( l +1)
Ai
Pi jQi(
=
Yii
l +1)
164
ITM-DIE
El algoritmo para buses PQ permanece sin cambios. Sin embargo existen limitantes en la
generacin de la potencia reactiva, como se mencion previamente; dichas limitantes
requieren que la demanda de Q en cualquier bus, permanezca dentro del rango QminQmax.
Si en alguna etapa del proceso de solucin, Q sale de estos lmites, se fijar a Qmin Qmax,
dependiendo del lmite violado, y el bus se convertir en bus PQ, desechando las
especificaciones previas de voltaje. Lo anterior implica que el proceso se transfiere al paso
3, que se detalla a continuacin.
3. Si Qi(
l +1)
l +1)
l +1)
y Vi (
l +1)
l +1)
l +1)
l +1)
y Vi (
l +1)
Con esto terminamos de resumir el proceso computacional. Recordar que hemos asignado
el ndice 1 para el bus compensador; si se quiere plantear la posibilidad de que no se tenga
esta restriccin, si es que se quiere ver como tal, habr que hacer los ajustes
correspondientes en la sumatorias de las ecuaciones.
enseguida.
165
ITM-DIE
BUS 1
BUS 2
BUS 3
BUS 4
Pi
Qi
Vi
Tipo de bus
1.0400
0.5
-0.2
Bus PQ
-1.0
0.5
Bus PQ
0.3
-0.1
Bus PQ
compensador
Por otro lado, la tabla 2 muestra los datos de los parmetros de las lneas de transmisin del
sistema del ejemplo.
TABLA 2. PARAMETROS DE LINEAS.
Lnea
R, pu
X, pu
G, pu
B,pu
1-2
0.05
0.15
2.0
-6.0
1-3
0.10
0.30
1.0
-3.0
2-3
0.15
0.45
0.666
-2.0
2-4
0.10
0.30
1.0
-3.0
3-4
0.05
0.15
2.0
-6.0
166
ITM-DIE
YBUS
0
2 + j 6
1 + j 3
3 j9
2 + j 6 3.666 j11 0.666 + j 2 1 + j 3
.
=
1 + j 3 0.666 + j 2 3.666 j11 2 + j 6
3 j9
1 + j 3
2 + j 6
0
V2
1 P2 jQ2
( 0)
( 0)
=
Y21V1 Y23V3 Y24V4
Y22 V ( 0)
( )
0.5 + j 0.2
1
1.04 ( 2 + j 6 ) ( 0.666 + j 2 ) ( 1 + j 3)
3.666 j11 1 j 0
4.246 j11.04
= 1.019 + j 0.046
3.666 j11
pu .
Para el bus 3
(1)
V3
1 P3 jQ3
(1)
( 0)
=
Y31V1 Y32V2 Y34V4
Y33 V ( 0)
( )
1 j 0.5
1
1.04 ( 1 + j 3) ( 0.666 + j 2 )(1.019 + j 0.046 ) ( 2 + j 6 )
3.666 j11 1 j 0
2.81 j11.627
= 1.028 j 0.087
3.666 j11
pu .
167
ITM-DIE
V4
1 P4 jQ4
(1)
(1)
=
Y41V1 Y42V2 Y43V3
Y44 V ( 0)
( )
1 0.3 + j 0.1
( 1 + j 3)(1.019 + j 0.046 ) ( 2 + j 6 )(1.028 j 0.087 )
3 j9 1 j 0
2.991 j 9.253
= 1.025 j 0.0093
3 j9
pu .
Para la segunda parte del ejemplo, consideremos el mismo caso, con la diferencia de que el
bus 2 es ahora tipo PV, con V2 = 1.04 pu.
efectuamos la primera iteracin, tomando en cuenta que los lmites de reactivos en el bus 2
son: 0.2 Q2 1.0 .
Antes de calcular el voltaje del bus 2, necesitamos evaluar la potencia reactiva en dicho
bus, por lo que
{(
Q2( ) = m V2(
1
0)
pu
(1)
1 P2 jQ2
( 0)
( 0)
2 =
Y21V1 Y23V3 Y24V4
0)
(
Y
22 V2
0.5 j 0.2079
1
=
( 2 + j 6 )(1.04 + j 0 ) ( 0.666 + j 2 )(1 + j 0 ) ( 1 + j 3)(1 + j 0 )
Q2( ) = 0.2079
1
( )
pu .
168
ITM-DIE
Con el resultado anterior calculamos el ngulo del voltaje del Bus 2, que finalmente
es lo que buscamos, verificando previamente que no se violan los lmites de reactivos
especificados para dicho bus, lo cual es el caso presente, o sea Q2,min Q2( ) Q2,max .
1
1
=
Y22
(1)
(1)
P2 jQ2 Y V Y V ( 0) Y V ( 0)
24 4
21 1
23 3
( 0)
V
( )
0.5 j 0.2079
1
=
( 2 + j 6 )(1.04 + j 0 ) ( 0.666 + j 2 )(1 + j 0 ) ( 1 + j 3)(1 + j 0 )
4.2267 j11.439
=
= (1.0512 + j 0.0339 ) .
3.666 j11
De
donde
obtenemos
entonces
V3
1 P3 jQ3
(1)
( 0)
=
Y31V1 Y32V2 Y34V4
Y33 V ( 0)
3
( )
1 j 0.5
1
( 1 + j 3)(1.04 ) ( 0.666 + j 2 )(1.03946 + j 0.03351) ( 2 + j 6 )
3.666 j11 1 j 0
2.7992 j11.6766
=
= 1.0317 j 0.08937 .
3.666 j11
=
V4
1 P4 jQ4
(1)
(1)
=
Y41V1 Y42V2 Y43V3
Y44 V ( 0)
4
( )
1 0.3 + j 0.1
( 1 + j 3)(1.0394 + j 0.0335 ) ( 2 + j 6 )(1.0317 j 0.08937 )
3 j9 1 j 0
169
ITM-DIE
2.9671 j8.9962
= 0.9985 j 0.0031 .
3 j9
Supongamos ahora que los lmites permisibles para la potencia reactiva en el bus 2 son
cambiados, y
previamente calculado de Q2 ( = 0.2079 ) , permanece igual. Sin embargo este valor ahora
viola el lmite Q2,min , por lo que debemos entonces fijar el valor de dicha potencia reactiva
inyectada al bus 2, en el valor del lmite violado, y convertir este bus en un bus tipo PQ,
con Q2 = 0.25 . Con esto debemos recalcular los voltajes de los buses, con los nuevos
valores tomados en cuenta. Los valores de los voltajes en este caso son (tomando en cuenta
arranque plano, como antes)
(1)
V2
1 P2 jQ2
( 0)
( 0)
=
Y21V1 Y23V3 Y24V4
Y22 V ( 0)
( )
0.5 j 0.25
1
( 2 + j 6 )(1.04 ) ( 0.666 + j 2 ) ( 1 + j 3)
3.666 j11 1 j 0
4.246 j11.49
= 1.0559 + j 0.0341 .
3.666 j11
Voltaje en el bus 3
(1)
V3
1 P3 jQ3
(1)
( 0)
=
Y31V1 Y32V2 Y34V4
Y33 V ( 0)
( )
1 j 0.5
1
( 1 + j 3)(1.04 ) ( 0.666 + j 2 ) (1.0559 + j 0.0341) ( 2 + j 6 )
3.666 j11 1 j 0
2.8112 j11.709
= 1.0347 + j 0.0893
3.666 j11
pu .
Voltaje en el bus 4
(1)
V4
1 P4 jQ4
(1)
( 0)
=
Y41V1 Y42V2 Y43V3
Y44 V ( 0)
( )
170
ITM-DIE
1 0.3 + j 0.1
( 1 + j 3)(1.0509 + j 0.0341) ( 2 + j 6 )(1.0347 j 0.0893)
3 j9 1 j 0
4.063 j 9.4204
= 1.0775 + j 0.0923
3 j9
pu .
)
Vi ,(acel) = Vi ,(acel
+ Vi (
l +1
l +1)
)
Vi ,(acel
.
l
nica forma reportada, hasta donde el conocimiento del autor alcanza, consiste en hacer
pruebas para encontrara el valor ms adecuado para un sistema particular. Sobretodo en el
pasado se escribi mucho al respecto [2], [8] y las conclusiones a que se llegaron, son las
indicadas arriba.
Como se mencion anteriormente, el generador puede efectuar control en la magnitud de
voltaje, debido a que puede inyectar potencia reactiva en un bus, en la medida requerida
con el fin de mantener, dentro de ciertos lmites, la magnitud de voltaje en le valor
requerido. El generador no es el nico dispositivo que pede llevar a cabo este control y de
hecho existen dispositivos que pueden controlar no nada ms la magnitud de voltaje, sino
su ngulo, con la finalidad de controlar, a su vez, el flujo de potencia activa en un elemento
de transmisin. Uno de estos dispositivos se discute en la siguiente seccin.
171
ITM-DIE
Ii
yt
Ij
Vx
Vi
1:a
Vj
Los buses asociados con las terminales son los buses i y j; el bus x es un bus ficticio usado
para formular el modelo de dicho transformador. La derivacin o tap est conectado al bus
j. Cabe hacer el comentario de que el trmino tap es un anglicismo muy usado; sin
embargo en espaol se usa derivacin o toma, lo cual causa a veces confusin. Aqu
usaremos el primero.
