UNIVERSIDAD SURCOLOMBIANA

PROGRAMA DE INGENIERIA ELECTRONICA

ELECTRONICA ANALOGA I
PRACTICA N. 6.
TRANSISTOR BIPOLAR OPERANDO EN CONMUTACION
CHARRY MORENO NICOLAS COD. 2010192028
CAON MIRANDA WILLIAM HENRY COD. 2010193885
NEIVA, JUNIO 15 DEL 2012

OBJETIVOS

Estudio de las caractersticas y comportamiento del transistor

bipolar cuando se emplea en conmutacin, hacindolo
funcionar en corte y saturacin
Interpretar los resultados obtenidos en las diferentes
configuraciones aplicadas

JUSTIFICACION

La prctica tiene como objetivo la comprobacin prctica de una ms

de las aplicaciones del Transistor BJT en conmutacin, donde
ponemos en prctica los conceptos adquiridos del comportamiento
del BJT en corte y saturacin.
Esta aplicacin puede ser bastante til en procesos como el control
de tiempos en apagados y encendidos de motores, luces, etc.
ELEMENTOS, MATERIALES Y EQUIPOS
Multmetro digital.
1 piloto axial de 12V.

Protoboard.
4 LED rojos.

RB2 de acuerdo a diseo.

3 transistores 2N3904.
Resistores RC1, RB1, RC2,

DESARROLLO ANALITICO
Transistor en Conmutacin controlando el piloto Axial.
En Saturacin
Hallando Rp
RP =

RP =

Vp
I c (sat)

12.31V
=246.2
50 mA

Hallando IB
I B=

Vi0.7
RB

I B=

7 v 0.7 v
=2.9 mA
2.17 K

Hallando IC
IC =

V RC 2.57 V
=
=46.4 mA
RC 55.37

Hallando Forzado
Forzado =

I c (sat)
I B(sat )

I B ( EOS)=

I c(sat) 46.4 mA
=
=0.255 mA
min
182
I B (sat )=KI B ( EOS)

Para un factor de saturacin de 5:

I B (sat )=50.25 5 mA

I B (sat )=1. 27 mA
Forzado =

46.4 mA
=36. 4
1.27 mA

Q1
Calculado
s

RP
246.2

IB
2.9 mA

IC
46.4 mA

Transistor en Conmutacin controlando Diodos LED.

En Saturacin
Hallando RD
R D=

R D=

VD
I c(sat)

3.11 V
=103.6
30 mA

Hallando IB
I B=

Vi0.7
RB

I B=

7 v 0.7 v
=1.63 mA
3.85 K

Hallando IC
IC =

V RC 10.39 V
=
=31.96 mA
RC
325

Hallando Forzado
Forzado =

I c (sat)
I B(sat )

I B ( EOS)=

I c(sat) 31.96 mA
=
=0.11 8 mA
min
271

(forzada)
36.4

I B (sat )=KI B ( EOS)

Para un factor de saturacin de 5:
I B (sat )=50.118 mA
I B (sat )=0.589 mA
Forzado =

31.96 mA
=54.2
0.5 59 mA

Q2
Calculado
s

RD
103.6

IB
1.63 mA

IC
31.96 mA

(forzada)
54.2

PROCEDIMIENTO

Se realiz el diseo previo para obtener los componentes

indicados para hacer trabajar el transistor en las regiones de
operacin indicadas en la prctica
Se realiz el siguiente montaje en el protoboard:

Se puso un voltaje de entrada de Base de (0V) para trabajar el

transistor en corte, se realizaron las mediciones de voltajes
indicadas.
A continuacin coloc un voltaje de entrada de Base de (7V)
para trabajar el transistor en saturacin, se realizaron las
mediciones de voltajes indicadas en la gua.
Adems de esto tambin se realiz la medicin de los
elementos utilizados

Se realiz el siguiente montaje en el protoboard:

Se realiz el mismo procedimiento que en el anterior numeral.

ANALISIS DE RESULTADOS
1.
a) La diferencia presentada entre la resistencia medida y calculada
del piloto axial.
La diferencia de la medida radica muy seguramente en el elemento
utilizado en la prctica, ya que a la hora de hacer el diseo se tuvo en
cuenta un piloto axial a 12V y 50 mA, pero el elemento comprado no
nos garantizaron la corriente con la cual trabajaba el dispositivo, solo
garantizaban los 12V. Por lo tanto no presenta la misma resistencia
que la calculada. Esto es consecuencia del diseo del piloto en el cual
existen variaciones de resistencia del piloto en funcin del dimetro
del mismo.
b) Segn las mediciones realizadas explicar con 2 razones por qu el
transistor est en corte.

Cuando el transistor esta en Corte VCC=VC= 15V

VB= 0V

c)Segn las mediciones realizadas explicar con 2 razones por qu el

transistor est en saturacin.

VCE= 0.2V
Para un nivel de saturacin se debe satisfacer que:
I B > I c ( sat )
DC

1.63 mA >

50 mA
182

1.63 mA >0.27 mA

2. Para el circuito de la figura 2: explicar la diferencia presentada

entre la resistencia medida y calculada para cada LED.
A la hora de realizar la prctica los instrumentos de medicin con los
que contamos nos imposibilitan la medicin de la resistencia del
diodo no nos permite hacer una comparacin objetiva respecto a la
resistencia calculada.

CONCLUSIONES
- De esta prctica se pudo comprobar el funcionamiento del BJT en
conmutacin tanto en corte como en saturacin, lo realizado en la
prctica fue muy similar a lo aprendido en la teora, la razn de las
diferencias que se presentaron radica en algunos factores con margen
de error como lo son la calidad de los materiales usados a la hora de
hacer el montaje, el ms que posible problema que se presenta
constantemente con los elementos de medicin del laboratorio.
- Comprobamos el funcionamiento del transistor simulando un
Interruptor. En interruptor abierto cuando lo hacemos trabajar en su
regin de corte obteniendo un voltaje de colector igual al voltaje de
alimentacin y a la hora de hacerlo operar en saturacin
simularamos lo que es un interruptor cerrado donde obtenemos un
Voltaje entre colector y emisor mnimo, mientras obtenemos una
corriente de colector mxima.
- Sabiendo que para lograr que el transistor entre en saturacin, el
valor de la corriente de base debe calcularse dependiendo de la carga
que se est operando entre encendido y apagado, con la prctica se
corrobor el diseo de los componentes para obtener la corriente de
base deseada y as garantizar el correcto funcionamiento de las
cargas utilizadas para cada modo de operacin.