Cap 11 y 12

2/12/2013
Captulo 11
El Transistor Transistor de Efecto de
Campo Metal-xido-Semiconductor
MOSFET
Los Dispositivos Semiconductores
Franco Renato Campana Valderrama
11.- EL TRANSISTOR MOSFET

Puerta (G)
Fuente (S)
Drenador (D)
Sustrato (B)
- Dispositivo de 4 terminales.
L: largo del
canal.
W: Ancho del
canal.
(W/L): relacin dimensional que gobierna la conduccin de un
transistor MOS.
- Dependiendo de la polarizacin sirve para:
- Amplificacin de seales.
- Interruptor (aplicaciones digitales).
2/12/2013
Corte transversal de
un MOSFET tipo N:
Corte transversal de
un MOSFET tipo P:
http://ars.els-cdn.com/content/image/1-s2.0-S1369800198000067-gr6.jpg
http://www.edn.com/photo/265/265747-6709773_fig2.jpg
2/12/2013
11.3.- Descripcin cualitativa del MOSFET

VGS >0: Se crea el canal
(capa de inversin)
VGS >0 y VDS >0: Se ahusa la regin
del canal del lado del drenador. ID0.
Para VDS mayores al anterior
Se extrangula la regin del
canal del lado del drenador y
ante un incremento adicional
de VDS, el punto P se desplaza
Modos de operacin o zonas de trabajo del

MOSFET
Tres modos de operacin o
zonas de trabajo
Zona lineal:
Resistor controlado
por tensin
Zona de saturacin:
Amplificacin
Zona de corte:
Corriente nula
2/12/2013
Simbologa de los MOSFETs N y P:
Con B=S
Con B=S
11.4.- Algunas consideraciones para la

deduccin de las relaciones I-V del MOSFET
1.- El MOSFET est funcionando en condiciones de estado
estable (DC) y se analizar un MOSFET N.
2.- Ambas junturas estn inversamente polarizadas.
Ey
3.- Se usar la aproximacin de canal gradual: Ex >>E
4.- El xido y las regiones de deplexin se asumen
aislantes perfectos: IG=0 A, IB=0 A
5.- La corriente que atraviesa el canal est compuesta por
la suma de las corrientes de arrastre y difusin:
ID=IDarr+IDdif
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Corriente de arrastre IDarr
)=
Corriente de difusin IDdif
)=
Corriente total
Usaremos las cargas halladas en el captulo anterior para

encontrar la corriente de drenador en:
Inversin fuerte: Corriente de arrastre
Inversin dbil: Corriente de difusin
Donde se encuentran estos corrientes ?
Inversin fuerte:
Corriente de arrastre
La corriente aqu
es cero ?
2/12/2013
Inversin dbil o
regin subumbral:
Corriente de difusin
Inversin fuerte:
Corriente de arrastre
Corriente
de fugas
VT
Para la demostraciones de estas ecuaciones, se les invita a

leer el libro (seccin 11.4) y estr bien acompaados !
2/12/2013
Ecuaciones caractersticas del MOSFET N en

la inversin fuerte
Triodo
VDS < VGS VT
Saturacin
VDS VGS VT
I D = kn
W
L
1 2
(VGS VT )VDS 2 VDS
1 W
I D = k n (VGS VT )2
2 L
kn: Transconductancia de proceso.

n: Movilidad de los electrones en el canal.
Cox: Capacidad del xido bajo la puerta.
k n = n COX
Ecuaciones caractersticas del MOSFET P en la

inversin fuerte
Triodo
VSD < VSG VT
Saturacin
VSD VSG VT
ID = kp
W
L
1 2
(VSG VT )VSD 2 VSD
1 W
I D = k p (VSG VT
2 L
kp: Transconductancia de proceso.

p: Movilidad de los huecos en el canal.
Cox: Capacidad del xido bajo la puerta.
k p = p COX
2/12/2013
DONDE:
Parmetros de diseo:
L,W: longitud y ancho del canal respectivamente.
Parmetros de proceso:
kn(p), n(p), VT, ro .
El diseador tiene control de:
parmetros de diseo.
El diseador NO tiene control de:
parmetros de proceso.
Ecuaciones aproximadas del MOSFET en la

inversin dbil
MOSFET N
ID = I0/
W ( VGS VT )nt
e
L
/
I0/ = nC ox
t2 (n 1)
MOSFET P
ID = I0/
W (VSG VT )nt
e
L
/
I0/ = p Cox
t2 (n 1)
Importante cuando el MOSFET se usa en circuitos

de bajo consumo de corriente.
2/12/2013
Efectos de polarizacin del sustrato

Qu pasa cuando BS ?
El voltaje umbral
aumenta !
MOSFET N VT = VT 0 +
MOSFET P VT = VT 0
( 2
2 F + VSB 2 F
Fp
+ VSB 2 Fn
VT0: Tensin umbral cuando VB=VS.