De la figura anterior vemos que
1
Vx = V j
a
I i = a* I j
Lino Coria Cisneros
172
ITM-DIE
La ltima ecuacin se obtiene tomando en cuenta que a puede ser compleja o real, y
adems considerando que la potencia compleja es la misma en ambos lados del
transformador (transformador ideal), por lo que si el voltaje se transforma con un
defasamiento de voltaje positivo, la corriente lo har con un ngulo negativo.
Por otro lado
I i = yt (Vi Vx )
(i)
De donde
I i = ytVi
yt
Vj
a
Ij =
1
Ii
a*
Ij =
1
a*
yt
yt
yt
y
V
V
=
V
+
Vj
i
2
t i a j
a*
(ii)
yt
Ii
I = y
j *t
a
yt
a Vi
yt V j
2
a
Si a es real, caso de transformador regulador (TCUL por sus siglas en ingls), la matriz de
admitancias ser simtrica (elemento bilateral) y tendr una representacin a travs de un
circuito asociada, como se muestra en la siguiente figura.
173
Bus i
ITM-DIE
yt
a
Bus j
Bus del lado
del tap
a 1
1 a
yt
a
174
ITM-DIE
(
(
y f x( k ) x ( k ) ..., x ( k )
n
1 1 1 , 2 ,
(k ) (k )
(k )
y2 f 2 x1 , x2 , ..., xn
.....
y f x ( k ) x ( k ) ..., x ( k )
n
n
1 , 2 ,
n
)
)
)
f1
x1
f 2
= x
1
.
f n
x1
f1
x2
f 2
x2
f n
x2
f1
xn k
k
x1
f 2 k
...
x
xn k 2
...
.
. k
xn
f n
...
xn k
...
[ J ] C = D
(2.3.6)
(2.3.7)
variables y de (2.3.6), mientras que las funciones evaluadas en los valores de las incgnitas
obtenidas en la iteracin k-sima, son las expresiones de las potencias.
175
ITM-DIE
(2.5.1a)
f qi ( V , ) = Qi ( especificada ) Qi ( calculada ) = Qi = 0
(2.5.1b)
donde las expresiones que definen a Pi y a Qi, son las expresiones que hemos venido
usando en varios puntos de este material y que se repiten aqu por conveniencia
Pi = Vi
k =1
Qi = Vi
V
k =1
i = 1, 2,..., n
Yik sen ( ik + k i )
(2.5.2)
i = 1, 2,..., n
Pi =
Qi
Pi
m
Pi
Vm
Qi
m
Qi
Vm
m
Vm
de los buses PQ, se asignarn ambos elementos en el vector de desajustes, pues se conocen
Lino Coria Cisneros
176
ITM-DIE
las inyecciones de potencia real y reactiva. Al mismo tiempo recordamos que en estos
buses (PQ), son incgnitas la magnitud de voltaje y el ngulo de ste, por lo que aparecern
ambos en el vector de correcciones, para este tipo de bus. Dado lo anterior, nos damos
cuenta que habrn dos ecuaciones para cada bus de este tipo.
Por otro lado, en el caso de los buses PV, nicamente se conoce la potencia activa
inyectada al bus, por lo que aparecer nicamente el desajuste de potencia activa en el
vector de desajustes correspondiente. Adems recordemos que en este tipo de bus se
desconocen los ngulos de voltaje, por lo que aparecer el trmino correspondiente en el
vector de correcciones. Tomando en cuenta lo anterior, vemos que existir nicamente una
ecuacin para este tipo de bus.
En base a la discusin anterior vemos que el nmero de ecuaciones que constituyen
el modelo matemtico de flujos en el Newton-Raphson ser: 2 npq + npv. Es obvio que para
el bus compensador no habr necesidad de escribir ecuacin, pues por un lado, no
conocemos las inyecciones de potencia activa ni reactiva, por lo que no existen dichos
trminos en el vector de desajustes; por otro lado, el voltaje de dicho bus ( magnitud y
ngulo) no constituye incgnita.
La formulacin anterior se conoce como formulacin polar, debido a que las
variables se expresan en formato polar. Existe otra formulacin, denominada formulacin
rectangular, que est basada en la expresin de las variables del problema en su forma
rectangular, de ah su nombre. Sin embargo, esta ltima formulacin no es tan popular
como la formulacin polar, debido fundamentalmente a que sta es ms eficiente en
general; aunque podran existir casos en que esto no sea as, estos casos seran especiales.
Hasta este punto vimos la formulacin general del modelo de flujos de potencia en
su forma polar.
177
ITM-DIE
usaremos en este material, no debe causar ningn problema, pues finalmente es cuestin de
respetar la definicin durante el desarrollo de las expresiones mencionadas y ser consistente
con su definicin.
Las expresiones de las cantidades que forman el vector de desajustes fueron
definidas previamente, ecuaciones (2.5.1a), (2.5.1b) y (2.5.2), las cuales combinadas nos
proporcionan las expresiones finales
n
Vi Vk Yik cos ( ik + k i )
(2.5.3)
Qi = Qiespec Vi Vk Yik s en ( ik + k i )
k =1
(2.5.4).
Pi = Pi
espec
k =1
Notar que el trmino Vi se introdujo dentro de la sumatoria, debido a que el ndice de sta
es k, y por tanto no se produce ninguna alteracin realmente en la expresin.
Para desarrollar las expresiones de la matriz Jacobiana, definimos las variables matriciales
del modelo como se indica
P [ J1 ] #
" = " #
Q [ J 3 ] #
[ J 2 ]
" "
[ J 4 ] V
(2.5.5).
[ J1 ] =
P
V
[ J2 ] =
[ J 3 ] =
Q
V
[ J4 ] =
178
ITM-DIE
la variacin de la potencia en un bus con respecto al ngulo de otro bus; en contraparte, nos
referiremos a los elementos de la diagonal de dichas submatrices, como los elementos que
indican la variacin de la potencia en un bus con respecto a la variacin del ngulo en el
mismo bus. Con el fin de tener a la mano las expresiones que usaremos para encontrar los
elementos de la matriz Jacobiana, repetimos aqu las expresiones de la potencia, ecuacin
(2.5.2), incluso con una pequea variante, adecuada para este fin.
Para la potencia activa
n
= Vi
k =1
k i
k =1
k i
= Vi
k =1
k i
k =1
k i
Como se podr observar, las pequeas modificaciones son simplemente variantes de las
expresiones de potencia, en las que se ha separado, por conveniencia, el trmino para k =
i,
adems
como
Yik = Yik ik ,
por
lo
que
tambin
tendremos
n
Pi
= Vi Yik Vk sen (ik + k i ) (elemento diagonal).
i k =1
(2.5.6a)
(2.5.6b)
k i
179
ITM-DIE
Elementos de [ J 2 ] :
Pi
= Vi Yik cos (ik + k i )
Vk
ik
(2.5.6c)
n
Pi
= 2 Vi Yii cos ii + Yik Vk cos (ik + k i )
Vi
k =1
(2.5.6d)
k i
Elementos de [ J 3 ] :
Qi
= Vi Yik Vk cos (ik + k i )
k
ik
(2.5.6e)
n
Qi
= Vi Yik Vk cos (ik + k i )
i k =1
(2.5.6f)
k i
Elementos de [ J 4 ] :
Qi
= Vi Yik s en (ik + k i )
Vk
ik
(2.5.6g)
n
Qi
= 2 Vi Yii s enii Yik Vk sen (ik + k i )
Vi
k =1
(2.5.6h).
k i
P ( l ) [ J1 ](l ) #
"
#
= "
(l )
(l )
#
Q [ J 3 ]
[ J 2 ]( ) (l )
Es importante
recordar que si tenemos npv buses PV, entonces el mismo nmero de ecuaciones que
involucran a Q y a V y sus correspondientes [ J 3 ] columnas de la matriz Jacobiana
180
ITM-DIE
Pi ( ) = Pi espec Pi ( )
(2.5.8a)
(2.5.8b)
l +1)
(2.5.9a)
= Vi ( ) + Vi ( )
l
(2.5.9b).
0)
donde se especifican Vi y Pi espec ,los ngulos de fase se inicializan igual al del bus
compensador, esto es, 0.0 i( ) = 0 .
0
2. Para buses tipo PQ, Pi ( ) y Qi( ) se calculan por medio de las ecuaciones (2.5.2),
l
mientras que
(2.5.8b).
3. Para buses tipo PV Pi ( ) y Pi ( ) se calculan a travs de (2.5.2) y (2.5.8a),
l
respectivamente.
181
ITM-DIE
calculados por medio de las ecuaciones (2.5.8a) y (2.5.8b), cumplan con el criterio
de convergencia que deseado, el cual se especificar como parte de los datos de
inicializacin del programa,
Pi ( )
l
Qi( ) .
l
Si ocurre convergencia, entonces los valores de las variables obtenidas hasta este punto,
sern la solucin y se proceder a calcular los flujos en los elementos de transmisin y
las prdidas, tanto en estos como las prdidas totales del sistema.
EJEMPLO. En este punto es conveniente introducir un ejemplo sencillo, que permita
afianzar los conceptos que se han discutido hasta ahora, acerca del mtodo de NewtonRaphson. Consideremos el sistema de tres buses que se muestra en la figura 2.5.1. La
Tabla 1, muestra los datos correspondientes a los buses; adems, para non complicar
innecesariamente el ejemplo, consideremos las tres lneas de transmisin iguales, con una
impedancia serie de 0.02 + j 0.08 pu, y una admitancia en derivacin total de j0.02 pu. La
fuente de potencia reactiva del bus 3 tiene la restriccin 0 QG 3 1.5 pu. Se usar una
tolerancia de 0.01 para el desajuste de potencia.
