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Electrnica Aplicada I
Curso: 3 R5
baja frecuencia
Medicin de Parmetros h en
INFORME DE LABORATORIO N1
Electrnica Aplicada I
Curso: 3 R5
baja frecuencia
Medicin de Parmetros h en
En el segundo grfico las corrientes de base (Ib) son ejemplos para poder entender que
a ms corriente la curva es ms alta.
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Electrnica Aplicada I
Curso: 3 R5
baja frecuencia
Medicin de Parmetros h en
Para el modo emisor-comn los varios smbolos de la imagen toman los valores
especficos de:
Terminal 1 = Base
Terminal 2 = Colector
Terminal 3 = Emisor
Como se ve, los parmetros h tienen subndices en minscula y por ende representan
que las condiciones de anlisis del circuito son con corrientes alternas. Para condiciones
de corriente continua estos subndices son expresados en maysculas. Para la topologa
emisor comn, un aproximado del modelo de parmetro h es comnmente utilizado ya
que simplifica el anlisis del circuito. Por esto los parmetros hoe y hre son ignorados (son
3
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Electrnica Aplicada I
Curso: 3 R5
baja frecuencia
Medicin de Parmetros h en
tomados como infinito y cero, respectivamente). Tambin debe notarse que el modelo de
parmetro h es slo aplicable al anlisis de seales dbiles de bajas frecuencias. Para
anlisis de seales de altas frecuencias este modelo no es utilizado debido a que ignora
las capacitancias entre electrodos que entran en juego a altas frecuencias.
DESARROLLO PRCTICO
En esta experiencia se pretende realizar las mediciones necesarias para obtener
los parmetros hbridos de un transistor bipolar de pequea seal, ya que los
mismos no son directamente mensurables.
OBTENCIN DE LOS PARMETROS hie y hfe
Circuito a Ensayar
Tener en cuenta:
Vce= 5 [V]
Ic= 2 [mA]
RB1= 3 a 5 [M]
RB2=100 [K]
VS a 1 [KHz]
Realizacin de la Prctica
En primera instancia realizamos el conexionado del circuito pero en vez de utilizar dos
potencimetros (uno para ajuste aproximado y otro para ajuste fino), utilizamos un
potencimetro de 2 [M]. Por otra parte, como debemos polarizar el transistor para
Vce=5[V] e Ic=2[mA], el valor de la fuente de alimentacin Vcc viene determinada por el
siguiente clculo:
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baja frecuencia
Seal de Entrada
Vs=1 [V]pico
F= 1 [KHz].
Medicin de Parmetros h en
Osciloscopio
Valores Pico:
Simulador
Referencia:
Vbe: Lnea Amarilla
Vce: Lnea Azul
Nota: Las escalas para cada una
de las ondas son distintas.
v s 1[V]
v be 5[mV]
v ce 35[mV]
h11 hie
vi
ii
[ ]
Vo 0
Donde:
ii i b
v s v be v s
1[V]
ib
1[ A]
Rs
Rs
1[M ]
v i v be 5[mV]
Entonces:
h ie
5[mV]
5[K]
1[ A]
h21 h fe
i0
ii
[sin unidad ]
Vo 0
Donde:
i i i b 1[ A]
io ic
vce
35[mV]
ic
0,35[mA]
Rc
100[]
Entonces:
h fe
0,35[mA]
350
1[ A]
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baja frecuencia
Medicin de Parmetros h en
ib
1[ A]
Rs
Rs
1[M ]
v i v be 5[mV]
Entonces:
5[mV]
h ie
5[K]
1[ A]
Determinacin del parmetro hfe:
i i i b 1[ A]
io ic
v ce
65[mV]
ic
0,325[mA]
Rc
200[]
Entonces:
0,325[mA]
325
1[ A]
Conclusin:
h fe
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Electrnica Aplicada I
Curso: 3 R5
baja frecuencia
Tener en cuenta:
Medicin de Parmetros h en
Vce= 5 [V]
Ic= 2 [mA]
RB1= 3 a 5 [M]
RB2=100 [K]
VS a 1 [KHz]
Realizacin de la prctica
Nuevamente realizamos el
conexionado del circuito pero
utilizamos un potencimetro de 2
para regular la corriente en la base
transistor. Por otra parte, como
debemos polarizar el transistor para
Vce=5[V] e Ic=2[mA], el valor de la
de alimentacin Vcc viene
determinada por el siguiente clculo:
[M]
del
fuente
Osciloscopio
Valores Pico:
v s 10[V]
v bb v b 30[mV]
v ce 10[V]
v ee v en 20[mV]
Simulador
Referencia:
Vbb: Lnea Amarilla.
Vce: Lnea Azul.
Vee: Lnea Roja.
Nota: Las escalas para cada
una de las ondas son
distintas.
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Donde:
Medicin de Parmetros h en
i0
vo
[ siemens ]
Ii 0
Donde:
io ic
v en
20[mV]
ic
2[mA]
Re
10[0
v o v ce 10[V]
Entonces:
2[mA]
200 10 6 [s]
10[V]
Verificacin de las condiciones supuestas:
1
Salida en cortocircuito
Rc << hoe
vce 0
h oe
100[] <<
Alimentacin de la
entrada con corriente
hie << RB
1
5000[]
2 10 4 [ s]
5[ K] << 650[ K]
hie << RS
5[ K] << 1000[ K]
Entrada a circuito
abierto ii 0
RB >> hie
Impedancia de
Entrada
hie
Transferencia
Directa de
Corriente
h fe
1400[ K] >> 5[ K]
Laboratorio
Error Relativo
Porcentual
(7 - 5)
100%
7
e% = 28,6%
e%
7[K]
5[K]
e%
420[s/unid ad]
350[s/unid ad]
(420 - 350)
100%
420
e% = 16,7%
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Transferencia
Inversa de
Tensin
Medicin de Parmetros h en
e%
2,5x10 -4 [s/unidad]
1x10 -4 [s/unidad]
hre
Conductancia
de Salida
hoe
-6
110x10 [s]
-6
200x10 [s]
e%
(2,5 - 1)
100%
2,5
e% = 60%
(110 - 200)
100%
110
e% = -81,8%
CONCLUSIN
Luego de realizar la prctica de laboratorio referida a la medicin de parmetros h del
modelo equivalente hbrido del transistor podemos destacar principalmente dos
observaciones: por un lado es que la condicin de cortocircuito en la salida de la etapa no
se realiza estrictamente sino que se trata de lograr esa condicin utilizando una
resistencia de colector Rc muy pequea en comparacin con la impedancia de salida del
transistor; por otra parte notamos que las variaciones obtenidas en los valores de los
parmetros h medidos son aceptables para el caso de hie y hfe, sin embargo para hre y
hoe las variaciones son muy importantes. En funcin de esto podemos decir que los
errores ms significativos son de origen tcnico y estn vinculados a la forma de
medicin y a los elementos usados ya que por tratarse de baja seal, los valores que
manejamos son pequeos.