: Coeficiente del efecto cuerpo.
Fp(n): Potencial dependiente del dopaje.
( )
!=
)
( )
=
2#$%
( )
Cox
Como regla general:

Terminal B de un NMOS a la tensin ms negativa (tierra o VSS).
Terminal B de un PMOS a la tensin ms positiva (VDD).
Sino se dice lo contrario, asumir que VB=VS
2/12/2013
11.5.- Algunos efectos de segundo orden del

Transistor MOSFET
1.- Modulacin de la longitud del canal:
Pendiente: 1/r0
Qu ha pasado
con L y cul es
su repercusin
en la corriente ID ?
1 W
I D = k n (VGS VTH )2 (1+ VDS )
2 L
ro: Resistencia de salida del MOSFET
: Factor de la modulacin de la longitud del canal.
VA: Tensin de Early.
&' =
1
*
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Movilidad reducida de los portadores del canal

La movilidad de los portadores es la misma en el canal?
Campo elctrico transversal
Campo elctrico
horizontal
Regin de deplexin
Dispersin coulombica en el canal:

1) tomos ionizados de la R.D.
2) Cargas atrapadas en el xido.
11.6.- MOSFETS COMPLEMENTARIOS: CMOS

Refiere que los dos tipos de MOSFETs pueden estar
en un mismo chip: MOSFET N y MOSFET P.
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2/12/2013
Captulo 12
Modelamiento en AC y Efectos
adicionales en el MOSFET
12.2.- Modelo en AC del MOSFET

Modelo circuital pi-hbrido en pequea seal:
+ -. /0 + -.1 /1 + - /
12
2/12/2013
Donde los parmetros a pequea seal son

Transconductancia de puerta en saturacin
Inversin fuerte
-. =
234
567 8 59
2 :
Inversin dbil
( )
;
<
-. =
34
>?
Transconductancia de sustrato en saturacin

-.1 = @-. (A+B. @ = 0.1, 0.3)
-.1 =
1 -.
Resistencia de salida
5
&' = H
34
I
J34
- =
I
KL
MN47
PO
?
I8
MN47
PO
?
34
>?
Modelo circuital pi-hbrido en pequea seal y

alta frecuencia:
Cgs(d) : capacidad intrnseca

de puerta-surtidor(drenador)
Cgb: capacidad puerta-sustrato
Cgso(do) : capacidad de traslape
de puerta-surtidor(drenador)
Csb, Cdb : capacidades de
juntura de surtidor,
drenador-sustrato.
13
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Modelo pi-hbrido completo
Q0 R Suma de las capacidades intrnseca y de traslape.

Q0 R Suma de las capacidades intrnseca y de traslape.
Cuando S=B
Relacin entre cgd y cgs en inversin fuerte

-.
Q0 + Q0 =
2STR
O tambin
TR =
(U% (R
2S 2
fT : Frecuencia a ganancia unitaria.
14
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12.3.- Escalamiento del Transistor MOSFET

Refiere a la reduccin de las dimensiones del MOS,
basado en reglas de escalamiento.
Propiedad propia del MOSFET.
Siempre se toma como parmetro el L mnimo del canal.
N
N
P
L=25 um
(1970)
Este escalamiento
busca:
L=0.18 um
(2000)
2010:
L=70 nm
Alta densidad de dispositivos

por unidad de rea.
An as, escalando apropiadamente el dispositivo se

tendrn algunos de los siguientes problemas
Efectos de L pequeo
Efectos de carga compartida.
Reduccin de la barrera inducido desde el drenador.
Perforamiento.
Todo esto se manifiesta
en la tensin umbral !
L pequeo
La longitud del canal L no es mucho mayor que la
suma de los anchos de las regiones de deplexion del
drenador y surtidor.
15
2/12/2013
12.4.- Algunos efectos de Campos Elctricos

de gran magnitud
Corriente de puerta y de sustrato
Que pasa si el ancho del xido (tox) es muy pequeo ?
Ex
EY
Regin de deplexin
Habrn algunos portadores que

lograrn remontar la barrera de
energa del xido.
Corriente de puerta IG0 A

Y que pasa en la regin de deplexin con un VDS muy alto?

Se logra un fuerte campo horizontal, y los portadores viajan
muy acelerados por este campo en la R.D.
E
Regin de
deplexin
Pequea
avalancha
E
Huecos
generados
por impacto
hacia el
sustrato
Corriente de
sustrato IB0 A
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2/12/2013
NOTA
Las relaciones vistas para la inversin dbil, se hicieron con
la finalidad de mostrar los diferentes comportamientos del
MOSFET.
Se advierte al estudiante de pre-grado que, debido a su
complejidad, estas relaciones son mostradas slo con fines
de lectura, pero no para su posterior demostracin.
El estudiante de pre-grado s deber conocer y en el mejor
de los casos, demostrar las relaciones del MOSFET para la
inversin fuerte ya que ello le servir para sus cursos
venideros como el diseo de Circuitos Analgicos.
17

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11.- EL TRANSISTOR MOSFET

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11.3.- Descripcin cualitativa del MOSFET

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Modos de operacin o zonas de trabajo del

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Simbologa de los MOSFETs N y P:

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11.4.- Algunas consideraciones para la

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Corriente de arrastre IDarr

Corriente de difusin IDdif

Usaremos las cargas halladas en el captulo anterior para

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Para la demostraciones de estas ecuaciones, se les invita a

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Ecuaciones caractersticas del MOSFET N en

(VGS VT )VDS 2 VDS

kn: Transconductancia de proceso.

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Ecuaciones caractersticas del MOSFET P en la

(VSG VT )VSD 2 VSD

kp: Transconductancia de proceso.

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Ecuaciones aproximadas del MOSFET en la

Importante cuando el MOSFET se usa en circuitos

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Efectos de polarizacin del sustrato

VT0: Tensin umbral cuando VB=VS.

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Como regla general:

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11.5.- Algunos efectos de segundo orden del

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Dispersin coulombica en el canal:

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11.6.- MOSFETS COMPLEMENTARIOS: CMOS

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