182
ITM-DIE
BUS 2
BUS 1
BUS 3
BUS
PD
QD
PG
QG
1(COMP)
2.0
1.0
2 (PQ)
0.0
0.0
0.5
1.0
3 (PV)
1.5
0.6
0.0
V
1.04+j0
_
1.04
Con los datos de las lneas de transmisin proporcionados, podemos ver fcilmente que
todos los trminos diagonales y de fuera de la diagonal de matriz YBUS , son iguales entre si,
por lo que la matriz resulta
YBUS
24.23 75.950
= 12.13104.040
0
12.13104.04
12.13104.040
24.23 75.950
12.13104.040
12.13104.040
12.13104.040
24.23 75.950
183
ITM-DIE
de donde sustituyendo en las ecuaciones anteriores obtenemos los siguientes valores para el
estimado de las potencias inyectadas a los buses
P2( ) = 0.23
0
P3( ) = 0.12
0
Q2( ) = 0.96
0
pu
pu
pu
0 ) calc
0 )calc
0 )calc
= 1 ( 0.96 ) = 1.96
pu
pu
pu
Estos valores son los elementos del vector de desajustes. Estos valore sern confrontados
con la tolerancia , que se especific en los datos de entrada del programa.
El siguiente paso, una vez que se ha verificado que an nos e tiene convergencia, es evaluar
los elementos de la matriz Jacobiana, por medio de las ecuaciones desarrolladas
previamente,(2.5.6a-h), lo cual resulta en la matriz Jacobiana que se muestra a
continuacin, dentro del sistema de ecuaciones correspondientes al Newton-Raphson.
P2
2
P2
P3
P3 =
2
Q
2
Q2
2
P2
3
P3
3
Q2
3
P2
V2
2
P3
3
V2
V2
Q2
V2
184
P2
2
P
3
2
Q2
2
P2
3
P3
3
Q2
3
ITM-DIE
P2
V2
24.47 12.23 5.64
P3
= 12.23 24.95 3.05 .
V2
3.05 22.54
6.11
Q2
V2
1)
(
6.11
3.05
22.54
1.96
0.089
V2
con lo que los valores corregidos resultan
(1) ( 0)
estipulado el lmite, como QG( 3) = Q3( ) + QD 3 = 0.4677 + 0.6 = 1.0677 , cuyo valor est dentro
1
de lmites.
Si proseguimos de la manera que ejemplifica este ejemplo, en tres iteraciones llegamos a
los resultados que se muestran a continuacin,
S2 = 0.5 + j1.0
185
ITM-DIE
S3 = 1.5 j 0.15
prdidas totales = 0.031 pu
Se le sugiere al lector verificar a detalle los resultados mostrados.
Existen una serie de medidas que se pueden adoptar para hacer ms eficiente el
mtodo de Newton-Raphson, las cuales van desde detalles de programacin, pasando por el
uso insustituible de las tcnicas de dispersidad, por supuesto incluidos los mtodos
desacoplados, a los cuales nos referiremos ms adelante. Pero de este conjunto de medidas,
hay una que veremos en este caso y que consiste en una serie de planteamientos que ayudan
a hacer ms eficiente el mtodo y que denominaremos mtodo de Newton-Raphson
k =1
k =1
k i
k =1
k i
Qi
i
Qi
2
= Pi Vi Gii
i
n
(2.5.10)
k =1
k i
k =1
k =1
k i
k =1
k i
Pi
i
(2.5.11).
Pi
2
= Vi Bii Qi
i
186
ITM-DIE
Iniciamos comparando las expresiones (2.5.6a-b). Empezamos por los elementos fuera de
la diagonal, aquellos que se caracterizan por la relacin i k .
Comparamos (2.5.6a) con (2.5.6g) y vemos que las expresiones del lado derecho de estas
ecuaciones, difieren nicamente por un trmino : Vk , es decir, que esto lo podemos
expresar como
Pi
Qi
. Lo anterior nos invita a concluir que si multiplicamos el
= Vk
k
Vk
Vk
Vk
Qi
Qi
Vk Vk
Vk
Vk
Vk
Vk
[ J2 ]
[ J3 ] ,
expresiones del lado derecho de las ecuaciones mencionadas, difiere nicamente por el
signo y la magnitud de voltaje multiplicando a la expresin de
[ J2 ] ,
es decir
187
Vk
ITM-DIE
Pi
Q
i . Sin embargo, al igual que en el caso anterior, debemos estar alerta y ver
Vk
k
V
k
V
k
Pi
Pi
Vk Vk
Vk
Vk
Vk
Vk
De nueva cuenta, lo anterior implica que al resolver el sistema de ecuaciones del modelo
matemtico del Newton-Raphson, debemos multiplicar el trmino solucin por Vk , con el
fin de obtener la correccin que se usar en la obtencin del estimado del voltaje en la
iteracin correspondiente.
Con respecto a los trminos diagonales, tambin se pueden sacar algunas conclusiones que,
al igual que en los casos anteriores, mejoran la eficiencia del mtodo.
Para esto
(2.5.6b)
k i
(2.5.11)
k =1
k i
188
ITM-DIE
Pi
= 2 Vi Yii cos ii + Yik Vk cos (ik + k i )
Vi
k =1
n
(2.5.6d)
k i
(2.5.10)
k =1
k i
( Vi
n
Pi
2
2
2
=
V
G
+
Vi Yik Vk cos (ik + k i ) = Vi Gii + Pi
)V
i
ii
k =1
i
k i
Pi
(V ) V
i
(2.5.6f)
k i
(2.5.10).
k =1
k i
Observamos que
n
k =1
k i
obtenemos
Qi
,
i
por
lo
que
despejando
Qi
2
= Pi Vi Gii . De nuevo, esto tiene importancia en el clculo para la
i
189
ITM-DIE
Qi
= 2 Vi Yii s enii Yik Vk sen ( ik + k i )
Vi
k =1
n
(2.5.6h)
k i
(2.5.11)
k =1
k i
Vemos que
( Vi
n
Qi
2
2
=
V
B
i
ii
k =1
i
k i
observamos que para utilizar este resultado hemos tenido que multiplicar por Vi , por lo
que se repite la conclusin en el sentido de que la solucin obtenida, ser la correccin
Qi
( )V
Pi
.
i
[ J1 ]diag
Pi
2
= Qi Vi Bii
i
[ J 3 ]diag
Qi
2
= Pi Vi Gii .
i
Obtenemos:
[ J 2 ]diag
[ J 4 ]diag
= Vi
= Vi
Pi
2
= [ J 3 ]diag + 2 Vi Gii
Vi
Qi
2
= [ J1 ]diag 2 Vi Bii .
Vi
[ J1 ] fd = [ J 4 ] fd
[ J 3 ] fd
= [ J 2 ] fd
o bien
Pi
Qi
=
k Vk
o bien
Qi
P
= i .
k
Vk
190
ITM-DIE
P [ J1 ]norm
" = "
Q [ J 3 ]norm
# [ J 2 ]norm
#
" "
# [ J 4 ]norm V
YBUS, dado que existen un a cantidad importante de variantes, p. ej. ZBUS, y las
formulaciones basados en el elemento topolgico de lazo, la mayora de las cuales tiene
nicamente inters histrico [2], por lo que generalmente en estos cursos de nivel
licenciatura, primordialmente se cubren las formulaciones aqu analizadas.
La primera experiencia que se tiene entre estos dos mtodos es que mientras en GS la
formulacin en formato rectangular trabaja bien, en el caso del NR esta formulacin
requiere ms memoria, que la formulacin vista en estas notas, o sea que la formulacin
polar. Adems el GS requiere menos operaciones aritmticas por iteracin, debido a la
dispersidad de la red y la simplicidad del mtodo; esto ltimo constituye una ventaja con
respecto al NR. En el NR los elementos de la matriz Jacobiana deben calcularse en cada
iteracin, por lo que el costo en timepo por iteracin en este mtodo es ms grande que en
el GS. Aproximadamente una iteracin del NR es equivalente a 7 iteraciones del GS, para
un sistema grande tpico [11]. El tiempo en ambos mtodos se incrementa con el nmero
de buses.
191
ITM-DIE
Se requieren,
192
ITM-DIE
lado, vimos tambin, que un cambio en la magnitud del voltaje V en un bus, afecta
preponderantemente el flujo de potencia reactiva, dejando prcticamente sin cambio, el
flujo de potencia activa. Esto conduce a una serie de medidas que han culminado en una
variante del mtodo de NR, produciendo un mtodo muy eficiente y que discutiremos en
esta unidad II.6.
Si recordamos la ecuacin matricial del mtodo de NR,
P ( l ) [ J1 ](l ) #
"
#
= "
(l )
l
()
#
Q [ J 3 ]
[ J 2 ]( ) (l )
" "
l
l
[ J 4 ]( ) V ( )
l
vemos que lo mencionado en el prrafo anterior, implica que el efecto, sobre la solucin, de
las matrices
[ J2 ]
[ J3 ] ,
es prcticamente nulo.
[ P] = [ J1 ][ ]
[ Q ] = [ J 4 ] V .
Las ecuaciones anteriores muestran el denominado mtodo Desacoplado de Newton. La
razn del nombre es obvia, dado que se observa que podemos calcular las correcciones de
ngulo de voltaje, en funcin nicamente de los desajustes de potencia activa, mientras que
en el caso de la segunda ecuacin
[ J4 ] ,
a su vez
193
ITM-DIE
dependen de los ngulos de voltaje, cuyas correcciones resuelve la primera ecuacin. Por
lo expuesto, entonces vemos que no existe desacoplamiento en estricto sentido.
