INFORME DE LABORATORIO N2

Curso: 3 R5

Electrnica Aplicada I
Medicin de la Variacin Respecto de la Temp.

Medicin de la Variacin respecto de la temperatura de Icbo, , Vbe de un BJT

INTRODUCCIN
Al utilizar transistor como amplificado de seales, o en su zona lineal, encontramos que se producen
efectos diversos al variar la temperatura de juntura. Los cuales no pueden ser previstos matemticamente,
pues no existen las relaciones directas entre la temperatura y el HFE o . Aunque estas variaciones no podemos
calcularlas, si llegamos a las siguientes conclusiones:
:Se incrementa con el incremento de temperatura.
|VBE|: Se reduce aproximadamente 2.5 mV por grado Centgrado de temperatura de juntura.
Icbo (corriente de saturacin inversa): Duplica su valor por cada 10C de incremento de la
temperatura.

Consecuencias:
Cualquiera de estos, o todos en combinacin pueden provocar comportamientos distintos del punto de
trabajo, hacindolo variar y provocando grandes distorsiones en la seal. Por ende se intenta por medio de
polarizaciones disminuir este efecto haciendo que los distintos parmetros dependan menos del transistor. Es
decir, no podemos independizar estos parmetros del transistor ya que dependen de s mismo, pero si por
medio de una configuracin adecuada podemos atenuar su efecto hasta hacerse medianamente despreciable.
Los principales problemas que encontramos es que al variar parmetros como la Vbe, si Vbe disminuye,
aumenta la Ib y por consiguiente aumenta Ic, esto provoca un mayor aumento de temperatura y este circulo
vicioso si no es eliminado o compensado por algn medio lleva a la destruccin del semiconductor por exceso
de corriente de colector o por superar la mxima temperatura de juntura.

En las figuras podemos observar el comportamiento de la Vbe y por consiguiente el aumento de la Ic

que se convierte en un aumento de la pendiente de la curva de salida, llevando el punto de trabajo cada vez
ms cerca de la hiprbola de disipacin. Tambin debemos tener en cuenta que todos los datos
proporcionados son a 25C, temperatura a la cul rara vez se encuentra el dispositivo ya que necesitaramos un
disipador de tamao infinito. Si la Tj (Temperatura de juntura) aumenta, la potencia disipada mxima del
dispositivo cae abruptamente como podemos observar en las grficas de otro transistor a continuacin.

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En este caso vemos como la

Temperatura de la carcasa o la temperatura
ambiente me limita la potencia rpidamente
desde su valor mximo hasta prcticamente 0
W.
Para hacer ms evidente esta
variacin, en esta prctica de laboratorio se
pretende usar una polarizacin fija, la cual que
no ofrece ningn mecanismo de
compensacin o limitacin de estos
fenmenos.

Objetivos de la Prctica
El objetivo de esta prctica es analizar como varian los parmetros antes mencionados al provocar
variaciones grandes de temperatura con medios externos. Es decir, medir Icbo, Vbe y con los distintos
cambios de temperatura. Se utilizara solamente un transistor de silicio, ya que los de germanio han
desaparecido casi por completo del mercado.

Desarrollo Prctico
Para la realizacin de este ensayo se decidi usar una polarizacin totalmente inestable para as
acentuar ms sus variaciones.
Como no contamos con una fuente trmica constante que pueda entregar un calor y hacer una
dependencia lineal y gradual optamos por darle calor directamente por medio de un encendedor. Al cual en
una primera instancia solamente calentamos la parte metlica y al hacer contacto el calor empez a circular
por conduccin. Luego de haber realizado estas mediciones optamos por ver el caso ms extremo, y
sometimos al transistor durante tiempos de alrededor de un segundo a una llama dbil. Por medio de los
instrumentos vimos la variacin excesiva que se produjo en la Vce y la Vbe.
En las figuras siguientes se muestra el circuito utilizado, las curvas de salida y el punto de trabajo
utilizado para realizar la prctica.
Debido a la incapacidad de los instrumentos de medir corrientes tan pequeas, como la Icbo, se utilizan
medios indirectos para su estimacin.

Polarizacin Fija y Variacin de Temperatura:

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Determinacin de la Icbo
La magnitud expresada por el fabricante es de alrededor de 15 nA, quedando absolutamente fuera de
los mrgenes medibles por nuestros instrumentos ya que la sensibilidad de ellos en escalas de corriente son del
orden de los mA, llegando como mucho a medir cientos de micro amper. Para medir esta corriente tan
pequea, conectamos una serie de resistencias al colector y medimos la cada de tensin en ellas, ya que la
corriente Icbo no depende de la resistencia, el error cometido solamente depende de la resistencia interna del
voltmetro. La resistencia interna del Voltmetro es del orden de los Mohm, por lo tanto puede considerarse un
divisor de corriente y por ende un error que puede oscilar entre el 10 y el 50%.

