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2/12/2013

Captulo 11
El Transistor Transistor de Efecto de
Campo Metal-xido-Semiconductor
MOSFET

Los Dispositivos Semiconductores

Franco Renato Campana Valderrama

11.- EL TRANSISTOR MOSFET


Puerta (G)
Fuente (S)
Drenador (D)
Sustrato (B)

- Dispositivo de 4 terminales.

L: largo del
canal.
W: Ancho del
canal.
(W/L): relacin dimensional que gobierna la conduccin de un
transistor MOS.
- Dependiendo de la polarizacin sirve para:
- Amplificacin de seales.
- Interruptor (aplicaciones digitales).
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Corte transversal de
un MOSFET tipo N:

Corte transversal de
un MOSFET tipo P:

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11.3.- Descripcin cualitativa del MOSFET


VGS >0: Se crea el canal
(capa de inversin)
VGS >0 y VDS >0: Se ahusa la regin
del canal del lado del drenador. ID0.
Para VDS mayores al anterior
Se extrangula la regin del
canal del lado del drenador y
ante un incremento adicional
de VDS, el punto P se desplaza

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Modos de operacin o zonas de trabajo del


MOSFET
Tres modos de operacin o
zonas de trabajo
Zona lineal:
Resistor controlado
por tensin
Zona de saturacin:
Amplificacin
Zona de corte:
Corriente nula
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Simbologa de los MOSFETs N y P:

Con B=S

Con B=S

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11.4.- Algunas consideraciones para la


deduccin de las relaciones I-V del MOSFET
1.- El MOSFET est funcionando en condiciones de estado
estable (DC) y se analizar un MOSFET N.
2.- Ambas junturas estn inversamente polarizadas.
Ey
3.- Se usar la aproximacin de canal gradual: Ex >>E
4.- El xido y las regiones de deplexin se asumen
aislantes perfectos: IG=0 A, IB=0 A
5.- La corriente que atraviesa el canal est compuesta por
la suma de las corrientes de arrastre y difusin:
ID=IDarr+IDdif
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Corriente de arrastre IDarr

)=

Corriente de difusin IDdif

)=

Corriente total

Usaremos las cargas halladas en el captulo anterior para


encontrar la corriente de drenador en:
Inversin fuerte: Corriente de arrastre
Inversin dbil: Corriente de difusin
Donde se encuentran estos corrientes ?
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Inversin fuerte:
Corriente de arrastre

La corriente aqu
es cero ?
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Inversin dbil o
regin subumbral:
Corriente de difusin
Inversin fuerte:
Corriente de arrastre

Corriente
de fugas

VT

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Para la demostraciones de estas ecuaciones, se les invita a


leer el libro (seccin 11.4) y estr bien acompaados !

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Ecuaciones caractersticas del MOSFET N en


la inversin fuerte
Triodo
VDS < VGS VT
Saturacin
VDS VGS VT

I D = kn

W
L

1 2

(VGS VT )VDS 2 VDS

1 W
I D = k n (VGS VT )2
2 L

kn: Transconductancia de proceso.


n: Movilidad de los electrones en el canal.
Cox: Capacidad del xido bajo la puerta.

k n = n COX
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Ecuaciones caractersticas del MOSFET P en la


inversin fuerte
Triodo
VSD < VSG VT
Saturacin
VSD VSG VT

ID = kp

W
L

1 2

(VSG VT )VSD 2 VSD

1 W
I D = k p (VSG VT
2 L

kp: Transconductancia de proceso.


p: Movilidad de los huecos en el canal.
Cox: Capacidad del xido bajo la puerta.

k p = p COX
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DONDE:
Parmetros de diseo:
L,W: longitud y ancho del canal respectivamente.
Parmetros de proceso:
kn(p), n(p), VT, ro .
El diseador tiene control de:
parmetros de diseo.
El diseador NO tiene control de:
parmetros de proceso.
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Ecuaciones aproximadas del MOSFET en la


inversin dbil
MOSFET N
ID = I0/

W ( VGS VT )nt
e
L

/
I0/ = nC ox
t2 (n 1)

MOSFET P
ID = I0/

W (VSG VT )nt
e
L

/
I0/ = p Cox
t2 (n 1)

Importante cuando el MOSFET se usa en circuitos


de bajo consumo de corriente.

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Efectos de polarizacin del sustrato


Qu pasa cuando BS ?
El voltaje umbral
aumenta !
MOSFET N VT = VT 0 +

MOSFET P VT = VT 0

( 2

2 F + VSB 2 F
Fp

+ VSB 2 Fn

VT0: Tensin umbral cuando VB=VS.