La meditacin sobre estas ideas condujo a Stott y otros [10] a buscar la forma de obtener un
mtodo que realmente estuviera desacoplado matemticamente; adems del inters de
obtener el desacoplamiento ya mencionado, tambin es deseable evitar la carga de clculo
tan importante que representa la actualizacin de la matriz Jacobiana en cada iteracin.
Estos objetivos se lograron observando la fsica de los elementos de transmisin,
principalmente la lnea, y reflejando estas observaciones en simplificaciones adecuadas,
con el fin de llegar al objetivo mencionado. Estas simplificaciones dieron por resultado un
mtodo con las caractersticas mencionadas que se denomin Mtodo desacoplado rpido.
En lo que sigue, discutimos estas consideraciones y sus efectos sobre el mtodo.
En un sistema de potencia bien diseado y correctamente operado, se tiene las siguientes
caractersticas:
Debido a los valores de la reactancia inductiva serie , que caracteriza a las lneas de
transmisin de alto voltaje, la diferencia angular ( i k ) entre buses adyacentes en
el sistema es generalmente muy pequea, por lo que
cos ( i k ) 1 y sen ( i k ) ( i k ) .
Es preciso en este punto volver a escribir las ecuaciones que definen los elementos de la
matriz Jacobiana, de otra forma se perdera sentido a los argumentos anteriores.
A partir de las expresiones de las potencias obtenidas a partir de
n
Pi + jQi = Vi YikVk = Vi
k =1
(G
k =1
ik
jBik ) Vk e
j ( i k )
observar que esta expresin es un poco diferente de la que hemos venido utilizando,
simplemente por conveniencia, sin embargo no altera los conceptos en los ms mnimo.
194
ITM-DIE
Pi = Vi
Qi = Vi
( G
ik
k =1
n
( G
k =1
ik
[ J1 ](i,k ) = [ J 4 ](i,k ) = Vi
[ J1 ](i ,i ) = Bii Vi
Qi
[ J 4 ](i ,i ) = Bii Vi
+ Qi .
[ J1 ](i ,k ) = [ J 4 ](i,k ) = Vi
Vk Bik
ik
i=k.
tiene dimensin ( n pq + n pv ) ( n pq + n pv ) y
[ J 4 ] tiene dimensin ( n pq + n pq ) .
195
ITM-DIE
[ Pi ] = ViVk Bpq' [ i ]
Vi
.
Vi
[ Qi ] = ViVk Bpq''
'
''
En estas ecuaciones B pq y B pq , son elementos de la matriz [ B ] , que es el negativo
Pi
'
= B [ i ]
Vi
Qi
''
= B [ Vi ] .
Vi
El sistema de ecuaciones
desacoplamiento efectivo, vemos que las matrices de coeficientes, B ' y B '' , son
constantes en todo el proceso iterativo, por lo que la enorme carga de trabajo de
actualizacin de la matriz Jacobiana, se ha eliminado. Lo anterior implica que cualquier
mtodo de factorizacin triangular, como por ejemplo , Doolittle, Crout bifactorizacin
de Zollenkopf, tendr un impacto enorme tanto en el manejo de la matriz de coeficientes,
como en la eficiencia de la solucin del sistema de ecuaciones lineales, pues una vez
factorizada y guardada la tabla de factores, no habr necesidad de modificar dicha matriz
durante todo el proceso iterativo. El uso de tcnicas de dispersidad, indispensables para la
simulacin de grandes sistemas elctricos, hacen an ms eficiente este mtodo.
Lino Coria Cisneros
196
ITM-DIE
EJEMPLO.
ejemplificar el mtodo de Gauss-Seidel . Los datos de las lneas de dicho sistema, as como
los datos de buses, estn contenidas en las Tablas 1 y 2 en dicha unidad. Por comodidad
mostramos dichas tablas, as como el sistema de potencia.
BUS 1
BUS 2
BUS 3
BUS 4
197
ITM-DIE
BUS
Qi
Vi
1.0400
Tipo de bus
0.5
-1.0
0.5
Bus PQ
0.3
-0.1
Bus PQ
compensador
V2 = 1.04
Bus PV
R, pu
X, pu
G, pu
B,pu
1-2
0.05
0.15
2.0
-6.0
1-3
0.10
0.30
1.0
-3.0
2-3
0.15
0.45
0.666
-2.0
2-4
0.10
0.30
1.0
-3.0
3-4
0.05
0.15
2.0
-6.0
No hay que perder de vista que los valores de potencia que se muestran en la Tabla 1,
corresponden a la potencia neta inyectada. Adems usaremos un arranque plano, es decir
con magnitudes de voltaje igual a 1.0 y ngulos de cero grados.
La matriz YBUS es igual a
YBUS
2 + j 6
1 + j 3
0
3 j9
2 + j 6 3.666 j11 0.666 + j 2 1 + j 3
=
1 + j 3 0.666 + j 2 3.666 j11 2 + j 6
1 + j 3
2 + j 6
3 j9
0
9.49 71.57 0
6.32108.430
3.16108.430
11.59 71.57 0
2.11108.420
11.59 71.57 0
0
0
3.16108.43
6.32108.430
9.49 71.57 0
198
ITM-DIE
Primeramente calculamos las potencias inyectadas que nos permitirn, a su vez, calcular los
desajustes de potencia.
+ V3Y34V4 cos ( 43 + 3 4 ) =
= (1.04 ) ( 6.32 ) cos (108.430 ) + (1.04 ) (11.59 ) cos ( 71.57 0 ) + (1.04 ) (1.0 ) ( 2.11)(11.59 ) cos (108.430 ) +
2
= ( 3.16 1.04 ) cos (108.430 ) + ( 6.32 ) cos (108.430 ) + ( 9.49 ) cos ( 71.570 ) =
= 1.04 2.0 + 3.0 = 0.04 .
V3Y34V4 s en (34 + 4 3 ) =
= ( 3.16 1.04 ) s en (108.430 ) ( 2.11 1.04 ) s en (108.420 ) (1.04 ) (11.59 ) s en ( 71.57 0 )
2
199
ITM-DIE
1.04 = 0.41 11 2 3 2
3.23 = 2 11 6 3
0.34 3 6 9
4
cuya solucin es
2 = 0.15 rad
3 = 0.52 rad
4 = 0.36 rad
Q
= B '' [ V ] resulta
La solucin del modelo reactivo
0.19
1.0 11 6 V3
0.02 6 9 V4
1.0
V3 = 0.03
pu
V4 = 0.01 pu
0)
+ V3(
0)
pu
V4( ) = V4(
0)
+ V4(
0)
pu
200
ITM-DIE
Con estos valores, procederemos a calcular de nueva cuenta las potencias inyectadas para
poder entonces evaluar, a su vez, los desajustes correspondientes. En este punto se checa
convergencia para saber si ya se est en la solucin bien, se requiere seguir iterando. El
alumno podr hacer uso del programa en MATLAB que se proporciona con el fin de
efectuar las prcticas de simulacin, y obtener el resultado final de este ejemplo.
Con el fin de completar la visin completa del algoritmo del mtodo desacoplado rpido,
mostramos un diagrama de flujo de este.
Valores de arranque
V0, 0, k=0
CALCULAR( P/V)
SI
CONVERGE?
=(-B)-1(P/V)
CONVERGE
Q?
SI
NO
k=k+1
RESULTADOS
CALCULAR (Q/V)
SI
SI
CONVERGE?
CONVERGE
P?
NO
V=(-B)-1(Q/V)
NO
201
ITM-DIE
BIBLIOGRAFIA.
[1] O. I. Elgerd. Electric energy systems theory, an introduction. 2nd edition. McGraw
Hill. (1982).
[2] G. W. Stagg, A. H. El-Abiad. Computer methods in power system anlisis. McGraw
Hill. (1968).
[3] J. J. Grainger, W. D. Stevenson Jr. Power system analysis. McGraw Hill. (1994)
[4] G. Heydt. Computer analysis methods for power system. Star in a circle publications.
(1996).
[5] H. Saadat. Power system analysis. McGraw Hill. (1999)
[6] A. Bergen. Power system analysis. Prentice Hall. (1986).
[7] D. Glover, M. Sarma. Power system analysis and design. 2nd. Edition. PWS. (1994)
[8] Brameller, et al. Spartsity. Pitman Ltd. (1976)
[9] Antonio Gmez-Expsito. Anlisis y operacin de sistemas de energa elctrica.
McGraw Hill. (2002).
[10] W. F. Tinney, C. E. Hart. Power flow solution by Newtons method. IEEE Trans.
PA&S, Vol.86, Nov. 1967.
[11] B. Stott, O. Alsac. Fast decoupled load flow. IEEE Trans. PA&S, Vol. 93, May 1974,
pp. 859-869.
202
ITM-DIE
ANALISIS
DE
FALLAS
EN
SISTEMAS ELECTRICOS
205
ITM-DIE
3.1. INTRODUCCION.
Aunque los sistemas sean diseados tomando en cuenta las normas para tal efecto,
un sistema 100% infalible es imposible de disear y construir, pues adems de la
imposibilidad natural para obtener un producto perfecto, tampoco es adecuado hacerlo,
desde el punto de vista econmico, por lo que cualquier sistema elctrico est expuesto a
las contingencias asociadas con las fallas en su operacin. Adems el envejecimiento
natural de los componentes de dichos sistemas, es una de las causas naturales de la
presencia de fallas en los sistemas. Por orto lado existen fenmenos de carcter aleatorio y
debido a la naturaleza, que tambin son causa muy frecuente de dichos problemas.