Los valores obtenidos poseen bastante dispersin debido a el ruido elctrico propio del entorno y los
valores tan pequeos medidos.
Con 24 Voltios aplicados, la tensin en una resistencia de 1.9M fue de 1.7mV, mientras que en una
resistencia de 11M(asociando en serie varias de 1.9M), fue de 5.5 mV.
Icbo=Vs/Rs
Para el primer caso: Icbo=1.7mV/1.9M=0.9nA
Para el segundo caso: Icbo=1.7mV/11M=0.5nA
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En el segundo caso el error es mayor, ya que la resistencia interna del voltmetro es cercana a los 11M
desviando casi la mitad de la corriente.

Determinacin de la Iceo
Los resultados fueron los siguientes:
Vs=0.2mV con los 1.9M de resistencia.
Vs=0.9mV con los 11M de resistencia.
Evidentemente este valor resulta inferior al medido
anteriormente de Icbo.
A pesar de observarse una pequea variacin en la tensin
de alimentacin el valor de esta corriente resulta casi
independiente de la misma

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Determinacin de la Variacin de Vbe con la temperatura

Anteriormente se explica porque se decidi utilizar una polarizacin fija y se dieron las curvas
caractersticas con su respectiva recta de carga y punto de trabajo seleccionado. Ahora el circuito definitivo
utilizado fue el siguiente:

Con el potencimetro de ajuste colocado en la base, regulamos la

corriente de colector hasta colocarlo cercano a la zona de saturacin. Con
una Vce de aproximadamente 1 V (La hoja de datos establece una Vce de
saturain de 100mV).
Con esa tensin Vce, medimos la VBE y resulto ser del orden de los
660 mV aproximadamente, al medir la resistencia verificando el punto de
trabajo que habiamos calculado anteriormente.
Luego le aplicamos durante un instante una pequea cantidad de
calor y obervamos la rapida variacin de ambos parmetros la cual
cambiaba, por ejemplo la Vbe, a razon de 25mV por segundo, podemos ver
entonces que se estaba calentando a unos 10 Grados por segundo. Al
observar esta variacion de tensin Base-Emisor, vimos que el transistor
inmediatamente entro en saturacin, desplazando el punto de trabajo muy
lejos de lo que estaba calculado.
La temperatura inicial del transistor era de aproximadamente unos
25C (TA), y termin en 52C. Provocando que la tensin de base caiga a
595mV.

Determinacin de la Variacin de con la temperatura

Luego de enfriar durante unos minutos el transistor, reajustamos la resistencia de base a un valor mas
alto para asi dejar como constante su corriente y centrarnos en la variacin de la Vbe, lo cual dar como
resultado una variacin del .
El circuito utilizado en este inciso es el mismo que el anterior, solamente que con un valor de
resistencia de base ms alto, para as alejar el transistor de la zona de saturacin hacia su zona lineal.
Utilizando una tensin de fuente de alrededor de 12 Voltios, por medio de una resistencia variable
conectada en base, llegamos a un punto de trabajo del transistor donde la tensin Vce es de Vcc/2, es decir de
5,92 Volt. Se coloc un segundo instrumento dedicado a la medicin de la Corriente total entregada por la
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fuente, ya que es aproximadamente igual a la corriente de colector, al ser polarizacin fija Ic=Ib y est entre
los 100 y 300.
El circuito utilizado es el siguiente:

A
A

La corriente en el punto de reposo es de 13 mA, con una tensin de 5.92 Volt entre colector y emisor.
Por lo tanto en la carga tenemos: Vrc=13mA*470 = 6.11V. Vcc= 5.92 + 6.11= 12.03 V.
Para hacer variar esta Ic, le aplicamos calor directamente al encapsulado por medio de un encendedor
y observamos que al cabo de 5 segundos de una llama tenue, la corriente de colector era de 15.8 mA y la
tensin colector emisor era de 4.85V (acercndose lentamente a la saturacin). El Beta de cada una de estas
situaciones podemos analizarlo grficamente segn las curvas de salida del transistor.

1=13ma/100uA

1=15.8ma/100uA

=130

=158

Continuando con estas pruebas nos dispusimos a aumentar la tensin de Vcc hasta su mximo y re
polarizar el transistor en Vcc/3 para trabajar en un punto ms cercano a la hiprbola de disipacin (de haber
tomado Vcc/2 con esta tensin hubiramos superado la mxima tensin de la juntura).
Dejando una tensin de colector emisor de 13,5 Voltios aumentamos la corriente de base hasta que
notamos un pequeo incremento de temperatura en la cpsula del componente. Al llegar a este punto, por lo
visto en la teora debera alcanzarse el ciclo de realimentacin que hace aumentar Ic, y entonces aumenta la
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temperatura, aumentando el y as hasta destruirse el transistor. Llegamos a una corriente de colector de

68mA, y se empez a notar el incremento de temperatura rpidamente. Y como era de esperarse, la corriente
de colector sigui aumentando hasta los 80 mA donde detuvimos el ensayo porque estbamos notablemente
cerca de la destruccin del transistor.

Conclusin: Utilizando polarizacin fija no obtenemos ninguna garanta del trabajo del transistor, y por
ende de utilizarse esta polarizacin se debe tener en cuenta una buena disipacin de la cpsula. Con las otras
polarizaciones podramos obtener mejor estabilidad, pero aun as la dependencia de la temperatura ser
siempre un factor clave a la hora de disear un circuito con transistores Bipolares.