: Coeficiente del efecto cuerpo.
Fp(n): Potencial dependiente del dopaje.
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( )

!=

)
( )

=
2#$%

( )

Cox

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Como regla general:


Terminal B de un NMOS a la tensin ms negativa (tierra o VSS).
Terminal B de un PMOS a la tensin ms positiva (VDD).
Sino se dice lo contrario, asumir que VB=VS
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11.5.- Algunos efectos de segundo orden del


Transistor MOSFET
1.- Modulacin de la longitud del canal:
Pendiente: 1/r0

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Qu ha pasado
con L y cul es
su repercusin
en la corriente ID ?

1 W
I D = k n (VGS VTH )2 (1+ VDS )
2 L
ro: Resistencia de salida del MOSFET
: Factor de la modulacin de la longitud del canal.
VA: Tensin de Early.
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&' =

1
*

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Movilidad reducida de los portadores del canal


La movilidad de los portadores es la misma en el canal?
Campo elctrico transversal

Campo elctrico
horizontal

Regin de deplexin

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Dispersin coulombica en el canal:


1) tomos ionizados de la R.D.
2) Cargas atrapadas en el xido.

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11.6.- MOSFETS COMPLEMENTARIOS: CMOS


Refiere que los dos tipos de MOSFETs pueden estar
en un mismo chip: MOSFET N y MOSFET P.

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Captulo 12
Modelamiento en AC y Efectos
adicionales en el MOSFET

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12.2.- Modelo en AC del MOSFET


Modelo circuital pi-hbrido en pequea seal:

+ -. /0 + -.1 /1 + - /

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Donde los parmetros a pequea seal son


Transconductancia de puerta en saturacin
Inversin fuerte
-. =

234
567 8 59

2 :

Inversin dbil
( )

;
<

-. =

34
>?

Transconductancia de sustrato en saturacin


-.1 = @-. (A+B. @ = 0.1, 0.3)

-.1 =

1 -.

Resistencia de salida
5
&' = H
34

I
J34

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- =

I
KL

MN47
PO
?

I8

MN47
PO
?

34
>?

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Modelo circuital pi-hbrido en pequea seal y


alta frecuencia:

Cgs(d) : capacidad intrnseca


de puerta-surtidor(drenador)
Cgb: capacidad puerta-sustrato
Cgso(do) : capacidad de traslape
de puerta-surtidor(drenador)
Csb, Cdb : capacidades de
juntura de surtidor,
drenador-sustrato.

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Modelo pi-hbrido completo

Q0 R Suma de las capacidades intrnseca y de traslape.


Q0 R Suma de las capacidades intrnseca y de traslape.
Cuando S=B

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Relacin entre cgd y cgs en inversin fuerte


-.
Q0 + Q0 =
2STR
O tambin
TR =

(U% (R
2S 2

fT : Frecuencia a ganancia unitaria.

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12.3.- Escalamiento del Transistor MOSFET


Refiere a la reduccin de las dimensiones del MOS,
basado en reglas de escalamiento.
Propiedad propia del MOSFET.
Siempre se toma como parmetro el L mnimo del canal.
N

N
P

L=25 um
(1970)
Este escalamiento
busca:
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L=0.18 um
(2000)

2010:
L=70 nm

Alta densidad de dispositivos


por unidad de rea.
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An as, escalando apropiadamente el dispositivo se


tendrn algunos de los siguientes problemas
Efectos de L pequeo
Efectos de carga compartida.
Reduccin de la barrera inducido desde el drenador.
Perforamiento.
Todo esto se manifiesta
en la tensin umbral !
L pequeo
La longitud del canal L no es mucho mayor que la
suma de los anchos de las regiones de deplexion del
drenador y surtidor.
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12.4.- Algunos efectos de Campos Elctricos


de gran magnitud
Corriente de puerta y de sustrato
Que pasa si el ancho del xido (tox) es muy pequeo ?
Ex
EY

Regin de deplexin

Habrn algunos portadores que


lograrn remontar la barrera de
energa del xido.

Corriente de puerta IG0 A


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Y que pasa en la regin de deplexin con un VDS muy alto?


Se logra un fuerte campo horizontal, y los portadores viajan
muy acelerados por este campo en la R.D.
E

Regin de
deplexin

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Pequea
avalancha

E
Huecos
generados
por impacto
hacia el
sustrato

Corriente de
sustrato IB0 A

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NOTA
Las relaciones vistas para la inversin dbil, se hicieron con
la finalidad de mostrar los diferentes comportamientos del
MOSFET.
Se advierte al estudiante de pre-grado que, debido a su
complejidad, estas relaciones son mostradas slo con fines
de lectura, pero no para su posterior demostracin.
El estudiante de pre-grado s deber conocer y en el mejor
de los casos, demostrar las relaciones del MOSFET para la
inversin fuerte ya que ello le servir para sus cursos
venideros como el diseo de Circuitos Analgicos.

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