206
ITM-DIE
manera el dejar sin servicio de manera innecesaria partes del sistema. Por otro lado existe
la necesidad de determinar la capacidad de los interruptores. Esto ltimo es importante
hacerlo en funcin de obtener una operacin de stos correcta, pues de no poseer la
capacidad necesaria el efecto puede ser catastrfico e implicar prdidas materiales y
humanas.
Ambas tareas arriba mencionadas requieren de un conocimiento preciso de los
valores asociados con las fallas, que pueden ocurrir en le sistema, dichos valores son
obtenidos a travs un estudio de fallas del sistema.
Existen ms aplicaciones del anlisis de fallas, pero con el objeto de no hacer
voluminoso de manera innecesaria este material, exponemos nicamente el caso de
proteccin de los sistemas elctricos, que es, sino la ms importante, una de las
aplicaciones ms importantes de dicho estudio.
207
ITM-DIE
di
+ Ri = E max sen(t + )
dt
Esta ecuacin est formada por dos trminos: uno de carcter unidireccional
y que se denomina componente transitoria de CD; el otro constituye la respuesta en estado
estable, y es el trmino que queda despus de transcurrido suficiente tiempo, que garantice
que la componente unidireccional se ha desvanecido.
208
ITM-DIE
de la corriente en una fase del generador sncrono bajo corto circuito, en el cual se ha
eliminado la componente unidireccional haciendo = para dicha fase.
xd "=
E max
I" max
x' d =
E max
I' max
xd =
E max
I max
209
ITM-DIE
Es obvio que x" d < x' d < x d . Los valores de las corrientes subtransitoria,
transitoria y de estado estable se definen I" =
Eg
x" d
, I' =
Eg
x' d
,I=
Eg
xd
210
ITM-DIE
V = V 0 + V
(3.13)
Donde
V1 0
V1
V1
0
V
V
V2
2
0
2 .
,V =
V=
0 , V =
V3
V3
V3
0
V4
V4
V4
211
ITM-DIE
V = ZI
(3.14)
de donde
tenemos que
V30
I3 =
Z 33
(3.15a)
212
ITM-DIE
(3.15b)
Iq =
Vq0
Z qq
Vq = 0
Vi = Vi + Z iq I q
(3.16a)
iq
Vq0
Z qq + z f
Vq = z f I f
Vi = Vi0 + Z iq I q
(3.16b)
iq
Vi Vj
z ij
(3.17)
213
ITM-DIE
corriente de falla, sino tambin desarrollar suficiente rigidez de aislamiento para soportar el
voltaje de recuperacin, que se desarrolla a travs de los polos del interruptor durante su
separacin. Lo anterior implica que el interruptor deber interrumpir la corriente de falla y
tambin soportar el voltaje de sistema completo a travs de sus contactos separados, y el
producto de estas dos cantidades es obviamente la CCC en el punto de localizacin del
interruptor. La CCC debida a falla trifsica simtrica, proporciona ( los datos nominales) la
capacidad del interruptor.
2. En el anlisis de los sistemas: corto circuito, flujos de carga, estabilidad , etc., puede no
ser necesario representar detalladamente una porcin del sistema, p.ej. un rea remota al
punto de inters. Como por definicin
CCC = V 0 I f
(3.18)
1
CCC
(3.19)
214
ITM-DIE
COMPONENTES SIMETRICAS
La transformacin de componentes simtricas fue planteada por primera vez
por Fortescue a principios del presente siglo. En su planteamiento original Fortescue no
recurri a las ideas del lgebra lineal, a las cuales nosotros recurriremos ms adelante.
Estos principios matemticos son el fundamento no solo de las componentes simtricas,
sino de todas las transformaciones conocidas.
Consideremos una red trifsica balanceada con matrices de impedancia y
admitancia Zbus y Ybus. Estas matrices tienen n columnas y renglones. Si cada elemento de
esas matrices, Yij por ejemplo, se examina en detalle, el bus y puede ser reconocido como
un circuito de tres nodos correspondiente a las tres fases. De manera similar, el bus j puede
ser referido como un circuito de tres nodos. De esta forma Yij , un elemento de Ybus, puede
3
ser referido como una submatriz de 3x3, Yij3 , correspondiente a la matriz (3nx3n), Ybus
.
3
3
y Z bus
es de la forma
Para una red de transmisin balanceada, cada submatriz de Ybus
s m m
D = m s m
m m s
(3.20)
3 + s2 + (3s 2 + 2m 2 ) + s 3 2m 2 s + 2m 3 = 0
Las races de este polinomio son
=sm
=s-m
(3.21)
= s +2 m
Estas races son los valores caractersticos de D y se denominan los valores caractersticos
de secuencia positiva , negativa y cero, respectivamente. Los correspondientes vectores
215
ITM-DIE
|| e+ || 0
(3.22)
( D I )e = 0
|| e || 0
(3.23)
( D 0 I )e0 = 0
|| e0 || 0
(3.24)
1
1
e =
3 2
1
1
1
e0 =
3
1
donde = 1e j120 .
0
e 1
e = e 2
e3
e 1 + e 2 + e 3 = 0
y para
e01 k
e0 = e02 = k
e03 k
216
ITM-DIE
M H = M 1
MH es la operacin Hermitiana sobre una matriz, conocida como transposicin compleja
conjugada, y se define como
( M H ) ij = ( M ) *ji .
Cuando M tiene elementos reales, MH es equivalente a la transposicin, Mt. Una matriz
para la cual MH = M-1 se llama unitaria. Si MH = M, entonces M es una matriz hermitiana.
Si D es la submatriz de (3x3), Yij3 , la ecuacin
I = Yij3 V'
se desacopla mediante
V = MV '
I = MI '
sustituyendo obtendremos
MI '= Yij3 MV'
lo cual nos conduce a
I ' = [ M 1Yij3 M]V'
I ' = ijV '
donde
ij = diag 0ij , + ij , ij
)
217
ITM-DIE
se convierte en
1 3f
012
I 012
bus = T Ybus TVbus
donde
M 0 0
0 M 0
T= 0 0 M
.
.
.
0 0 0
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
0
0
0
.
y
3f
MI 012
bus = I bus
012
3f
MVbus
= Vbus
I 3b fu s
V b3uf s
se transforma usando la
V b0u1s2
en la ecuacin
de arriba es
012
bus
.
.
. . .
3f
bus
218
ITM-DIE
3f
ha sido diagonalizado. Es decir, el rengln 1 en (14)
Cada bloque de 3x3 de Ybus
est acoplado solamente a los renglones 4,7,10,etc. , mientras que el rengln 2 est
acoplado nicamente a los renglones 5,8,11,etc. Si extraemos los renglones 1,4,7,10,etc.
obtenemos la relacin para secuencia positiva
+
+
I +bus = Ybus
Vbus
De manera similar
I bus = Ybus
Vbus
0
0
I 0bus = Ybus
Vbus
1 1
1
1 a2
M=
3
1 a
a2
Dado que el orden de las tres fases no tiene que ser 0,1,2 como es el caso
anterior,
podemos
obtener
otras
transformaciones,
asociadas
con
otros
tantos
Sin embargo, el
1
1
y el factor de M-1 es , esto a diferencia de que en nuestro caso, tanto M
3
3
1
.
3
invariante en la potencia.
219
ITM-DIE
3
1 a
a2
M 1
1 1
1
1 a
=
3
2
1 a
a2
220
ITM-DIE
Si inyectamos una corriente , Ik , al nodo k con los dems nodos en circuito abierto
tendremos, recordando el mtodo de prueba en circuito abierto, Vk = z b I k , de donde por
Vk
= zb.
Ik
definicin obtenemos Z kk =
i =1,2,....,n
tenemos Z ik = Z ki = 0 .
Lo anterior se puede resumir generando la nueva matriz Zbus que refleje el cambio
correspondiente
Z bus
Z bus( vieja )
0
.
.
.
0 zb
(3.24).
221
ITM-DIE
Sustituyendo, tenemos
222
Z bus
Z j1
ITM-DIE
Z bus( vieja )
Z j2
Z nj
Z jj + z b )
Z1 j
Z2 j
.
.
Z jn
(3.25).
Es decir, en este caso se agrega una columna, la cual es igual a la j-sima columna; el
elemento diagonal ser igual a Z jj + z b .
El tercer caso es la adicin de una rama de impedancia zb conectada entre
bus viejo y referencia. En este caso trabajaremos como si fuera el caso con k , el bus
conectado a referencia, como se indica en la figura siguiente
Es obvio que Vk=0 en este caso, y entonces las ecuaciones del caso anterior se aplican a
este caso, tomando en cuenta dicho cambio
V1
V
2
.
. =
.
Vn
0 Z j1
Z bus( vieja )
Z jn
Z1 j I 1
. .
. .
. .
. .
Z nj I n
Z jj + z b I k
(3.26)
223
ITM-DIE
Aplicamos reduccin de Kron para eliminar el ltimo eje de la matriz, quedando sta del
mismo orden que tena antes de agregar zb, pues no se est agregando ningn nodo nuevo.
Eliminando Ik tenemos
Z1 j
.
1
. . . Z jn
. Z
Z jj + z b j1
.
Z nj
(3.27).
El efecto de la adicin de zb ser modificar las inyecciones a los buses i y j. El voltaje del
bus 1 ser ahora
224
ITM-DIE
(
+ (Z
ji
Z jj I k
.
.
.
0 = (Z i1 Z j1 )I 1 +....+( Z ii Z ji )I i + (Z ij Z jj )I j +...+(z b + Z ii + Z jj Z ij Z ji )I k .
Escribiendo las n+1 ecuaciones nodales Vbus = Zbus Ibus en forma matricial
V1
V
2
.
. =
.
Vn
0 (Z i1 Z j1 )
Z bus( vieja )
( Z1i Z1 j )
I 1
(Z 2 i Z 2 j )
I
2
.
.
.
.
.
.
I n
.
( z b + Z iii + Z jj 2 Z ij ) I k
(3.28)
Z1i Z1 j
1
.
(Z i1 Z j1 ) . . . (Z in Z jn )
z b + Z ii + Z jj 2 Z ij
Z ni Z nj
(3.29).
225
ITM-DIE
226
ITM-DIE
Factorizando tendremos
Vi = Zi1I1 + Zi2I2 +...+ZijI j + ZikIk + Zil Il + ZimIm+...+ZinIn + (Zik Zij )IA + (Zim Zil )IB (3.30)
Por otro lado si aplicamos LVK a la trayectoria cerrada entre los nodos j y k
Vj = z A I A + z m I B + Vk
sustituyendo (3.30) en esta ltima ecuacin (para i=j e i=k)
Zj1I1+...+ZjnIn + (Zjk Zjj )IA + (Zjm Zjl )IB = zAIA + zBIB + Zk1I1+...+ZknIn + (Zkk Zkj )IA + (Zkm Zkl )IB
Factorizando llegamos a
Zl1I1+...+ZlnIn +(Zlk Zlj)IA + (Zlm Zll )IB = zBIB + zmIA + Zm1I1+...+ZmnIn +(Zmk Zmj)IA +(Zmm Zml )IB
Factorizando esta ltima ecuacin tendremos
0 = (Zm1 Zl1 )I1 +...+(Zmn Zln )I n + (z m + Zij + Zmk Zlk Zmj )I A + (z B + Zll + Zmm 2Zlm )I B
Si recolectamos las ecuaciones, dadas por (3.30), as como las dos ltimas ecuaciones
igualadas a cero, en forma matricial obtenemos
V1
.
.
. =
Vn
0 .
0 .
I1
.
(Zik Zij )
(Zim Zil )
.
.
.
. .
.
.
In
.
(zA + Z jj + Zkk 2Z jk )
(z m + Z jl + Zkm Z jm Zkl ) IA
. (z m + Zij + Zmk Zlk Zmj )
(z B + Zll + Zmm 2Zlm ) I B
.
.
Zbus(vieja)
. (Zki Z ji )
. (Zmi Zli )
.
.
.
.
(3.31)
Z AB
Z BB
(3.32)
227
ITM-DIE
entonces
Z bus = Z bus( vieja ) Z AB Z BB1 Z BA
(3.33).
trayectorias cerradas, la matriz antes mencionada ser de mayor orden y por tanto se
requerirn ms operaciones para generarla. Por lo tanto un criterio de optimalidad para
llevar a cabo la formacin de la red, ser el de cerrar trayectorias lo antes posible. Se han
hecho intentos de desarrollar algoritmos que se acerquen a la optimalidad mencionada; sin
embargo la lgica de estos algoritmos es complicada y este hecho hace poco ventajoso su
uso , comparado con el ahorro de recursos computacionales. H E Brown desarroll un
algoritmo sencillo, que produce buenos resultados.
algoritmo.
El algoritmo hace uso de tres arreglos fundamentalmente: un arreglo que
contiene la lista de las lneas desordenada, LID, en un formato en el que se indican dos
cdigos que corresponden a los nodos a los que estn conectadas dichas lneas; otro arreglo
que contiene la lista de buses del sistema, LBS , y que inicialmente est vaco; y
finalmente, otro arreglo que terminar conteniendo la lista de lneas ordenadas, LLO. En
las pginas anexas se presenta el diagrama de flujo correspondiente al algortmo
mencionado.
Con el objeto de ejemplificar el algortmo descrito, usamos el sistema de
potencia que se muestra a continuacin considerando que el bus 1 se designa como
228
ITM-DIE
Los datos de los elementos del sistema estn dados en la siguiente tabla:
Nodo p-Nodo q
1-2
4-5
2-3
1-5
3-5
3-4
LLD
1-2
4-5
2-3
1-5
3-5
3-4
229
ITM-DIE
LBS
2
3
5
4
LLO
1-2
2-3
1-5
3-5
4-5
3-4
230
ITM-DIE
El algoritmo
[ Y][ Z] = [ I]
(3.34)
"
"
Zbus
"
identidad .
(3.35).
Definimos adems
[W] = [D]-1 [L]-1
(3.36)
sustituyendo en (2):
[L]T [Z] =[W]
(3.37).
231
ITM-DIE
(3.38).
Z22 Z23
Z33
Z14 Z15 0 t 12 t 13 t 14
Z24 Z25
0 t 23 t 24
Z34 Z35 =
0 t 34
Z44 Z45
0
Z55
Z33
t 35
t 45
Z55 w51
w22
w32 w33
w42 w43 w44
w52 w53 w54
Z55 = w55
Z45 =
t45 Z55
232
w55
Z34 =
ITM-DIE
Z24 =
Z23 =
Z14 =
Z13 =
Z12 =
(3.39)
Z11 = w11 + t15 Z51 + t14 Z41 + t13 Z31 + t12 Z21
Es oportuno desarrollar un ejemplo sencillo en este punto par ayudar a
entender las ideas antes expuestas.
Ybus
4 0 4 0 0
0 5 0 5 0
= 4 0 10 2 0
0 5 2 8 1
0 0 0 1 3
233
ITM-DIE
No se requiere
Z35 =
Z34 =
Z33 = w33 + t35 Z53 + t34 Z43 = 0.1667 + (0) Z53 +(0.3333)(0.1666633) = 0.22225
No se requiere
Z25 =
Z24 =
Z23 =
No se requiere
Z22 = w22 + t25 Z52 + t24 Z42 + t23 Z32 = 0.2 + (1)(0.50004) = 0.70004
Z15 =
No se requiere
Z14 =
No se requiere
Z13 =
t15 Z53 + t14 Z43 + t13 Z33 + t12 Z23 = (1)(0.22225) = 0.22225
Z12 =
No se requiere
Z11 = w11 + t15 Z51 + t14 Z41 + t13 Z31 + t12 Z21 = 0.25 +(1)(0.22225) = 0.47225
De aqu la Zbus quedar
Z bus
0.22225
0.47225
0.70004
0.50004
.
0.22225 01666633
.
0.50004 016666825
0.3889
Takahashi, Fagan, Chen. "A sparse bus impedance matrix and its applications", 1973 PICA
Conference Proceedings.
234
ITM-DIE
llevarse a cabo: en el marco de referencia trifsico, lo que denominan algunos autores como
coordenadas de fase, bien usando las componentes simtricas, cuya base matemtica se
discuti en la unidad anterior. Esta ltima opcin es la ms usada en el estudio de fallas
asimtricas y dicha transformacin tambin. El uso de la transformacin de componentes
simtricas supone que el sistema previo a la falla
es simtrico, de lo contrario no
235
ITM-DIE
236
ITM-DIE
x "d + x "q
2
237
ITM-DIE
Siempre que se
238
ITM-DIE
Aunque el objetivo
principal es, como se dijo, analizar fallas desbalanceadas, empezamos con la falla trifsica
a tierra con el fin de corroborar el hecho de que dicha falla, conserva la simetra del sistema
elctrico y nicamente involucra la red de secuencia positiva, as como tambin nos
permite ejemplificar la metodologa usada para obtener dichos modelos de fallas
asimtricas, en el marco del mtodo de las componentes simtricas.
El modelo de falla trifsica involucrando tierra se muestra a continuacin
239
ITM-DIE
Va = z f I a + z g (I a + I b + I c ) = (z f + z g )I a + z g I b + z g I c
Si escribimos una ecuacin para cada trayectoria asociada con las otras dos fases, y las
ponemos en forma matricial obtenemos
Va z f + z g
V b = z g
Vc z g
zg
zf + zg
zg
I
zg
a
zg
I b
z f + z g I c
(3.40)
y tambin
I abc = TS I 012
tenemos que
TS V 012 = [ Z fg ] TS I 012
240
La transformacin lineal T
[ Z ] TS
fg
ITM-DIE
, se denomina transformacin de
semejanza asociada a la matriz de coeficientes de (4.1), Zfg , y que produce una matriz
diagonal como resultado
V0 z f + 3z g
V1 =
V2
zf
I 0
I 1
z f I 2
(3.41)
1
p(f)
1
Vp(0)
Z1pp + z f
241
donde V
ITM-DIE
1
pp
es la impedancia equivalente
Ib = Ic = 0 y
Va = z f I a . Recordando que
1
= TS1I abc
I 012
, tenemos I 0p(f) = (I a + I b + I c ) ; pero como
p
p
3
I b = I c = 0 entonces
1
I 0p(f) = I a = I 1p(f) = I 2p(f) , es decir,
3
(3.42).
(3.43)
1
dado que I 0 = I a para esta falla.
3
Lino Coria Cisneros
242
ITM-DIE
1
p(f)
=I
2
p(f)
=I
0
p(f)
1
Vp(0)
243
ITM-DIE
Las condiciones en el punto de falla, para el caso de las corrientes son Ia = 0 e Ib = -Ic .
Si aplicamos LVK a la trayectoria cerrada por las fases b y c con tierra,
tendremos que Vb z f I b + z f I c Vc = 0 , de donde
Vb Vc = z f (I b I c )
(3.44)
Vb = V0 + 2 V1 + V2
Vc = V0 + V1 + 2 V2
Relaciones similares son validas para las corrientes.
Si restamos la 3a de la 2a ecuacin, del conjunto mostrado arriba, tendremos
Vb Vc = ( 2 ) V1 ( 2 ) V2
mientras que para las corrientes tenemos
I b I c = ( 2 )I 1 ( 2 )I 2 .
244
ITM-DIE
( 2 ) V1 ( 2 ) V2 = z f [( 2 )I 1 ( 2 )I 2
de donde simplificando tenemos
V1 z f I 1 = V2 z f I 2
(3.45).
1
p( f )
Vp1( 0)
Z + Z + 2z f
1
pp
2
pp
, I 2p ( f ) = I 1p ( f ) ,
I 0p ( f ) = 0 .
La transformacin inversa nos dara las componentes I abc
p( f ) .
245
ITM-DIE
Vc z f I c z g (I b + I c ) = 0
Vb = ( z f + z g )I b + z g I c
Vc = ( z f + z g )I c + z g I b
(3.46)
Adems
I a = 0 = I 0 + I1 + I 2
(3.47)
Vb Vc = ( 2 ) V1 ( 2 ) V2
246
ITM-DIE
Sustituyendo en (4.7)
( 2 ) V1 ( 2 ) V2 = z f [( 2 )I 1 ( 2 )I 2 ]
de donde
V1 V2 = z f (I 1 I 2 )
(3.48)
V1 z f I 1 = V2 z f I 2
(3.49)
Finalmente
Esta ltima ecuacin nos dice que las redes de secuencia positiva y negativa
se conectan en paralelo a travs de impedancias zf , de tal forma que se cumpla LVK. Sin
embargo, esta misma ecuacin no concluye nada acerca de la red de secuencia cero, por lo
que debemos buscar alguna expresin que relacione dicha red, con la red de secuencia
positiva y/o negativa.
De las ecuaciones obtenidas inicialmente para Vb y Vc tenemos que
Vb + Vc = (I b + I c )( z f + 2 z g )
(3.50)
(3.51)
y de manera similar
I b + I c = 2I 0 ( I 1 + I 2 )
(3.52).
I 1 + I 2 + I 0 = I a = 0 , y como
(3.53).
247
ITM-DIE
1
p( f )
Vp1( 0)
=
(Z + z f ) +
1
pp
( Z 2pp + z f )( Z 0pp + z f + 3z g )
Z 0pp + Z 2pp + 2 z f + 3z g )
2
p( f )
= I
1
p( f )
Z 0pp + z f + 3z g
0
2
Z pp + Z pp + 2 z f + 3z g
= I
1
p( f )
Z 2pp + z f
0
2
Z pp + Z pp + 2 z f + 3z g
0
p( f )
248
ITM-DIE
abc
F
. Lo anterior se representa
(3.54)
abc
Vbus
( F ) es el vector de voltajes de bus de postfalla
abc
Vbus
( F)
V1abc
( F)
abc
V2 ( F)
.
=
.
.
abc
Vn ( F)
abc
Vbus
( 0 ) es el vector de voltajes de prefalla, sea voltajes de bus en condiciones normales de
abc
Vbus
( 0)
V1abc
( 0)
abc
V2 ( 0)
.
= .
.
.
abc
Vn ( 0)
249
ITM-DIE
I abc
bus( F )
0
0
.
.
abc
= I P ( F)
.
.
0
Es importante notar que los vectores antes descritos son de orden (3nx1), y
cada elemento de dichos vectores es un subvector de orden (3x1), que contiene los valores
asociados con la fase a , b y c, respectivamente.
La
referencia, ser:
Z abc
bus
abc
Z11
abc
Z 21
.
.
.
= abc
Z P1
.
.
.
Z abc
n1
abc
Z12
Z abc
22
.
.
.
Z p2
.
.
.
Z abc
n2
. . . Z1abc
p
abc
. . . Z2p
. . . Z1abc
n
. . . Z abc
2n
. . .
. . .
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
abc
. Z pp
.
.
.
.
. . .
.
. . . Z abc
np
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
. . .
. . .
.
.
Z abc
pn
.
.
Z abc
nn
250
abc
V1abc
V1abc
Z11
( F)
( 0)
abc abc abc
Z
V2 ( F ) V2 ( F ) 21
. . .
. . .
abc = abc abc
Vp ( F) Vp ( 0) . Z p1
. . .
. . .
abc abc abc
Vn ( F) Vn ( 0) Z n1
ITM-DIE
. . Z1abc
n 0
. . Z abc
0
2n
.
. .
. .
.
. .
. .
abc abc
.
.
.
.
Z abc
Z
pp
pn I p ( F )
.
. .
. .
.
. .
. .
abc
0
.
.
Z abc
Z
np
nn
.
.
. . Z1abc
p
abc
. . Z2p
. .
.
.
. .
. .
. .
.
.
. .
. .
abc
abc abc
V2abc
( F ) = V2 ( 0 ) Z 2 p I p ( F )
.
.
.
abc
abc abc
Vpabc
( F ) = Vp ( 0 ) Z 2 p I p ( F )
(3.55)
.
abc
abc abc
Vnabc
( F ) = Vn ( 0 ) Z np I p ( F )
(3.56)
donde Z abc
es la matriz de falla en forma de impedancia de orden (3x3), cuya estructura
F
para cada tipo de falla se obtendr ms adelante. La ecuacin (3.56) es la relacin de
voltaje-corriente en el bus p, "visto" desde ste hacia la falla, mientras que la p-sima
ecuacin de (3.55), sera la relacin voltaje-corriente "vista" desde el bus p hacia la red que
representa el sistema de potencia. En ambos casos, Vpabc
( F ) se refiere al mismo vector de
voltajes trifsicos y por tanto podemos igualar ambas ecuaciones para obtener:
251
ITM-DIE
abc abc
F
p ( F)
Z I
=V
abc
p ( 0)
Z I
abc abc
pp p ( F )
esto es,
abc
abc abc
abc
Z abc
F I p ( F ) + Z pp I p ( F ) = Vp ( 0 )
(Z
abc
F
abc
abc
+ Z abc
pp I p ( F ) = Vp ( 0 )
abc
abc
I abc
p ( F ) = Z F + Z pp
Vpabc
( 0)
(3.57)
Adems
abc abc
abc
abc
Vpabc
Z abc
( F) = Z F I p ( F) = Z F
F + Z pp
Vpabc
( 0)
(3.58).
i = 1,..., n
ip
(3.59)
abc
abc
abc
abc
Viabc
( F ) = Vi ( 0 ) Z ip Z F + Z pp
Vpabc
( 0)
(3.60).
(3.61)
252
ITM-DIE
bien,
abc abc
abc
abc
Vpabc
( F ) + Z pp YF Vp ( F ) = Vp ( 0 )
abc abc
Vpabc
( F ) = U + Z pp YF
Vpabc
( 0)
(3.62).
Sin embargo
abc
abc
I abc
p ( F ) = YF Vp ( F )
y por tanto
abc
abc
I abc
U + Z abc
p ( F ) = YF
pp YF
Vpabc
( 0)
(3.65).
De manera similar, para los voltajes en buses distintos al bus fallado p , tenemos
abc
abc abc
Viabc
( F ) = Vi ( 0 ) Z ip I p ( F )
Sustituyendo (3.65)
abc
abc abc
abc
Viabc
U + Z abc
( F ) = Vi ( 0 ) Z ip YF
pp YF
i = 1,..., n
Vpabc
( 0)
(3.66)
i p.
abc
abc
abc
i abc
ij( F ) = Yij V( F ) V( F )
(3.67)
abc
donde Vabc
( F ) y V( F ) son los voltajes de bus cuando ocurre falla en el bus p, correspondientes
y aa
ij
ba
= y ij
y ca
ij
y ab
ij
y ijbb
y cb
ij
y ac
ij
y ijbc
y cc
ij
253
donde y
abc
ij
ITM-DIE
es la admitancia mutua entre la fase a del elemento i-j y la fase b del elemento
012
pq
z 0pq
= TS1 z abc
pq TS =
1
pq
z 2pq
z1pq = z 2pq ; y para elementos
rotatorios se supone la misma relacin, aunque esto no sea estrictamente cierto. De manera
similar, cualquier elemento y abc
ij de la red primitiva se transforma a un elemento diagonal
012
ij
yij0
= TS1 yijabc
TS =
1
ij
yij2
254
Viabc
( 0)
ITM-DIE
Va 1
0
i ( 0)
b 2
1 abc
= Vi ( 0) = , y dado que: Vi012
( 0 ) = TS Vi ( 0 ) = 3 para i=1,2,...,n.
c
0
Vi ( 0)
De esta manera, podemos escribir las ecuaciones que habamos obtenido en el dominio de
fase, en el dominio de las componentes simtricas. Dichas ecuaciones, para falla en el bus
p, sern
012
012
I 012
p ( F ) = Z F + Z pp
Vp012
( 0)
012
012
I 012
U + Z 012
p ( F ) = YF
pp YF
012
012
Vp012
Z 012
( F) = Z F
F + Z pp
012 012
Vp012
( F ) = U + Z pp YF
Vp012
( 0)
(3.68)
Vp012
( 0)
Vp012
( 0) .
012
012
012
Vi012
Z 012
( F ) = Vi ( 0 ) Z ip
F + Z pp
012
012 012
012
Vi012
U + Z 012
( F ) = Vi ( 0 ) Z ip YF
pp YF
para i = 1, 2,..., n
Vp012
( 0)
1
(3.69)
Vp012
( 0)
i p
012
012
012
i 012
ij( F ) = Yij V( F ) V( F )
(3.70).
255
ITM-DIE
Adems empezaremos
circuito siguiente
.
Figura 3.24. Falla trifsica general.
La matriz Z abc
para el circuito mostrado se obtiene por medio de la prueba
F
en circuito abierto; para ello considere el circuito que se muestra, en el cual se inyecta una
corriente de 1 pu a la fase a , con las dems terminales en circuito abierto y se calculan los
voltajes en las fases, con lo cual obtenemos los elementos de Z abc
como el cociente de
F
dicha inyeccin de corriente y los voltajes medidos, es decir
Vfase
, como se muestra en la
Ia
figura siguiente
256
ITM-DIE
z aaf =
Va
= z f + z g = z Fbb = z ccF .
Ia
Vb = z g I a = z g = Vc
de donde
ac
z ab
F = zF =
Adems
Vb
= zg
Ia
bc
ca
cb
z ab
F = z F = z F = z F , de donde obtenemos
Z abc
F
z + z
g
f
= zg
z
zg
zg
z f + z g
zg
zf + zg
zg
Z 012
F
z f + 3z g
= 0
0
zf
0
0 .
zf
257
012
012
Recordando que I P ( F ) = Z F + Z
ITM-DIE
012 1
PP
VP012
( 0 ) , tenemos para este caso
I 0 z + 3z + Z 0
g
pp
1p ( F) f
=
I
0
p ( F)
I 2
0
p ( F)
0
z f + Z1pp
0
0
z f + Z 2pp
0
3
0
Es importante observar en relacin con esta ltima ecuacin, que se usa la forma
ortonormal par la matriz de transformacin TS. Si suponemos, como es lo usual Z1pp = Z 2pp ,
0
I 0
p ( F)
1
3
I p ( F) = z + Z1 .
pp
I 2 f
p ( F)
0
V 0 z + 3z
g
p1( F) f
Vp ( F) = 0
Vp2( F) 0
012 012
Vp012
( F) = z F I p ( F)
0
z f
z f
0
zf
0
0
3
=
+ Z1pp z f
0
0
3z f
,
+ Z1pp
012
012 012
012
Vi012
U + Z 012
( F ) = Vi ( 0 ) Z ip YF
pp YF
012
012
U + Z 012
recordemos que I 012
p ( F ) = YF
pp YF
expresin el valor de
I 012
p ( F)
012
012 012
Vp012
( 0 ) = Vi ( 0 ) Z ip I p ( F )
Vp012
( 0 ) , con lo que sustituyendo en esta
obtenemos
V0 0 Z0
i ( F)
ip
1
Vi ( F) = 3 0
2
Vi ( F) 0 0
0
Z 1ip
0
0
0
0
1
Z ip
3
0
3
1
=
.
z + Z1PP
z f + Z 1PP
2 f
Z ip
0
0
258
ITM-DIE
i 0
0
1ij( F ) 1
1
1
i ij( F ) = y ij,ij Vi ( F ) Vj( F)
i 2
0
ij( F )
259
ITM-DIE
Para calcular y bb
F =
y bb
F =
Ib
, vemos que Vb = 2 z f I b , de donde tendremos
Vb
Ic
y
1
=
= f = y ccF
Vb 2 z f
2
Ic
I
y
= c = f = y cb
F .
Vb
Vb
2
ac
Adems se puede demostrar, usando la misma tcnica, que y ab
F = y F = 0. Por lo tanto,
0 0 0
= ( y f 2) 0 1 1 .
0 1 1
012
F
= ( yf
0 0 0
2 ) 0 1 1 .
0 1 1
260
ITM-DIE
012
012
I 012
U + Z 012
p ( F ) = YF
pp YF
I 0
0 0 0 1
0
p ( F)
1 yf
yf
1
I p ( F) = 3 0 1 1 0 1 + Z pp 2
I 2
0 1 1
y
p ( F)
0 Z1pp f
Vp012
( 0)
0
yf
Z1pp
2
yf
1 + Z1pp
2
0
3
0
V 0 1
0
p1( F)
yf
1
Vp ( F) = 0 1 + Z pp 2
V2
y
p ( F)
0 Z1pp f
0
yf
2
y
1
1 + Z pp f
2
Z
1
pp
0
3
0
012
012 012
Vi012
( F ) = Vi ( 0 ) Z ip I p ( F ) , lo que resulta en
V0 0 Z0
i ( F)
ip
1
Vi ( F) = 3 0
2
Vi ( F) 0 0
0
Z1ip
0
0 I 0p ( F )
0 I 1p ( F )
Z 2ip I 2p ( F )
261
ITM-DIE
Vc
= Vc = z g I = z g .
I
262
ITM-DIE
= 0 zf + zg
0
zg
zg
z f + z g
0
YFabc = ( Z
abc 1
F
= 0
0
zg
k
z f + zg
0
z f + zg
k
zg
k
donde k = z 2f + 2 z f z g .
Por transformacin obtenemos YF012 = TS1YFabc TS
YF012
2z
f
=
z f
3 z 2f + 2 z f z g
z f
1
z f
z f
2 z f + 3z g ( z f + 3z g )
( z f + 3z g ) 2 z f + 3z g
012
012
I 012
U + Z 012
p ( F ) = YF
pp YF
Vp012
( 0) .
012
012 012
Para cualquier bus i p , Vi012
( F ) = Vp ( 0 ) Z ip I p ( F )
012
i ( F)
0
012
= 3 Z 012
ip I p ( F )
0
donde
012
p( 0 )
0
= 3 .
0
263
ITM-DIE
Z abc
F
zf
= 0
0 .
Por inversin, bien por el mtodo de prueba en corto circuito mencionado anteriormente
se puede obtener
YF012
y f
yf
=
0
3
0
0 0
0 0
0 0
y
= f
3
1 1 1
1 1 1 .
1 1 1
264
ITM-DIE
yf 0
1 + 3 Z pp
I 0
1
1
1
p ( F)
1 yf
y f 1
=
I
1
1
1
p ( F) 3
3 Z pp
I 2
1 1 1 y f 1
p ( F)
Z
3 pp
yf 0
Z
3 pp
yf 1
Z
1+
3 pp
yf 1
Z
3 pp
yf 0
Z
3 pp
yf 1
Z
3 pp
y
1 + f Z1pp
0
3
0
lo cual se reduce a
I 0
1p ( F )
3
=
I
p ( F ) Z 0 + 2 Z1 + 3z
pp
pp
f
I 2
p ( F)
1
1 .
1
0
Z
1
+
pp
V0
3
p1( 0) 1 y f
Vp ( 0) = Z pp 3
V2
p ( 0) 1 y f
Z
pp 3
yf
Z
3
y
1
1 + Z pp f
3
yf
1
Z pp
3
0
pp
yf
Z
3
yf
1
Z pp
3
y
1
1 + Z pp f
3
0
pp
0
3
=
3
0
Z + 2 Z1 + 3z
pp
pp
f
0
Z 0pp
0
1
Z pp + Z pp + 3z f
Z1pp
0
Z1ip
0
0 I 0p ( F ) 0
3
0 I 1p ( F ) = 3 0
1
Z pp + 2 Z pp + 3z f
2 2
Z ip I p ( F ) 0
Z0
1ip
Z ip .
Z2
ip
265
ITM-DIE
1
dicha fuente ; vemos que Va = z f +
1
1
+
zf zf
2
3
I
I a = z f I a , de aqu a V =
, donde
a
2
3z f
2
cc
cc
y f = 1 z . Entonces y aaF = y bb
y dado que Va = 1pu. Los trminos y bb
F = yF =
F y yF
f
3 f
que resultan igual a y aaF , como se menciona arriba, se pueden obtener moviendo la fuente
de voltaje de 1 pu, a las terminales b yc respectivamente, manteniendo en corto circuito las
otras terminales.
266
ITM-DIE
1
De la figura anterior vemos que + I b Va = y ab
y . Se puede probar
F =
3 f
bc
ac
YFabc
2 1 1
yf
1
2
1
,
3
1 1 2
y mediante la transformacin TS YF TS = YF
012
abc
YF012
0 0 0
= y f 0 1 0 .
0 0 1
012
[U + Z
012
pp
YF012
Vp012
( 0)
1
1 + Z pp y f
I 0
0 0 0 1
0
1p ( F)
1
I p ( F) = y f 0 1 0 0 1 + Z pp y f
I 2
0
0 0 1 0
p ( F)
012
012
012
tambin Vp ( F) = U + Z pp YF
0
0
0
3 ,
0
Vp012
( F)
V 0 1
0
p1( F)
1
Vp ( F) = 0 1 + Z pp y f
V 2 0
0
p ( F)
1 + Z1pp y f
0
0
0
3 .
0
012
012
012 012
Los voltajes de bus, para cualquier bus ip se obtiene de Vi ( F ) = Vi ( 0 ) Z ip I p ( F )
V0 0 Z0
ip
i ( F)
1
Vi ( F ) = 3 0
2
Vi ( F ) 0 0
Lino Coria Cisneros
0
Z1ip
0
0 I 0p ( F)
0 I 1p ( F) .
Z1ip I 2p ( F)
267
ITM-DIE
268
ITM-DIE
BIBLIOGRAFIA.
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Hill. (1968).
[2]. J. Grainger, W.D. Stevenson. Power system analysis. Mc Graw Hill. (1994).
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PICA Conference Proceedings.
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analysis in electrical power systems. Proceedings of the 26th annual North American Power
Symposium. Manhattan, Kansas 1994.
269